KR20060087218A - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 반도체기판의 소정영역에 배치되는 복수개의 광전변환 영역들, 광전변환 영역들 각각의 상부에 정렬되는 컬러 필터들, 광전변환 영역들과 컬러 필터들 사이에 배치되는 반사방지 구조체를 구비한다. 이때, 반사방지 구조체의 두께는 그 상부에 배치된 컬러 필터의 종류에 따라 다르다.
Description
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조 제조 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 광전 변환의 효율을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 광학적 이미지(optical image)를 전자적 신호(electronic signal)로 변환시키는 전자 소자로서, 모바일 폰, 디지털 스틸 카메라, 개인 휴대형 정보 단말기(PDA: personal digital assistant), 장난감, 게임기, 로봇, 개인용 컴퓨터 카메라, 광 마우스, 사무용 스캐너, 보안 감시 카메라, 야간용 적외선 카메라, 생체 인식 및 무선 내시경 등에 이용되고 있다.
상기 이미지 센서는 입사되는 빛에 의해 전하들이 생성되는 수광부와 상기 수광부에서 생성된 전하들을 처리하는 부분으로 구성되며, 이미지 센서의 품질은 감도(sensitivity), 응답성(responsivity), 동적 범위(dynamic range), 균일도(uniformity), 셔터링(shuttering), 속도(speed) 및 잡음(noise) 등에서의 특성에 의해 평가될 수 있다.
상기 이미지 센서의 특성들을 개선하기 위해서는 무엇보다도 입사되는 빛이 신호 전하로 변환되는 광전변환 과정의 효율성을 증가시키는 것이 필요하다. 상기 광전변환 과정의 효율성은 광전 변환의 양자 효율 및 마이크로 렌즈의 집광율 등과 같은 다양한 요인들의 특성에 의해 결정되기 때문에, 이들 특성들을 개선하기 위한 많은 기술들이 제안되었다.
특히, 상기 광전변환에서의 양자 효율은 (1) 입사광의 경로에 위치하는 물질막들의 굴절률의 차이에 의한 반사, (2) 상기 물질막들로의 흡수, (3) 포토다이오드의 개구부에서의 회절 및 (4) 포토다이오드의 투과 등의 현상에 의해 열화될 수 있다. 한편, 빛의 파장이 증가할수록 빛의 침투 깊이(Penetration depth)가 증가하기 때문에, 상기 입사광의 투과에 따른 열화의 정도는 상기 입사광의 파장에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 대략 700㎚의 파장을 갖는 적색광은 상기 광전변환이 일어나는 포토다이오드의 깊이보다 더 깊은 대략 3㎛의 깊이까지 도달한다. 이에 따라, 적색광에 의한 광전변환의 효율은 짧은 파장을 갖는 청색광의 효율과 달라질 수 있다.
상기 광전변환의 효율에 대한 입사광의 상술한 파장 의존성에 의해, 이미지 센서는 적색 신호의 감소 및 그에 따른 컬러 비율의 불균형의 문제가 발생한다. 이에 더하여, 상기 포토다이오드를 벗어나는 깊이에까지 침투한 적색광에 의해 생성되는 전자-정공 쌍들(electron-hole pairs)은 인접한 화소의 포토다이오드 영역으로 유입되어 혼색(cross talk)의 문제를 유발할 수도 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 장파장의 빛에 대해 광전 변환의 효율을 증가시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 혼색의 문제를 최소화할 수 있는 이미지 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또다른 기술적 과제는 장파장의 빛에 대해 광전 변환의 효율을 증가시킬 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 혼색의 문제를 최소화할 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명은 그 상부에 배치된 상기 컬러 필터의 종류에 따라 반사방지 구조체의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서를 제공한다. 이 이미지 센서는 반도체기판의 소정영역에 배치되는 복수개의 광전변환 영역들, 상기 광전변환 영역들 각각의 상부에 정렬되는 컬러 필터들, 상기 광전변환 영역들과 상기 컬러 필터들 사이에 배치되는 반사방지 구조체를 구비한다. 이때, 상기 반사방지 구조체의 두께는 그 상부에 배치된 상기 컬러 필터의 종류에 따라 다르다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 반사방지 구조체는 그 상부에 배치된 상기 컬러 필터를 통과하는 빛의 파장이 길수록 두껍다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 컬러 필터들은 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 제 1 필터, 제 2 필터 및 제 3 필터들을 구비한다. 이때, 상기 제 1 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 차례로 적층된 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 절연막들로 구성되고, 상기 제 2 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막이 차례로 적층된 구조를 갖고, 상기 제 3 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 절연막으로 이루어진 구조를 갖는다. 상기 제 4 절연막은 상기 제 3 절연막에 대해 식각 선택성을 갖고, 상기 제 3 절연막은 상기 제 2 절연막에 대해 식각 선택성을 갖고, 상기 제 2 절연막은 상기 제 1 절연막에 대해 식각 선택성을 갖는다. 바람직하게는, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 3 절연막은 실리콘 산화막이고, 상기 제 2 절연막 및 상기 제 4 절연막은 실리콘 질화막이다.
