KR20060126887A - 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드필터 복합소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자성체 영역과 비자성체 영역을 형성함에 있어서 건식제조방식과 습식제조방식을 혼용하므로서 3차원 구조의 안정성을 확보할 수 있으며 제조 공정을 단순화할 수 있는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명인 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자는,
공통모드 필터 복합소자에 있어서,
필터 상측에 형성되는 상부커버층(100)과;
코일패턴이 형성되는 층으로 복수의 층인 경우 비아홀을 통하여 상위층과 하위층이 연결되는 중앙넌페라이트전극층(200b)과,
상기 중앙넌페라이트전극층에 공간을 확보한 후 이 공간에 삽입되는 중앙페라이트코어삽입층(200a)으로 이루어진 필터(200)와;
상기 필터 하측에 형성되는 하부커버층(300);으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법은,
캐리어 필름 상에 각각 자성체막과 비자성체막을 형성한 그린시트준비단계와;
2개의 코일이 3차원적으로 만나지 않고 회전할 수 있도록 비아홀을 형성하기 위해 펀칭하는 비아홀펀칭단계와;
상기 비아홀에 도전체 페이스트를 충진시키는 페이스트충진단계와;
도전체 페이스트를 충진시킨 비자성체막위에 전극패턴을 형성하는 전극패턴형성단계와;
비자성체의 층별로 2개의 코일이 회전하도록 적층을 하는 전극층적층단계와;
적층이 완료된 비자성체층에 중앙페라이트코어가 형성되는 부분을 펀치하여 비자성체를 제거하는 펀치단계와;
비자성체층에 자성체 페이스트를 인쇄를 통해 충진시키는 페라이트충진단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 통해 적층형 칩 공통모드 필터(common mode filter)를 제조함에 있어 보다 높은 결합계수를 확보하며 3차원적으로 구성되는 자속 경로를 안정적으로 쉽게 형성할 수 있게 함으로 인해 제조방식이 보다 단순화된 고신뢰성의 제품을 생산할 수 있게 된다.
커먼모드필터, 페라이트, 이종복합소재, 비자성체, 자성체.
Description
도 1a는 코일 부품소자를 포함하는 종래의 공통모드 초크코일의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 공통모드 초크코일의 분해도이다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 자기경로를 나타낸 사시도이다.
도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 비자성체 영역을 나타낸 사시도이다.
도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 내부전극을 나타낸 사시도이다.
도 2e는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층을 나타낸 도면이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적 층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 그린시트준비단계를 나타낸 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 비아홀펀칭단계를 나타낸 도면이다.
도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 비아홀에 도전체 페이스트를 충진시키는 페이스트충진단계를 나타낸 도면이다.
도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 전극패턴형성단계를 나타낸 도면이다.
도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 전극층적층단계를 나타낸 도면이다.
도 3f는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 펀치단계를 나타낸 도면이다.
도 3g는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 페라이트충진단계를 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 외관 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층이 끝난 적층형 칩 공통모드 필터의 투과도이다.
도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층형 칩 이중 공통모드 필터의 투과도이다.
도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층형 칩 이중 공통모드 필터의 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 비아홀 20 : 코일
100 : 상부커버층 200 : 필터
200a : 중앙페라이트코어삽입층 200b : 중앙넌페라이트전극층
300 : 하부커버층
본 발명은 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자성체 영역과 비자성체 영역을 형성함에 있어서 건식제조방식과 습식제조방식을 혼용하므로서 3차원 구조의 안정성을 확보할 수 있으며 제조 공정을 단순화할 수 있는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
공통모드 초크코일 또는 트랜스포머 등의 코일 부품에서 코일 부품의 전기적 인 특성을 향상시키기 위하여 1차코일과 2차코일 간의 전자기적인 결합도를 증가시키는 것이 중요한 과제이며, 1, 2차 코일간의 전자기적 결합도를 증가시키기 위해서는 두 코일간의 간격을 작게 하거나, 누설자속이 발생하지 않도록 자로(磁路)를 형성하여야 한다.
이와 관련된 종래의 특허로서 대한민국에 2002년도에 출원하여 등록된 특허등록번호 466884호인 적층형 코일 부품 및 그 제조방법에 관한 것이 있으며, 간단히 설명하기 위해 도 1a 내지 도1b에 나타내었다.
설명하자면, 도 1a에 도시된 바와 같이, 상/하부의 자성체 영역(20)과 양측면의 자성체 영역(22), 그리고 중앙의 자성체 core를 통해 자속 경로가 형성되게 되며 비 자성체 영역에는 2개의 coil이 서로 만나지 않는 상태로 동일 회전방향으로 구성되게 된다.
도 1b에 도시된 바와 같이, “A"의 상/하부 자성체 영역과 중앙 전극층 사이에 구역별로 구분된 양측과 중앙부의 자성체 영역이 적층됨으로써 3차원 구조의 자속 경로를 형성하게 되어 있으며 ”C"영역의 비자성체 층에는 via hole로 연결된 2개의 coil이 서로 만나지 않는 구조로 회전되게 되어 있다. 또한 “B" 영역은 내부전극이 자성체와 직접 만나지 않도록 하는 Buffer층으로 구성되어 있다.
위와 같은 건식 제조방식의 경우 비자성체와 자성체간 수직 계면을 안정적으로 형성하는 것이 매우 까다로우며 특히 수직 방향으로 내부전극에 의한 두께와 비자성체의 두께, 그리고 자성체의 두께를 적당하게 조정하는 것이 매우 까다롭다. 이로 인해 구조적 안정성이 취약하면 결국 2개의 coil간 절연성등에 대한 문제점이 발생될 가능성이 있다.
또한, 자성체와 비자성체를 Layer마다 Punch를 하고 필요에 따라 half cutting을 한 후 자성체, 비-자성체를 각각 적층해야 1개의 layer가 구성되기 때문에 제조방식이 복잡하며 제조비용 또한 높아지게 되는 문제점을 가지게 된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로,
본 발명의 목적은 3차원적인 자속경로를 형성함에 있어 중앙의 페라이트 코어(Ferrite Core)를 습식 방식을 적용함으로써 종래의 기술보다 단순한 제조방식을 형성하며 자성체 비자성체의 수직 경계를 안정적으로 형성할 수 있게 함으로써 고 신뢰성을 갖는 적층형 칩 공통모드 필터(common mode filter) 복합소자를 제작할 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 자속 경로에 수직인 방향에 비아 홀(via hole)을 형성시킴으로써 2개의 코일(coil)은 노멀 모드(normal mode)에서 보다 낮은 임피던스(Impedance) 특성을 확보할 수 있게 하며 안정적인 수직 경계면을 형성하므로 인해 낮은 부유정전용량을 확보하며 2개의 코일(coil)간 절연성을 확보하여 고 신뢰성을 갖는 적층형 칩 공통모드 필터(common mode filter) 복합소자를 생산하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자는,
공통모드 필터 복합소자에 있어서,
필터 상측에 형성되는 상부커버층(100)과;
코일패턴이 형성되는 층으로 복수의 층인 경우 비아홀을 통하여 상위층과 하위층이 연결되는 중앙넌페라이트전극층(200b)과,
상기 중앙넌페라이트전극층에 공간을 확보한 후 이 공간에 삽입되는 중앙페라이트코어삽입층(200a)으로 이루어진 필터(200)와;
상기 필터 하측에 형성되는 하부커버층(300);으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 상부커버층(100)은 페라이트로 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 하부커버층(300)은 페라이트로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 비아홀은,
자속경로에 수직인 방향에 형성시키는 것을 특징으로 한다.
