TWI298236B - Electric wire formation method - Google Patents

Description

1298236 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電氣佈線之形成方法，特別係關於適 用於噴墨法之電氣佈線之形成方法。 【先前技術】 揭示於專利文件1之技術，為眾所皆知的，使用液滴吐 出裝置藉由噴墨法形成電氣佈線之技術。此技術係於墨水 受容層上賦與含有無電解電鍍催化形成圖案，其後藉由無 •電解電鍍法於該圖案上形成導電性金屬者。 近年，為了形成更細微之佈線，乃進行如下技術之開 發·於基板上以加邊應配置佈線之圖案之方式，形成稱為 • 岸堤圖案之隔牆，對此岸堤圖案與基板表面所形成之溝槽 ， 賦與金屬墨水，形成電氣佈線之技術。藉由如此技術，因 藉由岸堤圖案之間隔決定佈線寬幅，故比不用岸堤圖案之 情況相比，可形成更細微之佈線。 在此，為了形成厚度均一之電氣佈線，必需於前述底部 均一塗開賦與上述溝槽底部之金屬墨水。因此，作為岸堤 圖案之材料係藉由使用對金屬墨水具有疏液性者，或者藉 由電漿處理岸堤圖案之表面使其具有對金屬墨水之疏液 性，使對上述底部之金屬墨水之親液性可比對岸堤圖案之 金屬墨水之親液性相對地提高。 [專利文件1]特開2000-3 1 1 527號公報 (發明所欲決解之課題） 但疋，上述方法中係有，若圖案化岸堤圖案時於溝槽底 105952.doc 1298236 部產生殘渣，則無法對岸堤圖案相對地提高前述底部之親 液性，且金屬墨水無法於前述底部均一塗開之課題。 本發明係鑑於上述情況而發明者，其目的之一係在於提 供一種藉由使隔牆持有疏液性之同時也可確實使溝槽底部 持有親液性，故可於前述底部供給無不均且厚度均一之金 屬墨水之電氣佈線之形成方法。 【發明内容】 藉由本發明，使用液滴吐出裝置之電氣佈線之形成方 法，其係包含於基板上，以基板表面成為溝槽底部之方 式，形成規定前述溝槽之隔牆之步驟A，肖於前述底部 上，形成比對第1功能液之前述隔牆之親液性，對前述第i 功能液具有高親液性之親液層之步驟3，與於前述親液層 上’使肖液滴吐出裝置配置含有金屬之前述第W能液之 步驟C。 上述構造可獲得，可無不均且厚度均—地形成導電性材 料之效果果。 上述構造中之步驟B係最好含有於前述底部上配置包含 氧化石夕⑽2)微粒子之第2功能液而形成前述親液層之步 驟。此第2功能液係更進—步含有由氧化鈦（Ti〇2)、氧化辞 (ZnO)、氧化錫（Sn〇2)、鈦酸锶（SrTi3)、氧化鎢、氧 化銀⑻2〇3)及氧化鐵（Fe2〇3)中之至少一種所構成之微粒 子。 並且，前述步驟B係亦可包含於前述底部上，配置含有 由氧化石夕、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸銘、氧化鹤、 105952.doc 1298236 氧化叙及氧化鐵中之至少-種以上之組成級合所構成之微 粒子之第2功能液，形成前述親液層之步驟。或者，前述 步驟B係亦可包含於前述底部上，配置含有氧化石夕與^化 鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸錄、氧化鶴、氧化減氧化鐵 中之至少一種以上之組成組合所構成之微粒子之第2功能 液’形成前述親液層之步驟。 上述構造可獲得，親液層乃對導電性㈣持有親液性之 效果果。 更進步，上述之微粒子之平均粒徑為丨μιη以下。 符合上述條件則可獲得，藉由液滴吐出裝置吐出功能液 時’不會造成堵塞且可使功能液往期望之方向吐出之效果 果。 另外，前述步驟Α，係亦可包含由混合含有氟之高分子 =合物、或含有1之有機分子之光阻形成前述隔牆 驟。 ^構k謂得’無㈣且厚度均—地形成導電性材 之f發明效果果乃可更加提高之效果果。 藉由本發明，使用液雷 M ^佈線之形成方 念其係可包含於基板上，形成比斟筮〗#处V ^ ^ ^ / ^比對弟1功旎液之隔牆之 牛盘對刖述第1功能液具有更高之親液性之親液層之 與於前述親液層，以前述親液層成為溝槽底部之 式’形成規定前述溝槽之隔牆之步驟B，與於前述底部 上，使用液滴吐出裝置配置含有 步驟C。 置3有孟屬之别述弟1功能液之 105952.doc 1298236 上述構造可獲得，無不均且厚度均一地形成導電性材料 之效果果。 上述構造中之步驟A係最好包含於前述成部上配置含有 氧化矽（Si〇2)微粒子之第2功能液，形成前述親液層之步 驟。前述第2功能液係更進一步可含有由氧化鈦（Ti〇2)、氧 化鋅（Zn0)、氧化錫（Sn〇2)、鈦酸鳃⑼叫）、氧化鎢 (woo、氧化鉍（則2〇3)及氧化鐵（以2〇3)中之至少一種所構 成之微粒子。 並且，前述步驟A，係可包含於前述底部上，配置含有 2氧化矽、氧化鈦、氧化辞、氧化錫、鈦酸鋰、氧化鎢、 氧化Μ及氧化鐵中之至少_錄 ，卜 孰r惑主乂種以上之組成組合所構成之微 粒子之第2功能液，形成前述親液層之步驟。或者，前述 步驟A，係包含於前述底部上，配置含有氧化石夕與氧化 鈦、乳化鋅、氧化錫、鈦酸錄、氧化鎢、氧化鉍及氧化鐵 中之至少-種以上之組成組合所構成之微粒子之第2功能 液’形成前述親液層之步驟。 ::構造可獲得，親液層乃對導電性材料持有親液性之 效果果。 ^進一步’上述之微粒子之平均粒徑係1 _以下。 時付獲得’ f由液滴吐出裝置吐*功能液 果。 土可使功能液往期望之方向吐出之效果 另外’前述步驟B，係亦 化合物、赤入士， f亦了包3由混合含有氟之高分子 " 鼠之有機分子之光阻形成前述隔牆之步 105952.doc 1298236 上述構造可獲得，無不均且厚度均一地形成導電性材料 之本發明效果果乃可更加提高之效果果。 本發明之一形態中，其係包含於前述親液層照射光之步 驟，此時光之波長最好為400 nm以下。 上述構造可獲得，親液層之對導電性材料之親液性變高 之效果果。 本發明之其他形態中，前述隔牆係包含具有氟之有機分 子。 上述構造可獲得，隔牆乃持有對導電性材料之疏液性之 效果果。 • 本發明之其他形態中，更進一步包含使用將氟碳化物作 • 為反應氣體，電聚處理前述隔牆表面之步驟。 上述構造可獲得，隔牆之對導電性材料之疏液性更加提 高之效果果。 φ 另外，本發明係可以各種形態實現。具體說明，係可作 為佈線基板之製造方法、光電元件之製造方法或電子機器 之製造方法來實現。並且，藉由本發明之佈線基板之製造 方法所製造之佈線基板，係具有無不均且厚度均一之電氣 佈線。具備此佈線基板之光電元件及電子機器，因具有無 不均且厚度均-之電氣佈線，故可實現良好之電氣特性:、 【實施方式】 以下’參照圖面說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 105952.doc 1298236 (A.