KR20060012317A

KR20060012317A - 수지 및 그의 성형체

Info

Publication number: KR20060012317A
Application number: KR1020057022526A
Authority: KR
Inventors: 케이지로 타카니시; 타쯔야 마쯔노; 에미 이노우에; 타케히로 코하라
Original assignee: 도레이 가부시끼가이샤
Priority date: 2003-05-27
Filing date: 2004-05-21
Publication date: 2006-02-07
Also published as: AU2004242742A1; JPWO2004106413A1; CN1795226A; CN100345890C; US20080139778A1; WO2004106413A1; AU2004242742B2; TW200513485A; EP1640405A1; US20060287464A1; US7635748B2; EP1640405A4

Abstract

본 발명의 수지는 비시클로알킬 구조를 갖는 인 함유 잔기, 및 특정한 2가 페놀 잔기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 무색 투명하고, 고굴절률을 가지며, 광학적으로 저분산성인 우수한 광학 특성을 갖는 수지, 및 그의 성형체를 제공한다.

비시클로알킬, 2가 페놀, 고굴절률, 저분산성

Description

수지 및 그의 성형체 {Resin and Article Molded Therefrom}

본 발명은 광학적으로 저분산이고, 고굴절률인 광학 특성이 우수한 수지, 및 그의 성형체에 관한 것이다.

종래부터 무색 투명한 재료로서는 광학 렌즈, 기능성 광학 필름, 디스크 기판 등, 그 다양한 용도에 따라 여러가지의 재료가 적용되고 있지만, 헬스 케어나 일렉트로닉스 등의 급속한 발전에 따라, 재료 자체에 요구되는 기능이나 성능도 점점 정밀하고 우수한 것으로 되고 있다.

헬스 케어 용도로서 안경 렌즈를 들 수 있는데, 박형화, 경량화, 패션성 등의 관점에서 활발한 재료 개발이 행해지고 있으며, 현재에는 내충격성, 경량성 등의 이점으로부터 시장의 90 ％는 수지 렌즈가 차지하게 되었다.

종래의 안경 렌즈용 수지는 CR39, 아크릴 수지 및 우레탄 수지의 세가지로 크게 구별되며, 저분산, 고굴절을 목표로 하여 많은 수지가 개발 실용화되어 있다. 이들 수지는 모두 열 경화성이기 때문에 광학 렌즈로의 성형은 주형 중합이 이용되지만, 이 방법은 중합 시간이 길고, 그 후의 어닐링 공정 등 제조 비용이 많이 든다는 문제점이 있다. 폴리카보네이트와 같은 열가소성 수지를 렌즈에 적용하면 성형성이 양호하고, 열경화성 수지에 비하여 특별히 렌즈 제조 비용을 낮출 수 있다 는 이점이 있지만, 아베수가 낮고(즉, 고분산성이기 때문에 색 수차가 큼), 광학 변형이 비교적 큰 것 등, 시력 교정 안경 용도로서의 성능은 불충분하였다. 또한, 폴리카보네이트 이상의 굴절률을 갖는 열가소성 수지도 많이 알려져 있지만, 고분산성이거나 쉽게 착색된다는 등의 문제가 있어, 광학 렌즈 용도에 사용하기 위해서는 문제가 있었다.

인계 관능기를 함유하는 수지는 여러가지가 알려져 있는데, 특히 포스폰산 에스테르기를 주쇄에 포함하는 수지는 폴리포스포네이트라고 불리우며, 난연 기능 등을 목표로 하여 활발한 연구가 행해지고 있다. 이들 공지된 폴리포스포네이트계 수지의 대부분은 광학 특성이나 역학 특성 등의 여러 물성에 대해서는 상세하게 밝혀져 있지 않았기 때문에, 본 발명자들은 이들을 합성하여 물성 평가를 행하였다. 그 결과, 이들 공지된 폴리포스포네이트계 수지는 광학 특성이 불충분하거나, 굴절률 및 광 분산 특성이 불충분하였다.

또한, 유럽 특허 출원 1270646A1에는 포스포네이트/카보네이트 공중합체의 광학 특성 등에 대하여 상세하게 진술되어 있으며, 종래의 수지에 비하여 광학 특성의 개선이 이루어져 있었다. 그러나, 광학 렌즈 용도를 상정했을 경우, 상기 문헌에 기재된 수지의 광 분산 특성(아베수)으로는 아직 불충분하여 고굴절률이고, 나아가 더 높은 아베수의 수지가 요구되고 있었다.

본 발명은 이러한 종래 기술의 배경을 감안하여, 무색 투명하고, 고굴절률을 가지며, 광학적으로 저분산인 우수한 광학 특성을 갖는 수지, 및 그의 성형체를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해, 다음과 같은 수단을 갖는 것이다. 즉, 본 발명의 수지는 비시클로알킬 구조를 갖는 인 함유 잔기, 및 하기 화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.

여기서, 인 함유 잔기란 포스폰산, 티오포스폰산, 셀레노포스폰산, 아포스폰산 또는 인산 잔기를 나타낸다. 이들 잔기는 수지 중에 2종 이상이 포함되어 있을 수도 있다. 또한, 화학식 1 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 내지 20의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. p 및 q는 p+q=0 내지 8의 범위의 정수이다. Y는 알킬리덴기, 분지쇄 함유 알킬리덴기, 시클로알킬리덴기 및 분지쇄 함유 시클로알킬리덴기의 군으로부터 선택된 기이다. 수지 중에 R 또는 Y가 상이한 2가 페놀 잔기를 2종 이상 포함할 수도 있다.

