TWI343127B - Method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents

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TWI343127B
TWI343127B TW093116275A TW93116275A TWI343127B TW I343127 B TWI343127 B TW I343127B TW 093116275 A TW093116275 A TW 093116275A TW 93116275 A TW93116275 A TW 93116275A TW I343127 B TWI343127 B TW I343127B
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Description

1343127 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製造液晶顯示裝置之方法,尤其是— 種製造具有改良光學特性而不會增加微影製程的液晶顯示 裝置之方法。 【先前技術】 在一種主動矩陣型液晶顯示裝置中,為了增加反射電極 之光擴散特性,一種具有凹凸部之有機材料薄膜被形成當 作像素區域中反射電極之底薄膜(primer film),且反射電極 被形成於該底薄膜上(IDR:細胞内擴散反射器(In_ceU Diffusing Reflector))。在形成接觸通孔於薄膜電晶體(TFT) 閘極絕緣薄膜中之實例中’為了要消除接觸通孔之微影製 程’當接觸通孔被形成於IDR之有機材料薄膜中時,接觸通 孔連續被形成於閘極絕緣薄膜中(哈塔(Hatta)等人所提出 的'一種用於反射式LCD面板之勒新5光罩上閘極TFT製程 (A novel 5-mask top-gate TFT process for reflective LCD panels')技術文件整理AM-LCG 02,第207至210頁)。 該方法將參照圖6被說明。 圖6(a)至6(d)是陳述傳統製造液晶顯示裝置方法之截面 圖。首先’如圖6(a)中所顯示,例如,一鉻薄膜被沉積於玻 璃基板100上,藉由留下對應由微影製程及蝕刻製程所形成 線路區域之部分中的鉻薄膜形成一遮光薄膜1 08。然後,氧 化矽薄膜1〇1被形成於玻璃基板1〇〇極遮光薄膜108上。 接下來,IT0(銦錫氧化物)薄膜102及金屬薄膜103被連續 93804.doc 1J43127 形成於氧化碎薄膜1 ο!上,且以微影製程及姓刻製程形成一 孔部於閘極區域中。然後,a_Si薄膜1〇4及氮化矽薄膜1〇5 破連續形成於具有孔部之金屬薄膜1〇3上,且以微影製程及 钱刻製程被留在閘極區中。 為閘極絕緣薄膜之氮化㈣骐1G6被形成於整個基板表 面上。閘電極之金屬薄膜尚被形成於薄膜丨〇6上,且以微影 臬程及蝕刻製程形成一閘電極丨〇7於閘極區中。 接下來,如圖6(b)中所顯示,IDR之有機材料薄膜1〇9被 形成,且凹凸部被形成於有機材料薄膜109之表面上。凹凸 的形成方式是’例如,形成第一層有機材料薄膜,實施 曝光於該薄獏上’同時隨著位置改變光線強度,以致留下 島狀的溥膜’且然後於其上形成第二層有機材料薄膜。 後如圓6(c)中所顯示,氮化石夕薄膜丨〇6接受以電漿η〇 之乾式蝕刻以形成閉極絕緣薄膜之接觸通孔。隨後,如圖 6⑷中所顯示,—金屬薄膜被沉積於反射區中,形成一反射 電極111 ’且使用反射電極111當作光罩敍刻金屬薄膜103。 發明之公開 技術問題 从然而’在前述方法中,在形成—接觸通孔於為閘極絕緣 ㈣之氮化石夕薄膜106中,歷之有機材料薄膜1〇9被曝露於 電漿。畲有機材料薄膜109被曝露於電漿時,有機材料薄膜 ⑽之表面被_,且凹凸部變小。當有機材料薄膜丄 凹凸部變小時’反射電極的光擴散能力變低,且產生反射 電極不呈現想要反射特性的問題。 93804.doc 【發明内容】 本發明的一目的是提供一種製造具有改良光學特性而不 増加微影製程之液晶顯示裝置的方法。 種製造本發明液晶顯示裝置之方法包含步驟有:形成 半導體4膜於主動矩陣型液晶顯示裝置中薄膜電晶體源 電極與;及電極之間間隙中,且經由—閘極絕緣薄膜形成閉 電極之第-金屬薄膜於該半導體薄膜上;形成第—有機材 料薄膜於第-金屬薄膜上,該第一有機材料薄膜在含有間 ^之區域中具有一厚部且在接觸通孔形成區中具有一孔 部;使用第-有機材料薄膜當作光罩形成一接觸通孔於閉 極、·邑緣薄膜中,而留τ第—有機材料薄膜於含有間隙之區 域令,使用留τ #帛一有機材料薄膜當作光罩钱刻第一金 屬,膜形成閘電極於含有間隙之區域中;以及形成具有凹 凸部之第二有機材料薄膜於除了接觸通孔形成區域外之反 射區域中’且形成一反射電極於具有凹凸部之第二有機材 料薄膜上。 根據此方法,有可能在形成職之有機材料薄膜之前形成 接觸通孔°因此’⑽之有機材料薄膜不被曝露於在形成接 觸通孔所使用之電襞。於是,得到的液晶顯示裝置能夠具 有IDR所想要的光學特性。另外,因為不需要額外的微影製 程,所以製程不會變得複雜。 在根據本發明製造液晶顯示裝置方法的另一個實施例 甲’源電極較佳地是由一透明電極及被形成於該透明電極 上之-金屬薄膜所組成’且當第一金屬薄膜被留在含有間 93804.doc 1343127 隙之區域上時,第一金屬薄膜及第二金屬薄膜同時被蝕刻。 在根據本發明製造液晶顯示裝置方法的另一個實施例 中,較佳地,藉由實施曝光形成第一有機材料薄膜,使用 具有遮光部、半透明部及透明部之光罩,遮光部被配置於 含有間隙之區域t且透明部被配置於接觸通孔形成區域 中,實施曝光於-有機材料薄膜±,且顯影被曝光第一有 機材料薄膜。光罩較佳地是網版光罩或繞射光罩。 在根據本發明製造液晶顯示裝置方法的另一個實施例 中,較佳地,使用第一有機材料薄膜當作光罩而姑刻接觸 通孔形成區域中之第一金屬薄膜,且然後使用第一金屬薄 膜當作光罩而形成接觸通孔於閘極絕緣薄膜。 付判根據本發
.. Μ ' Μ且〜少鄉有:形成半導 薄膜於主動矩陣型液晶顯示裝置中薄膜電晶體源極與沒 間間隙中,且經由一間極絕緣薄臈形成間電極之第一金
半導體薄膜上;形成第一有機材料薄臈於第一金: 4膜上’第-有機材料薄膜在含有間隙之區域 一 部且在接觸通孔形成區域中具有—孔部,使: 下第―」 於閘極絕緣薄膜中,而彳 有機材料薄膜於含有間隙之區域 第-有機材料薄膜當作光⑽第-金屬薄膜=下0 :於含有間隙之區域中;以及形成具::=T:
機材料薄膜於除了接觸通孔形成區之外的二^ 形成一埒&+雨t 久耵(Ei域尹,J 射電極於具有凹凸部之第_ 【實施方式】 L有機材料相上。 93804.doc 1343127 本發明之一實施例將參照附圖被特別說明於下文。 圖1是陳述以本發明製造液晶顯示裝置之方法所得到液 晶顯示裝置的截面圖。在此被說明之液晶顯示裝置是一種 半透反射式(transflective type)液晶顯示裝置。此外,相關 部分說明下文,被說明的部分是主動矩陣型液晶顯示裝置 中之閘電極區域、閘極絕緣薄膜及它們的鄰近區域,且被 省略的部分是其他不直接有關本發明的部分。其他部分之 結構幾乎與傳統結構相同。 一個防止光線直接入射於TFT上之遮光薄膜2〇被提供於 玻璃基板10的一個主要表面上,該玻璃基板是一種絕緣透 明基板。遮光薄膜20被形成於基板上之區域中,該區域對 應包含後文所說明之源電極與汲電極之間之區域(間隙)。一 種中間絕緣薄膜之氧化矽薄膜(例如SiOji丨被形成於具有 遮光薄膜20之玻璃基板1〇上。此外,夸脫(quart)基板或透 明塑膠基板可以被使用當作玻璃基板的替代品。絕緣透明 基板被使用於半透反射式液晶顯示裝置的情況,而矽基板 # 可以被使用於反射式液晶顯示裝置的情況。此外,反射式 液晶顯示裝置的情況中,不需要遮光薄膜。 源電極及汲電極被形成於氧化矽薄膜丨丨上。源電極及汲 電極各具有兩層結構’其由一姻錫氧化物(ιτ〇)薄膜Η及在 ΙΤΟ 4膜12上所形成之金屬薄膜1 3所組成,該1了〇薄膜是— . 種透明電極。此外,源電極及汲電極不被限制為兩層結構,' 且可以被幵/成從一層、二層或更多層。間隙被形成於源冑 極與沒電極之間n於半導體薄膜之非晶#si薄膜14 93804.doc •9· 1343127 被形成於該間隙令且在間隙鄰近區域中之源電極與沒電極 上。 一種為問極絕緣薄膜之氮切薄膜(例如训)】%沉積 於a-Si薄膜14上…種為閉極絕緣薄膜之氮切薄膜心被沉 積於a-Si薄膜丨4、氮化矽薄膜15、源電極及汲電極上。一接 觸通孔(C〇ntact-h〇le)被形成於氮化矽薄膜(例如sm)丨6之孔 部分16b中,且一突出部16a被形成,其突出於接觸通孔側 邊。另外,在此所說明的實例是,閘極絕緣薄膜具有兩層 結構’其纟氮化石夕薄膜1 5及1 6所組成;閘極絕緣薄膜可以 只具有單層結構。閘電極17被形成於含有氮化石夕薄膜關 隙之區域中。用於IDR之一有機材料薄膜18被形成於具有此 結構之反射區域上(此區域提供反射電極)。突出部丨6 a被埋 置於有機材料薄膜18令,因為在形成有機材料薄膜18之步 驟中構成有機材料薄膜18之材料到達突出部16a周圍。凹凸 被形成於有機材料薄膜18之表面上以提供具有光線擴散能 力之反射電極。反射電極1 9被形成於有機材料薄膜丨8上。 另外’被使用當作閘極17及反射電極19之材料是一般被使 用的材料。 在此所建構的液晶顯示裝置中,構成IDR結構之有機材料 薄膜18在形成接觸通孔的步驟中不被曝露於電毁,且因 此’能夠保持想要的凹凸形狀。於是,使用IDR,液晶顯示 裝置能夠適當地呈現光學效果》 一種根據本實施例製造液晶顯示裝置之方法將參照圖2 至4被詳細說明於下文中。圖2至4是顯示根據本發明製造液 1343127 晶顯示裝置之方法的橫截面圖β 首先,如圖1 (a)所顯示,例如,鉻薄膜被沉積於玻璃基板 10上,且藉由留下對應由微影製程及蝕刻製程所形成線路 區域之部分(含有源電極與汲電極間之間隙之區域)的鉻薄 膜而形成遮光薄獏2〇。接下來’ $令間、絕緣薄膜之氧化石夕 薄膜u被形成於玻璃基板10及遮光薄膜20上。 然後,如圖2(a)所顯示,IT〇薄膜12及金屬膜13被連續地 形成於氧化矽薄膜"上’且藉由微影製程及蝕刻製程,一 孔部(間隙)21被形成於閘極區中。為了要改良將被形成於其 上薄膜之覆蓋範圍’孔部21具有錐形部2U,越靠近氧化矽 薄膜η側則寬度遞減。另外,在此部分之結構中,金屬薄 膜13之邊緣部分必須在ΙΤ〇薄膜12的内側而非其邊緣部 分,且最好是錐形的。在此—結構中,藉由以ρΗ3電焚在形 成非晶石夕薄膜之前照射此結構,ρ原子在㈣薄膜12表面上 被吸收。因此,其歐姆特性介於a_Si_iT〇之間。 接耆’如圖2(b)所顯示,a_Si薄膜14及氮化石夕薄膜。依次 地被形成於具有孔部21之金屬薄膜13上,且藉由微影製程 及餘刻製程被留在開極區中(間隙及近石夕附近區域之源極 及汲電極)。 接著’為閘極絕緣薄膜之氮切薄顏被形成於基板的 整個表面上。另外,如圖3⑷中所顯示,用於閘電極之金屬 薄膜I7被形成於薄膜16上。盅去 ., ^ 上再者,為有機材料薄膜之光阻 薄膜3 1被形成於薄膜〗7卜 . 寻膜1 7上。先阻薄膜3 1使用網版光罩 (halftone mask)33進行圓案化。 93804.doc 1343127 網版光罩33具有一導通部分光線之半透明部分33&、一導 通全部光線之透明部分33b及—不導通任何光線之遮光部 分33c。網版光罩33之透明部分331)被提供對應閘極絕緣薄 膜中接觸通孔被形成的區域。遮光部分3孔被提供對應含有 間隙21之區域。半透明部分33a組成網版光罩33的其他部 分。 當使用網版光罩33使光阻被曝露於光線時,整個曝光光 線(途中箭頭S)被傳送通過透明部分33b,部分的曝光光線 (途中箭頭Y)被傳送通過半透明部分33a ^同時,曝光光線 不通過遮光部分33c,因此,在對應遮光部分3刊之部分中 的光阻構成一厚部31a。另外,在對應透明部分33b之部分 中的光阻被去除且一孔部32被形成。另外,在對應半透明 部分33a之部分中的光阻被部分地去除。在此方法中,具有 厚部31a及孔部32之光阻薄膜3丨被形成。 接下來,如圖3(b)中所顯示,使用光阻薄膜3丨當作光罩, 用於閘電極之金屬薄膜17被蝕刻。藉由此方法,對應孔部 32之氮^匕石夕;4膜16被曝光。然後,如圖3(c)中所顯示,曝光 氮化矽薄膜16使用蝕刻金屬薄膜1 7當作光罩進行乾式蝕 刻,且於是接觸通孔被形成。在此點,錐形部1 6(:被形成於 接觸通孔中’以致越接近金屬層13的地方寬度越窄。被使 用當作電漿的實例是氟化硫(SF6)及氧氣(〇2)的混合氣體。 混合氣體触刻有機材料,且因此減少光阻薄膜3丨的厚度。 然後’在光阻薄膜3 1中,只有厚部3 1 a於留在含有用於閘電 極之金屬薄膜17間隙之區域上。除了剩餘厚部31a之外,當 93804.doc 12 1343127 光阻殘留在金屬薄膜17上時,藉由以氧氣電漿灰化去除殘 留光阻是吾人所想要的。 然後’如圖4(a)中所顯示,金屬薄膜17使用厚部31a當作 光罩被蝕刻,且閘電極被形成於含有氮化矽薄膜丨6間隙之 區域中。在此同時,構成源電極之金屬薄膜13被蝕刻。當 金屬薄膜13被蝕刻時,突出部〗6a因為過度蝕刻而被形成於 氮化矽薄膜16中。接著,光阻之厚部3U被去除如圖4(b)所 顯示。
接下來如圖4(c)所顯示,除了接觸通孔形成區域,IDR 之有機材料薄膜18被形成於反射區域中(含有閘電極”及 接觸通孔氮化矽薄膜之錐形部),且凹凸部被形成於有機材 料薄膜18之表面上。在此點,因為構成有機材料薄膜“之 材料到達氮化矽薄膜16之突出部16a周圍,突出部〗6a被埋 置於有機材料薄媒18中。凹凸部之形成被實施,例如藉由 形成第一層有機材料薄膜,而隨著位置改變光線強度實施 J、光於溥膜上以島狀形式留下有機材料薄膜且形成第二層 有機材料薄膜於第一層有機材料薄膜上,。另外,凹凸部 之形成不$限於前述之方法’且可以利用不同方法被實施。 接著,金屬溥膜被沉積於有機材料薄膜18上,且反射電 極19被形成。另外,光阻可以被使用當作有機材料薄膜18 之材料。鋁可以被使用當作反射電極19之材料。於是得到 如圖1中所顯示之結構。 、 在本發明之方法中,一光阻薄膜,其在含有源極與汲電 極間之間隙之區域中具有一厚部且尚在接觸通孔形成區域 93804.doc 1343127 中具有一孔,被形成於閘電極之金屬薄膜上。使用光阻薄 膜當作-光罩…接觸通孔被形成於閘極絕緣薄膜中,而 光阻薄膜被殘留在含有間隙之區域中,且使用光阻薄膜當 作—光罩蝕刻該金屬薄膜,閘電極被形成於含有間隙之區 域上。因此有可能在形成IDR之有機材料薄膜前形成一接觸 通孔。因此’腹之有機材料薄膜$會被曝露於在形成接觸 付到的液晶顯示裝置可以呈 ,因為不需要額外的微影製
通孔中所使用之電漿。於是, 現IDR想要的光學特性。而且 程,製程變得不複雜。 接下來’為了要闡明本發明效果所執行之實例將被說明 於下文。圖5是陳述根據本發明實施例製造液晶顯示裝置之 方法所得到液晶顯示裝置的特性圖。圖5顯示反射率與視角 之間的關係,#中虛線代表以本發明方法所得到之液晶顯 不裝置,而實線代表以傳統方法所得到之液晶顯示裝置。
測量方式如下:光線以與液晶顯示t置面板表面垂直方 向偏移30。的方向被應用’且觀察被液晶面板所反射之光線 (曰反射率)然後,改變觀察的位置,反射率在每個位置被測 ϊ此外’以垂直於面板表面方向觀察的實例被設定視角 _ 自圖5中所能看見的,在以本發明方法所得到之液晶顯 不裝置中’因為IDR之有機材料薄膜沒有被曝露於電漿,所 '呈現想要的擴散能力。換句話說,圓5中的峰頂是相 子寬的@時’在以傳統方法所得到之液晶顯示裝置中, 因為IDR之有機材料薄膜有被曝露於電漿所謂r不具有 93804.doc 14 1343127 想要的擴散能力q奐句話說,圖5中的峰頂是相對窄的。 本發明不受限於前述的實施例’且能夠以其不同的修改 被實現。例如,前述實施例中所使用之材料及結構不被限 制,且有可能使用其他能夠呈現此功能之材料及結構當作 替代。換句話說,前述實施例說明氧化矽薄膜被使用當作 中間絕緣薄膜’氮化石夕薄膜被使用當作閘極絕緣薄膜,且 鉻薄膜被使用當作遮光薄膜的實例。然而,在本發明中, 只要相等的功能被呈現’其他材料可以被使用。而且,各 薄膜之厚度不特別受限制’只要各薄膜的功能被呈現。 此外’上文所提及之實施例說明使用網版光罩的實例。 在本發明中’有可能使用-種繞射光罩(祕action mask), 其具有遮光部分、透明部分及半透明部分,形成具有厚部 及孔部之光阻薄^在繞射光罩的實例中,小於曝光解析 度限制之圖案被形成’且這部分被設成半透明部分。藉由 以小圖案繞射光線,微弱的光線傳送通過光罩。 雖然上文所提及之實施例說明半歧射式液晶顯示裝置 :貫例’本發明對反射式液晶顯示裝置之實例同樣是可實 施的。反射式液晶顯示裝置之實例幾乎與半透反射式液晶 顯示裝置之實例相同,了後者不需要遮光薄臈,反射; 極被形成於氮化矽薄膜之孔部等等。 如 -有 一厚 閘電 上文所述,根據本發明製造液晶顯示裝置之方法第 機材料薄膜,其在含有源極與汲極間間隙之區域具有 部且在接觸通孔形成區域中尚具有一孔部,被形成於 極之金屬薄膜上。使用第—有機材料薄膜當作光罩, 93804.doc •15- 1343127 一接觸通孔被形成於閘極絕緣薄膜中,而第一有機材料薄 膜被留在含有間隙之區域中,且藉由使用第一有機材料薄 膜當作光罩蝕刻金屬薄媒,閘電極被形成於含有間隙之區 域上。因此有可能在形成⑴汉之有機材料薄膜之前形成接觸 通孔。因此,臟之有機材料薄膜不被曝露於在形成接觸通 孔步驟巾所使狀«。於是,所得_液晶_裝置处 夠呈現IDR想要的光學特性。而且,因 製程,製程不會變得複雜》 ‘、 的微影 本發明可應用於反射式液晶顯㈣置及半透 顯示裝置。 彳八及日日 【圖式簡單說明】 1是陳述以本發明製造液晶顯示裝置之 晶顯示裝置的截面圖; 件到液 圖 圖2❹是陳述本發明製造液晶顯示裝置之方法的截面 圖 圖…是陳述本發明製造液甚顧示裝置之方法 的截面 法的戴面 圓4a至4c是陳述本發明製造液 日日顒不裝置之方 圖; 圖5是陳述以本發明製造液 曰曰顯示裝置的特性圖;及 圖6a至6d是陳述製造液晶顯示裝 晶顯示裝置之方法所得 到液 圖。 置之傳統方法的截面 【主要元件符號說明】 93804.doc -16 - 1343127 10 、 100 11 、 101 12 、 102 13 、 103 14 、 104 15 、 16 、 105 、 106 16a 16b ' 32 16c 、 21a 17 、 107 18、 109 19 20 ' 108 3 1 33 33a 33b 33c 110 玻璃基板 氧化矽薄膜 銦錫氧化物薄膜 金屬薄膜 非晶系薄膜 氮化矽薄膜 突出部 孔部 錐形部 閘電極 有機材料薄膜 反射電極 遮光薄膜 光阻薄膜 網版光罩 半透明部 透明部 遮光部 電漿
93804.doc •17-

Claims (1)

  1. 第 93]]6275 號 修正日期:]00.2.18 修正本 十、申請專利範圍: 1. 一種製造液晶顯示裝置之方法,包含步驟有: 形成一半導體薄膜於主動矩陣型液晶顯示裝置中薄膜電晶體 之源電極與&電極之間的間隙中,且經由m㈣膜形成問 電極之第一金屬薄膜於該半導體薄膜上; 形成一第一有機材料薄膜於該第一金屬薄膜,該第一有機材 料相在含有關隙之區域巾具有__厚部且在該間隙之外的區域 中具有一孔部; 使用▲該第冑機材料㈣當作光罩以形成—接觸通孔於該間 極絕緣㈣中,而留下該第_有機材料薄膜於含有該間隙之區域 中; 使用殘留之第一有機材料薄膜當作光罩而蝕 膜,藉此形成問電極於含有該間隙之區域上;及 金屬居 形成-具有凹凸部之第二有機材料薄膜於 區域之外的反射區域中.且形成一反射電極於該具== 二有機材料薄膜上。 /、有凹凸邛之弟 2.如申請專利範圍第】項所述之方法 透明電極及於透明電極…原電極疋由― 該第-金屬薄膜被留在 又 —、·’核所組成,且當 岑犋破留在含有該間隙之區域 及該第二金屬薄膜都被钱刻。 …金屬賴 以^^㈣圍第丨項所述之方法, 單該第-有機材料薄膜被形成,該:中错由使用-光 明部及一透明部’以致遮 遮光部、一半透 明部被設置於节又置方、3有5玄間隙之區域中且透 接觸通孔形成區域卜實施曝先於有機材料薄: -^Π6275 St 修正才、 修正日期:】00.2.J8 上’且將該曝光之有機材料_顯影。 4·如申請專利範圍第3項所述之方法, 罩或繞射光罩。 〃中該光罩是網版光 5.如尹請專利範圍第山中任—項 用該第—有機㈣薄膜當作光軍,节接觸2 4 ’其中藉由使 -金屬薄膜被钱刻,且然後使用該::形成區域中之該第 觸通孔被形成於該閉極絕緣薄膜中。 ''涛膜當作光罩,該接 6. 一種液晶顯示裝置’其係由以下步驟形成: 形成-半導體薄膜於主動矩陣型 之源電極與汲電極之間的間隙尹,且二中賴電晶體 電極之第-金屬薄胲於,车道 工由-閘極絕緣薄膜形成閘 蜀,导膜於该+導體薄膜上; 形成一第一有機材料薄膜於該第一 料薄臈在含有該之區域中 :屬錢,該第—有機材 中具有一孔部; " 旱部且在該間隙之外的區域 使用該第-有機材料薄 絕緣薄膜中,而留下該第_右祕4 Λ成—接觸通孔於該閘極 # ^ .材料薄膜於含有該間隙之區域中; 使用殘留之第一有機鉍 膜,此形$ >獏§作光罩而蝕刻第一金屬薄 、错此t成閘电極於含有該間隙之區域上;及 形成一具有凹凸部之第二 區域之外的反射區域中’且2材料_於除了接觸通孔形成 二有機材料薄膜上。升 反射電極於咳具有凹凸部之第 明^專利*圍第6項所述之裝置,其中源電極是由一透 -电極及於透明電極上所形—_ ”丄 第—金屬薄膜被留在含有該門 -萄'寻膜所組欣,且s忒 w馮除之區域上時,該第一金屬薄膜及 1343127 第 93116275 虼 修正曰期:]00.2. |8 該第二金屬薄膜都被蝕刻。 修正本 8·如申請專利範圍第6項所述之裝置, 罩,該第-有機材料薄膜被形成,該光罩;;中稭由使用一光 明部及-透明部,以致遮光部被設置於含有該半透 明部被設置於該接觸通孔形成區域中,實施 ^區域中,透 上’且將曝光之有機材料薄膜顯影。 、冑材料㈣ 9.如申睛專利範圍第㈤中任—項所述之裝置 用該第-有機材料薄膜當作光罩,該接觸通孔形成區域 金屬賴被㈣彳’且錢使㈣第—金屬_當作料, 通孔被形成於閘極絕緣薄膜中。 "
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