KR20060015334A - 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060015334A
KR20060015334A KR1020057023180A KR20057023180A KR20060015334A KR 20060015334 A KR20060015334 A KR 20060015334A KR 1020057023180 A KR1020057023180 A KR 1020057023180A KR 20057023180 A KR20057023180 A KR 20057023180A KR 20060015334 A KR20060015334 A KR 20060015334A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
organic material
forming
liquid crystal
display device
Prior art date
Application number
KR1020057023180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101027255B1 (ko
Inventor
히데오 다나카
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20060015334A publication Critical patent/KR20060015334A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101027255B1 publication Critical patent/KR101027255B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G02F1/13685—Top gates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

본 발명은 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로, 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 갭에 반도체 필름을 형성한다. 이 반도체 필름상에 게이트 절연 필름을 통해 게이트 전극용 금속 필름을 형성한다. 갭을 포함하는 영역에 두꺼운 부분을 가지고 콘택트-홀 형성 영역에 개구부를 갖는 포토-레지스트 필름을 금속 필름상에 형성한다. 마스크로서 유기 재료 필름을 이용하여 게이트 절연 필름에 콘택트 홀을 형성한다. 유기 재료 필름은 갭을 포함하는 영역상에 남겨둔다. 남아있는 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 제 1 금속 필름을 에칭함으로써 갭을 포함하는 영역상에 게이트 전극을 형성한다. 콘택트-홀 형성 영역을 제외한 반사성 영역상에 돌출부와 함몰부를 갖는 유기 재료 필름을 형성한다. 돌출부와 함몰부를 갖는 유기 재료 필름상에 반사성 전극을 형성한다.

Description

액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 디스플레이 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히 포토리소그래피 공정을 증가시키지 않고 향상된 광 특성을 제시하는 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
능동 매트릭스 타입 액정 디스플레이 장치에서, 반사성 전극의 광 확산 특성을 향상시키기 위해, 돌출부와 함몰부를 갖는 유기 재료 필름을 픽셀 영역의 반사성 전극의 프리머 필름(a primer film)으로서 형성하며, 반사성 전극은 프리머 필름상에 형성한다(IDP: In-cell Diffusing Reflector). 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연 필름에 콘택트-홀을 형성하는 경우, 콘택트-홀의 포토리소그래피 공정을 없애기 위해, 콘택트-홀을 IDR의 유기 재료 필름에서 형성할 때 콘택트-홀을 게이트 절연 필름에 연속적으로 형성한다(Digest of technical papers AM-LCD 02의 Hatta 등이 저술한 'A novel 5-mask top-gate TFT process for reflective LCD panel', p201-210).
이 방법은 도 6을 참조하여 설명할 것이다.
도 6(a) 내지 6(d)는 액정 디스플레이 장치를 제조하는 종래의 방법을 도시하고 있다. 우선, 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 크롬(chrome) 필름을 유리 기판(100)상에 증착하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 배선 영역에 대응하는 부분에 크롬 필름을 남겨둠으로써 빛 차단 필름(a light shield film, 108)을 형성한다. 그 후, 실리콘 옥사이드 필름(101)을 유리 기판(100) 및 빛 차단 필름(108)상에 형성한다.
다음으로, ITO(Indium-Tin Oxide) 필름(102) 및 금속 필름(103)을 실리콘 옥사이드 필름(101)상에 연속적으로 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 개구부를 게이트 영역에 형성한다. 그 후, 비결정 실리콘(a-Si) 필름(104) 및 실리콘 니트라이드 필름(105)을 개구부를 갖는 금속 필름상에 연속적으로 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 이들을 게이트 영역에 남겨둔다.
게이트 절연 필름인 실리콘 니트라이드 필름(106)을 전체 기판 표면상에 형성한다. 게이트 전극용 금속 필름을 필름(106)상에 추가로 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 게이트 전극(107)을 게이트 영역에 형성한다.
다음으로, 도 6(b)에 도시된 바와 같이, IDR용 유기 재료 필름(109)을 형성하고, 이 유기 재료 필름(109)의 표면상에 돌출부 및 함몰부를 형성한다. 돌출부 및 함몰부는, 예를 들어, 제 1 층 유기 재료 필름을 형성하고, 위치에 따라 빛의 강도를 변화시키면서 필름상의 노광을 수행하여 섬 모양으로 필름을 남겨두고 난 후, 그 위에 제 2 층 유기 재료 필름을 형성한다.
