KR20060102652A - 웨이퍼 에칭장치 - Google Patents

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KR20060102652A KR1020050024487A KR20050024487A KR20060102652A KR 20060102652 A KR20060102652 A KR 20060102652A KR 1020050024487 A KR1020050024487 A KR 1020050024487A KR 20050024487 A KR20050024487 A KR 20050024487A KR 20060102652 A KR20060102652 A KR 20060102652A
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Abstract

본 발명은 웨이퍼(wafer) 에칭장치에 관한 것으로, 화학약품을 챔버내부로 공급하기 위한 하나 이상의 공급관과, 상기 공급관이 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 공급하기 위한 노즐 서플라이와, 상기 노즐 서플라이 및 공급관에 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 분사하기 위한 플레이트 노즐과, 상기 공급관에 연결되고 챔버내부를 세척 및 건조하기 위한 서포트 노즐을 포함하는 상부챔버; 및
수용되는 웨이퍼를 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 상부챔버를 이동시키기위한 승강수단을 포함하는 하부챔버; 로 이루어지고, 상기 상부챔버는 상기 하부챔버에 승,하강이 가능하도록 장착되는 웨이퍼 에칭장치에 관한 것이다.
따라서 본 발명에 의하면 하나 이상의 공급관을 통하여 복수개의 화학약품을 플레이트 노즐에 공급하고 선택적으로 웨이퍼에 분사하는 방식으로 에칭작업을 수행함에 따라 장비의 소형화를 이룰 수 있고, 화학약품은 상기 플레이트 노즐의 벽면에 분사되고 웨이퍼 표면으로 공급되어 골고루 식각됨에따라 효율적인 에칭작업이 이루어질 뿐만 아니라, 순환셔터 및 순환수단을 더 구비하여 화학약품의 재활용이 가능한 웨이퍼 에칭장치를 얻을 수 있다. 또한 본 발명은 상기 상부챔버 및 상기 하부챔버를 각각 복수개 구비하여 한번에 복수개의 웨이퍼 에칭작업을 구현할 수도 있다.
웨이퍼 에칭장치, 웨이퍼의 표면처리장치.

Description

웨이퍼 에칭장치{Wafer etching apparatus}
도1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 일실시예를 개략적으로 나타낸 사시도.
도2는 도1의 웨이퍼 에칭장치에 대한 개략적인 부분단면도.
도3은 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치에 구비된 노즐 서플라이의 개략적인 사시도.
도4a는 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 상부챔버에 구비되는 플레이트 노즐의 제1실시예를 개략적으로 나타낸 부분단면도.
도4b는 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 상부챔버에 구비되는 플레이트 노즐의 제2실시예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도4c는 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 상부챔버에 구비되는 플레이트 노즐의 제3실시예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도5는 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 상부챔버에 구비되는 서포트 노즐의 개략적인 단면도.
도6은 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치에서 두개의 챔버로 구현되는 다른 실시예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도7은 도6의 웨이퍼 에칭장치에 대한 개략적인 부분단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 설명
100 : 웨이퍼 에칭장치 101 : 상부챔부
102 : 하부챔버 103 : 에어 실린더
104 : P-N2 라인 105 : 플레이트 노즐
106 : 서포트 노즐 107 : 순환셔터
108 : 스핀헤드 109 : 노즐 서플라이
110 : 웨이퍼 게이트 111 : 프로세스 윈도우
112 : 화학약품 공급관 113 : 챔버 업다운 가이드
114 : 모터 115 : P-N2
116 : DI 117 : 공급관 가이드부재
118 : 배출부 200 : 웨이퍼 에칭장치
300 : 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼 에칭장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 본 발명은 상부챔버를 하부챔버에 수직으로 승,하강 가능하도록 장착하고, 화학약품을 선택적으로 웨이퍼에 공급하여 에칭작업을 수행하고, 골고루 분사하여 에칭효율을 높이며, 상기 화학약품을 재활용할 수 있는 웨이퍼 에칭장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체의 제조공정은 웨이퍼 제조 및 회로설계, 웨이퍼 가공, 그리고 조립 및 검사의 3가지 단계로 나뉜다. 그리고 웨이퍼의 제조공정은 웨이퍼 표면에 소정의 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 산화공정과 증착공정 및 세정공정과 식각공정 등의 여러공정들이 복합적으로 수행되어 웨이퍼를 완성하게 된다. 이중에서 식각공정은 건식식각공정과 습식식각공정으로 분리되어 사용되고 있다.
그리고 건식식각공정는 부식성 가스를 이용하고, 습식식각공정에는 여러종류의 화학약품이 사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 식각시킨다. 종래의 습식식각공정은 화학약품을 1회 사용 후 폐기되었으나, 현재에는 재활용하여 여러번 사용되어 지도록 하고 있고, 화학약품을 재활용하기 위한 구조는 다양하게 사용되어지고 있다.
그러나 종래의 웨이퍼 에칭장치의 경우 화학약품 분사시 직접분사되는 분사노즐을 사용함에 따라 웨이퍼의 표면상에 직접 화학약품이 공급되어 직접닿는 부분은 그렇지 않는 부분보다 웨이퍼의 표면을 더 많이 식각하여 웨이퍼는 불규칙적으로 식각되었다. 그리고 화학약품의 종류에 따라 각각 분사노즐 및 이를 위한 챔버를 구비하여야 함으로 대형화 및 고가로 구현되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 하나 이상의 화학약품을 공급받고, 선택적으로 웨이퍼에 분사함에 따라 복수개의 화학약품의 에칭작업을 하나의 에칭장치로 간단하게 작업하고, 소규모의 에칭장치로 구현할 수 있는 에칭장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 화학약품을 분사할 경우, 화학약품을 노즐 벽면에 분사하고, 분사된 화학약품이 벽을 타고 흘러내려 회전하는 웨이퍼에 공급됨에 따라 골고루 공급되어 에칭효율이 높아지고, 순환셔터 및 순환수단을 구비하여 화학약품의 재활용이 가능한 웨이퍼 에칭장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 또다른 목적은 본 발명의 다른 실시예로 복수개의 상부챔버 및 하부챔버를 구비함에 따라 복수개의 웨이퍼를 한번에 에칭작업할 수 있는 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 화학약품을 챔버내부로 공급하기 위한 하나 이상의 공급관과, 상기 공급관이 연결되고 화학약품을 선택적으로 웨이퍼에 공급하기 위한 노즐 서플라이와, 상기 노즐 서플라이 및 공급관에 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 분사하기 위한 플레이트 노즐과, 상기 공급관에 연결되고 챔버내부를 세척 및 건조하기 위한 서포트 노즐을 포함하는 상부챔버; 및
웨이퍼를 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 상부챔버를 이동시키기위한 승강수단을 구비하는 하부챔버; 로 이루어지고, 상기 상부챔버는 상기 하부챔버에 승,하강이 가능하도록 장착되는 웨이퍼 에칭장치를 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 바람직한 구체예에 대한 구성, 기 능 및 효과에 대하여 상세하게 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 일실시예를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도2는 도1의 웨이퍼 에칭장치에 대한 개략적인 부분단면도이다. 도면에 나타낸 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치(100)는 상부챔버(101) 및 하부챔버(102)로 이루어지고, 상기 상부챔버(101)는 승강수단에 의해 하부챔버(102)에 수직으로 승,하강이 가능하도록 장착된다.
보다 구체적으로 상기 상부챔버(101)에는 공급관(112), 노즐 서플라이(109) 및 서포트 노즐(106)이 구비된다. 상기 공급관(112)은 외부로부터 유입되는 화학약품을 챔버내부로 이송하기 위한 것으로 화학약품의 수에 따라 상기 공급관의 개수가 정해진다. 그리고 웨이퍼의 에칭에 사용되는 화학약품으로는 불산, 황산, 과수(H2O2), SC-1, Lal 등이 있고, 본 발명을 보다 효과적으로 구현하기 위하여 상기 화학약품은 P-N2(순수질소, pure-N2)(115) 및 DI(DI water)(116)를 더 포함한다. 상기 P-N2는 웨이퍼나 화학약품의 오염을 방지하고, 웨이퍼의 표면을 건조시키거나, 챔버 내벽을 건조시키며 화학약품의 배출속도가 빨라지도록 하기위해 사용되고, 상기 DI는 깨끗한 순수로서 화학약품에 의한 공정이 끝난 후, 웨이퍼의 표면을 세척 및 오염방지를 위해 사용된다.
이와같은 화학약품 공급관은 외부의 저장소(미도시)로부터 공급관 가이드부재(117)를 통해 챔버 내부로 유입되고, 상기 화학약품 공급관은 노즐 서플라이(109)에 연결되고, DI 공급관은 노즐 서플라이(109) 및 서포트 노즐(106)에 연결되 고, P-N2 공급관은 상부챔버(101)의 상부에서 "T" 피팅(fitting)등에 해당하는 적절한 피팅을 사용하여 분배시키고, 서포트 노즐(106), 플레이트 노즐(105) 및 P-N2라인(104)에 연결된다.
그리고, 상기 노즐 서플라이(109)는 공급관이 연결되고 화학약품을 선택적으로 웨이퍼에 공급하기 위한 것으로서, 도3에 나타낸 바와같이 입력부는 화학약품이 이송되는 복수개의 공급관과 DI 공급관이 연결되고, 출력부는 하나의 관으로 상기 플레이트 노즐(105)에 연결된다. 여기서 도3은 3개의 화학약품의 공급관 및 하나의 DI가 공급관이 연결되는 노즐 서플라이(109)를 나타낸 것으로, 발명자의 목적에 따라 공급되는 화학약품의 수를 달리하고 이에 따른 화학약품 공급부의 수를 달리하여 상기 노즐 서플라이에 연결한다. 또한 선택적인 화학약품 공급을 효율적으로 하기 위해 상기 노즐 서플라이(109)의 전단으로 석백밸브(suck back valve)(미도시)를 장착한다.
또한, 상기 플레이트 노즐(105)은 상기 노즐 서플라이 및 공급관에 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 분사하기 위한 것으로서, 도4a 내지 도4c는 상기 플레이트 노즐(105)의 다양한 실시예를 나타낸 것이다. 도4a에 나타낸 바와같이 상부로는 2개의 입력관이 형성되는데, 하나는 상기 노즐 서플라이(109)의 출력부에 연결되고, 다른 하나는 P-N2 공급관에 연결된다. 그리고 상기 플레이트 노즐(105)는 웨이퍼(300)의 상부로 위치되고, 날개 끝이 반경방향으로 하향 연장되어 있다.
이와달리 도4b 및 도4c에 나타낸 상기 플레이트 노즐(105)의 다른 실시예는 날개 끝이 노즐중심으로 꺽여있다. 그리고 상기 노즐 서플라이(109)에 의해 선택적 으로 공급되는 화학약품 및 DI는 플레이트 노즐(105)의 벽면에 분사된 후 꺽인벽면을 따라 흘러내려 웨이퍼로 공급되고, P-N2는 웨이퍼(300)의 상면으로 직접분사하는 방식으로 구현된다. 또한 도4b는 일측벽으로, 도4c는 양측벽으로 화학약품을 분사하기 위해 플레이트 노즐(105)의 형태에 따른 각각의 실시예를 나타낸 것이다.
그리고 상기 서포트 노즐(106)은 도5에 나타낸 바와 같이, P-N2 공급관 및 DI 공급관이 연결되고, 상기 P-N2 및 DI를 분사하여 챔버내부를 세척 및 건조하기 위한 것이다.
또한, 상기 상부챔버(101)의 소정의 위치로 배출부(118)가 형성되고, 상기 배출부는 상기 챔버내부에서 발생되는 가스 및 P-N2가스를 외부로 배출시켜 챔버내부의 압력증가를 방지하기 위한 것이다. 이에 더하여 상기 상부챔버(101)의 소정의 위치에 내부공정을 관찰하기 위한 프로세스 윈도우(111)가 더 구비된다.
다음으로 상기 하부챔버(102)에는 수용되는 웨이퍼를 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 상부챔버(101)를 수직 이동시키기위한 승강수단을 구비한다. 상기 구동수단은 모터(114), 기어, 회전축 및 스핀헤드(108)를 포함한다. 상기 스핀헤드(108)는 그 상부로 웨이퍼가 수용되고 상기 모터(114)에 의해 회전되는 것으로서, 이송장치에 의해 보다 효과적으로 상기 웨이퍼를 수용하기 위해 상기 하부챔버의 상면보다 높게 위치되는 것이 바람직하다. 그리고 승강수단은 웨이퍼(300)의 입출시 상기 상부챔버(101)를 승,하강 시키기 위한 것으로 공압구동기(미도시), 에어실린더(103) 및 상기 상부챔버의 이동을 안내하는 챔버 업/다운 가이드(113)를 포함하여 이루어진다. 상기 챔버 업/다운 가이드(113)는 에어 실린더(103)에 공기압이 균일하게 공급되지 못할 경우, 상부챔버(101)가 기우는 것을 방지하기 위한 것으로 상부챔버(101)와 하부챔버(102)가 서로 잘 결합될 수 있도록 안내한다.
이에 더하여 상기 하부챔버(102) 내부의 소정위치에는 상기 화학약품을 재활용하기 위해 상기 하부챔버의 내부로 장착되는 하나이상의 순환셔터(107) 및 순환수단을 더 구비하고, 상기 순환수단은 필터, 밸브류, 압력조절 레귤레이터(regulator), 압력게이지, 펌프, 탱크를 포함한다. 그리고 상기 순환셔터는 각각의 화학약품에 대응되도록 형성되고 해당 화학약품 분사시 오픈된다. 또한 상기 순환수단은 별개의 장치로 챔버외부에 장착되어 화학약품의 순환작업을 구현할 수도 있다. 그리고 상기 화학약품 분사에 따른 해당 순환셔터의 오픈동작은 제어장치 및 센서를 구비하고 본 발명의 기술분야에서 당업자에 의해 용이하게 구현될 수 있다.
또한 도2에 나타낸 바와 같이, 상기 상부챔버 및 상기 하부챔버의 소정의 위치에 각각 P-N2라인(104)이 형성되고, 공급관을 통해 공급된 P-N2가 챔버내부로 분사시 P-N2막이 형성되어 화학약품 및 가스(fume:화학약품의 기체등 공정중에 발생하는 해로운 기체)의 외부노출이 방지된다. 그리고 상기 하부챔버에 형성된 P-N2라인(104)에서 순환셔터(107)로 향하는 연장선은 상기 상부챔버에 형성된 P-N2라인(104)에서 순환셔터(107)로 향하는 연장선 보다 높이 위치됨에 따라 챔버내부로 화학약품이 고이는 것이 방지된다. 또한 상기 상부챔버(101)가 상기 하부챔버(102)의 위로 수직으로 승,하강이 가능하도록 장착됨에 따라 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치가 완성된다. 도2에 나타낸 상기 웨이퍼 에칭장치는 상기 프로세스 윈도우(111) 및 챔버 업다운 가이드(113)의 위치관계를 나타내기 위해 도1의 배면을 나타낸 것 이다. 따라서 도1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼가 수용되는 정면으로는 챔버 업다운 가이드(113)가 형성되지 않아 웨이퍼의 수용이 가능하다.
이하 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치의 작동 및 에칭작업에 대하여 상세히 설명한다.
