CN1791306A - 电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法 - Google Patents

电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法 Download PDF

Info

Publication number
CN1791306A
CN1791306A CNA2005100228146A CN200510022814A CN1791306A CN 1791306 A CN1791306 A CN 1791306A CN A2005100228146 A CNA2005100228146 A CN A2005100228146A CN 200510022814 A CN200510022814 A CN 200510022814A CN 1791306 A CN1791306 A CN 1791306A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electric distribution
formation method
oxide
lyophily
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100228146A
Other languages
English (en)
Inventor
丰田直之
平井利充
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1791306A publication Critical patent/CN1791306A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/17Ink jet characterised by ink handling
    • B41J2/175Ink supply systems ; Circuit parts therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562Details of resist
    • H05K2203/0568Resist used for applying paste, ink or powder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明利用液滴喷出装置,形成具有均匀厚度的导电层的电配线。本发明的电配线的形成方法包括:以使基板的表面成为沟槽的底部的方式,形成规定所述沟槽的隔壁的工序A;在所述底部上,形成亲液层的工序B,该亲液层具有对第一功能液的亲液性高于所述隔壁对所述第一功能液的亲液性;在所述亲液层上,利用液滴喷出装置付与含有金属的所述第一功能液的工序C。

Description

电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法
技术领域
本发明涉及电配线的形成方法、配线基板的制造方法、电光元件的制造方法、电子仪器的制造方法、配线基板、电光元件和电子仪器,特别是涉及应用喷墨法适宜的电配线的形成方法。
背景技术
利用液滴喷出装置,用喷墨法形成电配线的技术,已经知道专利文献1所公开的技术。此技术,是对墨水接纳层上给与含有无电解电镀催化剂的墨水,形成图案,其后,利用无电解电镀法,在相应图案上形成导电性金属的技术。
近几年,为了形成更微细的配线,正在开发如下的技术。是在基板上,以应该配置的配线图案镶边的方式形成叫做围堰(bank)图案的隔壁,向由此围堰图案和基板表面所制作的沟槽,给与金属墨水而形成电配线的技术。根据这样的技术,由围堰图案间隔决定配线的宽度,所以和不利用围堰图案的情况相比可以形成更微细的配线。
在此,为了形成均匀厚度的电配线,有必要将给予上述沟槽底部的金属墨水均匀湿润展开在所述底部。为此,作为围堰图案的材料,利用对金属墨水具有疏液性的材料或对围堰图案表面进行等离子体处理而使其具有对金属墨水的疏液性的方式,使上述底部对金属墨水的疏液性相对高于围堰图案对金属墨水的亲液性。
[专利文献1]:特开2000-311527号公报
然而,在上述的方法中,在形成图案围堰图案之际,如果沟槽的底部产生残渣,则存在:不能使所述底部的亲液性相对高于围堰图案,金属墨水不能均匀湿润扩展在所述底部的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述的情形而进行的,其目的之一,提供一种通过使隔壁具有疏液性的同时使沟槽的底部确实具有亲液性的方式,将金属墨水没有偏差地以均匀厚度给与所述底部可能的电配线的形成方法。
根据本发明,利用液滴喷出装置的电配线的形成方法,包括:在基板上,以使基板的表面成为沟槽的底部的方式,形成规定所述沟槽的隔壁的工序A;在所述底部上,形成亲液层的工序B,该亲液层具有对第一功能液的亲液性高于所述隔壁对所述第一功能液的亲液性;和在所述亲液层上,利用液滴喷出装置配置含有金属的所述第一功能液的工序C。
根据上述的构成所获得的效果之一,是可以均匀厚度形成导电性材料。
优选上述构成中的工序B包括:在所述底部上配置含有二氧化硅(SiO2)的第二功能液而形成所述亲液层的工序。此第二功能液,还可以含有由氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、钛酸锶(SrTi3)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、以及氧化铁(Fe2O3)中的至少一种所构成的微粒。
另外,所述工序B也可以包括:在所述底部上配置由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。或者所述工序B也可以包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅,与氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
根据上述的构成所获得的效果之一,亲液层对导电性材料具有亲液性。
并且,优选上述的微粒的平均粒径是1μm以下。
通过满足上述的条件而所获得的效果之一,是利用液滴喷出装置喷出功能液之际,不会堵塞,可以向所希望的方向喷出功能液。
另外,所述工序A可以包括:由含有氟的高分子化合物或含有氟的有机分子所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
根据上述的构成所获得的效果之一,是能进而提高可以均匀厚度形成导电性材料的本发明的效果。
根据本发明,利用液滴喷出装置的电配线的形成方法,包括:在基板上,形成亲液层的工序A,此亲液层具有对第一功能液的亲液性高于所述隔壁对所述第一功能液的亲液性;在所述亲液层上,以所述亲液层成为沟槽的底部的方式,形成规定所述沟槽的隔壁的工序B;在所述底部上,和利用液滴喷出装置配置含有金属的所述第一功能液的工序C。
根据上述的构成所获得的效果之一,是可以以均匀厚度形成导电性材料。
优选上述构成中的工序A包括:在所述底部上配置含有二氧化硅(SiO2)微粒的第二功能液而形成所述亲液层的工序。所述第二功能液还可以含有氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、钛酸锶(SrTi3)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、以及氧化铁(Fe2O3)中的至少一种所构成的微粒。
另外,所述工序A还可以包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。或者所述工序A还可以包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅,与氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
