KR20050120808A - 증폭기 회로, 차동 증폭기, 집적 회로, 전자 시스템 및방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 증폭기 회로에 있어서,적어도 하나의 입력 장치와,병렬의 복수의 부하 소자 - 상기 복수의 부하 소자의 서브세트는 제어 회로에 의해 상기 증폭기 회로로부터 전기적으로 분리되도록 구성됨 -를 포함하는 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 부하 소자는 저 이득 소자와 고 이득 소자를 포함하는 증폭기 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 저 이득 소자와 상기 고 이득 소자는 병렬로 결합되며, 상기 저 이득 소자는 상기 고 이득 소자로부터의 전류를 유린(robbing)하도록 구성되는 증폭기 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 고 이득 소자는 포지티브 피드백 소자로서 구성되는 증폭기 회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 제어 회로는 상기 입력 장치와 상기 고 이득 소자의 제어 노드 사이에 결합된 패스 트랜지스터를 포함하는 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,전기적으로 분리되는 상기 부하 소자의 서브세트는 고 이득 소자로서 구성되는 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,전기적으로 분리되는 상기 서브세트에 포함되지 않은 부하 소자는 저 이득 소자로서 구성되는 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 증폭기 회로는 상기 부하 소자의 서브세트가 전기적으로 분리되는 제 1 동작 모드와, 상기 부하 소자의 서브세트가 전기적으로 분리되지 않는 제 2 동작 모드를 수용하도록 구성되는 증폭기 회로.
- 제 8 항에 있어서,상기 증폭기 회로는 상기 제 1 동작 모드에서보다 상기 제 2 동작 모드에서 더 높은 이득을 가지도록 구성된 증폭기 회로.
- 차동 증폭기에 있어서,차동 입력 트랜지스터 쌍과,상기 차동 입력 트랜지스터 쌍에 결합된 출력 노드와,상기 출력 노드에 결합되어 있으며, 제어 전압을 수용하도록 구성된 제어 노드를 구비하는 제 1 부하 트랜지스터 쌍과,상기 제 1 부하 트랜지스터 쌍과 병렬로 결합되어 있으며, 출력 노드 또는 기준 노드 중 하나에 결합되도록 구성된 제어 노드를 구비하는 제 2 부하 트랜지스터 쌍을 포함하는 차동 증폭기.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 부하 트랜지스터 쌍의 상기 제어 노드와 상기 출력 노드 사이에 결합된 패스 트랜지스터를 더 포함하는 차동 증폭기.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 2 부하 트랜지스터 쌍의 상기 제어 노드와 기준 노드 사이에 결합된 패스 트랜지스터를 더 포함하는 차동 증폭기.
- 입력 포트와,지연 잠금 루프 회로와,상기 입력 포트와 상기 지연 잠금 루프 회로 사이에 결합되어 있는 증폭기 회로 - 상기 증폭기 회로는 상기 증폭기의 이득 범위를 설정하도록 구성된 다수의 선택가능 부하 소자를 포함함 -를 포함하는 집적 회로.
- 제 13 항에 있어서,상기 증폭기 회로는 상기 입력 포트에 결합된 트랜지스터의 차동 입력 쌍을 포함하는 집적 회로.
- 제 14 항에 있어서,상기 다수의 선택가능 부하 소자는 상기 트랜지스터의 차동 입력 쌍과 기준 노드 사이에 드레인-소스 결합된 제 1 부하 트랜지스터를 포함하는 집적 회로.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 부하 트랜지스터는 포지티브 피드백 소자로서 구성되는 집적 회로.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 부하 트랜지스터를 조건부로 턴 오프하는 패스 트랜지스터를 더 포함하는 집적 회로.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 부하 트랜지스터와 병렬로 드레인-소스 결합된 제 2 부하 트랜지스터를 더 포함하는 집적 회로.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 2 부하 트랜지스터는 공통의 제어 노드를 공유하여 상기 선택된 이득 범위 내에서 이득을 가변시키는 집적 회로.