또한, 본 발명은 이러한 수지를 포함하는 광학 렌즈, 필름 등의 성형체를 포함한다.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>

본 발명자들은 상기 과제, 즉 무색 투명하고, 고굴절률을 가지며, 광학적으 로 저분산인 우수한 광학 특성을 갖는 수지에 대하여 5가의 인 원자를 갖는 구조, 그 중에서도 포스폰산 구조를 중합체의 주쇄에 도입함으로써 무색 투명, 고굴절률, 나아가 광학적으로 저분산인 열가소성 수지가 얻어진다는 것을 이미 발견한 바 있었지만(EP-A-1270646), 더욱 예의 검토하였다. 그 결과, 비시클로 구조를 갖는 인 함유 잔기를 중합체의 주쇄에 도입함으로써, 일반적인 알킬기 등을 갖는 포스폰산 구조보다 매우 양호한 광학 특성을 발현할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명에 도달한 것이다.

광학 특성 중에서도 굴절률은 원자단이 갖고 있는 고유한 분극률과 그 원자단의 밀도에 의존하기 때문에, 인 원자 상의 원자단 밀도를 향상시키기 위해 여러가지의 구조를 검토하였다. 그 결과, 벤젠환이나 나프탈렌환과 같이 탄소 밀도가 높은 것이라도 SP2 탄소에 의해 구성된 구조는 고굴절률이기는 하지만, 아베수가 낮아 불충분하였다. 따라서, 보다 좁은 공간에 SP3 탄소를 많이 함유시키기 위해 비시클로알킬 구조를 검토한 바, 놀랍게도 고굴절률, 고 아베수를 발현하기에 이르렀다. 즉, 비시클로알킬 구조가 실용상 매우 유효하다는 것을 규명한 것이다.

이러한 비시클로알킬 구조로서는, 환을 형성하는 탄소수가 12(비시클로도데칸) 이하인 조밀한 구조가 단위 공간당 SP3 탄소를 많이 함유시킨다는 관점에서 바람직하며, 보다 바람직하게는 환을 형성하는 탄소수가 9(비시클로노난) 이하인 것이다.

이러한 비시클로알킬 구조와 인 원자의 결합에 대해서는, 공간에 SP3 탄소를보다 많이 함유시키기 위해 비시클로알킬 골격에 직접 인 원자가 결합되어 있는 것 이 가장 바람직하지만, 메틸렌기 또는 에틸렌기 등 알킬렌기를 사이에 끼워 결합되어 있을 수도 있다. 광학 특성적 관점에서, 더욱 바람직한 비시클로알킬기를 갖는 인 함유 잔기는 하기 화학식 2에 나타낸 구조이다.

식 중, l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 이 범위에 있음으로써 단위 공간당 SP3 탄소를 많이 함유시킬 수 있다. l, m 및 n은 보다 바람직하게는 1 내지 3이다. X는 산소, 황, 셀레늄 또는 비공유 전자쌍을 나타낸다.

비시클로알킬 구조 상의 인 원자와의 결합 위치는 임의적이며, 교두위 또는 가교위 중 어느 하나일 수 있다. 치환기 R'는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 내지 20의 방향족 탄화수소기 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되며, r은 0 내지 4의 정수이다. r이 2 이상의 정수인 경우, 동일한 비시클로알킬 구조 상에 상이한 치환기 R'를 2종 이상 포함할 수도 있다. 또한, 수지 중에 l, m, n, R' 또는 X가 상이한 인 함유 잔기를 2종 이상 포함할 수도 있다.

이러한 비시클로알킬기의 특히 바람직한 구조를 예시하면, 비시클로[2,2,1]- 1-헵틸(1-노르보르닐), 비시클로[2,2,1]-2-헵틸(2-노르보르닐), 비시클로[2,2,1]-7-헵틸(7-노르보르닐), 비시클로[2,2,2]-1-옥틸, 비시클로[2,2,2]-2-옥틸, 비시클로[3,2,1]-2-옥틸, 비시클로[3,2,2]-2-노닐, 비시클로[4,2,2]-2-데카닐 등을 들 수 있다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함될 수도 있다. 비시클로알킬 상의 치환기 R'는 역학 특성이나 열 특성을 제어하기 위해 광학 특성을 손상시키지 않을 정도로 도입되어 있을 수도 있는데, 단위 공간당 SP3 탄소를 보다 많이 함유시킨다는 관점에서, 치환기 R'로서는 메틸기, 에틸기, 할로겐기 등 조밀한 구조가 바람직하다. 또한, 그 치환수 r도 동일한 관점에서 4 이하가 바람직하며, 2 이하가 보다 바람직하다.

본 발명의 수지는 열적, 화학적 또는 역학적 특성 등을 제어하기 위해, 상기 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기 이외에, 하기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기를 함유시킬 수 있다.

식 중, R''는 화학식 2로 표시되는 비시클로알킬기 이외의 유기기이며, X'는 산소, 황, 셀레늄 또는 비공유 전자쌍을 나타낸다.

하기 수학식 I은 상기 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기의, 화학식 3으로 표시되는 포스폰산 잔기에 대한 공중합분율을 나타내는 식이다.

즉, (a)는 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기의 몰수이고, (b)는 화학식 3 으로 표시되는 인 함유 잔기의 몰수이다. 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기의 몰분율 [(a)/{(a)+(b)}]의 값이 0.05 미만인 경우에는, 수지의 고 아베수 및 고굴절률성이라는 본 발명의 효과를 얻기 어렵다. 몰분율인 [(a)/{(a)+(b)}]의 값은 0.25 이상의 범위에 있는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.4 이상, 더욱 바람직하게는 0.6 이상이다.

화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기를 구성하는 치환기 R''를 구체적으로 예시하면, 페닐, 할로 치환 페닐, 메톡시페닐, 에톡시페닐, 메틸, 에틸, 이소프로필, 시클로헥실, 비닐, 알릴, 벤질, 아미노알킬, 히드록시알킬, 할로 치환 알킬, 알킬술파이드 등의 기를 들 수 있다. 이러한 인 함유 잔기를 구체적으로 예시하면, 메틸포스폰산, 에틸포스폰산, n-프로필포스폰산, 이소프로필포스폰산, n-부틸포스폰산, 이소부틸포스폰산, t-부틸포스폰산, n-펜틸포스폰산, 네오펜틸포스폰산, 시클로헥실포스폰산, 벤질포스폰산, 클로로메틸포스폰산, 디클로로메틸포스폰산, 브로모메틸포스폰산, 디브로모메틸포스폰산, 2-클로로에틸포스폰산, 1,2-디클로로에틸포스폰산, 2-브로모에틸포스폰산, 1,2-디브로모에틸포스폰산, 3-클로로프로필포스폰산, 2,3-디클로로프로필포스폰산, 3-브로모프로필포스폰산, 2,3-디브로모프로필포스폰산, 2-클로로-1-메틸에틸포스폰산, 1,2-디클로로-1-메틸에틸포스폰산, 2-브로모-1-메틸에틸포스폰산, 1,2-디브로모-1-메틸에틸포스폰산, 4-클로로부틸포 스폰산, 3,4-디클로로부틸포스폰산, 4-브로모부틸포스폰산, 3,4-디브로모부틸포스폰산, 3-클로로-1-메틸프로필포스폰산, 2,3-디클로로-1-메틸프로필포스폰산, 3-브로모-1-메틸프로필포스폰산, 2,3-디브로모-1-메틸포스폰산, 1-클로로메틸프로필포스폰산, 1-클로로-1-클로로메틸프로필포스폰산, 1-브로모메틸프로필포스폰산, 1-브로모-1-브로모메틸프로필포스폰산, 5-클로로펜틸포스폰산, 4,5-디클로로펜틸포스폰산, 5-브로모펜틸포스폰산, 4,5-디브로모펜틸포스폰산, 1-히드록시메틸포스폰산, 2-히드록시에틸포스폰산, 3-히드록시프로필포스폰산, 4-히드록시부틸포스폰산, 5-히드록시펜틸포스폰산, 1-아미노메틸포스폰산, 2-아미노에틸포스폰산, 3-아미노프로필포스폰산, 4-아미노부틸포스폰산, 5-아미노펜틸포스폰산, 메틸티오메틸포스폰산, 메틸티오에틸포스폰산, 메틸티오프로필포스폰산, 메틸티오부틸포스폰산, 에틸티오메틸포스폰산, 에틸티오에틸포스폰산, 에틸티오프로필포스폰산, 프로필티오메틸포스폰산, 프로필티오에틸포스폰산, 부틸티오메틸포스폰산, 페닐포스폰산, 4-클로로페닐포스폰산, 3,4-디클로로페닐포스폰산, 3,5-디클로로페닐포스폰산, 4-브로모페닐포스폰산, 3,4-브로모페닐포스폰산, 3,5-브로모페닐포스폰산, 4-메톡시페닐포스폰산, 3,4-디메톡시페닐포스폰산, 1-나프틸포스폰산, 2-나프틸포스폰산, 5,6,7,8-테트라히드로-2-나프틸포스폰산, 5,6,7,8-테트라히드로-1-나프틸포스폰산, 벤질포스폰산, 4-브로모페닐메틸포스폰산, 3,4-디브로모페닐메틸포스폰산, 3,5-디브로모페닐메틸포스폰산, 2-페닐에틸포스폰산, 2-(4-브로모페닐)에틸포스폰산, 2-(3,4-디브로모페닐)에틸포스폰산, 2-(3,5-디브로모페닐)에틸포스폰산, 3-페닐프로필포스폰산, 3-(4-브로모페닐)프로필포스폰산, 3-(3,4-디브로모페닐)프로필포스폰 산, 3-(3,5-디브로모페닐)프로필포스폰산, 4-페닐부틸포스폰산, 4-(4-브로모페닐)부틸포스폰산, 4-(3,4-디브로모페닐)부틸포스폰산, 4-(3,5-디브로모페닐)부틸포스폰산, 2-피리딜포스폰산, 3-피리딜포스폰산, 4-피리딜포스폰산, 1-피롤리디노메틸포스폰산, 1-피롤리디노에틸포스폰산, 1-피롤리디노프로필포스폰산, 1-피롤리디노부틸포스폰산, 피롤-1-포스폰산, 피롤-2-포스폰산, 피롤-3-포스폰산, 티오펜-2-포스폰산, 티오펜-3-포스폰산, 디티안-2-포스폰산, 트리티안-2-포스폰산, 푸란-2-포스폰산, 푸란-3-포스폰산, 비닐 포스폰산, 알릴 포스폰산 등의 잔기를 들 수 있다. 또한, 화학식 3에서의 X'가 황 원자인 티오포스폰산 잔기나 비공유 전자쌍인 아포스폰산 잔기도 마찬가지로 예시할 수 있다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다.

본 발명의 수지는 열적, 화학적, 역학적 특성 또는 성형성 등을 제어하기 위해 다른 산 잔기를 함유시킬 수 있다. 이러한 다른 산 잔기를 예시하면, 규소산, 황산, 붕산 등의 헤테로산 잔기나, 탄산 잔기, 2가 카르복실산 잔기를 들 수 있다. 화학적 안정성 등의 관점에서는 탄산 잔기나 2가 카르복실산 잔기가 바람직하다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다.

이러한 헤테로산 잔기, 탄산 잔기, 또는 2가 카르복실산 잔기 등의 다른 산 잔기를 본 발명의 수지에 하기 수학식 II의 공중합 분율의 범위 내에서 함유시킴으로써, 열적, 화학적, 역학적 특성 또는 성형성 등을 제어할 수 있다.

하기 수학식 II는 상기 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기와 상기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기의 합계의, 다른 산 잔기에 대한 공중합 분율을 나타내 는 식이다.

즉, (c)는 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기와 상기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기의 합계 몰수(전체 인 함유 잔기의 몰수)이고, (d)는 다른 산 잔기의 합계 몰수이다. 전체 인 함유 잔기의 몰분율이 0.05 미만인 경우에는, 수지의 고 아베수가 발현되지 않아 본 발명의 효과를 얻기 어렵다. 또한, 전체 인 함유 잔기의 몰분율인 [(c)/{(c)+(d)}]의 값은 0.25 이상의 범위에 있는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.5 이상, 더욱 바람직하게는 0.75 이상인 것이 상기 효과상 바람직하다.

특히 바람직하게 선택되는 탄산 잔기 및 2가 카르복실산 잔기 중, 2가 카르복실산 잔기를 구성하는 2가 카르복실산을 예시하면, 방향족 디카르복실산, 쇄상 지방족 디카르복실산, 환상 지방족 디카르복실산 등을 들 수 있으며, 구체적으로는 테레프탈산, 이소프탈산, 비페닐디카르복실산, 디카르복시디페닐술폰, 말론산, 숙신산, 아디프산, 시클로헥산디카르복실산, 도데칸이산, 세박산 등을 들 수 있다. 탄산 잔기를 포함시켜 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다.

2가 카르복실산 잔기 중에서도 수지의 열 특성이나 역학 특성적 관점에서 지방족 2가 카르복실산 잔기가 특히 바람직하며, 탄소수가 8 이상 20 이하인 2가 카르복실산 잔기가 더욱 바람직하다. 구체적으로는 시클로헥산디카르복실산, 도데칸이산, 세박산을 들 수 있다.

2가 페놀 잔기로서는 방향족 비스페놀을 원료로 하는 구조 단위가 광학 특성, 내열 특성, 역학 특성 등의 점에서 바람직하며, 그 중에서도 하기 화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기가 특히 바람직하다.

<화학식 1>

식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 내지 20의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. p 및 q는 p+q=0 내지 8의 범위의 정수이다. Y는 알킬리덴기, 분지쇄 함유 알킬리덴기, 시클로알킬리덴기 및 분지쇄 함유 시클로알킬리덴기의 군으로부터 선택된다. 수지 중에 R 또는 Y가 상이한 2가 페놀 잔기를 2종 이상 포함할 수도 있다.

화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기를 구성하는 2가 페놀을 구체적으로 예시하면, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헵탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로옥탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로데칸, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로도데칸, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-2-에틸헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-2-메틸프로판, 1,1-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)시클로헥산, 비스페놀 플로렌, 1,1-비스(2-메틸-4-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2-메틸프로판, 4,4' -[1,4-페닐렌-비스(2-프로필리덴)]-비스(2-메틸페놀), 1,1-비스(3-페닐-4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3-메틸-부탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로펜탄, 1,1-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)시클로펜탄, 1,1-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)시클로헥산, 테르펜디페놀, 1,1-비스(3-tert-부틸-4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(2-메틸-4-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2-메틸프로판, 1,1-비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5,5-테트라메틸-시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,4-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3-디메틸-5-에틸-시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로펜탄, 1,1-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(3,5-디페닐-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(3-페닐-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 1,1-비스(3,5-디클로로-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)플루오렌, 1,1-비스(3,5-디브로모-4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸-시클로헥산, α,α'-비스(4-히드록시페닐)-1,4-디이소프로필벤젠 등을 들 수 있다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다. 이들 2가 페놀은 얻어지는 수지의 성능에 따라 사용할 수 있다.

이들 2가 페놀 중에서도 광학 특성, 역학 특성 및 내열 특성면에서는, 화학식 1로 표시되는 Y가 분지쇄 함유 알킬리덴기, 시클로알킬리덴기, 분지쇄 함유 시 클로알킬리덴기 및 비시클로알킬리덴기로부터 선택된 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로옥탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로도데칸, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸시클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-이소프로필시클로헥산, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 2,2-비스(4-히드록시페닐)노르보르난이다.

또한, 디히드록시벤젠을 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위에서 사용할 수 있다. 이들 디히드록시벤젠으로서는 레조르시놀, 히드로퀴논, 1,2-디히드록시벤젠 등을 들 수 있다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다.

또한, 본 발명의 수지는 반드시 직쇄상일 필요는 없으며, 얻어지는 수지의 성능에 따라 다가 페놀을 공중합할 수 있다. 이러한 다가 페놀을 구체적으로 예시하면, 트리스(4-히드록시페닐)메탄, 4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 4-[비스(4-히드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 트리스(3-메틸-4-히드록시페닐)메탄, 4-[비스(3-메틸-4-히드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 4-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1,1-트리스(3-메틸-4-히드록시페닐)에탄, 1,1,1-트리스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에탄, 트리스(3-메틸-4-히드록시페닐)메탄, 트리스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메탄, 2,6-비스[(2-히드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀, 4-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2-디히드록시벤 젠, 2-[비스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실페닐)메틸]-페놀, 4-[비스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실페닐)메틸]-1,2-디히드록시벤젠, 4-메틸페닐-1,2,3-트리히드록시벤젠, 4-[(4-히드록시페닐)메틸]-1,2,3-트리히드록시벤젠, 4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸-에틸]-1,3-디히드록시벤젠, 4-[(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2,3-트리히드록시벤젠, 1,4-비스[1-비스(3,4-디히드록시페닐)-1-메틸-에틸]벤젠, 1,4-비스[1-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)-1-메틸-에틸]벤젠, 2,4-비스[(4-히드록시페닐)메틸]-1,3-디히드록시벤젠, 2-[비스(3-메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 4-[비스(3-메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 2-[비스(2-메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 4-[비스(3-메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2-디히드록시벤젠, 4-[비스(4-히드록시페닐)메틸]-2-에톡시페놀, 2-[비스(2,3-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 4-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 3-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 2-[비스(2-히드록시-3,6-디메틸페닐)메틸]페놀, 4-[비스(2-히드록시-3,6-디메틸페닐)메틸]페놀, 4-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 3,6-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2-디히드록시벤젠, 4,6-[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2,3-트리히드록시벤젠, 2-[비스(2,3,6-트리메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 2-[비스(2,3,5-트리메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 3-[비스(2,3,5-트리메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 4-[비스(2,3,5-트리메틸-4-히드록시페닐)메틸]페놀, 4-[비스(2,3,5-트리메틸-4-히드록시페닐)메틸]-1,2-디히드록시벤젠, 3-[비스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실페닐)메틸]페놀, 4-[비스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실페닐)메틸]페놀, 4-[비스(2-메틸-4-히드록시-5-시클로헥실페 닐)메틸]-2-메톡시페놀, 2,4,6-[트리스(4-히드록시페닐메틸)-1,3-디히드록시벤젠, 1,1,2,2-테트라(3-메틸-4-히드록시페닐)에탄, 1,1,2,2-테트라(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에탄, 1,4-[[비스(4-히드록시페닐)메틸]벤젠, 1,4-디[비스(3-메틸-4-히드록시페닐)메틸]벤젠, 1,4-디[비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)메틸]벤젠, 4-[1,1-비스(4-히드록시페닐)에틸]아닐린, (2,4-디히드록시페닐)(4-히드록시페닐)케톤, 2-[비스(4-히드록시페닐)메틸]페놀, 1,3,3-트리(4-히드록시페닐)부탄 등을 들 수 있다. 이들은 1종일 수도 있고, 복수종 포함되어 있을 수도 있다.

본 발명의 수지는 아베수(vd)가 32 이상인 것이 바람직하다. 여기서, 아베수란, 광학 물질의 광의 분산 정도를 나타내는 지표 중 하나이며, 일반적으로 하기 수학식 III에 의해 정의된다.

식 중, nd는 d선(파장 587.6 nm)의 굴절률이고, nf는 f선(파장 486.1 nm)의 굴절률이며, nc는 c선(파장 656.3 nm)의 굴절률이다.

즉, 아베수의 수치가 클수록 저분산인 것을 나타낸다. 예를 들면, 안경 렌즈 용도로 사용하는 수지에 있어서, 아베수는 33 이상인 것이 바람직하며, 34 이상인 것이 보다 바람직하다.

각 파장에서의 굴절률은 물질마다의 고유값이며, 따라서 아베수도 물질마다의 고유값이다. 즉, 굴절률은 그 측정법에 따라 값이 변하는 것이 아니며, 그 성 형체의 형상에 따라 적합한 측정법을 선택할 수 있다. 보다 정밀도가 높은 측정법이 바람직하며, 예를 들면 최소 편각법 등이 있다.

통상, 아베수와 굴절률은 음의 상관 관계에 있으며, 각각의 특성을 함께 향상시키는 것은 쉽지 않다. 본 발명의 수지는 종래의 폴리카보네이트와 동등 이상의 고굴절률을 유지하면서, 높은 아베수를 갖는 수지이다.

본 발명의 수지는 광학용, 특히 렌즈용으로 사용하기 위해 고굴절률인 것이 바람직하다. 굴절률(nd)은 d선(파장: 587.6 nm)에서 측정한 값이 1.58 이상인 것이 바람직하며, 1.59 이상인 것이 보다 바람직하다.

그러나, 상술한 바와 같이 아베수와 굴절률은 음의 상관 관계에 있다. 굴절률이 높아도 아베수가 지나치게 낮으면, 상기 수지를 광학 용도, 특히 렌즈 용도로 사용할 때 바람직하지 않다. 즉, 각각의 특성치에 대해서는 바람직한 범위가 존재한다. 아베수(νd)와 d선 굴절률(nd)에 대하여, 하기 수학식 IV로 표시되는 값이 210.5 이상인 것이 특히 렌즈용에 있어서 중요하다. 수학식 IV는 아베수(νd)와 d선 굴절률(nd)의 양쪽이 바람직한 영역을 나타내는 식이다. 수학식 IV로 표시되는 값은 높은 것이 바람직하며, 211 이상이 보다 바람직하다.

이하, 본 발명의 수지의 제조법 및 성형법에 대하여 설명한다.

비시클로알킬을 갖는 인 함유 잔기를 유도하는 중합 전구체로서는, 대응하는 산 할로겐화물 또는 에스테르 등을 사용한다. 그 합성법으로서는 인 함유 비닐 유 도체와 각종 환상 디엔 화합물과의 딜스-알더 반응과 수소 첨가 반응을 경유하는 방법 등이 알려져 있으며(문헌 [Phosphorus, Sulfur and Silicon and Related Elements(1997년) 123호 35P]), 이들 공지된 방법을 이용할 수 있다. 즉, 예를 들면 비시클로[2,2,1]-2-헵틸포스폰산 유도체의 경우에는 시클로펜타디엔과 비닐 포스폰산 유도체를, 비시클로[2,2,2]-2-옥틸포스폰산 유도체의 경우에는 시클로헥사디엔과 비닐 포스폰산 유도체를 딜스-알더 반응시킨 후, 수소 첨가함으로써 얻을 수 있다.

본 발명의 수지의 제조법으로서는, 산 할로겐화물과 2가의 페놀을 유기 용제 중에서 반응시키는 용액 중합법(문헌[A. Conix, lnd. Eng. Chem. 51 147, 1959년] 및 일본 특허 공고 (소)37-5599호 공보), 산 할라이드와 2가의 페놀을 염화마그네슘 등의 촉매의 존재하에서 가열하는 용융 중합법, 2가의 산과 2가의 페놀을 디알릴카보네이트의 존재하에서 가열하는 용융 중합법(일본 특허 공고 (소)38-26299호 공보), 물과 상용하지 않는 유기 용제에 용해시킨 2가의 산 할라이드와 알칼리 수용액에 용해시킨 2가의 페놀을 혼합하는 계면 중합법(문헌[W. M. EARECKSON, J. Poly. Sci. XL399, 1959년] 및 일본 특허 공고 (소)40-1959호 공보) 등을 들 수 있지만, 특히 용액 중합법이 바람직하게 이용된다. 용액 중합법에 대하여 일례를 설명하면, 포스폰산 잔기의 경우, 그 전구체 분자인 포스폰산 유도체와 2가 페놀을 트리에틸아민 등의 염기의 존재하에서 혼합하여 반응시키고, 이어서 탄산 잔기나 2가 카르복실산 잔기의 전구체 분자, 예를 들면 포스겐, 트리포스겐 또는 2가 카르복실산 유도체 등을 첨가하여 축합 중합함으로써 본 발명의 수지를 얻을 수 있다. 포스폰산 유도체, 카보네이트 유도체 또는 2가 카르복실산 유도체로서는 이들의 할로겐화물, 산 무수물, 에스테르 등이 사용되지만, 그 종류나 2가 페놀에 작용시키는 순서는 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 수지의 분자량을 조절하는 방법으로서는 중합시에 일관능의 물질을 첨가하여 행할 수 있다. 여기서 말하는 분자량 조절제로서 사용되는 일관능 물질로서는 페놀, 크레졸, p-tert-부틸페놀 등의 1가 페놀류, 벤조산 클로라이드, 메탄술포닐클로라이드, 페닐클로로포르메이트 등의 1가 산 클로라이드류를 들 수 있다.

본 발명의 수지에는 그 특성을 손상시키지 않는 범위에서 힌더드 페놀계, 힌더드 아민계, 티오에테르계, 또는 인계의 각종 항산화제를 첨가할 수 있다.

또한, 본 발명에 관한 수지는 원하는 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 수지와 배합하여 성형 재료로서 사용할 수도 있다. 배합하는 수지의 예로서 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, ABS 수지, 폴리메타크릴산 메틸, 폴리트리플루오로에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리아세탈, 폴리페닐렌옥시드, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 파라옥시벤조일계 폴리에스테르, 폴리아릴레이트, 폴리술피드 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명의 수지는 유기 용매에 대하여 높은 용해성을 갖고 있으며, 이러한 용매로서는 염화메틸렌, 클로로포름, 1,1,2,2-테트라클로로에탄, 1,2-디클로로에탄, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 톨루엔, 크실렌, γ-부티로락톤, 벤질알코올, 이소포론, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 헥사플루오로이소프로판올 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명의 수지는 비정질성인데, 비정질성인지의 여부는 공지된 방법, 예를 들면 시차 주사 열량 분석(DSC)이나 동적 점탄성 측정 등에 의해 융점이 존재하는지의 여부를 확인하는 것이 바람직하다.

본 발명의 수지의 구성 성분의 분석법에 대해서는, 핵 자기 공명 스펙트럼을 이용하는 방법이 바람직하며, 특히 인 함유 잔기에서의 인 원자 상의 치환기에 대해서는 양성자 또는 인 원자 핵 자기 공명이 바람직하다. 또한, 수지 그 자체의 스펙트럼에 의한 동정의 정밀도가 충분하지 않은 경우에는, 본 발명의 수지를 알칼리류에 의해 가수 분해하여 단량체 성분으로 분해한 후, 각 성분을 정량 및 정성 분석할 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지를 무수 알코올 중에서 대과잉의 알칼리 금속 알코올레이트 등의 강염기로 처리함으로써, 2가 페놀 잔기는 2가 페놀로, 각 산 잔기는 알코올레이트 이온에 대응하는 에스테르로 분해한다. 이들은 모두 저분자량체이기 때문에, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 및 분리 후, 핵 자기 공명 스펙트럼 등에 의한 상세한 구조 분석이 가능하다.

본 발명에 관한 수지로부터, 예를 들면 렌즈 등의 성형체를 얻는 방법에 대해서는, 공지된 방법을 이용하여 제조할 수 있으며, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 사출 성형법, 가압 성형법, 압축 성형법, 트랜스퍼 성형법, 적층 성형법, 압출 성형법 등을 들 수 있다. 또한, 필름상으로 성형하는 경우에는 용액 막 형성법, 용융 압출 막 형성법 등을 들 수 있으며, 특히 용액 막 형성이 바람직하게 이용된다. 용액 막 형성법에 있어서는 상기 유기 용매를 적절하게 사용할 수 있지만, 바람직하게는 할로겐 함유 용매, 특히 바람직하게는 염화메틸렌을 사용하여 성 형한다.

본 발명의 수지는 열가소성이기 때문에 쉽게 성형할 수 있다. 그 렌즈는 고 아베수 또한 고굴절률이기 때문에, 색 수차가 작은 광학적으로 우수한 렌즈를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지를 이용한 필름은 우수한 광학 특성(무색 투명 및 낮은 광 분산)과 함께, 각종 용매에 대하여 양호한 친화성을 갖기 때문에 표면 가공성도 우수하며, 액정 디스플레이 등에 요구되는 고기능 필름 부재 등에 있어서 우수한 기능 필름 또는 기재 필름 등을 제공할 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시 양태를 이하에 실시예로서 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다.

수지의 합성 및 평가는, 이하의 방법에 의해 행하였다.

[합성]

하기 표 1에 나타낸 조성에 따라, 실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 3의 각 수지를 합성하였다. 그 합성법을 실시예 11의 조성을 예로 들어 설명한다.

질소 분위기하에서 염화메틸렌(40 ㎖) 중에 원료 A(1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산: 80 mmol) 및 트리에틸아민(168 mmol)을 혼합하고, 빙냉하에서 교반하였다. 이 용액에 원료 B(2-노르보르닐포스폰산 디클로라이드 28 mmol)의 염화메틸렌(5 mol/L) 용액을 15 분에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후 실온에서 60 분간 교반하였다. 이어서, 원료 C(페닐포스폰산 디클로라이드 36 mmol)의 염화메틸렌(5 mol/L) 용액을 15 분에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후 실온에서 60 분간 교반하였 다. 또한, 원료 D(세박산 디클로라이드 8 mmol)의 염화메틸렌(5 mol/L) 용액을 15 분에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후 실온에서 60 분간 교반하였다. 그 후, 트리포스겐(포스겐 환산으로 8 mmol)의 염화메틸렌 용액(0.6 mol/L)을 15 분에 걸쳐 적하하고, 적하 종료 후 60 분간 교반하였다. 이어서, 반응 용액을 공경 0.5 ㎛의 여과지로 여과함으로써 고체 성분을 제거하고, 0.1 N 염산 수용액 80 ㎖와 순수한 물 30O ㎖의 혼합액으로 수차례 용액을 세정하였다. 그 후, 분리한 유기층을 에탄올 2000 ㎖에 투입하여 재침전하고, 중합체를 여과하였다. 생성된 고체상 중합체를 (1) 에탄올 1000 ㎖, (2) 물/에탄올=1/1 혼합 용액 1000 ㎖, (3) 물 1000 ㎖의 순서로 세정하고, 건조하여 목적하는 수지 분말을 수율 95 ％로 얻었다.

그 밖의 실시예 및 비교예에 대해서도, 원료의 첨가량을 표 1에 나타낸 각 조성이 되도록 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 수지를 합성하였다.

[성형]

얻어진 수지 분말을 하기에 나타낸 방법으로 성형하여 평가하였다. 즉, 판상 성형품에 대해서는 가압 성형에 의해 성형하였다. 얻어진 수지 분말을 수지의 유리 전이 온도점 이상인 250 ℃로 가열한 금형에 투입하여 압력 2 t으로 가압한 후, 금형을 냉각하고, 금형을 분할함으로써 Φ30 mm, 두께 3 mm의 원반상의 수지 성형품을 얻었다.

광학 특성의 측정에 있어서는, 얻어진 수지 성형품을 절단하여 서로 직행하는 2면을 만들고, 각각의 면이 경면 마무리되도록 버프 연마하였다.

또한, 얻어진 수지 분말은 하기에 나타낸 방법으로 필름화하여 굴절률을 측 정할 수도 있다. 즉, 용액 캐스팅 막 형성의 경우에는 클로로포름에 용해시켜, 중합체 고형분 농도 5 중량％의 도핑 용액을 제조한다. 이 도핑 용액을 유리판 상에 막 형성하고, 진공하에 40 ℃에서 12 시간, 이어서 상압하에 100 ℃ 이상에서 2 시간 건조시킴으로써 캐스팅 필름을 얻었다.

[분자량]

수지 분말을 클로로포름에 용해하여 0.2 중량％ 용액으로 하고, GPC(겔ㆍ투과ㆍ크로마토그래피)[도소(주) 제조, GPC8020]에 의해 측정하여 수 평균 분자량(Mn)을 구하였다. 또한, 분자량은 표준 폴리스티렌 환산의 값으로서 구하였다.

[열 특성: 유리 전이점]

DSC(세이꼬 덴시 고교(주) 제조: SSC5200)로 유리 전이 온도를 측정하였다.

[광학 특성]

아베수 및 굴절률에 대해서는 이하의 방법으로 측정하였다. 즉, 판상의 성형품의 경우에는 굴절계(캘뉴 고가꾸 고교(주) 제조: KPR-2)로 평가하여, d선(파장: 587.6 nm) 굴절률(nd) 및 수학식 III으로부터 구해지는 아베수(νd)를 측정하였다. 박막상으로 성형한 것은 아베 굴절계(가부시끼 가이샤 아타고 제조: 4T)로 측정하였다.

각 실시예 및 비교예의 특성을 하기 표 2에 나타내었다.

Y

c-hex: 시클로헥실리덴

i-pro: 이소프로필리덴

단량체 명칭

M1: 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산

M2: 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판

M3: 2-노르보르닐포스폰산 디클로라이드

M4: 2-노르보르닐티오포스폰산 디클로라이드

M5: 2-비시클로[3.2.1]옥틸포스폰산 디클로라이드

M6: 페닐포스폰산 디클로라이드

M7: 시클로헥실포스폰산 디클로라이드

M8: 도데칸이산 디클로라이드

M9: 세박산 디클로라이드

M10: 트리포스겐(공중합비는 포스겐 환산)

비교예 1 내지 3으로부터 명확한 바와 같이, 종래의 폴리포스포네이트 수지 또는 변성 폴리카보네이트 수지와 같은 고굴절률 열가소성 수지는 아베수가 32 미만 또는 굴절률이 1.58 미만으로서 광학용, 특히 안경 렌즈용으로서는 불충분하다는 것을 알 수 있었다. 이에 대하여, 실시예 1 내지 16의 수지는 아베수, 굴절률 모두 높고, 우수한 열가소성 광학용 수지인 것을 알 수 있었다.

본 발명에 따르면, 고굴절률, 저분산의 특성을 갖는 수지 및 성형체를 제공할 수 있다.

본 발명에 따르면, 고굴절률, 저분산의 특성을 갖는 수지를 제공할 수 있다. 본 발명의 수지는 범용적인 성형체 또는 필름의 용도 등 각종 분야에 이용할 수 있는 것 외에, 특히 렌즈 또는 광학용 필름 등에 사용함으로써 우수한 효과를 한층 더 발휘하는 것이다.

Claims

비시클로알킬 구조를 갖는 인 함유 잔기 및 하기 화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기를 포함하며, 인 함유 잔기는 포스폰산, 티오포스폰산, 셀레노포스폰산, 아포스폰산 또는 인산 잔기로부터 선택된 잔기를 나타내는 수지.

<화학식 1>

식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 내지 20의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되며, p 및 q는 p+q=0 내지 8의 범위의 정수이고, Y는 알킬리덴기, 분지쇄 함유 알킬리덴기, 시클로알킬리덴기 및 분지쇄 함유 시클로알킬리덴기의 군으로부터 선택된 기이다.
제1항에 있어서, 상기 비시클로알킬 구조를 갖는 인 함유 잔기가 하기 화학식 2로 표시되는 것인 수지.

<화학식 2>

식 중, l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, X는 산소, 황, 셀레늄 또는 비공유 전자쌍을 나타내며, 치환기 R'는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 탄소수 1 내지 20의 방향족 탄화수소기 및 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되고, r은 0 내지 4의 정수이다.
제2항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기, 하기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기, 및 상기 화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기 3종을 포함하고, 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기와 하기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기의 몰분율이 하기 수학식 I을 만족하는 수지.

<화학식 3>

식 중, R''는 화학식 2로 표시되는 비시클로알킬기 이외의 유기기이며, X'는 산소, 황, 셀레늄 또는 비공유 전자쌍을 나타내고,

<수학식 I>

식 중, (a)는 비시클로알킬기를 갖는 인 함유 잔기의 몰수이고, (b)는 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기의 몰수이다.
제3항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 인 함유 잔기, 상기 화학식 3으로 표시되는 인 함유 잔기, 상기 화학식 1로 표시되는 2가 페놀 잔기, 및 다른 산 잔기를 포함하며, 전체 인 함유 잔기와 다른 산 잔기의 몰분율이 하기 수학식 II를 만족하는 수지.

<수학식 II>

식 중, (c)는 전체 인 함유 잔기의 합계 몰수이고, (d)는 다른 산 잔기의 합계 몰수이다.
제4항에 있어서, 상기 다른 산 잔기가 탄산 잔기 및(또는) 2가 카르복실산 잔기를 포함하는 수지.
제5항에 있어서, 상기 2가 카르복실산 잔기가 지방족 디카르복실산 잔기인 수지.
제6항에 있어서, 상기 지방족 디카르복실산 잔기의 탄소수가 8 이상인 수지.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지의 광 분산 특성의 지표이며, 하기 수학식 III으로 표시되는 아베수(νd)가 32 이상인 수지.

<수학식 III>

식 중, nd는 d선(파장 587.6 nm)의 굴절률이고, nf는 f선(파장 486.1 nm)의 굴절률이며, nc는 c선(파장 656.3 nm)의 굴절률이다.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지의 광 분산 특성의 지표인 상기 아베수(νd)와 수지의 d선 굴절률(nd)이 1.58 이상이고, 하기 수학식 IV로 표시되는 값이 210.5 이상인 수지.

<수학식 IV>
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지를 포함하는 성형체.
제10항에 기재된 성형체를 포함하는 광학 렌즈.
제10항에 기재된 성형체를 포함하는 필름.