상기 중앙페라이트코어삽입층은 습식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 상부커버층(100)과 하부커버층(300)은 건식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법은,
캐리어 필름 상에 각각 자성체막과 비자성체막을 형성한 그린시트준비단계와;
2개의 코일이 3차원적으로 만나지 않고 회전할 수 있도록 비아홀을 형성하기 위해 펀칭하는 비아홀펀칭단계와;
상기 비아홀에 도전체 페이스트를 충진시키는 페이스트충진단계와;
도전체 페이스트를 충진시킨 비자성체막위에 전극패턴을 형성하는 전극패턴형성단계와;
비자성체의 층별로 2개의 코일이 회전하도록 적층을 하는 전극층적층단계와;
적층이 완료된 비자성체층에 중앙페라이트코어가 형성되는 부분을 펀치하여 비자성체를 제거하는 펀치단계와;
비자성체층에 자성체 페이스트를 인쇄를 통해 충진시키는 페라이트충진단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
본 발명은 적층형 코일 부품에 관한 것으로, 트랜스포머(transformers) 또는 공통모드 초크코일(common mode choke coils) 등으로 사용될 수 있는 코일 부품에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 자성체 영역은 상/하부의 건식 제조방식을 통해 형성되는 페라이트(Ferrite)층과 중앙에 습식 제조방식을 통해 형성되는 페라이트 코어(Ferrite core)부위로 연결하도록 되어 있다.
특히 중앙의 습식 방식으로 형성되는 페라이트 코어(Ferrite core)영역은 기 존 적층형 칩 코일부품의 생산방식과 동일하게 형성된 비 자성체 층에 Punch를 통해 공간을 확보한 후 이 공간에 Paste화 된 페라이트(Ferrite)를 채워 넣어 줌으로써 형성되게 된다.
본 발명에서 자성체로는 Ni계, Ni-Zn계, Ni-Zn-Cu계 등의 물질이 사용될 수 있으며, 비자성체로는 B2O3-SiO2 계 유리, Al2O3-SiO2 계 유리, 투자율이 없는 Zn-Spinel등이 사용될 수 있다.
한편, 모재로 사용하는 자성체는 투자율이 높고, 품질계수가 높으며, 고주파임피던스가 높으면 좋다. 그리고 비자성체는 유전율이 낮고, 품질계수가 높으며, 고주파 임피던스가 낮은 것이 좋다. 그러나 이 두 물질은 소성시에 상호간에 화학적인 반응이 일어나서 본래의 물질특성을 훼손할 수 있다. 또는 상호간의 소결특성이 달라 동시소성이 어려운 경우가 있다. 이러한 경우, 자성체와 비자성체가 만나는 부분은 소결시의 수축거동을 원활하게 하기 위해서 모재의 자성체와 모재의 비자성체가 아닌 다른 종류의 자성체 내지 비자성체를 사용할 수도 있다. 이러한 중간재를 사용함으로서, 모재 자성체의 소결수축거동, 모재 비자성체의 소결수축거동을 맞추거나, 모재 자성체와 모재 비자성체의 화학적 반응을 억제하여 고유의 물질적 특성을 유지할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적 층형 칩 공통모드 필터복합소자의 자기경로를 나타낸 사시도이다.
도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 비자성체 영역을 나타낸 사시도이다.
도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 내부전극을 나타낸 사시도이다.
도 2e는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층을 나타낸 도면이다.
도2a 내지 도2e를 참조하여 설명하도록 한다.
본 발명인 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자는 도2e에 도시한 바와 같이, 공통모드 필터 복합소자에 있어서,
필터 상측에 형성되는 상부커버층(100)과;
코일패턴이 형성되는 층으로 복수의 층인 경우 비아홀을 통하여 상위층과 하위층이 연결되는 중앙넌페라이트전극층(200b)과,
상기 중앙넌페라이트전극층에 공간을 확보한 후 이 공간에 삽입되는 중앙페라이트코어삽입층(200a)으로 이루어진 필터(200)와;
상기 필터 하측에 형성되는 하부커버층(300);으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 상부커버층(100) 및 하부커버층(300)은 페라이트로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 비아홀은 자속경로에 수직인 방향에 형성시키는 것을 특징으로 한다.
상기 중앙페라이트코어삽입층은 습식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 상부커버층(100)과 하부커버층(300)은 건식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 자기경로(Major Magnetic roop)는 도2b에 나타낸 바와 같이, 페라이트로 형성된 상부커버층(100)과 중앙페라이트코어삽입층과 페라이트로 형성된 하부커버층(300)를 통해 형성된다.
이를 구성하기 위해서 상기 중앙페라이트코어삽입층은 습식 방식을 적용하게 되어 종래의 기술보다 단순한 제조방식을 형성할 수 있으며, 자성체 및 비자성체의 수직 경계를 안정적으로 형성할 수 있게 되므로 고신뢰성을 갖춘 복합소자를 만들 수 있게 되는 것이다.