- 전자 시스템에 있어서,한 쌍의 클럭 노드 상에 차동 클럭 신호를 생성하는 마이크로프로세서와,상기 한 쌍의 클럭 노드 상에 결합된 입력단 및 병렬의 복수의 부하 소자를 구비한 증폭기 회로를 포함하되,상기 복수의 부하 소자의 서브세트는 제어 회로에 의해 상기 증폭기 회로로부터 전기적으로 분리되도록 구성되어 있는 전자 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 복수의 부하 소자는 저 이득 소자와 고 이득 소자를 포함하는 전자 시스템.
- 제 21 항에 있어서,상기 저 이득 소자와 상기 고 이득 소자는 병렬로 결합되어 있으며, 상기 저 이득 소자는 상기 고 이득 소자로부터의 전류를 유린하도록 구성되어 있는 전자 시스템.
- 제 21 항에 있어서,상기 고 이득 소자는 포지티브 피드백 소자로서 구성되어 있는 전자 시스템.
- 차동 증폭기의 입력 노드 상에서 차동 신호를 수신하는 단계와,부하 소자를 전기적으로 부가 또는 분리함으로써 상기 차동 증폭기의 이득 범위를 선택하는 단계와,부하 소자를 바이어싱함으로써 상기 차동 증폭기의 이득을 설정하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 이득 범위 선택 단계는 저 이득 소자와 병렬로 포지티브 피드백 부하 소자를 전기적으로 결합하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 이득 설정 단계는 상기 저 이득 소자를 바이어싱하여 상기 포지티브 부하 소자로부터의 전류를 유린하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 이득 범위 선택 단계는 포지티브 피드백 부하 소자가 저 이득 소자와 병렬로 있는 것을 전기적으로 분리하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 이득 설정 단계는 상기 저 이득 소자를 바이어싱하는 단계를 포함하는 방법.
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US8319551B2 (en) * | 2009-11-16 | 2012-11-27 | Linear Technology Corporation | Method and system for improving limiting amplifier phase noise for low slew-rate input signals |
CN102361435B (zh) * | 2011-10-28 | 2013-02-06 | 电子科技大学 | 一种可变增益宽带低噪声放大器 |
CN104065355A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-09-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 全差分低噪声放大器 |
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US9755599B2 (en) * | 2015-09-17 | 2017-09-05 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with boosted peaking |
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---|---|---|---|---|
US4065725A (en) * | 1976-08-16 | 1977-12-27 | Motorola, Inc. | Gain control circuit |
US4331929A (en) * | 1979-04-04 | 1982-05-25 | Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha | Gain-controlled amplifier |
JP3347615B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路および光送信モジュール |
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US6141169A (en) | 1997-10-23 | 2000-10-31 | Cirrus Logic, Inc. | System and method for control of low frequency input levels to an amplifier and compensation of input offsets of the amplifier |
US6011437A (en) * | 1998-05-04 | 2000-01-04 | Marvell Technology Group, Ltd. | High precision, high bandwidth variable gain amplifier and method |
US6124761A (en) | 1998-09-30 | 2000-09-26 | Robinson; Trevor | Variable gain amplifier with gain linear with control voltage |
KR100356022B1 (ko) * | 1999-11-23 | 2002-10-18 | 한국전자통신연구원 | 씨모스 가변이득 앰프 및 그 제어 방법 |
US6563382B1 (en) | 2000-10-10 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | Linear variable gain amplifiers |
US6617921B2 (en) * | 2000-11-20 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | High output swing comparator stage |
US6396351B1 (en) | 2001-02-05 | 2002-05-28 | Em (Us) Design, Inc | Preamplifier circuit for a photodetector |
US6480064B1 (en) * | 2001-05-25 | 2002-11-12 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for an efficient low voltage switchable Gm cell |
US6724235B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-04-20 | Sequoia Communications | BiCMOS variable-gain transconductance amplifier |
DE10143770B4 (de) | 2001-09-06 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Verstärkerschaltung |
US6727755B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-04-27 | Texas Instruments Incorporated | High speed linear variable gain amplifier architecture |
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