상기 상부챔버(101)는 승강수단에 의해 수직으로 상승되면, 도2에 나타낸 바와 같이, 상기 웨이퍼 케이트(110)은 상승되어 웨이퍼의 수용이 가능해지고, 웨이퍼(300)는 웨이퍼 이송장치에 의해 하부챔버(102)의 스핀헤드(108)의 상부로 놓여진다. 그리고 다시 승강수단에 의해 상기 상부챔버(101)는 챔버 업/다운 가이드(113)에 안내되어 하강한다. 이후 상기 스핀헤드(108)는 모터(114)에 의해 회전되고 화학약품 공급관을 통해 공급되는 복수개의 화학약품은 상기 노즐 서플라이(109)에의해 선택적으로 상기 플레이트 노즐(105)에 공급된다. 상기 플레이트 노즐(105)에서 화학약품을 벽면에 분사하고 벽면으로 흘러내린 화학약품은 웨이퍼에 공급된다. 이때 상기 웨이퍼(300)는 회전하고 있어 화학약품은 웨이퍼의 표면으로 골고루 공급된다.
이때 화학약품의 재활용을 위해 하부챔버의 순환셔터(107)중 상기 분사되는 화학약품에 대응되는 셔터는 오픈된다. 그리고 상기 서포트 노즐(106)에서 P-N2가 분사되고 P-N2압력이 형성되어 화학약품의 배출속도는 증가된다. 또한 상기 하부챔버(102)의 P-N2라인(104)에서 P-N2가 분사되어 P-N2막이 생성하여 화학약품 및 가스의 외부유출을 막을 수 있게된다.
이와 같은 화학약품 공급공정이 끝나면 상기 하부챔버(102)의 DI 회수셔터( 미도시)가 오픈되고, DI는 공급관을 통해 상기 서포트 노즐(106) 및 상기 플레이트 노즐(105)로 이송되고, 상기 플레이트 노즐(105)의 벽면을 통해 웨이퍼(300)의 표면위로 공급되어 웨이퍼의 표면을 세척한다. 그리고 상기 서포트 노즐(106)에 의해 DI가 분사되어 챔버 내부를 세척한다. 다음으로 상기 플레이트 노즐(105)은 상기 웨이퍼(300)에 P-N2를 분사하여 웨이퍼의 표면을 건조시킨다. 상기 서포트 노즐(106)은 상기 P-N2를 분사하여 챔버의 내벽을 건조시키고, DI의 배출속도를 증가시킨다. 이와같이 DI 분사 이후에 P-N2가 분사됨에 따라 챔버 내부에 묻어있는 DI가 다음 화학약품과 혼합되어 농도가 낮아지는 것이 방지된다.
상술된 바와 같이, 에칭공정을 수행한 화학약품은 순환셔터(107)를 통해 배출되고, 순환수단인 필터, 밸브류, 압력조절 레귤레이터(regulator), 압력게이지, 펌프, 탱크에 의해 순환되어 공급관 가이드부재를 통해 다시 화학약품공급관으로 이송된다. 이와 같은 화학약품순환작업은 당업자에 의해 용이하게 구현될 수 있다.
그리고, 필요한 화학약품의 수 만큼 상술된 웨이퍼 에칭작업을 반복수행한다. 이때 상기 노즐 서플라이(109)에 장착된 석백밸브에 의해 본 발명을 보다 효과적으로 구현할 수 있다. 보다 구체적으로 하나의 화학약품에 대한 에칭작업이 끝나고 다음 화학약품을 공급하기 위해 상기 노즐 서플라이(109)의 출력부를 변경할 경우 남아있는 화학약품의 잔류량은 상기 석백밸브에 의해 흡수되고, 다른 화학약품이 공급됨에 따라 이전 공급된 화학약품과 섞이는 문제점 없이, 복수개의 화학약품에 의한 효과적인 에칭작업을 수행할 수 있다.
도6은 본 발명에 따른 웨이퍼 에칭장치에서 두개의 챔버로 구현되는 다른 실 시예를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도7은 도6의 웨이퍼 에칭장치에 대한 개략적인 부분단면도이다. 도면에 나타낸 바와같이, 본 발명에 따른 다른 실시예의 웨이퍼 에칭장치(200)는 상부챔버(201) 및 하부챔버(202)를 각각 2개씩 구비하고, 2개의 웨이퍼를 동시에 에칭작업 할 수 있다. 그리고 전술한 바와 같이 하나의 상부챔버 및 하부챔버에 의한 에칭작업과 동일하게 구현된다.
도면에 나타낸 바와 같이, 상기 각각의 상부챔버 및 하부챔버는 서로 대칭되는 형상으로 도2에 나타낸 바와 같은 구성요소 및 구조를 갖는다.
보다 구체적으로, 상부챔버(201)는 승강수단에 의해 수직으로 상승되면, 웨이퍼(300)는 웨이퍼 이송장치에 의해 하부챔버(202)의 스핀헤드(208)의 상부로 놓여진다. 그리고 다시 승강수단에 의해 상기 상부챔버(201)는 챔버 업/다운 가이드(213)에 안내되어 하강한다. 이후 상기 스핀헤드(208)는 모터(214)에 의해 회전되고 화학약품 공급관을 통해 공급되는 복수개의 화학약품은 상기 노즐 서플라이(209)에의해 선택적으로 상기 플레이트 노즐(205)에 공급된다.
그리고, 상기 플레이트 노즐(205)은 화학약품을 벽면에 분사하고 벽면으로 흘러내린 화학약품은 웨이퍼에 공급된다. 이때 상기 웨이퍼(300)는 회전하고 있어 화학약품은 웨이퍼의 표면으로 골고루 공급된다. 이때 화학약품의 재활용을 위해 하부챔버의 순환셔터(207)중 상기 분사되는 화학약품에 해당되는 셔터는 오픈된다. 그리고 상기 서포트 노즐(206)에서 P-N2가 분사되고 P-N2압력이 형성되어 화학약품의 배출속도는 증가된다. 또한 상기 하부챔버(202)의 P-N2라인(204)에서 P-N2가 분사된다.
이와 같은 화학약품 공급공정이 끝나면 상기 하부챔버(202)의 DI 회수셔터(미도시)가 오픈되고, DI는 상기 서포트 노즐(206) 및 상기 플레이트 노즐(205)로 이송되고, 상기 플레이트 노즐(205)의 벽면을 통해 웨이퍼(300)의 표면위로 공급하여 웨이퍼의 표면을 세척한다. 그리고 상기 서포트 노즐(206)에 의해 DI가 분사되어 챔버 내부를 세척한다. 다음으로 상기 플레이트 노즐(205)을 통해 상기 웨이퍼(300)에 P-N2를 분사하여 웨이퍼의 표면을 건조시켜 워터마크(water mark)생성을 방지하고, 상기 서포트 노즐(206)은 상기 P-N2를 분사하여 챔버의 내벽을 건조시키고, DI의 배출속도를 증가시킨다.
상술된 바와 같이, 에칭공정을 수행한 화학약품은 순환셔터(207)를 통해 배출되고, 순환수단을 통해 다시 화학약품공급관으로 이송된다. 이와 같은 화학약품순환작업은 당업자에 의해 용이하게 구현될 수 있고, 본 발명에 따른 복수개의 상기 상부챔버(201) 및 상기 하부챔버(202)에 의한 복수개의 웨이퍼에 대하여 에창작업을 수행할 수 있음에 따라 보다 경제적이고 효율적으로 에칭작업이 구현된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 하나 이상의 화학약품을 공급받고, 선택적으로 웨이퍼에 분사함에 따라 복수개의 화학약품의 에칭작업을 하나의 에칭장치로 간단하게 작업하고, 소규모의 에칭장치로 구현할 수 있고, 화학약품 분사시 노즐 벽면에 분사하고 벽을 타고 흐르는 화학약품이 회전하는 웨이퍼에 공급됨에 따라 골고루 공급되어 에칭효율이 높아지고, 순환셔터 및 순환수단을 구비하여 화학약품의 재활용이 가능하고, 다른 실시예로 복수개의 상부챔버 및 하부챔버를 구비함에 따라 복수개의 웨이퍼를 한번에 에칭작업할 수 있는 웨이퍼 에칭장치를 제공하는 효과를 갖는다.

Claims (10)

  1. 화학약품을 챔버내부로 공급하기 위한 하나 이상의 공급관과, 상기 공급관이 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 선택적으로 공급하기 위한 노즐 서플라이와, 상기 노즐 서플라이 및 공급관에 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 분사하기 위한 플레이트 노즐과, 상기 공급관에 연결되고 챔버내부를 세척 및 건조하기 위한 서포트 노즐을 포함하는 상부챔버; 및
    수용되는 웨이퍼를 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 상부챔버를 이동시키기위한 승강수단을 포함하는 하부챔버; 로 이루어지고, 상기 상부챔버는 상기 하부챔버에 승,하강이 가능하도록 장착되는
    웨이퍼 에칭장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학약품을 재활용하기 위해 상기 하부챔버의 내부로 장착되는 하나이상의 순환셔터 및 순환수단을 더 구비하고, 상기 순환수단은 필터, 벨브류, 압력조절 레귤레이터(regulator), 압력게이지, 펌프, 탱크를 포함하여 화학약품의 재활용이 가능한
    웨이퍼 에칭장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공급관을 통해 공급되는 화학약품은 웨이퍼 표면 및 챔버 내부를 건조시키기 위한 P-N2와, 웨이퍼 및 챔버 내부를 세척하기 위한 DI를 더 포함하고, 상기 PN-2 및 DI는 상기 서포트 노즐 및 상기 플레이트 노즐에 공급되는
    웨이퍼 에칭장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 화학약품 및 가스(fume)의 외부노출을 막기위하여 상기 상부챔버 및 하부챔버의 소정의 위치에 각각 P-N2라인이 형성되고, 상기 공급관을 통해 공급된 P-N2가 챔부내부로 분사되는
    웨이퍼 에칭장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노즐 서플라이의 전단으로 장착되고, 공급되는 화학약품을 선택적으로 전달하기 위한 석백밸브(suck back valve)를 더 구비하는
    웨이퍼 에칭장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 승강수단은 상기 상부챔버를 승, 하강시키기 위한 공압구동기, 에어실린더 및 상기 상부챔버의 이동을 안내하는 챔버 업/다운 가이드를 포함하는
    웨이퍼 에칭장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 구동수단은 모터, 기어, 회전축 및 스핀헤드를 포함하고, 웨이퍼는 상기 스핀헤드에 수용되고 상기 모터에 의해 회전되는
    웨이퍼 에칭장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상부챔버의 소정의 위치로 내부공정의 관찰하기 위한 프로세스 윈도우를 더 구비하는
    웨이퍼 에칭장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 챔버내부에서 발생되는 가스 및 P-N2가스를 외부로 배출시키기 위해 상부챔버(101)의 소정의 위치로 배출부가 형성되는
    웨이퍼 에칭장치.
  10. 화학약품을 챔버내부로 공급하기 위한 하나 이상의 공급관과, 상기 공급관이 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 선택적으로 공급하기 위한 노즐 서플라이와, 상기 노즐 서플라이 및 공급관에 연결되고 화학약품을 웨이퍼에 분사하기 위한 플레이트 노즐과, 상기 상부챔버의 공급관에 연결되고 챔버내부를 세척 및 건조하기 위한 서포트 노즐을 포함하는 복수개의 상부챔버; 및
    수용되는 웨이퍼를 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 상부챔버를 이동시키기위한 승강수단을 구비하는 복수개의 하부챔버; 로 이루어지고, 상기 상부챔버는 상기 하부챔버에 승,하강이 가능하도록 장착되는
    웨이퍼 에칭장치.
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