또한, 자기경로를 형성하는 상부커버층(100)과 하부커버층(300)은 건식 방식을 적용하여 형성된다.
따라서, 상기한 상부커버층(100)과 하부커버층(300)의 건식 제조방식을 통해 형성되는 페라이트층과 중앙에 습식 제조방식을 통해 형성되는 중앙페라이트코어삽입층으로 연결하도록 되어 있다. 특히 중앙의 습식 방식으로 형성되는 페라이트코어영역은 종래의 적층형 칩 코일 부품의 생산 방식과 동일하게 형성된 비자성체층인 중앙넌페라이트(Non-Ferrite)전극층에 펀칭을 통해 공간을 확보한 후 이 공간에 페이스트(Paste)화 된 페라이트를 채워 넣어줌으로써 형성하게 된다.
상기한 습식 제조방식과 건식 제조방식은 이미 당업자에게 널리 알려진 기술 이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
한편, 도2d에 도시한 바와 같이, 상기 자속경로에 수직인 방향에 비아홀을 형성시킴으로써 2개의 코일은 노멀 모드에서 보다 낮은 임피던스 특성을 확보할 수 있게 되며, 안정적인 수직 경계면을 형성하므로 인해 낮은 부유정전용량을 확보하며 2개 코일간의 절연성을 확보할 수 있게 된다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 그린시트준비단계를 나타낸 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 비아홀펀칭단계를 나타낸 도면이다.
도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 페이스트충진단계를 나타낸 도면이다.
도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 전극패턴형성단계를 나타낸 도면이다.
도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 전극층적층단계를 나타낸 도면이다.
도 3f는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 펀치단계를 나타낸 도면이다.
도 3g는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법의 페라이트충진단계를 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3g에 도시한 바와 같이, 본 발명의 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법은,
캐리어 필름 상에 각각 자성체막과 비자성체막을 형성한 그린시트준비단계(S100)와;
2개의 코일이 3차원적으로 만나지 않고 회전할 수 있도록 비아홀을 형성하기 위해 펀칭하는 비아홀펀칭단계(S110)와;
상기 비아홀에 도전체 페이스트를 충진시키는 페이스트충진단계(S120)와;
도전체 페이스트를 충진시킨 비자성체막위에 전극패턴을 형성하는 전극패턴형성단계(S130)와;
비자성체의 층별로 2개의 코일이 회전하도록 적층을 하는 전극층적층단계(S140)와;
적층이 완료된 비자성체층에 중앙페라이트코어가 형성되는 부분을 펀치하여 비자성체를 제거하는 펀치단계(S150)와;
비자성체층에 자성체 페이스트를 인쇄를 통해 충진시키는 페라이트충진단계(S160);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
좀 더 상세히 설명하자면, 도3a와 같이 캐리어 필름 상에 각각 자성체막과 비자성체막을 형성한 그린시트를 준비(S100)하고, 자성체 막은 상부와 하부의 Ferrite층을 형성시키기 위해 1장 또는 그 이상을 적층하여 상/하부의 Ferrite층을 형성하게 된다.
또한, 비자성체막은 도3b와 같이 2개의 coil을 3차원적으로 만나지 않고 회전할 수 있도록 via hole을 형성(S110)하게 된다. 특히 향후 형성될 3개의 Ferrite core에 90도 방향에 via hole을 형성함으로서 2개의 coil간 자속상쇄 효과를 극대화 할 수 있도록 위치가 선정된다. 그 위에 도3c와 같이 스크린 인쇄방식을 통해 via hole에 도전체 paste를 충진(S120)시키게 되며, 도 3d과 같이 via hole에 도전체 paste를 충진시킨 비자성체막위에 전극패턴을 형성(S130)하게 되며, 도 3e와 같이 비자성체의 층별로 2개의 coil이 회전하도록 적층(S140)을 하게 된다.