그 후, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 실리콘 니트라이드 필름(106)은 플라즈마(110)에 의해 건식 에칭을 수행하고 게이트 절연 필름의 콘택트-홀을 형성한다. 이어서, 도 6(d)에 도시된 바와 같이, 금속 필름을 반사성 영역에 증착하여 반사성 전극(111)을 형성하고, 마스크로서 반사성 전극을 이용하여 금속 필름(103)을 에칭한다.
그러나, 전술한 방법에서, 게이트 절연 필름인 실리콘 니트라이드 필름(106)의 콘택트-홀을 형성하는 단계에서, IDR용 유기 재료 필름을 플라즈마에 노출한다. 유기 재료 필름(109)을 플라즈마에 노출하면, 유기 재료 필름(109)의 표면은 깎여지며, 돌출부 및 함몰부는 작아진다. 유기 재료 필름(109)의 돌출부 및 함물부가 작아지면, 반사성 전극의 빛 확산 특성이 낮아져서, 반사성 전극이 원하는 반사 특성을 제시하지 못하는 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 포토리소그래피 공정을 증가시키지 않고 향상된 광 특성을 제시하는 액정 디스플레이 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 액정 디스플레이 장치 제조 방법은, 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭에 반도체 필름을 형성하고, 게이트 절연 필름을 통해 반도체 필름상에 게이트 전극용 제 1 금속 필름을 형성하는 단계와, 제 1 금속 필름상에 제 1 유기 재료 필름을 형성하는 단계 - 제 1 유기 재료 필름은 갭을 포함하는 영역에서 두꺼운 부분을 갖고 콘택트-홀 형성 영역에서 개구부를 가짐 - 와, 갭을 포함하는 영역의 제 1 유기 물질을 남겨 두면서, 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 게이트 절연 필름에 콘택트-홀을 형성하는 단계와, 남겨진 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 제 1 금속 필름을 에칭함으로써 갭을 포함하는 영역상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 콘택트-홀 형성 영역을 제외한 반사성 영역에 돌출부와 함몰부(projections and depressions)를 갖는 제 2 유기 재료 필름을 형성하고, 돌출부와 함몰부를 갖는 제 2 유기 재료 필름상에 반사성 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이 방법에 따르면, IRD용 유기 재료 필름을 형성하기 전에 콘택트-홀을 형성할 수 있다. 그러므로, 콘택트-홀을 형성하는 단RP에서 사용되는 플라즈마에 IDR용 유기 재료 필름이 노출되지 않는다. 따라서, 얻어진 액정 디스플레이 장치는 IDR로 인해 원하는 광 특성을 제시할 수 있다. 또한, 추가적 리소그래피 공정이 요구되지 않으므로, 공정이 복잡해지지 않는다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방법의 다른 실시예에서, 소스 전극은 투과 전극과 이 투과 전극상에 형성되는 제 2 금속 필름으로 구성되며, 제 1 금속 필름 및 제 2 금속 필름 모두를 제 1 금속 필름이 갭을 포함하는 영역상에 남을 때 에칭하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방법의 다른 실시예에서, 차단 부분, 반투과 부분 및 투과 부분을 갖는 마스크를 이용하는 단계 - 차단 부분은 갭을 포함하는 영역에 배치되고, 투과 부분은 상기 콘택트-홀 형성 영역에 배치됨 - 와, 유기 재료 필름상에 노출을 수행하는 단계와, 노출된 유기 물질을 현상하는 단계에 의해 제 1 유기 재료 필름을 형성하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 이 마스크는 하프톤 마스크 또는 회절 마스크이다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방법의 다른 실시예에서, 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 콘택트-홀 형성 영역의 제 1 금속 필름을 에칭하고, 제 2 금속 필름을 마스크로서 이용하여 게이트 절연 필름에 콘택트-홀을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치는, 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭에 반도체 필름을 형성하고, 게이트 절연 필름을 통해 상기 반도체 필름상에 게이트 전극용 제 1 금속 필름을 형성하는 단계와, 제 1 금속 필름상에 제 1 유기 재료 필름을 형성하는 단계 - 제 1 유기 재료 필름은 갭을 포함하는 영역에서 두꺼운 부분을 갖고 콘택트-홀 형성 영역에서 개구부를 가짐 - 와, 갭을 포함하는 영역에 제 1 유기 물질을 남겨 두면서, 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 게이트 절연 필름의 콘택트-홀을 형성하는 단계와, 남겨진 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 제 1 금속 필름을 에칭함으로써 갭을 포함하는 영역상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 콘택트-홀 형성 영역을 제외한 반사성 영역에 돌출부와 함몰부를 갖는 제 2 유기 재료 필름을 형성하고, 돌출부와 함몰부를 갖는 제 2 유기 재료 필름상에 반사성 전극을 형성하는 단계에 의해 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치의 일부를 도시한 단면도이다.
