KR20050117128A - 엘디디 구조를 갖는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 기판;상기 기판 상에 채널 영역, 저농도 불순물 영역 및 고농도 불순물 영역을 구비하는 반도체층;상기 반도체층 상에 상기 저농도 불순물 영역과 중첩되는 제 1 영역 및 상기 고농도 불순물 영역과 중첩되고 상기 제 1 영역보다 얇은 제 2 영역을 갖는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 상기 채널 영역에 대응하여 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역의 두께는 상기 제 2 영역의 두께의 4/3배 이상인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역은 서로 다른 물질로 이루어진 이중층이고, 상기 제 2 영역은 단일층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 영역은 실리콘 산화막과 실리콘 절연막의 이중층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 영역은 실리콘 산화막의 단일층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 기판을 제공하고,상기 기판 상에 반도체층을 형성하고,상기 반도체층 상에 절연막을 형성하고,상기 절연막을 선택적으로 식각하여 제 1 영역 및 상기 제 1 영역보다 얇은 두께를 갖는 제 2 영역을 구비하는 게이트 절연막을 형성하고,상기 게이트 절연막 상에 상기 제 1 영역보다 좁은 폭을 갖는 게이트 전극을 형성하고;상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 반도체층에 불순물을 도핑함으로써, 상기 제 1 영역과 중첩되는 저농도 불순물 영역과 상기 제 2 영역과 중첩되는 고농도 불순물 영역을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 게이트 절연막을 형성하는 것은 하프톤 마스크를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 영역의 두께는 상기 제 2 영역의 두께의 4/3배 이상인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 것은 상기 반도체층 상에 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 산화막 상에 실리콘 질화막을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
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