상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는, 유리전이점이 180℃ 이상인 합성 수지로 이루어지는 다공질막에, 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터는, 집전체와 활물질층이 적층된 전극의 그 활물질 상에, 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자를 함유하는 유리전이점이 180℃ 이상인 합성 수지로 이루 어지는 다공질막이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터의 제조방법의 제 1 양태는, 하기 (a)∼(d) 를 포함하는 도료를 기재에 도포하고 건조시킴으로써 다공질막을 형성하는 것을 특징으로 한다:
(a) 유리 전이점이 180℃ 이상인 합성 수지,
(b) 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자,
(c) 상기 합성 수지를 용해하는 양용매의 1 종 이상,
(d) 상기 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매의 1 종 이상.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터의 제조방법의 제 2 양태는, 하기 (a)∼(c) 를 포함하는 도료를 기재에 도포한 후, 하기 합성 수지를 용해하는 양용매와 혼합가능하고 그 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매 중에 침지시켜 건조시킴으로써 다공질막을 형성하는 것을 특징으로 한다:
(a) 유리 전이점이 180℃ 이상인 합성 수지,
(b) 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자,
(c) 상기 합성 수지를 용해하는 양용매의 1 종 이상.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 구성하는 합성 수지는, 유리전이점이 180℃ 이상인 내열성 및 전기절연성을 갖는 수지이며, 구체적으로는 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐술폰, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에테르에테르케톤, 폴리페닐렌술피드 및 폴리테트라플루오로에틸렌 중 1 종 이상으로 이루어지는 것을 들 수 있다. 이들 수지는 공지된 기술을 사용하여 제조할 수 있다. 전자부품용 세퍼레이터의 내열성, 치수안정성, 기계적 강도는 다공질막을 형성하는 합성 수지에 의존하기 때문에, 합성 수지의 물리적 성상, 특히 유리전이점이 중요하다. 따라서 본 발명에서는, 합성 수지의 유리전이점이 180℃ 이상이어야 한다. 유리전이점이 180℃ 가 되지 않으면, 형성되는 전자부품이 180℃ 이상의 고온으로 발열하였을 때 치수변화 및 변형을 일으켜 전자부품 성능의 열화로 이어지기 때문에 바람직하지 않다. 합성 수지는, 전자부품의 제조나 전자부품의 사용환경에 따라서는 200℃ 이상의 고온환경 하에 노출되는 경우도 있기 때문에, 유리전이점은 200℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 유리전이점의 측정방법과 해석방법은 JIS K-7121 에 기재된 방법에 의해 실시한다.
또, 후술하는 본 발명의 제조방법에서는, 합성 수지를 용매 중에 용해 또는 분산시켜 사용하기 때문에, 합성 수지로는 용매에 용해하는 것이 바람직하게 사용되고, 그렇게 형성되는 다공질막의 기계적 강도, 균일성이 한층 더 양호해진다. 구체적으로는, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐술폰, 폴리아크릴로니트릴 중 어느 1 종 또는 이들 2 종 이상의 혼합물을 바람직한 것으로 들 수 있다. 특히, 기계적 강도가 우수한 폴리아미드이미드, 폴리페닐술폰이 바람직하게 사용된다.
또, 본 발명에서 기계적 강도, 치수안정성, 내열성을 손상시키지 않는 범위에서 유리전이점이 180℃ 미만인 합성 수지를 함유시키는 것도 가능하다. 그러한 합성 수지를 함유시킴으로써 전자부품에 사용되는 전해액의 도포성 향상, 유지성 향상, 가요성 향상 등의 효과를 발생시킬 수 있다. 유리전이점이 180℃ 미만인 합성 수지를 함유시키는 경우, 그 함유량은 전체 수지성분의 20중량% 이하의 범위로 해야 한다. 20중량% 보다 첨가량이 많아지면 내열성이 저하하기 때문에, 본 발명의 목적을 달성하기 어려워진다.
본 발명에서, 다공질막에는 필러 입자를 함유시켜야 한다. 즉, 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는 실질적으로 차폐 구조를 갖지 않는 연통구멍을 갖는 다공질막으로 구성되지만, 이러한 다공질막을 얻기 위해 필러 입자를 함유시켜야 한다. 필러 입자의 존재는 합성 수지를 다공질 구조화할 때 구멍이 존재하지 않는 치밀층 (스킨층) 의 형성을 막는 효과가 있다. 그 이유는 확실하지는 않지만, 건식법 및 습식법에서의 본 발명의 제조방법에 있어서, 합성 수지 용액에 균일 분산되어 있는 필러 입자와 수지 계면 사이에 용매가 편재하여, 필러 입자 주위에서 우선적으로 다공화가 진행하기 때문이라고 생각된다. 그리고, 필러 입자는 도포한 도료의 표면 및 내부에 균일하게 분산되어 있기 때문에, 상분리 상태가 도포 두께방향에서 균일하게 생기기 쉽기 때문이라고 추측된다. 필러 입자를 존재시켜 치밀층의 형성을 막음으로써 다공질막의 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 연통시킨 다공질 구조체로 할 수 있고, 그리고 그것을 사용하여 제작되는 전자부품 내부에서의 이온전도, 전자전도를 방해하는 일이 없어진다.
