KR20060120114A - 플라스마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라스마 디스플레이 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20060120114A
KR20060120114A KR1020067009398A KR20067009398A KR20060120114A KR 20060120114 A KR20060120114 A KR 20060120114A KR 1020067009398 A KR1020067009398 A KR 1020067009398A KR 20067009398 A KR20067009398 A KR 20067009398A KR 20060120114 A KR20060120114 A KR 20060120114A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
needle
shaped
protective film
electrode
display panel
Prior art date
Application number
KR1020067009398A
Other languages
English (en)
Inventor
신이치 야마모토
미키히코 니시타니
유키히로 모리타
Original Assignee
마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 filed Critical 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Publication of KR20060120114A publication Critical patent/KR20060120114A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 PDP에서 보호막 표면의 벽 전하 유지성능을 확보하는 동시에, 구동 시의 방전의 변화의 발생을 억제하면서, 방전개시전압을 낮춰서 소비전력을 감소시키는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 본 발명의 PDP의 전면 패널은 유리 기판의 한쪽 면에 형성한 스트라이프 형상의 표시 전극의 표면상에 촉매 층이 분산하여 형성되고, 그 촉매 층 상에 그래파이트로 이루어지는 침 형상 결정체가 임립하도록 형성되어 있다. 그리고 그 침 형상 결정체들 사이를 메우도록 유전체 막과 보호막이 형성된다. 침 형상 결정체와 유전체 막의 재료 및 보호막의 재료가 상 분리구조물을 형성하고 있다.
촉매 층, 분산, 침 형상 결정체, 상 분리구조

Description

플라스마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라스마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 AC 면 방전형 플라스마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
자 발광(self-luminous)형의 대표적인 화상표시장치는 CRT이나, 대형이면서 박형(薄型)의 패널을 비교적 용이하게 제조할 수 있다고 하는 특징 때문에 플라스마 디스플레이 패널(PDP)이 급속하게 보급되고 있다. PDP에는 DC(직류)형과 AC(교류)형이 있으나, 신뢰성이나 화질 등 여러 면에서 AC형이 우수하며, 특히 3극 면 방전형(three-electrode surface discharge type) PDP가 보급되고 있다.
3극 면 방전형 PDP는, 전면 기판과 배면 기판이 간격을 두고 서로 평행하게 배치되며, 전면 기판의 한쪽 면에 복수의 표시 전극 쌍(주사 전극과 유지 전극)이 스트라이프(stripe) 형상으로 형성되고, 이들 전극 군을 피복 하도록 유전체 막 및 보호막이 적층되며, 한편, 배면 기판의 한쪽 면에 복수의 데이터 전극이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한 데이터 전극을 피복 하도록 유전체 막이 적층되며, 인접하는 데이터 전극 사이의 유전체 막 상에 격벽이 형성되고, 또한 유전체 막의 표면상 및 격벽의 측면 상에 형광체 막이 도포된 구성으로 되어 있다. 그리고 표시 전극 쌍과 데이터 전극이 입체로 교차하는 개소에 방전 셀이 형성되어, 각 전극에 전압을 인가함에 따라서 각 방전 셀에서 방전 발광하여 화상을 표시하도록 되어 있다.
여기서, 상기 표시 전극 쌍은, 전기 저항을 감소시키기 위해, 각 전극이 투명 전극 상에 금속 버스전극(metal bus electrode)을 적층한 구조를 취하고 있는 경우가 많다. 또, 상기 보호막은, 방전에 의해서 발생한 고 에너지의 이온으로부터 표시 전극 및 유전체 막을 보호하는 작용과 함께, 방전 셀 내에 2차 전자를 효율 좋게 방출하여 방전전압을 낮추는 작용을 한다. 또, 보호막에는 그 표면에 벽 전하를 유지하는 기능도 필요하다.
이 보호막의 재료로는 내 스퍼터 특성(anti-sputtering characteristic)이 우수하고, 또한 2차 전자 방출계수가 큰 MgO가 일반적으로 이용되고 있으며, 박막 프로세스에 의해 형성된다.
상기와 같은 특징을 갖는 PDP에서, 소비전력을 감소시키고 방전의 불균일성을 억제하는 것이 금후에 해결해야 할 과제로 남아 있고, 그 과제의 해결을 위해 패널 구조, 구동방법, 소재와 같은 각 방면에서의 연구가 이루어지고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 플라스마 표시패널에서 2차 전자 방출계수를 향상시키기 위해, 전면 기판 측의 유전체 막 상에 카본 나노튜브(carbon nanotube, 이하, CNT라 한다) 층과 MgO 층을 순차 적층시켜서 2층 구조로 한 것이 기재되어 있다. 이와 같이, CNT 층 상에 MgO 층을 형성함으로써 MgO가 CNT 표면의 요철부에 부착되어, MgO 단독의 보호막에 비하여 표면적이 증대해서 2차 전자 방출계수가 비약적으로 증대되는 것이 기재되어 있다.
이와 같이 보호막의 2차 전자 방출계수를 증대시키는 것은 방전개시전압을 감소시키고 방전 효율을 개선함에 있어서 유효하다고 생각된다.
특허문헌 1 : 일본국 특개2001-222944호 공보
그러나 상기와 같이 보호막을 2층 구조로 한 PDP에서, 2차 전자 방출계수가 증대되도록 MgO 층 표면에 충분한 요철을 형성하기 위해서는, CNT 층의 상부에 MgO 층을 얇게 형성할 필요가 있으나, 이 경우, MgO 층의 도포가 불균일해져서 방전 셀 별 2차 전자 방출계수에 편차가 발생하여, 구동 시에 방전의 불균일이 발생하기 쉬워지며, 그 결과, 표시되는 화상의 품질이 저하하는 점에서 바람직하지 않다.
본 발명은, PDP에서 보호막 표면의 벽 전하 유지성능을 확보하는 동시에 구동 시의 방전의 불균일성의 발생을 억제하면서, 방전개시전압을 감소시켜서 소비전력의 감소를 도모함을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명에서는, 한쪽 주 면상에 전극이 배치되고 당해 전극을 피복 하도록 유전체 막 및 보호막이 순차 형성된 전면 기판과 배면 기판이 간격을 두고 대향 배치되어 이루어지는 PDP에 있어서, 도전물질 또는 반도체물질로 이루어지는 침 형상 결정체(needle crystal)를 유전체 막 및 상기 보호막 중 적어도 일방을 그 두께방향으로 관통하도록 배치하는 것으로 하였다.
여기서, 침 형상 결정체가 전면 기판의 주 면에 대하여 대략 수직으로 임립(林立)하고, 침 형상 결정체들 사이에 보호막이나 유전체 막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있는 것이 바람직하다. 또, 유전체 막의 재료와 침 형상 결정체에 의해 상 분리구조물(phase-separated structure)이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
특히, 침 형상 결정체가 전면 기판의 주 면에 대해서 대략 수직으로 임립한 상태에서, 유전체 막을 그 두께방향으로 관통하도록 배치하며, 침 형상 결정체들 사이에 유전체 막의 재료 및 보호막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
침 형상 결정체로는 그래파이트 결정체를 이용하는 것이 바람직하다. 그래파이트 결정체로는 CNT, 그래파이트 나노파이버(GNF), 다이아몬드 라이크 카본(DLC)이 적합하다.
침 형상 결정체로 테트라포드 형상의 입자(tetrapod-shaped particle)를 이용해도 좋다.
본 발명의 PDP에 의하면, 유전체 막 혹은 보호막을 두께방향으로 관통하도록 배치된 침 형상 결정체의 작용에 의해, 보호막에 고 에너지의 이온이나 전자가 충돌할 때에 발생하는 2차 전자 방출량이 증가한다. 따라서 PDP의 방전개시전압의 저하 및 방전의 불균일성의 억제에 기여하는 동시에, PDP의 발광효율이 증가하므로 소비전력을 대폭 낮출 수 있다.
여기서, 침 형상 결정체가 전면 기판의 주 면에 대하여 대략 수직으로 임립하고, 침 형상 결정체들 사이에 보호막이나 유전체 막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있거나, 또는 유전체 막의 재료와 침 형상 결정체에 의해 상 분리구조물이 형성되어 있으면, 효율적으로 전자를 방출하므로 방전개시전압의 감소효과가 우수하다.
특히, 침 형상 결정체가 전면 기판의 주 면에 대해서 대략 수직으로 임립한 상태에서, 유전체 막이 그 두께방향으로 관통하도록 배치되고, 침 형상 결정체들 사이에 유전체 막의 재료 및 보호막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있는 구성인 경우, 전극에 전압이 인가됨에 따라서, 전극으로부터 침 형상 결정체를 경유하여 방전공간에 전자가 공급된다. 이와 같이, 전극에 전압이 인가될 때에 침 형상 결정체를 경유하여 방전공간으로 전자가 공급되는 작용에 의해서도 방전개시전압 및 방전의 불균일성이 감소될 수 있다.