도 2(a) 및 2(b)는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 3(a) 내지 도 3(c)는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 4(a) 내지 4(c)는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치의 특성을 도시한 도면이다.
도 6(a) 내지 6(d)는 액정 디스플레이 장치를 제조하는 종래의 방법을 도시한 단면도이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 보다 상세히 설명할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치의 일부를 도시한 단면도이다. 액정 디스플레이 장치가 반투과형 액정 디스플레이 장치인 경우를 설명한다. 또한, 후술할 부분에 있어서, 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 게이트 전극 영역, 게이트 절연 필름 및 그 주변을 설명할 것이며, 본 발명과 직접 관련이 없는 다른 부분은 생략할 것이다. 다른 부분의 구조는 종래 구조와 거의 동일하다.
빛이 TFT에 직접 입사하는 것을 방지하는 빛 차단 필름(20)은 절연 투과 기판인 유리 기판(10)의 하나의 주요 표면상에 제공한다. 빛 차단 필름(20)은 후술할 소스 전극과 드레인 전극 사이의 영역(갭)을 포함하는 영역에 대응하는 유리 기판상의 영역에 형성한다. 층간 절연 필름인 실리콘 옥사이드 필름(예를 들어, SiO2, 11)은 자신 위에 형성되는 빛 차단 필름(20)을 갖는 유리 기판(10)상에 형성한다. 또한, 유리 기판의 대체물로서 쿼트(quarts) 기판 또는 투과 플라스틱 기판을 이용할 수 있다. 따라서, 반투과형 액정 디스플레이 장치의 경우에는 절연 투과 기판을 이용하며, 반사형 액정 디스플레이 장치의 경우에는 실리콘 기판을 이용한다. 또한, 반사형 액정 디스플레이 장치의 경우에, 빛 차단 필름은 필요치 않다.
소스 전극과 드레인 전극을 실리콘 옥사이드 필름(11)상에 형성한다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 투과 전극인 ITO 필름(12)과 ITO 필름(12)상에 형성되는 금속 필름(13)으로 구성되는 2층 구조를 갖는다. 또한, 소스 전극과 드레인 전극은 2층 구조에 한정되지 않으며, 1층, 3층 또는 그 이상으로 형성할 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극 사이에 갭을 형성하며, 반도체 필름인 a-Si 필름(14)은 이 갭과 갭 주변의 소스 전극과 드레인 전극상에 형성한다.
게이트 절연 필름인 실리콘 니트라이드 필름(예를 들어, SiN, 15)을 a-Si 필 름(14)상에 형성한다. 게이트 절연 필름인 실리콘 니트라이드 필름(16)은 a-Si 필름(14), 실리콘 니트라이드 필름(15), 소스 전극 및 드레인 전극상에 형성한다. 실리콘 니트라이드 필름(예를 들어, SiN)의 개구부(16b)에 콘택트-홀을 형성하고, 이 콘택트-홀까지 튀어나오는 돌기부(overhang portion, 16)를 형성한다. 또한, 실리콘 니트라이드 필름(15, 16)으로 구성되는 2층 구조를 갖는 게이트 절연 필름을 설명하는데, 게이트 절연 필름은 단일-층 구조를 가질 수 있다. 실리콘 니트라이드 필름(16)의 갭을 포함하는 영역에 게이트 전극(17)을 형성한다. IDR용 유기 재료 필름(18)을 그러한 구조를 갖는 반사성 영역(반사성 전극이 제공되는 영역)상에 형성한다. 돌기부(16a)는 유기 재료 필름(18)에 매립하는데, 왜냐면 유기 재료 필름(18)을 구성하는 재료가 유기 재료 필름(18)을 형성하는 단계에서 돌기부(16a) 주위에 있기 때문이다. 돌출부 및 함몰부를 유기 재료 필름(18)의 표면상에 형성하여 빛 확산 특성을 갖는 반사성 전극을 제공한다. 반사성 전극(19)을 유기 재료 필름(18)상에 형성한다. 또한, 게이트 전극(17) 및 반사성 전극(19)의 재료로 사용되는 재료는 일반적으로 사용되는 재료이다.
따라서, 액정 디스플레이 장치에서, IDR 구조를 구성하는 유기 재료 필름(18)은 콘택트-홀을 형성하는 단계에서 플라즈마에 노출되지 않으므로, 돌출부와 함몰부의 원하는 형상을 유지할 수 있다. 따라서, 액정 디스플레이 장치는 IDR을 이용하여 광 효과를 적합하게 제시할 수 있다.
이 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방법을 도 2 내지 4를 참조하여 설명할 것이다. 도 2 내지 4는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방 법을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 크롬 필름을 유리 기판(10)상에 증착하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 배선 영역에 해당하는 부분(소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭을 포함하는 영역)에 크롬 필름을 남겨둠으로써 빛 차단 필름(20)을 형성한다. 다음으로, 층간 절연 필름인 실리콘 옥사이드 필름(11)을 유리 기판(10)과 빛 차단 필름(20)상에 형성한다.
그 후, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, ITO 필름(12) 및 금속 필름(13)을 실리콘 옥사이드 필름(11)상에 연속적으로 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 개구부(갭, 21)를 게이트 영역에 형성한다. 형성할 필름의 범위를 늘리기 위해, 개구부(21)에 작아지는 부분(taper portions, 21a)을 제공하여 실리콘 옥사이드 필름(11)쪽으로 폭이 감소하게 한다. 또한, 이 부분의 구조에서, 금속 필름(13)의 에지 부분이 ITO 필름(12)의 에지 부분보다 안쪽에 존재하는 것은 필수적이며, 작아지는 부분을 제공하는 것이 바람직하다. 이러한 구조에서, a-Si 필름을 형성하기 전에 PH3 플라즈마로 구조를 조사함으로써 ITO 필름(12)의 표면상에 P 원자가 흡수된다. 결과적으로, a-Si과 ITO 사이에 저항 특성이 얻어진다.
이어서, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, a-Si 필름(14) 및 실리콘 니트라이드 필름(15)을 개구부(21)를 갖는 금속 필름(13)상에 연속적으로 형성하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의해 게이트 영역(갭과 갭 부근의 소스 및 드레인 전극)에 남겨둔다.
다음으로, 게이트 절연 필름인 실리콘 니트라이드 필름(16)을 전체 기판 표면상에 형성한다. 또한, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 게이트 전극용 금속 필름(17)을 필름(16)상에 형성한다. 또한, 유기 재료 필름인 포토-레지스트 필름(31)을 필름(17)상에 형성한다. 포토-레지스트 필름(31)은 하프톤 마스크(halftone mask, 33)를 이용하여 패터닝을 겪게 된다.
하프톤 마스크(33)는 빛의 일부를 통과시키는 반투과 부분(33a)과, 전체 빛을 통과시키는 투과 부분(33b)과, 빛을 통과시키지 않는 빛 차단 부분(33c)을 갖는다. 콘택트 홀이 게이트 절연 필름에 형성되는 영역에 해당하는 하프톤 마스크(33)의 투과 부분(33b)을 제공한다. 갭(21)을 포함하는 영역에 해당하는 차단 부분(33c)을 제공한다. 반투과 부분(33a)은 하프톤 마스크(33)의 다른 부분을 구성한다.
하프톤 마스크(33)를 이용하여 포토레지스트를 빛에 노출할 때, 전체 노출 광(도면에서 화살표 X)은 투과 부분(33b)을 통해 통과되고, 노출 광의 일부(도면에서 화살표 Y)는 반투과 부분(33a)을 통해 통과된다. 한편, 노출 광은 차단 부분(33c)을 통해서는 통과되지 않는다. 그러므로, 차단 부분(33c)에 해당하는 부분의 포토레지스트는 두꺼운 부분(31a)을 구성한다. 또한, 반투과 부분(33b)에 해당하는 부분의 포토레지스트를 제거하고 개구부(32)를 형성한다. 또한, 반투과 부분(33a)에 해당하는 부분의 포토레지스트는 부분적으로 제거된다. 이 방식으로, 두꺼운 부분(31a)과 개구부(32)를 갖는 포토-레지스트 필름(31)을 형성한다.
다음으로, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 게이트 전극용 금속 필름(17)은 포 토-레지스트 필름(31)을 마스크로서 이용하여 에칭한다. 이에 의해, 개구부(32)에 해당하는 실리콘 니트라이드 필름(16)을 노출시킨다. 그 후, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 노출된 실리콘 니트라이드 필름(16)은 에칭된 금속 필름(17)을 마스크로서 이용하여 건식 에칭을 겪게 되고, 콘택트-홀을 형성한다. 이 때, 작아지는 부분(16c)을 콘택트 홀에 형성하여 금속 필름(13)쪽으로의 폭이 감소한다. 플라즈마로서 이용되는 일례는 SF6 와 O2의 혼합 가스이다. 혼합된 가스는 유기 재료를 에칭하므로, 포토-레지스터 필름(31)의 두께를 감소시킨다. 그 후, 포토-레지스트 필름에서, 두꺼운 부분(31)만이 게이트 전극용 금속 필름(17)의 갭을 포함하는 영역상에 남는다. 포토-레지스터가 남아 있는 두꺼운 부분(31a)을 제외한 금속 필름(17)상에 남는 경우, O2 플라즈마로 애싱(ashing)함으로써 잔여 레지스트를 제거하는 것이 바람직하다.
그 후, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 두꺼운 부분(31a)을 마스크로서 이용하여 금속 필름(17)을 에칭하고, 실리콘 니트라이드 필름(16)의 갭을 포함하는 영역에 게이트 전극을 형성한다. 동시에, 소스 전극을 구성하는 금속 필름(13)을 에칭한다. 금속 필름(13)을 에칭할 때, 과도한 에칭으로 인해 실리콘 니트라이드 필름(16)에 돌기부(16a)를 형성한다. 이어서, 도 4(b)에 도시된 바와 같이 포토 레지스트의 두꺼운 부분(31a)을 제거한다.
다음으로, 도 4(c)에 도시된 바와 같이, IDR용 유기 재료 필름(18)을 콘택트-홀 형성 영역이 아닌 (콘택트 홀의 실리콘 니트라이드 필름의 게이트 전극(17)과 작아지는 부분을 포함하는) 반사성 영역에 형성하고, 돌출부 및 함몰부를 유기 재료 필름(18)의 소스상에 형성한다. 이 때, 유기 재료 필름(18)을 구성하는 재료가 실리콘 니트라이드 필름(16)의 돌기부(16a) 주위에 있으므로, 유기 재료 필름(18)에 부분(16a)이 매립된다. 돌출부 및 함몰부의 형성은, 예를 들어, 제 1 층 유기 재료 필름을 형성하고, 위치에 따라 빛의 강도를 변화시키면서 필름상에 노광을 수행하여 섬 모양으로 유기 재료 필름을 남겨두고, 제 1 층 유기 재료 필름상에 제 2 층 유기 재료 필름을 형성함으로써 수행한다. 또한, 돌출부 및 함몰부의 형성은 전술한 방법에 한정되지 않으며, 다양한 방법에 의해 수행할 수 있다.
이어서, 유기 재료 필름(18)상에 금속 필름을 증착하고, 반사성 전극(19)을 형성한다. 또한, 유기 재료 필름(18)의 재료로서, 포토 레지스트를 사용할 수 있다. 반사성 전극(19)의 재료로서, 알루미늄을 사용할 수 있다. 따라서 도 1에 도시된 구조가 얻어진다.
본 발명의 방법에서, 소스와 드레인 전극 사이의 갭을 포함하는 영역의 두꺼운 부분을 가지며 콘택트-홀 형성 영역에서 개구를 더 갖는 포토레지스트 필름을 게이트 전극용 금속 필름상에 형성한다. 갭을 포함하는 영역에 포토-레지스트 필름을 남겨 두면서 마스크로서 포토-레지스트 필름을 이용하여 게이트 절연 필름에 콘택트 홀을 형성하고, 마스크로서 포토-레지스트 필름을 이용하여 금속 필름을 에칭함으로써 갭을 포함하는 영역상에 게이트 전극을 형성한다. 이에 의해, IDR용 유기 금속 필름을 형성하기 전에 콘택트 홀을 형성할 수 있다. 그러므로, 콘택트 홀 형성 단계에서 사용되는 플라즈마로 IDR용 유기 금속 필름을 노출하지 않는다. 따라서, 얻어진 액정 디스플레이 장치는 IDR로 인해 원하는 광 특성을 제시할 수 있다. 또한, 추가적 포토리소그래피 공정을 요구하지 않으므로, 공정이 복잡해지지 않는다.
다음으로, 본 발명의 효과를 명백하게 하는 예를 후술할 것이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치 제조 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치의 특성을 도시한 도면이다. 도 5는 반사율과 시야 각 사이의 관계를 도시하고 있는데, 점선은 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치를 나타내며, 실선은 종래 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치를 나타낸다.
다음과 같이 측정을 수행하였다. 액정 디스플레이 장치의 패널 표면에 수직한 방향으로부터 30°이동한 방향으로 빛을 인가하고, 액정 패널에 의해 반사되는 빛(반사율)을 관측한다. 그 후, 관측 위치를 변화시키면서, 각 위치에서 반사율을 측정한다. 또한, 패널 표면에 수직한 방향으로 관측한 경우는 0°의 시야 각으로 설정한다.
도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치에서, IDR용 유기 재료 필름은 플라즈마에 노출하지 않았으므로, IDR은 원하는 확산 특성을 제시한다. 즉, 도 5에서 피크가 상대적으로 넓다. 한편, 종래 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 장치에서는, IDR용 유기 재료 필름을 플라즈마에 노출하였으므로, IDR은 원하는 확산 특성을 제시하지 않는다. 즉, 도 5에서 피크가 상대적으로 좁다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 변경을 가하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 전술한 실시예에서 사용하는 재료와 구조는 제한적이지 않으며, 동일한 기능을 제시할 수 있는 재요 및 구조의 대체물을 사용할 수 있다. 즉, 전술한 실시예는 층간 절연 필름으로서 실리콘 옥사이드 필름을 사용하고, 게이트 절연 필름으로서 실리콘 니트라이드 필름을 사용하며, 빛 차단 필름으로서 크롬 필름을 사용하는 경우를 설명한다. 그러나, 본 발명에서, 동일한 기능을 제시하는 한 다른 재료를 사용할 수 있다. 또한, 각 필름의 두께는 각 필름의 기능이 제시되는 한 특히 제한되지 않는다.
또한, 전술한 실시예는 하프톤 마스크를 이용하는 경우를 설명한다. 본 발명에서, 차단 부분, 투과 부분 및 반투과 부분을 갖는 회절 마스크를 사용하여 두꺼운 부분과 개구부를 갖는 포토-레지스트 필름을 형성할 수 있다. 회절 마스크의 경우, 노출의 해상도 제한보다 작은 패턴을 형성하고 이 부분을 반투과 부분으로 형성한다. 작은 패턴에 의해 빛을 회절하여, 약한 빛이 마스크를 통해 통과한다.
전술한 실시예는 반투과 액정 디스플레이 장치의 경우를 설명하였지만, 반사형 액정 디스플레이 장치에도 유사하게 본 발명을 적용할 수 있다. 반사형 장치의 경우는 빛 차단 필름이 필요치 않다는 점을 제외하고는 반투과형 장치와 거의 동일하며, 반사성 전극은 실리콘 니트라이드 필름 등의 개구부에 형성한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 액정 디스플레이 장치 제조 방법에 따르면, 소스와 드레인 전극 사이의 갭을 포함하는 영역의 두꺼운 부분을 가지며, 콘택트-홀 형성 영역에 개구부를 더 갖는 제 1 유기 재료 필름을 게이트 전극용 금속 필름상에 형성한다. 갭을 포함하는 영역에 제 1 우기 물질 필름을 남겨 두면서, 마스크 로서 제 1 유기 재료 필름을 이용하여 게이트 절연 필름에 콘택트 홀을 형성하고, 마스크로서 포토-레지스트 필름을 이용하여 금속 필름을 에칭함으로써 갭을 포함하는 영역상에 게이트 전극을 형성한다. 이에 의해, IDR용 유기 금속 필름을 형성하기 전에 콘택트 홀을 형성할 수 있다. 그러므로, 콘택트 홀 형성 단계에서 사용되는 플라즈마로 IDR용 유기 금속 필름을 노출하지 않는다. 따라서, 얻어진 액정 디스플레이 장치는 IDR로 인해 원하는 광 특성을 제시할 수 있다. 또한, 추가적 포토리소그래피 공정을 요구하지 않으므로, 공정이 복잡해지지 않는다.
산업상 이용 가능성
본 발명은 반사형 액정 디스플레이 장치 및 반투과형 액정 디스플레이 장치에 적용할 수 있다.
(부호의 설명)
10, 100 ... 유리 기판
11, 101 ... 실리콘 옥사이드 필름
12, 102 ... ITO 필름
13, 103 ... 금속 필름
14,104 ... a-Si 필름
15,16,105,106 ... 실리콘 니트라이드 필름
16a ... 돌기부
16b, 32 ... 개구부
16c ... 작아지는 부분
17, 107 ... 게이트 전극
18,109 ... 유기 재료 필름
19 ... 반사성 전극
20, 108 ... 빛 차단 필름
31 ... 포토-레지스트 필름
33 ... 하프톤 마스크
33a ... 반-투과 부분
33b ... 투과 부분
33c ... 빛 차단 부분
110 ... 플라즈마

Claims (9)

  1. 액정 디스플레이 장치 제조 방법으로서,
    능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭에 반도체 필름을 형성하고, 게이트 절연 필름을 통해 상기 반도체 필름상에 게이트 전극용 제 1 금속 필름을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 금속 필름상에 제 1 유기 재료 필름을 형성하는 단계 - 상기 제 1 유기 재료 필름은 상기 갭을 포함하는 영역에서 두꺼운 부분을 갖고 콘택트-홀 형성 영역에서 개구부를 가짐 - 와,
    상기 갭을 포함하는 영역의 상기 제 1 유기 물질을 남겨 두면서, 상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 게이트 절연 필름에 콘택트-홀을 형성하는 단계와,
    남겨진 상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 제 1 금속 필름을 에칭함으로써 상기 갭을 포함하는 영역상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계와,
    상기 콘택트-홀 형성 영역을 제외한 반사성 영역에 돌출부와 함몰부(projections and depressions)를 갖는 제 2 유기 재료 필름을 형성하고, 상기 돌출부와 함몰부를 갖는 상기 제 2 유기 재료 필름상에 반사성 전극을 형성하는 단계를 포함하는
    액정 디스플레이 장치 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 투과 전극과 상기 투과 전극상에 형성되는 제 2 금속 필름으로 구성되며,
    상기 금속 필름이 상기 갭을 포함하는 영역상에 남겨질 때 상기 제 1 금속 필름 및 상기 제 2 금속 필름 모두를 에칭하는
    액정 디스플레이 장치 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    차단 부분, 반투과 부분 및 투과 부분을 갖는 마스크를 이용하는 단계 - 상기 차단 부분은 상기 갭을 포함하는 영역에 배치되고, 상기 투과 부분은 상기 콘택트-홀 형성 영역에 배치됨 - 와, 유기 재료 필름상에 노출을 수행하는 단계와, 상기 노출된 유기 물질을 현상(develop)하는 단계에 의해 상기 제 1 유기 재료 필름을 형성하는
    액정 디스플레이 장치 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 마스크는 하프톤 마스크(a halftone mask) 또는 회절 마스크(a diffraction mask)인
    액정 디스플레이 장치 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 콘택트-홀 형성 영역의 상기 제 1 금속 필름을 에칭하고,
    상기 제 2 금속 필름을 마스크로서 이용하여 상기 게이트 절연 필름에 상기 콘택트-홀을 형성하는
    액정 디스플레이 장치 제조 방법.
  6. 액정 디스플레이 장치로서,
    능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치의 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 갭에 반도체 필름을 형성하고, 게이트 절연 필름을 통해 상기 반도체 필름상에 게이트 전극용 제 1 금속 필름을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 금속 필름상에 제 1 유기 재료 필름을 형성하는 단계 - 상기 제 1 유기 재료 필름은 상기 갭을 포함하는 영역에서 두꺼운 부분을 갖고 콘택트-홀 형성 영역에서 개구부를 가짐 - 와,
    상기 갭을 포함하는 영역의 상기 제 1 유기 물질을 남겨 두면서, 상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 게이트 절연 필름의 콘택트-홀을 형성하는 단계와,
    남겨진 상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 제 1 금속 필름을 에칭함으로써 상기 갭을 포함하는 영역상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계와,
    상기 콘택트-홀 형성 영역을 제외한 반사성 영역에 돌출부와 함몰부를 갖는 제 2 유기 재료 필름을 형성하고, 상기 돌출부와 함몰부를 갖는 상기 제 2 유기 재료 필름상에 반사성 전극을 형성하는 단계에 의해 얻어지는
    액정 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 상기 투과 전극상에 형성되는 투과 전극 및 제 2 금속 필름으로 구성되며,
    상기 금속 필름이 상기 갭을 포함하는 영역상에 남겨질 때 상기 제 1 금속 필름 및 상기 제 2 금속 필름 모두를 에칭하는
    액정 디스플레이 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    차단 부분, 반투과 부분 및 투과 부분을 갖는 마스크를 이용하는 단계 - 상기 차단 부분은 상기 갭을 포함하는 영역에 배치되고, 상기 투과 부분은 상기 콘택트-홀 형성 영역에 배치됨 - 와, 유기 재료 필름상에 노출을 수행하는 단계와, 상기 노출된 유기 물질을 현상하는 단계에 의해 상기 제 1 유기 재료 필름을 형성하는
    액정 디스플레이 장치.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 유기 재료 필름을 마스크로서 이용하여 상기 콘택트-홀 형성 영역의 상기 제 1 금속 필름을 에칭하고,
    상기 제 2 금속 필름을 마스크로서 이용하여 상기 게이트 절연 필름에 상기 콘택트-홀을 형성하는
    액정 디스플레이 장치.
KR1020057023180A 2003-06-04 2004-06-03 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 KR101027255B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IBPCT/IB03/02538 2003-06-04
IB0302538 2003-06-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060015334A true KR20060015334A (ko) 2006-02-16
KR101027255B1 KR101027255B1 (ko) 2011-04-06

Family

ID=33495836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057023180A KR101027255B1 (ko) 2003-06-04 2004-06-03 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7511781B2 (ko)
EP (1) EP1639403B1 (ko)
JP (1) JP4610552B2 (ko)
KR (1) KR101027255B1 (ko)
CN (1) CN100419560C (ko)
AT (1) ATE413625T1 (ko)
DE (1) DE602004017611D1 (ko)
TW (1) TWI343127B (ko)
WO (1) WO2004109381A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807583B (zh) * 2009-02-18 2011-07-27 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
KR20120053295A (ko) * 2010-11-17 2012-05-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치, 그리고 그 제조 방법
KR102093903B1 (ko) 2013-02-15 2020-03-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100225097B1 (ko) * 1996-10-29 1999-10-15 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법
JPH10221712A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
JP3019831B2 (ja) * 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
KR100421901B1 (ko) * 1998-12-10 2004-04-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치의반사판
JP4632522B2 (ja) * 2000-11-30 2011-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP4037117B2 (ja) * 2001-02-06 2008-01-23 株式会社日立製作所 表示装置
TW490858B (en) * 2001-04-26 2002-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same
JP4790937B2 (ja) 2001-07-09 2011-10-12 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
KR100699987B1 (ko) * 2001-08-06 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 높은 캐패시턴스를 갖는 평판표시소자 및 그의 제조방법
JP4302385B2 (ja) * 2001-10-22 2009-07-22 三星電子株式会社 反射率向上のための液晶表示装置及びその製造方法
KR100858297B1 (ko) * 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP4036154B2 (ja) * 2002-09-12 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 配線構造の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
KR100602062B1 (ko) * 2003-04-03 2006-07-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100617032B1 (ko) * 2003-05-30 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200531283A (en) 2005-09-16
WO2004109381A1 (en) 2004-12-16
JP2006526804A (ja) 2006-11-24
ATE413625T1 (de) 2008-11-15
US7511781B2 (en) 2009-03-31
US20060164573A1 (en) 2006-07-27
JP4610552B2 (ja) 2011-01-12
KR101027255B1 (ko) 2011-04-06
EP1639403A1 (en) 2006-03-29
DE602004017611D1 (de) 2008-12-18
CN100419560C (zh) 2008-09-17
EP1639403B1 (en) 2008-11-05
CN1799000A (zh) 2006-07-05
TWI343127B (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7760309B2 (en) Transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR100617031B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7817230B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR100464204B1 (ko) 그레이톤 마스크 및 이를 이용한 액정디스플레이 제조방법
JP5187994B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法並びにそのような製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ及び液晶表示パネル
JP2007310112A (ja) 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
KR101027979B1 (ko) 액정 디스플레이 디바이스 제조 방법
JP5432445B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法，及び薄膜トランジスタ製造用のフォトマスク
US20010024247A1 (en) Active matrix substrate and manufacturing method thereof
KR101027255B1 (ko) 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101409704B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100590925B1 (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법
KR20030056531A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100827856B1 (ko) 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의어레이기판 및 그 제조방법
JP2010032765A (ja) Ｔｆｔアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置
KR20080061924A (ko) 박막트랜지스터 기판과 이의 제조방법
KR20060056694A (ko) 마스크 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법
KR20080015619A (ko) 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
KR101484724B1 (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법
JP5790978B2 (ja) 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP2007518119A (ja) Ｅｓｄ保護回路を有する液晶表示装置及びその製造方法
KR19980060019A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
KR20040033416A (ko) 반투과형 액정표시장치의 제조방법
KR20030057228A (ko) 액정표시장치용 어레이기판 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140312

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150310

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160310

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170320

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee