KR20060065489A

KR20060065489A - 전기 배선의 형성 방법, 배선 기판의 제조 방법, 전기 광학소자의 제조 방법, 전자 기기의 제조 방법, 배선 기판,전기 광학 소자, 및 전자 기기

Info

Publication number: KR20060065489A
Application number: KR1020050108399A
Authority: KR
Inventors: 나오유키 도요다; 도시미츠 히라이
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2004-12-10
Filing date: 2005-11-14
Publication date: 2006-06-14
Also published as: US20060127564A1; JP4096941B2; TWI298236B; TW200628031A; CN1791306A; JP2006165422A

Abstract

본 발명은 액적 토출 장치를 사용하여, 고른 균일한 두께의 도전층을 갖는 전기 배선을 형성하는 것을 과제로 한다.

본 발명의 전기 배선의 형성 방법은 기판 표면이 홈의 바닥부로 되도록, 상기 홈을 규정하는 격벽을 형성하는 공정 A와, 상기 바닥부상에, 제1 기능액에 대한 상기 격벽의 친액성보다도, 상기 제1 기능액에 대해서 높은 친액성을 가진 친액층을 형성하는 공정 B와, 상기 친액층상에, 액적 토출 장치를 사용하여 금속을 함유하는 상기 제1 기능액을 부여하는 공정 C를 포함하고 있다.

액적 토출 장치, 전기 배선, 배선 기판, 전기 광학 소자, 전자 기기

Description

전기 배선의 형성 방법, 배선 기판의 제조 방법, 전기 광학 소자의 제조 방법, 전자 기기의 제조 방법, 배선 기판, 전기 광학 소자, 및 전자 기기{METHOD OF FORMING ELECTRIC WIRING, METHOD OF MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRO-OPTIC ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC APPARATUS, WIRING SUBSTRATE, ELECTRO-OPTIC ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 배선 기판의 구성을 나타내는 모식도.

도 2는 전기 배선의 제조 장치를 나타내는 모식도.

도 3은 액적 토출 장치를 나타내는 모식도.

도 4(a) 및 (b)는 액적 토출 장치에서의 헤드를 나타내는 모식도.

도 5는 액적 토출 장치에서의 제어부의 기능 블럭도.

도 6(a)∼(d)는 제1 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법을 설명하는 도면. 　　 도 7(a) 및 (b)는 제1 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법을 설명하는 도면.

도 8은 제1 실시 형태의 액정 표시 장치를 나타내는 모식도.

도 9는 제1 실시 형태의 휴대 전화기를 나타내는 모식도.

도 10은 제1 실시 형태의 퍼스널 컴퓨터를 나타내는 모식도.

도 11(a)∼(d)는 제2 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법을 설명하는 도면. 　　 도 12는 제2 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법을 설명하는 도면.

도 13(a) 및 (b)는 제3 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법을 설명하는 도면.

[부호의 설명]

1...배선 기판, 2...제조 장치, 10...지지 기판, 11...기체, 20...뱅크 패턴, 20A...수지 유기 박막, 20B...레지스트층, 30...친액층, 30A...친액 재료, 40...도전층, 40A...도전성 재료, 50...피토출부, 60...액정 표시 장치, 61...액정 패널, 62...반도체 소자, 101...탱크, 103...토출 헤드부, 104...제1 위치 제어 장치, 104a...지지부, 106...스테이지, 108...제2 위치 제어장치, 110...튜브, 111...액상의 재료, 112...제어부, 114...헤드, 118...노즐, 120...캐비티, 122...격벽, 124...진동자, 124A...전극, 124C...피에조 소자, 126...진동판, 127...토출부, 128...노즐 플레이트, 130...공급구, 131...구멍, 200...입력 버퍼 메모리, 202...기억 장치, 204...처리부, 206...주사 구동부, 208...헤드 구동부, 270...반송 장치, 300L,300C...액적 토출 장치, 350L,350C...건조 장치, 400L...광조사 장치, 500...휴대 전화기, 600...퍼스널 컴퓨터.

본 발명은 전기 배선의 형성 방법에 관한 것으로, 특히 잉크젯법의 적용에 적합한 전기 배선의 형성 방법에 관한 것이다.

액적 토출 장치를 사용하여, 잉크젯법에 의해서 전기 배선을 형성하는 기술로는, 특허 문헌 1(일본 특개 2000－311527호 공보)에 나타내는 기술이 알려져 있다. 이 기술은 잉크 수용층상에 무전해 도금 촉매를 함유하는 잉크를 부여하여 패턴을 형성한 후, 무전해 도금법에 의해 그 패턴상에 도전성 금속을 형성하는 것이다.

근래에는, 보다 미세한 배선을 형성하기 위해, 다음과 같은 기술의 개발이 진행되고 있다. 기판상에, 뱅크 패턴이라 불리는 격벽을, 배선이 배치될 패턴을 둘러싸도록 형성하여, 이 뱅크 패턴과 기판 표면에 의해서 형성된 홈에 금속 잉크를 부여하여 전기 배선을 형성하는 기술이다. 이러한 기술에 의하면, 뱅크 패턴의 간격에 의해서 배선의 폭이 결정되므로, 뱅크 패턴을 사용하지 않은 경우에 비해서 보다 미세한 배선을 형성할 수 있다.

여기서, 균일한 두께의 전기 배선을 형성하기 위해서는, 상술한 홈의 바닥부에 부여된 금속 잉크를 상기 바닥부에 균일하게 젖어 퍼지게 할 필요가 있다. 그 때문에, 뱅크 패턴의 재료로서 금속 잉크에 대해 발액성을 갖는 것을 사용하거나, 뱅크 패턴의 표면을 플라즈마 처리하여 금속 잉크에 대한 발액성을 갖게 함에 의해서, 상기 바닥부의 금속 잉크에 대한 친액성을, 뱅크 패턴의 금속 잉크에 대한 친액성보다도 상대적으로 높게 하고 있다.

그러나, 상술한 방법에서는, 뱅크 패턴을 패터닝할 때에 홈의 바닥부에 잔사가 생기면, 상기 바닥부의 친액성을 뱅크 패턴에 대해서 상대적으로 높게 할 수 없어, 금속 잉크가 상기 바닥부에 균일하게 젖어 퍼지지 않는다고 하는 과제가 있다.

본 발명은 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적의 하나는, 격벽에 발액성을 갖게 하는 동시에 홈의 바닥부에 확실히 친액성을 갖게 함으로써, 금속 잉크를 상기 바닥부에 고르게 균일한 두께로 부여할 수 있는 전기 배선의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명에 의하면, 액적 토출 장치를 사용한 전기 배선의 형성 방법은, 기판상에, 기판의 표면이 홈의 바닥부로 되도록, 상기 홈을 규정하는 격벽을 형성하는 공정 A와, 상기 바닥부상에, 제1 기능액에 대한 상기 격벽의 친액성보다도, 상기 제1 기능액에 대해서 높은 친액성을 갖는 친액층을 형성하는 공정 B와, 상기 친액층상에, 액적 토출 장치를 사용하여 금속을 함유하는 상기 제1 기능액을 배치하는 공정 C를 포함하고 있다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는 도전성 재료를 고르게 균일한 두께로 형성할 수 있는 것이다.

바람직하게는, 상기 구성 중의 공정 B가 상기 바닥부상에 실리카(SiO₂)의 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이 제2 기능액은 산화 티탄(TiO₂), 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO₂), 티탄산 스트론튬(SrTiO₃), 산화 텅스텐(WO₃), 산화 비스머스(Bi₂O₃), 및 산화철(Fe₂O₃) 중 의 적어도 1종으로 이루어지는 미립자를 더 함유하고 있어도 좋다.

또한, 상기 공정 B는 상기 바닥부상에, 실리카, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 또는, 상기 공정 B는 상기 바닥부상에, 실리카와, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상과의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 친액층이 도전성 재료에 대해서 친액성을 갖는 것이다.

또한, 상술한 미립자의 평균 입경은 1㎛이하인 것이 바람직하다.

상기의 조건을 만족함에 의해서 얻어지는 효과의 하나는 기능액을 액적 토출 장치에 의해서 토출할 때에, 막힘이 없이, 기능액을 소망한 방향으로 토출할 수 있는 것이다.

또한, 상기 공정 A는 불소를 함유하는 고분자 화합물, 또는 불소를 함유하는 유기 분자가 혼합된 포토레지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 도전성 재료를 고르게 균일한 두께로 형성할 수 있다는 본 발명의 효과를 더욱 높일 수 있는 것이다.

본 발명에 의하면, 액적 토출 장치를 사용한 전기 배선의 형성 방법은, 기판상에, 제1 기능액에 대한 상기 격벽의 친액성보다도, 상기 제1 기능액에 대해서 높은 친액성을 갖는 친액층을 형성하는 공정 A와, 상기 친액층상에, 상기 친액층이 홈의 바닥부로 되도록, 상기 홈을 규정하는 격벽을 형성하는 공정 B와, 상기 바닥부상에, 액적 토출 장치를 사용하여 금속을 함유하는 상기 제1 기능액을 배치하는 공정 C를 포함하고 있다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 도전성 재료를 고르게 균일한 두께로 형성할 수 있는 것이다.

바람직하게는, 상기 구성 중의 공정 A가, 상기 바닥부상에 실리카(SiO₂)의 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 상기 제2의 기능액은 산화 티탄(TiO₂), 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO₂), 티탄산 스트론튬(SrTiO₃), 산화 텅스텐(WO₃), 산화 비스머스(Bi₂O₃), 및 산화철(Fe₂O₃) 중의 적어도 1종으로 이루어지는 미립자를 더 함유하여도 좋다.

또한, 상기 공정 A는 상기 바닥부상에, 실리카, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 또는, 상기 공정 A는 상기 바닥부상에, 실리카와, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상과의 조성의 조합으로 이 루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 친액층이 도전성 재료에 대한 친액성을 갖는 것이다.

상기의 조건을 만족함에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 기능액을 액적 토출 장치에 의해서 토출할 때에, 막힘없이, 기능액을 소망한 방향으로 토출할 수 있는 것이다.

또한, 상기 공정 B는, 불소를 함유하는 고분자 화합물, 또는 불소를 함유하는 유기 분자가 혼합된 포토레지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.

본 발명의 어느 형태에서는, 상기 친액층에 광을 조사하는 공정을 포함하고 있고, 이때의 광의 파장은 400nm 이하인 것이 바람직하다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 친액층의, 도전성 재료에 대한 친액성이 높게 되는 것이다.

본 발명의 다른 태양에서는, 상기 격벽은 불소를 함유하는 유기 분자를 함유하고 있다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 격벽이 도전성 재료에 대한 발 액성을 갖는 것이다.

본 발명의 다른 태양에서는, 상기 격벽의 표면을, 불화탄소계의 화합물을 반응 가스로 사용하여 플라즈마 처리하는 공정을 포함하고 있다.

상기 구성에 의해서 얻어지는 효과의 하나는, 격벽의, 도전성 재료에 대한 발액성이 더 향상하는 것이다.

또한, 본 발명은 각종 태양으로 실현할 수 있다. 구체적으로는, 배선 기판의 제조 방법, 전기 광학 소자의 제조 방법 또는 전자 기기의 제조 방법으로서 실현할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 배선 기판의 제조 방법에 의해서 제조된 배선 기판은 고른 균일한 두께의 전기 배선을 갖는다. 이 배선 기판을 구비하는 전기 광학 소자 및 전자 기기는 고른 균일한 두께의 전기 배선을 갖기 때문에, 양호한 전기 특성을 실현할 수 있다.

[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.

(제1 실시 형태)

(A. 배선 기판)

도 1은 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법에 의해서 형성되는 전기 배선을 가진 배선 기판(1)의 사시도이다. 또한, 도 1 중의 C－C'선의 위치에서의 X－Z평면은 도 7(b)가 나타내는 평면에 대응한다.

배선 기판(1)은 폴리이미드로 이루어지는 지지 기판(10)과, 뱅크 패턴(20)과, 친액층(30)과, 도전층(40)을 포함한다. 여기서, 뱅크 패턴(20)과 친액층(30) 은 모두 지지 기판(10)상에 위치하고 있다. 또한, 도전층(40)은 친액층(30)상에 위치하고 있다. 그런데, 뱅크 패턴(20)은 불소를 함유하는 유기 분자로 이루어지는 유기 박막을 가공하여 형성된다. 보다 구체적으로는, 이 유기 분자에는 실란 커플링제의 일종인 CF₃CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃이 사용되고 있다. 이러한 재료를 함유하는 뱅크 패턴(20)은, 후술하는 도전성 재료(40A)(도 7(b))에 대해서 발액성을 갖는다. 또한, 지지 기판(10)이 본 발명에서의 「기판」에 대응하고, 뱅크 패턴(20)이 본 발명에서의 「격벽」에 대응한다.

친액층(30) 및 도전층(40)은 뱅크 패턴(20)에 의해서 구획된 홈에, 지지 기판(10)의 표면 측으로부터 이 순서로 충전되어 있다.

친액층(30)은 실리카(SiO₂)와 산화 티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자를 함유하는 친액 재료(30A)(도 7(a))로 이루어지고, 후술하는 도전성 재료(40A)에 대해서 친액성을 갖는다. 더욱이, 산화 티탄(TiO₂)의 미립자를 함유하고 있기 때문에, 파장 400nm이하의 광을 조사하면, 광촉매 반응에 의해서 친액성을 더 높일 수 있다 . 이렇게 해서, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)(도 7(b))에 대한 친액성은 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다 높게 되도록 설정된다. 이러한, 산화 티탄의 분산제로 분산한 상태의 친액 재료(30A)로는, 예를 들면, 염산 해교(解膠)형의 아나타제형 티타니아졸(이시하라산교(주)제 STS－02(평균 입경 7nm), 이시하라산교(주)제 ST－K01), 질산 해교형의 아나타제형 티타니아졸(닛산 가가쿠(주)제 TA－15(평균 입경 12nm))등을 들 수 있다.

도전층(40)은 금속을 함유하는 도전성 재료(40A)를 원료로 하여 형성된다. 도전성 재료(40A)는 평균 입경이 10nm정도인 은 입자와, 분산매로서의 물을 갖는 금속 미립자 분산액이다. 은 입자는 서로 응집하는 것을 피하기 위해, 중합체 또는 계면활성제로 피복되어 있다. 이 구조에 의해서, 도전성 재료(40A)에서, 은 입자는 분산매 중에 안정하게 분산되어 있다. 도전성 재료(40A)에 함유되는 금속 미립자의 평균 입경은 500nm이하인 것이 바람직하고, 특히 평균 입경이 1nm정도에서 수 100nm까지의 미립자는 「나노 입자」라고도 표기된다. 이 표기에 의하면, 도전성 재료(40A)는 은의 나노 입자를 함유하고 있다. 또한, 이 액상의 도전성 재료(40A)는 「금속 잉크」라고도 불린다.

도전성 재료(40A)를 층상으로 도포하여 고온에서 소성, 또는 광을 조사하면, 은 입자 사이에 융합 또는 융착이 일어나서, 저저항의 도전성 물질인 도전층(40)이 생성된다. 도전층(40)은 배선 기판(1)에서의 전기적인 도통을 담당하고 있고, 도전층(40)에 의해서, 도 1 중의 A－A' 간, 및 B－B' 간에 전기적인 도통이 이루어지고 있다.

또한, 도전성 재료(40A)가 본 발명에서의 「제1 기능액」에 대응하고, 친액 재료(30A)(도 7(a))가 본 발명에서의「제2 기능액」에 대응한다. 친액 재료(30A) 및 도전성 재료(40A)는 모두 후술하는 액상의 재료(111)(도 3, 도 4)의 일종이다.

뱅크 패턴(20)에 의해서 구획된 홈은, 이하에서는「피토출부(50)(도 6(d))」라고도 부른다. 피토출부(50)는 그 측면이 뱅크 패턴(20)에 의해서 규정되고, 그 바닥부는 지지 기판(10)의 표면 및 친액층(30)의 어느 하나에 의해서 규정된다. 구체적으로는, 「피토출부(50)」는 측면이 뱅크 패턴(20)이고 바닥부가 지지 기판(10)의 표면인 홈, 및 측면이 뱅크 패턴(20)이고 바닥부가 친액층(30)인 홈의 어느 하나를 포함하는 개념이다.

또한, 본 발명의 실시에 있어서, 형성하는 전기 배선의 레이아웃은 도 1에 나타낸 것에 한정되지 않는다. 배선의 폭, 개수, 배치 간격, 형상 등을 포함하는 전기 배선의 레이아웃은 목적에 따라 자유롭게 변경할 수 있다.

본 실시 형태의 뱅크 패턴(20)은 지지 기판(10)의 표면을 노출하는 복수의 개구부를 갖고 있다. 또한, 이들 복수의 개구부의 각각의 형상이 복수의 전기 배선(도전층(40))의 각각의 2차원적 형상에 거의 일치한다. 즉, 본 실시 형태에서는, 뱅크 패턴(20)은 뒤에 형성되는 복수의 전기 배선의 각각의 주위를 완전히 둘러싸는 형상을 가지고 있다.

물론, 뱅크 패턴(20)은 각각 서로 분리한 복수의 뱅크부로 이루어져도 좋다. 예를 들면, 소정의 거리만 떨어진 동시에, 서로 거의 평행하게 위치하는 한쌍의 뱅크부 사이에, 1개의 전기 배선의 2차원적 형상이 둘러싸여 있어도 좋다. 이 경우에는, 전기 배선의 양단부에 대응하는 부분에 뱅크부가 없어도 좋다. 즉, 뱅크 패턴(20)이 전기 배선의 2차원적 형상의 주위를 완전히 둘러쌀 필요는 없다.

(B. 제조 장치)

도 2를 참조하면서, 배선 기판(1)의 제조에 사용하는 제조 장치(2)를 설명한다. 이하에서는, 도전층(40)이 마련되기 이전의 배선 기판(1)을 가리켜 기체(11)(도 6)라 표기한다.

제조 장치(2)는 지지 기판(10)상의 피토출부(50)에 대해서, 친액 재료(30A) 및 도전성 재료(40A)를 배치하여, 친액층(30) 및 도전층(40)을 형성하기 위한 장치이다. 제조 장치(2)는 모든 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 지지 기판(10)의 표면에 친액 재료(30A)를 부여하는 액적 토출 장치(300L)와, 지지 기판(10)의 표면상의 친액 재료(30A)를 건조시켜 친액층(30)을 얻는 건조 장치(350L)와, 친액층(30)에 광을 조사하는 광조사 장치(400L)와, 모든 친액층(30)상에 도전성 재료(40A)를 부여하는 액적 토출 장치(300C)와, 친액층(30)상의 도전성 재료(40A)를 건조시켜 도전층(40)을 얻는 건조 장치(350C)를 구비하고 있다.

또한, 제조 장치(2)는 액적 토출 장치(300L), 건조 장치(350L), 광조사 장치(400L), 액적 토출 장치(300C), 건조 장치(350C)의 순서로 기체(11)를 반송하는 반송 장치(270)도 구비하고 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은 2개의 액적 토출 장치를 이용한다.

(C. 액적 토출 장치의 전체 구성)

도 3에 나타내는 액적 토출 장치(300L)는, 기본적으로는 친액 재료(30A)를 토출하기 위한 잉크젯 장치이다. 보다 구체적으로는, 액적 토출 장치(300L)는 액상의 재료(111)를 저장하는 탱크(101)와, 튜브(110)와, 그랜드 스테이지(GS)와, 토출 헤드부(103)와, 스테이지(106)와, 제1 위치 제어 장치(104)와, 제2 위치 제어 장치(108)와, 제어부(112)와, 지지부(104a)를 구비하고 있다. 또한, 다른 하나의 액적 토출 장치(300C)의 구조 및 기능은 액적 토출 장치(300L)의 구조 및 기능과 기본적으로 동일하므로, 액적 토출 장치(300C)의 구조 및 기능의 설명은 생략한다.

토출 헤드부(103)는 헤드(114)(도 4)를 유지하고 있다. 이 헤드(114)는, 제어부(112)로부터의 신호에 따라서, 액상의 재료(111)의 액적을 토출한다. 또한, 토출 헤드부(103)에서의 헤드(114)는 튜브(110)에 의해서 탱크(101)로 연결되어 있고, 이 때문에, 탱크(101)로부터 헤드(114)로 액상의 재료(111)가 공급된다.

스테이지(106)는 기체(11)(도 6)을 고정하기 위한 평면을 제공하고 있다. 또한, 스테이지(106)는 흡인력을 사용하여 기체(11)의 위치를 고정하는 기능도 갖는다.

제1 위치 제어장치(104)는, 지지부(104a)에 의해서, 그랜드 스테이지(GS)로부터 소정 높이의 위치에 고정되어 있다. 이 제1 위치 제어장치(104)는, 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 토출 헤드부(103)를 X축 방향과, X축 방향에 직교하는 Z축 방향을 따라 이동시키는 기능을 갖는다. 또한, 제1 위치 제어장치(104)는 Z축에 평행한 축의 둘레로 토출 헤드부(103)를 회전시키는 기능도 갖는다. 여기서, 본 실시 형태에서는, Z축 방향은 연직 방향(즉 중력 가속도의 방향)으로 평행한 방향이다.

제2 위치 제어장치(108)는 제어부(112)로부터의 신호에 따라, 스테이지(106)를 그랜드 스테이지(GS)상에서 Y축 방향으로 이동시킨다. 여기서, Y축 방향은 X축 방향 및 Z축 방향의 쌍방과 직교하는 방향이다.

상기와 같은 기능을 가진 제1 위치 제어장치(104)의 구성과 제2 위치 제어장치(108)의 구성은 리니어 모터 또는 써보 모터를 이용한 공지의 XY 로봇을 사용하여 실현할 수 있다. 따라서, 여기서는 그들의 상세한 구성의 설명을 생략한다.

그런데 상술한 바와 같이, 제1 위치 제어장치(104)에 의해서, 토출 헤드부(103)는 X축 방향으로 이동한다. 또한, 제2 위치 제어장치(108)에 의해서, 기체(11)는 스테이지(106)와 함께 Y축 방향으로 이동한다. 이러한 결과, 기체(11)에 대한 헤드(114)의 상대 위치가 바뀐다. 보다 구체적으로는, 이들의 동작에 의해서, 토출 헤드부(103), 헤드(114), 또는 노즐(118)(도 4)은, 기체(11)에 대해서, Z축 방향으로 소정의 거리를 유지하면서, X축 방향 및 Y축 방향으로 상대적으로 이동, 즉 상대적으로 주사한다. 「상대 이동」 또는 「상대 주사」라 함은 액상의 재료(111)를 토출하는 측과, 그것으로부터의 토출물이 착탄하는 측(피토출부(50))의 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동하는 것을 의미한다.

제어부(112)는 액상의 재료(111)의 액적을 토출할 상대 위치를 표시하는 토출 데이터를 외부 정보 처리 장치로부터 수취하도록 구성되고 있다. 제어부(112)는 수취한 토출 데이터를 내부의 기억장치에 저장하는 동시에, 저장된 토출 데이터에 따라서, 제1 위치 제어장치(104)와, 제2 위치 제어장치(108)와, 헤드(114)를 제어한다. 또한, 토출 데이터라 함은 기체(11)상에, 액상의 재료(111)를 소정 패턴으로 부여하기 위한 데이터이다. 본 실시 형태에서는, 토출 데이터는 비트 맵 데이터의 형태를 갖고 있다.

상기 구성을 가진 액적 토출 장치(300L)는, 토출 데이터에 따라, 헤드(114)의 노즐(118)(도 4)을 기체(11)에 대해서 상대 이동시키는 동시에, 피토출부(50)를 향하여 노즐(118)으로부터 액상의 재료(111)를 토출한다.

또한, 잉크젯법으로 층, 막, 또는 패턴을 형성함이라 함은 액적 토출 장치 (300L)와 같은 장치를 사용하여, 소정의 물체상에, 층, 막, 또는 패턴을 형성하는 것이다.

(D. 헤드)

도 4(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 장치(300L)에서의 헤드(114)는 복수의 노즐(118)을 가진 잉크젯 헤드이다. 구체적으로는, 헤드(114)는 진동판(126)과, 액 저류소(129)와, 복수의 격벽(122)과, 복수의 진동자(124)와, 복수의 노즐(118)의 개구를 규정하는 노즐 플레이트(128)와, 공급구(130)와, 구멍(131)을 구비하고 있다. 액 저류소(129)는 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에 위치하고 있고, 이 액 저류소(129)에는 도시하지 않은 외부 탱크로부터 구멍(131)을 거쳐서 공급되는 액상의 배향 재료(111)가 항상 충전된다.

복수의 격벽(122)은 진동판(126)과 노즐 플레이트(128) 사이에 위치하고 있다. 또한, 진동판(126)과, 노즐 플레이트(128)와, 한쌍의 격벽(122)에 의해서 둘러싸인 부분이 캐비티(120)이다. 캐비티(120)는 노즐(118)에 대응하여 마련되어 있기 때문에, 캐비티(120)의 수와 노즐(118)의 수는 동일하다. 캐비티(120)에는,한쌍의 격벽(122) 사이에 위치하는 공급구(130)를 거쳐서, 액 저류소(129)로부터 액상의 배향 재료(111)가 공급된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 노즐(118)의 직경은 약 27㎛이다.

그런데, 진동판(126)상에는, 각각의 캐비티(120)에 대응하여, 각각의 진동자(124)가 위치한다. 진동자(124)의 각각은 피에조 소자(124C)와, 피에조 소자(124C)를 끼운 한쌍의 전극(124A,124B)을 포함한다. 제어부(112)가 이 한쌍의 전 극(124A,124B) 사이에 구동 파형을 부여함으로써, 대응하는 노즐(118)로부터 액상의 배향 재료(111)의 액적(D)이 토출된다. 여기서, 노즐(118)로부터 토출되는 재료의 체적은 0 pl 이상 42 pl(피코리터) 이하의 사이에서 가변이다. 또한, 노즐(118)로부터 Z축 방향으로 액상의 배향 재료(111)의 액적(D)이 토출되도록, 노즐(118)의 형상이 조정되어 있다.

본 명세서에서는 1개의 노즐(118)과, 노즐(118)에 대응하는 캐비티(120)와, 캐비티(120)에 대응하는 진동자(124)를 포함한 부분을 「토출부(127)」라고도 표기한다. 이 표기에 의하면, 1개의 헤드(114)는 노즐(118)의 수와 동일한 수의 토출부(127)를 갖는다. 또한, 토출부(127)는 피에조 소자 대신에 전기열변환 소자를 가져도 좋다. 즉, 토출부(127)는 전기열변환 소자에 의한 재료의 열팽창을 이용하여 재료를 토출하는 구성을 가지고 있어도 좋다.

(E. 제어부)

다음에, 제어부(112)의 구성을 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제어부(112)는 입력 버퍼 메모리(200)와, 기억 장치(202)와, 처리부(204)와, 주사 구동부(206)과, 헤드 구동부(208)를 구비하고 있다. 입력 버퍼 메모리(200)와 처리부(204)는 서로 통신 가능하게 접속되어 있다. 처리부(204)와, 기억장치(202)와, 주사 구동부(206)와, 헤드 구동부(208)는 도시하지 않은 버스에 의해서 상호 통신 가능하게 접속되어 있다.

주사 구동부(206)는 제1 위치 제어장치(104) 및 제2 위치 제어장치(108)와 상호 통신 가능하게 접속되어 있다. 마찬가지로 헤드 구동부(208)는 헤드(114)와 상호 통신 가능하게 접속되어 있다.

입력 버퍼 메모리(200)는 액적 토출 장치(300L)의 외부에 위치하는 외부 정보 처리 장치(도시하지 않음)로부터, 액상의 재료(111)의 액적을 토출하기 위한 토출 데이터를 수취한다. 입력 버퍼 메모리(200)는 토출 데이터를 처리부(204)에 공급하고, 처리부(204)는 토출 데이터를 기억장치(202)에 저장한다. 도 5에서는, 기억장치(202)는 RAM이다.

처리부(204)는 기억장치(202)내의 토출 데이터에 근거하여, 피토출부(50)에 대한 노즐(118)의 상대 위치를 나타내는 데이터를 주사 구동부(206)에 보낸다. 주사 구동부(206)는 이 데이터와, 토출 주기에 따른 주사 구동 신호를 제1 위치 제어 장치(104) 및 제2 위치 제어 장치(108)에 보낸다. 이 결과, 피토출부(50)에 대한 토출 헤드부(103)의 상대 위치가 바뀐다. 한편, 처리부(204)는 기억장치(202)에 기억된 토출 데이터에 근거하여, 액상의 재료(111)의 토출에 필요한 토출 신호를 헤드(114)에 보낸다. 이 결과, 헤드(114)에서의 대응하는 노즐(118)로부터, 액상의 재료(111)의 액적(D)이 토출된다.

제어부(112)는 CPU, ROM, RAM, 버스를 포함한 컴퓨터이다. 따라서, 제어부( 112)의 상기 기능은 컴퓨터에 의해서 실행되는 소프트웨어 프로그램에 의해서 실현된다. 물론, 제어부(112)는 전용 회로(하드웨어)에 의해서 실현되어도 좋다.

(F. 액상의 재료)

상술한 「액상의 재료(111)」라 함은 헤드(114)의 노즐(118)로부터 액적(D)으로서 토출될 수 있는 점도를 가진 재료를 말한다. 여기서, 액상의 재료(111)가 수성인지 유성인지는 관계없다. 노즐(118)로부터 토출가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입해 있어도 전체로서 유동체이면 좋다. 여기서, 액상의 재료(111)의 점도는 1mPa·s이상 50mPa·s이하인 것이 바람직하다. 점도가 1mPa·s이상인 경우에는, 액상의 재료(111)의 액적(D)을 토출할 때에 노즐(118)의 주변부가 액상의 재료(111)로 오염되기 어렵다. 한편, 점도가 50mPa·s이하인 경우는, 노즐(118)에서의 막힘 빈도가 낮기 때문에, 원활한 액적(D)의 토출을 실현할 수 있다. 친액 재료(30A) 및 도전성 재료(40A)는 모두 상술한 조건을 만족하는 액상의 재료이다.

또한, 이들 액상의 재료(111)가 미립자를 함유하고 있는 경우는, 그 미립자의 평균 입경은 1㎛이하인 것이 바람직하다. 이 조건을 만족하는 액상의 재료(111)는 헤드(114)의 노즐(118)로부터, 막힘 없이, 소망한 방향으로 토출된다. 예를 들면, 친액 재료(30A)는, 상술한 바와 같이, 실리카(SiO₂)와 산화 티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자를 함유하고 있지만, 이 미립자의 평균 입경은 1㎛이하이다. 또한, 도전성 재료(40A)도 은 입자를 함유하고 있지만, 그 평균 입경은 상술한 바와 같이 10nm 정도이고, 이 조건을 만족하고 있다.

또한, 「액상의 재료(111)」는 피토출부(50)에 부여된 후에 고유의 기능을 하는 것이므로, 「기능액」라고도 부른다.

(G. 형성 방법)

이어서, 도 6 및 도 7을 참조하면서, 상술한 액적 토출 장치(300L,300C)를 사용한 전기 배선의 형성 방법을 설명한다.

우선, 지지 기판(10)상을 UV 세정한다. 또한, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(10)상을 덮도록 스핀 코팅법을 사용하여, 불소 함유 유기 분자로서의 실란 커플링제를 함유하는 수지 유기 재료를 도포한다. 이것으로, 지지 기판(10)상에 수지 유기 박막(20A)을 형성한다. 또한, 수지 유기 박막(20A)의 전면을 덮도록 네가티브형의 아크릴계 화학 증폭형 감광성 레지스트를 도포함으로써, 수지 유기 박막(20A)상에 레지스트층(20B)를 형성한다.

이어서, 레지스트층(20B)과 수지 유기 박막(20A)을 포토리소그래피에 의해서 패터닝한다. 구체적으로는, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 도전층(40)이 형성될 영역에 대응하는 부위에 차광부(AB)를 갖는 포토마스크(PM)를 거쳐서, 레지스트층(20B)에 광(hυ)을 조사한다. 또한, 레지스트층(20B)을 현상한 뒤, 소정의 에칭액을 사용하여 에칭함으로써, 광(hυ)이 조사되지 않은 부분, 즉 도전층(40)에 대응하는 부분의 레지스트층(20B)과, 대응하는 수지 유기 박막(20A)을 제거한다. 그 것에 의해, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 뒤에 형성할 도전층(40)을 둘러싸는 형상을 갖는, 수지 유기 박막으로 이루어지는 뱅크 패턴(20)과 레지스트층(20B)이 지지 기판(10)상에 남는다. 그 후, 소정의 약액(藥液)을 사용하여 레지스트층(20B)를 박리하여, 지지 기판(10)상에는, 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 뱅크 패턴(20)과 지지 기판(10)의 표면으로 규정되는 피토출부(50)가 형성된다. 여기서, 지지 기판(10)의 표면과 뱅크 패턴(20)은 홈을 형성하고 있다. 지지 기판(10)의 표면은 그 홈의 바닥부를 구성한다.

이상과 같이 하여, 지지 기판(10)의 표면이 홈의 바닥부로 되도록, 뱅크 패턴(20)이 형성된다.

다음에, 뱅크 패턴(20)의 표면에 대해서, 플라즈마 처리를 행한다. 플라즈마 처리는 뱅크 패턴(20)이 형성된 기체(11)를 불화탄소계 화합물을 함유하는 가스에 노출시키고, 그 가스에 에너지를 부여하여 플라즈마화하여 뱅크 패턴(20)의 표면과 반응시켜 행한다. 이 플라즈마 처리에 의해서, 뱅크 패턴(20)의, 도전성 재료(40A)에 대한 발액성을 높일 수 있다.

이어서, 지지 기판(10)상에 형성된 피토출부(50)에, 친액 재료(30A), 및 도전성 재료(40A)를 이 순서로 배치해 둔다. 이들 공정은 도 2에 나타내는 제조 장치(2)에 의해서 행해진다.

피토출부(50)를 가진 기체(11)는 반송 장치(270)에 의해서, 액적 토출 장치(300L)의 스테이지(106)로 옮겨진다. 또한, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 장치(300L)는 피토출부(50) 모두에 친액 재료(30A)의 층이 형성되도록, 헤드(114)의 토출부(127)로부터 친액 재료(30A)를 토출한다. 보다 구체적으로는, 액적 토출 장치(300L)는 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 지지 기판(10)의 표면에 친액 재료(30A)를 토출한다. 기체(11)의 모든 피토출부(50)에 친액 재료(30A)의 층이 형성된 경우에는, 반송 장치(270)가 기체(11)를 건조 장치(350L)내에 위치시킨다. 또한, 피토출부(50)상의 친액 재료(30A)를 완전히 건조시킴으로써, 피토출부(50)에 친액층(30)이 형성되어, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 친액층(30)을 바닥부로 하는 피토출부(50)가 형성된다.

친액층(30)이 형성된 기체(11)는, 반송 장치(270)에 의해서, 광조사 장치(400L)로 옮겨진다. 또한, 광조사 장치(400L)는 기체(11)에 대해서 파장 400nm이하의 광을 조사한다. 친액층(30)은 이러한 파장의 광에 대해서 반응하여, 친액성이 높아지는 성질을 가지고 있다. 따라서, 이 광조사 공정을 거친 친액층(30)은 도전성 재료(40A)에 대한 친액성이 높아진다.

또한, 광조사 장치(400L)는, 상술한 바와 같이 파장 400nm이하의 광을 조사하지만, 친액층(30)에 함유되는 미립자의 종류에 따라서, 실제로 반응에 기여하는 광의 파장은 다르다. 구체적으로는, 실리카(SiO₂)의 미립자와, 금속을 함유하는 미립자를 함유하는 친액층(30)은 파장 400nm이하의 광 중, 그 금속을 함유하는 미립자가 광촉매로서 기능하는 파장의 광에 반응한다. 예를 들면, 본 실시 형태에서 사용하는, 실리카(SiO₂)와 산화 티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자를 함유하는 친액층(30)은 산화 티탄(TiO₂)의 미립자가 광촉매로서 기능하는, 파장 380nm이하의 광에 반응한다. 또한, 실리카(SiO₂)의 미립자만을 함유하는 친액층(30)은 파장이 250nm이하인 광에 반응한다.

이어서, 친액층(30)을 가진 기체(11)는 반송 장치(270)에 의해서, 액적 토출 장치(300C)의 스테이지(106)로 옮겨진다. 또한, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 장치(300C)는 피토출부(50) 모두에 도전성 재료(40A)의 층이 형성되도록, 헤드(114)의 토출부(127)로부터 도전성 재료(40A)를 토출한다. 보다 구체적으로는, 액적 토출 장치(300C)는 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 친액층(30)의 표 면에 도전성 재료(40A)를 토출한다. 기체(11)의 모든 피토출부(50)에 도전성 재료(40A)의 층이 형성된 경우에는, 반송 장치(270)가 기체(11)를 건조 장치(350C)내에 위치시킨다. 또한, 피토출부(50)상의 도전성 재료(40A)를 고온 분위기 중에서 건조시키면, 도전성 재료(40A)에 함유되는 은 입자 사이에서 융합 또는 융착이 일어나서, 저저항의 도전성 물질인 도전층(40)이 생성된다. 이렇게 해서, 도전층(40)을 전기 배선으로서 갖는 배선 기판(1)이 얻어진다.

그런데, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성은 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높게 되어 있다. 이것은, 뱅크 패턴(20)에 불소를 함유하는 유기 분자로서 실란 커플링제 등이 함유되어 있는 동시에, 뱅크 패턴(20)을 플라즈마 처리하여 발액성을 높이는 것과, 실리카(SiO₂)와 산화 티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자를 함유하는 친액성이 높은 친액층(30)에, 또한 광을 조사하여 친액성을 높이는 것에 의한다. 이 때문에, 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 친액층(30)의 표면에 착탄한 도전성 재료(40A)의 액적은 뱅크 패턴(20)에 대해서 반발함과 동시에, 친액층(30)상에 젖어 퍼지려고 한다. 이러한 작용에 의해서, 도전성 재료(40A)는 친액층(30)상에 고르고 균일하게 젖어 퍼지고, 이것을 건조시켜 얻어지는 도전층(40)은 균일한 두께를 가진 층으로 된다.

또한, 피토출부(50)의 바닥부에 뱅크 패턴(20)의 잔사가 존재하는 경우라도,이 잔사를 덮어서 친액층(30)이 형성되므로, 상술과 바와 동일한 이유에 의해서 균일한 두께의 도전층(40)을 형성할 수 있다.

이렇게 해서 얻어진 전기 배선은 고른 균일한 두께의 도전층(40)을 갖기 때문에, 양호한 도전 특성을 갖는다. 또한, 전기 배선이 매우 미세한 패턴을 갖는 경우라도, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성이, 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높음에 의해서, 도전성 재료(40)는 피토출부(50)의 바닥부에 고르고 균일하게 젖어 퍼진다. 이 때문에, 고른 균일한 두께의 도전층(40)을 가진, 매우 미세한 패턴의 전기 배선을 형성할 수도 있다.

(G. 실장 공정)

다음에, 도 8에 나타내는 바와 같이, 상술한 공정으로 제조한 배선 기판(1)에, 액정 패널(61)과 반도체 소자(62)를 실장한다. 구체적으로는, 배선 기판(1)상의 도전층(40)의 패턴에, 액정 패널(61)의 대응하는 패드, 또는 반도체 소자(62)의 대응하는 패드를 적절히 접합한다. 이와 같이 하여, 액정 표시 장치(60)가 얻어진다. 이와 같이, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은, 액정 표시 장치(60)의 제조에 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 반도체 소자(62)는 액정 드라이버 회로이다.

또한, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은, 액정 표시 장치의 제조 뿐만 아니라, 각종 전기 광학 장치의 제조에도 적용된다. 여기서 말하는「전기 광학 장치」라 함은, 복굴절성의 변화, 선광성의 변화, 또는 광산란성의 변화 등의 광학적 특성의 변화(이른바 전기 광학 효과)를 이용하는 장치에 한정되지 않고, 신호 전압의 인가에 따라 광을 사출, 투과, 또는 반사하는 장치 전반을 의미한다.

구체적으로는, 전기 광학 장치라 함은 액정 표시 장치, 일렉트로루메네선스 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 표면 전도형 전자 방출 소자를 사용한 디스플레이(SED：Surface-Conduction Electron-Emitter Display), 전계 방출 디스플레이(FED：Field Emission Display) 등을 포함하는 용어이다.

또한, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은, 상술한 전기 광학 장치에 포함되는 전기 광학 소자의 제조에도 적용된다. 구체적으로는, 전기 광학 장치의 화소부에 형성되는 TFT(박막 트랜지스터)소자, 주사선이나 신호선 등의 전기 배선, 및 화소 전극의 형성 등에 적용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은 각종 전자 기기의 제조 방법에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 실시 형태의 전기 배선의 형성 방법은, 도 9에 나타내는 바와 같은, 전기 광학 장치(520)를 구비한 휴대 전화기(500)의 제조 방법에도 적용되고, 도 10에 나타내는 바와 같은, 전기 광학 장치(620)를 구비한 퍼스널 컴퓨터(600)의 제조 방법에도 적용된다.

(제2 실시 형태)

제1 실시 형태에서는, 뱅크 패턴(20)을 형성한 뒤에 피토출부(50)에 친액층(30)을 형성한다. 한편, 본 실시 형태에서는, 지지 기판(10)의 표면 전체에 친액층(30)을 도포한 뒤에, 친액층(30)의 표면상에 뱅크 패턴(20)을 형성한다. 또한, 이 점을 제외하면, 본 실시 형태는, 제1 실시 형태와 기본적으로 동일하다. 또한, 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 도전층(40)이 마련되기 이전의 배선 기판(1)을 가리켜 기체(11)라 표기한다.

우선, 지지 기판(10)상을 UV 세정한다. 그 후, 지지 기판(10)은, 제조 장치 (2) 중의 반송 장치(270)에 의해서, 액적 토출 장치(300L)의 스테이지(106)로 옮겨진다. 여기서, 액적 토출 장치(300L)는 지지 기판(10)상에 친액 재료(30A)의 층이 형성되도록, 헤드(114)의 토출부(127)로부터 친액 재료(30A)를 토출한다. 이렇게 해서, 지지 기판(10)상에 친액 재료(30A)의 층이 형성되면, 반송 장치(270)가 기체(11)를 건조 장치(350L)내에 위치시킨다. 또한, 도 11(a)에 나타내는 바와 같이, 친액 재료(30A)를 완전히 건조시킴으로써, 지지 기판(10)의 표면에 친액층(30)이 형성된다.

친액층(30)이 형성된 기체(11)는, 반송 장치(270)에 의해서, 광조사 장치(400L)로 옮겨진다. 또한, 광조사 장치(400L)는, 기체(11)에 대해서 파장 400nm이하의 광을 조사한다. 친액층(30)은 이러한 파장의 광에 대해서 반응하여, 친액성이 높아지는 성질을 가지고 있다. 따라서, 그 공정을 거친 친액층(30)은 도전성 재료(40A)에 대한 친액성이 높아진다.

여기서, 기체(11)는 제조 장치(2)로부터 취출하여, 뱅크 패턴(20)의 형성을 위한 공정을 거친다. 즉, 우선 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 친액층(30)의 표면에, 스핀 코팅법을 사용하여 수지 유기 박막(20A)을 형성한다. 또한 수지 유기 박막(20A)의 전면을 덮도록 네가티브형의 아크릴계 화학 증폭형 감광성 레지스트를 도포함으로써, 수지 유기 박막(20A)상에 레지스트층(20B)를 형성한다.

다음에, 도 11(c) 및 (d)에 나타내는 바와 같이, 레지스트층(20B)과 수지 유기 박막(20A)을 포토리소그래피에 의해서 패터닝한 후, 레지스트층(20B)을 박리하여, 뱅크 패턴(20)을 형성한다.

이어서, 뱅크 패턴(20)의 표면에 대해서, 발액성을 높이기 위해서 플라즈마 처리를 행한다. 레지스트층(20B)과 수지 유기 박막(20A)의 패터닝법, 레지스트층(20B)의 박리법, 및 플라즈마 처리 방법은 제1 실시 형태와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.

이렇게 해서, 도 11(d)에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(10)상에 친액층(30)을 바닥부로 하는 피토출부(50)가 형성된다.

피토출부(50)가 형성된 기체(11)는 다시 제조 장치(2)로 보내져서, 반송 장치(270)에 의해서, 액적 토출 장치(300C)의 스테이지(106)로 옮겨진다. 또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 액적 토출 장치(300C)는, 피토출부(50) 모두에 도전성 재료(40A)의 층이 형성되도록, 헤드(114)의 토출부(127)로부터 도전성 재료(40A)를 토출한다. 보다 구체적으로는, 액적 토출 장치(300C)는 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 친액층(30)의 표면에 도전성 재료(40A)를 토출한다. 기체(11)의 모든 피토출부(50)에 도전성 재료(40A)의 층이 형성된 경우에는, 반송 장치(270)가 기체(11)를 건조 장치(350C)내에 위치시킨다. 또한, 피토출부(50)상의 도전성 재료(40A)를 고온 분위기 중에서 건조시키면, 도전성 재료(40A)에 함유되는 은 입자 사이에 융합 또는 융착이 일어나서, 저저항의 도전성 물질인 도전층(40)이 생성된다. 이렇게 해서, 도전층(40)을 전기 배선으로서 갖는 배선 기판(1)이 얻어진다.

그런데, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성은 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높게 되어 있다. 이것은, 뱅크 패턴(20)에 불소를 함유하는 유기 분자로서 실란 커플링제 등이 함유되어 있는 동시에, 뱅크 패턴(20)을 플라즈마 처리하여 발액성을 높이는 것과, 실리카(SiO₂)와 산화 티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자를 함유하는 친액성이 높은 친액층(30)에, 광을 조사하여 친액성을 더 높이는 것에 의한다. 이 때문에, 피토출부(50)의 바닥부를 구성하는 친액층(30)의 표면에 착탄한 도전성 재료(40A)의 액적은 뱅크 패턴(20)에 대하여 반발하는 동시에, 친액층(30)상에 젖어 퍼진다. 이러한 작용에 의해서, 도전성 재료(40A)는 친액층(30)상에 고르고 균일하게 젖어 퍼지고, 이것을 건조시켜 얻어지는 도전층(40)은 균일한 두께를 가진 층으로 된다.

또한, 피토출부(50)의 바닥부에 뱅크 패턴(20)의 잔사가 존재하는 경우에도, 이 잔사를 덮어서 친액층(30)이 형성되므로, 상술한 바와 같은 이유에 의해서 균일한 막두께의 도전층(40)을 형성할 수 있다.

이렇게 해서 얻어진 전기 배선은 고른 균일한 두께의 도전층(40)을 갖기 때문에, 양호한 도전 특성을 갖는다. 또한, 전기 배선이 매우 미세한 패턴을 갖는 경우라도, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성이 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높음에 의해서, 도전성 재료(40)는 피토출부(50)의 바닥부에 고르고 균일하게 젖어 퍼진다. 이 때문에, 고른 균일한 두께의 도전층(40)을 갖는, 매우 미세한 패턴의 전기 배선을 형성할 수도 있다.

(제3 실시 형태)

제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 뱅크 패턴(20)의 형성을 위해서 도포한 레지스트층(20B)은 수지 유기 박막(20A) 및 레지스트층(20B)의 패터닝 후에 박리했지만, 레지스트층(20B) 자체에, 도전성 재료(40A)에 대한 발액성을 갖게 하여, 레지스트층(20B)을 박리하지 않고 제조할 수도 있다. 이하에서는, 이 방식을 사용한 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.

본 실시 형태에서의 전기 배선의 형성 방법은, 이후에 설명하는 사항을 제외하고는 제2 실시 형태에서의 전기 배선의 형성 방법과 동일하다. 따라서, 제2 실시 형태와 공통되는 부분에 대해서는 설명을 생략한다.

도 13은 본 실시 형태에서의 전기 배선의 형성 방법을 나타낸 도면이다. 도 13(a)은 지지 기판(10)상에, 친액층(30), 수지 유기 박막(20A) 및 레지스트층(20B)을 마련한 뒤에, 레지스트층(20B)에 광을 조사하여 포토리소그래피에 의해서 패터 닝을 행한 상태의 기체(11)를 나타낸다.

여기서, 레지스트층(20B)에는, 불소를 함유하는 고분자 화합물로 이루어지는 포토레지스트가 사용되고 있다. 이러한 재료로부터 형성된 레지스트층(20B)은 도전성 재료(40A)에 대해서 발액성을 갖는다.

본 실시 형태에서는, 이 후, 레지스트층(20B)을 박리하지 않는다. 따라서, 제2 실시 형태에서의 뱅크 패턴(20)에 상당하는 구성 요소는 수지 유기 박막으로 이루어지는 뱅크 패턴(20)과, 레지스트층(20B)를 합친 것으로 된다. 이하에서는, 뱅크 패턴(20)과, 레지스트층(20B)를 합친 것을 뱅크 패턴(20')이라 부른다. 본 실시 형태에서의 피토출부(50)의 측면은 뱅크 패턴(20')으로 규정된다. 또한, 뱅크 패턴(20')은 발액성을 가진 레지스트층(20B)을 표면에 가지므로, 이 후, 뱅크 패턴(20')의 발액성을 높이기 위한 플라즈마 처리는 행하지 않아도 좋다.

이어서, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 피토출부(50)에, 제2 실시 형태와 동일한 공정에 의해서 도전층(40)을 형성한다.

이렇게 해서 얻어진 전기 배선에서는, 도전층(40)은 고르게 균일한 두께의 층으로 된다. 이것은, 친액층(30)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성이 뱅크 패턴(20')의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높아서, 이 결과, 도전성 재료(40A)가 뱅크 패턴(20')에 대해서 반발하는 동시에, 친액층(30)상에 젖어 퍼지려 하기 때문이다.

본 실시 형태의 형성 방법에 의해서 형성된 전기 배선은 제2 실시 형태의 형성 방법에 의해서 형성된 전기 배선과 동일한 효과가 얻어진다. 더욱이, 본 실시 형태의 제조 방법에서는, 레지스트층(20B)의 박리 공정과, 뱅크 패턴(20')의 플라즈마 처리 공정을 행할 필요가 없기 때문에, 전기 배선의 형성 공정을 간략화할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 상기 실시 형태에 대해서는, 본 발명의 취지로부터 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형을 가할 수 있다. 변형예로는, 예를 들면 이하와 같은 것이 고려된다.

(변형예 1)

상술한 각 실시 형태에서는, 2개의 다른 액적 토출 장치(300L,300C)가 각각 친액 재료(30A), 도전성 재료(40A)를 토출한다. 이러한 구성 대신에, 1개의 액적 토출 장치(예를 들면 액적 토출 장치(300L))가 이들 액상의 재료를 모두 토출해도 좋다. 이 경우, 이들 액상의 재료는 액적 토출 장치(300L)에서의 다른 노즐(118)로부터 토출되어도 좋고, 액적 토출 장치(300L)에서의 1개의 노즐(118)로부터 토출되어도 좋다. 1개의 노즐(118)로부터 이들 2개의 액상의 재료가 토출되는 경우에는, 액상의 재료를 바꿀 때에, 탱크(101)로부터 노즐(118)까지의 경로를 세정하는 공정을 추가하면 좋다.

(변형예 2)

제2 실시 형태 및 제3 실시 형태에서, 친액층(30)은 액적 토출 장치(300L)를 사용하여 잉크젯법에 의해서 형성했지만, 이 외에도 액상의 재료를 도포하는 방법이면 어떠한 방법으로 형성해도 좋다. 친액층(30)의 형성에 적용할 수 있는 방법의 예로는 압출 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 그라비아 코팅 방법, 리버스 롤 코팅 방법, 로드 코팅 방법, 슬릿 코팅 방법, 마이크로 그라비아 코팅 방법, 딥 코팅 방법, 플렉소 인쇄법, 및 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다.

(변형예 3)

상술한 각 실시 형태에서는, 친액 재료(30A)에는 실리카(SiO₂)와 산화티탄(TiO₂)으로 구성되는 미립자가 함유되어 있었지만, 실리카(SiO₂)의 입자와 산화 티탄(TiO₂)의 입자가 독립하여 함유되어 있어도 좋다. 또는, 실리카(SiO₂)의 미립자만을 함유하는 재료라도 좋다. 또는, 산화티탄(TiO₂) 대신에, 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO₂), 티탄산 스트론튬(SrTiO₃), 산화 텅스텐(WO₃), 산화 비스머스(Bi₂O₃), 및 산화철(Fe₂O₃) 중의 적어도 1종으로 이루어지는 미립자를 함유시켜도 좋다. 이러한 친액 재료(30A)는 도전성 재료(40A)에 대해서 친액성을 갖는다.

또한, 친액 재료(30A)는 실리카, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상의 조성 의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 재료라도 좋다. 또한, 산화 티탄이나 산화 아연 등의 상기 금속이 실리카로 코팅된 미립자를 함유하는 재료 등을 사용할 수 있다. 이러한 친액 재료(30A)도, 도전성 재료(40A)에 대해서 친액성을 갖는다.

(변형예 4)

상술한 각 실시 형태에서는, 친액층(30)의 친액성을 높이기 위해서 친액층(30)에 대해서 파장 400nm 이하의 광을 조사하고 있었지만, 이 공정은 생략해도 좋 다. 이 경우, 친액층(30)의, 도전성 재료(40A)에 대한 친액성은 저하하지만, 그런데도 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높다. 따라서, 이 변형예에 의하면, 광을 조사하는 공정을 생략할 수 있으므로, 전기 배선의 형성 공정을 간략화할 수 있다.

(변형예 5)

상술한 각 실시 형태에서는, 뱅크 패턴(20)에는 불소를 함유하는 유기 분자, 구체적으로는, 실란 커플링제의 일종인 CF₃CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃이 함유되어 있었지만, 이것 이외의 실란 커플링제를 사용할 수도 있다. 실란 커플링제라 함은 R¹SiX¹mX² _(3－m)으로 표시되는 화합물이고, 여기서 R¹은 유기기를 표시하고, X¹및 X²는 －OR², －R², －Cl를 표시하고, R²는 탄소수가 1∼4의 알킬기를 표시하고, m은 1∼3의 정수이다. 뱅크 패턴(20)에 발액성을 갖게 하기 위해서 뱅크 패턴(20)에 함유시키기에 적합한 실란 커플링제의 예로는 CF₃(CF₂)₃－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₆－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₆－CH₂CH₂－Si(OC₂H₅)₃, CF₃(CF₂)₇－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₁₁－CH₂CH₂－Si(OC₂H₅)₃, CF₃(CF₂)₃－CH₂CH₂－Si(CH₃)(OCH₃)₂, CF₃(CF₂)₇－CH₂CH₂－Si(CH₃)(OCH₃)₂, CF₃(CF₂)₈－CH₂CH₂－Si(CH₃)(OC₂H₅)₂, CF₃(CF₂)₈－CH₂CH₂－Si(C₂H₅)(OC₂H₅)₂, CF₃O(CF₂O)₆－CH₂CH₂－Si(OC₂H₅)₃, CF₃O(C₃F₆O)₄－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃O(C₃F₆O)₂(CF₂O)₃－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃O(C₃F₆O)₈ －CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃O(C₄F₈O)₆－CH₂CH₂－Si(OCH₃)₃, CF₃O(C₄F₈O)₈－CH₂CH₂－Si(CH₃)(OC₂H₅)₂, CF₃O(C₃F₆O)₄－CH₂CH₂－Si(C₂H₅)(OCH₃)₂등을 들 수 있다.

또한, 상술의 실란 커플링제 대신에, 불소를 함유하는 계면활성제를 사용할 수도 있다. 계면활성제라 함은 R¹Y¹로 표시되는 화합물이며, 여기서 Y¹은 친수성의 극성기, 즉, －OH, －(CH₂CH₂O)_nH, －COOH, －COOK, －COONa, －PO₃H₂, －PO₃Na₂, －PO₃K₂, －NO₂, －NH₂, －NH₃Cl(암모늄염), －NH₃Br(암모늄염), ≡NHCl(피리디늄염), ≡NHBr(피리디늄염) 등이다. 뱅크 패턴(20)에 발액성을 갖게 하기 위해서 뱅크 패턴(20)에 함유시키기에 적합한 계면활성제의 예로는 CF₃－CH₂CH₂－COONa, CF₃(CF₂)₃－CH₂CH₂－COONa, CF₃(CF₂)₆－CH₂CH₂－NH₃Br, CF₃(CF₂)₆－CH₂CH₂－NH₃Br, CF₃(CF₂)₇－CH₂C H₂－NH₃Br, CF₃(CF₂)₁₁－CH₂CH₂－NH₃Br, CF₃(CF₂)₃－CH₂CH₂－NH₃Br, CF₃(CF₂)₇－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃(CF₂)₅－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃(CF₂)₈－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(CF₂O)₆－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₃F₆O)₄－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₃F₆O)₂(CF₂O)₃－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₃F₆O)₅－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₄F₈O)₅－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₄F₈O)₅－CH₂CH₂－OSO₃Na, CF₃O(C₃F₆O)₄－CH₂CH₂－OSO₃Na 등을 들 수 있다.

상술한 실란 커플링제 및 계면활성제는 분자의 말단 관능기가 기판 표면을 구성하는 원자에 화학적으로 흡착하기 때문에, 금속이나 절연체를 비롯하여 폭넓은 재료의 산화물 표면에 반응성을 나타낸다. 이 때문에, 발액에 기여하는 유기 분자로서 사용할 수 있다. 특히, 이들 실란 커플링제나 계면활성제에 포함되는 R¹이 퍼플루오로알킬 구조 C_nF_2n ₊ ₁나 퍼플루오로 알킬 에테르 구조 C_pF_2p ₊₁O(C_pF_2pO)_r(n, p, r은 정수)와 같이 불소 원자를 함유하는 경우는, 발액성 물질로서 적합하게 사용할 수 있다. 이것은, 이러한 실란 커플링제나 계면활성제에 의해서 변성된 고체 표면의 표면 자유 에너지는 25mJ／㎡보다도 낮게 되므로, 충분한 발액성을 갖기 때문이다. 　 또한, 뱅크 패턴(20)에는, 발액성이 높은 고분자 화합물을 사용해도 좋다. 발액성이 높은 고분자 화합물로는 분자내에 불소 원자를 함유하는 올리고머 또는 폴리머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리4불화에틸렌(PTFE), 에틸렌-4불화에틸렌 공중합체, 6불화프로필렌－4불화에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴(PVdF), 폴리(펜타데카플루오로헵틸에틸메타크릴레이트)(PPFMA), 및 폴리(퍼플루오로옥틸에틸아크릴레이트) 등의 장쇄 퍼플루오로알킬 구조를 갖는 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리비닐, 폴리우레탄, 폴리실록산, 폴리이미드, 및 폴리카보네이트계의 고분자 화합물 등을 사용할 수 있다.

(변형예 6)

제3 실시 형태에서, 레지스트층(20B)에는 불소를 함유하는 고분자 화합물로 이루어지는 포토레지스트를 사용했지만, 불소를 함유하는 유기 분자를 혼합한 포토레지스트를 사용해도 좋다. 이러한 포토레지스트에 의해서 형성된 레지스트층(20B)은 도전성 재료(40A)에 대해서 발액성을 갖는다. 이 때문에, 제3 실시 형태 와 마찬가지로, 도전층(40)을 고르게 균일한 두께로 부여할 수 있다. 불소를 함유하는 유기 분자로는 상술한 계면활성제가 바람직하다. 구체적으로는, 일본 서펙턴트 고교제의 NIKKOL　BL, BC, BO, BB의 각 시리즈 등의 탄화수소계, 듀퐁제의 ZONYL　FSN, FSO, 아사히 글라스제의 서프론 S－141, 145, 다이니폰잉크제의 메가팍스 F－141, 144, 네오스제의 프타젠트　F－200, F251, 다이킨고교제의 유니다인 DS－401, 402, 쓰리엠제의 프로라드 FC－170, 176, JEMCO제의 에프토프 EF－시리즈 등의 불소계의 비이온 계면활성제 또는 양이온계, 음이온계, 양성 계면활성제를 사용할 수 있다. 이들 계면활성제는 포토레지스트에 첨가하는 종류 및 양을 조정함에 의해서, 포토레지스트의 발액성을 임의로 설정할 수 있다.

(변형예 7)

상술한 각 실시 형태에서는, 수지 유기 박막(20A)과 레지스트층(20B)을 패터닝하여 뱅크 패턴(20)을 형성하고 있었지만, 레지스트층(20B)에 발액성이 있는 재료를 사용하는 경우에는, 레지스트층(20B)만으로 뱅크 패턴(20)을 형성해도 좋다. 보다 구체적으로는, 수지 유기 박막(20A)을 도포하지 않고 레지스트층(20B)을 도포한 후, 레지스트층(20B)을 패터닝한 것을 뱅크 패턴(20)으로 하면 좋다. 이러한 방법으로 뱅크 패턴(20)을 형성한 경우라도, 친액층(30)의, 도전성 재료(40A)에 대한 친액성은 뱅크 패턴(20)의 도전성 재료(40A)에 대한 친액성보다도 높기 때문에, 균일한 두께의 도전층(40)을 형성할 수 있다.

(변형예 8)

제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 뱅크 패턴(20)의 표면에 대해서 플 라즈마 처리를 행했지만, 이 공정은 생략해도 좋다. 이 경우, 뱅크 패턴(20)의, 도전성 재료(40A)에 대한 발액성은 저하하지만, 플라즈마 처리 공정을 생략할 수 있으므로, 전기 배선의 형성 공정을 간략화할 수 있다.

(변형예 9)

상술한 각 실시 형태에서는, 도전성 재료(40A)는 은의 입자와, 분산매로서의 물을 갖는 금속 미립자 분산액인 것으로 했지만, 은 입자 외에도 다양한 재료로 이루어지는 입자를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 금, 백금, 은, 동, 니켈, 크롬, 로듐, 팔라듐, 아연, 코발트, 몰리브덴, 루테늄, 텅스텐, 오스뮴, 이리듐, 철, 망간, 게르마늄, 주석, 안티몬, 갈륨, 및 인듐 중의 1종 이상의 원소를 함유하는 금속, 합금, 금속 산화물로 이루어지는 입자를 사용할 수 있고, 특히, 금, 은, 동, 니켈, 망간, ITO(인듐주석 산화물), ATO(안티몬주석 산화물)로 이루어지는 입자가 바람직하다. 또한, 이들 입자는, 분산매 중에 안정하게 분산시키기 위해서, 중합체 또는 계면활성제로 피복되어 있는 것이 바람직하다.

도전성 재료(40A)는 물을 용매로 하는 금속 착체 화합물의 용액이어도 좋다. 금속 착체 화합물은 배위 화합물이라고도 하고, 중심에 금속 이온, 금속, 합금, 또는 금속 산화물로 이루어지는 도전성 입자를 갖고, 그 주위를 이온이나 분자로 둘러싸고 있는 화합물이다. 구체적으로는, 중심에, 금, 백금, 은, 동, 니켈, 크롬, 로듐, 팔라듐, 아연, 코발트, 몰리브덴, 루테늄, 텅스텐, 오스뮴, 이리듐, 철, 망간, 게르마늄, 주석, 안티몬, 갈륨, 및 인듐 중의 1종 이상의 원소를 함유하는 금속 이온, 금속, 합금, 금속 산화물로 이루어지는 도전성 입자를 갖는 금속 착체 화 합물을 사용할 수 있다. 배위자는 임의로 선택할 수 있다. 이러한 금속 착체 화합물의 용액으로 이루어지는 도전성 재료(40A)도, 이것을 도포하여 고온에서 소성, 또는 광을 조사하면, 중심의 도전성 입자 사이에 융합 또는 융착이 일어나, 저저항의 도전성 물질인 도전층(40)이 생성된다.

또한, 도전성 재료(40A)를 구성하는 금속 미립자 분산액의 분산매, 및 금속 착체 화합물 용액의 용매는 물인 것으로 하였으나, 은 입자 등의 도전성 입자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않는 것이면 특히 한정되지 않는다. 예를 들면, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 옥탄올, 시클로헥산올 등의 알콜류, n－헵탄, n－옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 헥사데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥산, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1,2－디메톡시에탄, 비스(2－메톡시에틸)에테르, p－디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌 카보네이트, γ－부티로락톤, N－메틸－2－피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, α－터피네올, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 뱅크 패턴(20)과의 사이의 발액성이 높다는 관점에서는 표면장력이 높은 것이 바람직하고, 또한, 도전성 입자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액적 토출법(잉크젯법)으로의 적용의 용이함의 관점에서는 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하다. 보다 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물 을 들 수 있다.

(변형예 10)

상술한 실시 형태에서는, 폴리이미드로 이루어지는 지지 기판(10)상에 다층 구조가 마련된다. 그러나, 이러한 지지 기판(10) 대신에, 세라믹 기판, 유리 기판, 에폭시 기판, 유리 에폭시 기판, 또는 실리콘 기판 등이 이용되어도, 상기 실시 형태에서 설명한 효과와 동일한 효과가 얻어진다.

본 발명에 의하면, 격벽에 발액성을 갖게 하는 동시에 홈의 바닥부에 확실히 친액성을 갖게 함으로써, 금속 잉크를 상기 바닥부에 고르게 균일한 두께로 부여할 수 있는 전기 배선의 형성 방법을 제공할 수 있게 된다.

Claims

액적 토출 장치를 사용하여 기능액을 배치함에 의해 전기 배선을 형성하는 전기 배선의 형성 방법으로서,

기판상에, 기판의 표면이 홈의 바닥부로 되도록, 상기 홈을 규정하는 격벽을 형성하는 공정 A와,

상기 바닥부상에, 제1 기능액에 대한 상기 격벽의 친액성보다도, 상기 제1 기능액에 대해서 높은 친액성을 갖는 친액층을 형성하는 공정 B와,

상기 친액층상에, 액적 토출 장치를 사용하여 금속을 함유하는 상기 제1 기능액을 배치하는 공정 C를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 B는 상기 바닥부상에 실리카의 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제2항에 있어서, 상기 제2 기능액은 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종으로 이루어지는 미립자를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 B는 상기 바닥부상에, 실리카, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 B는 상기 바닥부상에, 실리카와, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1 종 이상과의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미립자의 평균 입경은 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 A는 불소를 함유하는 고분자 화합물이 혼합된 포토레지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 공정 A는 불소를 함유하는 유기 분자가 혼합된 포토레지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
액적 토출 장치를 사용하여 기능액을 배치함에 의해 전기 배선을 형성하는 전기 배선의 형성 방법으로서,

기판상에, 제1 기능액에 대한 격벽의 친액성보다도, 상기 제1 기능액에 대해서 높은 친액성을 가진 친액층을 형성하는 공정 A와,

상기 친액층상에, 상기 친액층이 홈의 바닥부로 되도록, 상기 홈을 규정하는 격벽을 형성하는 공정 B와,

상기 바닥부상에, 액적 토출 장치를 사용하여 금속을 함유하는 상기 제1 기능액을 배치하는 공정 C를 갖는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 A는 상기 바닥부상에 실리카의 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제10항에 있어서,

상기 제2 기능액은 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종으로 이루어지는 미립자를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 A는 상기 바닥부상에, 실리카, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산 스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1종 이상의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 A는 상기 바닥부상에, 실리카와, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 주석, 티탄산스트론튬, 산화 텅스텐, 산화 비스머스, 및 산화철 중의 적어도 1 종 이상과의 조성의 조합으로 이루어지는 미립자를 함유하는 제2 기능액을 배치하여 상기 친액층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미립자의 평균 입경은 1㎛이하인 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 B는 불소를 함유하는 고분자 화합물이 혼합된 포토레지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제9항에 있어서, 상기 공정 B는 불소를 함유하는 유기 분자가 혼합된 포토레 지스트로 상기 격벽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 친액층에 광을 조사하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제17항에 있어서, 상기 광의 파장은 400nm이하인 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 격벽은 불소를 함유하는 유기 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 격벽의 표면을, 불화탄소계의 화합물을 반응 가스로 사용하여 플라즈마 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 배선의 형성 방법.
제1항 또는 제9항 기재의 전기 배선의 형성 방법을 포함한 배선 기판의 제조 방법.
제1항 또는 제9항 기재의 전기 배선의 형성 방법을 포함한 전기 광학 소자의 제조 방법.
제1항 또는 제9항 기재의 전기 배선의 형성 방법을 포함한 전자 기기의 제조 방법.
제21항 기재의 배선 기판의 제조 방법을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제24항 기재의 배선 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 소자.
제24항 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.