그리고, 도3f에 도시한 바와 같이 적층이 완료된 비자성체 층에 중앙 Ferrite core가 형성되는 부분을 punch등의 방식으로 비자성체를 제거(S150)하여 이렇게 형성된 비자성체 층에 자성체 Paste를 인쇄를 통해 충진(S160)시켜 완성되는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 제조방법은 종래 발명의 경우 자성체와 비자성체를 매 층간에 형성시키는 방법에 대해 비자성체를 적층한 후 여기에 자성체 영역을 습식 방식을 통해 형성하게 되는 방법으로 제조공정을 매우 단순화할 수 있게 된다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 외관 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층이 끝난 적층형 칩 공통모드 필터의 투과도이다.
상기 도 4a는 미리 준비된 상/하 자성체 cover를 도 3f와 같이 형성된 중앙층과 적층한 형태를 나타낸 것이며, 도 4b는 본 발명에 의해 형성된 적층 common mode filter의 투과도를 나타낸 것이다.
도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층형 칩 이중 공통모드 필터의 투과도이다.
도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자의 적층형 칩 이중 공통모드 필터의 사시도이다.
상기 도4c는 본 발명의 다른 실시예로서 이중 공통모드 필터(double common mode filter 또는 Common mode filter array)의 발명의 예이다.
위에서 설명한 바와 같이 2개의 coil로 common mode filter를 형성하고 이 common mode filter를 수직으로 2개를 형성시키며 동일 사이즈에서 2개의 common mode filter를 구현할 수 있게 된다. 또한 각각의 common mode filter는 coil의 회전 방향을 반대로 형성시켜 2개의 coil간 마그네틱(magnetic) 간섭(crosstalk)이 일어나지 않도록 coil을 설계한다.
또한, 본 발명의 일실시예와 마찬가지로 다른 실시예에서도 각각의 common mode filter의 coil은 외부에 형성된 단자(termination)와 전기적 접촉이 되도록 구성이 된다.
이상에서와 같은 내용의 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시된 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되 는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 및 그 제조방법은,
적층형 칩 공통모드 필터(common mode filter)를 제조함에 있어 보다 높은 결합계수를 확보하며 3차원적으로 구성되는 자속 경로를 안정적으로 쉽게 형성할 수 있게 함으로 인해 제조방식이 보다 단순화된 고신뢰성의 제품을 생산할 수 있는 효과가 있다.
Claims (7)
- 공통모드 필터 복합소자에 있어서,필터 상측에 형성되는 상부커버층(100)과;코일패턴이 형성되는 층으로 복수의 층인 경우 비아홀을 통하여 상위층과 하위층이 연결되는 중앙넌페라이트전극층(200b)과,상기 중앙넌페라이트전극층에 공간을 확보한 후 이 공간에 삽입되는 중앙페라이트코어삽입층(200a)으로 이루어진 필터(200)와;상기 필터 하측에 형성되는 하부커버층(300);으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 제 1항에 있어서,상기 상부커버층(100)은,페라이트로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 제 1항에 있어서,상기 하부커버층(300)은,페라이트로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 제 1항에 있어서,상기 비아홀은,자속경로에 수직인 방향에 형성시키는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 제 1항에 있어서,상기 중앙페라이트코어삽입층은,습식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 제 1항에 있어서,상기 상부커버층(100)과 하부커버층(300)은,건식 방식을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자.
- 캐리어 필름 상에 각각 자성체막과 비자성체막을 형성한 그린시트준비단계와;2개의 코일이 3차원적으로 만나지 않고 회전할 수 있도록 비아홀을 형성하기 위해 펀칭하는 비아홀펀칭단계와;상기 비아홀에 도전체 페이스트를 충진시키는 페이스트충진단계와;도전체 페이스트를 충진시킨 비자성체막위에 전극패턴을 형성하는 전극패턴형성단계와;비자성체의 층별로 2개의 코일이 회전하도록 적층을 하는 전극층적층단계와;적층이 완료된 비자성체층에 중앙페라이트코어가 형성되는 부분을 펀치하여 비자성체를 제거하는 펀치단계와;비자성체층에 자성체 페이스트를 인쇄를 통해 충진시키는 페라이트충진단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 구조로 이종 소재를 형성하는 적층형 칩 공통모드 필터 복합소자 제조방법.
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