KR20060092879A - 간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템 - Google Patents

간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20060092879A
KR20060092879A KR1020050085299A KR20050085299A KR20060092879A KR 20060092879 A KR20060092879 A KR 20060092879A KR 1020050085299 A KR1020050085299 A KR 1020050085299A KR 20050085299 A KR20050085299 A KR 20050085299A KR 20060092879 A KR20060092879 A KR 20060092879A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
temperature
temperature sensor
wavelengths
partially
Prior art date
Application number
KR1020050085299A
Other languages
English (en)
Inventor
마니시 코타리
Original Assignee
아이디씨 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이디씨 엘엘씨 filed Critical 아이디씨 엘엘씨
Publication of KR20060092879A publication Critical patent/KR20060092879A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/3466—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on interferometric effect
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3406—Control of illumination source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/041—Temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626—Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light

Abstract

본 발명의 어떤 실시예는 적어도 하나의 파장을 흡수하는 적어도 하나의 간섭 소자를 포함하는 광 센서를 제공한다. 상기 간섭 소자는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 실질적으로 평행한 제2 표면을 포함한다. 상기 제2 표면은 상기 제1 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 상기 제1 표면으로부터 갭 거리를 두고 떨어져 위치한다. 상기 흡수된 광 파장은 상기 갭 거리에 의존한다. 상기 간섭 소자는 온도 센서를 더 포함한다. 상기 온도 센서는 상기 간섭 소자에 의한 광 흡수에 의해 야기된 상기 간섭 소자의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다.
간섭 소자, 광 센서, 갭 거리, 온도 센서

Description

간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR SENSING LIGHT USING INTERFEROMETRIC ELEMENTS}
도 1은 제1 간섭 변조기의 이동가능한 반사층이 해방 위치에 있고, 제2 간섭 변조기의 이동가능한 반사층은 작동 위치에 있는, 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예의 일부를 도시한 등각투영도이다.
도 2는 3x3 간섭 변조기 디스플레이를 포함하는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다.
도 3은 도 1의 간섭 변조기의 일실시예에서, 인가된 전압에 대응한 이동가능한 미러의 위치를 나타낸 도면이다.
도 4는 간섭 변조기 디스플레이를 구동하기 위해 사용될 수 있는 한 세트의 수평열 및 수직열 전압을 나타낸 것이다.
도 5a 및 5b는 도 3의 3x3 간섭 변조기 디스플레이에 한 프레임의 디스플레이 데이터를 기록하기 위해 사용될 수 있는 수평열 및 수직열 신호에 대한 타이밍도의 일례를 나타낸 것이다.
도 6a는 도 1에 도시된 기기의 단면도이다.
도 6b는 간섭 변조기의 다른 실시예의 단면도이다.
도 6c는 간섭 변조기의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 7은 여기서 설명한 실시예들과 호환되는 간섭 소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 상이한 갭 거리를 각각 가지는 복수의 간섭 소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 9는 상이한 온도 범위에 반응하는 온도 센서를 각각 가지는 복수의 간섭 소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 10a및 10b는 갭 거리가 실질적으로 동일한 복수의 간섭 소자와 복수의 컬러 필터를 가진 광 센서에 관한 2개의 실시예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 11은 여기서 설명한 실시예들과 호환되는 3개의 예시적인 컬러 필터 재료의 세트에 대한 투과 스펙트럼 그래프이다.
도 12a, 12b, 및 12c는 백라이트(backlight) 소스로부터의 방사 스펙트럼과 중첩된 도 11의 컬러 필터 재료의 투과 스펙트럼에 대한 3개의 그래프이다.
도 13은 사이드라이트(sidelight) 소스와 함께 사용하기 위한 온도 센서를 가진 간섭 소자가 결합된 전자 기기의 일실시예를 나타내는 시스템 블록도이다.
도 14는 백라이트 소스와 함께 사용하기 위한 온도 센서를 가진 간섭 소자가 결합된 전자 기기의 일실시예를 나타내는 시스템 블록도이다.
도 15는 간섭 소자 및 온도 센서를 가진 전자 기기에 의해 광을 감지하는 일련의 예시적 단계를 나타낸 것이다.
도 16a 및 16b는 복수의 간섭 변조기를 포함하여 시각 디스플레이 기기의 실시예를 보여주는 시스템 블록도이다.
본 발명의 분야는 미소 기전 시스템(MEMS), 특히 미소 기전 시스템 소자의 어레이를 위한 전기적 연결 아키텍처에 관련된다.
미소 기전 시스템(MEMS)은 미소 기계 소자, 액추에이터, 및 전자 기기를 포함한다. 미소 기계 소자는 침적(deposition), 에칭, 및/또는, 기판 및/또는 침적된 재료 층의 일부를 에칭으로 제거하거나 전기 기기 및 기전 기기를 만들기 위해 층을 부가하는 그 밖의 기타 미소 기계 가공 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 미소 기전 시스템 기기의 한 형태로서 간섭 변조기가 있다. 간섭 변조기는 한 쌍의 도전성 플레이트를 포함하며, 이 한 쌍의 도전성 플레이트의 하나 또는 모두는 부분적으로 투명하고 적절한 전기적 신호를 인가하면 상대적 이동이 가능하다. 하나의 플레이트는 기판 위에 침적된 고정층을 포함하고, 다른 하나의 플레이트는 상기 고정층 위에 매달린 금속 막(metallic membrane)을 포함한다.
독립적으로 작동 가능한 간섭 광변조기의 어레이는 소정의 디스플레이 구성에서 디스플레이 소자로서 사용된다. 광 변조기들은 각각의 광 변조기를 개별적으로 작동시키기 위해 사용되는 제어 전압이나 신호들을 제공하도록 전기적으로 연결되어 있다.
본 발명은 간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 시스템, 방법 및 기기는 각각 여러 가지 실시태양을 가지고 있고, 그들 중 하나가 단독으로 모든 바람직한 특성을 나타내는 것은 아니다. 이하에서 본 발명의 주요 특징을 설명하겠지만, 이것이 본 발명의 권리범위를 제한하는 것은 아니다. 이러한 점을 고려하여, "발명의 상세한 설명"을 읽고 나면, 본 발명의 특징적 구성이 어떻게 다른 디스플레이 기기에 비해 더 나은 장점을 제공하는지를 이해하게 될 것이다.
본 발명의 소정의 실시예는 적어도 하나의 파장의 광을 흡수하는 적어도 하나의 간섭 소자를 포함하는 광 센서를 제공한다. 간섭 소자는 제1 표면과 상기 제1 표면에 실질적으로 평행한 제2 표면을 포함한다. 제2 표면은 제1 표면에 실질적으로 수직열 방향으로 제1 표면에서 갭 거리를 두고 떨어져 있다. 흡수된 광 파장은 상기 갭 거리에 의존한다. 간섭 소자는 온도 센서를 더 포함한다. 온도 센서는 간섭 소자에 의한 광 흡수로 인한 간섭 소자의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다.
어떤 실시예에서는, 광 센서가 복수의 간섭 소자를 포함한다. 각각의 간섭 소자는 대응하는 갭 거리를 가지고 적어도 하나의 파장의 광을 흡수한다. 어떤 실시예에서는, 각각의 간섭 소자는 다른 간섭 소자들과 실질적으로 동일한 갭 거리를 포함한다. 어떤 다른 실시예에서, 복수의 간섭 소자는 간섭 소자의 둘 이상의 서브세트를 포함한다. 하나의 서브세트에서 각각의 간섭 소자는 그 서브세트의 다른 간섭 소자와 실질적으로 동일한 갭 거리를 포함한다. 각각의 서브세트는 다른 갭 거리를 가지며 적어도 하나의 다른 파장의 광을 흡수한다.
어떤 실시예에서는, 광 센서는 컬러 필터의 어레이를 더 포함한다. 각각의 컬러 필터는 대응하는 간섭 소자 상에 충돌하는 광이 그 간섭 소자를 통해 전파되도록 위치하고 있다. 각각의 컬러 필터는 간섭 소자에 대응하는 적어도 하나의 파장의 광을 실질적으로 전송한다.
어떤 실시예에서는, 간섭 소자의 제1 표면은 고정 표면이고 제2 표면은 가동 표면이다. 간섭 소자의 제1 상태에서, 가동 표면은 고정 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 상기 고정 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 있다. 제2 상태에서, 가동 표면은 고정 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 상기 고정 표면으로부터, 상기 제1 거리와는 상이한 제2 거리를 두고 떨어져 있다. 어떤 실시예에서, 제1 거리 또는 제2 거리는 거의 0(영)이다.
어떤 실시예에서, 간섭 소자는 둘 이상의 컬러를 포함한다. 어떤 실시예에서, 간섭 소자는 단일의 컬러 광(예컨대, 적색, 녹색 또는 청색의 광)을 포함한다.
어떤 실시예에서는, 적어도 하나의 간섭 소자는 광 센서로서 사용된다. 어떤 다른 실시예에서, 복수의 간섭 소자는 이미지 캡처를 위해 사용된다.
적어도 하나의 간섭 소자 및 온도 센서를 가진 광 센서의 예시적 실시예에 대해 서술한다. 간섭 소자는 간섭 변조기의 표면 상에서 주변의 광 파장을 열의 형태로 흡수한다. 흡수된 열을 온도 센서가 감지한다. 온도 센서는 접촉식 또는 비접촉식 센서이다. 온도 센서는 간섭 변조기의 표면에 의해 흡수된 열에 반응한 다. 온도 센서는 예컨대 감지된 온도를 나타내는, 예컨대 전압인 데이터를 출력한다. 어떤 실시예에서는, 출력된 데이터를 처리하여 디지털 이미지로서 저장한다. 어떤 다른 실시예에서, 디스플레이 기기를 조사하는 프런트라이트나 백라이트의 양을 설정하기 위해 상기 출력된 데이터를 사용함으로써 상기 디스플레이 기기가 주변광에서 더 잘 인식되도록 한다.
이하의 상세한 설명은 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다른 방법과 방식으로 구현될 수 있다. 이하의 설명에서, 도면이 참조되는데, 전체 도면에 걸쳐 동일한 부분에 대해 동일한 번호가 사용된다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명은 동화상(예컨대, 비디오)이든 정지화상(예컨대, 스틸 이미지)이든, 또는 텍스트이든 그림이든, 이미지를 디스플레이하도록 구성된 것이라면 어떠한 기기에든 구현될 수 있다. 보다 상세하게는, 본 발명은 예컨대, 한정되지는 않지만, 예컨대, 이동전화기, 무선 기기, 개인 휴대용 정보 단말기(PDA), 손에 들고다니거나 휴 대할 수 있는 컴퓨터, GPS 수신기/내비게이터, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔, 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예컨대, 주행 거리계 디스플레이), 조종석 제어 장치 및/또는 디스플레이, 감시 카메라의 디스플레이(예컨대, 자동차에서의 후방 감시 카메라의 디스플레이), 전자 사진 액자, 전자 게시판 또는 전자 표시기, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물, 및 미적 구조물(예컨대, 보석 상의 이미지 디스플레이) 등과 같은 다양한 전자 기기에서 실현되거나 관련되는 것으로 고려된다. 또한, 여기서 개시한 미소 기전 시스템 기기와 유사한 구조의 기기를 전자 스위칭 기기와 같은 비(非)디스플레이 분야에 사용할 수도 있다.
간섭계 미소 기전 시스템 디스플레이 소자를 포함하여 구성된 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예가 도 1에 도시되어 있다. 이러한 기기에서, 픽셀은 밝은 상태 또는 어두운 상태 중 하나의 상태로 된다. 밝은 상태("온 상태" 또는 "개방 상태"에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광의 대부분을 사용자에게 반사한다. 어두운 상태("오프 상태" 또는 "폐쇄 상태"에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 실시예에 따라서는, "온 상태"와 "오프 상태"의 광 반사 특성이 반대로 바뀔 수도 있다. 미소 기전 시스템 픽셀은 선택된 컬러를 두드러지게 반사하여 흑백뿐 아니라 컬러 디스플레이도 가능하도록 구성될 수 있다.
도 1은 영상 디스플레이의 일련의 픽셀들에서 인접하는 두 개의 픽셀을 나타낸 등각투영도다. 여기서, 각 픽셀은 미소 기전 시스템의 간섭 변조기를 포함하여 구성된다. 일부 실시예에서, 간섭 변조기 디스플레이는 이들 간섭 변조기들의 행렬 어레이를 포함하여 구성된다. 각각의 간섭 변조기는, 적어도 하나의 치수가 가변적인 공진 광학 캐비티를 형성하도록 서로 가변적이고 제어가능한 거리를 두고 배치되어 있는 한 쌍의 반사층을 포함한다. 일실시예에서, 이 반사층들 중 하나가 두 개의 위치 사이에서 이동될 수 있다. 제1 위치에서(여기서는 "해방 상태"라고 한다), 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 고정된 층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. 제2 위치에서, 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 층에 보다 가까이 인접하여 위치한다. 두 개의 층으로부터 반사되는 입사광은 이동가능한 반사층의 위치에 따라 보강적으로 또는 상쇄적으로 간섭하여, 각 픽셀을 전체적으로 반사 상태 또는 비반사 상태로 만든다.
도 1에 도시된 부분의 픽셀 어레이는 두 개의 간섭 변조기(12a, 12b)를 포함한다. 좌측에 있는 간섭 변조기(12a)에서는, 이동가능하고 반사성이 높은 층(14a)이 부분적으로 반사하는 고정된 층(16a)으로부터 소정의 거리를 두고 해방 위치에 있는 것이 도시되어 있다. 우측에 있는 간섭 변조기(12b)에서는, 이동가능하고 반사성이 높은 층(14b)이 부분적으로 반사하는 고정된 층(16b)에 인접한 작동 위치에 있는 것이 도시되어 있다.
고정된 층(16a, 16b)은 전기적으로 도전성을 가지고 있고, 부분적으로 투명하며, 부분적으로 반사성을 가지고 있고, 예컨대 투명 기판(20) 상에 크롬과 인듐주석산화물(ITO)로 된 하나 이상의 층을 침적시킴으로써 제조될 수 있다. 이들 층을 병렬 스트립으로 패턴화하여, 이하에서 설명하는 바와 같이, 디스플레이의 수평열 전극(row electrode)을 형성할 수 있다. 이동가능한 층(14a, 14b)은, 포스트(18)와 이 포스트들 사이에 개재된 희생 재료의 표면에 침적된 금속층(들)으로 된 일련의 병렬 스트립(수평열 전극(16a, 16b)에 수직하는)으로 형성될 수 있다. 희생 재료를 에칭하여 제거하면, 변형가능한 금속층이 에어갭(19)에 의해 고정된 금속층으로부터 이격된다. 변형가능한 층은 알루미늄과 같이 도전성과 반사성이 높은 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 이것의 스트립은 디스플레이 기기의 수직열 전극(column electrode)을 형성할 수 있다.
전압이 인가됨이 없이, 캐비티(19)는 도 1의 픽셀(12a)에 의해 나타내어지는 바와 같이 기계적으로 완화된 상태에서 층(14a, 16a) 및 변형가능한 층 사이에서 유지된다. 그러나 선택된 행과 열에 전위차가 인가되면, 해당하는 픽셀에서 수평열 전극과 수직열 전극이 교차하는 지점에 형성된 커패시터가 충전되어, 정전기력이 이들 전극을 서로 당기게 된다. 만일 전압이 충분히 높다면, 이동가능한 층이 변형되어, 도 1에서 우측에 도시된 픽셀(12b)과 같이, 고정된 층에 대해 힘을 받게 된다(도 1에는 도시하지 않았지만, 단락을 방지하고 이격 거리를 제어하기 위해 고정된 층 상에 유전 재료를 배치할 수 있다). 이러한 양상은 인가된 전위차의 극성에 관계없이 동일하다. 이러한 방식으로, 반사와 비반사의 픽셀 상태를 제어할 수 있는 수평열/수직열 구동은 종래의 액정 디스플레이나 다른 디스플레이 기술에서 사용되었던 방식과 여러 가지 면에서 유사하다.
도 2 내지 5는 디스플레이 응용분야에서 간섭 변조기의 어레이를 이용하기 위한 방법 및 시스템의 일례를 보여준다. 도 2는 본 발명의 여러 측면을 포함할 수 있는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 본 실시예에서는, 전자 기기가 프로세서(21)를 포함한다. 이 프로세서(21)는 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium II®, Pentium IV®, Pentium®Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® 등과 같은 범용의 단일칩 또는 멀티칩 마이크로프로세서나, 또는 디지털 신호 처리기, 마이크로컨트롤러, 프로그래머블 게이트 어레이 등과 같은 특정 목적의 마이크로프로세서일 수 있다. 해당 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수 있다. 오퍼레이팅 시스템을 실행하는 것 외에도, 프로세서는 웹 브라우저, 전화 응용프로그램, 이메일 프로그램, 또는 임의의 다른 소프트웨어 응용프로그램을 포함하여 하나 이상의 소프트웨어 응용프로그램을 실행하도록 구성될 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(21)는 또한 어레이 컨트롤러(22)와 통신하도록 구성된다. 일실시예에서, 어레이 컨트롤러(22)는 픽셀 어레이(30)에 신호를 제공하는 수평열 구동 회로(24) 및 수직열 구동 회로(26)를 포함한다. 도 2에서 1-1의 선을 따라 절단한 어레이의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 미소 기전 시스템의 간섭 변조기에 대한 수평열/수직열 구동 프로토콜은 도 3에 도시된 기기의 히스테리시스 특성을 이용할 수 있다. 이동가능한 층을 해방 상태에서 작동 상태로 변형시키기 위해, 예컨대, 10볼트의 전위차가 요구될 수 있다. 그러나 전압이 그 값으로부터 감소할 때, 전압이 10볼트 이하로 떨어지더라도 이동가능한 층은 그 상태를 유지한다. 도 3의 실시예에서, 이동가능한 층은 전압이 2볼트 이하로 떨어질 때까지는 완전히 해방되지 않는다. 따라서, 기기가 해방 상태 또는 작동 상태 중 어느 하나의 상태로 안정되는 인가 전압 영역이 존재하는 전압의 범위가 있다. 도 3에서는 약 3~7볼트가 예시되어 있다. 이것을 여기서는 "히스테리시스 영역" 또는 "안정 영역"이라고 부른다. 도 3의 히스테리시스 특성을 가진 디스플레이 어레이에 있어서, 수평열에 스트로브가 인가되는 동안, 스트로브가 인가된 수평열에 있는 픽셀들 중에 작동되어야 픽셀들은 약 10볼트의 전위차에 노출되고, 해방되어야 할 픽셀들은 0(영)볼트에 가까운 전위차에 노출되도록 수평열/수직열 액추에이션 프로토콜이 설계될 수 있다.
스트로브를 인가한 후에는, 픽셀들이 수평열 스트로브에 의해 어떠한 상태가 되었든지 간에 그 상태로 유지되도록 약 5볼트의 정상 상태 전압차를 적용받는다. 기록된 후에, 각 픽셀은 본 실시예에서는 3-7볼트인 "안정 영역" 내의 전위차를 가진다. 이러한 구성으로 인해, 도 1에 도시된 픽셀 구조가 동일한 인가 전압의 조건 하에서 작동 상태든 해방 상태든 기존의 상태로 안정되게 된다. 작동 상태로 있든 해방 상태로 있든, 간섭 변조기의 각 픽셀은 필연적으로 고정된 반사층과 이동하는 반사층에 의해 형성되는 커패시터이기 때문에, 이 안정된 상태는 히스테리시스 영역 내의 전압에서 거의 전력 낭비 없이 유지될 수 있다. 인가 전위가 고정되어 있으면, 필연적으로 픽셀에 유입되는 전류는 없다.
전형적인 응용예로서, 첫 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 따라 한 세트의 수직열 전극을 어서팅(asserting)함으로써 디스플레이 프레임을 만들 수 있다. 그런 다음, 수평열 펄스를 수평열 1의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 라인에 대응하는 픽셀들을 작동시킨다. 그러면, 수직열 전극의 어서트된 세트가 두 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 대응하도록 변경된다. 그런 다음, 펄스를 수평열 2의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 전극에 따라 수평열 2에서의 해당하는 픽셀을 작동시킨다. 수평열 1의 픽셀들은 수평열 2의 펄스에 영향을 받지 않고, 수평열 1의 펄스에 의해 설정되었던 상태를 유지한다. 이러한 동작을 순차적으로 전체 수평열에 대해 반복하여 프레임을 생성할 수 있다. 일반적으로, 이러한 프레임들은 초당 소정 수의 프레임에 대해 이러한 처리를 계속해서 반복함으로써 리프레시(refresh)되거나, 및/또는 새로운 디스플레이 데이터로 갱신된 다. 수평열 및 수직열 전극을 구동하여 디스플레이 프레임을 생성하는 많은 다양한 프로토콜이 잘 알려져 있고, 본 발명과 관련하여 사용될 수 있다.
도 4 및 5는 도 2의 3x3 어레이 상에서 디스플레이 프레임을 생성하기 위한 하나의 가능한 구동 프로토콜을 나타낸 것이다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 보여주는 픽셀들에 사용될 수 있는 수직열 및 수평열의 가능한 전압 레벨 세트를 보여준다. 도 4의 실시예에서, 픽셀을 작동시키기 위해, 해당하는 수직열은 -Vbias로 설정하고 해당하는 수평열은 +△V로 설정한다. 각각의 전압은 -5볼트 및 +5볼트에 대응할 수 있다. 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당하는 수직열은 +Vbias로 설정하고 해당하는 수평열은 동일한 값의 +△V로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위차가 0(영)볼트가 되도록 한다. 수평열의 전압이 0(영)볼트로 되어 있는 수평열에서는, 수직열이 +Vbias이든 -Vbias이든 관계없이 픽셀들이 원래의 상태로 안정된다.
도 5b는 도 2의 3x3 어레이에 인가되는 일련의 수평열 및 수직열 신호를 보여주는 타이밍도이며, 그 결과로서 작동된 픽셀들이 비반사성인 도 5a에 도시된 디스플레이 배열이 얻어진다. 도 5a에 도시된 프레임을 기록하기 전에, 픽셀들은 어떤 상태로 되어 있어도 무방하다. 본 예에서는, 모든 수평열들이 0(영)볼트이고, 모든 수직열들이 +5볼트이다. 이러한 인가 전압으로, 모든 픽셀들은 기존의 작동 상태 또는 해방 상태로 안정되어 있다.
도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3)의 픽셀들이 작동된다. 이를 구현하기 위해, 수평열 1에 대한 "라인 시간" 동안, 수직열 1과 2는 -5볼트로 설정되고, 수직열 3은 +5볼트로 설정된다. 이것은 어느 픽셀의 상태도 바꾸지 않는다. 왜냐하면, 모든 픽셀들이 3-7볼트의 안정영역 내에 있기 때문이다. 그런 다음, 수평열 1에 0볼트에서 5볼트로 상승한 후 다시 0볼트로 되는 펄스를 가진 스트로브를 인가한다. 이것은 (1,1) 및 (1,2)의 픽셀을 작동시키고 (1,3)의 픽셀을 해방시킨다. 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수평열 2를 원하는 대로 설정하기 위해, 수직열 2를 -5볼트로 설정하고, 수직열 1 및 3은 +5볼트로 설정한다. 동일한 스트로브를 수평열 2에 인가하면, (2,2)의 픽셀이 작동되고, (2,1) 및 (2,3)의 픽셀이 해방된다. 여전히, 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수직열 2 및 3을 -5볼트로 설정하고 수직열 1을 +5볼트로 설정함으로써, 수평열 3도 마찬가지의 방법으로 설정될 수 있다. 수평열 3에 대한 스트로브로 인해 수평열 3의 픽셀들도 도 5a에 도시된 바와 같이 설정된다. 프레임을 기록한 후에, 수평열 전위는 0(영)이고, 수직열 전위는 +5볼트 또는 -5볼트로 남아있으므로, 디스플레이는 도 5a의 배열로 안정된다. 수십 또는 수백의 수평열 및 수직열로 된 어레이에 대해 동일한 처리가 행해질 수 있다는 것은 잘 알 수 있을 것이다. 또한, 수평열 및 수직열의 구동을 위해 사용되는 전압의 타이밍, 순서 및 레벨은 위에서 설명한 전반적인 원리 내에서 다양하게 변경될 수 있고, 상술한 예는 예시에 불과하고, 임의의 구동 전압 방법을 본 발명에 적용하여도 무방하다.
위에서 설명한 원리에 따라 동작하는 간섭 변조기의 상세한 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 도 6a 내지 6c는 이동하는 미러 구조의 세 가지 다른 예를 보여준다. 도 6a는 도 1에 도시된 실시예의 단면도로서, 금속 재료로 된 스트 립(14)이 직각으로 연장된 지지대(18) 상에 배치되어 있다. 도 6b에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 연결선(32)에 의해 그 코너에서만 지지대에 부착되어 있다. 도 6c에서, 이동가능한 반사 재료(14)가 변형가능한 층(34)에 매달려 있다. 이 실시예는, 반사 재료(14)에 대한 구조적 설계와 재료는 광학 특성에 대해 최적화될 수 있고, 변형가능한 층(34)에 대한 구조적 설계와 재료는 원하는 기계적 특성에 대해 최적화될 수 있기 때문에 유용하다. 여러 가지 형태의 간섭 기기의 제조에 대해, 예컨대 미국특허공개 제2004/0051929호를 포함하여 여러 공개 문헌에 기술되어 있다. 일련의 재료 침적, 패터닝 및 에칭 단계들을 포함하여, 상술한 구조를 제조하기 위해 다양한 공지 기술이 사용될 수 있다.
어떤 실시예에서는, 이러한 간섭 소자는 선택된 간섭 소자를 개별적으로 어드레스하고, 선택된 간섭 소자를 서로 다른 반사 및 투과 속성을 가진 적어도 2개의 상태 사이에서 전환할 수 있도록 되어 있다. 전환이 안 되는 비전환형의 다른 간섭 소자도 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있다.
도 7은 온도 센서(708)를 가진 간섭 소자(700)를 개략적으로 도시하고 있다. 도시된 간섭 소자(700)의 실시예는 비전환형이고, 따라서 상술한 "오프" 및 "온" 상태 사이에서 전환되지 않는다. 그렇지만, 이 간섭 소자(700)에 대한 설명을 도 6a, 6b 및 6c에 도시한 전환이 가능한 실시예를 포함하는 전환형의 실시예에도 동일하게 적용할 수 있다. 예컨대, 도 6a, 6b 및 6c에 도시한 예시적인 전환형의 실시예는 온도 센서(708)를 포함한다. 이러한 실시예에서, 간섭 소자는 "온" 및 "오프" 상태 사이에서 전환될 수 있을 뿐만 아니라 주변광을 감지할 수도 있다. 온도 센서(708)를 가진 도 6a, 6b 및 6c에 도시된 예시적인 전환형 소자의 실시예는, 디스플레이 목적뿐만 아니라 주변광을 감지할 수 있는 능력의 측면에서도 간섭 소자를 포함하는 디스플레이 전자 기기에 유용하다. 예컨대, 간섭 소자에 의해 감지된 특성을 활용하여 광학 보상 구조를 제어할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 광학 보상 구조가 디스플레이 전자 기기와 관련된 프런트라이트, 사이드라이트 또는 백라이트이다. 검출된 주변광의 강도나 휘도를 이러한 실시예에서 디스플레이 전자 기기를 위한 광의 조사량을 설정하기 위해 유리하게 사용함으로써, 상기 디스플레이 기기를 주변광에서 더 잘 인식되도록 할 수 있다.
간섭 소자(700)는 주변광을 감지하도록 구성되어 있다. 어떤 실시예에서는, 온도 센서(708)는 감지된 주변광의 하나 이상의 특성을 전자 기기에 제공한다. 주변광의 특성으로는 파장 및 강도를 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예시적 전자 기기는 카메라 및 지문 센서를 포함한다. 어떤 실시예에서는, 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장 및 이 파장과 관련된 강도를 가진 주변광을 감지한다. 어떤 실시예에서는, 카메라 기기는 이러한 특성을 수신하고 저장한다. 화상을 형성하기 위해, 카메라는 어레이 형태로 배열된 복수의 인접한 간섭 소자로부터 특성을 수신한다. 어떤 실시예에서는, 상기 간섭 소자의 어레이로부터 수신된 특성을 처리하여 디지털 이미지로서 저장한다. 간섭 소자(700)를 카메라나 다른 이미지 캡처 기기로서 사용하는 것에 대해서는 도 8을 참조하여 상세하게 설명한다.
어떤 실시예에서는, 전환형 소자와 비전환형 소자 모두가 디스플레이 전자 기기에 사용된다. 하나 이상의 전환형 소자 또는 비전환형 소자는 온도 센서(708) 를 포함한다. 센서를 가진 전환형 또는 비전환형의 간섭 소자는 스위칭 간섭 소자의 어레이 내부에 또는 외부에 위치할 수 있다.
간섭 소자(700)는 제1 표면(702) 및 상기 제1 표면(702)에 실질적으로 평행한 제2 표면(708)을 포함한다. 제2 표면(704)은 제1 표면(702)에 실질적으로 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 갭 거리 d0만큼 떨어져 있다. 제1 표면(702)은 적어도 하나의 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성이다. 제2 표면(704)은 광에 대해 적어도 부분적으로 반사성이다. 제1 표면(702) 및 제2 표면(704)의 예시적 재료로는 크롬이나 티타늄을 들 수 있으나 이에 제한되지는 않는다.
제1 표면(702) 및 제2 표면(704)은 공진 캐비티(예컨대, 에탈론)를 형성하며 이 공진 캐비티에서는 광이 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에서 반사하기 때문에 자기 간섭을 일으킨다. 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수한다. 적어도 하나의 파장은 갭 거리 d0에 의존한다. 도 7에 개략적으로 도시된 실시예에서, 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 실질적으로 투과시키는 기판(706)을 더 포함한다. 광은 기판(706)을 통해 간섭 소자(700)에 진입하여 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에서 반사한다. 간섭 소자(700)에 입사하는 적어도 하나의 파장을 가진 광의 적어도 일부는 간섭 소자(700)에 의해 흡수된다. 제1 표면(702)에서 이 흡수된 광과 관련된 에너지는 열로서 소실된다. 어떤 실시예의 제1 표면(702)은, 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판(706) 상에 위치하지 만, 다른 실시예에서는, 기판(705)과 제1 표면(702) 사이에 하나 이상의 중재 층(intervening layer)(예컨대, 유전층)이 존재한다. 또 다른 실시예에서, 간섭 소자(700)는 제1 표면(702) 상에 존재하는 하나 이상의 층들(예컨대, 유전층)을 포함하고, 이 층들과 기판(706) 사이에 제1 표면(702)이 배치되도록 된다.
간섭 소자(700)는 온도 센서(708)를 더 포함한다. 온도 센서(708)는 간섭 소자(700)에 의한 흡수에 따른 간섭 소자(700)의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다. 도 7에 개략적으로 도시된 실시예에서, 온도 센서(708)는 제1 표면(702) 상에 위치하면서 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에 위치한다. 온도 센서(708)의 위치를 여기서 설명한 실시예와는 다르게 할 수도 있다. 어떤 실시예에서는, 온도 센서(708)가 제1 표면(702)에 인접하거나 거리를 두고 위치할 수 있다. 이러한 실시예에서, 온도 센서(708)는 방사, 대류, 전도 또는 열 에너지를 전달하기 위한 하나 이상의 물리적 처리의 조합으로 제1 표면(702)의 일부의 온도 변화를 감지한다. 도 6a, 6b, 및 6c에 도시된 예시적 실시예에서, 온도 센서(708)는 광학 스택(optical stack)의 근처나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서, 광학 스택은 고정된 층(16a, 16b) 및 이 고정된 층에 인접하는 층을 포함한다. 이 인접하는 층은 유전층, 크롬층, 인듐-주석-산화물 층 및 투명 기판(20)으로 구성된다.
어떤 실시예에서는, 흡수와 이에 대응하는 열의 관계가 파장의 함수이다. 예컨대, 간섭 소자(700)는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광에 대해 상이한 흡수율을 가질 수 있고, 따라서 입사광의 이러한 다양한 파장에 대해 생기는 열량은 서로 다르다. 어떤 실시예에서, 간섭 소자(700)의 재료는 선택된 파장 범위에 감도를 제 공하도록 선택된다. 여기서 설명한 실시예와 호환되는 간섭 소자(700)에 의해 검출될 수 있는 파장의 범위는 가시 파장, 적외선 및 자외선 파장, 무선 주파수(RF) 파장, 및 x-레이를 포함하지만 이것에 제한되지는 않는다.
어떤 실시예에서는, 온도 센서(708)는 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있는 2진 기기(예컨대, 스위치)를 포함한다. 이러한 어떤 스위치들은 미소 기전 시스템(MEMS) 제조 기술을 이용하여 형성된다. 어떤 다른 실시예에서, 온도 센서(708)는 아날로그 기기를 포함한다.
예컨대, 온도 센서(708)는 접촉식 또는 비접촉식 센서이다. 여기서 설명한 실시예에서 사용될 수 있는 접촉식 온도 센서로는 열전쌍(thermocouples), 서미스터(thermistors), 저항 온도 검출기(RTDs), 충전된 시스템 온도계(filled system thermometers), 바이메탈 온도계(bi-metallic thermometers), 및 반도체 온도 센서를 들 수 있다. 예컨대, 바이메탈 열전쌍은 온도의 함수로 전압차를 발생하기 위해 사용될 수 있다. 여기서 설명한 실시예에서 사용될 수 있는 비접촉식 온도 센서로서는 방사 온도계(radiation thermometers)(예컨대, 고온계(pyrometers)), 열 이미저(thermal imagers), 비 온도계(ratio thermometers), 광학 고온계(optical pyrometers), 및 광 섬유 온도 센서를 들 수 있다. 다른 온도 센서(708)도 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있다.
어떤 실시예에서는, 온도 센서(708)의 어느 정도의 영역이 제1 표면(702)과 접촉한다. 온도 센서(708)와 제1 표면(702) 사이의 접촉 표면 영역을 증가시키면 온도 센서(708)에 의해 측정되는 특성의 감도를 유리하게 증가시킬 수 있다.
적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수함으로써, 간섭 소자(700)의 온도는 증가하고 온도 센서(708)는 그 온도 증가에 반응한다. 어떤 실시예에서, 온도 센서(708)의 반응은 온도 센서(708)의 전압 변화를 측정함으로써 판정된다. 도시된 실시예에서, 온도 센서(708)는 전압 V0-V1을 측정한다. V0 과 V1 사이의 전압 변화는 제1 표면(702)의 일부의 온도 변화에 대응한다. 어떤 다른 실시예에서, 온도 센서(708)는 이 온도 센서(708)의 선택된 유형에 따라, 예를 들어 전류, 저항, 및/또는 변형을 측정한다.
어떤 실시예에서는, 온도의 증가는 간섭 소자(700)가 흡수한 적어도 하나의 파장의 광의 강도에 좌우된다. 그러므로 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 감지하는 광으로서 기능한다.
간섭 소자(700)의 크기는 미소 제조 설계법에 달려있다. 반도체 제조에서, 거의 1 평방 미크론보다 작거나 같은 영역을 가진 간섭 소자(700)의 구현이 가능하다. 다른 어떤 실시예는 거의 1/2 평방 미크론보다 작거나 같은 영역을 가진 간섭 소자(700)를 제공한다. 다른 크기의 간섭 소자(700) 또한 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있다.
도 8은 개략적으로 3 세트의 간섭 소자(700)를 포함하는 복수의 간섭 소자(700)를 개략적으로 도시한 것이다. 간섭 소자(700)의 제1 세트(800)는 제1 범위의 파장에 대해 실질적으로 반사성이고 다른 파장에 대해서는 적어도 부분적으로 흡수성인 것에 대응하는 갭 거리 d1 을 가진다. 간섭 소자(700)의 제2 세트(802)는 제2 범위의 파장에 대해 실질적으로 반사성이고 다른 파장에 대해서는 적어도 부분적으로 흡수성인 것에 대응하는 제2의 갭 거리 d2를 가진다. 간섭 소자(700)의 제3 세트(804)는 제3 범위의 파장에 대해 실질적으로 반사성이고 다른 파장에 대해서는 적어도 부분적으로 흡수성인 것에 대응하는 제3의 갭 거리 d3를 가진다. 온도 센서(708)는, 서로 다른 재료로 제조될 수도 있고, 및/또는 감도를 최적화하기 위해 3개의 서로 다른 갭에 대응하는 서로 다른 아키텍처(MEMS/바이메탈 등)를 가질 수도 있다.
어떤 실시예에서, 파장의 각 범위가 컬러의 범위를 포함한다. 어떤 실시예에서는, 파장의 각 범위가 둘 이상의 컬러를 포함한다. 어떤 실시예에서는, 파장의 제1, 제2 및 제3 범위는 적색, 녹색 및 청색에 대응하는 반면 다른 실시예에서는 제1, 제2 및 제3 컬러가 청록색(cyan), 심홍색(magenta) 및 노랑색에 대응한다. 이러한 어떤 실시예는 각각의 스펙트럼 성분의 강도의 측정치를 유리하게 제공한다. 여기서 설명한 실시예에서는 파장의 다른 범위도 적용될 수 있다.
다른 범위의 파장을 흡수하는 간섭 소자(700)를 사용함으로써, 어떤 실시예는 파장들을 구별할 수 있는 광 센서를 제공한다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색을 흡수하는 도 8의 간섭 소자(700)를 구비함으로써, 광 이미징 센서를 구축할 수 있다. 광 이미징 센서의 각 픽셀은 각각의 온도 변화에 의해 적색, 녹색 및 청색의 강도를 측정하는 간섭 소자(700)로 이루어진다. CCD에서와 같이, 색의 3원소, 즉 적색, 녹색 및 청색에서의 상이한 온도 증가에 의해 컬러가 검출된다. 이러한 어떤 실시예는 이미지 캡처를 위해 사용될 수 있는 반면, 어떤 다른 실시예는 주변광의 휘도를 모니터링하기 위해 사용될 수 있다. 주변광의 검출된 휘도를, 어떤 실시예에서는, 상기 디스플레이 기기를 조명하는 프런트라이트나 백라이트의 양을 설정하기 위해 유리하게 사용함으로써 상기 디스플레이 기기를 주변광에서 더 잘 인식되도록 할 수 있다.
어떤 실시예에서, CCD 카메라는 인입 광을 수신하기 위해 실리콘 대신에 온도 센서(708)를 구비하는 간섭 소자(700)의 어레이를 사용한다. 각각의 간섭 소자는, 도 6 내지 도 10을 참조하여 서술하는 바와 같이, 인입 광을 감지한다. 카메라는 또한 감지된 이미지를 디스플레이하는 디스플레이를 포함한다. 게다가, 일실시예에서, 디스플레이는 전술한 바와 같이 CCD 카메라를 포함한다. 광이 소멸될 때까지 그 광은 간섭 센서 상에 충돌할 수 있다. 광원이 소멸되면(예컨대, 셔터가 닫히면), 간단한 전자 회로 및 마이크로프로세서 및 컴퓨터를 사용하여 간섭 센서를 언로딩하고, 각각의 센서에서의 전압 변화를 측정하며 그 결과로서 얻어지는 데이터를 비디오 모니터나 다른 출력 매체 상에 이미지로 처리한다.
도 9는 3세트의 간섭 소자(700)를 포함하는 복수의 간섭 소자(700)를 개략적으로 도시한다. 각각의 간섭 소자(700)는 거의 동일한 갭 거리 d0를 가지며, 그래서 간섭 소자들(700)은 동일한 적어도 하나의 파장을 흡수한다. 간섭 소자들(700)의 제1 세트(900)는 주변광의 강도나 입사광의 강도의 소정 범위와 연관된 제1 온 도 범위에 반응하는 제1 온도 센서(708a)를 포함한다. 간섭 소자(700)의 제2 세트(902)는 주변광의 강도나 입사광의 강도의 소정 범위와 연관된 제2 온도 범위에 반응하는 제2 온도 센서(708b)를 포함한다. 간섭 소자(700)의 제3 세트(904)는 주변광의 강도나 입사광의 강도의 소정 범위와 연관된 제3 온도 범위에 반응하는 제3 온도 센서(708c)를 포함한다. 어떤 실시예에서, 제1 온도 범위, 제2 온도 범위 및 제3 온도 범위 중 하나 이상이 서로 중첩된다.
서로 다른 온도 범위에 반응하는 간섭 소자들(700)을 사용함으로써, 어떤 실시예에서는, 하나의 온도 범위에 반응하는 온도 센서(708)를 사용함으로써 달성되는 것보다, 간섭 소자들(700)에 의해 흡수되는 상기 적어도 하나의 파장의 광의 강도를 더욱 정밀하게 판정할 수 있는 유리함이 있다. 예컨대, 어떤 실시예에서는, 제1 온도 센서(708a)는 제1 온도 T1에서의 2개의 상태 사이에서 전환하는 2진 기기이고, 제2 온도 센서(708b)는 제1 온도 T1보다 높은 제2 온도 T2에서의 2개의 상태 사이에서 전환하는 2진 기기이고, 제3 온도 센서(708c)는 제2 온도 T2보다 높은 제3 온도 T3 에서 2개의 상태 사이에서 전환하는 2진 기기이다. 3개의 온도 센서(708a, 708b, 708c)의 상태를 검출함으로써, 어떤 실시예는 간섭 소자들(700)의 온도가 T1보다 낮은지, T1 과 T2 사이인지, T2 와 T3 사이인지 또는 T3이상인지를 결정할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 단일의 간섭 소자(700)가 유사한 기능을 제공하는 하나 이상의 온도 센서(708)를 포함한다.
어떤 실시예는 개별적으로 어드레싱하거나 또는 서로 다른 반사 및 투과 속성을 가진 적어도 2개의 상태 사이에서 선택된 간섭 소자(700)를 전환할 수 있도록 한다. 이러한 어떤 실시예에서, 간섭 소자(700)는 간섭 소자(700)가 흡수하는 파장의 범위를 변경하기 위해 둘 이상의 상태 사이에서 전환될 수 있다. 따라서, 어떤 실시예는 간섭 소자(700)의 반응을 임의로 수정할 수 있도록 한다.
도 10a 및 10b는 간섭 소자(1002)의 어레이 및 컬러 필터(1004)의 어레이를 포함하는 광 센서(1000)에 대한 예시적 실시예를 개략적으로 도시한다. 각각의 간섭 소자(1002)는 적어도 하나의 파장을 실질적으로 반사하고 다른 파장을 적어도 부분적으로 흡수한다. 도 10a 및 10b에 개략적으로 도시된 실시예에서, 각각의 간섭 소자(1002)는 동일한 갭 거리 d0를 가지고 있어서 각각의 간섭 소자(1002)는 다른 간섭 소자(1002)가 수행하는 것과 동일하게 적어도 하나의 파장을 흡수한다.
각각의 컬러 필터(1004)는 대응하는 간섭 소자(1002)로부터 반사된 광이 컬러 필터(1004)를 통해 전파하도록 위치되어 있다. 도 10a에 개략적으로 도시된 실시예에서, 컬러 필터(1004)는 광 센서(1000)의 기판(1008)의 외부 표면(1006)의 외측에 위치한다. 도 10b에 개략적으로 도시된 실시예에서, 컬러 필터(1004)는 외부 표면(1006) 내에 위치하고 간섭 소자(1002)의 어레이와 일체화되어 있다.
각각의 컬러 필터(1004)는 컬러 필터(1004)를 통해 선택된 범위의 파장이 실질적으로 통과하지만 컬러 필터(1004)에 의해 다른 파장은 실질적으로 통과하지 못하는(예컨대, 반사되거나 흡수되는) 고유 투과 스펙트럼을 가진다. 어떤 실시예에 서는, 컬러 필터(1004)의 어레이는 컬러 필터(1004)의 3개의 서브세트를 포함한다. 제1 서브세트의 각 컬러 필터(1004)는 제1 투과 스펙트럼을 가지고, 제2 서브세트의 각 컬러 필터(1004)는 제2 투과 스펙트럼을 가지며, 제3 서브세트의 각 컬러 필터(1004)는 제3 투과 스펙트럼을 가진다. 어떤 실시예에서는, 컬러 필터(1004)의 제1, 제2 및 제3 서브세트가 적색, 녹색 및 청색의 실질적인 투과에 대응하는 투과 스펙트럼을 각각 가진다. 어떤 다른 실시예에서, 컬러 필터(1004)의 제1, 제2 및 제3 서브세트가 청록색, 심홍색 및 노랑색의 실질적인 투과에 대응하는 투과 스펙트럼을 각각 가진다. 여기서 설명한 실시예에서는 다른 투과 스펙트럼을 가진 다른 컬러 필터(1004)도 호환될 수 있다.
도 11은 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있는 3개의 예시적 컬러 필터 재료의 세트에 있어서 투과율(T)을 파장 (l)의 함수로서 나타낸 그래프이다. 도 11의 예시적 컬러 필터 재료는 롤라 미주리 소재의 브레워 사이언스 스페시얼티 매터리얼사(Brewer Science Specialty Materials of Rolla, Missouri)로부터 입수 가능한 착색 광감지 컬러 필터 수지이다. 도 11의 실선은 PSCBlue®의 1.2-미크론 두께의 필름의 투과 스펙트럼에 대응하고, 도 11의 점선은 PSCGreen®의 1.5-미크론 두께의 필름의 투과 스펙트럼에 대응하고, 도 11의 일점 쇄선은 PSCRed®의 1.5-미크론 두께의 필름의 투과 스펙트럼에 대응한다.
도 12a-12c는 백라이트 소스로부터의 방사 스펙트럼과 중첩된 도 11의 컬러 필터 재료의 투과 스펙트럼의 3개의 그래프이다. 각각의 컬러 필터 재료의 투과 스펙트럼의 컨볼루션(convolution)은 백라이트 소스의 방사 스펙트럼의 대응하는 부분을 선택한다. 각각의 컬러 필터(1004)의 투과 스펙트럼의 대역통과 특성에 의해 간섭 소자(1002)는 광 센서(1000)의 픽셀들에 대해 개별적으로 컬러에 기여하도록 사용될 수 있다.
착색 기반의 컬러 필터 재료는 원하는 투과성을 제공하도록 선택된다. 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있는 다른 컬러 필터 재료는 간섭 기반의 다층 유전체 구조를 포함하지만 이에 제한되지는 않는다.
3개의 컬러(예컨대, 적색/녹색/청색 또는 청록색/심홍색/노랑색)에 대응하는 컬러 필터(1004) 및 실질적으로 동일한 갭 거리를 가진 간섭 소자(1002)를 결합함으로써, 이러한 어떤 실시예는 간섭 소자(1002)의 구조를 패터닝하지 않고도 3개의 컬러 라인에 감도를 제공하는 장점을 가진다.
어떤 실시예에서는, 컬러 필터(1004)는 갭 거리가 서로 다른 간섭 소자(1002)의 둘 이상의 세트와 결합한다. 간섭 소자(1002)의 각각의 세트는 다른 범위의 파장을 흡수한다. 이러한 어떤 실시예에서는, 컬러 필터(1004)는 (예컨대, 간섭 소자(1002)에 도달하는 파장의 범위를 좁게 함으로써) 간섭 소자/컬러 필터 결합체의 흡수 스펙트럼을 조정하는 기능을 수행한다.
도 13은 사이드라이트 소스(1300)와 함께 사용하기 위한 온도 센서를 가진 간섭 소자(700)를 결합한 전자 기기(1302)의 일실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. 간섭 소자(700)는 전환형 또는 비전환형 소자이다. 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수한다. 상기 적어도 하나의 파장은 갭 거리 d0 에 의 해 좌우된다(도 7 참조). 도 13에 개략적으로 도시된 실시예에서, 광은 도면의 평면에 수직인 간섭 소자(700)에 진입하여 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에서 반사된다. 적어도 하나의 파장을 가진 간섭 소자(700)에 입사하는 광의 적어도 일부는 간섭 소자(700)에 의해 흡수된다. 이 흡수된 광과 관련된 에너지는 열로서 발산된다. 온도 센서(708)는 광의 흡수에 따른 간섭 소자(700)의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다. 이러한 실시예에서, 온도 센서(708)는 방사, 대류, 전도 또는 열 에너지를 전달하기 위한 하나 이상의 물리적 처리의 조합으로 간섭 소자(700)의 일부의 온도 변화를 감지한다. 감지된 온도 변화는 사이드라이트 소스(1300)에 의해 수신된다. 사이드라이트 소스(1300)는 광학 보상 구조를 제어하기 위해 상기 감지된 특성을 이용한다. 도 13에 도시된 예시적 실시예에서, 광학 보상 구조는 사이드라이트이다. 어떤 실시예에서는, 검출된 주변광의 강도나 휘도를 디스플레이 전자 기기에 대한 광의 조사량을 설정하거나 조정하는데 유용하게 사용함으로써 상기 디스플레이 기기를 주변광에서 더 잘 인식되도록 한다.
도 14는 백라이트 소스(1402)와 함께 사용하기 위한 온도 센서를 가진 간섭 소자(700)를 결합한 전자 기기(1400)의 일실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. 도 14에 도시된 전자 기기(1400)는 액정 디스플레이이다. 간섭 소자(700)는 전환형 또는 비전환형 소자이다. 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수한다. 적어도 하나의 파장은 갭 거리 d0 에 의해 좌우된다(도 7을 참조). 도 14에 개략적으로 도시된 실시예에서, 광은 화살표 1404에 실질적으로 평행한 간섭 소자(700)에 진입하여 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에서 반사된다. 적어도 하나의 파장을 가진 간섭 소자(700)에 입사하는 광의 적어도 일부는 간섭 소자(700)에 의해 흡수된다. 흡수된 광과 관련된 에너지는 열로서 발산된다. 온도 센서(708)는 광의 흡수에 따른 간섭 소자(700)의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다. 온도 센서(708)는 방사, 대류, 전도 또는 열 에너지를 전달하기 위한 하나 이상의 물리적 처리의 조합으로 간섭 소자(700)의 일부의 온도 변화를 감지한다. 감지된 온도 변화는 백라이트 소스(1402)에 의해 수신된다. 백라이트 소스(1402)는 광학 보상 구조를 제어하기 위해 상기 감지된 특성을 이용한다. 도 14에 도시된 예시적 실시예에서, 광학 보상 구조는 백라이트이다. 어떤 실시예에서는, 검출된 주변광의 강도나 휘도를 LCD 디스플레이 전자 기기에 대한 광의 조사량을 설정하거나 조정하는데 유익하게 사용함으로써 디스플레이 기기를 주변광에서 더 잘 인식되도록 한다.
도 15는 전술한 바와 같은 간섭 소자(700) 및 온도 센서(708)의 실시예를 가진 전자 기기에 의해 광을 감지하는 일련의 예시적 단계를 도시한 것이다. 공정은 온도 센서(708)를 가진 간섭 소자(700)가 광의 적어도 하나의 파장을 흡수하는 단계 1500에서 시작한다. 어떤 실시예에서, 간섭 소자(700)는 제1 표면(702)과 이 제1 표면(702)에 실질적으로 평행한 제2 표면(704)을 포함한다. 제2 표면(704)은 제1 표면(702)에 실질적으로 수직인 방향으로 제1 표면(702)으로부터 갭 거리 d0 를 두고 있다. 제1 표면(702)은 적어도 하나의 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성이다. 제2 표면(704)은 적어도 부분적으로 광을 반사한다. 제1 표면(702) 및 제2 표면(704)의 예시적 재료로는 크롬이나 티타늄이 있으나 이에 제한되지는 않는다.
제1 표면(702) 및 제2 표면(704)은 공진 캐비티(예컨대, 에탈론)를 형성하고, 이 공진 캐비티에서는 광이 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에서 반사하여 자기 간섭을 일으킨다. 간섭 소자(700)는 적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수한다. 제1 표면(702)에서 이 흡수된 광과 관련된 에너지는 열로서 발산된다. 여러 가지 실시예에서, 제1 표면(702)은 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이 기판(706) 위에 있다. 또 다른 실시예에서, 간섭 소자(700)는 제1 표면(702) 위에 있는 하나 이상의 층(예컨대, 유전층)을 포함하고, 이 층들과 기판(706) 사이에 제1 표면(702)이 있다.
간섭 소자(700)의 크기는 미크론 제조 설계법에 따라 결정된다. 반도체 제조에서, 거의 1 평방 미크론보다 작거나 같은 영역을 가진 간섭 소자(700)의 실시예가 가능하다. 다른 어떤 실시예는 거의 1/2 평방 미크론보다 작거나 같은 영역을 가진 간섭 소자(700)를 제공한다.
다른 크기의 간섭 소자(700) 또한 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있다.
다음으로, 단계 1502에서 온도 센서(708)가 간섭 소자(700)의 적어도 일부의 온도 변화를 감지한다. 온도 센서(708)는 간섭 소자(700)에 의한 광 흡수에 따른 간섭 소자(700)의 적어도 일부의 온도 변화에 반응한다. 도 7에 개략적으로 도시된 실시예에서, 온도 센서(708)는 제1 표면(702) 위에 있으면서 제1 표면(702)과 제2 표면(704) 사이에 있다. 다른 위치에 배치된 온도 센서(708)도 여기서 설명한 실시예와 호환될 수 있다. 어떤 실시예에서, 온도 센서(708)는 제1 표면(702)에 인접하거나 떨어져서 위치할 수 있다. 이러한 실시예에서, 온도 센서(708)는 방사, 대류, 전도 또는 열 에너지를 전달하기 위한 하나 이상의 물리적 처리의 조합으로 제1 표면(702)의 일부의 온도 변화를 감지한다. 도 6a, 6b, 6c에 도시된 예시적 실시예에서, 온도 센서(708)는 광학 스택의 근처나 인접하게 위치할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 광학 스택은 고정된 층(16a, 16b) 및 이러한 고정된 층에 인접하는 층을 포함한다. 이들 인접하는 층은 유전층, 크롬층, 인듐-주석-산화물 층 및 투명 기판(20)을 포함할 수 있다.
어떤 실시예에서, 흡수와 이에 대응하는 열의 관계는 파장의 함수이다. 예컨대, 간섭 소자(700)는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광에 대해 상이한 흡수율을 가질 수 있고 이에 입사광의 이러한 다양한 파장에 대해 생기는 열량은 서로 다르다. 어떤 실시예에서, 간섭 소자(700)의 재료는 선택된 파장 범위에 감도를 제공하도록 선택된다. 여기서 설명한 실시예와 호환되는 간섭 소자(700)에 의해 검출될 수 있는 파장의 범위는 가시 파장, 적외선 및 자외선 파장, 무선 주파수(RF) 파장, 및 x-레이를 포함하지만 이것에 제한되지는 않는다.
어떤 실시예에서는, 온도 센서(708)는 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있는 2진 기기(예컨대, 스위치)를 포함한다. 이러한 어떤 스위치들은 미소 기전 시스템(MEMS) 제조 기술을 이용하여 제조한다. 어떤 다른 실시예에서, 온도 센서(708)는 아날로그 기 기를 포함한다.
예컨대, 온도 센서(708)는 접촉식 또는 비접촉식 센서이다. 여기서 설명한 실시예에서 사용될 수 있는 접촉식 온도 센서로는 열전쌍(thermocouples), 서미스터(thermistors), 저항 온도 검출기(RTDs), 충전된 시스템 온도계(filled system thermometers), 바이메탈 온도계(bi-metallic thermometers), 및 반도체 온도 센서를 들 수 있다. 예컨대, 바이메탈 열전쌍은 온도의 함수로서 전압차를 발생하기 위해 사용될 수 있다. 여기서 설명한 실시예에서 사용될 수 있는 비접촉식 온도 센서로서는 방사 온도계(radiation thermometers)(예컨대, 고온계(pyrometers)), 열 이미저(thermal imagers), 비 온도계(ratio thermometers), 광학 고온계(optical pyrometers), 및 광 섬유 온도 센서를 들 수 있다.
다른 온도 센서(708)도 본 명세서에서 서술한 실시예와 호환될 수 있다.
적어도 하나의 파장을 가진 광을 흡수함으로써, 간섭 소자(700)의 온도는 증가하고, 온도 센서(708)는 그 온도 증가에 반응한다. 어떤 실시예에서, 온도 센서(708)의 반응은 온도 센서(708)의 전압 변화를 측정함으로써 결정된다. 예컨대, V0 and V1 사이의 전압 변화는 제1 표면(702)의 일부의 온도 변화에 대응한다. 어떤 실시예에서는, 온도의 증가는 간섭 소자(700)에 의해 흡수되는 적어도 하나의 파장의 광의 강도에 좌우된다.
단계 704로 이동하여, 감지된 온도 변화를 나타내는 데이터가 전자 기기에 제공된다. 전자 기기의 실시예는 지문 센서의 카메라를 포함한다. 어떤 실시예에 서는, 온도 변화가 진행되어 디지털 이미지로서 저장된다. 어떤 다른 실시예에서, 디스플레이 기기를 조사하는 프런트라이트나 백라이트의 양을 설정하기 위해 상기 출력된 데이터를 사용함으로써 상기 디스플레이 기기가 주변광에서 더 잘 인식되도록 한다.
도 16a 및 16b는 디스플레이 기기의 실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. 디스플레이 기기(2040)는, 예컨대, 휴대 전화기일 수 있다. 그러나 텔레비전이나 휴대용 미디어 플레이어와 같이 디스플레이 기기(2040)와 동일한 구성품이나 약간 변형된 것도 디스플레이 기기의 여러 가지 형태의 예에 해당한다.
디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041), 디스플레이(2030), 안테나(2043), 스피커(2045), 입력 기기(2048), 및 마이크(2046)를 포함한다. 하우징(2041)은 일반적으로 사출 성형이나 진공 성형을 포함하여 해당 기술분야에서 잘 알려진 여러 가지 제조 공정 중 어느 것에 의해서도 제조될 수 있다. 또한, 하우징(2041)은, 한정되는 것은 아니지만, 플라스틱, 금속, 유리, 고무, 및 세라믹 또는 이들의 조합을 포함하여 여러 가지 재료 중 어느 것으로도 만들어질 수 있다. 일실시예에서, 하우징(2041)은 분리가능한 부분(도시되지 않음)을 포함하고, 이 분리가능한 부분은 다른 색깔이나 다른 로고, 그림 또는 심볼을 가진 다른 분리가능한 부분으로 교체될 수 있다.
본 예의 디스플레이 기기(2040)의 디스플레이(2030)는, 여기서 개시한 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 포함하여, 여러 가지 디스플레이 중 어느 것이어도 무방하다. 다른 실시예에서, 디스플레이(2030)는 상술한 바와 같은, 플라즈마, EL, OLED, STN LCD, 또는 TFT LCD 등과 같은 평판 디스플레이와, 해당 기술분야에서 당업자에게 잘 알려진 바와 같은, CRT나 다른 튜브 디스플레이 기기 등과 같은 비평판 디스플레이를 포함한다. 그러나 본 실시예를 설명하기 위해, 디스플레이(2030)는 여기서 설명하는 바와 같이 간섭 변조기 디스플레이를 포함한다.
예시된 디스플레이 기기(2040)의 일실시예에서의 구성요소가 도 16b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예의 디스플레이 기기(2040)는 하우징(2041)을 포함하고, 적어도 부분적으로 하우징 내에 배치되어 있는 구성요소들을 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 본 예의 디스플레이 기기(2040)가 송수신기(2047)와 연결된 안테나(2043)를 포함하는 네트워크 인터페이스(2027)를 포함할 수 있다. 송수신기(2047)는 프로세서(2021)에 연결되어 있고, 프로세서(2021)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning hardware)(2052)에 연결되어 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 신호를 고르게 하도록(예컨대, 신호를 필터링하도록) 구성될 수 있다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 스피커(2045)와 마이크(2046)에 연결되어 있다. 프로세서(2021)는 입력 기기(2048)와 드라이버 컨트롤러(2029)에도 연결되어 있다. 드라이버 컨트롤러(2029)는 프레임 버퍼(2028)와 어레이 드라이버(2022)에 연결되어 있고, 어레이 드라이버는 디스플레이 어레이(2030)에 연결되어 있다. 전원(2050)은 예시된 디스플레이 기기(2040)의 특정 설계에 따라 요구되는 모든 구성요소에 전력을 공급한다.
네트워크 인터페이스(2027)는 예시된 디스플레이 기기(2040)가 네트워크를 통해 하나 이상의 기기들과 통신할 수 있도록 안테나(2043)와 송수신기(2047)를 포 함한다. 일실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)의 부담을 경감하기 위해 어느 정도의 처리 능력을 가질 수도 있다. 안테나(2043)는 신호를 송수신하는 것으로서, 해당 기술분야의 당업자에게 알려진 어떠한 안테나라도 무방하다. 일실시예에서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b), 또는 (g)를 포함하여 IEEE802.11 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 다른 실시예에서, 안테나는 블루투스 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 휴대 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 휴대폰 네트워크를 통한 통신에 사용되는 공지의 다른 신호를 수신하도록 설계된다. 송수신기(2047)는 안테나(2043)로부터 수신한 신호를, 프로세서(2021)가 수신하여 처리할 수 있도록 전처리한다. 또한, 송수신기(2047)는 프로세서(2021)로부터 수신한 신호를, 안테나(2043)를 통해 본 예의 디스플레이 기기(2040)로부터 전송될 수 있도록 처리한다.
다른 실시예에서, 송수신기(2047)를 수신기로 대체할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 네트워크 인터페이스(2027)는 프로세서(2021)로 전송될 이미지 데이터를 저장하거나 생성할 수 있는 이미지 소스로 대체될 수 있다. 예컨대, 이미지 소스는 이미지 데이터를 담고 있는 DVD나 하드디스크 드라이브일 수도 있고, 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수도 있다.
프로세서(2021)는 일반적으로 본 예의 디스플레이 기기(2040)의 전반적인 동작을 제어한다. 프로세서(2021)는 네트워크 인터페이스(2027)나 이미지 소스로부터 압축된 이미지 데이터 등을 수신하여, 이를 본래의 이미지 데이터 또는 본래의 이미지 데이터로 처리될 수 있는 포맷으로 가공한다. 그런 다음, 프로세서(2021) 는 가공된 데이터를 드라이버 컨트롤러(2029)나 저장을 위한 프레임 버퍼(2028)로 보낸다. 전형적으로, 본래의 데이터는 이미지 내의 각 위치에 대한 이미지 특성을 나타내는 정보를 말한다. 예컨대, 그러한 이미지 특성은 컬러, 채도, 명도(그레이 스케일 레벨)를 포함할 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(2021)는 마이크로컨트롤러, CPU, 또는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하는 논리 유닛을 포함한다. 일반적으로, 컨디셔닝 하드웨어(2052)는, 스피커(2045)로 신호를 보내고 마이크(2046)로부터 신호를 받기 위해, 증폭기와 필터를 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 예시된 디스플레이 기기(2040) 내의 별도의 구성요소일 수도 있고, 또는 프로세서(2021)나 다른 구성요소 내에 통합되어 있을 수도 있다.
드라이버 컨트롤러(2029)는 프로세서(2021)에 의해 생성된 본래의 이미지 데이터를 이 프로세서(2021)로부터 직접 또는 프레임 버퍼(2028)로부터 받아서, 이를 어레이 드라이버(2022)에 고속으로 전송하기에 적합한 포맷으로 재구성한다. 구체적으로, 드라이버 컨트롤러(2029)는 디스플레이 어레이(2030)를 가로질러 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가지도록 본래의 이미지 데이터를 래스터(raster)와 같은 포맷을 가진 데이터 흐름으로 재구성한다. 그런 다음, 드라이버 컨트롤러(2029)는 재구성된 정보를 어레이 드라이버(2022)로 보낸다. 종종 액정 디스플레이의 컨트롤러 등과 같은 드라이버 컨트롤러(2029)가 독립형 집적 회로(stand-alone IC)로서 시스템 프로세서(2021)와 통합되기도 하지만, 이러한 컨트롤러는 여러 가지 방법으로 구현될 수 있다. 이러한 컨트롤러는 프로세서(2021)에 하드웨어 또는 소프트웨 어로서 내장될 수도 있고, 또는 어레이 드라이버(2022)와 함께 하드웨어로 완전히 통합될 수도 있다.
전형적으로, 어레이 드라이버(2022)는 드라이버 컨트롤러(2029)로부터 재구성된 정보를 받아서, 이 비디오 데이터를 디스플레이의 x-y 행렬의 픽셀들로부터 이어져 나온 수백 때로는 수천 개의 리드선에 초당 수 회에 걸쳐 인가되는 병렬의 파형 세트로 변환한다.
일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029), 어레이 드라이버(2022), 및 디스플레이 어레이(2030)는 여기서 기술한 어떠한 형태의 디스플레이에 대해서도 적합하다. 예컨대, 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 종래의 디스플레이 컨트롤러 또는 쌍안정 디스플레이 컨트롤러(예컨대, 간섭 변조기 컨트롤러)이다. 다른 실시예에서, 어레이 드라이버(2022)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예컨대, 간섭 변조기 디스플레이)이다. 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(2029)는 어레이 드라이버(2022)와 통합되어 있다. 그러한 예는 휴대폰, 시계 및 다른 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에서는 일반적인 것이다. 또 다른 실시예에서, 디스플레이 어레이(2030)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예컨대, 간섭 변조기 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.
입력 기기(2048)는 사용자로 하여금 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어할 수 있도록 한다. 일실시예에서, 입력 기기(2048)는 쿼티(QWERTY) 키보드나 전화기 키패드 등의 키패드, 버튼, 스위치, 터치 스크린, 압력 또는 열 감지 막을 포함한다. 일실시예에서, 마이크(2046)는 예시된 디스플레이 기기(2040)의 입력 기기이다. 기기에 데이터를 입력하기 위해 마이크(2046)가 사용되는 경우에, 예시된 디스플레이 기기(2040)의 동작을 제어하기 위해 사용자는 음성 명령을 제공할 수 있다.
전원(2050)은 해당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 에너지 저장 기기를 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 전원(2050)은 니켈-카드뮴 전지나 리튬-이온 전지와 같은 재충전가능한 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 재생가능한 에너지원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지와 태양 전지 도료를 포함하는 태양 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(2050)은 콘센트로부터 전력을 공급받도록 구성된다.
몇몇 구현예에서는, 상술한 바와 같이, 전자 디스플레이 시스템 내의 여러 곳에 위치될 수 있는 드라이버 컨트롤러의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수 있다. 어떤 경우에는, 어레이 드라이버(2022)의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수도 있다. 해당 기술분야의 당업자라면 임의의 수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성요소로도 상술한 최적화 상태를 구현할 수 있고, 또 여러 가지 다양한 구성으로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.
이상의 설명에서는 여러 가지 실시예에 적용된 본 발명의 신규한 특징을 보여주고, 설명하고 또 지적하였지만, 본 발명의 사상으로부터 이탈하지 않는 범위 내에서 당업자가 예시된 기기 또는 공정의 상세한 구성이나 형태로부터 다양하게 생략하고 대체하고 변경하는 것이 가능하다는 것을 알아야 한다. 전술한 특징들을 간섭 변조기와 일체화시키는 방법은 당업자에게는 자명하다. 게다가, 하나 이상의 이러한 특징은 실시예들 중 어느 것뿐만 아니라 간섭 변조기의 다른 구성과도 작동하도록 적응될 수 있다. 인식하고 있는 바와 같이, 몇몇 특징은 다른 특징들과 분리되어 사용되거나 실현될 수 있으므로, 본 발명은 여기에 개시된 특징과 장점을 모두 가지고 있지는 않은 형태로 구현될 수도 있다.
본 발명에 의하면, 간섭 소자를 이용하여 소정 파장의 광을 흡수하도록 구성하고, 또 파장의 흡수에 의한 온도 변화를 감지함으로써 광을 감지하는 방법 및 시스템을 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 광 감지 방법 및 시스템에 의해 광을 감지한 결과를 이용함으로써, 예컨대 디스플레이 기기가 주변광에서 더 잘 인식되도록 할 수 있다.

Claims (42)

  1. 적어도 하나의 간섭 변조기를 가진 광 센서에 있어서,
    상기 간섭 변조기가,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표면; 및
    상기 제1 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 제1 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 센서가 2진 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 2진 기기가, 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 2진 기기가 미소 기전 시스템(MEMS) 제조 기술을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 광 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 온도 센서가 아날로그 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 아날로그 기기가 바이메탈 열전 쌍(bi-metallic thermocouple)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 아날로그 기기가 온도의 함수로서 전압차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    제2 간섭 변조기를 더 포함하고,
    상기 제2 간섭 변조기는,
    부분적으로 투과성이고, 광의 하나 이상의 제2 파장을 부분적으로 반사하는 제3 표면;
    상기 제3 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제3 표면으로부터 제2 거리를 두고 떨어져 위치하여 광의 상기 하나 이상의 제2 파장의 적어도 일부를 반사하는 제4 표면; 및
    상기 제3 표면에 연결되고, 광의 상기 하나 이상의 제2 파장의 흡수에 의한 상기 제3 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 제2 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 온도 센서가 제2의 2진 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2의 2진 기기가, 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2의 2진 기기가 미소 기전 시스템(MEMS) 제조 기술을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 광 센서.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제2 온도 센서가 제2 아날로그 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 아날로그 기기가 바이메탈 열전쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 아날로그 기기가 온도의 함수로서 전압차를 발생하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  15. 제1항에 있어서,
    제2 간섭 변조기를 더 포함하고,
    상기 제2 간섭 변조기는,
    상기 하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제3 표면;
    상기 제3 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제3 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제4 표면; 및
    상기 제3 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의한 상기 제3 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 제2 온도 센서
    포함하고,
    상기 제2 온도 센서의 활성화 온도는 상기 온도 센서의 활성화 온도와는 상이한 것을 특징으로 하는 광 센서.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 온도 센서에 연결된 기판을 더 포함하는 광 센서.
  17. 광을 감지하는 방법에 있어서,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면을 제공하는 단계;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표면을 제공하는 단계; 및
    상기 제1 표면상에서 상기 하나 이상의 파장을 흡수하는 단계; 및
    상기 제1 표면상의 적어도 일부의 온도 변화를 감지하는 단계
    를 포함하는 광 감지 방법.
  18. 광 센서를 가진 카메라에 있어서,
    하우징; 및
    상기 하우징 내의 간섭 변조기
    를 포함하고,
    상기 간섭 변조기가,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표면; 및
    상기 제1 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 제1 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 온도 센서가 2진 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 온도 센서가 아날로그 기기를 포함하는 것을 특징으로 하는 카메라.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 온도 변화가 상기 하나 이상의 파장의 광의 파장을 적어도 부분적으로 나타내는 것을 특징으로 하는 카메라.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 온도 변화가 상기 하나 이상의 파장의 광과 관련된 강도를 적어도 부분적으로 나타내는 것을 특징으로 하는 카메라.
  23. 광 센서를 가진 디스플레이 기기에 있어서,
    하우징; 및
    상기 하우징 내의 간섭 변조기
    를 포함하고,
    상기 간섭 변조기는,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표면; 및
    상기 제1 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 제1 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
  24. 제23항에 있어서,
    디스플레이;
    상기 디스플레이와 전기적으로 연결되고, 이미지 데이터를 처리하도록 구성된 프로세서; 및
    상기 프로세서와 전기적으로 연결된 메모리 기기를 더 포함하는 디스플레이 기기.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 디스플레이에 하나 이상의 신호를 전송하도록 구성된 드라이버 회로를 더 포함하는 디스플레이 기기.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 드라이버 회로에 상기 이미지 데이터의 적어도 일부를 전송하도록 구성된 컨트롤러를 더 포함하는 디스플레이 기기.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 프로세서에 상기 이미지 데이터를 전송하도록 구성된 이미지 소스 모듈을 더 포함하는 디스플레이 기기.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 이미지 소스 모듈이 수신기, 송수신기, 및 송신기 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
  29. 제24항에 있어서,
    입력 데이터를 수신하고, 상기 입력 데이터를 상기 프로세서에 전송하도록 구성된 입력 기기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
  30. 제23항에 있어서,
    상기 온도 변화가 상기 하나 이상의 파장의 광의 파장을 적어도 부분적으로 나타내는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
  31. 제23항에 있어서,
    상기 온도 변화가 상기 하나 이상의 파장의 광과 관련된 강도를 적어도 부분적으로 나타내는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
  32. 하나 이상의 간섭 변조기를 가진 광 센서를 제조하는 방법에 있어서,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면을 형성하는 단계;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표 면을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 제1 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 온도 센서를 형성하는 단계
    를 포함하는 광 센서 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 온도 센서가, 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있는 것을 특징으로 하는 광 센서 제조 방법.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 온도 센서가 열전쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서 제조 방법.
  35. 제32항에 있어서,
    하나 이상의 제2 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제3 표면을 형성하는 단계;
    상기 제3 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제3 표면으로부터 제2 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 제2 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제 4 표면을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 제2 광 파장의 흡수로 인한 상기 제3 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 제2 온도 센서를 형성하는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 제3 표면, 상기 제4 표면 및 상기 제2 온도 센서는 제2 간섭 변조기를 구성하는 것을 특징으로 하는 광 센서 제조 방법.
  36. 하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제1 표면을 형성하는 단계;
    상기 제1 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 표면을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수로 인해 적어도 부분적으로 야기된 상기 제1 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 온도 센서를 형성하는 단계
    를 포함하는 공정에 의해 제조되는 광 센서,
  37. 제36항 있어서,
    상기 공정이, 온도가 소정의 레벨보다 낮을 때는 제1 상태에 있고 온도가 소 정의 레벨보다 높을 때는 제2 상태에 있도록 상기 온도 센서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 공정이, 상기 온도 센서가 열전쌍을 포함하도록 상기 온도 센서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 광 센서.
  39. 제36항에 있어서,
    상기 공정이,
    하나 이상의 제2 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제3 표면을 형성하는 단계;
    상기 제3 표면에 실질적으로 평행하고, 상기 제3 표면으로부터 제1 거리를 두고 떨어져 위치하여 상기 하나 이상의 제2 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제4 표면을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 표면에 연결되고, 상기 하나 이상의 제2 광 파장의 흡수로 인한 상기 제3 표면의 적어도 일부의 온도 변화에 반응하는 제2 온도 센서를 형성하는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 제3 표면, 상기 제4 표면, 및 상기 제2 온도 센서가 제2 간섭 변조기를 구성하는 것을 특징으로 하는 광 센서.
  40. 하나 이상의 간섭 변조기를 가진 광 센서에 있어서,
    상기 간섭 변조기는,
    하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 부분 반사 수단;
    상기 부분 반사 수단에 연결되어, 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 반사 수단; 및
    상기 부분 반사 수단에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 부분 반사 수단의 적어도 일부의 온도 변화를 감지하는 감지 수단
    을 포함하는 광 센서.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 부분 반사 수단에 연결되고, 하나 이상의 광 파장에 대해 부분적으로 투과성이면서 부분적으로 반사성인 제2 부분 반사 수단;
    상기 반사 수단에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 적어도 일부를 반사하는 제2 반사 수단; 및
    상기 제2 부분 반사 수단에 연결되고, 상기 하나 이상의 광 파장의 흡수에 의해 적어도 부분적으로 야기된 상기 부분 반사 수단의 온도 변화를 감지하는 제2 감지 수단
    을 더 포함하는 광 센서.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 제1 감지 수단의 활성화 온도가 상기 제2 감지 수단의 활성화 온도와는 상이한 것을 특징으로 하는 광 센서.
KR1020050085299A 2004-09-27 2005-09-13 간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템 KR20060092879A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61362404P 2004-09-27 2004-09-27
US60/613,624 2004-09-27
US11/066,724 US7460246B2 (en) 2004-09-27 2005-02-24 Method and system for sensing light using interferometric elements
US11/066,724 2005-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060092879A true KR20060092879A (ko) 2006-08-23

Family

ID=35431898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050085299A KR20060092879A (ko) 2004-09-27 2005-09-13 간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템

Country Status (12)

Country Link
US (2) US7460246B2 (ko)
EP (1) EP1640694A3 (ko)
JP (1) JP2006091854A (ko)
KR (1) KR20060092879A (ko)
CN (1) CN1755475B (ko)
AU (1) AU2005203284A1 (ko)
BR (1) BRPI0503887A (ko)
CA (1) CA2514347A1 (ko)
MX (1) MXPA05010097A (ko)
RU (1) RU2005129910A (ko)
SG (1) SG121052A1 (ko)
TW (1) TW200624781A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10670466B2 (en) 2015-01-09 2020-06-02 Apple Inc. Polarization selective, frequency selective, and wide dynamic range detectors, imaging arrays, readout integrated circuits, and sensor systems

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070009899A1 (en) * 2003-10-02 2007-01-11 Mounts William M Nucleic acid arrays for detecting gene expression in animal models of inflammatory diseases
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US8004514B2 (en) 2006-02-10 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for updating of displays showing deterministic content
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7968846B2 (en) * 2006-05-23 2011-06-28 Regents Of The University Of Minnesota Tunable finesse infrared cavity thermal detectors
JP2010512507A (ja) * 2006-12-08 2010-04-22 リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミネソタ 放射率の低減と光空洞カップリングを使用した、標準的な放射雑音限界を超える検出
US8187174B2 (en) * 2007-01-22 2012-05-29 Capso Vision, Inc. Detection of when a capsule camera enters into or goes out of a human body and associated operations
US7595926B2 (en) * 2007-07-05 2009-09-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated IMODS and solar cells on a substrate
BRPI0907131A2 (pt) 2008-02-14 2015-07-14 Qualcomm Mems Technologies Inc Dispositivo eletrônico de máscara negra de geração de energia e respectivo método de produção
US8094358B2 (en) * 2008-03-27 2012-01-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dimming mirror
US7660028B2 (en) * 2008-03-28 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method of dual-mode display
US8077326B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7852491B2 (en) 2008-03-31 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7787130B2 (en) 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7787171B2 (en) * 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US8629398B2 (en) 2008-05-30 2014-01-14 The Regents Of The University Of Minnesota Detection beyond the standard radiation noise limit using spectrally selective absorption
US7860668B2 (en) * 2008-06-18 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pressure measurement using a MEMS device
JP5274287B2 (ja) * 2009-02-09 2013-08-28 三菱電機株式会社 表示装置および表示システム
JP5798709B2 (ja) 2009-03-04 2015-10-21 セイコーエプソン株式会社 光フィルター及びそれを備えた光モジュール
US8711361B2 (en) * 2009-11-05 2014-04-29 Qualcomm, Incorporated Methods and devices for detecting and measuring environmental conditions in high performance device packages
US20110176196A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for pressure detection
KR101821727B1 (ko) 2010-04-16 2018-01-24 플렉스 라이팅 투 엘엘씨 필름 기반 라이트가이드를 포함하는 프론트 조명 디바이스
US9110200B2 (en) 2010-04-16 2015-08-18 Flex Lighting Ii, Llc Illumination device comprising a film-based lightguide
US8390916B2 (en) 2010-06-29 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for false-color sensing and display
US8904867B2 (en) 2010-11-04 2014-12-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display-integrated optical accelerometer
JP5541137B2 (ja) * 2010-12-15 2014-07-09 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器、太陽電池、および、撮像装置の製造方法
US8714023B2 (en) 2011-03-10 2014-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for detecting surface perturbations
US20130271438A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated ambient light sensor
US9236552B2 (en) 2013-04-04 2016-01-12 William N. Carr Thermoelectric micro-platform for cooling and temperature sensing
US9500442B2 (en) * 2013-07-15 2016-11-22 OptiFlow, Inc. Holographic gun sight
US20150131693A1 (en) * 2013-11-14 2015-05-14 Symphony Acoustics, Inc. Laser forming process
US9372114B2 (en) * 2014-08-20 2016-06-21 William N. Carr Spectrophotometer comprising an integrated Fabry-Perot interferometer
US11922844B2 (en) 2020-04-27 2024-03-05 Novatek Microelectronics Corp. Integrated driving device and operation method thereof

Family Cites Families (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US3184600A (en) 1963-05-07 1965-05-18 Potter Instrument Co Inc Photosensitive apparatus for measuring coordinate distances
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
US3371345A (en) 1966-05-26 1968-02-27 Radiation Inc Radar augmentor
US3410363A (en) 1966-08-22 1968-11-12 Devenco Inc Method and apparatus for testing the wave-reflecting characteristics of a chamber
FR1603131A (ko) 1968-07-05 1971-03-22
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3746785A (en) 1971-11-26 1973-07-17 Bendix Corp Deflectable membrane optical modulator
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4347983A (en) 1979-01-19 1982-09-07 Sontek Industries, Inc. Hyperbolic frequency modulation related to aero/hydrodynamic flow systems
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4977009A (en) 1987-12-16 1990-12-11 Ford Motor Company Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
DE68923589T2 (de) * 1988-08-12 1996-01-18 Texas Instruments Inc Infrarot-Detektor.
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
KR100202246B1 (ko) * 1989-02-27 1999-06-15 윌리엄 비. 켐플러 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5185660A (en) 1989-11-01 1993-02-09 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
US5126836A (en) 1989-11-01 1992-06-30 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
DE69113150T2 (de) 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5304419A (en) * 1990-07-06 1994-04-19 Alpha Fry Ltd Moisture and particle getter for enclosures
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5148157A (en) 1990-09-28 1992-09-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with full complex light modulation capability
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
CA2063744C (en) * 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
JPH0580721A (ja) 1991-09-18 1993-04-02 Canon Inc 表示制御装置
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US5244707A (en) 1992-01-10 1993-09-14 Shores A Andrew Enclosure for electronic devices
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
DE69310974T2 (de) 1992-03-25 1997-11-06 Texas Instruments Inc Eingebautes optisches Eichsystem
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5401983A (en) * 1992-04-08 1995-03-28 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
JPH06214169A (ja) * 1992-06-08 1994-08-05 Texas Instr Inc <Ti> 制御可能な光学的周期的表面フィルタ
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
US5285060A (en) 1992-12-15 1994-02-08 Donnelly Corporation Display for automatic rearview mirror
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
JP3106805B2 (ja) 1993-10-14 2000-11-06 富士電機株式会社 圧力差測定方法及び変位変換装置
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5894686A (en) 1993-11-04 1999-04-20 Lumitex, Inc. Light distribution/information display systems
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
FI98325C (fi) * 1994-07-07 1997-05-26 Vaisala Oy Selektiivinen infrapunadetektori
US5619059A (en) * 1994-09-28 1997-04-08 National Research Council Of Canada Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5550373A (en) * 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
JP2674545B2 (ja) * 1995-01-20 1997-11-12 日本電気株式会社 赤外線検出器及びその駆動方法
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
JPH08202318A (ja) 1995-01-31 1996-08-09 Canon Inc 記憶性を有する表示装置の表示制御方法及びその表示システム
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5739945A (en) * 1995-09-29 1998-04-14 Tayebati; Parviz Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror
US5584117A (en) 1995-12-11 1996-12-17 Industrial Technology Research Institute Method of making an interferometer-based bolometer
US5815141A (en) 1996-04-12 1998-09-29 Elo Touch Systems, Inc. Resistive touchscreen having multiple selectable regions for pressure discrimination
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6339417B1 (en) * 1998-05-15 2002-01-15 Inviso, Inc. Display system having multiple memory elements per pixel
US6252229B1 (en) * 1998-07-10 2001-06-26 Boeing North American, Inc. Sealed-cavity microstructure and microbolometer and associated fabrication methods
US6304297B1 (en) 1998-07-21 2001-10-16 Ati Technologies, Inc. Method and apparatus for manipulating display of update rate
US6295048B1 (en) 1998-09-18 2001-09-25 Compaq Computer Corporation Low bandwidth display mode centering for flat panel display controller
JP3597069B2 (ja) * 1999-01-12 2004-12-02 日本電気株式会社 複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサ
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6307194B1 (en) * 1999-06-07 2001-10-23 The Boeing Company Pixel structure having a bolometer with spaced apart absorber and transducer layers and an associated fabrication method
US6862029B1 (en) * 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6674090B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
JP2001249287A (ja) * 1999-12-30 2001-09-14 Texas Instr Inc <Ti> 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法
AU2001272094A1 (en) * 2000-03-01 2001-09-12 British Telecommunications Public Limited Company Data transfer method and apparatus
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
JP2004511824A (ja) 2000-10-12 2004-04-15 レベオ，　インコーポレイティッド デジタル・ライト・プロセシング方式の３ｄ投影システム及び方法
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6489616B2 (en) * 2001-03-19 2002-12-03 The Board Of Governors Of Southwest Missouri State University Doped, organic carbon-containing sensor for infrared detection and a process for the preparation thereof
US6862022B2 (en) * 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6816636B2 (en) * 2001-09-12 2004-11-09 Honeywell International Inc. Tunable optical filter
US6870581B2 (en) * 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
US6737979B1 (en) 2001-12-04 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Micromechanical shock sensor
US20030117382A1 (en) 2001-12-07 2003-06-26 Pawlowski Stephen S. Configurable panel controller and flexible display interface
US7012610B2 (en) 2002-01-04 2006-03-14 Ati Technologies, Inc. Portable device for providing dual display and method thereof
US6770882B2 (en) * 2002-01-14 2004-08-03 Multispectral Imaging, Inc. Micromachined pyro-optical structure
US20030191623A1 (en) 2002-02-25 2003-10-09 Oak Technology, Inc. Computer system capable of executing a remote operating system
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
JP4634996B2 (ja) 2003-01-23 2011-02-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 双安定マトリクス型ディスプレイ装置の駆動
US7378655B2 (en) * 2003-04-11 2008-05-27 California Institute Of Technology Apparatus and method for sensing electromagnetic radiation using a tunable device
US6829132B2 (en) 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US6819469B1 (en) 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7190337B2 (en) 2003-07-02 2007-03-13 Kent Displays Incorporated Multi-configuration display driver
JP3722371B2 (ja) * 2003-07-23 2005-11-30 シャープ株式会社 シフトレジスタおよび表示装置
US7190380B2 (en) * 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
CN1842837A (zh) 2003-08-27 2006-10-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于更新双稳态电子阅读装置中的子图片的方法和设备
US20050057442A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US20050068254A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Booth Lawrence A. Display control apparatus, systems, and methods
US20050068583A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
US6861277B1 (en) * 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
US7126741B2 (en) * 2004-08-12 2006-10-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator assembly
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
WO2007037926A2 (en) 2005-09-23 2007-04-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Mems pixel sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10670466B2 (en) 2015-01-09 2020-06-02 Apple Inc. Polarization selective, frequency selective, and wide dynamic range detectors, imaging arrays, readout integrated circuits, and sensor systems

Also Published As

Publication number Publication date
SG121052A1 (en) 2006-04-26
CN1755475A (zh) 2006-04-05
CN1755475B (zh) 2011-04-13
US20090141286A1 (en) 2009-06-04
MXPA05010097A (es) 2006-04-27
CA2514347A1 (en) 2006-03-27
TW200624781A (en) 2006-07-16
BRPI0503887A (pt) 2006-05-09
US20060066876A1 (en) 2006-03-30
JP2006091854A (ja) 2006-04-06
AU2005203284A1 (en) 2006-04-13
RU2005129910A (ru) 2007-04-10
US7852483B2 (en) 2010-12-14
EP1640694A2 (en) 2006-03-29
US7460246B2 (en) 2008-12-02
EP1640694A3 (en) 2006-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060092879A (ko) 간섭 소자를 이용하여 광을 감지하는 방법 및 시스템
KR101236289B1 (ko) 관찰 각도를 함수로 하여 컬러 시프트를 보상하는 방법 및기기
KR101209094B1 (ko) 컬러 필터가 포함된 공간 광 변조기 어레이를 구비한디스플레이 기기
KR101236432B1 (ko) 디스플레이에서의 컬러를 조절할 수 있는 디스플레이 장치 및 이러한 디스플레이 장치의 제조 방법
TWI421512B (zh) 用於感應一干涉式調變器的觸發及釋放電壓之系統及方法
KR101142058B1 (ko) 디스플레이에서 컬러를 처리하는 방법 및 기기
KR101164875B1 (ko) 도전성의 광을 흡수하는 마스크를 구비한 기기 및 그 제조 방법
JP4399404B2 (ja) 透明コンポーネントが集積されたディスプレイのための方法および装置
JP2010533304A (ja) 赤外および２重モードディスプレイ
KR20070101230A (ko) 장식용 디스플레이 기기
JP2008026876A (ja) 封止されたｍｅｍｓデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法
KR20120028981A (ko) 아날로그 간섭계 변조기
KR20060092906A (ko) 간섭 변조기에서의 다중 레벨 밝기를 위한 시스템 및 방법
KR20060092924A (ko) 간섭 변조기 디스플레이를 구현하기 위한 시스템 및 방법
KR20110020913A (ko) 표시장치의 패키지화 방법 및 그에 의해 얻어진 장치
JP5587428B2 (ja) 干渉変調器ディスプレイ用の一体型タッチスクリーン
JP2013510315A (ja) 高性能デバイスパッケージにおける環境状態の検出および測定のための方法およびデバイス
JP2013517477A (ja) 圧力検出のための方法及びデバイス

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid