JP5110190B2 - 電界放出型冷陰極 - Google Patents
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Description
カーボンナノチューブを電界放出型冷陰極のエミッタ材料として用いた電子線源は既に各種のものが提案されている。図15は、特開平9−221309号公報(特許文献1)にて開示された電界放出型冷陰極の断面図である。カーボンナノチューブを用いたエミッタ層3は炭素質基板11上にイオンを照射することによって形成され、カーボンナノチューブ層形成領域を取り囲むように、導電層4、絶縁層2および導電層4が積層され、そして上側の導電層4上には電子線引き出し用のグリッド10が配置される。グリッド10は銅製のメッシュからなり、開口部の上部を覆うように配置される。カーボンナノチューブの外径は2から50nmで、その長さは0.01μmから5μmであることが記載されている。絶縁層膜厚やエミッタ径に関する記述はないが、グリッド10にカーボンナノチューブ層に対して、500Vの正の電位を印加すると、カーボンナノチューブ層(3)から電子が放出され、アノード電極6に10mAのエミッション電流が検出されると記載されている。
第一の問題点はゲート層とエミッタ層の近接、すなわち絶縁層の薄膜化が困難であるということである。一般的なカーボンナノチューブの生成方法であるアーク放電法やレーザーアブレーション法によって得られるカーボンナノチューブは、外径はほぼ一定でnmオーダーであるが、その長さは0.5μmから100μmの様々な長さを有する。また、カーボンナノチューブは柔軟性に富んでいるため互いに絡みやすいという特徴をもつ。そのため、長さの大きなナノチューブが互いに絡み合うと、大きな糸屑のような形状になり、カーボンナノチューブ層の平坦性を低下させる要因になる。このようなカーボンナノチューブ層上に絶縁層およびゲート層を形成する場合、カーボンナノチューブ層と絶縁層との付着力が弱く、構造が不安定になりやすい。また、このような著しく凹凸のあるカーボンナノチューブ層上に薄膜化した絶縁層とゲート層を積層する場合、絶縁層の膜厚が不均一になり、絶縁不良による素子破壊の問題を生じる。特に、複数のエミッタを二次元的に配列した平面画像装置においては、局所的な絶縁破壊等によって特性が不均一になり、画像の不安定性やムラの要因となる。信頼性の高い特性を得るためには、絶縁層の膜厚を少なくても4μm以上にする必要がある。したがって、カーボンナノチューブ層上に絶縁層およびゲート層を順次堆積し、その後、絶縁層とゲート層の一部をエッチングして開口部を形成する電界放出型冷陰極の製造において、絶縁層を薄膜化してゲート電極とカーボンナノチューブ層を近接させるには限界があった。
したがって、従来の電界放出型冷陰極および平面画像装置では、低電圧化および高効率化を同時に実現することが困難であった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、第1に、絶縁層の膜厚によらずに低電圧化を実現できるようにすることであり、第2に、低電圧化してもエミッション効率を高く維持できるようにすることである。
D>d・tg/2ti
を満たし、かつ、前記絶縁層上の前記第2の開口の内側の領域内には、前記ゲート電極層の膜厚以上の膜厚を有する絶縁膜が形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極、が提供される。
図3は、絶縁層の開口径dが50μm、ゲート層の膜厚tgが0.1、0.5、1μmのときの距離Dの絶縁層膜厚ti依存性である。ここでは、tgが0.5μm、tiは2.5μmであるため、Dはおよそ5μm以上となり、結果的にゲート層1の開口径は上述したように60μmとなる。図2に示すようにエミッタ層の中心から絶縁層の開口端を介してゲート層の開口端の上面を結ぶ線分(点線)よりも低い高さになるようにカーボンナノチューブを堆積することにより、エミッタ膜上の任意の点から最近接のゲート開口端を結ぶ線分が絶縁層2によって遮蔽される。また、絶縁層2の側面上に形成するカーボンナノチューブ膜の縦方向の膜厚は図2の点線以下になるように堆積する。
カーボンナノチューブを噴霧にて形成する際には、基板に対して垂直方向から噴霧することによっても噴霧粒子の広がりや反跳等により、開口部側面にナノチューブを付着させることができるが、基板に対する垂線に対して15度から45度の角度で、基板を回転させながら、噴霧することにより、開口部側面により均一に、制御性良くカーボンナノチューブ層を形成することができる。15度以下の角度で噴霧した場合、側面にもカーボンナノチューブが堆積するが、不均一であり、点在する場合が多い。そのため、側面に付着したカーボンナノチューブは導電層4および開口部底面のカーボンナノチューブ層との電気的な導通が不十分になりやすく、本発明の効果が得られにくい。一方、45度以上の角度での噴霧は、マスク材7と絶縁層2の開口径よりも後退したゲート層1の隙間にカーボンナノチューブが入りやすく、ゲート層1とエミッタ層3とのショートの原因になる。絶縁層側面でのカーボンナノチューブの膜厚調整は、メタルマスクの開口径と噴霧時の粒子の入射角等を制御することによって行うことができる。例えば、絶縁層開口部側面でのナノチューブの膜厚を小さくするには、マスクの開口径を小さく設定したり、噴霧時の粒子の入射角を小さくしたりすることにより、絶縁層開口部側面への粒子の堆積速度を減少させればよい。
また、開口側面に形成されたエミッタ層の縦方向高さを側面寄りほど高くする処理は、ドライエッチングの手法を用いて行うこともできる。すなわち、図1(c)の状態に加工した後、基板を傾けつつ回転させ、例えば集束イオンビームの照射やスパッタ法を適用することにより、エミッタ層上部のエッジ部を落とすことができる。この場合、ドライエッチングの手法によりエッジ部を取り除いた後、粘着テープの貼付/剥離を行ってナノチューブの配向性高めるようにしてもよい。
エミッタ層表面のエッチングは、スパッタ法やRIE法を用いて行ってもよい。また、上記第3の参考例で説明したように、粘着テープの貼付/剥離やラビングを用いてエミッタ層表面の加工を行ってもよい。また、ドライエッチング法により表面の加工を行った後、粘着テープの貼付/剥離によりナノチューブの配向性高めるようにしてもよい。
エミッタを形成する基板は、導電性基板もしくは図10(a)に示すように、導電層4が形成されたガラス製の基板5を用いる。導電層4上に、シリコン酸化膜もしくはポリイミド膜等の絶縁層2を4μmの膜厚に堆積し、その上層にゲート層1としてアルミニウムを膜厚0.5μmに堆積する〔図10(a)〕。次に、フォトリソグラフィにより、ゲート層1の開口径と絶縁層2の開口径の差に相当する領域に開口を有するレジスト膜8を形成し、これをマスクとしてゲート層1の一部をエッチング除去する〔図10(b)〕。次に、シリコン酸化膜を膜厚1μmに堆積して絶縁膜9を形成し〔図10(c)〕、その後、レジスト膜とその上の絶縁膜とを除去する〔図11(d)〕。次に、新たなフォトリソグラフィによりレジスト膜(図示なし)を形成し、これをマスクとしてゲート層1および絶縁層2の一部をエッチングし、開口部を形成する〔図11(e)〕。なお、ここでは絶縁層の開口径を50μm、ゲート径を52μmとした。その後、開口部以外をマスク材7で遮蔽し、噴霧もしくはスクリーン印刷によって、カーボンナノチューブを約1.5μmの膜厚に開口部内および側面に堆積してエミッタ層3を形成する〔図11(f)〕。そして、マスク材7を除去することによって、図11(g)に示す電界放出型冷陰極を形成することができる。
また、上記工程後に、第3の参考例で説明したように、粘着シートの貼付/剥離、ラビング若しくはエミッタ等によって、開口部側面のカーボンナノチューブ層を先鋭化することも可能である。
図14は、第1の参考例を基に作製される平面画像装置の製造方法を説明するための斜視図である。図1に示す電界放出型冷陰極と同様なプロセスにより、基板5上に導電層4を膜厚が0.5μmになるようにストライプ状に形成し、その上層に酸化膜もしくはポリイミド膜からなる絶縁層2を4μm堆積する。次に、ゲート層1を導電層4と直交するように、ストライプ状に形成する。導電層4とゲート層1の交差する領域のゲート層1および絶縁層2の一部をエッチングし、開口部を形成する。この際、ゲート層1の開口径は絶縁層2の開口部底面に堆積されるカーボンナノチューブ層上の任意の点から最近距離のゲート開口端を結ぶ線分が絶縁層2によって遮蔽されるように設計する。ここではゲート開口径を60μm、絶縁層の開口径を50μmとし、ゲート開口径を絶縁層の開口径よりも大きくする。その後、開口部以外をマスク材で遮蔽し、噴霧もしくはスクリーン印刷によって、エミッタ層3を開口部底面および側面に堆積させる。これにより、RGBの各画素に対応する電子放出部が形成される。なお、ここでは第1の参考例に従う方法にてエミッタ形成を行ったが、他の参考例や実施例に記載する方法を用いてもよい。エミッタを形成したガラス基板に対向する位置に真空を介して、RGBの各蛍光体をストライプ状に塗布したガラス基板を配置し、任意の画素をアドレス駆動させることによって平面画像装置を形成することができる。
2 絶縁層
3 エミッタ層
3a カーボンナノチューブ層
4 導電層
5 基板
6 アノード電極
7 マスク材
8 レジスト膜
9 絶縁膜
10 グリッド
11 炭素質基板
Claims (6)
- 第1の開口が形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、中心が前記第1の開口の中心とほぼ一致し前記第1の開口の開口径以上の開口径を有する第2の開口が形成されたゲート電極層と、前記第1の開口内に形成されたエミッタ層とを有する電界放出型冷陰極において、前記エミッタ層は前記第1の開口の底面以外に前記第1の開口の側面にも形成されており、かつ、前記エミッタ膜上の任意の点は、その点からの最近接の前記ゲート電極層部分から絶縁物によって遮蔽され、かつ、前記絶縁層上の前記第2の開口の内側の領域内には、前記ゲート電極層の膜厚以上の膜厚を有する絶縁膜が形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。
- 前記第1の開口の側面上に形成された前記エミッタ層の前記第1の開口の底面から見た高さは前記第1の開口の側面に向かって徐々に高くなされていることを特徴とする請求項1記載の電界放出型冷陰極。
- 第1の開口が形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、中心が前記第1の開口の中心とほぼ一致し前記第1の開口の開口径以上の開口径を有する第2の開口が形成されたゲート電極層と、前記第1の開口内に形成されたエミッタ層とを有する電界放出型冷陰極において、前記エミッタ層は前記第1の開口の底面での膜厚が前記第1の開口の側面に向かうに連れて徐々に厚くなるように形成されており、かつ、前記エミッタ膜上の任意の点は、その点からの最近接の前記ゲート電極層部分から絶縁物によって遮蔽され、かつ、前記絶縁層上の前記第2の開口の内側の領域内には、前記ゲート電極層の膜厚以上の膜厚を有する絶縁膜が形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。
- 開口径がdである第1の開口が形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された、中心が前記第1の開口の中心とほぼ一致し開口径がd+2Dである第2の開口が形成されたゲート電極層と、前記第1の開口内に形成されたエミッタ層とを有する電界放出型冷陰極において、前記エミッタ層は前記第1の開口の底面以外に前記第1の開口の側面にも形成されており、かつ、前記ゲート電極層の膜厚をtg、前記エミッタ膜の中心部と前記絶縁層との標高差をtiとして、
D>d・tg/2ti
を満たし、かつ、前記絶縁層上の前記第2の開口の内側の領域内には、前記ゲート電極層の膜厚以上の膜厚を有する絶縁膜が形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。 - 前記第1の開口の側面の前記ゲート電極層寄りの部分にはエミッタ層が形成されていないことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電界放出型冷陰極。
- 前記エミッタ層が、カーボンナノチューブを用いて形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の電界放出型冷陰極。
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