根据上述构成所获得的效果之一是亲液层具有对导电性材料的亲液性。
并且,上述微粒的平均粒径希望是1μm以下。
满足上述的条件而所获得的效果之一,是利用液滴喷出装置喷出功能液之际,不会堵塞,可以向所希望的方向喷出功能液。
另外,所述工序B还可以包括:由含有氟的高分子化合物或含有氟的有机分子所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
根据上述的构成所获得的效果之一,是可以进而能提高以均匀厚度形成导电性材料的本发明的效果。
本发明的某一方式中包括向所述亲液层照射光的工序,优选此时的光的波长是400nm。
根据上述构成所获得的效果之一,是提高亲液层对导电性材料的亲液性。
本发明的其他方式中,所述隔壁是包括含有氟的有机分子。
根据上述构成所获得的效果之一,是隔壁具有对导电性材料的亲液性。
本发明的其他方式中,包括:利用碳氟化合物类化合物的反应气体而进行所述隔壁表面的等离子体处理的工序。
根据上述构成所获得的效果之一是进而提高隔壁对导电性材料的疏液性。
另外,可以用种种方式来实现本发明。具体地,可以作为配线基板的制造方法、电光元件的制造方法和电子仪器的制造方法来实现。另外,根据本发明的配线基板的制造方法所制造的配线基板是具有均匀厚度的电配线。具备这些基板的电光元件和电子仪器具有均匀厚度的电配线,所以可以实现良好的电特性。
附图说明
图1是表示配线基板的构成的模式图。
图2是表示电配线的制造装置的模式图。
图3是表示液滴喷出装置的模式图。
图4(a)和(b)是表示液滴喷出装置中的喷头的模式图。
图5是表示液滴喷出装置的控制部功能的框图。
图6(a)~(d)是说明第一实施方式的电配线的形成方法的图。
图7(a)(b)是说明第一实施方式的电配线的形成方法的图。
图8是表示第一实施方式的液晶显示装置的模式图。
图9是表示第一实施方式移动电话的模式图。
图10是表示第一实施方式的个人用计算机的模式图。
图11(a)~(d)是说明第二实施方式的电配线的形成方法的图。
图12是说明第二实施方式的电配线的形成方法的图。
图13(a)和(b)说明第三实施方式的电配线的形成方法的图。
图中:1-配线基板,2-制造装置,10-支持基板,11-基体,20-围堰图案,20A-树脂有机薄膜,20B-抗蚀剂层,30-亲液层,30A-亲液材料,40-导电层,40A-导电性材料,50-被喷出部,60-液晶显示装置,61-液晶面板,62-半导体元件,101-箱子,103-喷头部,104-第一位置控制装置,104a-支持部,106-载物台,108-第二位置控制装置,110-管,111-液态材料,112-控制部,114-头,118-喷嘴,120-腔室,122-隔壁,124-振子,124A-电极,124C-压电元件,126-振动板,127-喷出部,128-喷嘴板,130-供给口,131-孔,200-输入缓冲存储器,202-存储装置,204-处理部,206-扫描驱动部,208-喷头驱动部,270-输送装置,300L、300C-液滴喷出装置,350L、350C-干燥装置,400L-光照射装置,500-移动电话机,600-个人用计算机。
具体实施方式
下面,结合图说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)
(A、配线基板)
图1是配线基板1的立体图,所述配线基板具有利用本实施方式的电配线的形成方法所形成的电配线。另外,图1中的C-C′线位置的X-Z平面是对应于图7(b)所表示的平面。
配线基板1包括:由聚酰亚胺构成的支持基板10、围堰图案20、亲液层30和导电层40。在此,围堰图案20和亲液层30均位于支持基板10上。另外,导电层40位于亲液层30上。这样,围堰图案20是加工由含有氟的有机分子所构成的有机薄膜而形成的。更具体地,在这个有机分子利用了作为硅烷偶合剂的一种的CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2-Si(OCH3)3。含有这些材料的围堰图案20对后面要叙述的导电性材料40A(图7(b))具有疏液性。另外,支持基板10对应于本发明的「基板」,围堰图案20对应于本发明的「隔壁」。
亲液层30和导电层40是从支持基板10的表面一侧按照这个顺序充填在围堰图案20所划区的沟槽中。
亲液层30是含有由二氧化硅(SiO2)和氧化钛(TiO2)所构成的微粒的亲液材料30A(图7(a))所构成,对后面要叙述的导电性材料40A具有亲液性。并且还含有氧化钛(TiO2)的微粒,所以,如果照射波长为400nm的光,则由于光催化反应更能提高亲液性。这样,亲液层30对导电性材料40A(图7(b))的亲液性被设定为,高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性。这样的、作为分散在氧化钛分散剂状态的亲液材料30A,可以举出:例如,盐酸 解胶型的锐钛矿型氧化钛溶胶(石原产业(株)制STS-02(平均粒径7nm)、石原产业(株)制ST-K01)、硝酸解胶型的锐钛矿型氧化钛溶胶(日产化学(株)制TA-15(平均粒径12nm))等。
导电层40是含有金属的导电性材料40A作为原料而形成的。导电性材料40A是金属微粒分散液,其具有平均粒径为10nm的银粒子和作为分散介质的水。为了防止银粒子的互相凝结,银粒子是由聚合物或表面活性剂被覆。通过这样的结构,在导电性材料40A中,银粒子稳定分散在分散介质中。优选导电性材料40A所含有的金属微粒的平均粒径为500nm以下,平均粒径为1nm左右到几百nm的特别表记为「纳米粒子」。根据此表记,导电性材料40A含有银的纳米粒子。另外,此液态的导电性材料40A也叫做「金属墨水」。
层状地涂布导电性材料40A之后,如果以高温烧成或照射光,就在银粒子之间产生熔合或熔敷,生成作为低电阻导电性物质的导电层40。导电层40承担配线基板1的电导通,由导电层40在图1中的A-A′之间和B-B′之间导通。
另外,导电性材料40A对应于本发明中的「第一功能液」,亲液材料30A(图7(a)对应本发明的「第二功能液」。亲液材料30A和导电性材料40A均为后面要叙述的液态材料111(图3、图4)的一种。
由围堰图案20所划区的沟槽以下也叫做「被喷出部50(图6(d))」。被喷出部50被围堰图案20规定其侧面,支持基板10的表面或亲液层30规定其底部。具体地,「被喷出部50」是均含有:侧面为围堰图案20、底部为支持基板10的表面的沟槽;和侧面为围堰图案20、底部为亲液层30的沟槽的概念。
另外,实施本发明时,所形成的电配线的格式不限于图1所示的形态。配线的宽度、条数、配置间隔、形状包括在内的电配线的格式是可以按照目的而自由改变。
本实施方式的围堰图案20具有露出支持基板10表面的多个开口部。并且,这些多个开口部的各自的形状大体和多个电配线(导电层40)的各自的2维形状一致。即,在本实施方式中,围堰图案20具有完全包围以后形成的多个电配线的各自的周围的形状。
当然,围堰图案20可以由各自互相分离的多个围堰部所构成。例如,也可以只离开规定距离、且在位于大体平行的一对围堰部之间,取一个电配线的2维形状的边框。此种情况下,在对应电配线的两端部的部分,也可以没有围堰部。即,围堰图案20没有必要完全包围电配线的2维的形状。
(B、制造装置)
结合图2说明,利用于制造配线基板1的制造装置2。下面将设置导电层40之前的配线基板1表记为基体11(图6)。
制造装置2是用于对支持基板10的被喷出部50配置亲液材料30A和导电性材料40A而形成亲液层30和导电层40的装置。制造装置2备有:对构成所有被喷出部50之底部的支持基板10的表面,给与亲液材料30A的液滴喷出装置300L;干燥支持基板10表面上的亲液材料30A而获得亲液层30的干燥装置350L;向亲液层30照射光的光照射装置400L;对所有亲液层30给与导电性材料40A的液滴喷出装置300C;和干燥亲液层30上的导电性材料40A而获得导电层40的干燥装置350C。
并且,制造装置2还备有将基体11按顺序向液滴喷出装置300L、干燥装置350L、光照射装置400L、液滴喷出装置300C、干燥装置350C输送的输送装置270。这样,本实施方式的电配线的形成方法利用两个液滴喷出装置。
(C、液滴喷出装置的全体构成)
图3所示的液滴喷出装置300L基本上是为了喷出亲液材料30A的喷墨装置。更具体地,液滴喷出装置300L备有:保持液态材料111的箱子101、管110、基地台GS、喷头部103、载物台106、第一位置控制装置104、第二位置控制装置108、控制部112、支持部104a。另外,另一个液滴喷出装置300C的结构和功能,基本上和液滴喷出装置300L结构和功能相同,所以省略液滴喷出装置300C的结构和功能的说明。
喷头部103保持着头114(图4)。此头114按照来自控制部112的信号,喷出液态材料111的液滴。另外,在喷头部103的头114,通过管110联结在箱子101上,因此,从箱子101向头114供给液态材料111。
载物台106提供,为了固定基体11(图6)的平面。并且,载物台106还具有,利用吸引力来固定基体11位置的功能。
第一位置控制装置104,通过支持部104a,被固定在离开基地台GS规定高度的位置。该第一位置控制装置104具有:按照来自控制部112的信号,沿着X轴方向、正交于X轴方向的Z轴方向移动喷头部103的功能。并且,第一位置控制装置104还具有:以围绕平行于Z轴的轴旋转来旋转喷头部103的功能。在此,本实施方式中,Z轴方向是平行于垂直方向(即重力加速度方向)的方向。
第二位置控制装置108,按照来自控制部112的信号,在基地台GS上向Y轴方向移动载物台106。在此,Y轴方向是指,既正交于X轴方向又正交于Z轴方向的方向。
具有上述功能的第一位置控制装置104的构成和第二位置控制装置108的构成,可以利用线形电动机或伺服电动机的众所周知的XY机械手来实现。因此,在此省略其构成的详细说明。
如上所述,通过第一位置控制装置104,喷头部103向X轴方向移动。并且,通过第二位置控制装置108,基体11和载物台106一起向Y轴方向移动。其结果,头114对基体11的相对位置可以变化。更具体地,通过这些工作,喷头部103、头114或喷嘴118(图4)对基体11一边在Z轴方向保持规定距离,一边向X轴方向和Y轴方向相对移动即相对扫描。所谓「相对移动」或「相对扫描」是指:使喷出液态材料111的一侧、和来自那里的喷出物弹落的一侧(被喷出部50)的至少一方,相对于另一方相对移动。
控制部112构成为从外部信息处理装置接收:表示应该喷出液态材料111之液滴的相对位置的喷出数据。控制部112将所接收的喷出数据存储在内部存储装置,并且,按照所存储的喷出数据来控制第一位置控制装置104、第二位置控制装置108、头114。另外,所谓喷出数据,是在基体11上以规定图案给与液态材料111用的数据。在本实施方式中,具有位图数据的形态。
具有上述构成的液滴喷出装置300L,按照喷出数据,使头114的喷嘴118(图4)对基体11相对移动的同时,从喷嘴118向被喷出部50喷出液态材料111。
另外,所谓利用喷墨法形成层、膜或图案是指:利用液滴喷出装置300L在规定的物体上形成层、膜或图案。
(D、头)
如图(a)和(b)所示,在液滴喷出装置300L的头114是具有多个喷嘴118的喷墨头。具体地,头114备有:振动板126、贮液处129、多个隔壁122、多个振子124、规定多个喷嘴118的开口的喷嘴板128、供给口130和孔131。贮液处129位于振动板126与喷嘴板128之间,从省略图示的外部箱子通过孔131所供给的液态取向材料111总是充填在这个贮液处129。
多个隔壁122位于振动板126与喷嘴板128之间的。另外,由振动板126、喷嘴板128、一对的隔壁122所包围的部分就是腔室120。腔室120是对应喷嘴118设置的,所以腔室120的个数和喷嘴118个数相同。在腔室120上,通过位于一对隔壁122的供给口130,从贮液处129,供给液态取向材料111。另外,在本实施方式中,喷嘴118的直径约为27μm。
在振动板126上,对应各自的腔室120分别设有振子124。各自的振子124包括:压电元件124C、夹住压电元件124C的一对电极124A、124B。通过控制部112对该一对电极124A、124B给与驱动波形的方式,从对应的喷嘴118喷出液态取向材料111的液滴。在此,从喷嘴118喷出的材料的体积是在0pl以上42pl(微微升)以下之间可以变化。另外,从喷嘴118向Z轴方向喷出液态的取向材料111的液滴的方式,调整了喷嘴118的形状。
在本说明书中,将含有一个喷嘴118、对应于喷嘴118的腔室120、对应于腔室120的振子124的部分表记为「喷出部127」。根据此表记,一个头114具有和喷嘴118的数目相同数目的喷出部127。另外,喷出部127具有电热转换元件来可以替代压电元件。即喷出部127的构成可以具有利用电热转换元件材料的热膨胀来喷出材料的构成。
(E、控制部)
下面,说明控制部112的构成。如图5所示,控制部112备有:输入缓冲存储器200、存储装置202、处理部204、扫描驱动部206、头驱动部208。输入缓冲存储器200与处理部204之间是相互通信可能地连接着。处理部204、存储装置202、扫描驱动部206、头驱动部208之间是用省略图示的总线来相互通信可能地连接着的。
扫描驱动部206是与第一位置控制装置104、第二位置控制装置108相互通信可能地连接着的。同样,头驱动部208是与头114相互通信可能地连接着的。
输入缓冲存储器200,从位于液滴喷出装置300L外部的外部信息处理装置(省略图示),接收用于喷出液态材料111的液滴的喷出数据。输入缓冲存储器200向处理部204供给喷出数据,处理部204将喷出数据存储在存储装置202。在图5中,存储装置202是RAM。
处理部204根据存储装置202内的喷出数据,将表示喷嘴118对被喷出部50的相对位置的数据给与扫描驱动部206。扫描驱动部206将与此数据、喷出周期相应的扫描驱动信号给与第一位置控制装置104和第二位置控制装置108。其结果,喷头部103对被喷出部50的相对位置在变化。另一方面,处理部204根据存储在存储装置202的喷出数据,喷出液态材料111所必要的喷出信号给与头114。其结果,从头114的对应喷嘴118喷出液态材料111的液滴D。
控制部112是含有CPU、ROM、RAM、总线的计算机。从而,控制部112的上述功能是利用计算机可以执行的软件程序来实现。当然,控制部112可以用专用电路(硬件)来实现。
(F、液态材料)
上述的「液态材料111」是指:从头114的喷嘴118作为液滴D而喷出的有粘度的材料。在此,不管液态材料111是液性还是油性,只要从喷嘴118能够喷出的流动性(粘度)就可以,即使混入固体物质作为全体具有流动体就可以。在此,优选液态材料111粘度为1mPa·s以上50mPa·s以下。粘度为1mPa·s以上的情况下,喷出液态材料111之际,喷嘴118的周围部不易被液态材料111污染。另一方面,粘度为50mPa·s以下的情况下,喷嘴118的堵塞频度小,因此,可以实现液滴D的顺利的喷出。亲液材料30A和导电性材料40A均为满足上述条件的液状体材料。
另外,这些液态材料111含有微粒的情况下,优选其微粒的平均粒径为1μm以下。满足这个条件的液态材料111是从头114的喷嘴118不会堵塞向所要方向喷出。例如,如上所述,亲液材料30A含有二氧化硅(SiO2)和氧化钛(TiO2)所构成的微粒,但该微粒的平均粒径是1μm以下。另外,导电性材料40A也含有银粒子,如上所述,其平均粒径为10nm左右,满足这个条件。
另外,「液态材料111」给与被喷出部50后发挥固有的功能,所以也叫做「功能液」。
(G、形成方法)
接着,结合图6和图7,说明利用了上述的液滴喷出装置300L、300C的电配线的形成方法。
首先,对支持基板10进行UV清洗。然后,如图6(a)所示,利用旋转涂布法,以覆盖支持基板10的方式,涂布含有氟有机分子的硅烷偶合剂的树脂有机材料。这样,在支持基板10上形成树脂有机薄膜20A。并且,以覆盖树脂有机薄膜20A全面的方式,通过涂布负片型丙烯类化学增幅型感光性抗蚀剂,在树脂有机薄膜20A上形成抗蚀剂层20B。
接着,用光刻法对抗蚀剂层20B和树脂有机薄膜20A进行图案形成。具体地,如图6(b)所示,在应该形成导电层40的区域相对应的部位,通过具有遮光部AB的光掩模PM,向抗蚀剂层20B照射光hv。然后,显影抗蚀剂层20B后,通过利用规定的蚀刻液进行蚀刻,去掉没有照射光hv的部分即对应于导电层40部分的抗蚀剂层20B和对应的树脂有机薄膜20A。由此,如图6(c)所示,具有包围以后应该形成导电层40形状的、由树脂有机薄膜所构成的围堰图案20和抗蚀剂层20B残留在支持基板10上。然后,利用规定的药液剥离抗蚀剂层20B,在支持基板10上,如图6(d)所示,形成由围堰图案20和支持基板10的表面所规定的被喷出部50。在此,所谓支持基板10的表面和围堰图案20具有沟槽形状。支持基板10的表面构成其沟槽的底部。
如上所述,形成围堰图案20,使支持基板10的表面成为沟槽底部。
接着,对围堰图案20的表面进行等离子体处理。等离子体处理是将已形成围堰图案20的基体11,暴露在含有碳氟类化合物的气体中,将能量给与相应气体而等离子体化,与围堰图案20的表面进行反应来进行。由于该等离子体处理,可以更能提高围堰图案20对导电性材料40A的疏液性。
接着,在支持基板10上已形成的被喷出部50上,按照顺序配置亲液材料30A、和导电性材料40A。这些工序由图2所示的制造装置2进行。
通过输送装置270将具有被喷出部50的基体11输送到液滴喷出装置300L的载物台106。然后,如图7(a)所示,滴喷出装置300L从头114的喷出部127喷出亲液材料30A,以便在被喷出部50的全部上形成亲液材料30A的层。更具体地,滴喷出装置300L向构成被喷出部50底部的支持基板10的表面,喷出亲液材料30A。在基体11的所有的被喷出部50上已形成亲液材料30A的层的情况下,输送装置270使基体11位于干燥装置350L内。然后,通过完全干燥被喷出部50上的亲液材料30A,在被喷出部50上形成亲液层30,如图7(a)所示,形成以亲液层30为底部的被喷出部50。
已形成亲液层30的基体11,通过输送装置270将输送到光照射装置400L。然后,光照射装置400L对基体11照射波长为400nm以下的光。亲液层30具有:在这样波长的光下起反应,使亲液性提高的性质。从而,经过此光照射工序的亲液层30提高对导电性材料40A的亲液性。
另外,如上所述,光照射装置400L照射波长为400nm以下的光,但是,根据亲液层30所含有的微粒的种类,对实际反应起作用的波长是不同的。具体地,含有二氧化硅(SiO2)的微粒和含有金属微粒等的亲液层30,与波长为400nm以下的光中的、含有其金属的微粒作为光催化剂发挥功能的光进行反应。例如,本实施方式中利用的,含有由二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)所构成的微粒的亲液层30,与氧化钛(TiO2)微粒起光催化剂的功能的、380nm以下的光进行反应。另外,只含有二氧化硅(SiO2)的微粒的亲液层30,与波长250nm的光进行反应。
接着,通过输送装置270,将具有亲液层30的机体11输送到液滴喷出装置300C的载物台106。然后,如图7(b)所示,滴喷出装置300C从头114的喷出部127喷出导电性材料40A以便在被喷出部50全部上形成导电性材料40A的层。更具体地,滴喷出装置300C向构成被喷出部50底部的亲液层30的表面,喷出导电性材料40A。在基体11的所有被喷出部50上已形成导电性材料40A的层的情况下,输送装置270使基体11位于干燥装置350C内。然后,如果高温气氛中干燥被喷出部50上的导电性材料40A,则含有在导电性材料40A的银粒子之间产生熔合或熔敷,生成低电阻的导电性物质的导电层40。这样,获得导电层40作为电配线的配线基板1。
但是,亲液层30对导电性材料40A的亲液性高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性。这是因为:在围堰图案20中含有了作为含有氟的有机分子的硅烷偶合剂等,且将围堰图案20进行等离子体处理而提高了疏液性,对含有二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)所构成的微粒的亲液性高的亲液层30,进一步照射光而提高了亲液性。因此,弹落在构成被喷出部50的亲液层30表面的导电性材料40A的液滴,相对于围堰图案20进行排斥的同时,湿润扩展在亲液层30上。通过这样的作用,导电性材料40A均匀湿润扩展在亲液层30上,干燥这些而获得的导电层40变成具有均匀厚度的层。
另外,即使在被喷出部50的底部存在围堰图案20的残渣的情况下,已形成了覆盖该残渣的亲液层30,所以,由于上述同样的理由,可以形成均匀厚度的导电层40。
这样获得的电配线具有均匀厚度的导电层40,所以具有良好的导电特性。并且,即使电配线具有极其微细的图案的情况下,由于亲液层30对导电性材料40A的亲液性高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性,导电性材料40均匀湿润扩展在被喷出部50的底部。因此,也可以形成:具有均匀厚度的导电层40的、极其微细图案的电配线。
(G、安装工序)
下面,如图8所示,在上述工序来已制造的配线基板1上,安装液晶面板61和半导体元件62。具体地,在配线基板1上的导电层40的图案上适当粘接液晶面板61所对应的焊盘(pad)或半导体元件62所对应的焊盘。这样,本实施方式的电配线的形成方法可以应用于液晶显示装置60的制造。另外,在本实施方式中,半导体元件62是液晶驱动电路。
并且,本实施方式的电配线的形成方法,不仅应用于液晶显示装置的制造还可以应用于各种电光学装置的制造。在此所说的「电光学装置」是指并不限定在利用双折射性变化、旋光性变化或光散射性变化等的光学特性变化(所谓电光学效果)的装置,而意味着:适应信号电压的施加而射出、透过或反射光的所有装置。
具体地,所谓电光学装置是含有液晶显示装置、电致发光显示装置、等离子体显示装置、利用表面传导型电子发射元件的显示器(SED:Surface-Conduction Electron-Emitter Display)、场致发射显示器(FED:FieldEmission Display)的用语。
另外,本实施方式的电配线的形成方法也可以应用于含有上述电光学装置的电光元件的制造。具体地,可以应用于电光学装置像素部形成的TFT(薄膜晶体管)元件、扫描线或信号线和像素电极的形成等。
并且,本实施方式的电配线的形成方法可以应用于各种电子仪器的制造方法。例如,本实施方式的电配线的形成方法可以应用于图9所示的、具备电光学装置520的移动电话机500的制造方法,也可以应用于图10所示的、具备电光学装置620的个人用计算机的制造方法。
(第二实施方式)
在第一实施方式中,形成了围堰图案20后,在被喷出部50上形成了亲液层30。另一方面,在本实施方式中,在支持基板10的表面全体上涂布亲液层30后,在亲液层30的表面上形成围堰图案20。除了这一点以外,本实施方式和第一实施方式基本上相同。另外,如上所述,在本实施方式中,将设置导电层40以前的配线基板1表记为基体11。
首先,对支持基板10上面进行UV清洗。然后,由制造装置2的输送装置270将支持基板10输送到液滴喷出装置300L的载物台106。在此,液滴喷出装置300L,从头114的喷出部127喷出亲液材料30A,以便在支持基板10上形成亲液材料30A的层。这样,如果在支持基板10上已形成亲液材料30A的层,则输送装置270使基体11位于干燥装置350L内。然后,如图11(a)所示,完全干燥亲液材料30A而在支持基板10的表面形成亲液层30。
已形成亲液层30的基体11,由输送装置270被输送到光照射装置400L。然后,光照射装置400L对基体11照射波长400nm以下的光。亲液层30具有在这样波长的光下起反应而提高亲液性的性质。从而,经过该工序的亲液层30提高对导电性材料40A的亲液性。
另外,光照射装置400L虽然照射如上述的波长为400nm的光,但是,根据亲液层30中所含的微粒的种类,实际上对反应起作用的光的波长是不同的。具体地,含有二氧化硅(SiO2)的微粒和含有金属微粒等的亲液层30,与波长为400nm以下的光中的、含有其金属的微粒作为光催化剂功能的光进行反应。例如,本实施方式中所利用的、含有由二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)所构成的微粒的亲液层30是与氧化钛(TiO2)微粒起光催化剂的功能的、380nm以下的光进行反应。另外,只含有二氧化硅(SiO2)的微粒的亲液层30与波长250nm的光进行反应。
在此,基体11从制造装置2被取出后,经过形成围堰图案20用的工序。即,首先,如图11(b)所示,利用旋转涂布法在亲液层30的表面形成树脂有机薄膜20A。并且,以覆盖树脂有机薄膜20A的全面的方式,通过涂布负片型丙烯化学增幅型感光性抗蚀剂层,在树脂有机薄膜20A上,形成抗蚀剂层20B。
其次,如图11(c)和(d)所示,通过光刻法进行抗蚀剂层20B和树脂有机薄膜20A的图案形成,然后,剥离抗蚀剂层20B而形成围堰图案20。
接着,对围堰图案20的表面,进行:为了提高疏液性的等离子体处理。抗蚀剂层20B和树脂有机薄膜20A的图案形成法、抗蚀剂层20B的剥离法、和等离子体处理的方法和第一实施方式相同,所以省略详细的说明。
这样,如图11(d)所示,在支持基板10上形成亲液层30为底部的被喷出部50。
已形成被喷出部50的基体11再度返回到制造装置2,由输送装置270输送到液滴喷出装置350C的载物台106。然后,如图12所示,滴喷出装置300C从头114的喷出部127喷出导电性材料40A,以便在所有被喷出部50形成导电性材料40A的层。更具体地,滴喷出装置300C向构成被喷出部50底部的亲液层30的表面,喷出导电性材料40A。在基体11的所有被喷出部50已形成导电性材料40A的层的情况下,输送装置270使基体11位于干燥装置350C内。然后,如果高温气氛中干燥被喷出部50上的导电性材料40A,则含有在导电性材料40A的银粒子之间产生熔合或熔敷,生成低电阻的导电性物质的导电层40。这样获得导电层40作为电配线的配线基板1。
但是,亲液层30对导电性材料40A的亲液性,高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性。这是因为:在围堰图案20中含有了作为含有氟的有机分子的硅烷偶合剂等,且将围堰图案20进行等离子体处理而提高了疏液性,对含有二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)所构成的微粒的亲液性高的亲液层30进一步照射光而提高了亲液性。因此,弹落在构成被喷出部50的亲液层30的表面的导电性材料40A的液滴,相对于围堰图案20进行排斥的同时,湿润扩展在亲液层30上。由于这样的作用,导电性材料40A均匀湿润扩展在亲液层30上,干燥这些而获得的导电层40成为具有均匀厚度的层。
另外,即使在被喷出部50的底部存在围堰图案20的残渣的情况下,已形成了覆盖该残渣的亲液层30,所以,由于和上述同样的理由,可以形成均匀厚度的导电层40。
这样获得的电配线具有均匀厚度的导电层40,所以具有良好的导电特性。并且,即使电配线具有极其微细的图案的情况下,由于亲液层30对导电性材料40A的亲液性高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性,导电性材料40均匀湿润扩展在被喷出部50的底部。因此,也可以形成具有均匀厚度的导电层40的、极其微细图案的电配线。
(第三实施方式)
在第一实施方式和第二实施方式中,为了形成围堰图案20而涂布的抗蚀剂层20B是在树脂有机薄膜20A和抗蚀剂层20B图案形成后剥离的,但是,使抗蚀剂层20B自体具有对导电性材料40A的疏液性,而不剥离抗蚀剂层20B也可以制造抗蚀剂层20B。在下面,说明利用此方式的第三
实施方式。
本实施方式的电配线的形成方法是除了后面要叙述的事项以外和第二实施方式的电配线的形成方法相同。因此,对于和第二实施方式相同的部分省略其说明。
图13是表示本实施方式的电配线的形成方法的图。图13(a)是表示:在支持基板10上设置亲液层30、树脂有机薄膜20A和抗蚀剂层20B后,向抗蚀剂层20B照射光后通过光刻法进行图案形成状态的基体11。
在此,在抗蚀剂层20B中利用了由含有氟的高分子化合物所构成的光致抗蚀剂。由这样的材料所形成的抗蚀剂层20B具有对导电性材料40A的疏液性。
在本实施方式中,此后,不剥离抗蚀剂层20B。从而,相当于第二实施方式的围堰图案20的构成要素变成为:树脂有机薄膜所构成的围堰图案20和抗蚀剂层20B加在一起的构成。下面,将围堰图案20和抗蚀剂层20B加在一起的称为围堰图案20′。本实施方式中的被喷出部50的侧面,由围堰图案20′所规定。并且,围堰图案20′在表面具有疏液性的抗蚀剂层20B,所以,也可以不进行为了提高围堰图案20′的疏液性的等离子体处理。
接着,如图13(b)所示,和第二实施方式同样的工序,在被喷出部50上形成导电层40。
这样获得的电配线中,导电层40变为均匀厚度的层。这是因为:亲液层30对导电性材料40A的亲液性高于围堰图案20′对导电性材料40A的亲液性,其结果,导电性材料40A排斥围堰图案20′的同时、要湿润扩展在亲液层30的缘故。
用本实施方式的形成方法所形成的电配线,可以获得和第二实施方式的形成方法所形成的电配线同样的效果。但是在本实施方式中没有必要进行抗蚀剂层20B的剥离工序和围堰图案20′的等离子体处理工序,所以可以简化电配线的形成工序。
如上,说明了本发明的实施方式,但在不脱离本发明的宗旨的范围内对上述的实施方式可以进行种种变形。作为变形例可以考虑如下的。
(变形例1)
在上述的每一个实施方式中,两个不同的液滴喷出装置300L、300C分别喷出亲液材料30A和导电性材料40A。但也可以使一个液滴喷出装置(例如,液滴喷出装置300L)全部喷出这些液态材料,以替代上述的构成。此种情况下,这些液态材料可以是由液滴喷出装置300L的不同的喷嘴118喷出,也可以是从液滴喷出装置300L的一个喷嘴118喷出。从一个喷嘴118喷出这些两种液态材料的情况下,转换液态材料之际,只要追加清洗自箱子101到喷嘴118为止的路径的工序就可以。
(变形例2)
在第二实施方式和第三实施方式中,用液滴喷出装置300L,利用喷墨法形成了亲液层30,但是,除此之外,只要是涂布液态材料的方法,哪种方法都可以。在亲液层30的形成方面应用可能的方法,可以举例出:挤压涂布法、旋转涂布法、影印涂布法、双面涂胶辊涂布法、棒涂布法、微缝涂布法(slit coating)、显微照相凹版涂布法、浸渍涂布法、苯胺印刷法和网板印刷法等。
(变形例3)
在上述的每一个实施方式中,亲液材料30A含有二氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)所构成的微粒,但也可以是含有独立的二氧化硅(SiO2)粒子和独立的氧化钛(TiO2)粒子。另外,也可以是只含有二氧化硅(SiO2)微粒的材料。或可以用氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、钛酸锶(SrTi3)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、以及氧化铁(Fe2O3)中的至少一种所构成的微粒来替代氧化钛(TiO2)。这样的亲液材料30A具有对导电性材料40A的亲液性。
另外,亲液材料30A可以含有二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒。进一步地,可以利用含有由氧化钛、氧化锌等的上述金属被二氧化硅涂布的微粒的材料。这样的亲液材料30A也具有对导电性材料40A的亲液性。
(变形例4)
在上述的变形例中,为了提高亲液层30的亲液性,对亲液层30照射了波长为400nm以下的光,但也可以省略此工序。此种情况下,即使亲液层30对导电性材料40A亲液性降低,但还是高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性。从而,根据这个变形例,可以省略光照射工序,所以可以简化电配线的形成工序。
(变形例5)
在上述的每一个实施方式中,围堰图案20利用了含有氟的有机分子,具体地利用了含有硅烷偶合剂的一种的CF3CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2-CH2CH2-Si(OCH3)3,但也可以利用除此之外的硅烷偶合剂。所谓硅烷偶合剂是用R1siX1mX2(3-m)表示的化合物,在此,R1是表示有机基,X1和X2是表示-OR2、-R2、-Cl,R2是表示碳原子数1至4的任意一种的烷基,m是表示1至3的任意整数。为了使围堰图案20具有疏液性,作为含在围堰图案20中的合适的硅烷偶合剂的例子,可以举出:CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)6-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)6-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(OC2H6)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H6)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H6)(OC2H6)2、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F8O)6-CH2CH2-Si(OCH3)3、-CF3O(C4F8O)6-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H6)(OCH3)2、等。
另外,利用含有氟的表面活性剂来可以替代上述的硅烷偶合剂。所谓的表面活性剂是用R1Y1来表示的化合物,在此,Y1是疏液性的极性基,即-OH-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl(铵盐)、-NH3Br(铵盐)、≡NHCl(吡啶鎓盐)、≡NHBr(吡啶翁盐)等。作为为了使围堰图案20具有疏液性而在围堰图案20中可含有的适宜的表面活性剂,例如,可以举出:CF3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)6-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)6-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)2-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)11-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)3-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)8-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C4F8O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na等。
上述的硅烷偶合剂、和表面活性剂是分子末端官能团化学性地吸附在构成基板表面的原子上,所以对金属或绝缘体为首的广泛的材料的氧化物表面上呈现反应性。因此,可以利用于作为疏液性作贡献的有机分子。特别是,含有在这些硅烷偶合剂或表面活性剂的R1含有全氟烷基结构CnF2n+1或全氟烷基醚结构CpF2p+1O(CpF2pO)r(n、p、r是整数)那样含有氟原子情况下,可以适宜利用于疏液性物质。这是因为:这样的硅烷偶合剂或表面活性剂所修饰的固体表面的表面自由能低于25mj/m2,所以具有充分的疏液性。
另外,疏液性高的高分子化合物也可以利用于围堰图案20。作为疏液性高的高分子化合物可以利用分子内含有氟原子的、低聚物或聚合物。具体地,可以利用:聚4氟乙烯(PTFE)、乙烯4氟化乙烯共聚物、6氟化丙烯4氟化乙烯共聚物、聚偏氟乙烯(PVdF)、聚(十五氟代庚基乙基甲基丙烯酸酯)(PPFMA)、和聚(全氟辛基乙基丙烯酸酯)等的长链全氟烷基结构的聚乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯化合物(polyvinyl)、聚氨酯、聚硅氧烷、聚酰亚胺、和聚碳酸酯类的高分子化合物等。
(变形例6)
在第三实施方式中,在抗蚀剂层20B中利用了含有由氟的高分子化合物所构成的抗蚀剂,但可以利用混合含有氟的有机分子的抗蚀剂。由这样的抗蚀剂所形成的抗蚀剂层20B对导电性材料40A具有疏液性。因此,和第三实施方式同样,可以以均匀的厚度形成导电层40。作为含有氟的有机分子优选上述的表面活性剂。具体地,可以利用:日本サ一フアクタント工业制造的NIKKOL BL、BC、BO、BB的每一个系列等的烃类、杜邦公司制造的ZOZYL、FSN、FSO、旭硝子制造的萨富隆S-141,145、大日本油墨公司制造的メガフアク F-141、144、NEOS(ネオス)制造的Ftergent(フタ一ジエント)F-200、F251、DAIKIN(ダイキン)工业制造的Unidyne(ユニダイン)DS-401、402、3M制造的Frorard(フロラ一ド)FC-170、176、JEMCO制造的氟表面活性剂(Fluoro Surfactantsエフトツプ)EF-系列等的氟系的非离子表面活性剂或阳离子系、阴离子系、两性表面活性剂。这些表面活性剂,通过调整添加在抗蚀剂的种类和量,可以任意设定抗蚀剂的疏液性。
(变形例7)
在上述的每一个实施方式中,对树脂有机薄膜20A和抗蚀剂层20B进行图案形成而形成了围堰图案20,但在抗蚀剂层20B中利用有疏液性材料的情况下,也可以只由抗蚀剂层20B形成围堰图案20。更具体地,对有机薄膜20A不涂布树脂而涂布抗蚀剂层20B,然后,图案形成抗蚀剂层20B的作为围堰图案20就可以。即使用这样的方法形成围堰图案20的情况下,也是亲液层30对导电性材料40A的亲液性,高于围堰图案20对导电性材料40A的亲液性,所以,可以形成均匀厚度的导电层40。
(变形例8)
在第一实施方式和第二实施方式中,对围堰图案20的表面进行了等离子体处理,但也可以省略此工序。此种情况下,虽然围堰图案20对导电性材料40A的疏液性降低,但是省略了等离子体处理,所以可以简化电配线的形成工序。
(变形例9)
在上述的每一个实施方式中,导电性材料40A是金属微粒分散液,其具有银的粒子和作为分散介质的水,但是,除了银粒子以外还可以利用其他材料所构成的种种材料。具体地,可以利用由含有金、白金、银、铜、镍、铬、铑、钯、锌、钴、钼、钌、钨、锇、铱、铁、锰、锗、锡、锑、镓和铟中的一种以上元素的金属、合金、金属氧化物所构成的粒子,特别是利用由金、银、铜、镍、锰、ITO(铟锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)所构成的粒子为优选。另外,为了使这些粒子稳定分散在分散介质中,优选用聚合物或表面活性剂来被覆。
导电性材料40A可以是水为溶剂的金属络合物的溶液。金属络合物又叫做配位化合物,在中心具有由金属离子、金属、合金或金属氧化物所构成的导电性粒子,并由离子或分子包围其周围的化合物。具体地,可以利用:在中心具有由含有金、白金、银、铜、镍、铬、铑、钯、锌、钴、钼、钌、钨、锇、铱、铁、锰、锗、锡、锑、镓和铟中的一种以上元素的金属离子、金属、合金、金属氧化物所构成的、具有导电性粒子的金属络合物。配位子可以任意选择。由这样的金属络合物溶液所构成的导电性材料40A,如果涂布之后用高温烧成或照射光,则中心的导电性粒子之间也产生熔合或熔敷,生成作为低电阻导电性物质的导电层40。
另外,虽然构成导电性材料40A的金属微粒分散液的分散介质和金属络合物溶液的溶剂为水,但是,只要可以分散银粒子等的导电性粒子而不产生凝聚的物质,就没有特别的限制。例如,除了水以外,还可以举出:甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、辛醇、环己醇等的醇类;正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜烯、茆、双戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己烷、环己基苯等的烃类化合物;乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1,2二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等的醚类化合物;还有碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N二甲基甲酰胺、二甲亚砜、α-萜品醇、环己酮等的极性化合物。其中,从提高与围堰图案20间的疏液性的角度而言表面张力大的为优选,另外,导电性粒子的分散性和分散液的稳定性或液滴喷出法(喷墨法)的应用容易程度而言水、醇类、烃类化合物、醚类化合物为优选。作为更好的分散介质可以举出水、烃类化合物。
(变形例10)
在上述的实施方式中,在由聚酰亚胺所构成的支持基板10上,设置多层结构。然而,利用陶瓷基板、玻璃基板、环氧树脂基板、玻璃环氧树脂基板或二氧化硅基板来替代这样的支持基板10也可以获得上述实施方式中所说明的同样效果。

Claims (26)

1、一种电配线的形成方法,通过利用液滴喷出装置配置功能液而形成电配线,其特征在于,其中具有:
在基板上,使基板的表面成为沟槽的底部的方式,形成规定所述沟槽的隔壁的工序A;
在所述底部上,形成亲液层的工序B,该亲液层具有对第一功能液的亲液性高于所述隔壁对所述第一功能液的亲液性;和
在所述亲液层上,利用液滴喷出装置配置含有金属的所述第一功能液的工序C。
2、根据权利要求1所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序B包括:在所述底部上配置含有二氧化硅的第二功能液而形成所述亲液层的工序。
3、根据权利要求2所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述第二功能液还含有由氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种所构成的微粒。
4、根据权利要求1所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序B包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
5、根据权利要求1所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序B包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅,与氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
6、根据权利要求2至5的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述微粒的平均粒径是1μm以下。
7、根据权利要求1至6的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序A包括:由含有氟的高分子化合物所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
8、根据权利要求1至6的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序A包括:由含有氟的有机分子所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
9、一种电配线的形成方法,通过利用液滴喷出装置配置功能液而形成电配线,其特征在于,其中具有:
在基板上,形成亲液层的工序A,该亲液层具有对第一功能液的亲液性高于所述隔壁对所述第一功能液的亲液性;
在所述亲液层上,以使所述亲液层成为沟槽的底部的方式,形成规定所述沟槽的隔壁的工序B;
在所述底部上,利用液滴喷出装置配置含有金属的所述第一功能液的工序C。
10、根据权利要求9所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序A包括:在所述底部上配置含有二氧化硅的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
11、根据权利要求10所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述第二功能液还含有由氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种所构成的微粒。
12、根据权利要求9所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序A包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
13、根据权利要求9所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序A包括:在所述底部上配置含有由二氧化硅,与氧化钛、氧化锌、氧化锡、钛酸锶、氧化钨、氧化铋、以及氧化铁中的至少一种以上的组成的组合所构成的微粒的第二功能液,形成所述亲液层的工序。
14、根据权利要求10至13的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述微粒的平均粒径是1μm以下。
15、根据权利要求9至14的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序B包括:由含有氟的高分子化合物所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
16、根据权利要求9至14的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述工序B包括:由含有氟的有机分子所混合的光致抗蚀剂形成所述隔壁的工序。
17、根据权利要求1至16的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中还包括:
向所述亲液层照射光的工序。
18、根据权利要求17所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述光的波长是400nm以下。
19、根据权利要求1至16的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中
所述隔壁包括含有氟的有机分子。
20、根据权利要求1至16的任一项中所述的电配线的形成方法,其特征在于,其中包括:
反应气体中利用碳氟化合物类化合物而进行所述隔壁表面的等离子体处理的工序。
21、一种配线基板的制造方法,其特征在于,其中
包含了权利要求1至20的任一项中所述的电配线的形成方法。
22、一种电光元件的制造方法,其特征在于,其中
包含了权利要求1至20的任一项中所述的电配线的形成方法。
23、一种电子仪器的制造方法,其中包含了权利要求1至20的任一项中所述的电配线的形成方法。
24、一种配线基板,其特征在于,其中
利用权利要求21所述的配线基板的制造方法来制造。
25、一种电光元件,其特征在于,其中具备权利要求24所述的配线基板。
26、一种电子仪器,其特征在于,其中具备权利要求24所述的电光学装置。
CNA2005100228146A 2004-12-10 2005-12-08 电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法 Pending CN1791306A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004357716A JP4096941B2 (ja) 2004-12-10 2004-12-10 電気配線の形成方法、配線基板の製造方法、電気光学素子の製造方法、電子機器の製造方法、配線基板、電気光学素子、および電子機器
JP2004357716 2004-12-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1791306A true CN1791306A (zh) 2006-06-21

Family

ID=36584264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100228146A Pending CN1791306A (zh) 2004-12-10 2005-12-08 电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060127564A1 (zh)
JP (1) JP4096941B2 (zh)
KR (1) KR20060065489A (zh)
CN (1) CN1791306A (zh)
TW (1) TWI298236B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103660540A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 中国科学院理化技术研究所 电子器件印刷装置
CN109414724A (zh) * 2016-06-27 2019-03-01 东丽工程株式会社 涂布图案形成方法、涂布图案形成装置和带涂布图案的基材

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4305478B2 (ja) * 2006-08-11 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 液状体の吐出方法、配線基板の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機el発光素子の製造方法
WO2008146611A1 (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Konica Minolta Holdings, Inc. インク受容基材およびそれを用いた導電性パターンの作製方法
JP6453622B2 (ja) * 2014-11-21 2019-01-16 デクセリアルズ株式会社 配線基板の製造方法、及び配線基板
JP6722492B2 (ja) * 2016-04-06 2020-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3646784B2 (ja) * 2000-03-31 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜パタ−ンの製造方法および微細構造体
JP4149161B2 (ja) * 2001-12-06 2008-09-10 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法およびパターン製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103660540A (zh) * 2012-09-25 2014-03-26 中国科学院理化技术研究所 电子器件印刷装置
CN109414724A (zh) * 2016-06-27 2019-03-01 东丽工程株式会社 涂布图案形成方法、涂布图案形成装置和带涂布图案的基材

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006165422A (ja) 2006-06-22
TW200628031A (en) 2006-08-01
KR20060065489A (ko) 2006-06-14
US20060127564A1 (en) 2006-06-15
JP4096941B2 (ja) 2008-06-04
TWI298236B (en) 2008-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1284997C (zh) 导电膜配线的形成方法、膜结构体、电光学装置以及电子仪器
CN1234152C (zh) 导电膜图案及其形成方法、配线基片、电子器件、机器及介质
CN1298019C (zh) 薄膜图形形成方法、器件及有源矩阵基板的制造方法
CN1261973C (zh) 表面处理方法及膜图案的形成方法
CN1222413C (zh) 图案的形成装置及方法、导电膜布线的制造方法及电子器件
CN1791306A (zh) 电配线的形成法、配线基板和电光元件及电子仪器的制法
CN101060071A (zh) 膜图案的形成方法、有源矩阵基板的制造方法
CN1756456A (zh) 图案形成结构及形成方法、器件及电光学装置、电子仪器
CN1870860A (zh) 电子基板的制造方法、半导体装置及电子机器的制造方法
CN1748294A (zh) 半导体制造装置
CN1855389A (zh) 导电膜的形成方法以及电子设备的制造方法
CN1870250A (zh) 膜图案的形成法、有源矩阵基板、电光装置、电子仪器
CN1501436A (zh) 膜图案的形成方法、薄膜制造装置、导电膜布线
CN1770958A (zh) 图案形成结构及形成方法、器件及电光学装置、电子仪器
CN1575102A (zh) 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备
CN1777349A (zh) 配线图案的形成方法、器件的制造方法、器件和电子设备
CN1596063A (zh) 图案形成方法、导电性薄膜、电光学装置、电子机器
CN1866519A (zh) 围堰构造、布线图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器
CN1842255A (zh) 多层构造基板的制造方法
CN1769988A (zh) 薄膜图案基板、器件的制造方法、电光学装置及电子设备
CN1862780A (zh) 薄膜晶体管的制造方法、电光学装置以及电子机器
CN1571117A (zh) 表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置
CN1530227A (zh) 电光面板、电子仪器的制造方法及电光面板、电光装置和电子仪器
CN1770959A (zh) 布线图案及膜图案形成方法、半导体装置、电光学装置及电子机器
CN1819146A (zh) 有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication