KR20060010704A - 동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 제작 - Google Patents
동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 제작 Download PDFInfo
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- 이차원 전자층; 이차원 전자층의 메사 구조; 메사 구조에 형성된 소스, 드레인, 게이트 금속 전극과 양자점; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,양자점과 채널을 두 개의 조절 게이트를 사용하여 조절하는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 양자점 소자는 양의 게이트 전압을 인가하여 채널을 형성시키는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,상기 양자점 소자는 인가하는 조절 게이트에 의해 공명 터널링이 광범위하게 나타나는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법.
- 제1항에 있어서,두 개의 게이트 전압 합이 어떤 전압 이상에서는 단일 전자 터널링 효과가 나타나는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법.
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KR1020050135573A KR100765962B1 (ko) | 2005-12-30 | 2005-12-30 | 동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 제작방법 |
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