본 발명에 사용할 수 있는 필러 입자는, 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않아야 한다. 융점이 180℃ 보다도 낮은 경우는, 가열할 때 열용융하여 다공질 구조의 세공을 막을 가능성이 있다. 또, 전해액에 용해 또는 겔화하기 쉬운 재질은, 다공질 구조를 한층 더 잘 막히게 하기 때문에 전자부품 성능을 저하시킬 가능성이 있어 바람직하지 않다. 또, 도전성 재질은 내부단락을 일으키기 때문에, 필러 입자는 전기절연성이어야 한다. 필러 입자의 형상에는 특별히 제한은 없어 무정형 필러, 판형 필러, 침형 필러, 구형 필러가 사용되지만, 다공질막에 균일하게 분산하기 위해서는 구형 필러가 가장 적합하다. 필러 재질의 구체예로는, 예를 들어 천연 실리카, 합성 실리카, 알루미나, 산화티탄, 유리 등의 전기절연성 무기입자, 폴리테트라플루오로에틸렌, 가교아크릴 수지, 벤조구아나민 수지, 가교폴리우레탄, 가교스티렌 수지, 멜라민 수지 등의 유기입자를 들 수 있다. 그 중에서도 내약품성, 내열성 및 분산성이 우수한 전기절연성 무기입자 또는 폴리테트라플루오로에틸렌 입자가 바람직하게 사용된다. 또, 필러 입자의 융점 측정방법은 JIS K-7121 에 기재된 방법에 의해 실시한다.
다공질막 세공의 연통성을 평가하는 수단으로서, JIS P8117 에 기재된 거얼리식 투기도가 있다. 투기도의 수치가 낮을수록 공기의 투과성이 좋은 것을 나타내기 때문에, 전자부품용 세퍼레이터는 투기도의 수치가 낮은 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 필러 입자의 입자직경 및 함유량을 조정함으로써 투기도를 100초/100㎖ 이하로 하는 것이 바람직하고, 전자부품에 사용한 경우, 내부저항을 저하시킬 수 있는 우수한 세퍼레이터가 된다. 또한, 필러 입자의 입자직경 및 함유량 을 적절히 최적화함으로써 투기도를 30초/100㎖ 이하로 하는 것도 용이하여, 더욱 바람직한 세퍼레이터가 된다.
본 발명에 사용하는 필러 입자의 일차 평균 입자직경은 최종적으로 얻어지는 다공질막의 막두께의 1/2 이하이며, 최대 입자직경이 막두께 이하인 것이 바람직하다. 입자직경이 너무 크면 다공질막의 표면 상에 돌기형으로 돌출되는 입자가 존재하기 쉬워져 막두께에 편차가 생길 가능성이 있어 바람직하지 않다. 가장 바람직한 일차 평균 입자직경은, 막두께의 1/100∼1/10 의 범위이다. 막두께의 1/10 이하인 입자직경의 경우에는 치밀층의 형성을 충분히 막을 수 있어, 그 이상의 입자직경이 반드시 필요한 것은 아니다. 또한, 입자직경이 너무 작으면 치밀층의 형성을 막는 효과가 없어져 상기 투기도가 악화된다.
필러 입자의 함유량은, 다공질막의 전체 고형분에 대하여 25∼85중량% 이 바람직하다. 함유량이 많을수록 치밀층의 형성을 막는 것이 가능해지지만, 다공질막의 기계적 강도를 저하시키게 되기 때문에 85중량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 25중량% 미만의 함유량이 되면 치밀성의 형성을 방해하는 효과가 감소하여 상기 투기도를 갖는 것을 얻을 수 없게 되어 바람직하지 않다. 기계적 강도 및 투기도의 양자의 요구를 만족시키는 알맞은 함유량은 40∼70중량% 이다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는 막두께가 1∼50㎛ 의 범위인 것이 바람직하다. 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는, 50㎛ 이하의 박막이라 해도 실용상 문제가 없는 강도를 갖고 있기 때문에, 그것보다도 큰 막두께는 필요하지 않다. 한편 1㎛ 미만인 경우 기계적 강도가 저하하고, 또 취급성도 악화되기 때문에 생산 성이 나빠 바람직하지 않다. 본 발명의 세퍼레이터의 보다 바람직한 막두께는 3∼30㎛ 이고, 가장 바람직하게는 5∼15㎛ 이다. 다공질막을 15㎛ 이하로 박막화함으로써 내부저항이 저하하여, 실용상 문제가 없는 충분히 높은 기계적 강도를 갖는 특히 우수한 전자부품을 얻을 수 있게 된다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는 공극률이 30∼90% 의 범위인 것이 바람직하다. 공극률이 상기 범위보다도 낮으면 내부저항이 커져 전자부품의 성능을 악화시킨다. 또한 공극률이 상기 범위보다도 높으면 기계적 강도가 저하하여, 본 발명의 목적을 달성하는 것이 곤란해진다. 보다 바람직한 범위는 50∼80% 이고, 이 범위의 공극률을 갖는 세퍼레이터는 기계적 강도가 충분히 유지되고, 내부저항도 낮으며, 이온전도성, 전자전도성이 우수하기 때문에 특히 바람직한 것이다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터에서의 세공은, 버블포인트법에 의해 측정한 평균 구멍직경이 0.01∼10㎛ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 세공직경이 상기 범위보다도 작으면 내부저항이 커져 전자부품의 성능 악화를 초래하고, 상기 범위보다도 크면 내부 단락이 발생하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터의 표면의 개공률은 30∼90% 인 것이 바람직하다. 개공률이 너무 낮으면 내부저항이 커져 전자부품의 성능 악화로 이어진다. 또한, 개공률이 너무 높으면 기계적 강도가 저하될 가능성이 있다.
본 발명에서 상기한 필러 입자를 함유하는 다공질막은, 집전체와 활물질층이 적층된 전극의 활물질 상에 형성하여 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터로 해도 된 다.
본 발명의 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터에서의 전극은 정극과 부극이 있고, 양자 모두 집전체와 활물질층이 적층되어 있다. 집전체로는, 전기화학적으로 안정적이고 도전성이 있는 것이라면 어떤 것이든 사용할 수 있지만, 정극으로는 알루미늄, 부극으로는 구리가 바람직하게 사용된다. 또, 정극에 사용하는 활물질층을 구성하는 활물질로는 리튬과 코발트의 복합산화물이 일반적이지만, 그 외에 예를 들어 리튬과 니켈, 망간 등의 천이금속과의 복합산화물 등이 바람직하게 사용된다. 부극에 사용하는 활물질층을 구성하는 활물질로는 카본 블랙, 흑연 등의 틸륨 이온을 흡장 및 방출할 수 있는 것으로서, 전기화학적으로 안정적인 것이라면 어떤 것이든 사용할 수 있다. 이들 활물질은 입자상인 것을 바인더에 함유시키고 이것을 집전체 상에 적층ㆍ고정시켜 활물질층으로 한다. 상기 바인더로는, 예를 들어 폴리불화비닐리덴 수지 또는 그 공중합체 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지 등을 들 수 있지만, 전해액에 녹지 않고 전기화학적으로 안정적인 것이라면 어떤 것이든 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이 내열성이 높고, 투기성이 우수하고, 기계적 강도가 높으며, 박막화가 가능한 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는, 전자부품에 사용된 경우 저내부저항, 고용량화, 고온대응, 고신뢰성, 긴 수명 등에 기여하기 때문에 리튬 이온 전지, 폴리머 리튬 전지, 알루미늄 전해 콘덴서 또는 전기 2중층 커패시터에 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 세퍼레이터는 제조방법은, 다공질 구조화 방법에 특징을 갖고 있 으며, 생산성도 우수하다. 상기한 바와 같이 공지된 다공질화 방법에서는 치밀층을 갖는 막이 얻어지기 쉽지만, 본 발명의 제조방법에 의하면 치밀층을 형성하지 않고 다공질막을 얻을 수 있다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터의 제조방법 중 하나는 건식법, 즉 (a) 유리전이점이 180℃ 이상인 합성 수지, (b) 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자, (c) 상기 합성 수지를 용해하는 양용매의 1 종 이상, 및 (d) 상기 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매의 1 종 이상을 포함하는 도료를 기재에 도포하여 건조시킴으로써 다공질막을 형성하고, 그 후 기재를 제거하는 방법이다. 여기에서 도료에 사용되는 양용매에는 특별히 제한은 없지만, 합성 수지를 용해할 수 있는 용제라면 바람직하게 사용할 수 있다. 주된 예로는, 1-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용제, 2-부타논, 시클로헥사논 등의 케톤계 용제 등을 들 수 있다. 상기한 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매에는 특별히 제한은 없지만, 수지의 용해성을 확인하여 선택하면 된다. 빈용매의 종류, 성상, 물리특성, 첨가량은 다공질막의 구멍직경, 공극률 등에 큰 영향을 주기 때문에, 이하 동일한 조건으로 선택하는 것이 바람직하다. 빈용매는, 그 비점이 양용매의 비점보다 높은 것이 다공질막의 공극률이 커지기 쉽다. 그리고, 빈용매는 그 첨가량이 많을수록 공극률이 높아지지만, 첨가량이 너무 많아지면 도료의 점도가 높아지기 때문에 취급성이 나빠 생산성이 악화된다. 바람직한 빈용매의 비점과 첨가량은, 비점이 양용매보다 10∼20℃ 높고, 첨가량이 전체 용매에 대하여 10∼30중량% 의 범위이다. 상기 예시 한 양용매를 사용한 경우에 선택할 수 있는 빈용매로는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린 등의 글리콜류, 옥탄올, 데칸올 등의 알코올류, 노난, 데칸 등의 지방족 탄화수소류, 프탈산디부틸 등의 에스테르류를 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 성분 (a)∼(d) 의 도료에 첨가하는 방법에는 특별히 제한은 없으나, 예를 들어 합성 수지를 양용매에 용해한 후 필러 입자를 혼합, 분산하여 빈용매를 첨가하는 방법으로도 도료를 용이하게 조제할 수 있다. 수득된 도료는 기재 상에 캐스팅 등에 의해 도포된다. 기재로는, 평활한 것이면 어떤 것이든 사용할 수 있으며, 예를 들어 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름 등의 수지 필름, 알루미늄 등의 금속박, 각종 유리 등을 들 수 있다. 이들 기재는, 박리 처리, 이(易)접착 처리 등의 표면 처리를 한 것이어도 되며, 도포방법에 의해 적절히 선택하면 된다. 기재 상에 도포된 캐스트 필름은 실온에서 180℃ 정도의 범위에서 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 기재 상에 다공질막이 형성된다. 건조방법은 감압 하에서도 상압 하에서도 가능하며, 자연풍 건조도 가능하다. 이어서, 다공질막을 기재에서 박리함으로써 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터는 상기 도료를 사용하여 집전체와 활물질층이 적층된 전극의 활물질 상에 캐스팅 등에 의해 도포하고 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 전자부품용 세퍼레이터의 제조방법의 다른 하나는 습식법, 즉 (a) 유리전이점이 180℃ 이상인 합성 수지, (b) 180℃ 이상의 융점을 갖거나 또는 실질 적으로 융점을 갖지 않는 필러 입자, 및 (c) 상기 합성 수지를 용해하는 양용매의 1 종 이상을 포함하는 도료를 기재에 도포한 후, 상기 양용매와 혼합가능하고 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매 중에 침지시켜 건조시킴으로써 다공질막을 형성하고, 그 후 기재를 제거하는 방법이다. 여기에서, 도료에 사용되는 양용매에는 특별히 제한은 없어, 상기 건식법에서 기재한 것과 동일한 양용매를 사용할 수 있다. 또, 이들 양용매와 혼합가능하고 합성 수지를 용해하지 않는 빈용매에 대해서도 특별히 제한은 없어, 합성 수지의 용해성 및 사용하는 양용매와의 혼화성을 확인하고 선택하면 된다. 상기 양용매를 사용한 경우에 선택할 수 있는 빈용매로는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린 등의 글리콜류, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류, 물 및 이들의 혼합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 (a)∼(c) 의 도료에 첨가하는 방법에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 합성 수지를 양용매에 용해한 후 필러 입자를 혼합, 분산하는 방법으로도 용이하게 도료를 조제하는 것이 가능하다. 또, 수득된 도료는 기재 상에 캐스팅 등에 의해 도포된다. 기재로는 평활한 것이라면 어떤 것이든 사용할 수 있으며, 예를 들어 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름 등의 수지 필름, 알루미늄 등의 금속박, 각종 유리 등을 들 수 있다. 이들 기재는 박리 처리, 이접착 처리 등의 표면 처리를 한 것이어도 되고, 도포방법에 의해 적절히 선택하면 된다. 이어서, 기재 상에 도포된 캐스트 필름은 빈용매 중에 침지된다. 그로 인해 내열성 고분자 용액상과 빈용매의 접촉에 의해 상분리가 진행되어, 기재 상에 다공질 구조를 갖는 층이 형성된다. 그 후, 기재별로 빈용매 중에서 꺼내어 실온에서 180℃ 정도의 범위에서 건조시켜 빈용매를 증발시킨다. 건조방법은 감압 하에서도 상압 하에서도 가능하며, 자연풍 건조도 가능하다. 그 후, 다공질막을 기재에서 박리함으로써 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻을 수 있다.
본 발명의 상기 건식법 또는 습식법은 간편하고 생산성이 좋고 저렴한 방법이며, 그로 인해 양호한 특성을 갖는 전자부품용 세퍼레이터를 효율적으로 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다.
(실시예)
다음에 본 발명을 실시예에 의해 설명한다.
실시예 1
유리전이점이 300℃ 인 폴리아미드이미드를 양용매인 N,N-디메틸아세트아미드에 용해하고, 빈용매로서 에틸렌글리콜 및 필러 입자로서 일차 평균 입자직경이 0.25㎛ 이고 융점이 320℃ 인 폴리테트라플루오로에틸렌 입자를 첨가혼합하여 도료를 얻었다. 수득된 도료의 고형분 농도는 30중량% 이고, 고형분 중 필러 입자는 30중량% 이었다. 다음에, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 수지 필름 기재 상에 상기 도료를 캐스팅법에 의해 도포하고, 송풍건조기 속에서 80℃ 에서 건조시켜 용제를 완전히 증발시켰다. 그 후, 수지 필름 기재를 박리하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 또, 수득된 다공질막의 두께는 25㎛ 이었다.
실시예 2
실시예 1 과 동일하게 하여 다공질막을 얻었지만, 도포량을 조절하여 두께가 15㎛ 인 다공질막을 얻었다.
실시예 3
실시예 1 과 동일하게 하여 다공질막을 얻었지만, 도포량을 조절하여 두께가 6㎛ 인 다공질막을 얻었다.
실시예 4
도료의 고형분 농도를 30중량%, 고형분 중 폴리테트라플루오로에틸렌 입자의 양을 50중량% 으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 15㎛ 이었다.
실시예 5
도료의 고형분 농도를 40중량%, 고형분 중 폴리테트라플루오로에틸렌 입자의 양을 80중량% 으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 15㎛ 이었다.
실시예 6
필러 입자를, 일차 평균입자직경이 3㎛ 이고 융점이 320℃ 인 폴리테트라플루오로에틸렌 입자로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 15㎛ 이었다.
실시예 7
필러 입자를, 일차 평균입자직경이 1㎛ 이고 실질적으로 융점을 갖지 않는 유리입자로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 15㎛ 이었다.
실시예 8
폴리아미드이미드 대신에 유리전이점이 185℃ 인 폴리페닐술폰을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 10㎛ 이었다.
실시예 9
폴리아미드이미드 대신에 유리전이점이 220℃ 인 폴리페닐술폰을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 10㎛ 이었다.
실시예 10
유리전이점이 300℃ 인 폴리아미드이미드를 양용매인 N,N-디메틸아세트아미드에 용해하고, 필러 입자로서 일차 평균입자직경이 0.25㎛ 이고 융점이 320℃ 인 폴리테트라플루오로에틸렌 입자를 첨가혼합하여 도료를 얻었다. 수득된 도료의 고형분 농도는 20중량% 이고, 고형분 중 필러 입자는 50중량% 이었다. 다음에, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 수지 필름 기재 상에 상기 도료를 캐스팅법에 의해 도포한 후, 수지 필름 기재 상에 도포된 캐스트 필름을 증류수에 침지하여 용매를 충분히 확산시켰다. 이어서 물 속에서 꺼낸 후 송풍건조기 속에서 50℃ 에서 건조시켜 용제를 완전히 증발시켰다. 그 후, 수지 필름 기재를 박리하여 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다. 또, 수득된 다공질막의 두께는 25㎛ 이었다.
비교예 1
현재 리튬 이온 이차전지에서 널리 사용되고 있는 폴리에틸렌제 연신 다공질 필름을 세퍼레이터로 하였다. 이 폴리에틸렌제 세퍼레이터의 막두께는 20㎛ 이었다.
비교예 2
현재 상기 2중층 커패시터에서 널리 사용되고 있는 셀룰로오스 펄프로 이루어지는 종이로 만든 세퍼레이터를 비교용 세퍼레이터로 하였다. 이 종이로 만든 세퍼레이터의 막두께는 30㎛ 이었다.
비교예 3
유리전이점이 300℃ 인 폴리아미드이미드를 양용매인 N,N-디메틸아세트아미드에 용해하고, 빈용매로서 에틸렌글리콜을 첨가혼합하여 도료를 얻었다. 수득된 도료의 고형분 농도는 10중량% 이며, 본 도료에는 필러 입자는 포함되지 않았다. 다음에, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 수지 필름 기재 상에 상기 도료를 캐스팅법에 의해 도포하여 송풍건조기 속에서 80℃ 에서 건조시켜 용제를 완전히 증발시켜 다공질막을 형성하였다. 그 후, 수지 필름 기재를 박리하여 비교용 세퍼레이터를 얻었다. 또, 수득된 다공질막의 두께는 25㎛ 이었다.
비교예 4
유리전이점이 300℃ 인 폴리아미드이미드를 양용매인 N,N-디메틸아세트아미드에 용해하여 도료를 얻었다. 수득된 도료의 고형분 농도는 10중량% 이며, 본 도료에는 필러 입자는 포함되지 않았다. 다음에, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 수지 필름 기재 상에 상기 도료를 캐스팅법에 의해 도포한 후, 수지 필 름 기재 상에 도포된 캐스트 필름을 증류수에 침지하여 충분히 용매를 확산시켰다. 이어서, 물 속에서 꺼낸 후 송풍건조기 속에서 50℃ 에서 건조시켜 용제를 완전히 증발시켜 다공질막을 형성하였다. 그 후, 수지 필름 기재를 박리하여 비교용 세퍼레이터를 얻었다. 또, 수득된 다공질막의 두께는 25㎛ 이었다.
비교예 5
필러 입자를 일차 평균입자직경이 6㎛ 이고 융점이 123℃ 인 폴리에틸렌 입자로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 비교용 세퍼레이터를 얻었다. 수득된 다공질막의 두께는 15㎛ 이었다.
상기 실시예 1∼10 및 비교예 1∼5 의 세퍼레이터에 대하여 아래와 같이 평가하여 전자부품용 세퍼레이터로서의 특성을 평가하였다. 또, 표 1 에 다공질막 제조에 사용한 합성 수지의 종류와 유리전이점, 필러 입자의 종류, 일차 평균 입자직경, 융점 및 전체 고형분 중 함유량, 다공질막의 막두께 및 막두께에 대한 필러 입자직경의 비를 정리하여 나타낸다. 또, 표 1 에서 PTFE 는 폴리테트라플루오로에틸렌을 의미한다.
<투기도>
표 2 에 JIS P-8117 에 준거한 야스다세이키사 제조 거얼리식 덴소미터 B 형에 의해 측정한 실시예 및 비교예의 세퍼레이터의 투기도를 나타낸다.
|
합성 수지 |
필러 입자 |
막두께(㎛) |
필러 입자의 입자직경/막두께 |
종류 |
유리 전이점 (℃) |
종류 |
일차 평균 입자직경 (㎛) |
융점 (℃) |
함유량 (중량%) |
실시예1 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
30 |
25 |
0.01 |
실시예2 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
30 |
15 |
0.02 |
실시예3 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
30 |
6 |
0.04 |
실시예4 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
50 |
15 |
0.02 |
실시예5 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
80 |
15 |
0.02 |
실시예6 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
3 |
320 |
30 |
15 |
0.20 |
실시예7 |
폴리아미드이미드 |
300 |
유리 |
1 |
- |
30 |
15 |
0.07 |
실시예8 |
폴리페닐술폰 |
185 |
PTFE |
0.25 |
320 |
30 |
10 |
0.03 |
실시예9 |
폴리페닐술폰 |
220 |
PTFE |
0.25 |
320 |
30 |
10 |
0.03 |
실시예10 |
폴리아미드이미드 |
300 |
PTFE |
0.25 |
320 |
50 |
25 |
0.01 |
비교예1 |
폴리에틸렌 |
- |
없음 |
- |
- |
- |
20 |
- |
비교예2 |
셀룰로오스 |
- |
없음 |
- |
- |
- |
30 |
- |
비교예3 |
폴리아미드이미드 |
300 |
없음 |
- |
- |
- |
25 |
- |
비교예4 |
폴리아미드이미드 |
300 |
없음 |
- |
- |
- |
25 |
- |
비교예5 |
폴리아미드이미드 |
300 |
폴리에틸렌 |
6 |
123 |
30 |
15 |
0.40 |
|
투기도 (초/100㎖) |
실시예 1 |
120 |
실시예 2 |
54 |
실시예 3 |
16 |
실시예 4 |
3 |
실시예 5 |
<1 |
실시예 6 |
28 |
실시예 7 |
17 |
실시예 8 |
20 |
실시예 9 |
22 |
실시예 10 |
5 |
비교예 1 |
270 |
비교예 2 |
6 |
비교예 3 |
>10000 |
비교예 4 |
>10000 |
비교예 5 |
610 |
이상의 결과로부터, 본 발명 실시예의 세퍼레이터는 모두 낮은 투기도를 갖고 있고, 다공성막의 두께 방향에서 균일한 세공과 연통구멍을 갖고 있는 것이 확인되었다, 이에 반하여 비교예 3∼5 의 세퍼레이터는 투기도가 높아, 즉 다공질 내부에 치밀층을 갖고 있는 것이 확인되었다.
<면적변화율>
10×10㎝ 의 사이즈이고 두께가 5㎜ 인 2장의 유리판 사이에 실시예 및 비교예의 세퍼레이터를 5×5㎝ 정방형으로 잘라낸 시험편을 끼운 후에, 수평으로 하여 알루미늄제 배트에 정치하고 오븐 속에 150℃ 또는 200℃ 에서 24시간 방치하여 열에 의한 면적변화를 조사하였다. 면적변화를 면적변화율=(시험후 면적/시험전 면적:25㎠)×100% 로 하여 평가해 내열치수안정성의 지표로 하였다. 그들 결과를 표 3 에 나타낸다.
|
면적변화율(%) |
150℃ |
200℃ |
실시예 1 |
100.0 |
97.7 |
실시예 2 |
100.0 |
97.5 |
실시예 3 |
100.0 |
97.8 |
실시예 4 |
100.0 |
98.2 |
실시예 5 |
100.0 |
99.4 |
실시예 6 |
100.0 |
97.5 |
실시예 7 |
100.0 |
97.5 |
실시예 8 |
100.0 |
95.8 |
실시예 9 |
100.0 |
96.5 |
실시예 10 |
100.0 |
98.2 |
비교예 1 |
48.1 |
12.1 |
비교예 2 |
95.4 |
88.7 |
비교예 3 |
100.0 |
96.9 |
비교예 4 |
100.0 |
97.0 |
비교예 5 |
89.1 |
77.5 |
이상의 결과로부터, 내열성 합성 수지를 사용한 본 발명 실시예의 세퍼레이터는 내열치수안정성이 모두 양호한 것이 확인되었다. 한편, 내열성 합성 수지를 사용하고 있지 않은 비교예 1, 2 및 5 의 세퍼레이터는 200℃ 에서 완전히 용해되어 형상을 전혀 유지하지 않았다.
<이온전도도>
이온전도도는 다음과 같이 측정하였다. 에틸렌카보네이트와 디메틸카보네이트를 중량비 1:1 의 비율로 혼합한 용매에 LiPF6 을 1mol/ℓ가 되도록 용해하여, 수득된 전해액 중에 실시예 1∼10 및 비교예 1∼5 의 세퍼레이터를 진공 함침한 후, 이것을 용매 속에서 꺼내어 표면에 부착한 용매를 신중히 닦아, 이 전해액을 함유한 전자부품용 세퍼레이터에 대해 교류 임피던스법을 사용하여 이온전도도를 측정하였다. 또, 측정은 20℃ 의 환경 하에서 실시하였다. 이 때의 전극에는 스테인리스강제 전극을 사용하였다. 그들 결과를 표 4 에 나타낸다.
|
이온전도도 σ (S/㎝) 20℃ |
실시예 1 |
5.10×10-4 |
실시예 2 |
5.56×10-4 |
실시예 3 |
6.28×10-4 |
실시예 4 |
7.00×10-4 |
실시예 5 |
9.10×10-4 |
실시예 6 |
7.10×10-4 |
실시예 7 |
6.10×10-4 |
실시예 8 |
6.10×10-4 |
실시예 9 |
7.10×10-4 |
실시예 10 |
8.10×10-4 |
비교예 1 |
2.10×10-4 |
비교예 2 |
3.90×10-4 |
비교예 3 |
5.10×10-6 |
비교예 4 |
4.80×10-6 |
비교예 5 |
1.08×10-4 |
상기 결과로부터, 본 발명 실시예의 세퍼레이터는 비교예의 세퍼레이터에 비하여 모두 이온전도도가 우수한 것이 확인되었다. 특히 비교예 3 및 4 의 세퍼레이터에 대해서는, 이온전도도가 다른 것에 비하여 극단적으로 나빠, 전자부품용 세퍼레이터로는 사용할 수 없는 것이었다.
<단락압력>
내부단락성 평가는 다음과 같이 실시하였다. 2장의 스테인리스강판 (3×3㎝) 에 실시예 및 비교예의 각 세퍼레이터 (5×5㎝) 를 끼우고, 스테인리스강제 전극 사이에 80V 의 전위차를 형성한 상태로 양전극이 대향하는 방향에서 가압하고 단락압력을 측정하여, 내부단락성의 지표로 하였다. 또, 상기 이온전도도의 측정결과로부터, 비교예 3 및 4 의 세퍼레이터는 전자부품용 세퍼레이터로서 알맞지 않기 때문에 본 시험은 실시하지 않았다. 그들 결과를 표 5 에 나타낸다.
|
단락압력(㎏/㎠) |
실시예 1 |
260 |
실시예 2 |
230 |
실시예 3 |
205 |
실시예 4 |
240 |
실시예 5 |
255 |
실시예 6 |
240 |
실시예 7 |
240 |
실시예 8 |
235 |
실시예 9 |
235 |
실시예 10 |
255 |
비교예 1 |
180 |
비교예 2 |
155 |
비교예 3 |
미실시 |
비교예 4 |
미실시 |
비교예 5 |
195 |
이상의 결과로부터, 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는 내(耐)내부단락성이 우수한 것으로 확인되어, 종래의 세퍼레이터 이상의 전기절연성을 갖고 있는 것이 판명되었다. 이 우수한 전기절연성은, 세퍼레이터의 기계적 강도가 충분히 높은데다가 균일한 다공질 구조를 갖고 있기 때문에 달성되었다고 생각된다.
이상 4 종류의 평가결과에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는 다공질막의 막두께방향에 균일한 연통구멍을 갖고, 내열성, 이온전도성, 내내부단락성 모두를 만족하는 것이다. 따라서, 본 발명의 전자부품용 세퍼레이터는, 최근의 전자부품의 고용량화, 고기능화의 요구에 충분 대응할 수 있는 것이다. 이에 반하여, 비교용 세퍼레이터는 이러한 요구를 만족시키기에는 불충분한 것을 알 수 있다.
실시예 11
활물질로서, LiCoO2 100중량부, 흑연 10중량부 및 폴리불화비닐리덴 수지 7중량부를 N-메틸피롤리돈에 분산시켜 막자사발로 찧어 페이스트를 제작하였다. 수득된 페이스트를 어플리케이터를 사용하여 알루미늄박 위에 도공한 후, 70℃ 에서 45분간 건조시켜 반습윤 상태로 조정한 후, 활물질층의 층두께가 도공후의 반습윤 상태인 활물질층 두께의 80% 가 되도록 프레스하였다. 그 후, 다시 60℃ 에서 5시간 건조시켜 정극을 얻었다.
수득된 정극의 활물질층 위에 상기 실시예 1 에서와 같은 도료를 도포하고, 동일하게 건조시켜 정극 상에 다공질막을 형성하여 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다.
실시예 12
흑연입자를 100중량부 및 폴리불화비닐리덴 수지 5중량부를 실시예 11 과 동일한 방법으로 페이스트화하여 수득된 페이스트를 동박 상에 도공하고, 이어서 실시예 11 과 동일한 방법으로 건조, 프레스 및 건조 처리하여 부극을 얻었다.
수득된 부극의 활물질층 위에 상기 실시예 1 에서와 같은 도료를 도포하고, 동일하게 건조시켜 부극 상에 다공질막을 형성하여 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터를 얻었다.
하기와 같은 방법으로 활물질층의 결핍성에 관해 검토하였다.
상기 실시예 11 과 실시예 12 의 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터를 각각 다공질층면을 대향시켜 적층하고 정전극이 아래가 되도록 수평 유리판 상에 겹쳐 두고, 그 위에 무게 300g 의 스테인리스강제 원통 (저면:5㎠) 을 탑재하였다. 이 때, 하측 전극의 알루미늄박은 양면 점착테이프로 유리판에 고정하였다. 다음에, 유리판에 고정되어 있지 않은 상측의 전극일체화 세퍼레이터를 천천히 당겨 한 방향으로 슬라이드시킨 후에, 다공질층면 및 전극의 활물질층면의 손상을 확인하였다. 그 결과, 적층한 양자의 전극일체화 전자부품용 세퍼레이터로부터 다공질층과 함께 활물질층이 결핍되는 일은 없었다. 그리고, 각 세퍼레이터의 다공질층면에 상처 등이 발생하지 않아, 각 세퍼레이터의 일체화된 구조에 어떠한 변화도 생기지 않는 것이 확인되었다.