KR20060032577A - 열처리 장치 및 그 교정 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 피처리체를 수용하는 처리 용기와 복수의 히터와 복수의 온도 센서를 구비하고, 상기 온도 센서의 출력으로부터 상기 처리 용기 내의 피처리체의 온도를 추정하기 위한 열모델을 기억하고, 상기 온도 센서의 출력으로부터 상기 열모델을 이용하여 상기 처리 용기 내의 피처리체의 온도를 예상하고, 예상한 온도를 기초로 하여 상기 히터를 제어함으로써 상기 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 장치의 교정 방법이며,상기 히터를 구동하여 상기 처리 용기 내를 가열하는 공정과,상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 온도를 측정하는 공정과,측정한 상기 처리 용기 내의 온도와 상기 열모델을 이용하여 예상한 상기 피처리체의 온도를 비교하고, 실측치에 예상치가 실질적으로 일치하도록 상기 열모델을 교정하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 처리 용기는 복수의 피처리체를 수용 가능하고,상기 온도 측정 공정은 상기 피처리체에 인접하는 온도 센서를 배치하는 공정과,배치한 온도 센서에 의해 상기 피처리체의 온도를 측정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 교정 공정은 측정한 온도와 예상한 온도를 기초로 하여 상기 예상치의 보정치를 구하고, 예상치를 상기 보정치에 의해 보정하도록 상기 열모델을 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열 공정은 상기 히터를 구동하여 상기 처리 용기 내를 복수의 설정 온도로 차례로 설정하고,상기 온도 측정 공정은 각 설정 온도에서의 상기 처리 용기 내의 온도를 측정하고,피처리체의 온도를 예상하는 공정은 각 설정 온도에서의 상기 처리 용기 내의 온도를 예상하고,상기 교정 공정은 측정한 복수의 온도와 예상한 복수의 온도를 기초로 하여 상기 예상치의 보정치를 구하고, 상기 열모델의 예상치를 상기 보정치에 의해 보정하도록 상기 열모델을 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열모델은 상기 히터의 온도와 각 온도 센서의 온도를 예상하는 기능을 구비하고,상기 교정 공정은 상기 히터의 온도 변화량과 상기 온도 센서의 측정 온도의 변화량과의 관계와, 상기 히터에 가장 근접한 온도 센서의 열모델에 의한 예상 온도와 상기 온도 센서의 실측 온도와의 차를 기초로 하여 보정치를 구하고, 예상치를 보정치를 기초로 하여 보정하도록 상기 열모델을 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기 내에는 내부 히터가 배치되어 있고,상기 열모델은 상기 내부 히터의 온도를 예상하는 기능을 구비하고,상기 교정 공정은 상기 내부 히터의 온도의 변화량과 상기 온도 센서의 측정 온도의 변화량과의 관계와, 상기 내부 히터에 가장 근접한 온도 센서의 열모델에 의한 예상 온도와 상기 온도 센서의 실측 온도와의 차를 기초로 하여 보정치를 구하고, 예상치를 보정치를 기초로 하여 보정하도록 상기 열모델을 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기 내에 수용되는 피처리체의 상부와 하부에는 각각 제1 및 제2 히터가 배치되어 있고,상기 열모델은 상기 제1 및 제2 히터의 온도를 예상하는 기능을 구비하고,상기 교정 공정은 상기 제1 히터의 온도의 변화량과 상기 온도 센서의 측정 온도의 변화량의 관계와, 상기 제1 히터에 가장 근접한 온도 센서의 열모델에 의한 예상 온도와 상기 온도 센서의 실측 온도와의 차를 기초로 하여 제1 보정치를 구하고, 상기 제2 히터의 온도의 변화량과 상기 온도 센서의 측정 온도의 변화량과의 관계와, 상기 제2 히터에 가장 근접한 온도 센서의 열모델에 의한 예상 온도와 상기 온도 센서의 실측 온도와의 차를 기초로 하여 제2 보정치를 구하고,상기 열모델에 의한 예상치를 제1 및 제2 보정치를 기초로 하여 보정하도록 상기 열모델을 교정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치의 교정 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 열처리 장치의 교정 방법에 의해 교정된 열모델을 이용하여 처리 용기 내의 온도를 예상하고, 예상한 온도를 기초로 하여 피처리체에 열처리를 실시하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 피처리체를 수용하는 처리 용기와 복수의 히터와 복수의 온도 센서를 구비하고, 상기 온도 센서의 출력으로부터 상기 처리 용기 내의 피처리체의 온도를 추정하기 위한 열모델을 기억하고, 상기 온도 센서의 출력으로부터 상기 열모델을 이용하여 상기 처리 용기 내의 피처리체의 온도를 예상하고, 예상한 온도를 기초로 하여 상기 히터를 제어함으로써 상기 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 장치이며,상기 히터를 구동하여 상기 처리 용기 내를 가열하는 수단과,상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 온도를 측정하는 수단과,측정한 상기 처리 용기 내의 온도와 상기 열모델을 이용하여 예상한 상기 피처리체의 온도를 비교하여, 실측치에 예상치가 실질적으로 일치하도록 상기 열모델을 교정하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
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US20090095422A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-04-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method |
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US8696196B2 (en) * | 2008-12-22 | 2014-04-15 | Embraer S.A. | Bleed leakage detection system and method |
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BR112012026945B1 (pt) * | 2010-04-20 | 2021-05-25 | Qiagen Gmbh | método e aparelho para controlar a temperatura de um líquido |
DE102010041998A1 (de) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Vorhersage der Einsatzfähigkeit eines Relais oder eines Schützes |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
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JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
WO2013159062A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Solexel, Inc. | Temperature calibration and control for semiconductor reactors |
JP6280407B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、制御装置、基板処理装置及び基板処理システム |
CN112768385A (zh) * | 2015-02-25 | 2021-05-07 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法 |
AT518682A1 (de) * | 2016-06-03 | 2017-12-15 | Engel Austria Gmbh | Regelvorrichtung zur Regelung wenigstens einer Regelgröße zumindest eines Temperierkreislaufs |
CN108534917A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-09-14 | 上海外高桥造船有限公司 | 用于船舶测温的干烧炉内芯 |
US10774422B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-09-15 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for controlling vapor phase processing |
DE102018215284B4 (de) * | 2018-09-07 | 2022-11-10 | centrotherm international AG | Rohrverschluss für ein Prozessrohr und Prozesseinheit |
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JP2002110563A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置のモデル生成方法 |
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