상기 반사방지 구조체는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 중에서 선택된 적어도 한가지로 이루어질 수도 있다. 또한, 상기 컬러 필터들은 청록색(cyan), 심홍색(magenta), 황색(yellow) 및 녹색(green) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 제 1 필터, 제 2 필터, 제 3 필터 및 제 4 필터들로 구성될 수도 있다.
상기 다른 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명은 컬러 필터들의 종류에 따라 다른 두께를 갖도록 반사방지 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판의 소정영역에 복수개의 광전변환 영역들을 형성하고, 상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 상기 광전변환 영역들의 위치에 의해 결정되는 두께를 갖는 반사방지 구조체를 형성한 후, 상기 반사방지 구조체가 형성된 결과물 상에 서로 다른 파장 대역의 빛들을 통과시키는 컬러 필터들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계는 상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성한 후, 상기 컬러 필터를 통과하는 빛의 파장이 길수록 그 아래에 형성되는 상기 반사방지 구조체의 두께가 두꺼워지도록 상기 반사방지막을 패터닝하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 컬러 필터들을 형성하는 단계는 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 각각 형성하는 단계를 포함하되, 상기 적색, 녹색 및 청색 필터들은 각각 상기 광전변환 영역들에 대응하여 그 상부에 정렬된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이 경우, 상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계는 상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성한 후, 상기 청색 필터의 아래에 상응하는 제 1 영역에서 상기 반사방지막을 식각하고, 상기 녹색 필터의 아래에 상응하는 제 2 영역에서 상기 반사방지막을 식각하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 영역보다 상기 제 2 영역에서 더 두껍고, 상기 제 2 영역보다 상기 적색 필터의 아래에 상응하는 제 3 영역에서 더 두껍게 형성된다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계 는 상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성한 후, 상기 청색 필터의 아래에 상응하는 제 1 영역에서 상기 반사방지막을 식각하고, 상기 제 1 영역 및 상기 녹색 필터의 아래에 상응하는 제 2 영역에서 상기 반사방지막을 식각하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 영역보다 상기 제 2 영역에서 더 두껍고, 상기 제 2 영역보다 상기 적색 필터의 아래에 상응하는 제 3 영역에서 더 두껍게 형성된다.
한편, 상기 컬러 필터들을 형성하는 단계는 청록색(cyan) 필터, 심홍색(magenta) 필터, 황색(yellow) 필터 및 녹색(green) 필터를 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 청록색, 심홍색, 황색 및 녹색 필터들은 각각 상기 광전변환 영역들에 대응하여 그 상부에 정렬된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한 층이 다른 층 또는 기판 상에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 반도체기판(100)의 소정영역에 복수개의 픽셀 영역들(105)을 정의하는 소자분리막(110)을 형성한다. 상기 픽셀 영역들(105)은 횡 방향 및 종 방향으로 규칙적으로 배치되어, 픽셀 어레이(pixel array)를 구성한다.
상기 픽셀 영역들(105)은 후속 공정에서 형성되는 컬러 필터(도 5의 161, 162, 163 참조)의 종류에 따라 복수개의 종류로 구분될 수 있다. 예를 들면, 상기 컬러 필터가 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue) 파장의 빛들을 투과시키는 구조로 형성될 경우, 상기 픽셀 영역들(105)은 적색 영역(R), 녹색 영역(G) 및 청색 영역(B)으로 구분될 수 있다. 아래에서는 이미지 센서가 이러한 알지비 필터들(RGB filters)을 갖는 실시예에 대해 설명할 것이다. 하지만, 아래에서 설명되는 본 발명의 기술은 다른 다양한 색 필터들을 갖는 이미지 센서에 대해서도 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 컬러 필터들이 청록색(cyan), 심홍색(magenta), 황색(yellow) 및 녹색(green) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 구조로 형성되는 경우, 상기 픽셀 영역들(105)은 네 개의 종류로 구분될 수 있다.
이어서, 입사되는 빛을 신호 전하들로 변환시키는 광전변환 영역들(photoelectric transformation regions, 120)을 상기 픽셀 영역들(105)에 형성한다. 상기 광전변환 영역들(120)은 피엔 접합(PN junction)을 구성하는 광다이오드(photodiode)일 수 있다. 상기 광다이오드를 형성하는 단계는 상기 픽셀 영역들(105)에 서로 다른 도전형을 갖는 불순물들을 주입하는 이온 주입 단계들을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 광전변환 영역들(120)이 형성된 결과물 상에 반사방 지막(130)을 형성한다. 상기 반사방지막(130)은 복수개의 막들로 이루어질 수 있다. 본 발명에 따르면, 상기 반사방지막(130)을 구성하는 막들의 종류 및 두께는 다양한 실시예들에서 광전변환의 효율을 극대화시키기 위해, 다양하게 조합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반사방지막(130)은 차례로 적층된 제 1 절연막(132), 제 2 절연막(134), 제 3 절연막(136) 및 제 4 절연막(138)일 수 있다. 상기 제 4 절연막(138)은 상기 제 3 절연막(136)에 대해 식각 선택성을 갖고, 상기 제 3 절연막(136)은 상기 제 2 절연막(134)에 대해 식각 선택성을 갖고, 상기 제 2 절연막(134)은 상기 제 1 절연막(132)에 대해 식각 선택성을 갖는 것이 바람직하다. 이 실시예에 따르면, 상기 제 1 절연막(132) 및 상기 제 3 절연막(136)은 100Å이하의 두께로 형성된 실리콘 산화막들이고, 상기 제 2 절연막(134) 및 상기 제 4 절연막(138)은 실리콘 질화막이다.
도 3을 참조하면, 상기 반사방지막(130) 상에, 상기 청색 영역(B)을 노출시키는 제 1 마스크(도시하지 않음)를 형성한다. 상기 제 1 마스크는 사진 공정을 통해 형성되는 포토레지스트 패턴인 것이 바람직하다.
이후, 상기 제 1 마스크를 식각 마스크로 사용하여 상기 제 1 절연막(132)의 상부면이 노출될 때까지 상기 제 4, 제 3 및 제 2 절연막들(138, 136, 134)을 식각한다. 그 결과, 상기 적색 및 녹색 영역들(R, G)의 상부에는, 상기 청색 영역(B)을 노출시키면서 상기 제 1 절연막(132)을 차례로 덮는 제 2 절연막 패턴(135), 제 3 절연막 패턴(137) 및 식각된 제 4 절연막(138')이 형성된다.
도 4를 참조하면, 상기 제 1 마스크를 제거한 후, 그 결과물 상에 상기 녹색 영역(G)을 노출시키는 제 2 마스크(도시하지 않음)를 형성한다. 상기 제 2 마스크는 사진 공정을 통해 형성되는 포토레지스트 패턴인 것이 바람직하다.
이후, 상기 제 2 마스크를 식각 마스크로 사용하여 상기 제 3 절연막 패턴(137)의 상부면이 노출될 때까지 상기 식각된 제 4 절연막(138')을 식각한다. 그 결과, 상기 적색 영역(R)의 상부에는 상기 제 3 절연막 패턴(137)의 상부면을 덮는 제 4 절연막 패턴(139)이 형성된다. 본 발명에 따르면, 상기 제 1 절연막(132) 및 상기 제 2, 제 3 및 제 4 절연막 패턴들(135, 137, 139)은 각 픽셀 영역이 투과시키는 파장에 따라 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반사방지 구조체(131)를 구성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 적색 영역(R), 상기 녹색 영역(G) 및 상기 청색 영역(B) 상에 적층되는 반사방지 구조체(131)는 서로 다른 두께를 갖는다. 즉, 상기 제 1 절연막(132)은 상기 적색, 녹색 및 청색 영역(R, G, B)에 형성되고, 상기 제 2 및 제 3 절연막 패턴(135, 137)은 상기 적색 및 녹색 영역(R, G)에서 상기 제 1 절연막(132)의 상부에 배치된다. 이에 더하여, 상기 제 4 절연막 패턴(139)은 상기 적색 영역(R)에서 상기 제 3 절연막 패턴(137)의 상부에 배치되어, 상기 청색 영역(B)에서 상기 제 1 절연막(132)의 상부면을 노출시키고, 상기 녹색 영역(G)에서 상기 제 3 절연막 패턴(137)의 상부면을 노출시킨다.
도 5를 참조하면, 상기 반사방지 구조체(131)가 형성된 결과물 상에, 층간절연막(140) 및 상기 층간절연막(140)을 내에 배치되는 금속 배선들(150)을 형성한 다. 상기 층간절연막(140) 및 상기 금속 배선들(150)은 다층 배선 구조체를 형성할 수도 있다. 즉, 상기 층간절연막(140)은 상기 반사방지 구조체(131)가 형성된 결과물 상에 차례로 적층된 제 1 층간절연막(141), 제 2 층간절연막(142), 제 3 층간절연막(143) 및 제 4 층간절연막(144)으로 이루어질 수 있고, 상기 금속 배선(150)은 각각 상기 제 1 내지 제 3 층간절연막(141, 142, 143) 상에 형성되는 제 1 배선(151), 제 2 배선(152) 및 제 3 배선(153)으로 이루어질 수 있다.
이후, 상기 제 4 층간절연막(144) 상에 적색 필터들(161), 청색 필터들(162) 및 녹색 필터들(163)을 형성한다. 상기 적색 필터들(161)은 상기 적색 영역(R)의 상부에 배치되고, 상기 청색 필터들(162)은 상기 청색 영역(B)의 상부에 배치되고, 상기 녹색 필터들(163)은 상기 녹색 영역(G)의 상부에 배치된다. 이후, 상기 컬러 필터들(161, 162, 163)의 상부에는 마이크로 렌즈들(170)이 형성된다.
도 6은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제 1 마스크를 식각 마스크로 사용하여 상기 제 2 절연막(134)의 상부면이 노출될 때까지 상기 제 4 및 제 3 절연막들(138, 136)을 식각한다. 그 결과, 상기 적색 및 녹색 영역들(R, G)의 상부에는, 상기 청색 영역(B)을 노출시키면서 상기 제 2 절연막(134)을 차례로 덮는 제 3 절연막 패턴(137) 및 식각된 제 4 절연막(138')이 형성된다. 상기 제 2 절연막(134)가 식각되지 않는다는 점에서, 이 실시예는 도 3에서 설명된 실시예와 다르다.
상기 제 2 절연막(134)은 상기 식각된 제 4 절연막(138')을 패터닝하여 상기 제 4 절연막 패턴(139)을 형성하는 단계에서 함께 식각된다. 그 결과, 도 4에서 설명한 것처럼, 상기 청색 영역(B)에서 상기 제 1 절연막(132)의 상부면을 노출시키는 제 2 절연막 패턴(135)이 형성된다.
본 발명에 따른 이미지 센서는, 도 5에 도시된 것처럼, 그 상부에 배치되는 컬러 필터들(161, 162, 163)의 종류에 따라 다른 구조를 갖는 반사방지 구조체(131)를 구비한다.
다시 도 5를 참조하면, 반도체기판(100)의 소정영역에는 소자분리막(110)이 배치되어, 픽셀 어레이를 구성하는 복수개의 픽셀 영역들(105)을 정의한다. 상기 픽셀 영역들(105)의 상부에는 컬러 필터들이 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 컬러 필터들은 각각 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue) 파장의 빛들을 투과시키는 적색 필터들(161), 청색 필터들(162) 및 녹색 필터들(163)로 구성된다. 상기 컬러 필터들은 청록색(cyan), 심홍색(magenta), 황색(yellow) 및 녹색(green) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 네가지 종류로 구성될 수도 있다.
상기 픽셀 영역들(105)은 상기 컬러 필터들을 투과하는 빛의 색에 따라 복수개의 종류로 구분될 수 있다. 예를 들면, 상기 컬러 필터가 각각 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue) 파장의 빛들을 투과시키는 구조로 형성될 경우, 그 하부의 픽셀 영역(105)은 각각 적색 영역(R), 녹색 영역(G) 및 청색 영역(B)으로 구분될 수 있다.
상기 픽셀 영역들(105)에는 입사되는 빛을 신호 전하들로 변환시키는 광전변 환 영역들(photoelectric transformation regions, 120)이 형성된다. 상기 광전변환 영역들(120)은 피엔 접합(PN junction)을 구성하는 광다이오드(photodiode)일 수 있다.
상기 컬러 필터들(161, 162, 163)의 상부에는 집광 특성을 개선하기 위한 마이크로 렌즈들(170)이 배치되고, 상기 컬러 필터들과 상기 반도체기판(100) 사이에는 반사방지 구조체(131)가 배치된다. 상기 반사방지 구조체(131)와 상기 컬러 필터들(161, 162, 163) 사이에는 층간절연막(140) 및 금속 배선들(150)이 배치된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 반사방지 구조체(131)는 그 상부에 배치되는 컬러 필터들(161, 162, 163)의 종류에 따라 다른 구조를 갖는다. 예를 들면, 상기 적색 필터(161)의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체(131)는 차례로 적층된 상기 제 1 절연막(132) 및 제 2 내지 제 4 절연막 패턴(135, 137, 139)으로 구성되고, 상기 청색 필터(162)의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체(131)는 차례로 적층된 상기 제 1 절연막(132) 및 상기 제 2 및 제 3 절연막 패턴(135, 137)으로 구성되고, 상기 녹색 필터(163)의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체(131)는 차례로 적층된 제 1 절연막(132) 및 제 2 절연막 패턴(135)으로 구성될 수 있다. 결과적으로, 상기 반사방지 구조체(131)의 두께는 상기 적색 필터(161)의 아래에서 가장 두껍고, 상기 청색 필터(162)의 아래에서 가장 얇다.
상술한 것처럼, 상기 컬러 필터(161, 162, 163)가 투과시키는 색의 종류에 따라 다른 두께를 갖는 상기 반사방지 구조체(131)의 구조는 종래 기술에서 설명한, 광전변환의 효율에 대한 입사광의 파장 의존성을 최소화시킬 수 있다. 즉, 긴 파장을 갖는 적색광이 포토다이오드(120)의 깊이보다 더 깊게 침투함으로써, 광전 변환의 효율이 청색광에 비해 적색광에서 감소하는 문제를 최소화할 수 있다. 이에 더하여, 적색광에 의해 포토다이오드를 벗어나서 생성되는 전자-정공 쌍들(electron-hole pairs)이 인접한 화소의 포토다이오드 영역으로 유입됨으로써, 발생하는 혼색(cross talk)의 문제를 최소화할 수 있다. ]
한편, 본 발명은 RGB, CMY, CMYK, CIE color space, YIQ, YUV, YCrCb 및 HSV/HSB 모델을 채용하는 이미지 센서에서도 적용될 수 있다. 이 경우, 상기 반사방지 구조체는 각 모델들이 요구하는 필터의 갯수에 해당하는 구별되는 하부 구조들을 갖는다. 각 하부 구조들의 두께는 상응하는 광학 필터가 투과시키는 빛의 파장이 길수록 증가한다.
본 발명에 따르면, 컬러 필터를 투과하는 빛의 색에 따라 반사방지 구조체의 두께 및 층 구조를 다르게 형성한다. 보다 자세하게는, 반사방지 구조체의 두께는 그 상부에 배치되는 컬러 필터에 의해 투과되는 빛의 파장이 길수록 두껍다. 이에 따라, 짧은 파장의 빛에 비해 긴 파장의 빛에서 광전변환 효율이 감소하는 문제는 최소화될 수 있다. 이에 더하여, 긴 파장의 빛에 의해 생성된 전자-정공 쌍들이 인접한 픽셀도 유입되어 발생하는 혼색의 문제를 줄일 수 있다.
Claims (18)
- 반도체기판의 소정영역에 배치되는 복수개의 광전변환 영역들;상기 광전변환 영역들 각각의 상부에 정렬되는 컬러 필터들;상기 광전변환 영역들과 상기 컬러 필터들 사이에 배치되는 반사방지 구조체를 구비하되,상기 반사방지 구조체의 두께는 그 상부에 배치된 상기 컬러 필터의 종류에 따라 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사방지 구조체는 그 상부에 배치된 상기 컬러 필터를 통과하는 빛의 파장이 길수록 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 컬러 필터들은 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 제 1 필터, 제 2 필터 및 제 3 필터들을 구비하되,상기 제 1 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 차례로 적층된 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 절연막들로 구성되고,상기 제 2 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막이 차례로 적층된 구조를 갖고,상기 제 3 필터의 아래에 배치되는 상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 절연막으로 이루어진 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 4 절연막은 상기 제 3 절연막에 대해 식각 선택성을 갖고,상기 제 3 절연막은 상기 제 2 절연막에 대해 식각 선택성을 갖고,상기 제 2 절연막은 상기 제 1 절연막에 대해 식각 선택성을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 절연막 및 상기 제 3 절연막은 실리콘 산화막이고,상기 제 2 절연막 및 상기 제 4 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사방지 구조체는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 중에서 선택된 적어도 한가지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 컬러 필터들은 청록색(cyan), 심홍색(magenta), 황색(yellow) 및 녹색(green) 파장의 빛들을 각각 투과시키는 제 1 필터, 제 2 필터, 제 3 필터 및 제 4 필터들을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 반도체기판의 소정영역에 복수개의 광전변환 영역들을 형성하는 단계;상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에, 상기 광전변환 영역들의 위치에 의해 결정되는 두께를 갖는 반사방지 구조체를 형성하는 단계; 및상기 반사방지 구조체가 형성된 결과물 상에, 서로 다른 파장 대역의 빛들을 통과시키는 컬러 필터들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계는상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 컬러 필터를 통과하는 빛의 파장이 길수록 그 아래에 형성되는 상기 반사방지 구조체의 두께가 두꺼워지도록, 상기 반사방지막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 컬러 필터들을 형성하는 단계는적색 필터를 형성하는 단계;녹색 필터를 형성하는 단계; 및청색 필터를 형성하는 단계를 포함하되,상기 적색, 녹색 및 청색 필터들은 각각 상기 광전변환 영역들에 대응하여 그 상부에 정렬되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계는상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 청색 필터의 아래에 상응하는 제 1 영역에서, 상기 반사방지막을 식각하는 단계; 및상기 녹색 필터의 아래에 상응하는 제 2 영역에서, 상기 반사방지막을 식각하는 단계를 포함하되,상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 영역보다 상기 제 2 영역에서 더 두껍고, 상기 제 2 영역보다 상기 적색 필터의 아래에 상응하는 제 3 영역에서 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 반사방지 구조체를 형성하는 단계는상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 청색 필터의 아래에 상응하는 제 1 영역에서, 상기 반사방지막을 식각하는 단계; 및상기 제 1 영역 및 상기 녹색 필터의 아래에 상응하는 제 2 영역에서, 상기 반사방지막을 식각하는 단계를 포함하되,상기 반사방지 구조체는 상기 제 1 영역보다 상기 제 2 영역에서 더 두껍고, 상기 제 2 영역보다 상기 적색 필터의 아래에 상응하는 제 3 영역에서 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 컬러 필터들을 형성하는 단계는청록색(cyan) 필터를 형성하는 단계;심홍색(magenta) 필터를 형성하는 단계;황색(yellow) 필터를 형성하는 단계; 및녹색(green) 필터를 형성하는 단계를 포함하되,상기 청록색, 심홍색, 황색 및 녹색 필터들은 각각 상기 광전변환 영역들에 대응하여 그 상부에 정렬되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 컬러 필터들을 형성하는 단계는 RGB, CMY, CMYK, CIE color space, YIQ, YUV, YCrCb 및 HSV/HSB 모델들을 위해 요구되는 서로 다른 파장의 빛들을 투과시키는 광학 필터들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 광학 필터들을 통과하는 빛의 파장이 길수록 그 하부에 배치되는 상기 반사방지 구조체의 두께는 두꺼운 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 반도체기판의 소정영역에 복수개의 광전변환 영역들을 형성하는 단계;상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에, 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막을 패터닝하여, 적색 영역, 녹색 영역 및 청색 영역들로 구분되는 반사방지 구조체를 형성하는 단계; 및상기 적색 영역, 상기 녹색 영역 및 상기 청색 영역의 상부에 각각 정렬되는 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 형성하는 단계를 포함하되,상기 반사방지 구조체는 상기 청색 영역보다 상기 녹색 영역에서 더 두껍고, 상기 녹색 영역보다 상기 적색 영역에서 더 두꺼운 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 단계는상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에, 제 1 절연막, 제 2 절연막, 제 3 절연막 및 제 4 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 청색 영역에서 상기 제 1 절연막이 노출될 때까지, 상기 청색 영역에서 상기 제 4 절연막, 상기 제 3 절연막 및 상기 제 2 절연막을 차례로 식각하는 단계; 및상기 녹색 영역에서 상기 제 3 절연막이 노출될 때까지, 상기 녹색 영역에서 상기 제 4 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 단계는상기 광전변환 영역들이 형성된 결과물 상에, 제 1 절연막, 제 2 절연막, 제 3 절연막 및 제 4 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 청색 영역에서 상기 제 2 절연막이 노출될 때까지, 상기 청색 영역에서 상기 제 4 절연막 및 상기 제 3 절연막을 차례로 식각하는 단계; 및상기 청색 영역에서 상기 제 1 절연막이 노출되고 상기 녹색 영역에서 상기 제 3 절연막이 노출될 때까지, 상기 청색 영역에서 상기 제 2 절연막을 식각하고 상기 녹색 영역에서 상기 제 4 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 형성하기 전에, 상기 반사방지 구조체가 형성된 결과물 상에 층간절연막 및 상기 층간절연막의 내부에 배치되는 금속 배선들을 형성하는 단계; 및상기 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 형성한 후, 그 결과물 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100789578B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR101305608B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 |
| CN111653630A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-09-11 | 西北工业大学 | 一种双色焦平面探测器的制作方法及双色图像获取方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116887A1 (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | カラー撮像素子及びカラー撮像素子製造方法 |
| DE102008019129A1 (de) * | 2007-04-23 | 2008-10-30 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Bildsensor |
| KR100883038B1 (ko) * | 2007-10-15 | 2009-02-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP5422914B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US8330840B2 (en) * | 2009-08-06 | 2012-12-11 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with multilayer interference filters |
| KR101647779B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2016-08-11 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 |
| US8466000B2 (en) | 2011-04-14 | 2013-06-18 | United Microelectronics Corp. | Backside-illuminated image sensor and fabricating method thereof |
| US20130010165A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | United Microelectronics Corp. | Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof |
| US9312292B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-04-12 | United Microelectronics Corp. | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof |
| US8318579B1 (en) | 2011-12-01 | 2012-11-27 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating semiconductor device |
| US8815102B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method for fabricating patterned dichroic film |
| US9401441B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-07-26 | United Microelectronics Corporation | Back-illuminated image sensor with dishing depression surface |
| US8779344B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor including a deep trench isolation (DTI)that does not contact a connecting element physically |
| US8828779B2 (en) | 2012-11-01 | 2014-09-09 | United Microelectronics Corp. | Backside illumination (BSI) CMOS image sensor process |
| US8779484B2 (en) | 2012-11-29 | 2014-07-15 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| US9279923B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-03-08 | United Microelectronics Corporation | Color filter layer and method of fabricating the same |
| US9443993B2 (en) * | 2013-03-28 | 2016-09-13 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor and method for manufacturing same |
| US9537040B2 (en) | 2013-05-09 | 2017-01-03 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof |
| US9129876B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-09-08 | United Microelectronics Corp. | Image sensor and process thereof |
| JP2015032748A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| US9054106B2 (en) | 2013-11-13 | 2015-06-09 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
| US9841319B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-12-12 | United Microelectronics Corp. | Light detecting device |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119502A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | スペクトル・フイルタ |
| GB2277405A (en) * | 1993-04-22 | 1994-10-26 | Sharp Kk | Semiconductor colour display or detector array |
| JP2928163B2 (ja) | 1996-07-30 | 1999-08-03 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CA2306384A1 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-22 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
| US5914749A (en) * | 1998-03-31 | 1999-06-22 | Intel Corporation | Magenta-white-yellow (MWY) color system for digital image sensor applications |
| FR2781929B1 (fr) * | 1998-07-28 | 2002-08-30 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image a reseau de photodiodes |
| JP3458382B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2003-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| KR100399951B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 칼라이미지센서제조방법 |
| JP2002064193A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
| JP2002083949A (ja) | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nec Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| KR100410670B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 시모스 이미지센서의 칼라필터 형성방법 |
| FR2829289B1 (fr) * | 2001-08-31 | 2004-11-19 | Atmel Grenoble Sa | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication |
| JP4920839B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2012-04-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| KR100465540B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-01-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 |
| US6566723B1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-05-20 | Agilent Technologies, Inc. | Digital color image sensor with elevated two-color photo-detector and related circuitry |
| JP2003209241A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子 |
| US6841816B2 (en) * | 2002-03-20 | 2005-01-11 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with non-sensor filter and method for fabricating such a sensor group |
| US20040178463A1 (en) * | 2002-03-20 | 2004-09-16 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group with carrier-collection elements of different size and method for fabricating such a sensor group |
| US7084472B2 (en) * | 2002-07-09 | 2006-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor |
| JP2004134672A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Sony Corp | 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置 |
| US6861280B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-03-01 | Omnivision International Holding Ltd | Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making |
| KR100485892B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-04-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR20040058692A (ko) | 2002-12-27 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드의 표면을 보호하는 막을 구비한 시모스이미지센서 및 그 제조방법 |
| US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
| JP2004228425A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| US6914314B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-07-05 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group including semiconductor other than crystalline silicon and method for fabricating same |
| US6894265B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-05-17 | Foveon, Inc. | Vertical color filter sensor group and semiconductor integrated circuit fabrication method for fabricating same |
| US6818934B1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-11-16 | Omnivision International Holding Ltd | Image sensor having micro-lens array separated with trench structures and method of making |
| US7012240B2 (en) * | 2003-08-21 | 2006-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor with guard rings and method for forming the same |
| US20050045927A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Jin Li | Microlenses for imaging devices |
| US7223960B2 (en) * | 2003-12-03 | 2007-05-29 | Micron Technology, Inc. | Image sensor, an image sensor pixel, and methods of forming the same |
| US20050274871A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Jin Li | Method and apparatus for collecting photons in a solid state imaging sensor |
| KR101106336B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2012-01-18 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 신호대잡음비를 개선할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
| US7180044B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-02-20 | United Microelectronics Corp. | Image sensor device with color filters and manufacturing method thereof |
| US7342268B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-03-11 | International Business Machines Corporation | CMOS imager with Cu wiring and method of eliminating high reflectivity interfaces therefrom |
-
2005
- 2005-01-28 KR KR1020050008150A patent/KR100672994B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-19 US US11/334,570 patent/US7493713B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100789578B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR101305608B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 이미지 센서 |
| CN111653630A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-09-11 | 西北工业大学 | 一种双色焦平面探测器的制作方法及双色图像获取方法 |
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