KR20060045936A - 고주파회로의 특성 측정 방법 및 교정용 패턴과 교정용지그 - Google Patents

고주파회로의 특성 측정 방법 및 교정용 패턴과 교정용지그 Download PDF

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KR20060045936A
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않는 고주파회로의 특성 측정 방법을 제공하는 것을 그 과제로 한다. 이를 해결하기 위한 수단으로 RF측정용 프로브 헤드(30)(32)에 의한 고주파회로의 특성 측정에 앞서, 유전체 기판(12)위에 배치된 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재한 신호용 선로(14)와, 이 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1GND패드(16)와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2GND패드(24)와, 제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)를 접속하는 도전체로서 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)과 이면 금속층(22)을 구비한 교정용 패턴(10)을 사용하여 RF측정용 프로브 헤드(30)(32)의 교정을 행한다.
신호용 선로, 유전체 기판, 스루홀 전극, 바이아 홀, 이면 금속층

Description

고주파회로의 특성 측정 방법 및 교정용 패턴과 교정용 지그{PROPERTY MEASUREMENT METHOD FOR HIGH FREQUENCY CIRCUIT, CALIBRATION PATTERN, AND CALIBRATION JIG}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 2는 도 1의 II-II단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴과 RF측정용 프로브 헤드의 접촉을 도시하는 모식도,
도 4는 본 발명에 관한 고주파회로의 측정계를 설명하는 블럭도,
도 5는 본 발명에 관한 고주파회로의 측정계의 0보정을 행하는 방법을 설명하는 블럭도,
도 6은 본 발명에 관한 고주파회로의 측정계의 0보정을 행하는 방법을 설명하는 블럭도,
도 7은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 측정계를 도시하는 모식도,
도 8은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 교정 방법을 도시하는 모식도,
도 9는 본 발명에 관한 고주파회로의 S/파라미터 측정을 행할 때의 교정 방법을 도시하는 모식도,
도 10은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 교정 방법을 도시하는 모식도,
도 11은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 교정 방법을 도시하는 모식도,
도 12는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 단면도,
도 13은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 14는 도 13의 XIV-XIV단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도,
도 15는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 16은 도 15의 XVI-XVI단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 18은 도 17의 XVIII-XVIII단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도,
도 19는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 20은 도 19의 XX-XX단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도,
도 21은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 22는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴과 RF측정용 프로브 헤드와의 접촉을 도시하는 모식도,
도 23은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 24는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 25는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 26은 도 25의 XXVI-XXVI단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 28은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 29는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 30은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 31은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 32는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 33은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 34는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 35는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 36은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 37은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도,
도 38은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 지그의 평면도,
도 39는 도 38의 XXXIX-XXXIX단면에 있어서의 RF측정용 교정 지그의 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
12: 유전체 기판 14: 신호용 선로
16: 제 1GND패드 24: 제 2GND패드
18: 스루홀 전극 20: 바이아홀
22: 이면(裏面) 금속층 88: 제 3GND패드
100: 제 4GND패드 110: RF측정용 교정 지그
본 발명은, 고주파회로의 RF측정 방법 및 교정용 패턴 및 교정용 지그에 관한 것으로서, 특히 이동통신, 광통신, 위성통신 등의 마이크로파대, 밀리미터파대의 통신 기기에 이용되는 고주파회로의 RF측정 방법 및 교정용 패턴 및 교정용 지그에 관한 것이다.
최근, 마이크로파대, 밀리미터파대에 있어서 사용되는 통신 기기는 점점 더 소형화 되고, 이에 따라 고주파회로 장치도 더욱 소형화가 요구됨과 동시에, 이 고주파회로 장치에 사용되는 고주파회로에 대해서도 적정한 품질이 요구된다. 고주파회로의 품질을 적확하게 평가하기 위해서는, 고주파회로의 RF측정을 정밀도가 높은 측정 방법으로 행할 필요가 있기 때문에, RF측정의 기준을 설정하기 위한 정확한 교정 방법이 요구되어 왔다.
고주파회로의 RF측정은 온 웨이퍼에서 행해지고, 보통 이 온 웨이퍼 RF측정은 신호단자와 GND단자를 갖는 RF측정용 프로브 헤드를 2개 대향시켜 사용하므로, RF측정용 프로브 헤드의 교정용 패턴도 사용하는 RF측정용 프로브 헤드에 대응한 교정용 패턴이 필요하게 된다.
RF측정용 프로브 헤드는, 보통 3종류의 프로브 헤드가 있다. 제1은 접촉자가 3개 있는 형식이며, 하나의 신호단자와 이 신호단자의 양측에 각각 하나의 GND단자를 배치한 것으로, 예를 들면 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드라고 명명한다. 제 2는 접촉자가 2개 있는 형식이며, 하나의 신호단자와 하나의 GND단자를 갖고, RF측정용 프로브 헤드측에서 접촉자를 보아 신호단자가 좌측에, GND단자가 우측에 배열된 것으로, 예를 들면 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드라고 명명한다.
제3은 역시 접촉자가 2개 있는 형식이지만, 제 2의 SG타입 RF측정용 프로브 헤드에 있어서의 신호단자와 GND단자의 배치가 좌우 교체한 형식이며, RF측정용 프로브 헤드 본체측에서 보아 GND단자가 좌측에 신호단자가 우측에 배열된 것으로, 예를 들면 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드라고 명명한다.
고주파회로의 RF측정 시에, 측정용 프로브 헤드는 두개 대향시켜 사용하므로, 이러한 두개의 측정용 프로브 헤드에 대응한 교정용 패턴이 필요하게 된다.
제 1형식의 GSG타입 RF측정용 프로브 헤드를 두개 대향시켜 사용할 경우의 구성 패턴으로서는, 소정의 특성 임피던스를 갖는 하나의 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 양측을 따라 설치한 2개의 GND용 선로를 배치한 교정용 패턴을 사용함으로써 2개의 GSG타입 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 된다.
또한 제 2형식의 SG타입 RF측정용 프로브 헤드와 제 3형식의 GS타입 RF측정용 프로브 헤드를 사용할 경우, SG타입 RF측정용 프로브 헤드와 GS타입 RF측정용 프로브 헤드를 대향시키면, 신호단자 끼리 GND단자가 각각 대향 하게 되어, 소정의 특성 임피던스를 갖는 한 개의 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 한 쪽을 따라 배치한 2개의 GND용 선로를 배치한 교정용 패턴을 사용함으로써, 같은 신호용 선로를 동시에 접촉할 수 있고, 동시에 같은 GND용 선로를 동시에 접촉시킬 수 있으므로, 2개의 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 된다.
그러나, 제 2형식의 SG타입 RF측정용 프로브 헤드끼리 또는 제 3형식의 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 사용할 경우에는, SG타입 RF측정용 프로브 헤드 혹은 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 대향시켜, 각각의 신호단자를 교정용 패턴의 신호용 선로에 접촉시키면, 2개의 RF측정용 프로브 헤드의 GND단자가 신호용 선로의 좌우에 배치되고, GND용 선로가 신호용 선로의 좌우에 배치되어야 한다.
단 제 1형식의 GSG타입 RF측정용 프로브 헤드의 교정에 이용한 교정용 패턴, 즉 신호용 선로의 양측을 따라 배치한 2개의 GND용 선로를 배치한 교정용 패턴을, 간단히 사용하면, GND용 선로가 분리되어 있으므로 교정을 행할 수 없다. 이 때문에 예를 들면 2개의 GND용 선로의 일단을 서로 접속하여 신호용 선로를 둘러싸거나 혹은 2개의 GND용 선로의 양단을 서로 접속하여 신호용 선로 주위를 완전히 둘러싸도록 한 패턴을 이용하면, 교정 시에, 적어도 한쪽의 RF측정용 프로브 헤드의 신호단자가 교정용 패턴의 GND용 선로 상을 넘도록 배치되게 된다.
또 공지 기술과 같이, 반도체 집적회로 장치의 특성검사 시의 기생 인덕턴스를 억제하고, 고주파의 특성 검사를 가능하게 하기 위해 IC칩의 표면에 입력 신호전극 및 출력 신호전극과, 입력 접지전극 및 출력 접지전극이 각각 쌍을 이루어 배치되고, 이들의 입력 접지전극 및 출력 접지전극은 IC칩의 두께 방향으로 뚫은 관 통 구멍 내에 배치한 도전체를 통해 칩의 이면에 배치한 이면전극에 각각 전기적으로 접속하며, 이 이면전극을 통해 서로 전기 접속하여 접지의 공통화를 도모하는 예가 개시되고 있다(예를 들면 특허문헌 1, 단락번호 [0005]∼ [0006], 도 1 및 도 2참조).
또 다른 공지 기술로서, 마이크로파나 밀리미터파의 고주파회로에 있어서 사각형 오픈 스터브 구조에서는, 오픈 스터브 개방단에서 λ/4길이의 위치에서 전압 진폭이 0이 되고, 고주파적인 그랜드 형성되는 것이 개시되고 있다(예를 들면 특허문헌 2, 단락번호[0006], 도 5참조).
(특허문헌 1) 일본국 특개평5-152395호 공보
(특허문헌 2) 일본국 특허공개2000-101309호 공보
상기한 바와 같이 RF측정용 프로브 헤드의 신호단자가 교정용 패턴의 GND용 선로 위를 넘도록 배치되면, RF신호가 측정값에 영향을 주고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의(偏倚)한다. 예를 들면 특성 임피던스가 50Ω의 스루 패턴을 측정했을 때의 입력측 반사 특성을 보면, 주파수의 증가에 따라 임피던스가 50Ω에서 크게 편의한다.
그러나 종래는, 다른 종류의 측정용 프로브 헤드를 이용하여 행한 RF측정, 예를 들면 SG타입 RF측정용 프로브 헤드와 GS타입 RF측정용 프로브 헤드를 사용하여 RF측정을 실시할 수 있는 고주파회로가 사용되고 있었지만, 최근의 고주파회로 의 소형화와 고성능화를 행하기 위해서는 회로 배치의 자유도를 높이는 것이 필요하고, 접촉자의 배열이 다른 종류의 측정용 프로브 헤드를 이용한 회로의 특성 측정에서는 RF측정을 실시할 수 없게 되는 경우도 발생하므로, SG타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리,혹은 제 3형식의 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 이용하여 RF측정을 행할 필요가 있었다.
이 때문에 상기한 바와 같이 SG타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 혹은 제 3형식의 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 이용한 경우, 종래의 교정 패턴에서는 RF측정용 프로브 헤드의 정확한 교정을 할 수 없다는 문제점이 새로이 발생했다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 행해진 것으로, 제 1의 목적은 RF신호의 측정 시에, RF신호가 측정값에 영향을 주지 않는 고주파회로의 특성 측정 방법을 제공 하는 것이며, 제 2의 목적은 RF신호의 측정 시에, RF신호가 측정값에 영향을 주지 않는 교정용 패턴을 제공 하는 것이고, 제 3의 목적은 RF신호 시에, RF신호가 측정값에 영향을 주지 않는 교정용 패턴을 간단히 바꿀 수 있도록 한 교정용 지그를 제공하는 것이다.
본 발명에 관한 고주파회로의 특성 측정 방법은, 기판과, 이 기판 위에, 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1정전위용 선로와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2정전위용 선로와, 제 1정전위용 선로와 제 2정전위용 선로를 전기적 혹은 고주파적으로 접속하는 도전체를 구비한 교정용 패턴을 준비하는 공정과, 신호용 단자와 정전위용 단자의 배열이 동일한 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드를 이용하고, 피측정회로의 측정에 앞서, 제 1측정용 프로브 헤드의 신호용 단자와 정전위용 단자를 각각 대응하는 교정용 패턴의 신호용 선로의 제 1단부와 제 1정전위용 선로의 일단에 접촉시키며, 제 2특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자와 정전위용 단자를 각각 대응하는 교정용 패턴의 신호용 선로의 제 2단부와 제 2정전위용 선로의 일단에 접촉시켜, 교정을 행하는 공정을 포함하는 것이다.
또한 본 발명에 관한 교정용 패턴은, 기판과, 이 기판 위에, 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1정전위용 선로와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2정전위용 선로와, 제 1정전위용 선로와 제 2정전위용 선로를 전기적 혹은 고주파적으로 접속하는 도전체를 구비한 것이다.
또한 본 발명에 관한 교정용 지그는, 청구항 2 내지 6항 중 어느 한 항에 기재한 교정용 패턴과, 이 교정용 패턴이 교환 가능하도록 장착되는 오목부가 표면에 배치된 유전체 기판을 구비한 것이다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다. 또 각 도면 에 있어서 동일한 부호는 동일한 것이나 상당하는 것임을 나타낸다.
도 1 및 도 2에 있어서, 이 실시예 1의 일 예인 RF측정용 교정 패턴(10)이 도시되고 있다.
RF측정용 교정 패턴(10)은 기판으로서의 유전체 기판(12)이 사용되고 있다. 유전체 기판(12)의 표면상에 특정한 특성 임피던스 예를 들면 50Ω을 갖는 신호용 선로(14)이 배치되고, 이 신호용 선로(14)는 일직선상으로 양단을 가지며, 금속층(141)의 표면에 도금층(142)이 배치되고 있다. 이 신호용 선로(14)의 양단을 예를 들면 제 1단부(14a), 제 2단부(14b)로 한다.
신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)와 소정의 간격을 두고 제 1정전위용 선로로서의 제 1GND패드(16)가 배치된다. 제 1GND패드(16)는, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리되고 있다. 이 제 1GND패드(16)의 나머지 한쪽 단부는 스루홀 전극(18)과 접속되어 있다.
제 1GND패드(16)는 이 스루홀 전극(18)과 유전체 기판(12)의 두께 방향으로 천공된 관통 구멍에 도전체를 매립한 바이아 홀(20)을 통해, 유전체 기판(12)의 이면에 배치된 이면 금속층(22)에 접속되어 있다. 제 1GND패드(16)는 금속층(161)의 표면에 도금층(162)이 배치된 구성이다. 이 실시예에서는 제 1GND패드(16)에 접속된 스루홀 전극(18)은 제 1GND패드(16)와 같은 금속층(161)으로 형성되고 있다.
또 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)와 소정의 간격을 두고 제 2정전위용 선로로서의 제 2GND패드(24)가 배치된다. 제 2GND패드(24)는, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리되어 있 다. 이 제 2GND패드(24)의 나머지 한쪽의 단부는 스루홀 전극(18)과 접속되어 있다.
제 2GND패드(24)는 이 스루홀 전극(18)과 유전체 기판(12)의 두께 방향으로 천공 된 관통 구멍에 도전체를 매립한 바이아 홀(20)을 통해, 유전체 기판(12)의 이면에 배치된 이면 금속층(22)에 접속되어 있다. 제 2GND패드(24)는 금속층(241)의 표면에 도금층(242)이 배치된 구성이다. 이 실시예 1에서는 제 2GND패드(24)에 접속된 스루홀 전극(18)은 제 2GND패드(24)와 같은 금속층(241)으로 형성되고 있다.
따라서, 제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)는 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)과 이면 금속층(22)을 도전체로 하여, 이 도전체를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또 여기에서는 제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)로서, 접지하도록 되어있지만, 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)과 이면 금속층(22)에 의해 전기적으로 도통하고 있으면 반드시 접지하지 않아도 좋다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴과 RF측정용 프로브 헤드와의 접촉을 도시하는 모식도이다.
도 3에 있어서, 일반적인 측정 상태와 마찬가지로 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)가 서로 대향하여 배치되고 있다. 그리고 이 2개의 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)는, 이 실시예 1의 설명에 있어서는 예를 들면 모두 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드로 하고 있다.
교정 시에는, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)(도면중 S로 기재) 가 신호용 선로(14)와 접촉하고, GND단자(302)(도면중 G로 기재)가 제 1GND패드(16)와 접촉하고 있다. 또 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)(도면중 S로 기재)가 신호용 선로(14)와 접촉하고, GND단자(322)(도면중 G로 기재)가 제 2GND패드(24)와 접촉하고 있다.
이 RF측정용 교정 패턴(10)을 이용하여 교정을 행할 경우에는, 신호단자(301)와 신호단자(321) 중 어느 것도, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 교정을 행할 수 있다.
다음에 RF측정용 프로브 헤드의 교정 방법에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 관한 고주파회로의 측정계를 설명하는 블럭도이다. 도 5 및 도 6은 본 발명에 관한 고주파회로의 측정계의 0보정을 행하는 방법을 설명하는 블럭도이다. 이 0보정방법은, 예를 들면 고주파회로의 잡음 측정이나 입출력 측정을 행할 때 실시된다.
도 4에 도시하는 것과 같이 이 고주파회로의 측정계는 다음과 같다. 신호원(36)에서의 신호는 입력회로(38)를 통해 피측정회로(40)에 입력된다. 신호입력은 신호원(36)과 입력회로(38) 사이에 배치된 제 1파워메터(37)에 의해 계측된다. 또 피측정회로(40)로의 신호입력은, 도 3에 도시한 것과 동일한 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드(32)를 통해 행해진다.
피측정회로(40)로부터의 출력은, 예를 들면 도 3과 도시한 것과 동일한 SG타 입의 RF측정용 프로브 헤드(30)를 통해 출력회로(46)에 전파되고, 신호출력은 제 2파워메터(48)에 의해 계측된다.
도 4에 도시된 고주파회로의 측정계의 0보정의 방법에 대해 설명한다.
(1) 우선, 도 5에 있어서, 제 1파워메터(37)를 통해 신호원(36)과 입력회로(38)를 접속하고, 또한 피측정회로(40)의 RF입력측 단면에 제 2파워메터(48)를 접속한다. 이 상태에서 피측정회로(40)의 RF입력측 단면 전력과 신호원(36) 단면의 출력 전력을 일치하도록, 제 1파워메터(37)에 보정값을 입력한다.
이 보정값은 측정계의 입력측 회로의 통과 손실에 상당하며, 이 보정을 함으로써, 신호원(36) 출력 부분의 제 1파워메터(37)에서 얻어지는 전력값과 피측정회로(40)의 RF입력측 단면의 전력이 같아진다.
(2) 다음에 도 6에 도시하는 것과 같이, 도 4에 있어서 도시되는 고주파회로의 측정계에 있어서의 피측정회로(40)를 대신하여 RF측정용 교정 패턴(10)을 도입하고, 측정계의 출력측 회로의 통과 손실의 보정을 행한다.
즉, 도 6에 도시되는 측정계에 있어서, RF측정용 교정 패턴(10)의 신호용 선로(14)와 제 2GND패드(24)에 피측정회로(40)의 RF입력측 단면이 되는 SG타입 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)와 GND단자(322)를 각각 대응시켜서 접촉하도록 하고, RF측정용 교정 패턴(10)의 신호용 선로(14)와 제 1GND패드(16)에 출력측의 RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 GND단자(302)를 각각 대응시켜서 접촉하도록 한다. 이 접촉 상태는 상기한 도 3에 도시된 접촉 상태와 동일하다.
이 상태에서, 제 2파워메터(48)에서 얻어지는 값이 제 1파워메터(37)에서 얻어지는 값과 일치하도록 제 2파워메터(48)에 보정값을 입력한다. 이 보정값이 측정계의 출력측 회로의 통과 손실에 상당한다.
이와 같이 입력측 회로의 통과 손실 및 출력측 회로의 통과 손실의 보정을 행한 후, 피측정회로의 잡음 측정이나 입출력 측정을 행한다.
이 교정 시, RF측정용 교정 패턴(10)을 이용하여 교정을 행하고 있기 때문에, 신호단자(301)와 신호단자(321)의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀하게 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 교정을 행할 수 있다.
또 교정의 일 예로서 S파라미터 측정 시의 교정 방법을 설명한다.
도 7은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 측정계를 도시하는 모식도이다. 도 8, 도 9, 도 10 및 도 11은 본 발명에 관한 고주파회로의 S파라미터 측정을 행할 때의 교정 방법을 도시하는 모식도이다. 여기에서는 일 예로서 SOLT법을 이용한 경우에 대해 설명한다.
도 7에 있어서, 네트워크 애널라이져(NWA)(50)에 예를 들면 동 축 케이블(52)을 통해 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)가 접속되고, 이 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)를 고주파회로의 피측정회로(40)에 접촉함으로써, S파라미터 측정이 행해진다. 이때, 동 축 케이블(52)과 RF측정용 프로브 헤드(30) 및 동 축 케이블(52)과 RF측정용 프로브 헤드(32)의 보 정값을 구하는 것이 필요하게 된다.
다음에 S파라미터 측정 시의 교정 방법에 대하여 설명한다.
(1)도 8을 참조하여, RF측정용 프로브 헤드(30) 및 RF측정용 프로브 헤드(32)를 회로의 특성 임피던스, 예를 들면 50Ω의 저항 패턴(54)에 접속하고, 네트워크 애널라이져(50)의 교정을 위한 측정을 행한다.
(2)도 9를 참조하여, RF측정용 프로브 헤드(30) 및 RF측정용 프로브 헤드(32)를 개방 상태로 하여, 네트워크 애널라이져(50)의 교정을 위한 측정을 행한다.
(3)도 10을 참조하여, RF측정용 프로브 헤드(30) 및 RF측정용 프로브 헤드(32)를 단락 패턴(56)에 접속하고, 네트워크 애널라이져(50)의 교정을 위한 측정을 행한다.
(4)도 11을 참조하여, RF측정용 프로브 헤드(30) 및 RF측정용 프로브 헤드(32)를 RF측정용 교정 패턴(10)에 접속하고, 네트워크 애널라이져(50)의 교정을 위한 측정을 행한다.
즉, RF측정용 교정패턴(10)의 신호용 선로(14)와 제 2GND패드(24)에 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)와 GND단자(322)를 각각 대응시켜서 접촉시키고, RF측정용 교정 패턴(10)의 신호용 선로(14)와 제 1GND패드(16)에 RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 GND단자(302)를 각각 대응시켜서 접촉시킨다. 이 접촉 상태는 상기의 도 3에 도시된 접촉 상태와 동일하다. 이 상태에서, 네트워크 애널라이져(50)의 교정을 위한 측정을 행한다.
이 때 RF측정용 교정 패턴(10)의 특성 임피던스는 저항 패턴(54)과 같아야만 한다.
측정(1)∼ (4)의 결과를 이용하여, 각 S파라미터의 보정을 행하는 계산을 한다.
이 다음, 교정한 상태의 동 축 케이블(52)과 RF측정용 프로브 헤드(30) 및 동 축 케이블(52)과 RF측정용 프로브 헤드(32)를 이용하여 피측정회로(40)의 S파라미터 측정이 행해진다.
이 교정에 있어서도, RF측정용 교정 패턴(10)을 이용하여 교정을 행하고 있기 때문에, 신호단자(301)와 신호단자(321)의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀하게 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)와 동 축 케이블(52)의 교정을 행할 수 있다.
변형예 1
도 12는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다. 도 12에 도시된 RF측정용 교정 패턴(58)에 대응하는 평면도는 실시예 1의 RF측정용 교정 패턴(10)의 평면도인 도 1과 같다. 그리고 도 12에 도시된 RF측정용 교정 패턴(58)의 단면 위치도 도 1의 II-II단면에 상당하는 위치이다. RF측정용 교정 패턴(58)은, RF측정용 교정 패턴(10)의 이면 금속층(22)을 피복하여 유전체층(60)이 또한 배치된 것이다.
RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)가 서로 대향하여 측정을 행할 경우에, 이 RF측정용 교정 패턴(58)을 이용하여 교정을 행하면, RF측정 용 교정 패턴(10)과 마찬가지로, 신호단자(301)와 신호단자(321) 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀하게 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 교정을 행할 수 있다. 또한 이면 금속층(22)이 정전위, 예를 들면 GND전위가 된 경우에 있어서도, 이면 금속층(22)이 유전체층(60)으로 피복되고 있기 때문에 RF측정용 교정 패턴(58)이 배치되는 장소의 상태에 관계없이, RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 교정을 안정되게 실시 할 수 있다.
변형예 2
도 13은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 14는 도 13의 XIV-XIV단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다. 도 13 및 도 14에 도시된 RF측정용 교정 패턴(62)에 있어서는, 이면 금속층(64)이 유전체 기판(12)의 측면을 경유하여 유전체 기판(12)의 표면까지 연장되고, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24) 각각의, 신호용 선로(14)에 근접하지 않는 측의 단부와 전기적으로 접속된 구성으로 되어있다. 따라서 실시예 1에 배치된 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)이 배치되지 않는다.
즉 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)의, 신호용 선로(14)에 근접하지 않는 측의 단부가 서로 직접 접속되어 전기적으로 도통되고 있다.
이 구성의 RF측정용 교정 패턴(62)에 있어서는, RF측정용 교정 패턴(10)의 효과에 더하여, 유전체 기판(12)의 측면 부분에 배치된 면적을 크게 하는 것이 가 능하므로, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)의 GND를 공통화 했을 때 발생하는 기생 인덕턴스 성분을 작게 할 수 있다.
변형예 3
도 15는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 16은 도 15의 XVI-XVI단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다.
도 15 및 도 16에 도시된 RF측정용 교정 패턴(66)에 있어서는, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24) 각각의, 신호용 선로(14)에 근접하지 않는 측의 단부에 도전체로서의 오픈 스터브(68)가 접속된 구성이다.
오픈 스터브(68)의 크기를, 측정하는 신호 주파수 파장의 1/4로 함으로써, 제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)는, 오픈 스터브(68)를 통해, 고주파적으로 접속되게 된다. 이 때문에 RF측정용 교정 패턴(66)에 있어서는, 실시예 1의 RF측정용 교정 패턴(10)이 갖는 효과에 더해서, RF측정용 교정 패턴(10)에 있어서의 바이아 홀(20)이나 이면 금속층(22) 혹은 변형예 2의 RF측정용 교정 패턴(62)에 있어서의 유전체 기판(12)의 측면을 경유하여 유전체 기판(12)의 표면까지 연장된 이면 금속층(64)이 불필요하게 되어, RF측정용 교정 패턴의 제작이 용이하게 된다.
변형예 4
도 17은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 18은 도 17의 XVIII-XVIII단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다.
도 17 및 도 18에 도시된 RF측정용 교정 패턴(70)에 있어서는, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24) 각각의 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부 (14b)에 근접하지 않는 측의 단부를, GND패드의 연장부(72)를 통해 유전체 기판(12) 표면상에서 S자 모양으로 서로 접속함과 동시에, 이 연장부(72)와 교차하는 신호용 선로(14)는, 그 일부에 에어 브리지(14c)를 형성하고, 이 에어 브리지(14c)에 의해 GND패드의 연장부(72)를 걸치는 구성으로 한 것이다.
이 RF측정용 교정 패턴(70)에 있어서는, 실시예 1의 RF측정용 교정 패턴(10)이 갖는 효과에 더하여, 바이아 홀(20)이나 이면 금속층(22) 혹은 변형예 2의 RF측정용 교정 패턴(62)에 있어서의 유전체 기판(12)의 측면을 경유하여 유전체 기판(12)의 표면까지 연장된 이면 금속층(64)이 불필요하게 되므로 RF측정용 교정 패턴의 제작이 용이하게 된다. 또 신호용 선로(14)의 에어 브리지(14c) 부분에서는 특성 임피던스가 에어 브리지(14c)가 아닌 부분과 다른 경우가 있으며, 에어 브리지(14c) 부분의 특성 임피던스가 에어 브리지(14c)가 아닌 부분과 매치되도록, 에어 브리지(14c)의 폭을 결정해야 하는 경우가 있다.
변형예 5
도 19는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 20은 도 19의 XX-XX단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다. 도 19 및 도 20에 도시된 RF측정용 교정 패턴(74)에 있어서는, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24) 각각의 신호용 선로(14)에 근접하지 않는 측의 단부를, 연장부(72)를 통해 유전체 기판(12) 표면 상에서 S자 모양으로 서로 접속함과 동시에, 이 연장부(72)의 일부에 에어 브리지(72a)를 형성하고, 이 에어 브리지(72a)에 의해 신호용 선로(14)를 걸치는 구성으로 한 것이다.
이 구성의 RF측정용 교정 패턴(74)은 변형예 4의 RF측정용 교정 패턴(7)과 동일한 효과를 갖는다.
신호용 선로(14)가 에어 브리지(72a) 밑에 있는 부분의 특성 임피던스가 다른 부분의 특성 임피던스와 매치되지 않는 경우가 있기 때문에, 이를 고려하여 선로의 폭을 바꿀 필요가 생기는 경우가 있다.
변형예 6
도 21은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 21에 도시된 RF측정용 교정 패턴(76)에 있어서는, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)와 소정의 간격을 두어 제 1GND패드(16)가 배치되고 있지만, RF측정용 교정 패턴(10)과 다른 곳은, 제 1GND패드(16)는, 신호용 선로(14)를 따라 신호용 선로(14)에 대향하는 선단부를 갖고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리되고 있다. 이 제 1GND패드(16)의 나머지 한쪽의 단부는 신호용 선로(14)로부터 멀어지는 방향으로 연장되어 스루홀 전극(18)과 접속되고 있다.
또 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)와 소정의 간격을 두어 제 2GND패드(24)가 배치되고 있지만, 이 제 2GND패드(24)도, 신호용 선로(14)를 따라 신호용 선로(14)에 대향하는 선단부를 갖고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리되고 있다. 이 제 2GND패드(24)의 나머지 한쪽의 단부는 신호용 선로(14)로부터 멀어지는 방향으로 연장되어 스루홀 전극(18)과 접속되어 있다.
이 제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)는 정면은 아니지만, 신호용 선로(14)를 통해 서로 대향하여 배치되고 있다.
제 1GND패드(16)와 제 2GND패드(24)는, 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)과 이면 금속층(22)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또 RF측정용 교정 패턴(76)의 XXI-XXI단면의 단면도는, 도 2에 상당한다. 또 변형예 1의 RF측정용 교정 패턴(58)과 같이 RF측정용 교정 패턴(76)에 있어서도 이면 금속층(22)을 피복하여 유전체층(60)이 또한 배치된 구성으로 해도 좋다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴과 RF측정용 프로브 헤드와의 접촉을 도시하는 모식도이다.
도 22에 있어서, RF측정용 교정 패턴(10)의 경우와 마찬가지로, RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)가 서로 대향하여 배치되고 있다. 그리고 이 2개의 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)는, 예를 들면 모두 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드인 경우이다.
이 RF측정용 교정 패턴(10)을 이용하여 교정을 행할 경우에는, 신호단자(301)와 신호단자(321)의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않으며, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀하게 RF측정용 프로브 헤드(30)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 교정을 행할 수 있다.
또한, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)가 신호용 선로(14)의 길이 방향의 거리를 통해 횡 방향으로 서로 근접하여 대향하므로, 혼선이 줄어들어 정밀도가 높은 교정을 행할 수 있다.
변형예 7
도 23은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 23에 도시된 RF측정용 교정 패턴(78)은, 도 13 및 도 14에 도시된 변형예 2의 RF측정용 교정 패턴(62)과 기본적으로 같은 구성이며, RF측정용 교정 패턴(62)과 상이한 점은, RF측정용 교정 패턴(62)의 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고 있는 데 대해, RF측정용 교정 패턴(78)에서는 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)측면이 이면 금속층(64)에 접촉하고 있는 점이다.
RF측정용 교정 패턴(78)의 다른 구성은 RF측정용 교정 패턴(62)과 동일하다. 또 RF측정용 교정 패턴(78)의 XXIII-XXIII단면의 단면도는, 도 14에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(78)에 있어서는, RF측정용 교정 패턴(62)의 효과에 더하여, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)가 신호용 선로(14)의 길이 방향의 거리를 통해 횡 방향으로 서로 근접하여 대향하므로, 혼선이 감소하여 정밀도가 높은 교정을 행할 수 있다.
변형예 8
도 24는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 24에 도시된 RF측정용 교정 패턴(80)은, 도 15 및 도 16에 도시된 변형예 3의 RF측정용 교정 패턴(66)과 기본적으로 같은 구성이며, RF측정용 교정 패턴(66)과 상이한 점은, RF측정용 교정 패턴(66)의 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고 있는 데 대해, RF 측정용 교정 패턴(80)에서는 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되어 있는 점이다.
RF측정용 교정 패턴(80)의 다른 구성은 RF측정용 교정 패턴(66)과 같다. 또 RF측정용 교정 패턴(80)의 XXIV-XXIV단면의 단면도는, 도 16에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(80)에 있어서는, RF측정용 교정 패턴(66)의 효과에 더하여, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)가 신호용 선로(14)의 길이 방향의 거리를 통해 횡 방향으로 서로 근접하여 대향하므로, 혼선이 감소하고 정밀도가 높은 교정을 행할 수 있다.
변형예 9
도 25는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 26은 도 25의 XXVI-XXVI단면에 있어서의 RF측정용 교정 패턴의 단면도이다.
도 25에 도시된 RF측정용 교정 패턴(82)은, 도 17에 도시된 변형예 4의 RF측정용 교정 패턴(70)과 기본적으로 같은 구성이며, RF측정용 교정 패턴(70)과 상이한 점은, RF측정용 교정 패턴(70)의 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고 있는 데 대해, RF측정용 교정 패턴(82)에서는 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 각각 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a), 제 2단부(14b)에 나란히 배치되고 있는 점이다.
RF측정용 교정 패턴(82)의 다른 구성은 RF측정용 교정 패턴(70)과 같다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(82)에 있어서는, RF측정용 교정 패턴(70)의 효과에 더하여, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)가 신호용 선로(14)의 길이 방향의 거리를 통해 횡 방향으로 서로 근접하여 대향하므로, 혼선이 감소하고 정밀도가 높은 교정을 행할 수 있다.
변형예 10
도 27은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 27에 도시된 RF측정용 교정 패턴(84)은, 도 19 및 도 20에 도시된 변형예 5의 RF측정용 교정 패턴(74)과 기본적으로 같은 구성이며, RF측정용 교정 패턴(74)과 상이한 점은, RF측정용 교정 패턴(66)의 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가, 신호용 선로(14)의 길이 방향의 연장선 위에 선단부를 갖고 있는 데 대해, RF측정용 교정 패턴(84)에서는 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 각각 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a), 제 2단부(14b)에 나란히 배치되고 있는 점이다.
RF측정용 교정 패턴(84)의 다른 구성은 RF측정용 교정 패턴(74)과 같다. 또 RF측정용 교정 패턴(84)의 XXVII-XXVII단면의 단면도는, 도 20에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(84)에 있어서는, RF측정용 교정 패턴(74)의 효과에 더하여, RF측정용 프로브 헤드(30)의 신호단자(301)와 RF측정용 프로브 헤드(32)의 신호단자(321)가 신호용 선로(14)의 길이 방향의 거리를 통해 횡 방향으로 서로 근접하여 대향하므로, 혼선이 감소하고 정밀도가 높은 교정을 행할 수 있다.
이상과 같이, 이 실시예 1에 관한 RF측정용 교정 패턴에서는, 유전체 기판 과, 이 유전체 기판 위에, 하나의 특성 임피던스 예를 들면 50Ω를 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1GND패드와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2GND패드와, 제 1GND패드와 제 2GND패드를 전기적으로 접속하는 스루홀 전극과 바이아홀과 이면 금속층 혹은 유전체 기판의 측면을 경유하여 유전체 기판의 표면까지 연장되고 이면 금속층 혹은 제 1GND패드와 제 2GND패드를 고주파적으로 접속하는 오픈 스터브를 구비한 것으로, SG타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 혹은 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 대향시키고 각각의 신호단자를 교정용 패턴의 신호용 선로에 접촉하도록 하여 사용해도, RF측정용 프로브 헤드의 신호단자의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드의 교정을 행할 수 있다.
또 이 실시예 1에 관한 RF측정용 교정 패턴을 이용하여 교정을 행하는 고주파회로의 특성 측정 방법에 있어서는, 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자의 어디에도 RF신호의 영향이 미치지 않으므로, 정확한 교정을 할 수 있고, 고주파회로의 특성 측정이 정확하게 행해진다. 나아가서는 고주파회로의 선정을 정밀하게 행할 수 있으며, 고주파회로 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.
또 이상의 설명에 있어서는, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 사용할 경우에 대해 설명했지만, 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상(鏡像)관계가 되도록 제 1GND패드 및 제 2GND패드를 배치하면, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다.
실시예 2
도 28은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 28에 도시된 RF측정용 교정 패턴(86)은 도 21에 도시된 실시예 1의 변형예 6의 RF측정용 교정 패턴(76)과 기본적으로 같은 구성으로, RF측정용 교정 패턴(76)과 상이한 점은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)에 있어서 신호용 선로(14)를 통해 RF측정용 교정 패턴(76)의 제 1GND패드(16)와 정면에 있어서 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 3정전위용 선로로서의 제 3GND패드(88)가 또한 배치된 것이다.
제 3GND패드(88)는, 신호용 선로(14)를 따라 배치된 선단부를 갖고, 이 선단부는 신호용 선로(14)를 통해 제 1GND패드(16)의 선단부와 정면에 대향하며, 이 제 3GND패드(88)의 나머지 한쪽의 단부는 신호용 선로(14)로부터 멀어지는 방향으로 연장되어 스루홀 전극(18)과 접속되고 있다.
제 3GND패드(88)는 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)을 통해 이면 금속층(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서 제 3GND패드(88)는 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)와 전기적으로 접속되어 있다.
제 3GND패드(88)의 구성은 제 1GND패드(16)와 동일하며, 금속층의 표면에 도금층이 배치된 구성이다. 이 실시예에서는 제 3GND패드(88)에 접속된 스루홀 전극(18)은 제 3GND패드(88)와 같은 금속층으로 형성되어 있다.
또 도 28의 XXVIII-XXVIII단면에 있어서의 단면도는, 도 2에 상당한다.
이 실시예 2에서는, RF측정용 교정 패턴(86)은, 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)에 있어서 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉하고, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)에 있어서 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 더하여 GSG타입 혹은 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 혹은 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상 관계가 되도록 제 2GND패드(24)를 배치하면 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우, 또한 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 대향하여 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 또는 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에, 이 RF측정용 교정 패턴(86)을 이용하여 교정을 행하면, 실시예 1에서 설명한 것과 마찬가지로, 신호단자의 모두가 GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않으며 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드의 교정을 행할 수 있다.
변형예 11
도 29는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 29에 도시된 RF측정용 교정 패턴(90)은, 실시예 2의 변형예 이지만 도 23에 도시된 실시예 1의 변형예 7의 RF측정용 교정 패턴(78)과 기본적으로 같은 구성이다. RF측정용 교정 패턴(90)이 RF측정용 교정 패턴(78)과 상이한 점은, 신호용 선로(14)를 통해 RF측정용 교정 패턴(78)의 제 1GND패드(16)와 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 3GND패드(88)가 배치된 것이다. 이 제 3GND패드(88)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 제 3GND패드(88)의 측면이 제 1GND패드(16)와 마찬가지로 이면 금속층(64)에 접촉하고 있다. 이에 따라 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24) 및 제 3GND패드(88)가 전기적으로 접속되어 있다.
또 도 29의 XXIX-XXIX단면에 있어서의 단면도는, 도 14에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(90)은, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 혹은 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상 관계가 되도록 제 2GND패드(24)를 배치하면 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우, 또한 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 대향하여 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 또는 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 적용 할 수 있으며, 실시예 1의 변형예 7과 동일한 효과를 갖는다.
변형예 12
도 30은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 30에 도시된 RF측정용 교정 패턴(92)은, 실시예 2의 변형예 이지만 도 24에 도시된 실시예 1의 변형예 8의 RF측정용 교정 패턴(80)과 기본적으로 같은 구성이다. RF측정용 교정 패턴(92)이 RF측정용 교정 패턴(80)과 상이한 점은, RF측정용 교정 패턴(80)의 제 1GND패드(16)와 신호용 선로(14)를 통해 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 3GND패드(88)가 또한 배치된 것이다. 이 제 3GND패드(88)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 제 3GND패드(88)의 신호용 선로(14)에 근접 하지 않는 측의 단부에 오픈 스터브(68)가 접속된 구성 이다.
오픈 스터브(68) 그 크기를, 측정하는 신호 주파수 파장의 1/4로 함으로써, 오픈 스터브(68)를 통해 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24) 및 제 3GND패드(88)가 고주파적으로 접속되어 있다. 또 도 30의 XXX-XXX단면에 있어서의 단면도는, 도 16에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(92)은, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 혹은 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상 관계에 되도록 제 2GND패드(24)를 배치하면, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우, 또한 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 대향하여 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 혹은 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 적용 할 수 있으며, 실시예 1의 변형예 8과 동일한 효과를 갖는다.
변형예 13
도 31은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 31에 도시된 RF측정용 교정 패턴(94)은, 실시예 2의 변형예 이지만 도 25 및 도 26에 도시된 실시예 1의 변형예 9의 RF측정용 교정 패턴(82)과 기본적으로 같은 구성이다. RF측정용 교정 패턴(94)이 RF측정용 교정 패턴(82)과 상이한 점은, 신호용 선로(14)를 통해 RF측정용 교정 패턴(82)의 제 1GND패드(16)와 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 3GND패드(88)가 또한 배치된 것이다. 이 제 3GND패드(88)는 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)에 나란히 배치됨과 동시에, 제 3GND패드(88)는 연장부(72)를 통해 유전체 기판 표면 상에서 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)과 접속되고 있는 점이다.
또 도 31의 XXXI-XXXI단면에 있어서의 단면도는, 도 26에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(94)은, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 혹은 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상 관계가 되도록 제 2GND패드(24)를 배치하면, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 또는 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 대향하여 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 혹은 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 적용 할 수 있으며, 실시예 1의 변형예 9와 동일한 효과를 갖는다.
변형예 14
도 32은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 32에 도시된 RF측정용 교정 패턴(96)은, 실시예 2의 변형예 이지만 도 27에 도시된 실시예 1의 변형예 10의 RF측정용 교정 패턴(84)과 기본적으로 같은 구성이다. RF측정용 교정 패턴(96)이 RF측정용 교정 패턴(84)과 상이한 점은, 신호용 선로(14)를 통해 RF측정용 교정 패턴(84)의 제 1GND패드(16)와 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 3GND패드(88)가 또한 배치된 것이다. 이 제 3GND패드(88)는 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a)에 나란히 배치됨과 동시에, 제 3GND패드(88)는 연장부(72)를 통해 유전체 기판 표면 상에서 제 1GND패드(16) 및 제 2GND패드(24)와 접속되고 있는 점이다.
또 도 32의 XXXII-XXXII단면에 있어서의 단면도는, 도 20에 상당한다.
따라서, RF측정용 교정 패턴(96)은, SG타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우 혹은 신호용 선로의 중심축에 대하여 경상 관계에 되도록 제 2GND패드(24)를 배치하면, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 끼리를 이용한 경우, 또한 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드에 대향하여 GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 혹은 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 적용 할 수 있으며, 실시예 1의 변형예 10와 동일한 효과를 갖는다.
이상과 같이, 이 실시예 2에 관한 RF측정용 교정 패턴에서는, 유전체 기판과, 이 유전체 기판 위에, 하나의 특성 임피던스 예를 들면 50Ω을 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 가진 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1GND패드와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2GND패드와, 제 1GND패드에 신호용 선로를 통해 정면에 대향한 제 3GND패드와, 제 1GND패드와 제 2GND패드와 제 3GND패드를 전기적으로 접속하는 스루홀 전극과 바이아홀과 이면 금속층 또는 유전체 기판의 측면을 경유하여 유전체 기판의 표면까지 연장되고 이면 금속층 또는 제 1GND패드와 제 2GND패드와 제 3GND패드를 고주파적으로 접속하는 오픈 스터브를 구비한 것으로, SG타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 혹은 GS타입 RF측정용 프로브 헤드 끼리 혹은 SG타입 RF측정용 프로브 헤드에 GS타입 측정용 프로브 헤드 또는 GSG타입 RF측정용 프로브 헤드를 대향시키고, 각각의 신호단자를 교정용 패턴의 신호용 선로에 접촉시켜 사용해도, RF측정용 프로브 헤드의 신호단자의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드의 교정을 행할 수 있다.
또 이 실시예 2에 관한 RF측정용 교정 패턴을 이용하여 교정을 행하는 고주파회로의 특성 측정 방법에 있어서는, 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자의 어느 것에도 RF신호의 영향이 미치지 못하므로, 정확한 교정을 할 수 있으며, 고주파회로의 특성 측정이 정확하게 행해진다. 나아가서는 고주파회로의 선정을 정밀하게 행할 수 있고, 고주파회로 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.
실시예 3
도 33은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다. 도 33에 도시된 RF측정용 교정 패턴(98)은, 실시예 2의 RF측정용 교정 패턴(86)에 또한, 신호용 선로(14)를 통해 제 2GND패드(24)와 대향하고, 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 4정전위용 선로로서의 제 4GND패드(100)가 배치된 것이다.
제 4GND패드(100)는, 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)에 있어서 신호용 선로(14)를 따라 배치된 선단부를 갖고, 이 선단부는 신호용 선로(14)를 통해 제 2GND패드(24)의 선단부와 정면으로 대향하며, 이 제 4GND패드(100)의 나머지 한쪽의 단부는 신호용 선로(14)로부터 멀어지는 방향으로 연장되고, 스루홀 전극(18)과 접속되어 있다. 제 4GND패드(100)는 스루홀 전극(18)과 바이아 홀(20)을 통해 이면 금속층(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서 제 4GND패드(100)는 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24) 및 제 3GND패드(88)와 전기적으로 접속되어 있다. 제 4GND패드(100)의 구성은 제 1GND패드(16)와 동일하며, 금속층의 표면에 도금층이 배치된 구성이다. 이 실시예에서는 제 4GND패드(100)에 접속된 스루홀 전극(18)은 제 4GND패드(100)와 같은 금속층으로 형성되어 있다.
또 도 33의 XXXIII-XXXIII단면에 있어서의 단면도는, 도 2에 상당한다.
이 실시예 3에 관한 RF측정용 교정 패턴(100)은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부(14b)중 어디에 있어서도, 모든 타입 즉 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, 어느 타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 있어서도, 이 RF측정용 교정 패턴(100)을 이용하여 교정을 행할 수 있다. 이 RF측정용 교정 패턴(10)0 을 이용하여 교정을 행할 때, 실시예 1에서 설명한 것과 마찬가지로, 모든 타입의 RF측정용 프로브 헤드의 신호단자 모두가, RF측정용 교정 패턴(100)의 GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다.
따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드의 교정을 행할 수 있다.
변형예 15
도 34는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 34에 도시된 RF측정용 교정 패턴(102)은, 실시예 3의 변형예 이지만 도 29에 도시된 실시예 2의 변형예 11의 RF측정용 교정 패턴(90)에 또한, 신호선로 (14)를 통해 제 2GND패드(24)와 대향하여 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 4GND패드(100)가 배치된 것이다. 이 제 4GND패드(100)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 제 4GND패드(100)의 측면이 제 1GND패드(16)와 마찬가지로 이면 금속층(64)에 접촉하고 있다. 따라서 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24), 제 3GND패드(88) 및 제 4GND패드(100)가 전기적으로 접속되어 있다.
또 도 34의 XXXIV-XXXIV단면에 있어서의 단면도는, 도 14에 상당한다.
이 변형예 15에 관한 RF측정용 교정 패턴(102)은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부(14b)중 어디에 있어서도, 모든 타입 즉 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, RF측정용 교정 패턴(102)은, 어느 타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 있어서도 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 되고, 실시예 2의 변형예 11과 동일한 효과를 갖는다.
변형예 16
도 35는 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 35에 도시된 RF측정용 교정 패턴(104)은, 실시예 3의 변형예 이지만 도 30에 도시된 실시예 2의 변형예 12의 RF측정용 교정 패턴(92)에 또한, 제 2GND패드(24)와 신호용 선로(14)를 통해 대향하여 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 4GND패드(100)가 배치된 것이다. 이 제 4GND패드(100)는, 그 선단부가 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 제 4GND패드(100)의 신호용 선로(14)에 근접 하지 않는 측의 단부에 오픈 스터브(68)가 접속된 구성이다. 따라서 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24), 제 3GND패드(88) 및 제 4GND패드(100)가 고주파적으로 접속되어 있다.
또 도 35의 XXXV-XXXV단면에 있어서의 단면도는, 도 16에 상당한다.
이 변형예 16에 관한 RF측정용 교정 패턴(104)은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부(14b)중 어디에 있어서도, 모든 타입 즉 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, RF측정용 교정 패턴(104)은, 어느 타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 있어서도 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 되고, 실시예 2의 변형예 12와 동일한 효과를 갖는다.
변형예 17
도 36은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 36에 도시된 RF측정용 교정 패턴(106)은, 실시예 3의 변형예 이지만, 도 31에 도시된 실시예 2의 변형예 13의 RF측정용 교정 패턴(94)에 또한, 신호용 선로(14)를 통해 제 2GND패드(24)와 대향하여 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된, 제 4GND패드(100)가 배치된 것이다. 이 제 4GND패드(100)는, 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)에 나란히 배치됨과 동시에, 제 4GND패드(100)는 GND패드의 연장부(72)를 통해 유전체 기판 표면 상에서 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24) 및 제 3GND패드(88)와 접속되고 있다.
또 도 36의 XXXVI-XXXVI단면에 있어서의 단면도는, 도 26에 상당한다.
이 변형예 17에 관한 RF측정용 교정 패턴(106)은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부(14b)중 어디에 있어서도, 모든 타입 즉 SG타입의 RF측정용 프로브 헤드, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, RF측정용 교정 패턴(106)은, 어느 타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 있어서도 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 되고, 실시예 2의 변형예 13과 동일한 효과를 갖는다.
변형예 18
도 37은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 패턴의 평면도이다.
도 37에 도시된 RF측정용 교정 패턴(108)은, 실시예 3의 변형예 이지만, 도 32에 도시된 실시예 2의 변형예 14의 RF측정용 교정 패턴(96)에 또한, 신호용 선로(14)를 통해 제 2GND패드(24)와 대향하여 신호용 선로(14)와 전기적으로 분리된 제 4GND패드(100)가 배치된 것이다. 이 제 4GND패드(100)는, 신호용 선로(14)를 따라 배치되고, 그 선단부가 신호용 선로(14)의 제 2단부(14b)에 나란히 배치되는 동시에, 제 4GND패드(100)는 GND패드의 연장부(72)를 통해 유전체 기판 표면 상에서 제 1GND패드(16), 제 2GND패드(24) 및 제 3GND패드(88)와 접속되고 있다.
또 도 37의 XXXVII-XXXVII단면에 있어서의 단면도는, 도 20에 상당한다.
이 변형예 18에 관한 RF측정용 교정 패턴(108)은, 신호용 선로(14)의 제 1단부(14a) 및 제 2단부(14b)중 어디에 있어서도, 모든 타입 즉 SG타입의 RF측정용 프 로브 헤드, GS타입의 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입의 RF측정용 프로브 헤드가 접촉 가능하게 된다.
그리고, RF측정용 교정 패턴(106)은, 어느 타입의 RF측정용 프로브 헤드를 이용한 경우의 고주파회로의 특성 측정의 교정 시에 있어서도 RF측정용 프로브 헤드의 교정이 가능하게 되고, 실시예 2의 변형예 14와 동일한 효과를 갖는다.
이상과 같이, 이 실시예 3에 관한 RF측정용 교정 패턴에서는, 유전체 기판과, 이 유전체 기판 위에, 하나의 특성 임피던스 예를 들면 50Ω을 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1GND패드와, 신호용 선로의 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2GND패드와, 제 1GND패드에 신호용 선로를 통해 정면에 대향한 제 3GND패드와, 제 2GND패드에 신호용 선로를 통해 정면에 대향한 제 4GND패드와, 제 1GND패드와 제 2GND패드와 제 3GND패드와 제 4GND패드를 전기적으로 접속하는 스루홀 전극과 바이아홀과 이면 금속층 혹은 유전체 기판의 측면을 경유하여 유전체 기판의 표면까지 연장되어 이면 금속층 혹은 제 1GND패드와 제 2GND패드와 제 3GND패드와 제 4GND패드를 고주파적으로 접속하는 오픈 스터브를 구비한 것으로, SG타입 RF측정용 프로브 헤드, GS타입 RF측정용 프로브 헤드 및 GSG타입 RF측정용 프로브 헤드의 모든 조합의 RF측정용 프로브 헤드를 대향시키고, 각각의 신호단자를 교정용 패턴의 신호용 선로에 접촉시켜 사용해도, RF측정용 프로브 헤드의 신호단자의 모두가, GND용 선로 위를 넘지 않고 있다. 이 때문에 RF신호가 측정값에 영향을 주지 않고, 신호 주파수의 증가에 따라 측정값이 크게 편의하는 경우도 없다. 따라서 정밀도가 높은 RF측정용 프로브 헤드의 교정을 행할 수 있다.
또 이 실시예 3에 관한 RF측정용 교정 패턴을 이용하여 교정을 행하는 고주파회로의 특성 측정 방법에 있어서는, 모든 타입의 조합인 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자의 어디에도 RF신호의 영향이 미치지 못하므로, 정확한 교정을 할 수 있고, 고주파회로의 특성 측정이 정확하게 행해진다. 나아가서는 고주파회로의 선정을 정밀하게 행할 수 있으며, 고주파회로 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.
실시예 4
도 38은 본 발명의 일 실시예에 관한 RF측정용 교정 지그의 평면도이다. 도 39는 도 38의 XXXIX-XXXIX단면에 있어서의 RF측정용 교정 지그의 단면도이다.
도 38 및 도 39에 있어서, RF측정용 교정 지그(110)는, 일 예로서 도 13 및 도 14에 도시된 실시예 1의 변형예 2의 RF측정용 교정 패턴(62)을 이용한 경우이지만 상기 서술한 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3의 모든 RF측정용 교정 패턴을 이용할 수 있다.
RF측정용 교정 지그(110)의 유전체 기판(112)은 RF측정용 교정 패턴(62)을 배치하는 오목부(112a)가 배치되어 있다. 이 오목부(112a)는 길이가 다른 복수의 RF측정용 교정 패턴을 갈아넣을 수 있도록 형성되어 있다. 이 때문에 필요로 하는 소정 주파수의 교정을 하나의 지그로 행할 수 있다.
이상과 같이 이 실시예에 관한 RF측정용 교정 지그는, 이 때문에 필요로 하 는 소정 주파수의 교정을 하나의 지그로 행할 수 있다. 나아가서는 고주파회로의 선정을 정밀하게 간단히 행할 수 있으며, 간단한 공정으로 고주파회로 장치의 수율을 향상할 수 있다. 또 이상에 있어서 설명한 RF측정용 교정 패턴은 유전체 기판을 이용한 것이지만, 유전체 기판이 아닌 웨이퍼 위에 신호용 선로 및 각 GNN패드를 형성하는 다른 경우에 있어서도 같은 효과를 나타낸다.
본 발명에 관한 고주파회로의 특성 측정 방법에 있어서는, 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자 중 어느 것도 교정용 패턴의 정전위용 선로를 넘어서 배치되지 않으므로, 제1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자의 어디에도 RF신호의 영향이 미치지 않아 정확한 교정을 할 수 있으며, 고주파회로의 특성 측정이 정확하게 행해진다. 나아가서는 고주파회로의 선정을 정밀하게 할 수 있으며, 고주파회로 장치의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 관한 고주파회로의 특성 측정 방법은, 이동통신, 광통신, 위성통신 등의 마이크로파대, 밀리미터파대의 통신 기기에 이용되는 고주파회로의 RF측정 방법에 적합하다.

Claims (7)

  1. 기판과, 이 기판 위에, 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1정전위용 선로와, 상기 신호용 선로의 상기 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2정전위용 선로와, 상기 제 1정전위용 선로와 상기 제 2정전위용 선로를 전기적 혹은 고주파적으로 접속하는 도전체를 구비한 교정용 패턴을 준비하는 공정과,
    신호용 단자와 정전위용 단자의 배열이 동일한 제 1, 제 2의 특성 측정용 프로브 헤드를 이용하여, 피측정회로의 측정에 앞서, 제 1측정용 프로브 헤드의 신호용 단자와 정전위용 단자를 각각 대응하는 상기 교정용 패턴의 신호용 선로의 제 1단부와 제 1정전위용 선로의 일단에 접촉시키고, 제 2특성 측정용 프로브 헤드의 신호용 단자와 정전위용 단자를 각각 대응하는 상기 교정용 패턴의 신호용 선로의 제 2단부와 제 2정전위용 선로의 일단에 접촉시켜, 교정을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파회로의 특성 측정 방법.
  2. 기판과,
    이 기판 위에, 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재하여 제 1, 제 2단부를 갖는 신호용 선로와,
    이 신호용 선로의 상기 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1정전위용 선로와,
    상기 신호용 선로의 상기 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2정전위용 선로와,
    상기 제 1정전위용 선로와 제 2정전위용 선로를 전기적 혹은 고주파적으로 접속하는 도전체를 구비한 것을 특징으로 하는 교정용 패턴.
  3. 제 2항에 있어서,
    제 1, 제 2정전위용 선로의 일단이, 신호용 선로의 연장 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 교정용 패턴.
  4. 제 2항에 있어서,
    제 1, 제 2정전위용 선로의 일단이 신호용 선로의 측부를 따라 배치되고, 상기 신호용 선로를 통해 서로 대향하는 것을 특징으로 하는 교정용 패턴.
  5. 제 4항에 있어서,
    제 1정전위용 선로의 일단과 신호용 선로를 통해 정면에 대향하는 일단을 갖 고, 제 1, 제 2정전위용 선로의 타단이 전기적 혹은 고주파적으로 접속된 전도체에 타단이 전기적 혹은 고주파적으로 접속된 제 3정전위용 선로가 또한 배치된 것을 특징으로 하는 교정용 패턴.
  6. 제 5항에 있어서,
    제 2정전위용 선로의 일단과 신호용 선로를 통해 정면에 대향하는 일단을 갖고, 제 1, 제 2정전위용 선로의 타단이 전기적 혹은 고주파적으로 접속된 전도체에 타단이 전기적 혹은 고주파적으로 접속된 제 4정전위용 선로가 또한 배치된 것을 특징으로 하는 교정용 패턴.
  7. 기판과, 이 기판 위에, 하나의 특성 임피던스를 갖고 연재하여 제 1, 제 2의 단부를 가진 신호용 선로와, 이 신호용 선로의 상기 제 1단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 1정전위용 선로와, 상기 신호용 선로의 상기 제 2단부에 근접하여 소정의 간격을 두고 그 일단이 배치된 제 2정전위용 선로와, 상기 제 1정전위용 선로와 상기 제 2정전위용 선로를 전기적 혹은 고주파적으로 접속하는 도전체를 구비한 교정용 패턴과,
    이 교정용 패턴을 바꿀 수 있도록 장착되는 오목부가 표면에 배치된 유전체 기판을 구비한 것을 특징으로 하는 교정용 지그.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
KR100864916B1 (ko) * 2002-05-23 2008-10-22 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 피시험 디바이스를 테스트하기 위한 프로브
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
KR100960496B1 (ko) * 2003-10-31 2010-06-01 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 러빙방법
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
KR20070058522A (ko) 2004-09-13 2007-06-08 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 양측 프루빙 구조
JP2006258667A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Nec Electronics Corp パッケージ基板のrfインピーダンス測定装置
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) * 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
JP5068500B2 (ja) * 2006-09-19 2012-11-07 三菱電機株式会社 ミリ波rfプローブパッド
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
JP2015052574A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 株式会社東芝 高周波特性測定治具装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6341041A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0434950A (ja) * 1990-05-30 1992-02-05 Nec Corp 半導体集積回路装置
KR0138752B1 (ko) * 1990-09-03 1998-06-15 이노우에 아키라 프로우브 장치
JPH05152395A (ja) 1991-11-27 1993-06-18 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5594358A (en) * 1993-09-02 1997-01-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio frequency probe and probe card including a signal needle and grounding needle coupled to a microstrip transmission line
JP3250484B2 (ja) 1997-04-08 2002-01-28 株式会社デンソー 電圧制御発振回路
JP2000101309A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nec Eng Ltd グランド回路及びこれを含むプリント基板
JP2001244308A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 高周波信号用のプローブ
JP4536942B2 (ja) * 2001-02-09 2010-09-01 三菱電機株式会社 高周波用集積回路及びこれを用いた高周波回路装置
KR100519012B1 (ko) 2001-07-05 2005-10-06 전자부품연구원 적층 부품의 캘리브레이션용 소자 및 그의 제조 방법
KR100536389B1 (ko) * 2003-10-21 2005-12-12 기아자동차주식회사 차량의 빗물 차단장치
US7157926B1 (en) * 2005-09-06 2007-01-02 Seiko Epson Corporation Universal padset concept for high-frequency probing

Also Published As

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US7173433B2 (en) 2007-02-06
JP2005331298A (ja) 2005-12-02
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US20050258819A1 (en) 2005-11-24

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