佈線基板） 圖1為具有本實施形態之電氣佈線形成方法所形成之電 氣佈線之配線基板1之立體圖。另外，圖ltc_c，線之配置 之X-Z平面係對應圖7(b)所示之平面。 佈線基板1係含有由聚醯亞胺形成之支撐基板1〇，岸堤 圖案20，親液層30與導電層4〇。在此，岸堤圖案2〇與親液 層30係都位於支撐基板1〇上。另外，導電層4〇係位於親液 層30上。又，岸堤圖案2〇係加工由含有氟之有機分子所形 成有機薄膜而形成。更具體說明，於此有機分子中使用一 種矽烷偶合劑中之 CF3CF2CF2CF2CF2CF2C：F2C；F2eH2eH2_ SUOCH3)3。含有如此材料之岸堤圖案2〇係對後述之導電 材料40A(圖7(b))具有疏液性。並且，支撐基板1〇係對應 本發明中之「基板」，岸堤圖案2〇係對應本發明中之「隔 牆」。 親液層30及導電層40係於藉由岸堤圖案2〇所劃分之溝 槽’從支撐基板10之表面側依此順序充填。 親液層30係由含有氧化矽（si〇2)與氧化鈦（Ti〇2)所構成 之微粒子之親液材料30A(圖7(a))所組成，對後述之導電性 材料4〇A具有親液性。加上，由於含有氧化鈦（Ti02)之微 粒子’故照射波長4〇〇 nm以下之光時，因光觸媒反應更可 提兩親液性。如此，親液層30對導電性材料40A(圖7(b))之 親液性’係設定成比岸堤圖案2〇對導電性材料4〇A之親液 性更南°如此作為於氧化鈦分散劑分散之狀態之親液材料 3 〇A ’係例如可舉出鹽酸解膠型之銳鈦型二氧化鈦膠體溶 105952.doc -11- 1298236 液（石原產業（株）製STS_〇2(平均粒徑7 nm)、石原産業（株） 製ST_K01)、硝酸解膠型之銳鈦型型二氧化鈦膠體溶液（日 産化學（株）製ΤΑ·15(平均粒徑1211111))等。 、導電層40係以含有金屬之導電性材料4〇Α作為原料而形 成。導電性材料40Α為，含有平均粒徑1〇 nm左右之銀粒子 和作為分散媒之水之金屬微粒子分散液。為了避免銀粒子 相互凝集，故以聚合體或界面活性劑覆蓋著。藉由此構

造，於導電性材料40八中，銀粒子可於分散媒中穩定分 政έ於^"電性材料40A之金屬微粒子平均粒徑最好為5〇〇 nm 以下，特別係平均粒徑從丨nm左右到數i 〇〇 nm之微粒子乃 標記為「奈米粒子」。根據此標記，導電性材料4〇a乃含有 銀的奈米粒子。另外，此液狀之導電性材料4〇也稱為「金 屬墨水」。 層狀塗佈導電性材料40A後再以高温燒成或照射光，銀 粒子間產生融合或融著，進而生成低電阻之導電性物質之 導電層40。導電層40係作為佈線基板1中之電性導通，藉 由導電層40，於圖1中A-A，間及B-B，間電性導通著。 再者，導電性材料40A乃對應於本發明中之「第i功能 液」；親液材料30A(圖7(a))係對應本發明中之「第2功能 液」。親液材料30A及導電性材料40A，都為後述之液狀材 料111(圖3及圖4)之一種。 藉由岸堤圖案20所劃分之溝槽，以下也稱為「被吐出部 50(圖6(d))」。被吐出部50係藉由岸堤圖案2〇規定其側面°， 其底部係藉由支撐基板10之表面或親液層30之任一者規 105952.doc -12- 1298236 疋。具體來說，「被吐出部50」係也包含側面為岸堤圖案 底°卩為支撐基板10之表面之溝槽，及側面為岸堤圖案20 底部為親液層30之溝槽之任一者概念。 另外，實施本發明時，形成電氣佈線之佈置係不限於如 圖1所示之者。包含佈線之寬幅、條數、配置間隔、形狀 等之電氣佈線之布置，可因應於其目的而可自由變更。 、本實施形態之岸堤圖案2〇係具有露出支撐基板1〇表面之 複數開口部。然後，此等各複數開口部之形狀，係幾乎與 各複數電氣佈線（導電層4〇)之2唯形狀一致。總之，本實施 幵y中岸堤圖案20係具有完全包圍於後形成之各複數電 氣佈線周圍之形狀。 當然，岸堤圖案20也可由從各相互分離之複數岸堤部所 構成。例如，亦可於相離特定距離之同時，位於幾乎相互 平灯之一對岸堤部間，加邊丨個電氣佈線之2唯形狀。此情 況，於對應電氣佈線兩端部之部分可不用岸堤部。總之， 岸埏圖案20係無需完全包圍電氣佈線之2唯形狀之周圍。 (B·製造裝置） 參照圖2說明使巧於製造佈線基板1之製造裝置2。以 下，將尚未設計導電層40之佈線基板i標示為基體11(圖 6) 〇 製U裝置2，為於支撐基板丨〇上之被吐出部5 〇配置親液 材料30A及導電性材料4〇A，形成親液層3〇及導電層⑽之 裝置。製造裝置2係具備，於構成全部被吐出部5〇底部之 支撐基板10表面供給親液材料3〇A之液滴吐出裝置儿儿， 105952.doc 13 1298236 與乾燥支撐基板ίο表面上之親液材料3〇A而獲得親液層3〇 之乾燥裝置350L，與對親液層3〇照射光之光照射裝置 400L，與對全部親液層3〇上供給導電性材料4〇A之液滴吐 出裝置300C，與乾燥親液層3〇上之導電性材料4〇a而獲得 導電層40之乾燥裝置350C。 並且製造裝置2也具備以液滴吐出裝置3〇〇L、乾燥裝置 350L、光照射裝置400L、液滴吐出裝置3〇〇c、乾燥裝置 350C之順序搬送基體1丨之搬送裝置27〇。如此一來，本實 施形態之電氣佈線之形成方法乃利用2個滴液滴吐出裝 置。 (C.液滴吐出裝置之整體構造） 圖3所示之液滴吐出装置3〇〇L，係基本上為吐出親液材 料30A之喷墨裝置。更具體說明，液滴吐出裝置3〇〇乙，係 具備保持液狀材料111之儲槽101、管11()、基座Gs、吐出 頭部103、平台106、第1位置控制裝置1〇4、第2位置控制 裝置108、控制部112與支撐部i〇4a。並且，另一個液滴吐 出裝置300C之構造及功能，係基本上與液滴吐出裝置3〇〇乙 之構造及功能相同，故省略液滴吐出裝置3〇〇c之構造及功 能之說明。 吐出頭部103係保持著喷頭114(圖4)。此噴頭114係對應 於從控制部112來之信號，而吐出液狀材料m之液滴。並 且，吐出頭部103中之喷頭114係藉由管110與儲槽1〇1連結 著，因此，從儲槽101提供液狀材料U1給噴頭114。 平台106係提供固定基體^(圖6)之平面。並且，平台1〇6 105952.doc -14- 1298236 也具有使用吸引力固定基體11之位置。 第1位置控制裝置104，係藉由支撐部1〇4a從基座GS固定 於特定高度之位置。此第1位置控制裝置1〇4，係具有因應 於控制部112來之信號將吐出頭部1〇3沿著X軸方向及垂直 於X軸方向之Z軸方向移動之功能。更進一步，第1位置控 制裝置104也具有於平行Z軸之軸的周圍回轉吐出頭部1〇3 之功能。在此，本實施形態中，Z軸方向為平行於鉛直方 向（亦即重力加速度之方向）之方向。 第2位置控制裝置1 〇 8係因應於從控制部112來之信號， 於基座GS將平台106往Y軸方向移動。在此，γ轴方向為與 X軸方向及Z轴方向雙方垂直之方向。 具有如上述功能之第1位置控制裝置1〇4之構造與第2位 置控制裝置108之構造，係可使用線性馬達或伺服馬達之 習知之XY機器人而實現。因此，在此省略此等之詳細構 造之說明。 如上所述，藉由第1位置控制裝置1〇4，吐出頭部1〇3往X 軸方向移動。然後，藉由第2位置控制裝置108，基體 與平台106往Y軸方向移動。此等結果，對基體丨丨之噴頭 114之相對位置乃改變。更具體說明，藉由此等動作，吐 出頭部103、喷頭114或者噴嘴118(圖4)係對基體丨丨於乙軸方 向保持特定距離，同時相對性地於χ軸方向及丫軸方向移 動’亦即相對性掃描。「相對移動」《「相對掃描」係指 對於另-方，相對移動吐出液狀材料lu之側與從其之: 出物所著彈之側（被吐出部50)之至少一方。 105952.doc 1298236 特定圖案於基體11±賦與液狀材料⑴之資料。本實施形 態中，吐出資料係具有位元映像資料之形態。 控制部u2，係以從外部資訊處理裝置接收顯示應吐出 液狀材料m液滴之相對位置之吐出資料之方式而構成。 控制部112係將接收之吐出f料收納於内部記憶裝置之同 時，因應收納之吐出資料控制糾位置控制裝置1〇4、第2 位置控制裝置職噴頭114。另外，所謂吐出資料係指以

具有上述構造之液滴吐出裝置3〇〇L係因應吐出資料，使 喷頭m之喷嘴118(圖4)對基體⑴目對移動，且朝向被吐出 部50從噴嘴118吐出液狀材料lu。 另外，所謂以噴墨法形成層、膜或者圖t，係指使用如 液滴吐出裝置现之裝置，於特定物體上形成層、膜或圖 案0 (D·喷頭） 如圖4(a)及（b)所示，液滴吐出裝置3〇〇L中之喷頭114為 具有複數喷嘴118之喷墨頭。具體來說，噴頭114係具備振 動板126、積液處129、複數隔牆122、複數振動子124、規 疋複數喷噶118開口之喷嘴板128、供給口 130及孔13 1。積 液處129係位於振動板126與噴嘴板128間，於此積液處129 經常充填從未圖示之外部介由孔13丨賦與之液狀配向材料 11卜 複數隔牆122係位於振動板126與喷嘴板128間。然後， 藉由振動板126、喷嘴板128及一對隔牆122所包圍之部分 為空穴120。空穴120係對應噴嘴118而設置，故空穴12〇之 105952.doc -16 - 1298236 數量與喷嘴118之數量相同。藉由位於一對隔牆122間之供 給口 130，從積液處129提供液狀配向材料111給空穴120。 又，本實施形態中，喷嘴118之直徑約為27 μιη。 再者，各振動子124係對應各空穴120，而位於振動板 126上。各振動子124係含有壓電元件124C與挾持壓電元件 124C之一對電極124Α、124Β。控制部112係藉由於此一對 電極124A、124Β間賦與驅動波形，從對應之喷嘴118吐出 液狀之配向材料111之液滴D。在此，從喷嘴118，吐出之 材料體積係可變動於Opl以上42pl(—兆分之一公升）以下。 另外，以從喷嘴118往Z軸方向吐出液狀之配向材料ill之 液滴D之方式，調整喷嘴118之形狀。 本說明書中，將含有1個喷嘴118、對應喷嘴118之空穴 120、對應空穴120之振動子124之部分標示為「吐出部 127」。藉由此標示，1個喷頭114係具有與噴嘴U8之數量 相同數量之吐出部127。並且，吐出部127係亦可具有取代 壓電元件之電氣熱變換元件。總之，吐出部127係亦可具 有利用電氣熱變換元件使材料熱膨脹再吐出材料之構造。 (E·控制部） 其次’說明控制部112之構造。如圖5所示，控制部112 係具備輸入緩衝記憶體200、記憶裝置202、處理部204、 掃描驅動部206及喷頭驅動部208。輸入緩衝記憶體200與 處理部204乃可相互通信而連接著。處理部204、記憶裝置 202、掃描驅動剖206及喷頭驅動部2〇8，藉由未圖示之匯 流排而可相互通信連接著。 105952.doc -17- 1298236 掃描驅動部206係可與第丨位置控制裝置1〇4及第2位置控 制裝置108相互通信而連接著。同樣地，噴頭驅動部謂係 可與噴頭114相互通信而連接著。 輸入緩衝記憶體200，係從位於液滴吐出裝置3〇几外部 之外部資訊處理裝置（未圖示），接收吐出液狀材料iu之液 滴之吐出資料。輸入緩衝記憶體2〇〇係將吐出資料提供給 處理部，處理部2〇4係將吐出資料取入於記憶裝置2〇2。圖 5中，記憶裝置202為RAM。 ® 處理部204係基於記憶裝置2〇2内之吐出資料，將顯示對 應被吐出部50之噴嘴118之相對位置之資料供給掃描驅動 部206。掃描驅動部206係將對應此資料及吐出週期之掃描 驅動信號供給第1位置控制裝置1〇4及第2位置控制裝置 1〇8。其結果，對應被吐出部5〇之吐出頭部1〇3之相對位置 乃改變。另外，處理部2〇4係基於記憶於記憶裝置2〇2之吐 出資料，將對液狀材料111吐出時所需之吐出信號供給喷 _ 頭114。其結果，從對應喷頭114之喷嘴118，吐出液狀材 料111之液滴D。 控制部112係包含CPU、ROM、RAM、匯流排之電腦。 因此’控制部112之上述功能係藉由電腦控制之軟體程式 來實現。當然，控制部112亦可以專用之電路（硬體）來實 現。 (F·液狀之材料） 上述之「液狀之材料111」，係指從喷頭114之喷嘴118作 為液滴D吐出且具有黏度之材料。在此，液狀之材料111係 105952.doc -18 - 1298236

可為水性或油性。只要從喷嘴11 8吐出具有可流動性（黏度） 即可，即使混入固體物質，只要整體為流動體即可。在 此’液狀材料111之黏度最好為1 mPa· s以上50 mPa· s以 下。黏度為1 mPa · s以上之情況，吐出液狀材料111之液 滴D時，噴嘴丨丨8之周邊部乃不易受到液狀材料1丨丨之污 染。另外，黏度為50 mPa · s以下之情況，噴嘴118之堵塞 頻率較低’故可實現吐出圓滑之液滴D。親液材料3 〇 A及 導電性材料40A，係都符合上述條件之液狀材料。 另外，因等液狀材料111為含有微粒子之情況，其微粒 子之平均粒徑最好為1 μπι以下。符合此條件之液狀材料 111係不會有堵塞從喷頭Π4之喷嘴118且可往期望之方向 吐出。例如，親液材料3〇Α係如上所述，含有由氧化矽 (Si〇2)與氧化鈦（Ti〇2)構成之微粒子，此微粒子之平均粒 徑1 μπι以下。另外，導電性材料4〇a也含有銀粒子，但其 平均粒徑乃如上所述之1 〇 nm左右，故符合此條件。 另外，「液狀材料111」係於供給被吐出部5〇後可達成原 有功能，故也稱為「功能液」。 (G·形成方法） 然後，參照圖6及圖7，說明使用上述液滴吐出步 及300C之電氣料之形成方^ 4 首先，uv洗淨支樓基板10。然後，如圖6(a)所示，以覆 蓋支撐基板10之方式使用旋轉塗佈法，塗佈包含氟含有有 機分子之矽烷偶合劑之樹脂有機材料。藉由此，於支撐美 板10上开> 成樹脂有機薄膜20A。更進一步，以费4 ^ ^ y M覆盍整面樹 105952.doc -19· 1298236 脂有機薄膜20A之方式，藉由塗佈負型之丙烯酸系化學放 大型感光性光阻，而於樹脂有機薄膜2〇A上形成光阻層 20B。 然後，藉由光微影法圖案化光阻層2〇8及樹脂有機薄膜 20A。具體來說，如圖6(b)所示，介由對應應形成導電層 40之區域之部位具有遮光部AB之光罩pM，於光阻層2〇B 照射光hv。然後，顯影光阻層2〇B後，藉由特定之蝕刻液 蝕刻，除去未照射光hv之部分，亦即除去對應導電層之部 分之光阻層20B與對應之樹脂有機薄膜2〇A。藉此，如圖 6(c)所示’具有包圍應於後形成之導電層4〇之形狀且由樹 脂有機薄膜形成之岸堤圖案20與光阻層20B，係殘留於支 撐基板10上。其後’使用特定藥劑剝離光阻層2〇]3，於支 撐基板10上，如圖6(d)所示，形成以岸堤圖案2〇與支撐基 板10表面所規定之被吐出液50。在此，支撐基板1〇之表面 與厗堤圖案20係形成溝槽。支撲基板1 〇之表面乃構成其溝 槽之底部。 如上所述，以支撐基板10之表面成為溝槽之底部之方 式，形成岸堤圖案20。 其次’對岸堤圖案2 0表面進行電漿處理。電漿處理係將 岸堤圖案20所形成之基體11放置於含有氟碳系化合物之氣 體，賦與該氣體能量而電漿化，使其與岸堤圖案2〇之表面 產生反應。藉由此電漿處理，可提高岸堤圖案2〇之對導電 性材料40之疏液性。 然後，於形成於支撐基板10上之被吐出部5 〇，依此順序 105952.doc -20- 1298236 配置親液材料30A及導電性材料4GA。此等步驟係藉由圖2 所示之製造裝置2進行。 具有被吐出部50之基體U，係藉由搬送裝置27〇搬送到 液滴吐出裝置300L之平台106。然後，如圖7(a)所示，液 滴吐出裝置300L，以於全部被吐出部5〇可形成親液材料 30A之層之方式，從喷頭114之吐出部127吐出親液材料 30A。更具體說明，液滴吐出裝置3〇〇L係於構成被吐出部 50底部之支撐基板1〇之表面，吐出親液材料3〇。於基體u 之全部被吐出部5 0形成親液材料3 〇 A之層之情況，搬送裝 置2 70係將基體π放置於乾燥裝置350L内。然後，藉由完 全乾燥被吐出部5 0上之親液材料3 〇 A，於被吐出部5 〇形成 親液層30，如圖7(a)所示，形成以親液層為底部之被吐出 部50 〇 形成親液層3 0之基體11係藉由搬送裝置2 7 〇搬送到光照 射裝置400L。然後，光照射裝置400L係對基體^照射波長 400 nm以下之光。親液層30係對如此波長之光產生反應， 產生持有親液性較高之性質。因此，經由此光照射步驟之 親液層30，對導電性材料4〇a之親液性乃更加提高。 另外，光照射裝置400L，係如上所述照射波長400 nm以 下之光，但隨著含於親液層30之微粒子之種類，實際上助 於反應之光之波長乃不同。具體說明，含有氧化矽（Si〇2) 之微粒子與包含金屬之微粒子之親液層30，於波長400 nm 以下之光中，含有其金屬之微粒子乃與作為光觸媒功能之 波長之光產生反應。例如，本實施形態中使用之含有由氧 105952.doc -21 - 1298236 化矽（Si〇2)與氧化鈦（Ti〇2)構成之微粒子之親液層30，其 氧化鈦（Ti〇2)之微粒子乃與作為光觸媒而功能之波長38〇 nm以下之光反應。另外，僅含有氧化矽（Si〇2)微粒子之親 液層30係與波長250 nm以下之光反應。 然後’具有親液層30之基體11係藉由搬送裝置270搬送 到液滴吐出裝置300C之平台106。然後，如圖7(b)所示， 液滴吐出裝置3 0 0 C，以於全部被吐出部5 0乃形成導電性材 料40A之層之方式

—一 ΤΓ 呓Ί工刊 料40A。更具體說明之，液滴吐出裝置3〇〇c，係於構成被 吐出部50底部之親液層3〇表面，吐出導電性材料4〇a。於 全部基體11之被吐出部5〇形成導電性材料4〇A之層之情 況，搬送裝置270乃將基體丨丨放置於乾燥裝置35〇c内。然 後，於高温環境中乾燥被吐出部50上之導電性材料4〇A， 包含於導電性材料4〇A之銀粒子間產生融合或融著，而生 成低電阻之‘電性物質之導電層4〇。如此，獲得將導電層 40作為電氣佈線之佈線基板i。 但是，親液層30對導電性材料40A之親液性，係比岸堤 圖案20對導電性材料4〇A之親液性更高。其理由為於岸堤 θ案中3有作為氟之有機分子而娃院偶合劑等且電广 堤圖案20以提高疏液性’與於含有由氧化石夕⑽ο: :化鈦(T!〇2)構成之微粒子之親液性較高之親液層3〇 照射光以提高親液性。因此，彈落於構成被吐出部 =之親液層3〇表面之導電性材料4〇 ^图案卿開之同時於親液㈣上塗開。藉由如此=序 105952.doc -22- 1298236 導電性材料40A係可於親液層3〇上無不均且均一塗開，乾 燥此而獲得之導電層侧成騎有厚度均—之層。 另外1被吐出部50底部即使存有岸堤圖請殘逢之情 況’因覆蓋此殘潰形成親液層3〇,故與上述相同之理由， 可形成厚度均一之導電層4〇。

如此獲得之電氣佈線，係、由於持有無不均且厚度均一之 導電層40，故持有良好之導電特性。並且，即使電氣佈線 具有極細微之圖案之情況，藉由親液層對導電性材料 4〇A之親液性，比岸堤圖案2〇對導電性材料之親液性 更同導電性材料40係可於被吐出部50底部無不均且均一 塗開。因此，也可形成具有無不均且厚度均一之導電層4〇 及極細微圖案之電氣佈線。 (G·安裝步驟） 其次，如圖8所示，於上述步驟所製造之佈線基板1安裝 液晶面板61與半導體元件62。具體說明，於佈線基板1上 之導電層40之圖案，適當接合液晶面板61所對應之墊片或 半導體元件62所對應之墊片。如此一來，可獲得液晶顯示 袭置。如此，本實施形態之電氣佈線之形成方法，係可適 用於液晶顯示裝置60之製造。並且，本實施形態中，半導 體元件62為液晶驅動電路。 並且’本實施形態之電氣佈線之形成方法係並非僅適用 於液晶顯示裝置，也適用於各種光電裝置之製造。在此所 謂「光電裴置」係不限於複折射性之變化、旋光性之變化 或光散亂性之變化等光學特性之變化（所謂光電效果果）之 105952.doc -23- 1298236 裝置’而意味著因應於施加之信號電壓而射出、透過或反 射光之全部裝置。 具體說明，所謂光電裝置係包含液晶顯示裝置、電激發 光體顯不裝置、電漿顯示裝置、使用表面傳導型電子放出 元件之顯示器（SED ·· Surface-C〇nducti〇n Electr〇n Emitter

Display)、電場放出顯示器（FED: Field Emissi〇n Dispiay) 等之用語。 另外，本實施形態之電氣佈線之形成方法，係也適用於 包含上述光電裝置之光電元件之製造。具體來說，可適用 於形成於光電裝置之像素部之TFT(薄膜電晶體）元件、掃 描線或信號線等之電氣佈線及像素電極形成等。 並且，本實施形態之電氣佈線之形成方法，係也可適用 於各種電子機器之製造方法。例如，本實施形態之電氣佈 線之形成方法係也適用於如圖9所示之具備光電裝置5 20之 行動電話500之製造方法，也適用於圖1〇所示之具備光電 裝置62〇之個人電腦600之製造方法。 (第2實施形態） 於第1實施形態中，於形成岸堤圖案20之後，於被吐出 部50形成親液層30。另外，本實施形態中，於全部支撐基 板10表面塗佈親液層30後，於親液層30表面上形成岸堤圖 案20。然後，除了上項目，本實施形態乃基本上與第1實 施形態相同。另外，如上所述，本實施形態中’將尚未設 置導電層40之佈線基板1標示為基體11。 首先，UV洗淨支撐基板10上。之後，支撐基板1〇係藉 105952.doc -24- 1298236 由製造裝置2中之搬送裝置270搬送到液滴吐出裝置3〇〇L之 平台106。在此，液滴吐出裝置300L係以於支撐基板10上 形成親液材料30A之層之方式，從喷頭114之吐出部127吐 出親液材料3 0 A。如此，於支撐基板1 〇上形成親液材料 30A之層，再使搬送裝置270將基體11放置於乾燥裝置35〇L 内。然後，如圖11(a)所示，藉由完全乾燥親液材料3〇a， 可於支撐基板10之表面形成親液層30。 形成親液層3 0之基體11係藉由搬送裝置2 7 0搬送到光照 射裝置400L。然後，光照射裝置400L係對基體11照射波長 400 nm以下之光。親液層30係對如此波長之光發生反應， 並持有親液性較高之性質。因此，經由此步驟之親液層 30，對導電性材料40A之親液性乃更加提高。 另外，光照射裝置400L，係如上所述照射波長4〇〇 nm& 下之光’但隨著含於親液層3 0之微粒子之種類，實際上助 於反應之光之波長乃不同。具體說明，含有氧化矽（Si〇2) 之微粒子與包含金屬之微粒子之親液層30，於波長4〇〇 nm 以下之光中，含有其金屬之微粒子乃與作為光觸媒功能之 波長之光產生反應。例如，本實施形態中使用之含有由氧 化矽（Si〇2)與氧化鈦（Ti〇2)構成之微粒子之親液層3〇，其 氧化鈦（Ti〇2)之微粒子乃與作為光觸媒而功能之波長38〇 nm以下之光反應。另外，僅含有氧化矽（Si〇2)微粒子之親 液層30係對波長250 nm以下之光產生反應。 在此，基體11乃從製造裝置2取出，再經由形成岸堤圖 案20之步驟。亦即，首先如圖u(b)所示，於親液層3〇表 105952.doc -25- 1298236 面，使用旋轉塗佈法形成樹脂有機薄膜20八。並且，以覆 蓋樹脂有機薄膜20A之方式塗佈負型之丙烯酸系化學放大 型感光性光阻，於樹脂有機薄膜2〇A上形成光阻層2〇b。 其次，如圖11(c)及（d)所示，藉由光微影法圖案化光阻 層20B與樹脂有機薄膜2〇A，其後，剝離光阻層2〇B形成岸 堤圖案20。 然後，對岸堤圖案20之表面，進行提高疏液性之電漿處 理。由於光阻層20B與樹脂有機薄膜2〇a之圖案化法、光 阻層20B之剝離法及電漿處理方法乃與第}實施形態相同， 故省略詳細說明。 如此，如圖11(d)所示，於支撐基板1〇上形成以親液層3〇 作為底部之被吐出部5 〇。 形成被吐出部50之基體11，再次回到製造裝置2，並藉 由搬送裝置270搬送到液滴吐出裝置3〇〇c之平台1〇6。然 後，如圖12所示，液滴吐出裝置3〇〇c，係以於全部被吐出 邛50乃形成導電性材料4〇a之層之方式，從喷頭1 μ之吐出 部127吐出導電性材料4〇A。更具體說明之，液滴吐出裝置 300C，係於構成被吐出部5〇底部之親液層3〇之表面吐出導 電性材料40A。於全部基體u之被吐出部5〇形成導電性材 料40A之層之情況，搬送裝置27〇乃將基體丨丨放置於乾燥裝 置350C内。然後，於高温環境中乾燥被吐出部5〇上之導電 性材料40A，包含於導電性材料4〇A之銀粒子間產生融合 或融著，而生成低電阻之導電性物質之導電層4〇。如此， 獲得將導電層40作為電氣佈線之配線基板1。 105952.doc -26- 1298236

但是，親液層30對導電性材料4〇A之親液性，係比岸γ 圖案20對導電性材料40Α之親液性更高。其理由為於岸： 圖，20中含有作為氟之有機分子而石圭炫偶合劑等且電裝處 理厗堤圖案20以提高疏液性，與於含有由氧化石夕⑽2)與 氧化鈦（Ti02)構成之微粒子之親液性較高之親液⑽，更 進一步照射光以提高親液性。因此，著彈於構成被吐出部 底部之親液層3G表面之導電性材料偷之液滴，係對岸 ♦堤圖案20彈開之同時於親液層3〇上塗開。藉由如此作用， 導電性材料40A係可於親液層3〇上無不均且均一塗開，乾 燥此而獲得之導電層4〇則成為持有厚度均一之層。 C 另外，於被吐出部50底部即使存有岸堤圖案2〇殘渣之情 況，因覆蓋此殘渣形成親液層3〇,故與上述相同之理由7 可形成厚度均一之導電層。 、如此獲得之電氣佈線，係由於持有無不均且厚度均一之 導電層40，故持有良好之導電特性。並且，即使電氣 具有極細微之圖案之情況，藉由親液層30對導電性材料 椒之親液性，比岸堤圖案2〇對導電性材料4〇a之親液性 更冋，故導電性材料4〇係可於被吐出部5〇底部無不均且均 一塗開。因此’也可形成具有無不均且厚度均一之導電層 40及極細微圖案之電氣佈線。 (第3實施形態） 於第1實施形態及第2實施形態中’為形成岸堤圖案2〇而 塗佈之光阻層20B ’係於圖案化樹脂有機薄膜a及光阻 層20B後進行剝離’光阻層細本身持有對導電性材料. 105952.doc -27· 1298236 之疏液性，故也可不剝離光阻層2〇B而製造。以下，說明 使用此方式之第3實施形態。 本實施形態中之電氣佈線之形成方法，係除了以後所述 之事項之外，其他與第2實施形態中之電氣佈線之形成方 法相同。因此，省略與第2實施形態共通部分之說明。 圖13係例示本實施形態中之電氣佈線之形成方法圖。圖 1 3 (a)係例示於支撑基板10上設置親液層3 〇、樹脂有機薄膜 20A及光阻層20B後，對光阻層20B照射光再藉由光微影法 • 進行圖案化後之狀態之基體11。 在此’對光阻層20B使用由含有氟之高分子化合物構成 之光阻。由如此材料形成之光阻層2〇b，係對導電性材料 40A具有疏液性。 本實施形態中，其後乃不剝離光阻層2〇B。因此，相當 於第2實施形態中之岸堤圖案2〇之構造要素，係組合由樹 脂有機薄膜形成之岸堤圖案2〇與光阻層2〇B之者。以下， • 將組合岸堤圖案20與光阻層2〇B者稱為岸堤圖案2〇，。本實 %形悲中之被吐出部5〇之侧面，係以岸堤圖案2〇，規定。另 外’岸丨疋圖案20’係於表面具有包含疏液性之光阻層2〇b， 故^後亦可不進行提高岸堤圖案20,之疏液性之電漿處理。 」後，如圖13(b)所示，於被吐出部5〇以與實施與第2實 施形態相同之步驟形成導電層40。 於如此電氣佈線中，導電層40成為無不均且厚度均-之 θ ^乃因親液層30對導電性材料40A之親液性乃比岸堤 圖案20對V電性材料4〇A之親液性高，其結果導電性材料 105952.doc -28- 1298236 料40A對岸堤圖案20,彈開之同眛 ^ ^ — j <丨j時，於親液層30上塗開。 藉由本實施形態之形成方法 风石凌所形成之電性佈線，係可獲 得與第2實施形態之形成方法所形成之電氣佈線相同之效 果果並纟纟實施形態之製造方法中，無需進行光阻層 2〇B之剝離步驟與岸堤圖案2G’之電聚處理步驟，故可簡略 電氣佈線之形成步驟。 以上’說明本發明之實施㈣，對於上述實施形態係於 不脫離本發明主旨之範圍，可施加各種變形。作為變形例 係可考量例如以下之例。 (變形例1) 於上述各實施形態中，兩個不同之液滴吐出裝置300L及 300C係各吐出親液材料3〇A及導電性材料4〇a。取代如此 構這，1個液滴吐出裝置（例如液滴吐出裝置3〇〇l)亦可全 部吐出此等之液狀材料。此情況，此等液狀材料係可從液 滴吐出裝置300L中之各別不同之喷嘴118吐出，或者可從 液滴吐出裝置300L中之i個喷嘴i丨8吐出。從i個噴嘴^ U吐 出此等2種液狀材料之情況，於切換液狀材料時，追加一 個洗淨從儲槽1 〇 1到噴嘴11 8之路徑之步驟即可。 (變形例2) 於第2實施形態及第3實施形態中，親液層3〇係使用液滴 吐出裝置300L再藉由喷墨法形成，但其他只要為塗佈液狀 材料之方法，以任一方法形成即可。可適用於親液層3〇形 成方法係可舉出口模式塗佈法、旋轉塗佈法、凹板塗模 法、反輥塗抹方法、刮棒塗佈法、斜板塗佈法、微凹板塗 105952.doc -29- 1298236 模、浸潰塗佈法、膠版印刷法及網板印花法等。 (變形例3) 於上述各實施形態中，親液材料3〇八係含有由氧化矽 (Si〇2)與氧化鈦（Ti〇2)構成之微粒子，但亦可獨立含有之 氧化矽（Si〇2)粒子與氧化鈦（Ti〇2)粒子。另外，也可為僅 含有氧化矽（Si〇2)微粒子之材料。或者，取代氧化鈦 (Ti〇2)，亦可為含有從氧化鋅（Zn0)、氧化錫（Sn〇2)、鈦酸 鳃（SrTi3)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)及氧化鐵（Fe2…） 中之至少一種所形成之微粒子。如此之親液材料30A係對 導電性材料40A具有親液性。 另外，親液材料30A係亦可為含有由氧化矽、氧化鈦、 氧化鋅、氧化錫、鈦酸勰、氧化鎢、氧化絲及氧化鐵之中 之至少一種以上之組成組合所形成之微粒子之材料。更進 步，可使用含有以氧化矽塗佈氧化鈦或氧化鋅等之上述 金屬之微粒子之材料。如此之親液材料3〇A也對導電性材 料40A具有親液性。 (變形例4) 於上述各實施形態中，為了提高親液層30之親液性而對 親液層30照射波長4〇〇 nm#下之光，但此步驟可省略。此 情況，親液層30之對導電性材料40A之親液性雖然降低， 但仍然比岸堤圖案2〇對導電性材料40A之親液性高。因 此，藉由此變形例係可省略照射光之步驟，故可簡略電氣 佈線之形成步驟。 (變形例5) 105952.doc -30- 1298236 於上述各實施形態中，於，岸堤圖案20包含具有氟之有 機分子，具體來說為含有矽烷偶合劑之一種之 CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2-CH2CH2-Si(OCH3)3，但也可 使用除此以外之梦炫偶合劑。所谓碎烧偶合劑為以 R^SiXimx^-m)表示之化合物，在此R1表示為有機基，X1 及X2表示為-OR2、-R2、-Cl，R2表示為炭素數為1至4任一 者之烷基，m為1至3任一者之整數。為了使岸堤圖案2〇持 有疏液性，作為適用包含於岸堤圖案20之矽烷偶合劑之例 子，係可舉出〇卩3(€?2)3<1120：112-81(〇(：113)3、€?3(€?2)6-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)6-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)ii-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)3_ CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2 ' CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2 ' CF3(CF2)rCH2CHrSi(CH3)(OC2H6)2 、 CF3(CF2)8-CH2CHrSi(C2H6) (OC2H6)2、CF30(CF20)6-CH2CHrSi(0C2H5)3、CF30(C3F60)rCH2CH2-Si(OCH3)3、CF30(C3F60)2(CF20)rCH2CHrSi(0CH3)3、CF30(C3F60)8-CH2CH2-Si(OCH3)3 、 CF30(C4F80)6-CH2CH2-Si(0CH3)3 、 CF30(C4F80)8-CH2CH2-Si(CH3)(0C2H5)2、CF30(C3F6〇VCH2CHr Si(C2H6)(OCH3)2 等。 另外，取代上述之矽烷偶合劑，亦可使用含有氟之界面 活性劑。界面活性劑係以Wy1表示之化合物，在此Y1為親 液性之極性基，亦即，-OH、-(CH2CH20)nH、-COOH、 -COOK、-COONa、_P〇3H2、-P03Na2、-Ρ03Κ2、-N02、 -NH2、-NH3C1(銨鹽）、-NH3Br(銨鹽）、ENHCl(吡啶銪鹽）、 ENHBr(吡啶鏽鹽）等。為了使岸堤圖案20持有疏液性，作 105952.doc -31- 1298236 為適用包含於岸堤圖案20之界面活性劑之例子，係可舉出 CFrCH2CH2-C00Na、CF3(CF2)3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)6-CH2- NH3Br > CF3(CF2)6-CH2CH2-NH3Br > CF3(CF2)7-CH2CH2-NH3Br > CF3(CF2)irCH2CH2-NH3Br > CF3(CF2)3-CH2CH2-NH3Br ^ CF3(CF2)7-CH2CH2-OS03Na、CF3(CF2)5-CH2CH2-OS03Na、CF3(CF2)rCH2CH2-0S03Na、CF30(CF20)6-CH2CH2-0S03Na、CF30(C3F60)4-CH2CH2· 0S03Na、CF30(C3F60)2(CF20)_CH2CH2_0S03Na、CF30(C3F60)5-CH2CHr0S03Na、CF30(C4F80)5-CH2CH2-0S03Na、CF30(C4F80)5· CH2CH2-0S03Na、CF30(C3F60)4-CH2CH2-0S03Na等。 上述之矽烷偶合劑及界面活性劑，由於分子之末端官能 基乃對構成基板表面之原子做化學性吸著，故金屬或絶緣 體乃於寬廣材料之氧化物表面顯示反應性。因此，可作為 於助疏液之有機分子使用。特別係此等包含於矽烷偶合劑 及界面活性劑之R1乃如全氟烷基構造CnF2n+1或全氟烷醚構 造CpF2P+10(CpF2p0)r(n、p、r為整數）含有氟原子之情況， 可作為疏液性物質而適當使用。此乃因藉由如此石夕烧偶合 劑及界面活性劑所修飾之固體表面之表面自由能量乃比25 mJ/m2低，故具有充分之疏液性。 另外，亦可對岸堤圖案20使用疏液性高之高分子化合 物。作為疏液性高之高分子化合物，係可使用於分子内含 有氟原子之低聚合物或聚合物。具體說明之，係可使用具 有四氟化聚乙烯（PTFE)、乙浠一四氟化乙烯共聚物、六氟 化丙烯一四氟化乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯（PVdF)、聚（十 五氟庚基曱基丙烯酸乙酯）(PPFMA)、及聚（全氟辛基丙烯 105952.doc -32- 1298236 酸乙酯）等之長鏈全氟烷基構造之聚乙烯、聚酯、聚丙烯 酸酯、聚甲基丙烯酸鹽、聚乙烯、聚氨基曱酸酯、聚砂氧 烷、聚醯亞胺及聚碳酸酯系之高分子化合物等。 (變形例6) 於第3實施形態中，於光阻層20B使用由含有氟之高原子 化合物構成之光阻，但亦可使用混合含有氟之有機分子之 光阻。藉由如此光阻所形成之光阻層20B，係對導電性材 料40A持有疏液性。因此，與第3實施形態相同地，可助於 形成無不均且厚度均一之導電層40。含有氟之有機分子係 最好為上述之界面活性劑。具體來說，可使用 NIHONSURFACTANT工業製的 NIKKOL BL、BC、BO、BB 之各系列等之烴系、DuPont製的ZONYL FSN、FSO、旭硝 子製的Sarfron S-141，145、大日本油墨化學工業製的 MEGAFAC F-141，144、NEOS 製的 FTERGENT 系列1^-200，F251、DAIKIN工業製的 Unidyne DS-401，402、3M 製的 Fluorad FC-170，176、JEMCO 製的 EFTOP EF 系列、 等之氟系之離子界面活性、或者陽離子系、陰離子系、雨 性界面活性剤。此等界面活性劑係可藉由調整添加於光阻 之種類及數量，任意設定光阻之疏液性。 (變形例7) 上述各實施形態中，圖案化樹脂有機薄膜20A與光阻層 20B而形成岸堤圖案20，但對光阻層20B使用含有疏液性 之材料之情況，亦可僅由光阻層20B形成岸堤圖案20。更 具體説明，不塗佈樹脂有機薄膜20A而塗佈光阻層20，其 105952.doc -33 - 1298236 後’將圖案化光阻層20B之者作為岸堤圖案20即可。以如 此方法形成岸堤圖案20之情況，由於親液層30之對導電性 材料4〇A之親液性比岸堤圖案20對導電性材料40A之親液 性高，故可形成厚度均一之導電層4〇。 (變形例8) 於第1實施形態及第2實施形態中，對岸堤圖案2〇之表面 進仃電漿處理，但亦可省略此步驟。此情況，親液層3〇之 子V電〖生材料40a之親液性雖然降低，但可省略電漿處理 步驟，故可簡略化電氣佈線之形成步驟。 (變形例9) 上述之各實施形態中，導電性材料4〇A為包含銀粒子與 作為刀政媒之水之金屬微粒子分散液，但除了銀粒子之外 尚可使用由各種材料形成之粒子。具體來說可使用由含有 金、鉑、銀、銅、鎳、鉻、铑、鈀、鋅、鈷、鉬、釘、 鶴餓、銀、鐵、|孟、錯、锡、錄、旋及姻t U i 之元件之金屬、合金、金屬氧化物所形成之粒子，特別最 ，由金、銀、m ITQ(銦錫氧化物）、at〇(録锡 乳化物）所形成之粒子。另夕卜，此等之粒子為了可於分散 媒中穩定分散，故最好由重合物或界面活性劑覆蓋。 導電性材料40Α係可為以水為溶媒之金屬合物之 溶液。金屬錯體化合物，也稱為配位化合物，於其中心具 有由金屬離子、金屬、合金或金屬氧化物所形成之導電: 粒子’並以離子或分子包圍其周圍之化合物。具體說明 之，可使用其中心具有以包含由金、麵、銀、鋼、錄、 105952.doc -34- 1298236 鍺爹巴、辞、話、錮、釘、鶴、鐵、銥、鐵、盆、 錫錄叙及銦中之1種以上之元素之金屬離子、金 2、合金、金屬氧化物所構成之導電性粒子之金屬錯體化 合物。配位子係可任意選擇。由如此金屬錯體化合物之溶 液所形成之導電性材料4〇A，塗佈此並以高温燒成或照射 光，於中心之導電性粒子間產生融合或融著， 阻之導電性物質之導電層4〇。 低電 另外，構成導電性材料40A之金屬微粒子分散液之分散 媒及金屬錯體化合物溶液之溶煤雖然為水，但若為可分散 銀粒子等之導電性粒子者且不引起凝集者即無特別限定。 例如，除了水之外，尚可例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、 已醇、辛醇、環已醇等之醇類、正丁烧、辛燒、癸貌、Η 貌、14炫、16烧、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、暗媒、 節、雙戊稀、四氫化萘、十氫化奈乙二醇、已烷、環已 基苯等之烴系化合物；或乙二醇二甲_、乙二醇二乙醚、 乙二醇甲基乙基醚、〔乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、 二乙二醇甲乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2_曱氧基乙 基）醚、P-二噁烷等醚系化合物、再者，碳酸丙烯酯、丁 内酯、Ν-曱基-2-吡喀烷酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞 砜、環己酮等極性化合物。此等中，以與岸堤圖案2〇間之 疏液性之強度之觀點來看，最好為表面張力較高者，或者 以對導電性粒子之分散性與分散液之穩定性或對液滴吐出 法（喷墨法）之適用容易之觀點來看，最好為水、醇類、烴 系化合物、醚系化合物。作為最好之分散媒係可舉出水、 105952.doc -35- 1298236 煙系化合物等。 (變形例10) 於上述實施形態中’於由聚醯亞胺所構成之支撐基板10 上設置多層構造。但，取代如此支撐基板1 0，利用陶瓷基 板、玻璃基板、環氧樹脂、玻璃環氧樹脂基板或矽基板 等，也可獲得與上述實施形態中所說明之效果。 【圖式簡單說明】 圖1係例示佈線基板構造之模式圖。 圖2係例示電氣佈線之製造裝置之模式圖。 圖3係例示液滴吐出裝置之模式圖。 圖4(a)及（b)係例示液滴吐出裝置之喷頭之模式圖。 圖5為液滴吐出裝置中之控制部功能區塊圖。 圖6(a)至（d)為第1實施形態之電氣佈線形成方法之說明 圖。 圖7(a)及（b)為第1實施形態之電氣佈線形成方法之說明 圖。 圖8係例示第1實施形態之液晶顯示裝置之模式圖。 圖9係例示第1實施形態之行動電話之模式圖。 圖10例示第1實施形態之個人電腦之模式圖。 、 圖11(a)至（d)為第2實施形態之電氣佈線形成方法之說明 圖。 圖12係為第2實施形態之電氣佈線形成方法之說明圖。 圖13(a)及（b)為第3實施形態之電氣佈線形成方法之說明 圖0 105952.doc •36- 1298236

【主要元件符號說明】 1 佈線基板 2 製造裝置 10 支撐基板 11 基體 20 岸堤圖案 20A 樹脂有機薄膜 20B 光阻層 30 親液層 30A 親液材料 40 導電層 40A 導電性材料 50 被吐出部 60 液晶顯不裝置 61 液晶面板 62 半導體元件 101 儲槽 103 吐出頭部 104 第1位置控制裝置 104a 支撐部 106 平台 108 第2位置控制裝置 110 管 111 液狀材料 105952.doc -37- 1298236 112 控制部 114 喷頭 118 喷嘴 120 空穴 122 隔牆 124 振動子 124A 電極 124C 壓電素子 126 振動板 127 吐出部 128 喷嘴板 130 供給口 131 200 輸入緩衝記憶體 202 記憶裝置 204 處理部 206 掃描驅動部 208 喷頭驅動部 270 搬送裝置 300L， 300C 液滴吐出裝置 350L， 350C 乾燥裝置 400L 光照射裝置 500 行動電話 600 個人電腦 105952.doc -38-

Claims (1)

1. 年 ·97 n 以更)正本 Π9^&642ΐ86號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(97年1月） 十、申請專利範圍： 1.二電：佈線之形成方法，其特徵係藉由利用液滴吐出 裝置配置功能液而形成電氣佈線者，且包含 、於基板上，以基板之表面成為溝槽之底部之方式，带 成規定前述溝槽之隔牆之形成步驟Α，· y 於前述底部上，形成對於第1 Λ & ^ 之親液性比前述 U對於4第丨功能液之親液㈣要高之親液層 驟B ;及 於前述親液層上，使用液滴吐出裝置配置 前述第1功能液之步驟c。 '’屣 2. 請求項！之電氣佈線之形成方法，其中前述步卿，係含 :於前述底部上配置包切微粒子之第2功能液而形成 鈿述親液層之步驟。 3. 如請求項2之電氣佈線之形成方法，其中前述第2功能液 2更，步含有包含氧化欽、氧化辞、氧化錫、鈦酸 “乳化鹤、氧化M及氧化鐵中之至少_種之微粒子。 4·如請求項1之電氣佈線之形成方法，其中前述步驟B，係 包各於:述底部上，配置含有包含氧化石夕、氧化鈦、氧 化^、乳化錫、銥酸銘、氧化鶴、氧化叙及氧化鐵中之 X上之組成組合之微粒子之第2功能液，形成 剷述親液層之步驟。 5·如明求項2至4中任一項之電氣佈線之形成方法，其甲前 述微粒子之平均粒捏係1 μπι以下。 6·如咕求項1至4中任一項之電氣佈線之形成方法，其中前 105952-970108.doc 1298236 ____l t 〇8 f 月P旮(更>正本 述步:A ’係包含由混合含有氟^高分子化合物之光P且 开> 成則述隔牆之步驟。 7·如咕求項1至4中任一項之電氣佈線之形成方法，其中前 述7驟A ’係包含由混合含有氟之有機分子之光阻形成 前述隔牆之步驟。 •種電氣佈線之形成方法，其特徵係藉由利用液滴吐出 裝置配置功能液而形成電氣佈線者，且包含 ‘；、〃板上形成對於第1功能液之親液性比隔牆對於 前述功能液之親液性還要高之親液層之步驟A ; 、於月j述親液層上’以前述親液層成為溝槽底部之方 式，形成規定前述溝槽之隔牆之步驟B;及 、j別述底邻上，使用液滴吐出裝置配置含有金屬之前 述第1功能液之步驟c。 9. 如請求項8之電氣佈線之形成方法，其中前述步驟A，係 包!於前述底部上配置含㈣微粒子之第2功能液，形 成如述親液層之步驟。 10. 如明求項9之電氣佈線之形成方法’纟中前述第2功能液 係更進一步含有包含氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、鈦酸 錄、氧化鶴、氧㈣及氧化鐵中之至少_種之微粒子。 項8之電氣佈線之形成方法，其中前述步驟A，係 =於㈣底部上，配置含有包含氧切、氧化欽、氧 小—减錫、欽㈣、氧化鎢、氧㈣及氧化鐵中之 前‘親Γ:上：組成組合之微粒子之第2功能液，形成 則述親液層之步驟。 105952-970108.doc 1298236 Γ:旮（更)正本 12 ·如請求項9至11中# 一項之電氣佈線 前述微粒子之平均粒裡係—以下。成方法 13·如請求項8至U中任一 頁之電氟佈線之形成方法，Α中 前述步驟Β，係包含由 化成方法，、中 田此口 3有氟之鬲分子化合物之光 阻形成前述隔牆之步爾。 I4·如凊求項8至11中住—笞 尸 , 項之電氣佈線之形成方法，其中 前述步驟Β，係包令±、Β人人+ ^ ^ 由化&含有氣之有機分子之光阻形 成前述隔牆之步驟。 15·如請求項8至11中任 τ仗項之電氣佈線之形成方法，其係 更進一步包含於前述親液層照射光之步驟。 16·如明求項15之電氣佈線之形成方法，其中前述光之波長 係400 nm以下。 17·如π求項1至4及8至1丨中任一項之電氣佈線之形成方 法，其中前述隔牆係包含含有氟之有機分子。 18·如明求項i至4及8至1丨中任一項之電氣佈線之形成方 法，其係包含使用將氟碳化物作為反應氣體，電漿處理 前述隔牆表面之步驟。 105952-970108.doc