여기서, 침 형상 결정체의 선단이 방전공간에 노출되어 있는 경우에는 직접적으로 방전공간에 전자가 공급되나, 침 형상 결정체의 선단이 방전공간에 노출되지 않고 보호막에 묻혀 있는 경우에도, 보호막 내에는 통상 보호막을 구성하는 결정들 사이에 간극이 형성되어 있으므로, 침 형상 결정체의 선단으로부터 이 간극을 통해서 방전공간에 공급된다. 그러므로 침 형상 결정체의 선단이 보호막에 묻혀 있는 쪽이 내구성이 우수하다.
한편, 본 발명의 PDP에서는, 유전체 막에서 침 형상 결정체가 관통하고 있는 개소 이외의 영역에서는 전극과 보호막의 절연성이 확보되므로, 당해 영역 상에서는 보호막 표면의 벽 전하 유지성능이 확보된다.
또, 보호막 표면에 요철을 형성하여 표면적을 확대할 필요가 없으므로 보호막을 얇게 할 필요도 없다. 따라서 보호막의 형성의 불균일성을 없애서 2차 전자 방출성능의 편차의 발생도 억제할 수 있다.
따라서 본 발명에 의하면, 방전의 변화를 억제하는 동시에 벽 전하 유지성능을 확보하면서 방전개시전압을 낮출 수 있다.
침 형상 결정체로는 그래파이트 결정체를 이용하는 것이 바람직하다.
이 경우, 유전체 막과 그래파이트 결정체 사이, 혹은 전극과 그래파이트 결정체 사이에 Fe, Co 및 Ni 중에서 선택된 1종 혹은 복수 종류의 금속으로 이루어지는 금속 층을 개재시키면, 기판상의 유전체 막 상 혹은 전극 표면상에 금속 층을 형성하고, 그 금속 층 상에 그래파이트 결정체를 퇴적시키는 방법으로, 그래파이트 결정체를 기판 면에 대해서 임립한 상태로 침 형상으로 성장시키기에 용이하다. 구체적으로는, 에틸렌을 원료 가스로 하는 플라스마 CVD법을 이용함으로써, 비교적 저온에서 기판에 대략 수직으로 그래파이트 결정체를 성장시킬 수 있다.
또, 금속 층을 형성하는 형태를 변화시킴으로써 그래파이트 결정체의 다발(bundle)의 사이즈 및 그 면 밀도를 조절할 수 있다.
그래파이트 결정체로는 CNT, 그래파이트 나노파이버(GNF, graphite nanofiber), 다이아몬드 라이크 카본(DLC, diamond-like carbon)이 적합하다.
침 형상 결정체로 테트라포드 형상의 입자를 이용하면, 유전체 막 상 혹은 전극 표면상에 당해 입자를 도포하는 방법에 의해서 침 형상 결정체를 기판 면에 대해서 임립한 상태로 배치하기가 용이하다.
테트라포드 형상의 입자로는 ZnO를 이용하는 것이 바람직하다.
전면 기판상에 배치된 전극에 표시 전극 쌍이 포함되는 경우, 표시 전극 쌍의 일방 혹은 양방의 상부에 침 형상 결정체를 배치하면, 상기 방전개시전압의 감소효과가 우수한 것이 된다.
전면 기판상에 배치된 전극에 표시 전극 쌍과 당해 표시 전극 사이에 형성된 전자 방출 전극이 포함되는 경우, 전자 방출 전극 상에 침 형상 결정체를 배치해도 방전개시전압의 감소효과를 얻을 수 있다.
이 경우, 유지방전 시에는, 표시 전극에 유지전압을 인가하는 동시에, 전자 방출 전극을 그라운드 전위(ground potential) 또는 부유전위(floating potential)로 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 보호막은, MgO, CaO, SrO 및 BaO 중에서 선택된 금속산화물, 혹은 이들 금속산화물의 화합물로 형성하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 관한 PDP의 구성을 나타내는 요부 사시도,
도 2는 실시 예 1에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 3은 실시 예 3에 관한 PDP에서 유지방전 시의 방전 패턴을 나타내는 도면,
도 4는 실시 예 1에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 5는 실시 예 1에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 6은 실시 예 2에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 7은 실시 예 3에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 8은 실시 예 3에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 9는 실시 예 3에 관한 PDP에서 유지방전 시의 방전 패턴을 나타내는 도 면,
도 10은 실시 예 3의 변형 예에 관한 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면,
도 11은 실시 예 4에 관한 전면 패널(10)의 주요부의 사시도,
도 12는 실시 예 5에 관한 전면 패널(10)의 구조를 나타내는 도면이다.
(부호의 설명)
10 전면 패널 11 전면 기판
12 표시 전극 쌍 13 유전체 막
14 보호막 15 침 형상 결정체
16 촉매 층 20 배면 패널
21 배면 기판 22 데이터 전극
23 유전체 막 24 격벽
25 형광체 막 30 방전공간
40 침 형상 결정입자 100 PDP
121 주사 전극 121 표시 전극
122 유지 전극 123 전자 방출 전극
141 보호막 하층 142 보호막 상층
본 발명의 실시 예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시 예 1)
도 1은 본 발명의 실시 예 1에 관한 PDP의 구성을 나타내는 요부 사시도이다.
전면 패널(10)은 유리 기판으로 이루어지는 전면 기판(11)의 편면 상에 복수의 표시 전극 쌍(12, 주사 전극(121)과 유지 전극(122))이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한, 이들 전극 군을 피복하도록 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 적층되어 구성되어 있다.
한편, 배면 패널(20)은 유리 기판으로 이루어지는 배면 기판(21)의 편면 상에 복수의 데이터 전극(22)이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한, 데이터 전극(22)을 피복하도록 제 2 유전체 막(23)이 적층되며, 제 2 유전체 막(23) 상에는 데이터 전극(22)과 데이터 전극(22) 사이에 격벽(24)이 형성되고, 또한, 제 2 유전체 막(23)의 표면상 및 격벽(24)의 측면 상에 형광체 막(25)이 도포되어 구성되어 있다.
전면 기판(11)과 배면 기판(21)은 격벽(24)을 사이에 두고 서로 간격을 두고 평행하게 배치되며, 표시 전극 쌍(12)과 데이터 전극(22)이 입체로 교차하는 개소에 방전 셀이 형성되어 있다.
이 PDP는, 구동 시에, 점등하고자 하는 방전 셀에서, 주사 전극(121)과 데이터 전극(22)에 전압을 인가하여 기입방전(write discharge)을 일으켜서 벽 전하를 축적하고, 그 후, 주사 전극(121)과 유지 전극(122)에 교대로 유지 펄스(sustain pulse)를 인가한다. 이에 의해, 기입방전이 이루어진 셀에서 선택적으로 유지방전이 발생하여 발광함으로써 화상이 표시되도록 되어 있다.
주사 전극(121) 및 유지 전극(122)은 각각 금속 산화물로 이루어지는 광폭(廣幅)의 투명 전극(121a, 122a) 상에 협폭(狹幅)의 금속 버스 전극(121b, 122b)이 적층되어 구성되어 있다.
제 1 유전체 막(13)의 재료로는 유전체 유리나 SiO2가 이용된다.
보호막(14)의 재료로는 MgO, CaO, SrO, BaO 등의 금속 산화물, 혹은 이들 금속 산화물 중에서 선택된 2종 이상의 화합물(예를 들어, MgO와 CaO의 화합물)이 이용된다.
(전면 패널(10)의 구성)
도 2, 4 (a), 5는 본 실시 예의 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 단면 모식도이다
도 2, 4 (a), 5에 도시하는 전면 패널(10)은, 그 세부에 있어서는 서로 다른 점은 있으나, 어느 것도 제 1 유전체 막(13)의 표면상에 침 형상 결정체(15, needle crystal)가 임립(林立)한 상태로 배치되어 있고, 각 침 형상 결정체(15)가 보호막(14)을 두께방향으로 관통하고 있다. 이 침 형상 결정체(15)는 도전물질 또는 반도체물질로 형성되어 있다.
또, 표시 전극(121, 122)의 표면상에서 본 때에는, 침 형상 결정체(15)는 제 1 유전체 막(13)의 표면상에 분산하도록 배치되어 있다.
다시 말해, 침 형상 결정체(15)가 제 1 유전체 막(13) 상에 산재하며, 그 간극에 보호막(14)의 재료로 충전되어 있고, 침 형상 결정체(15)와 보호 막(14)이 상 분리 구조(phase-separated structure)를 형성하고 있다.
또한, 도 2, 4 (a), 5에 도시한 예에서는, 제 1 유전체 막(13)의 표면 전체에 걸쳐서 침 형상 결정체(15)가 배설되어 있으나, 방전 셀의 중앙부에 상당하는 개소에만 침 형상 결정체(15)가 배치되어도 좋다.
침 형상 결정체(15)로는 침 형상의 그래파이트 입자(needle-like graphite particle)를 이용하는 것이 바람직하다. 침 형상 그래파이트 입자의 구체 예로는 CNT, GNF, DLC 등을 들 수 있다. CNT에는 도전성인 것과 반도체성인 것이 있으나, 어느 것도 사용할 수 있다.
도 2, 3에 도시한 바와 같이, 침 형상 결정체(15)와 제 1 유전체 막(13) 사이에는 촉매 층(16)이 삽입되어 있으나, 이 촉매 층(16)은 제조 시에 침 형상의 그래파이트 입자를 성장시키기 위해 설치한 핵이 되는 물질이며, Ni, Fe, Co 등의 금속이 이용된다.
침 형상 결정체(15)가 제 1 유전체 막(13) 상에 산재(散在)하는 형태로는, 도 2의 예에서는 제 1 유전체 막(13) 상에 균일하게 산재하고 있으나, 도 4, 5의 예에서는 제 1 유전체 막(13) 상에서 침 형상 결정체(15)가 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역이 혼재하고 있다. 구체적으로는, 도 4 (b)에서는 침 형상 결정체(15)가 존재하지 않는 영역 중에 침 형상 결정체(15)가 존재하는 영역이 점재(點在)하고 있고, 도 4 (c)에서는 침 형상 결정체(15)가 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역이 스트라이프 형상으로 형성되어 있다.
또한, 도 2, 4(a)에 도시한 전면 패널(10)에서는 보호막(14)의 표면으로부터 침 형상 결정체(15)의 선단부가 방전공간(30)에 돌출되어 있으나, 침 형상 결정체(15)의 선단부가 보호막(14)의 표면 근방에 있으면 방전공간(30)에 돌출되어 있지 않아도 좋다.
(전면 패널(10)의 제조방법)
먼저, 상기 도 2, 4의 전면 패널(10)을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
전면 기판(11)에 주사 전극(121)과 유지 전극(122)을 형성한 후, 제 1 유전체 막(13)을 형성한다. 이 제 1 유전체 막(13)은, 예를 들어 SiO2를 스퍼터 법 혹은 EB 증착법에 의해 전면 기판(11) 상에 퇴적시킴으로써 형성할 수 있다. 또는, 저 융점 유리재료를 퇴적시킴으로써 형성해도 좋다.
제 1 유전체 막(13) 상에 스퍼터 법 또는 전자빔 증착법에 의해 촉매 층(16)의 재료(Ni, Fe, Co 등의 금속)를 형성한다.
이 촉매 층(16)을 형성할 때에, 도 2에 도시하는 전면 패널(10)에서는 촉매 층(16)을 전체적으로 형성한다. 이 경우, 촉매 층(16)의 막 두께는 10㎚ 이하, 바람직하게는 2~5㎚의 두께로 형성함으로써, 실제로는 섬 형상(island-like)의 불연속인 막 상태가 된다. 한편, 도 4에 도시하는 전면 패널(10)의 경우에는 촉매 층(16)을 패터닝하여 형성한다.
패터닝하는 방법으로는, 촉매 층(16)을 형성하려고 하는 영역만을 개구(opening)한 마스크를 사용하여 패터닝하는 방법이라도 좋고, 촉매 층(16)의 재료를 전체적으로 층 상에 형성한 후, 촉매 층(16)을 형성하고자 하는 영역 이외를 패턴 에칭하여 제거하는 방법이라도 좋다.
다음에, 진공 프로세스에서 촉매 층(16)의 상부에 그래파이트 입자를 침 형상으로 성장시킨다. 이때, 촉매 층(16) 상에만 선택적으로 그래파이트 입자를 성장하여, 그래파이트로 이루어지는 침 형상 결정체(15)가 촉매 층(16)의 상부에 수직으로 형성된다.
예를 들어, 원료 가스로 에틸렌을 이용한 플라스마 CVD에 의해 기판 온도 약 400℃에서 그래파이트 입자를 성장시킨바, 촉매 층(16) 상에 굵기 φ가 200㎚의 CNT가 다발 형상으로 성장하며, 다발의 굵기는 약 1~5㎛였다.
여기서, 기판의 온도, 석출속도, 하지의 상태(base condition) 등의 석출조건을 적당하게 설정하면, 촉매 층(16)상에 CNT가 형성되는 밀도를 조절하여 적절하게 분산되도록 형성할 수 있다.
따라서 도 2와 같이 촉매 층(16)이 전체적으로 형성되어 있는 경우에도, 상술한 바와 같이 실제로는 섬 형상으로 형성되어 있으므로, 그 촉매 층(16) 상에서 CNT가 적절하게 산재하도록 할 수 있다.
한편, 도 4와 같이 촉매 층(16)을 패터닝하여 형성하는 경우에는, 각 촉매 층(16)의 사이즈 및 분포를 제어함으로써 제 1 유전체 막(13) 상에 성장시키는 CNT 다발의 사이즈를 제어할 수 있다.
예를 들어, 도 4 (b)와 같이 촉매 층(16)이 점재하도록 하여, 각 촉매 층(16)의 사이즈를 φ 3㎛로 한 경우, 각 촉매 층(16) 상에 φ 200㎚의 CNT가 30~60개의 다발 형상으로 성장하였다.
다음에, 침 형상 결정체(15)가 형성된 전면 기판(11) 상에 보호막(14)을 형성한다. 이 보호막(14)은 MgO를 스퍼터 법 혹은 EB 증착법으로 퇴적시킴으로써 형성할 수 있다.
이 공정에서 보호막(14)의 재료는 제 1 유전체 막(13) 상에서 침 형상 결정체(15) 상호간의 간극에 침투한 형상으로 퇴적된다.
따라서 임립하는 침 형상 결정체(15)와 보호막(14)의 재료에 의해 상 분리구조가 형성된다.
다음에, 상기 도 5의 전면 패널(10)을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
전면 기판(11) 상에 주사 전극(121)과 데이터 전극(22)을 형성한 후, 제 1 유전체 막(13)을 형성하고, 그 위에 촉매 층(16)을 전체적으로 형성하며, 그 위에 MgO를 퇴적시켜서 보호막 하층(141)을 전체적으로 형성한다.
그리고 이 보호막 하층(141)에 마스크 에칭에 의해 블라인드 홀(blind hole)을 촉매 층(16)이 노출되는 깊이까지 형성한다. 이 공정에서 보호막 상층(142)의 재료가 블라인드 홀 내의 그래파이트 입자 사이의 공극으로 침투하며, 그 결과, 임립하는 침 형상 결정체(15)와 보호막 상층(142)의 재료에 의해 상 분리구조가 형성된다.
(본 실시 예의 전면 패널(10)에 의한 효과)
상기 구성의 전면 패널(10)에 의하면, 보호막(14)은, 종래의 보호막과 마찬가지로, 방전에 의해서 발생한 고 에너지의 이온으로부터 제 1 유전체 막(13) 및 표시 전극(121, 122)을 보호하는 작용을 하는 동시에, 방전공간(30) 내에 2차 전자 를 효율 좋게 방출하여 방전전압을 낮춰서 방전 편차를 적게 할 수 있다.
또, 침 형상 결정체(15)가 전면 기판(11)의 표면에 대해 대략 수직으로 임립하고 있으므로, 효율적으로 이온과 에너지 교환을 하며, 1차 전자를 흡수하여 2차 전자를 양호하게 방출한다. 이 점을 도 3을 참조하면서 설명한다.
도 3은 상기 전면 패널(10)을 구비한 PDP에서 유지방전 시의 방전 패턴(방전전류의 패턴)을 나타내는 도면이다.
이 도면에 도시한 바와 같이, 유지방전 시에는 주사 전극(121) 상의 침 형상 결정체(15)와 유지 전극(122) 상의 침 형상 결정체(15) 사이에서 방전 패턴(35)이 원호 형상으로 형성된다. 따라서 방전에 의해서 발생한 1차 전자 또는 이온은 보호막(14) 표면에 수직에 가까운 각도로 입사되므로, 보호막(14)의 표면으로부터 2차 전자가 효율 좋게 방출된다. 따라서 높은 2차 전자 방출계수를 얻을 수 있다.
또, 침 형상 결정체(15)의 선단이 방전공간(30)으로 노출하고 있는 경우에는, 그 노출하고 있는 부분에 1차 전자 또는 이온이 효율적으로 충돌하고, 또한, 이 2차 전자가 침 형상 결정체(15)들 사이의 간극 내에서 충돌하여 연쇄적으로 다량의 2차 전자가 방출된다.
특히, 침 형상 결정체(15)가 CNT나 DLC와 같은 그래파이트 입자인 경우에는 높은 전자방출계수를 얻을 수 있다.
상기와 같이, 본 실시 예의 전면 패널(10)에 의하면, 침 형상 결정체(15)의 작용에 의해서 2차 전자의 방출이 향상되는 효과에 의한 방전개시전압의 저하 효과를 얻을 수 있으므로, 보호막(14) 자체의 표면에 요철을 형성할 필요는 없다. 즉, 보호막(14)을 두껍게 형성해도 효과를 얻을 수 있다.
따라서 보호막(14)의 두께를 확보하여 보호막(14)의 불균일성을 해소함으로써, 2차 전자 방출성능의 편차를 억제할 수 있어서, 표시 품질의 균일화가 가능하다.
이와 같이, 본 실시 예의 전면 패널(10)을 이용한 PDP에 의하면, 방전의 불균일(disharge variability)을 억제하는 동시에, 벽 전하 유지성능을 확보하면서 방전개시전압을 감소시킬 수 있다.
또, 침 형상 결정체(15)는 그 주위에 존재하는 보호막(14)에 의해 기계적으로 지지되어 있으므로, 기계적 변화 및 온도변화에 대해서 안정된다.
또한, 침 형상 결정체(15)의 선단부가 보호막(14)의 표면으로부터 돌출되어 있는 것이 전자방출성은 높으나, 침 형상 결정체(15)가 보호막(14)의 표면으로부터 돌출되어 있지 않는 것이 보호막(14)의 내구성에서 우수하며, 기계적 안정성 및 온도 변화에 대한 안정성 면에서도 우수하다.
또한, 본 실시 예에서는, 상기와 같이 CNT를 비롯한 침 형상 결정체가 두께방향으로 연장되어 있으므로, 2차 전자의 방출 효율을 충분하게 얻을 수 있으나, 가령, CNT가 유전체 막의 표면에 대해서 평행하게 배향된 경우, 혹은 CNT가 무질서하게 배향된 경우, 방전에 의해서 발생한 1차 전자는 얇은 CNT 층을 투과하여, 2차 전자의 방출 효율이 충분하게 얻어지지 않거나, 방전개시전압에 편차가 발생한다. 또, 이 경우, CNT 막이 일반적으로 다공(多孔, porous)이 되고, 보강재가 없으므로, CNT 막이 기계적 및 온도변화에 대하여 불안정하다.
(침 형상 결정체(15)의 형성밀도)
제 1 유전체 막(13)의 표면의 전체 면적에 대해 침 형상 결정체(15)가 형성되어 있는 영역이 차지하는 면적의 비율(침 형상 결정체(15)의 형성밀도)에 대해 고찰한다.
침 형상 결정체(15)의 형성밀도가 낮아도 방전개시전압은 낮아지나, 형성밀도가 커질수록 방전개시전압의 저하도 커지므로, 본 발명의 효과를 충분히 얻기 위해서는 침 형상 결정체(15)의 형성밀도를 30% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
한편, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도를 너무 크게 하면 보호막(14) 표면에서의 벽 전하 유지성능이 낮아지므로, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도는 90% 이하로 하는 것이 바람직하다.
또, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도가 60% 이상의 범위에서는 방전개시전압에 큰 차이가 없으므로, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도는 60% 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
(실시 예 2)
PDP의 전체 구성은 실시 예 1과 동일하다.
도 6은 실시 예 2에서의 전면 패널(10)의 주요부의 사시도이다.
이 전면 패널(10)은, 유리 판으로 이루어지는 전면 기판(11)의 편면 상에 복수의 표시 전극 쌍(12)이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한, 이들 전극 군을 피복하도록 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 적층되어 구성되어 있다. 그리고 제 1 유전체 막(13)의 표면상에 테트라포드 형상의 침 형상 결정입자(40, tetrapod- shaped needle crystal particle)가 배치되어 있고, 각 침 형상 결정입자(40)가 보호막(14)을 관통하고 있으며, 침 형상 결정입자(40)는 도전물질 또는 반도체물질로 형성되어 있다.
제 1 유전체 막(13)의 표면상에 배치된 각 침 형상 결정입자(40)는 테트라포드 형상이므로 4개의 암(arm)을 가지며, 그 중 3개의 암이 제 1 유전체 막(13)의 표면에 접하고, 1개의 암이 당해 제 1 유전체 막(13)의 표면에 수직으로 세워져 있다. 따라서 제 1 유전체 막(13)의 표면상에 침 형상의 결정이 임립한 상태로 되어 있다.
또, 제 1 유전체 막(13)의 표면상에서 본 때에는, 침 형상 결정입자(40)는 제 1 유전체 막(13)의 표면상에 분산되도록 배치되어 있다.
다시 말해, 침 형상 결정입자(40)가 제 1 유전체 막(13) 상에 산재하며, 그 간극에 보호막(14)의 재료가 충전되어 있고, 침 형상 결정입자(40)와 보호막(14)이 상 분리구조를 형성하고 있다.
침 형상 결정입자(40)의 구체 예로는 테트라포드 형상의 ZnO 입자를 이용할 수 있다.
테트라포드 형상의 ZnO 입자는, 원료인 유기화합물을 열화 반응(thermochemical reaction) 시켜서 제작되며, 반도체로서의 성질을 갖는다. 시판 품으로는 일본국 마츠시타 전기산업(주)의 산화아연 위스커(zinc oxide whisker), 상품 명 「파나테트라(Panatetra)」가 알려져 있고, 그 사이즈는, 예를 들어 암의 길이가 약 15㎛, 암의 굵기가 약 500㎚이다.
또한, 침 형상 결정입자(40)의 암의 정점은 보호막(14)의 표면으로부터 돌출되어 있어도 좋고 보호막(14)의 표면으로부터 돌출되어 있지 않아도 좋다.
본 실시 예의 전면 패널(10)을 이용함으로써, 상기 실시 예 1과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 침 형상 결정입자(40)의 암이 전면 기판(11)의 표면에 대해서 대략 수직으로 임립하고 있으므로 보호막(14)의 2차 전자 방출계수가 향상된다. 또, 각 침 형상 결정입자(40)는 그 주위에 존재하는 보호막(14)에 의해서 기계적으로 지지되어 있으므로 기계적 변화 및 온도변화에 대해서 안정된다.
본 실시 예의 전면 패널(10)의 제조방법에 대하여 설명한다.
전면 기판(11) 상에 주사 전극(121)과 유지 전극(122)을 형성한 후, 제 1 유전체 막(13)을 형성한다.
테트라포드 형상의 침 형상 결정입자(40)를 알코올 용매에 분산시킨 도료를 준비하며, 침 형상 결정입자(40)는 30% 이상 90% 이하로 하는 것이 바람직하며, 60% 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
또한, 상기와 같이, 침 형상 결정입자(40)를 분산 배치한 후에, 보호막(14)을 순차 형성하는 것이 제조상의 용이성이라는 측면에서 바람직하나, 본 실시 예에서도, 먼저, 침 형상 결정입자(40)의 형성 예정위치에 오목부를 형성한 보호막 하층을 형성하고, 그 후, 이 오목부 내에 침 형상 결정입자(40)를 배치하고, 보호막 상층을 형성하는 방법이라도 좋다고 생각된다.
(실시 예 3)
PDP의 전체 구성은 실시 예 1과 동일하다.
도 7, 도 8은 본 실시 예의 전면 패널(10)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7 (a), 도 8 (a)는 전면 패널(10)의 단면 모식도이고, 도 7 (b), (c)는 이 전면 패널(10)의 평면 모식도이다. 또, 도 8 (b)는 도 8 (a)의 부분 확대도이다.
도 7 (a), 도 8 (a)에 도시하는 바와 같이, 표시 전극(121, 122)의 표면상에는 침 형상 결정체(15)가 임립한 상태로 배치되어 있고, 각 침 형상 결정체(15)가 제 1 유전체 막(13)을 관통하고 있다. 이 침 형상 결정체(15)는 도전물질 또는 반도체물질로 형성되어 있다. 도 7에 도시한 전면 패널(10)에서는 보호막(14)의 표면으로부터 침 형상 결정체(15)의 선단부가 방전공간에 노출되어 있는데 반해, 도 8에서는 침 형상 결정체(15)의 선단부가 보호막(14) 내에 있으므로, 방전공간에 노출되어 있지 않은 점이 다르나, 그 이외에는 동일하다.
또, 표시 전극(121, 122)의 표면상에서 본 때에는, 도 7 (b) 혹은 도 7 (c)에 도시한 바와 같이, 침 형상 결정체(15)는 표시 전극(121, 122)의 표면상에 산재하도록 배치되어 있다.
다시 말해, 침 형상 결정체(15)가 표시 전극(121, 122) 상에 산재하며, 그 간극이 제 1 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료로 충전되어 있고, 침 형상 결정체(15)와 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 상 분리구조를 형성하고 있다.
또한, 도 7 (b)에서는 침 형상 결정체(15)가 점재하고 있고, 도 7 (c)에서는 침 형상 결정체(15)가 스트라이프 형상으로 형성되어 있으나, 어느 것도 침 형상 결정체(15)는 표시 전극(121, 122) 상에 산재되어 있다.
또, 도 7 (b), (c)에 도시한 예에서는 표시 전극(121, 122)의 표면 전체에 걸쳐서 침 형상 결정체(15)가 배치되어 있으나, 방전 셀의 중앙부에 상당하는 개소 만에 침 형상 결정체(15)를 배치해도 좋다.
침 형상 결정체(15)로는 침 형상의 그래파이트 입자를 이용하는 것이 바람직하다. 침 형상의 그래파이트 입자의 구체 예로는 CNT, GNF, DLC를 들 수 있다. CNT에는 도전성인 것과 반도체성인 것이 있으며, 어느 것이나 사용할 수 있다.
도 7, 8에 도시한 바와 같이, 침 형상 결정체(15)와 표시 전극(121, 122) 사이에는 촉매 층(16)이 개재되어 있다. 촉매 층(16)은, 실시 예 1에서 설명한 바와 같이, 제조 시에 침 형상의 그래파이트 입자를 성장시키기 위해 설치한 핵이 되는 물질이며, Ni, Fe, Co 등의 금속이 이용된다.
(본 실시 예의 전면 패널(10)에 의한 효과)
상기 구성의 전면 패널(10)에 의하면, 보호막(14)은, 종래의 보호막과 마찬가지로, 방전에 의해서 발생한 고 에너지의 이온으로부터 제 1 유전체 막(13) 및 표시 전극(121, 122)을 보호하는 작용을 하는 동시에, 방전공간(30) 내에 2차 전자를 효율 좋게 방출하여 방전전압을 낮추는 작용을 한다.
또한, 표시 전극(121, 122)의 표면상에 도전물질 또는 반도체물질로 이루어진 침 형상 결정체(15)가 제 1 유전체 막(13)을 그 두께방향으로 관통하도록 배치되어 있으므로, PDP의 구동 시에, 표시 전극 121과 122 사이에 전압이 인가됨에 따 라서 표시 전극(121, 122)으로부터 침 형상 결정체(15)를 경유하여 방전공간(30) 내로 전자가 공급된다.
여기서, 도 7 (a)와 같이, 침 형상 결정체(15)의 선단이 보호막(14)의 표면으로부터 방전공간(30) 내에 노출되어 있는 경우에는, 침 형상 결정체(15)로부터 직접적으로 방전공간(30) 내로 전자가 공급되나, 도 8 (b)와 같이, 침 형상 결정체(15)의 선단이 방전공간(30) 내에 노출되지 않고 보호막(14) 내에 묻혀 있는 경우에도, 일반적으로 MgO로 이루어지는 보호막(14)에서는, 당해 보호막(14)을 구성하는 MgO 결정체(14a)는 기둥(柱) 형상이고, 그 MgO 결정체(14a)들 사이에 간극(14b)이 형성되어 있으므로, 침 형상 결정체(15)의 선단으로부터 이 간극(14b)을 통해서 방전공간(30)에 전자가 공급된다. 또, MgO 결정체의 전도대에 전자가 주입되어 상기 효과가 발생하는 경우도 있다.
따라서 도 7, 도 8의 어느 경우도 표시 전극(121, 122) 사이에 전압이 인가될 때에 침 형상 결정체(15)를 통해서 방전공간(30)에 전자가 공급되므로, 방전개시전압이 저하하게 된다.
한편, 제 1 유전체 막(13)에서 침 형상 결정체(15)가 관통하고 있는 개소 이외의 영역에서는 표시 전극(121, 122)과 보호막(14)과의 절연성이 확보되므로, 당해 영역 상에서는 보호막(14) 표면의 벽 전하 유지성능이 확보된다.
또, 침 형상 결정체(15)가 전면 기판(11)의 표면에 대해서 대략 수직으로 임립하고 있으므로, 효율적으로 이온과 에너지의 교환이 이루어지거나 1차 전자를 흡수하여 2차 전자를 양호하게 방출한다.
도 9는 유지방전 시의 방전 패턴(방전전류의 패턴)을 나타내는 도면으로, 상기 도 3과 마찬가지로, 유지방전 시에는 주사 전극(121) 상의 침 형상 결정체(15)와 유지 전극(122) 상의 침 형상 결정체(15) 사이에서 방전 패턴(35)이 원호 형상으로 형성된다. 따라서 방전에 의해서 발생한 1차 전자 또는 이온은 보호막(14) 표면에 수직에 가까운 각도로 입사되므로, 보호막(14)의 표면으로부터 2차 전자가 효율 좋게 방출된다. 따라서 높은 2차 전자 방출계수를 얻을 수 있다.
또, 침 형상 결정체(15)의 선단이 방전공간(30)에 노출되어 있는 경우에는, 그 노출되어 있는 부분에 1차 전자 또는 이온이 효율적으로 충돌하고, 또한, 이 2차 전자가 침 형상 결정체(15)들의 간극 내에서 충돌하여 연쇄적으로 다량의 2차 전자가 방출된다.
특히, 침 형상 결정체(15)가 CNT나 DLC와 같은 그래파이트 입자인 경우에는 높은 전계방출계수를 얻을 수 있다.
본 실시 예의 전면 패널(10)에 의하면, 침 형상 결정체(15)의 작용에 의해서 2차 전자 방출의 향상 효과 및 방전개시전압의 저하 효과를 얻을 수 있으므로, 보호막(14) 자체의 표면에 요철을 형성할 필요가 없다. 즉, 보호막(14)을 두껍게 형성해도 효과를 얻을 수 있다.
따라서 보호막(14)의 두께를 확보하여 보호막(14)의 불균일성을 해소함으로써 2차 전자 방출성능의 편차를 억제할 수 있어서, 표시 품질의 균일화가 가능하다.
이와 같이, 본 실시 예의 전면 패널(10)을 이용한 PDP에 의하면, 방전 편차 를 억제하는 동시에, 벽 전하 유지성능을 확보하면서 방전개시전압을 감소시킬 수 있다.
또, 침 형상 결정체(15)는 그 주위에 존재하는 보호막(14)에 의해 기계적으로 지지되어 있으므로, 기계적 변화 및 온도변화에 대해서 안정된다.
도 7의 형태와 도 8의 형태를 비교하면, 도 7의 형태 쪽이 전자방출성능은 높으나, 도 8의 형태 쪽이, 침 형상 결정체(15)가 방전공간(30) 내에 노출되어 있지 않으므로, 보호막(14)의 내구성 면에서 우수하고, 기계적 안정성 및 온도 변화에 대한 안정성 면에서도 우수하다.
(표시 전극(121, 122)의 표면상에서의 침 형상 결정체(15)의 형성밀도)
표시 전극(121, 122) 표면의 전체 면적에 대해 침 형상 결정체(15)가 형성되어 있는 면적의 비율(침 형상 결정체(15)의 형성밀도)에 대해 고찰한다.
침 형상 결정체(15)의 형성밀도가 낮아도 방전개시전압은 낮아지나, 형성밀도가 커질수록 방전개시전압의 저하도 커지므로, 본 발명의 효과를 충분하게 얻기 위해서는 침 형상 결정체(15)의 형성밀도를 30% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
한편, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도를 너무 크게 하면 보호막(14) 표면에서의 벽 전하 유지성능이 낮아지므로, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도는 90% 이하로 하는 것이 바람직하다.
또, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도가 60% 이상의 범위에서는 방전개시전압에 큰 차이가 없으므로, 침 형상 결정체(15)의 형성밀도는 60% 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
(본 실시 예의 전면 패널(10)의 제조방법)
전면 기판(11) 상에 주사 전극(121)과 유지 전극(122)을 형성한 후, 주사 전극(121) 및 유지 전극(122) 상에 스퍼터 법 또는 전자빔 증착법에 의해 촉매 층(16)의 재료(Ni, Fe, Co 등의 금속)를 상기 도 7 (b) 혹은 도 7 (c)와 같이 패터닝하여 촉매 층(16)을 형성한다.
다음에, 진공 프로세스에 의해 촉매 층(16) 상에 그래파이트 입자를 침 형상으로 성장시킨다. 이때, 촉매 층(16) 상에만 선택적으로 그래파이트 입자가 성장하여, 그래파이트로 구성되는 침 형상 결정체(15)가 형성된다.
여기서, 기판의 온도, 석출속도, 하지의 상태 등의 석출조건을 적당하게 설정하면, 전극 121, 122의 표면상에서 촉매 층(16)을 형성하는 분포밀도를 조절하여, 침 형상 결정체(15)의 형성 밀도도 조절하면서 제조할 수 있다.
다음에, 침 형상 결정체(15)가 형성된 전면 기판(11) 상에 제 1 유전체 막(13)을 형성하고, 그 위에 보호막(14)을 형성한다.
제 1 유전체 막(13)은, 예를 들어 SiO2를 스퍼터 법 혹은 EB 증착법으로 퇴적시킴으로써 형성할 수 있다. 또는, 저 융점 유리재료를 퇴적시켜서 형성해도 좋다.
보호막(14)은 MgO를 스퍼터 법 혹은 EB 증착법으로 퇴적시킴으로써 형성할 수 있다.
이 공정에서, 제 1 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료는 표시 전 극(121, 122) 상에서 침 형상 결정체(15)들 사이의 간극에 침투한 형태로 퇴적된다.
따라서 임립하는 침 형상 결정체(15)와 제 1 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료에 의해 상 분리구조가 형성된다.
이상과 같이, 침 형상 결정체(15)를 분산 배치한 후에 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)을 순차 형성하는 것이 제조의 용이성 측면에서 바람직하나, 상기 도 5의 전면 패널(10)을 제조하는 방법과 동일하게, 먼저, 제 1 유전체 막(13)을 전체적으로 형성하고, 그 제 1 유전체 막(13)에서의 표시 전극(121, 122)의 상부에 블라인드 홀을 형성하며, 그 후, 당해 블라인드 홀 내에 침 형상 결정체(15)를 배치하여 보호막(14)을 형성하는 방법으로 해도 좋은 것으로 생각된다.
(방전가스의 Xe 농도가 높은 경우)
PDP에서, 일반적으로 방전가스 중의 Xe 농도가 높을수록 발광효율은 상승하나, 방전개시전압이 높아진다. 이에 대해, 표시 전극 상에 침 형상 결정체와 유전체 막 및 보호막의 상 분리구조체를 형성하면, Xe의 농도가 높아도 그 방전개시전압을 낮게 억제할 수 있다.
따라서 상기와 같이 상 분리구조체를 구비한 PDP에서, Xe의 농도를 높게 설정함으로써, 방전개시전압을 낮게 억제하면서 높은 발광효율을 얻을 수 있다. 그 결과, PDP의 소비전력을 대폭 낮출 수 있게 된다.
예를 들어, 전극 상에 침 형상 결정체를 배치하고 있지 않은 종래 구조의 PDP에서, 5% Xe+95% Ne를 방전가스로 이용한 경우의 방전개시전압의 측정치는 180V 였으나, 10% Xe+90% Ne를 방전가스로 이용한 경우의 방전개시전압의 측정치는 220V였다.
이에 대해, 침 형상 결정체를 이용하여 상 분리구조체를 형성한 패널에서는, 10% Xe+90% Ne를 방전가스로 이용해도 방전개시전압의 측정치는 180V로 낮게 억제되었다.
(변형 예)
상기 PDP(100)에서는 표시 전극(121, 122)의 양방에 대하여 전극 표면상에 침 형상 결정체(15)를 배치하는 것으로 하였으나, 표시 전극(121, 122) 중 일방의 전극 상에만 침 형상 결정체(15)를 배치해도 좋으며, 이에 의해 패널의 구조가 보다 간단해진다.
예를 들어, 도 10에 도시한 전면 패널(10)에서는, 유지 전극(122)의 표면상에 침 형상 결정체(15)를 임립상태로 하여 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)과 상 분리구조를 형성하고, 주사 전극(121)의 표면상에는 침 형상 결정체(15)가 존재하지 않는다.
이와 같이, 표시 전극의 한쪽에 대해서만 침 형상 결정체(15)를 배치하여 상 분리구조를 형성하면, 표시 전극의 양측에 침 형상 결정체(15)를 배치하는 경우에 비해 유지방전 시의 방전 패턴에는 편차를 보이나, 방전개시전압에 관해서는 거의 동일한 결과를 얻을 수 있다.
(실시 예 4)
PDP의 전체 구성은 실시 예 1과 동일하다.
도 11은 실시 예 4에서의 전면 패널(10)의 주요부의 사시도이다.
이 전면 패널(10)은 유리 판으로 이루어지는 전면 기판(11)의 편면 상에 복수의 표시 전극 쌍(12)이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한, 이들 전극 군을 피복하도록 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 적층되어 구성되어 있다. 그리고 표시 전극(121, 122)의 표면상에 테트라포드 형상의 침 형상 결정입자(40)가 배치되어 있고, 각 침 형상 결정입자(40)가 제 1 유전체 막(13)을 관통하고 있으며, 각 침 형상 결정입자(40)는 도전물질 또는 반도체물질로 형성되어 있다.
표시 전극(121, 122)의 표면상에 배치된 각 침 형상 결정입자(40)는 테트라포드 형상이므로 4개의 암을 가지고 있으며, 그 중 3개의 암이 표시 전극(121, 122)의 표면에 접하고, 1개의 암이 당해 전극 표면에 수직으로 세워져 있다. 따라서 표시 전극(121, 122)의 표면상에 침 형상의 결정이 임립한 상태로 되어 있다.
또, 표시 전극(121, 122)의 표면상에서 본 때에는, 침 형상 결정입자(40)는 표시 전극(121, 122)의 표면상에 분산되도록 배치되어 있다.
다시 말해, 침 형상 결정입자(40)가 표시 전극(121, 122) 상에 산재하며, 그 간극에는 제 1 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료로 충전되어 있고, 침 형상 결정입자(40)와 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 상 분리구조를 형성하고 있다.
침 형상 결정입자(40)의 구체 예로는 실시 예 2에서 설명한 테트라포드 형상의 ZnO 입자를 이용할 수 있다.
또한, 침 형상 결정입자(40)의 암의 정점은 보호막(14)의 표면으로부터 노출 되어 있어도 좋고 보호막(14)의 표면 아래에 매몰되어 있어도 좋다.
본 실시 예의 전면 패널(10)을 이용하면 상기 실시 예 3과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 표시 전극(121, 122) 사이에 전압이 인가된 때에 침 형상 결정입자(40)를 통해서 방전공간(30) 내에 전자가 공급되므로 방전개시전압이 저하하며, 한편, 제 1 유전체 막(13)에서 침 형상 결정입자(40)가 관통하고 있는 개소 이외의 영역에서 보호막(14) 표면의 벽 전하 유지성능이 확보된다. 또, 침 형상 결정입자(40)의 암이 전면 기판(11)의 표면에 대해서 대략 수직으로 임립하고 있으므로 2차 전자 방출계수가 향상된다. 또, 각 침 형상 결정입자(40)는 그 주위에 존재하는 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)에 의해서 기계적으로 지지되어 있으므로 기계적 변화 및 온도변화에 대해 안정된다.
본 실시 예의 전면 패널(10)의 제조방법에 대해 설명한다.
전면 기판(11) 상에 주사 전극(121)과 유지 전극(122)을 형성한다.
테트라포드 형상의 침 형상 결정입자(40)를 알코올 용매에 분산시킨 도료를 준비하고, 이것을 주사 전극(121)과 유지 전극(122) 상에 도포하여 건조시켜서 용매를 제거한다. 이 공정에 의해 침 형상 결정 입자(40)가 주사 전극(121)과 유지 전극(122) 상에 분산 배치되며, 반 디어 월스 력(Van Der Waals force) 또는 정전력(electrostatic force)에 의해 주사 전극(121)과 유지 전극(122) 상에 부착한다.
여기서, 상기 도료 내에서의 침 형상 결정입자(40)의 함유량 등을 조정함으로써 침 형상 결정입자(40)가 주사 전극(121)과 유지 전극(122) 상에 분포하는 밀 도를 조절하여 제조할 수 있다.
침 형상 결정입자(40)를 도포한 패널 면상에 주사 전극(121)과 유지 전극(122)을 피복하도록 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)을 순차 형성한다.
유전체 막(13)은, SiO2를 스퍼터 법 또는 EB 증착법에 의해서, 혹은 저 융점 유리재료를 퇴적시킴으로써 형성할 수 있고, 보호막(14)은 MgO를 스퍼터 법 혹은 EB 증착법으로 퇴적시킴으로써 형성할 수 있다. 이 공정에 의해, 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료는 주사 전극(121) 및 유지 전극(122) 상에서 침 형상 결정입자(40)의 암들 사이 및 침 형상 결정입자(40)들 사이에 침투한 형태로 순차 퇴적되어 적층된다. 따라서 임립하는 침 형상 결정입자(40)의 암과 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료에 의해 상 분리구조가 된다.
또한, 유전체 막(13) 및 보호막(14)의 두께가 침 형상 결정입자(40)의 암의 정점의 높이에 도달할 때까지는 유전체 막(13)의 재료 및 보호막(14)의 재료는 암의 정점 상에는 거의 퇴적되지 않으므로, 침 형상 결정입자(40)의 암이 보호막(14)의 표면으로부터 노출되나, 유전체 막(13) 및 보호막(14)의 두께가 두꺼워지면 침 형상 결정입자(40)는 그 속에 매몰된다.
여기서, 상기 도료 내에서의 침 형상 결정입자(40)의 함유량 등을 조정함으로써 침 형상 결정입자(40)가 제 1 유전체 막(13) 상에 분포하는 밀도를 조절할 수 있다.
침 형상 결정입자(40)를 도포한 패널 면상에 MgO를 스퍼터 법 또는 EB 증착 법으로 퇴적시킴으로써 보호막(14)을 형성한다. 이 공정에 의해, 보호막(14)의 재료는 제 1 유전체 막(13) 상에서 침 형상 결정입자(40)의 암들 사이 및 침 형상 결정입자(40)들의 사이에 침투한 형태가 된다. 따라서 임립하는 침 형상 결정입자(40)의 암과 보호막(14)의 재료에 의해 상 분리구조가 된다.
또한, 제 1 유전체 막(13)의 두께가 침 형상 결정입자(40)의 암의 정점의 높이에 도달할 때까지는 보호막(14)의 재료는 암의 정점 상에는 거의 퇴적되지 않으므로, 침 형상 결정입자(40)의 암이 보호막(14)의 표면으로부터 돌출되나, 유전체 막(13) 및 보호막(14)의 두께가 두꺼워지면 침 형상 결정입자(40)는 그 속에 매몰된다.
표시 전극(121, 122)의 표면상에서의 침 형상 결정입자(40)의 배치밀도에 대해서는, 상기 실시 예 3에서 설명한 것과 마찬가지로, 30% 이상 90% 이하로 하는 것이 바람직하며, 60% 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
본 실시 예에서도, 상기와 같이 침 형상 결정입자(40)를 분산 배치한 후에 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)을 순차 형성하는 것이 제조상의 용이성이라는 측면에서 바람직하나, 먼저, 침 형상 결정입자(40)의 형성 예정위치에 오목부를 형성한 제 1 유전체 막(13)을 형성하고, 그 후, 당해 오목부 내에 침 형상 결정입자(40)를 배치하고 보호막(14)을 형성하는 방법으로 해도 좋은 것으로 생각된다.
(실시 예 5)
PDP의 전체 구성은 실시 예 1과 동일하다.
도 12 (a), (b)는 실시 예 5의 전면 패널(10)의 구조를 나타내는 요부 단면 도 및 요부 평면도이다.
이 전면 패널(10)은, 상기 실시 예 3과 마찬가지로, 전면 기판(11)의 편면 상에 복수의 표시 전극 쌍(주사 전극(121)과 유지 전극(122))이 스트라이프 형상으로 형성되고, 또한, 이들 전극 군을 피복하도록 제 1 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 적층되어 구성되어 있다.
다만, 상기 실시 예 3에서는 주사 전극(121)과 유지 전극(122) 상에 침 형상 결정체(15)가 배치되어 있는 것인데 반해, 본 실시 예에서는 주사 전극(121)과 유지 전극(122)의 중간에 전자방출 전극(123)이 형성되어 있고, 그 전자방출 전극(123) 상에 침 형상 결정체(15)가 배치되어 있는 점이 다르다.
즉, 도 12 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 전자방출 전극(123)의 표면상에는 도전물질 또는 반도체물질로 형성된 침 형상 결정체(15)가 임립한 상태로 배치되어 있고, 각 침 형상 결정체(15)가 유전체 막(13)을 관통하며, 침 형상 결정체(15)와 유전체 막(13) 및 보호막(14)이 상 분리구조를 형성하고 있다.
전자방출 전극(123)의 표면상에 침 형상 결정체(15)가 임립하도록 하는 방법에 대해서는, 실시 예 3에서 설명한 것과 마찬가지로, 전자방출 전극(123)의 표면상에 분산되도록 촉매 층(16)을 형성하고, 촉매 층(16) 상에 그래파이트 입자를 성장시킴으로써 할 수 있다.
또한, 도 12 (b)에 도시한 예에서는, 전자방출 전극(123)의 표면상에서 방전 셀의 중앙부(도면 중 점선으로 둘러싸인 영역 A)에 상당하는 부분에만 침 형상 결정체(15)가 배치되어 있으나, 전자방출 전극(123)의 표면 전체에 배치해도 좋다.
또, 도 12 (b)에 도시한 예에서는, 투명 전극(121a, 122a)에 방전 셀의 중앙부로 향하는 돌기부(121c, 122c)가 형성되어 있고, 전자방출 전극(123)은 투명 전극(121a, 122a)과 동일한 투명전극으로 구성되어 있다.
PDP의 구동 시에, 유지기간에는 표시 전극(121, 122)에 교대로 유지 펄스를 인가하나, 전자방출 전극(123)은 그라운드 전위로 유지하거나 부유전위로 유지한다.
이에 의해, 주사 전극(121)과 전자방출 전극(123) 사이 및 유지 전극(122)과 전자방출 전극(123) 사이에 교대로 전계가 형성된다. 그리고 당해 전계에 의해서 전자방출 전극(123) 상의 침 형상 결정체(15)로부터 방전공간(30)으로 전자가 방출된다. 그 결과, 방전공간에서의 전자 밀도가 높아지므로 주사 전극(121) 및 유지 전극(122) 사이의 방전개시전압이 낮아진다.
또, 전자방출 전극(123) 상의 침 형상 결정체(15)에 의해서 보호막(14)의 표면에서의 2차 전자 방출성능도 향상된다.
또한, 투명 전극(121a, 122a)에 돌기부(121c, 122c)가 형성되어 있으면, 주사 전극(121) 및 유지 전극(122)에 펄스 전압이 인가될 때에 전자방출 전극(123) 상에서의 전계가 커진다.
전자방출 전극(123)의 표면상에서의 침 형상 결정체(15)의 형성밀도에 대해서는, 실시 예 3에서 설명한 것과 마찬가지로, 30% 이상 90% 이하로 하는 것이 바람직하며, 60% 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
상기 실시 예 3에서 설명한 것과 마찬가지로, 본 실시 예의 전면 패널(10)을 구비한 PDP에서도, Xe의 농도를 높게 설정함으로써, 방전개시전압을 억제하면서 높은 발광효율을 얻을 수 있다. 그 결과, PDP의 소비전력을 대폭적으로 낮출 수 있다.
예를 들어, 전극 상에 침 형상 결정체를 배치하고 있지 않은 종래 구조의 PDP에서, 방전가스로 10% Xe+90% Ne을 이용한 경우에 방전개시전압의 측정치는 220V로 높았으나, 본 실시 예와 같이 전자방출 전극(123) 상에 침 형상 결정체를 배치하여 상 분리 구조체를 형성한 PDP에서는 10% Xe+90% Ne을 방전가스로 이용해도 방전개시전압의 측정치는 160V로 낮게 억제되었다.
(FED의 전자방출원(electron source)에 대한 적용 가능성)
상기 실시 예 1 ~ 5에서는, PDP의 전면 패널에서 전극 상에 침 형상 결정입자와 그 간극에 충전되는 금속산화물로 이루어지는 상 분리구조를 구비하고 있으나, 동일한 구조를 갖는 상 분리구조는 FED(Field Emission Display) 전자방출원으로서도 이용할 수 있다.
즉, FED 전자방출원에서도, 기판에 대해서 침 형상 결정입자를 임립하고, 그 간극에 전자방출계수가 큰 금속산화물을 충전하면 침 형상 결정입자가 기계적으로 보강된다. 따라서 요동이 억제되는 동시에 고효율의 전자방출원을 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, PDP에서 구동 시의 방전의 변화의 발생을 억제하면서 방전개시전압의 감소를 도모할 수 있으므로, 대형이면서 박형인 디스플레이 패널에서 표시 품질을 개선하면서도 소비전력을 낮춘다는 점에서 유효하다.

Claims (23)

  1. 한쪽 주 면상에 전극이 배치되고 당해 전극을 피복하도록 유전체 막 및 보호막이 순차 형성된 전면 기판과 배면 기판이 간격을 두고 대향 배치되어 이루어지며, 상기 전극에 전압을 인가하여 양 기판 사이에서 방전이 이루어지도록 함으로써 발광 표시하는 플라스마 디스플레이 패널에 있어서,
    도전물질 또는 반도체물질로 이루어지는 침 형상 결정체(needle crystal)가 상기 유전체 막 및 상기 보호막 중 적어도 일방을 그 두께방향으로 관통하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 상기 전면 기판의 주 면에 대하여 대략 수직으로 임립(林立)한 상태로 상기 보호막을 그 두께방향으로 관통하도록 배치되고,
    당해 침 형상 결정체들 사이에 상기 보호막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 보호막의 재료와 상기 침 형상 결정체에 의해서 상 분리 구조물(phase-separated structure)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그래파이트 결정체(graphite crystal)인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 유전체 층과 상기 그래파이트 결정체 사이에 Fe, Co 및 Ni 중에서 선택된 1종 또는 복수 종류의 금속으로 이루어지는 금속 층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 그래파이트 결정체는 카본 나노튜브(carbon nanotube), 그래파이트 나노파이버(graphite nanofiber) 및 다이아몬드 라이크 카본(diamond-like carbon) 중에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 테트라포드 형상의 입자(tetrapod-shaped particle)인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 입자는 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  9. 청구항 2에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그 선단부가 상기 보호막의 표면으로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  10. 청구항 2에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그 선단부가 상기 보호막에 묻혀 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 상기 전면 기판의 주 면에 대하여 대략 수직으로 임립한 상태에서 상기 유전체 막을 그 두께방향으로 관통하도록 배치되고,
    당해 침 형상 결정체들 사이에 상기 유전체 막의 재료 및 상기 보호막의 재료가 적층되어 완전히 매립되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 유전체 막의 재료와 상기 침 형상 결정체에 의해서 상 분리 구조물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그래파이트 결정체인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 전극과 상기 그래파이트 결정체 사이에 Fe, Co 및 Ni 중에서 선택된 1종 또는 복수 종류의 금속으로 이루어지는 금속 층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 그래파이트 결정체는 카본 나노튜브, 그래파이트 나노파이버 및 다이아몬드 라이크 카본 중에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 테트라포드 형상의 입자인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 입자는 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  18. 청구항 11에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그 선단부가 상기 보호막의 표면으로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  19. 청구항 11에 있어서,
    상기 침 형상 결정체는 그 선단부가 상기 보호막에 묻혀 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  20. 청구항 11에 있어서,
    상기 전극에는 표시 전극 쌍이 포함되고,
    당해 표시 전극 쌍의 일방 또는 양방의 상부에 상기 침 형상 결정체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  21. 청구항 11에 있어서,
    상기 전극에는 표시 전극 쌍과 당해 표시 전극 사이에 형성된 전자 방출 전극이 포함되고,
    당해 전자 방출 전극 상에 상기 침 형상 결정체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  22. 청구항 21항에 있어서,
    상기 양 기판 사이에서 방전을 시키는 유지방전 시에는, 상기 표시 전극에 유지전압을 인가하는 동시에, 상기 전자 방출 전극을 그라운드 전위(ground potential) 또는 부유전위(floating potential)로 유지하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
  23. 청구항 1 내지 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막은, MgO, CaO, SrO 및 BaO 중에서 선택된 금속산화물, 혹은 이들 금속산화물의 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
KR1020067009398A 2003-11-10 2004-11-10 플라스마 디스플레이 패널 KR20060120114A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00379730 2003-11-10
JP2003379730 2003-11-10
JP2004305185 2004-10-20
JPJP-P-2004-00305185 2004-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060120114A true KR20060120114A (ko) 2006-11-24

Family

ID=34575942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067009398A KR20060120114A (ko) 2003-11-10 2004-11-10 플라스마 디스플레이 패널

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7573200B2 (ko)
JP (1) JP4611207B2 (ko)
KR (1) KR20060120114A (ko)
WO (1) WO2005045872A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637456B1 (ko) * 2004-02-05 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2007095436A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネル
JP4894234B2 (ja) * 2005-11-15 2012-03-14 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
KR100768194B1 (ko) * 2005-11-30 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US7808169B2 (en) * 2006-01-12 2010-10-05 Panasonic Corporation Electron emitting device and electromagnetic wave generating device using the same
JP4832161B2 (ja) * 2006-05-25 2011-12-07 株式会社アルバック プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
EP1883092A3 (en) * 2006-07-28 2009-08-05 LG Electronics Inc. Plasma display panel and method for manufacturing the same
KR100894064B1 (ko) * 2007-09-03 2009-04-21 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 촉진 물질-함유 ＭｇＯ 보호막, 이의 제조 방법및 상기 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널
JP2009129617A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
KR100943194B1 (ko) * 2007-12-14 2010-02-19 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘 산화물 입자가 표면에 부착된 플라즈마디스플레이 패널용 보호막, 이의 제조 방법 및 상기보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널
JP2009218027A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP5298579B2 (ja) * 2008-03-12 2013-09-25 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
WO2011111360A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
CN104599923A (zh) * 2015-01-12 2015-05-06 西安交通大学 一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920009567B1 (ko) * 1987-12-29 1992-10-19 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 산화아연위스커 및 그 제조방법
JP3476217B2 (ja) * 1993-07-26 2003-12-10 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル
JPH08339767A (ja) 1995-06-13 1996-12-24 Fujitsu Ltd プラズマディスプレイパネル
US5872422A (en) * 1995-12-20 1999-02-16 Advanced Technology Materials, Inc. Carbon fiber-based field emission devices
JP2000164141A (ja) 1998-11-30 2000-06-16 Kyocera Corp プラズマディスプレイパネル
JP3913442B2 (ja) 1999-12-02 2007-05-09 株式会社リコー カーボンナノチューブ及びその作製方法、電子放出源
KR100490527B1 (ko) 2000-02-07 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트
KR100343205B1 (ko) * 2000-04-26 2002-07-10 김순택 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법
JP2002117771A (ja) 2000-10-10 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放電灯及びプラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3737696B2 (ja) * 2000-11-17 2006-01-18 株式会社東芝 横型の電界放出型冷陰極装置の製造方法
KR20040083973A (ko) * 2003-03-26 2004-10-06 김용석 보호막내 나노 팁을 포함하고 있는 고효율 플라즈마디스플레이 소자 및 그것의 제조방법
JP4225111B2 (ja) 2003-05-12 2009-02-18 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP4611207B2 (ja) 2011-01-12
JPWO2005045872A1 (ja) 2007-05-24
US7573200B2 (en) 2009-08-11
US20070080641A1 (en) 2007-04-12
WO2005045872A1 (ja) 2005-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3676265B2 (ja) フィールド・エミッタ
JP4861571B2 (ja) 電子放出素子およびその製造方法、ならびにこれを用いた画像表示装置
KR20060120114A (ko) 플라스마 디스플레이 패널
US7161285B2 (en) CNT film and field-emission cold cathode comprising the same
US7399215B2 (en) Method of manufacturing electron-emitting device and electron source
JPH0246636A (ja) 画像表示装置
JP2002373570A (ja) 電界放出型冷陰極およびその製造方法
KR100732874B1 (ko) 전자 방출 입자들 및 절연 입자들을 포함하는 전계 방출캐소드들
US20060249388A1 (en) Electrophoretic deposition method for a field emission device
KR20040066270A (ko) 카본계 물질로 이루어진 도전층이 형성된 애노드 기판을갖는 평판 디스플레이 장치
CN101022073A (zh) 用于发射屏的具有纳米管的阴极结构
JP2005190889A (ja) 電子放出素子、電子源、画像表示装置およびこれらの製造方法
KR100506078B1 (ko) 탄소나노튜브와 절연물을 이용한 ｍｉｃ형 전계 방출 소자
JP4119279B2 (ja) 表示装置
KR100670248B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막, 이의 제조 방법 및상기 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널
EP2075819B1 (en) Electron emission device and light emission apparatus including the same
CN100592454C (zh) 等离子显示屏
JP2005116469A (ja) 冷陰極電界電子放出素子の製造方法
KR20000062110A (ko) 평판 디스플레이
KR100669407B1 (ko) 전계방출디스플레이용 에미터의 제조방법 및 그를 이용한전계방출디스플레이
KR100766246B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판, 그 제조방법 및 이를구비한 플라즈마 디스플레이 패널
US6144145A (en) High performance field emitter and method of producing the same
JP5110190B2 (ja) 電界放出型冷陰極
KR100747922B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판, 그 제조방법 및 이를구비한 플라즈마 디스플레이 패널
KR20050111994A (ko) 필드 에미터 어레이 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee