KR20060051656A - 제어 방법, 온도 제어 방법, 온도 조절기, 열처리 장치,프로그램 및 기록 매체 - Google Patents

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KR20060051656A
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마사히토 타나카
요스케 이와이
이쿠오 난노
타카아키 야마다
토시로 미야치
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오므론 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 웨이퍼(1)를, 온도의 편차가 억제된 균일한 온도로 열처리하기 위한 조정 작업을 용이하게 행할 수 있도록 한다. 각 채널의 설정 온도를 변화시킨 때의 반도체 웨이퍼(1)의 온도 변화를, 온도 센서(6a 내지 6c)로 계측하고, 반도체 웨이퍼(1)에서의 각 채널 사이의 간섭의 정도를 간섭행렬로서 미리 구하고, 이 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 반도체 웨이퍼(1)가 소망하는 온도가 되도록, 보정치를 산출하고, 이 산출치에 의해, 설정 온도를 보정한다.
제어 방법, 온도 제어 방법, 온도 조절기, 열처리 장치, 프로그램 및 기록 매체

Description

제어 방법, 온도 제어 방법, 온도 조절기, 열처리 장치, 프로그램 및 기록 매체{Control Method, Temperature Control Method, Temperature Controller, Thermal Processing Apparatus, and Program and Recording Media}
도 1은 본 발명의 하나의 실시의 형태에 관한 열처리 장치의 블록도.
도 2는 본 발명의 온도 제어 방법을 도시한 플로우 차트.
도 3은 간섭 정도를 계측하기 위한 구성을 도시한 도면.
도 4는 설정 온도의 스텝 입력에 의한 계측점의 온도 변화를 도시한 도면.
도 5는 반도체 웨이퍼의 온도 변화 및 온도차의 변화를 도시한 도면.
도 6은 보정치, 반도체 웨이퍼의 온도 변화 및 온도차의 변화를 도시한 도면.
도 7은 온도 조절기의 블록도.
<도면 부호의 간단한 설명>
1 : 반도체 웨이퍼, 2 : 열처리반, 3 : 온도 조절기, 4a 내지 4c, 6a 내지 6c : 온도 센서, 5a 내지 5c : 히터, 8 : 상위 장치
기술분야
본 발명은, 제어 대상의 온도나 압력 등의 물리 상태를 제어하는 제어 방법, 제어 대상의 온도를 제어하는 온도 제어 방법, 온도 조절기, 온도 조절기를 이용한 열처리 장치, 그들에 이용되는 프로그램 및 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것으로서, 특히, 다(多)입출력 간섭계의 제어 대상의 온도 등의 물리 상태의 편차를 억제하는데 알맞은 기술에 관한 것이다.
종래기술
종래, 예를 들면, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 열처리에 온도 조절기가 이용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 특개평6-188462호 공보
이러한 제조 프로세스에 있어서, 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 열처리반에 재치하고 가열 처리하는 경우에는, 온도 조절기는 열처리반에 배설된 온도 센서로부터의 검출 온도에 의거하여, 열처리반의 온도가 설정 온도(목표 온도)에 일치하도록 조작 신호를 출력하고, 이 조작 신호에 의해 전자 개폐기 등을 이용하여 열처리반에 배설되어 있는 히터의 통전을 제어하도록 구성되어 있다.
이러한 반도체 웨이퍼의 열처리에서는, 반도체 웨이퍼의 온도가 소망하는 균일한 온도로 열처리되도록 열처리반의 온도를 제어할 필요가 있지만, 그를 위해서는, 반도체 웨이퍼와 열처리반과의 온도차나 웨이퍼면 내에서의 위치에 의한 온도의 편차 등을 보정한 온도 제어를 행할 필요가 있다.
이 때문에, 미리 온도 센서를 부착한 반도체 웨이퍼를 시험용 웨이퍼로 하고, 이 시험용 웨이퍼를 열처리반에서 열처리하고, 이 열처리에서의 시험용 웨이퍼의 온도 분포를 온도 센서로 계측하면서 열처리반의 설정 온도 또는 온도 조절기에 입력되는 열처리반의 검출 온도(입력 온도)를, 시험용 웨이퍼의 온도가 소망하는 균일한 온도가 되도록 보정하는 조정 작업이 필요해진다.
그러나, 복수의 온도 센서 및 복수의 히터가 배설되고, 각 온도 센서의 검출 온도에 의거하여, 각 히터의 통전이 개별적으로 제어되는 복수 채널의 열처리반에서는, 채널간의 상호 간섭에 의해, 상술한 설정 온도 또는 입력 온도를 보정하는 조정 작업이 용이하지 않고, 작업자의 경험에 의존하고, 시행착오적으로 행하여야 하며, 조정 공수가 막대하게 된다는 과제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 피처리물을 소망하는 상태에서 처리하기 위한 조정 작업을 용이하게 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 상기 목적을 달성하기 위해 다음과 같이 구성한다.
즉, 본 발명의 제어 방법은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 물리 상태를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 정보가 복수의 각 목표 정보에 일치하도록, 상기 처리 수단의 물리 상태를 제어하는 제어 방법으로서, 상기 목표 정보를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 점에서의 물리 상태의 간섭의 정도를 미리 구하는 스텝과, 구한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 정보 및 상기 검출 정보의 적어도 한쪽을 보정하는 스텝을 포함하는 것이다.
여기서, 간섭의 정도를 미리 구하는 스텝에서는, 목표 정보를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 물리 상태를 복수의 점에서 각각 계측하고, 각 점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하여 구하는 것이 바람직하지만, 피처리물과 처리 수단과의 물리 상태의 전달 관계를 설계나 시뮬레이션으로 계산하여 간섭의 정도를 구하여도 좋다.
또한, 물리 상태란, 온도, 압력, 유량, 속도 또는 액위(液位) 등의 다양한 물리량의 상태를 말한다.
검출 정보란, 검출된 물리 상태의 정보를 말하고, 예를 들면, 검출 온도, 검출 압력, 검출 유량 등을 말한다.
또한, 목표 정보란, 물리 상태의 제어 목표의 정보를 말하고, 예를 들면, 목표 온도, 목표 압력, 목표 유량 등을 말한다.
간섭의 정도란, 목표 정보를 변화시킨 때에, 대응하는 검출 정보가, 상기 목표 정보에 일치하도록 제어되는 것으로 되지만, 이 제어에 의해 각 계측점의 물리 상태가 영향을 받는 정도를 말하고, 각 채널에 의한 간섭의 정도를 말한다.
복수의 점은, 소망하는 물리 상태로 하기 위해 주목하고 있는 개소(위치)인 것이 바람직하고, 예를 들면, 온도 등의 물리 상태의 편차를 억제하려고 하는 점인 것이 바람직하다.
또한, 편차란, 예를 들면, 복수의 검출점에서 검출되는 평균적인 물리 상태로부터의 편차나 기준이 되는 검출점에서 검출된 물리 상태로부터의 편차 등을 말한다.
보정하는 스텝에 있어서의 보정은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 상기 검출점에서의 물리 상태와 상기 피처리물의 상기 계측점에서의 물리 상태와의 차를 보정하는 것, 및/또는, 상기 피처리물의 복수의 점에서의 물리 상태의 편차를 억제하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 목표 정보를 변화시킨 때에, 피처리물의 각 점에서의 간섭의 정도, 즉, 각 점의 물리 상태가 받는 영향의 정도를 미리 구하고 있기 때문에, 이 구한 간섭의 정도에 의거하여 목표 정보나 검출 정보를 보정할 수 있기 때문에, 피처리물을 소망하는 물리 상태로 처리하기 위한 목표 정보나 검출 정보를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
본 발명의 온도 제어 방법은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가, 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 제어 방법으로서, 상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 점에서의 간섭의 정도를 미리 구하는 제 1의 스텝과, 구한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치를 구하는 제 2의 스텝을 포함하는 것이다.
여기서, 간섭의 정도를 미리 구하는 제 1의 스텝에서는, 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 온도를 복수의 점에서 각각 계측하고, 각 점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하여 구하는 것이 바람직하지만, 피처리물과 처리 수단과의 열 전달 관계를 설계나 시뮬레이션으로 계산하여 간섭의 정도를 구하여도 좋다.
또한, 처리 수단이란, 피처리물을 가열 처리 및/또는 냉각 처리하는 것을 말 한다.
간섭의 정도란, 목표 온도를 변화시킨 때에, 대응하는 검출 온도가, 상기 목표 온도에 일치하도록 제어되는 것으로 되지만, 이 제어에 의해 각 계측점의 온도가 영향을 받는 정도를 말한다.
본 발명에 의하면, 목표 온도를 변화시킨 때, 피처리물의 각 점에 있어서의 간섭의 정도, 즉, 각 점의 온도가 받는 영향의 정도를 미리 구하고 있기 때문에, 이 구한 간섭의 정도에 의거하여 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 보정치를 구할 수 있기 때문에, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
본 발명의 온도 제어 방법은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 제어 방법으로서, 상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 온도를 복수의 계측점에서 각각 계측하고, 각 계측점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하는 제 1의 스텝과, 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치를 구하는 제 2의 스텝을 포함하는 것이다.
계측점은, 소망하는 온도로 하기 위해 주목하고 있는 개소(위치)인 것이 바람직하고, 예를 들면, 온도의 편차를 억제하고자 하는 점인 것이 바람직하다.
상기 보정치는, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 상기 검출점에서의 온도와 상기 피처리물의 상기 계측점에서의 온도의 온도차를 보정하는 것, 및/또는, 상기 피처리물의 복수의 상기 계측점에서의 온도의 편차를 억제하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 목표 온도를 변화시킨 때에, 피처리물의 각 계측점에서의 간섭의 정도, 즉, 각 계측점의 온도가 받는 영향의 정도를 미리 계측하고 있기 때문에, 이 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 보정치를 구할 수 있기 때문에, 피처리물을 소망하는 온도 상태에서 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
한 실시 양태에 있어서는, 상기 보정치에 의해 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 제 3의 스텝을 포함하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 보정치를 이용하여 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하는 것이 가능해진다.
바람직한 실시 양태에 있어서는, 상기 제 1의 스텝에서는, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬을 구하고, 상기 제 2의 스텝에서는, 상기 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 보정치를 구하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 제 1의 스텝에서 구한 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 보정치를 구하기 때문에, 이 보정치를 이용하여 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 작업자가 경험을 살려서 시행착오적으로 행하고 있던 조정 작업이 불필요하게 된다.
한 실시 양태에 있어서는, 상기 제 2의 스텝에서는, 상기 피처리물의 복수의 상기 계측점의 온도의 편차를 억제하도록 상기 보정치를 구하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 보정치에 의해 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 피처리물의 온도의 편차가 억제되어 균일한 온도로 처리되게 된다.
다른 실시 양태에 있어서는, 상기 제 1의 스텝에서는, 상기 목표 온도를 변화시킨 시점부터 소정 시간 경과한 시점에서의 상기 간섭의 정도를 계측하는 것이다.
여기서, 소정 시간은 목표 온도를 변화시킴에 의해 계측점에서 계측되는 피처리물의 온도가 변화하고 있는 도중의 과도상태에서의 시점까지의 시간이라도 좋고, 상기 온도가 정정(整定, setting)된 정상상태에서의 시점까지의 시간이라도 좋다.
이 실시 양태에 의하면, 소정 시간을 선택함에 의해, 과도상태 또는 정상상태에서의 피처리물의 온도를, 소망하는 온도가 되도록 보정할 수 있게 된다.
또 다른 실시 양태에 있어서는, 상기 제 3의 스텝에서는, 상기 처리 수단에서 피처리물의 처리가 시작된 시점부터 상기 소정 시간이 경과 하기까지의 기간에 걸쳐서 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 피처리물의 처리가 시작된 시점부터 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽의 보정을 시작함에 의해, 소정 시간 경과 시점에서의 피처리물의 온도를 소망하는 온도로 하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 온도 제어 방법은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 제어 방법으로서, 상기 목표 온도 를 변화시킨 때의 상기 처리 수단의 온도를, 상기 검출점과는 다른 복수의 계측점에서 각각 계측하여, 각 계측점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하는 제 1의 스텝과, 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치를 구하는 제 2의 스텝을 포함하는 것이다.
여기서, 상기 보정치는, 처리 수단의 복수의 상기 계측점에서의 온도의 편차를 억제하는 것인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 목표 온도를 변화시킨 때에, 처리 수단의 각 계측점에서의 간섭의 정도, 즉, 각 계측점의 온도가 받는 영향의 정도를 미리 계측하고 있기 때문에, 이 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 보정치를 구할 수 있기 때문에, 처리 수단을 소망하는 온도 상태, 예를 들면, 편차가 억제된 균일한 온도 상태로 하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
또한, 본 발명의 온도 조절기는, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 조절기로서, 상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 계측점의 온도를 계측하여 얻어지는 각 계측점에서의 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정 수단을 구비하고 있다.
여기서, 보정 수단에 의한 상기 보정은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 상기 검출점에서의 온도와 상기 피처리물의 상기 계측점에서의 온도의 온도차를 보 정하는 것, 및/또는, 상기 피처리물의 복수의 상기 계측점에서의 온도의 편차를 억제하는 것이 바람직하다.
각 계측점에서의 간섭의 정도는, 미리 온도 조절기 이외의 상위의 장치에서 구하고, 얻어진 간섭의 정도를, 해당 온도 조절기에 격납하여도 좋고, 해당 온도 조절기에서 간섭의 정도를 미리 구하도록 하여도 좋다.
본 발명에 의하면, 목표 온도를 변화시킨 때에, 피처리물의 각 계측점에서의 간섭의 정도, 즉, 각 계측점의 온도가 받는 영향의 정도를 미리 계측하고 있기 때문에, 이 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정할 수 있기 때문에, 피처리물을 소망하는 온도 상태에서 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
본 발명의 온도 조절기는, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 조절기로서, 상기 피처리물의 온도의 편차를 억제하도록 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정 수단을 구비하고, 해당 보정 수단은 상기 피처리물의 상기 처리 수단에 의한 처리가 시작되는 시점 이후에 보정을 시작한 것이다.
이 보정은, 상기 피처리물의 상기 처리 수단에 의한 처리가 시작되는 동시에 시작하는 것이 바람직하고, 피처리물의 처리가 종료되기까지에 종료하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 처리물의 상기 처리 수단에 의한 처리가 시작되는 시점 이후에, 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하여 피처리물의 온도의 편차를 억제할 수 있다.
한 실시 양태에 있어서는, 상기 보정 수단은, 상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 계측점의 온도를 계측하여 얻어지는 각 계측점에서의 간섭의 정도에 의거하여, 상기 보정을 행하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정할 수 있기 때문에, 피처리물의 온도의 편차를 억제하여 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온산을 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
다른 실시 양태에 있어서는, 상기 보정 수단은, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하기 위한 보정치가 격납된 기억부를 구비하고 있다.
이 실시 양태에 의하면, 기억부에 격납되어 있는 보정치를 이용하여 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 불필요하게 된다.
바람직한 실시 양태에 있어서는, 상기 보정 수단은, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 데이터가 격납된 기억부와, 해당 기억부의 데이터를 이용하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하기 위한 보정치를 산출하는 연산부를 구비하고 있다.
여기서, 데이터는, 예를 들면, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 파형(波形) 데이터라도 좋고, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬의 데이터라도 좋다.
이 실시 양태에 의하면, 연산부에서는, 기억부의 데이터를 이용하여 보정치를 연산하기 때문에, 연산된 보정치를 이용하여 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 작업자가 경험을 살려서 시행착오적으로 행하고 있던 조정 작업이 불필요하게 된다.
다른 실시 양태에 있어서는, 상기 연산부는, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 상기 보정치를 산출한 것이다.
기억부에 격납되어 있는 데이터가, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 파형 데이터인 때는, 연산부는, 이 파형 데이터로부터 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬을 산출하는 것이 바람직하다.
이 실시 양태에 의하면, 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 보정치를 산출하기 때문에, 작업자가 경험을 살려서 시행착오적으로 보정치를 구할 필요가 없고, 자동화를 도모할 수 있다.
또다른 실시 양태에 있어서는, 상기 연산부는, 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도의 편차를 억제하도록 상기 보정치를 산출하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 산출된 보정치를 이용하여 목표 온도나 검출 온도를 보정함에 의해, 피처리물의 온도의 편차가 억제되어 균일한 온도로 처리되게 된다.
한 실시 양태에 있어서는, 상기 간섭의 정도가, 상기 목표 온도를 변화시킨 시점부터서 소정 시간 경과한 시점에서의 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 소정 시간을 선택함에 의해, 과도상태 또는 정상상태에서의 피처리물의 온도를, 소망하는 온도가 되도록 보정할 수 있게 된다.
다른 실시 양태에 있어서는, 상기 보정 수단은, 상기 처리 수단에서 피처리물의 처리가 시작된 시점부터 상기 소정 시간이 경과하기까지의 기간에 걸쳐서 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 것이다.
이 실시 양태에 의하면, 피처리물의 처리가 시작된 시점부터 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽의 보정을 시작함에 의해, 소정 시간 경과 시점에서의 피처리물의 온도를 소망하는 온도로 하는 것이 가능해진다.
본 발명의 열처리 장치는, 본 발명의 온도 조절기와, 상기 처리 수단과, 상기 온도 조절기의 출력에 의거하여, 상기 처리 수단을 가열 및/또는 냉각하는 조작 수단과, 상기 처리 수단의 온도를 검출하는 온도 검출 수단을 구비하는 것이다.
본 발명에 의하면, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이해진다.
본 발명의 프로그램은, 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가, 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 제어에 이용되는 프로그램으로서, 상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 온도를 복수의 계측점에서 각각 계측하여, 각 계측점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하는 제 1의 스텝과, 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치를 구하는 제 2의 스텝을, 컴퓨터에 실행시키는 것이다.
본 발명에 의하면, 프로그램을, 컴퓨터에 실행시킴에 의해, 미리 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 보정치를 구할 수가 있기 때문에, 해당 보정치에 의해 보정을 행함에 의해, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하는 것이 가능해진다.
본 발명의 기록 매체는, 본 발명에 관한 프로그램을 기록한 컴퓨터에 판독 가능한 기록 매체이다.
여기서, 기록 매체로서는, 예를 들면 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 광디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, R0M 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램을 컴퓨터로 판독하여 실행시킴에 의해, 미리 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 보정치를 구할 수 있기 때문에, 해당 보정치에 의해 보정을 행함에 의해, 피처리물을, 소망하는 온도 상태에서 처리하는 것이 가능해진다.
이하, 도면에 의해 본 발명의 실시의 형태에 관해 상세히 설명한다.
(실시의 형태 1)
도 1는, 본 발명의 하나의 실시의 형태에 관한 온도 조절기를 구비하는 열처 리 장치의 개략 구성도이다.
이 실시의 형태의 열처리 장치는, 피처리물로서의 반도체 웨이퍼(1)를, 처리 수단으로서의 열처리반(2)에서 열처리하는 것이고, 온도 조절기(3)는, 도시하지 않은 상위 기기나 설정부에서 설정된 설정 온도(목표 온도)와, 열처리반(2)에 배설된 3개의 온도 센서(4a 내지 4c)로부터의 검출 온도와의 편차에 의거하여, 열처리반(2)에 배설된 3개의 히터(5a, 5b, 5c)의 통전을 제어하여 열처리반(2)의 온도를 설정 온도가 되도록 제어한다. 즉, 이 예에서는, 3채널의 예를 나타내고 있고, 각 채널마다 온도 제어된다.
열처리반(2)에서 열처리되는 반도체 웨이퍼(1)는, 도시하지 않은 반송 공급 수단에 의해 자동적으로 열처리반(2)에 재치되어 순번대로 열처리되는 것이다.
이러한 반도체 웨이퍼(1)의 열처리에서는, 반도체 웨이퍼(1)의 온도가 소망하는 균일한 온도로 열처리되도록 열처리반(2)의 온도를 제어할 필요가 있고, 이 때문에, 반도체 웨이퍼(1)과1 열처리반(2)의 온도차나 웨이퍼면 내에서의 위치에 의한 온도의 편차 등을 보정한 온도 제어를 행할 필요가 있다.
이 실시의 형태에서는, 이러한 보정을 위한 조정 작업을, 종래의 작업자의 경험에 의존하여 시행착오적으로 행하는 것이 아니라, 용이하게 행할 수 있도록 하기 위해 다음과 같이 하고 있다.
즉, 이 실시의 형태의 온도 제어 방법은, 도 2에 도시한 바와 같이, 각 채널의 설정 온도를 순번대로 변화시킨 때의 반도체 웨이퍼(1)의 온도를 복수의 계측점에서 각각 계측하여, 각 계측점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하는 제 1 로 스텝 (S1)과, 계측한 간섭의 정도에 의거하여, 설정 온도 및 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하기 위한 값을 산출하는 제 2의 스텝(S2)과, 실제 운용에서, 산출한 보정치를 이용하여 설정 온도 및 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 제 3의 스텝(S3)을 포함하는 것이다
제 1의 스텝(S1)에서 간섭의 정도를 계측하여 구하였지만, 계측이 아니라 열처리반에 대한 반도체 웨이퍼에의 온도 전달 관계를 열 설계나 시뮬레이션으로 미리 계산하고, 그 전달 관계로부터 간섭의 정도를 구하여 설정할 수도 있다. 이와 같이 계측 공정을 생략함으로써 전체 공정이 상당히 심플하게 된다.
도 3은, 간섭의 정도를 계측하여 보정치를 산출하기 위한 구성의 한 예를 도시한 도면으로서, 도 1에 대응하는 부분에는, 동일한 참조 부호를 붙인다.
이 도 3에서, 1은 계측점에 온도 센서(6a 내지 6c)가 부착된 반도체 웨이퍼인 시험용 웨이퍼이고, 7은 시험용 웨이퍼(1)의 온도를 계측하는 온도 로거이고, 8은 온도 로거(7) 및 온도 조절기(3)에 접속된 PLC(프로그래머블·로직·컨트롤러)나 퍼스널 컴퓨터 등의 상위 장치이다. 이 상위 장치(8)는, 온도 로거(7) 및 온도 조절기(3)의 통신 등에 의해, 온도 조절기(3)의 설정 온도를 변경할 수 있음과 함께, 이 설정 온도와 시험용 웨이퍼(1)의 계측점의 온도를 동기(同期)하여 계측할 수 있다.
또한, 이 실시의 형태에서는, 상위 장치(8)는, 마이크로 컴퓨터를 구비하고 있고, 이 마이크로 컴퓨터의 ROM에 격납되어 있는 본 발명에 관한 프로그램을 실행함에 의해, 간섭의 정도를 계측하고, 이 간섭의 정도에 의거하여, 보정치를 후술하 는 바와 같이 하여 산출하고, 산출한 보정치를 온도 조절기(3)에 설정 격납한다.
시험용 웨이퍼(1)의 계측점은, 열처리반(2)의 각 채널의 히터(5a 내지 5c) 및 온도 센서(4a 내지 4c)에 대응하도록 배치되어 있다.
이 실시의 형태에서는, 반도체 웨이퍼(1)에서의 각 채널 사이의 열적인 간섭, 즉, 설정 온도를 변화시킨 때에, 반도체 웨이퍼(1)의 각 계측점의 온도가 받는 영향을, 계측하기 위해 다음과 같이 하고 있다.
즉, 3채널 내의 제 1의 채널의 설정 온도를, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 스텝상태로, 예를 들면, △a1 변화시키고, 동 도(b)에 도시한 바와 같이, 그 때의 시험용 웨이퍼(1)의 각 계측점의 온도 변화를 각 온도 센서(6a 내지 6c)로 계측한다. 마찬가지로 하여, 제 2의 채널의 설정 온도를, 스텝상태로, 예를 들면, Aa2 변화시키고, 그 때의 시험용 웨이퍼(1)의 각 계측점의 온도 변화를 계측하고, 또한, 제 3의 채널의 설정 온도를, 스텝상태로, 예를 들면, Aa3 변화시키고, 그 때의 시험용 웨이퍼(1)의 각 계측점의 온도 변화를 계측한다. _
이상과 같이 하여 계측된 데이터에 의거하여, 설정 온도를 변화시킨 시점부터 임의의 시간이 경과한 시점에서의 간섭의 정도를, 간섭행렬로 하여 구할 수 있다.
즉, 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1의 채널의 설정 온도를, 스텝상태로 Aa1 변화시킨 시점부터 소정 시간(t) 경과 후의 시험용 웨이퍼(1)의 3개의 계측점의 각 온도 변화를, c11, c12, c13으로 하고, 마찬가지로, 제 2의 채널의 설정 온도를, 스텝상태로 △a2 변화시킨 시점부터 소정 시간(t) 경과 후의 시험용 웨이퍼(1)의 3 개의 계측점의 각 온도 변화를, c21, c22, c23으로로 하고, 제 3의 채널의 설정 온도를, 스텝상태로 △a3 변화시킨 시점부터 소정 시간(t) 경과 후의 시험용 웨이퍼(1)의 3개의 계측점의 각 온도 변화를, c31, c32, c33으로 하면, 소정 시간(t)에 대응하는 하기와 같은 간섭행렬이 구하여진다.
[수식 1]
Figure 112005053982703-PAT00001
그리고, 열처리반(2)의 각 채널의 설정 온도의 변화를, △a1 내지 △a3으로 하고, 소정 시간(t) 경과 후의 반도체 웨이퍼(1)의 계측 점로 온도 변화를, △b1 내지 △b3이라고 하면, 이하의 관계식이 성립한다.
[수식 2]
Figure 112005053982703-PAT00002
상기 소정 시간(t)의 선택에 의해, 설정 온도를 변화시키고 나서 반도체 웨이퍼(1)의 온도가 안정된 후의 정상상태의 관계식을 얻을 수도 있고고, 설정 온도를 변화시키고 나서 반도체 웨이퍼(1)의 온도가 변화하고 있는 도중의 과도상태의 과계식을 얻는 것도 가능하다.
또한, 이 실시의 형태에서는, 각 설정 온도를 순번대로 스텝상태로 변화시켜 서 관계식을 얻는 것이지만, 본 발명의 다른 실시의 형태로서, 예를 들면, 각 설정 온도를, M계열 신호 등과 같이 랜덤하게 변화시키고, 그 때의 반도체 웨이퍼의 온도 변화를, 최소제곱법 등을 이용하여 ARX 모델로 표현하고, 관계식을 도출하도록 하여도 좋다,
또한, 이 실시의 형태에서는, 반도체 웨이퍼(시험용 웨이퍼)(1)의 계측점의 수는, 온도 조절기(3)의 제어 채널 수와 동수로 하였지만, 계측점의 수는, 동수일 필요는 없고, 많아도 적어도 좋다.
계측점의 수가, 제어 채널 수보다도 많은 경우, 몇개의 방법이 있다. 예를 들면, m개의 계측점의 중에서 n점의 각 제어 채널 수의 관계가 가장 강한 n점을 선택하여 전술한 것과 마찬가지의 절차를 행하는 방법이 있다. 또는, 제어 채널 개수 n개의 입력치에 대한 계측 개수 m개의 출력치가 소망하는 온도로부터의 차의 토탈이 가장 작은 값이 되도록 GA(유전적 알고리즘)나 등산법(climbing method) 등의 최적치 탐색 알고리즘이나 행렬 계산 방법 등을 이용하면 좋다.
상술한 바와 같이, 소정 시간(t)의 선택에 의해, 정상상태 및 과도상태의 어느 하나의 상태의 간섭 특성도 물집る 것을 할 수 있는 것이고, 이하, 각 상태에서, 반도체 웨이퍼(1)의 온도의 편차를 억제하여 면내(面內) 온도의 균일화를 도모하기 위한 보정치의 산출에 관해 설명한다.
(1) 정상상태의 면내 온도 균일화
정상상태, 즉, 반도체 웨이퍼(1)를 열처리반(2)에 재치하여 반도체 웨이퍼(1)의 온도가 상승하고 정정(整定)한 상태에서의 반도체 웨이퍼(1)의 온도의 편차 를 억제하여 면내 온도의 균일화를 도모하기 위해, 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도를 보정한다.
이 실시의 형태에서는, 이 보정을 위한 보정치를 다음과 같이 하여 산출하는 것이다.
우선, 정정 상태의 열처리반(2)에서 시험용 웨이퍼(1)를 처리하여 시험용 웨이퍼(1)의 온도가 정정된 때의 각 계측점의 온도를 계측하고, 소망하는 온도로부터의 차를 산출하고, 이 산출치를 △b1 내지 △b3이라고 한다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼(1)를, 소망하는 온도 100℃로 균일하게 하고 싶은 경우에, 열처리반(2)을, 설정 온도 100℃에 정정시킨 상태에서, 시험용 웨이퍼(1)를 재치하여 그 온도가 정정된 상태의 각 계측점의 온도를 계측하고, 각 온도가, 예를 들면, 97℃, 98℃, 99℃라고 하면, △b1=3, △b2=2, △b3=1로 된다.
면내 온도의 균일화를 도모하는데는, 소망하는 온도로부터의 온도차인 산출치(△b1 내지 △b3)를, 작게 되도록, 각 채널의 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도(입력 온도)의 보정치(△a1 내지 △a3)를 구하면 좋다.
이 보정치(△a1 내지 △a3)는, 상술한 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 다음 식에서 산출할 수 있다.
[수식 3]
Figure 112005053982703-PAT00003
여기서, 상기 (3)식에 사용하는 간섭행렬는, 상술한 소정 시간(t)을, 설정 온도를 변화시킨 시점부터 각 계측점의 온도가 정정된 후의 시점까지의 시간, 예를 들면, 도 4(a)에 도시한 t1으로 되는 시간에 선택하고, 이 소정 시간(t1)에 대응하여 얻어진 간섭행렬, 즉, 정상상태에 대응하는 간섭행렬이다.
상기 (3)식을 풀음에 의해, 종래 시행착오적으로 조정하고 있던 보정치를, 간단하게 산출할 수 있게 된다.
또한, 산출된 보정치를, 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도에 가산하여 보정한 결과, 반도체 웨이퍼(1)의 온도 편차가 어느 정도의 값으로 되는지를, 간섭행렬에 의해 역산하여 예측할 수도 있다.
(2) 과도상태의 면내 온도 균일화
반도체 웨이퍼(1)를, 열처리반(2)에 재치한 직후부터 반도체 웨이퍼(1)의 온도가 안정되기까지의 기간인 과도상태에서의 반도체 웨이퍼(1)의 온도의 편차를 억제하여 면내 온도의 균일화를 도모하는 경우에 관해 설명한다.
정상상태의 면내 온도 균일화의 보정을 충분히 행하였다고 하여도, 과도상태 일 때에는, 반도체 웨이퍼(1)의 온도차가 커진다.
도 5(a)는, 열처리반(2)에, 반도체 웨이퍼(1)를 재치한 때의 계측점의 온도 변화중, 온도차가 큰 2개의 계측점의 온도 변화를 도시하고 있고, 도 5(b)는, 상기 온도차의 변화를 확대하여 도시하고 있다.
이 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 열처리반(2)에, 반도체 웨이퍼(1)를 재치한 직후부터 반도체 웨이퍼(1)의 온도는, 상승하지만, 정정하기까지의 과도상태에서, 온도의 편차가 생기고 있다.
이러한 과도상학의 온도의 편차를 억제하여 면내 균일화를 도모하기 위해, 다음과 같이 하여 보정치를 산출한다.,
즉, 우선, 온도의 편차를 억제하고 싶는 시점을 결정하고, 반도체 웨이퍼(1)를, 열처리반(2)에 재치한 시점부터 상기 결정한 시점까지의 경과 시간을, 상술한 소정 시간(t)이라고 한다
예를 들면, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)의 가열에 의해 화학반응이 급속하게 진행되는 시점까지의 시간을, 경과 시간(t2)으로 하여 이 시점에서의 온도의 편차를 억제하는 경우를 생각한다.
열처리반(2)에 시험용 웨이퍼(1)를 재치한 시점부터 소정 시간(t2)이 경과한 시점의 각 계측점의 온도를 계측하고, 소망하는 온도로부터의 온도차를, △b1 내지 △b3이라고 한다. 여기서, 소망하는 온도는, 예를 들면, 3개의 계측점의 온도의 평균 온도로 한다.
과도상태에서의 면내 온도의 균일화를 도모하는데는, 산출치(△b1 내지 △ b3)를, 작게 하도록, 각 채널의 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도의 보정치(△a1 내지 △a3)를 구하면 좋다.
이 보정치(△a1 내지 △a3)는, 상술한 정상상태의 경우와 마찬가지로, 상술한 (3)식에서 산출할 수 있다.
단, 간섭행렬은, 설정 온도를 변화시킨 시점부터 화학반응이 급속하게 진행되는 시점까지의 시간인 소정 시간(t2)이 되도록 선택하고, 이 소정 시간(t2)에 대응하여 얻어진 간섭행렬, 즉, 과도상태에 대응하는 간섭행렬이다.
이상과 같은 보정치(△a1 내지 △a3)는, 상위 장치(8)에, 유저가 소정 시간(t) 및 소망하는 온도로부터의 온도차(△b1 내지 △b3)를 설정 입력함에 의해, 상위 장치(8)에서 산출된다
따라서 작업자의 경험에 의존하고, 시행착오적으로 행하여야 하였던 설정 온도 또는 검출 온도의 보정을 위한 조정 작업이 불필요하게 되고, 자동화를 도모하는 것이 가능해진다.
이 상위 장치(8)에서 산출된 보정치는, 온도 조절기(3)에 송신되어 온도 조절기(3)의 기억부에 격납된다.
도 6은, 이러한 보정치에 의해, 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도를 보정한 결과를 도시한 것으로서, 동 도 (a)는 보정치를, 동 도 (b), (c)는, 상술한 도 5(a), (b)에 대응하는 도면이다. 또한, 동 도 (a)에서는, 1채널의 보정치만을 대표적으로 나타내고 있다.
이 실시의 형태에서는, 반도체 웨이퍼(1)가, 열처리반(2)에 재치된 시점부터 소정 시간(t2)이 경과하기까지의 기간에 걸쳐서 보정치를, 열처리반(2)의 설정 온도 또는 온도 조절기(3)에 입력되는 열처리반(2)의 검출 온도에 가산하여 보정을 행한다.
이로써, 소정 시간(t2) 경과 시점의 온도의 편차가 억제되어 반도체 웨이퍼(1)의 면내 온도의 균일화를 도모할 수 있다.
도 7은, 이 실시의 형태의 온도 조절기(3)의 블록도로서, 이 온도 조절기(3)에서는, 과도상태의 면내 온도 균일화에 적용하여 설명한다.
온도 조절기(3)는, 설정 온도를 보정하는 설정 온도 보정부(9)를 구비하고 있고, 이 설정 온도 보정부(9)에는, 상술한 바와 같이 하여 산출된 보정치가 격납됨과 함께, 상위 장치(10)로부터 반도체 웨이퍼(1)가 열처리반(2)에 재치된 것을 나타내는 타이밍 신호가 주어지도록 되어 있고, 타이밍 신호가 주어지고부터 소정 시간(t2)에 걸쳐서 보정치를, 설정 온도에 가산하여 출력한다.
따라서 상술한 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)가 열처리반(2)에 재치되어 열처리가 시작된 시점부터 소정 시간(t2)에 걸쳐서 보정치가 가산된 설정 온도와 검출 온도와의 편차에 의거하여, PID 제어부(11)에서 PID 연산을 행하여 조작량(MV)을 출력하고, 열처리반(2)에 배설되어 있는 조작 수단으로서의 각 히터(5a 내지 5c)의 통전을 제어하여 반도체 웨이퍼(1)의 온도 편차를 억제하여 면내 온도의 균일화를 도모하도록 하고 있다.
또한, 설정 온도 보정부(9) 및 PID 제어부(11)는, 예를 들면, 마이크로 컴퓨터에 의해 구성된다.
(그 밖의 실시의 형태)
상술한 과도상태의 면내 온도의 균일화에서는, 반도체 웨이퍼가 재치된 시점부터 보정을 시작하였지만, 조작량이 포화하여 충분한 보정을 할 수 없는 경우에는, 반도체 웨이퍼가 재치되기 전에도, 보정을 행하도록 하여도 좋다.
또한, 과도상태의 면내 온도의 균일화에서는, 소정 시간에 걸쳐서 1회만 보정을 행하엿지만, 본 발명의 다른 실시의 형태로서, 예를 들면, 제 1의 소정 시간까지는 대응하는 보정치로 보정하고, 그 후, 제 2의 소정 시간(t2)까지는 대응하는 보정치로 보정한다는 것과 같이, 복수회의 보정을 행하도록 하여도 좋다.
상술한 실시의 형태에서는, 상위 장치(8)에서, 간섭의 정도를 계측하여 보정치를 산출하였지만, 본 발명의 다른 실시의 형태로서, 온도 조절기에서 시험용 웨이퍼의 온도를 계측할 수 있도록 하고, 온도 조절기에서 간섭의 정도를 계측하여 보정치를 산출하도록 하여도 좋다.
또한, 상술한 실시의 형태에서는, 온도 조절기에, 보정치를 격납하여 두고, 그 보정치에 의거하여, 설정 온도의 보정을 행하였지만, 본 발명의 다른 실시의 형태로서, 온도 조절기에, 시험용 웨이퍼의 온도를 계측한 데이터를 격납하여 두고, 이 데이터에 의거하여, 온도 조절기에서 간섭행렬 및 보정치를 산출할 수 있도록 하여도 좋다.
또한, 온도 조절기에, 상술한 소정 시간(t) 및 소망하는 온도로부터의 온도차(△b1 내지 △b3)에 대응하는 보정치의 테이블을 격납하여 두고, 이러한 테이블의 보정치 또는 그 보정치를 이용하여 보간(補間)한 보정치를 이용하여 설정 온도 나 검출 온도의 보정을 행하도록 하여도 좋다.
상술한 실시의 형태에서는, 반도체 웨이퍼의 온도가 소망하는 온도 상태로 되도록 보정하였지만, 본 발명의 다른 실시의 형태로서, 열처리반(2)의 온도 센서(4a 내지 4c)가 마련되지 않은 개소를 계측점으로 하고, 이 계측점의 온도가 소망하는 온도가 되도록 보정을 행하여도 좋다.
상술한 실시의 형태에서는, 3채널에 적용하여 설명하였지만, 본 발명은, 3채널로 한하지 않음은 물론이다.
상술한 실시의 형태에서는, 처리 수단으로서, 열처리반의 온도 제어에 적용하여 설명하였지만, 본 발명은, 열처리반으로 한하지 않고, 확산로, CVD 장치, 포장기, 성형기의 실린더부나 기타의 온도 제어에 적용하여도 좋다.
상술한 실시의 형태에서는, 히터를 이용한 가열 처리에 적용하여 설명하였지만, 펠티에 소자나 냉각기 등을 이용한 냉각 처리에 적용하여도 좋고, 또한, 가열과 냉각을 병용하는 온도 제어에 적용하여도 좋다.
또한, 본 발명은, 온도 제어로 한하지 않고, 압력, 유량, 속도 또는 액위 등의 다른 물리상태의 제어에 적용하여도 좋다.
본 발명은, 제어 장치, 온도 조절기 및 열처리 장치로서 유용하다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 목표 정보를 변화시킨 때에, 피처리물의 각 점에서의 간섭의 정도를 미리 구하고 있기 때문에, 이 구한 간섭의 정도에 의거하 여, 목표 정보나 검출 정보를 보정할 수 있기 때문에, 피처리물을, 소망하는 온도 상태 등으로 처리하기 위한 목표 온도나 검출 온도를 보정하기 위한 조정 작업이 용이하게 된다.

Claims (14)

  1. 피처리물을 처리하는 처리 수단의 물리 상태를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 정보가, 복수의 각 목표 정보에 일치하도록, 상기 처리 수단의 물리 상태를 제어하는 제어 방법으로서,
    상기 목표 정보를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 점에서의 물리 상태의 간섭의 정도를 미리 구하는 스텝과,
    구한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 정보 및 상기 검출 정보의 적어도 한쪽을 보정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 방법.
  2. 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 제어 방법으로서.
    상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 온도를 복수의 계측점에서 각각 계측하고, 각 계측점에서의 간섭의 정도를 미리 계측하는 제 1의 스텝과,
    계측한 간섭의 정도에 의거하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치를 구하는 제 2의 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 보정치에 의해 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 제 3의 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1의 스텝에서는, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬을 구하고,
    상기 제 2의 스텝에서는, 상기 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 보정치를 구하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2의 스텝에서는, 상기 피처리물의 복수의 상기 계측점의 온도가 편차를 억제하도록 상기 보정치를 구하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1의 스텝에서는, 상기 목표 온도를 변화시킨 시점부터 소정 시간 경과한 시점에서의 상기 간섭의 정도를 계측하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 3의 스텝에서는, 상기 처리 수단에서 피처리물의 처리가 시작된 시 점부터 상기 소정 시간이 경과하기까지의 기간에 걸쳐서 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  8. 피처리물을 처리하는 처리 수단의 온도를 복수의 검출점에서 각각 검출하고, 각 검출 온도가, 복수의 각 목표 온도에 일치하도록, 상기 처리 수단의 온도를 제어하는 온도 조절기로서,
    상기 목표 온도를 변화시킨 때의 상기 피처리물의 복수의 계측점의 온도를 계측하여 얻어지는 각 계측점에서의 간섭의 정도에 의거하여, 상기 피처리물의 온도의 편차를 억제하도록 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 보정 수단은, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 보정치가 격납된 기억부를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 보정 수단은, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도 변화의 관계를 나타내는 데이터가 격납된 기억부와, 해당 기억부의 데이터를 이용하여, 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하기 위한 보정치를 산출하는 연산부를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 기.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 연산부는, 상기 각 목표 온도의 온도 변화와 상기 피처리물의 상기 복수의 계측 점로 온도 변화의 관계를 나타내는 간섭행렬의 역행렬을 이용하여 상기 보정치를 산출하는 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 연산부는, 상기 피처리물의 상기 복수의 계측점의 온도의 편차를 억제하도록 상기 보정치를 산출하는 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 간섭의 정도가, 상기 목표 온도를 변화시킨 시점부터 소정 시간 경과한 시점에서의 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 보정 수단은, 상기 처리 수단에서 피처리물의 처리가 시작된 시점부터 상기 소정 시간이 경과하기까지의 기간에 걸쳐서 상기 목표 온도 및 상기 검출 온도의 적어도 한쪽을 보정하는 것을 특징으로 하는 온도 조절기.
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