KR20050110032A - 진공에서 전극과 재료의 접촉 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 abstract 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000677 High-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000024121 nodulation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- -1 tungsten carbides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Abstract
스퍼터 증착 공정을 개선시키기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 하기의 단계: a) 진공을 제공하는 단계; b) 상기 제공된 진공에서 전극(10,34,34',44,44')을 제공하는 단계; c) 상기 진공에서 장치(22,22',2424',26,26',28,28',30,36,36',48,48')를 제공하는 상기 전극들34,34',44,44')과 접촉하지 않는 기판을 제공하는 단계;를 포함한다. 상기 장치는 전극에 상대 이동하고 접촉 존에 걸쳐서 상기 전극과 접촉한다. 상기 장치는 전극으로부터 고체 재료를 제거하거나 상기 전극에 고체 재료를 도포한다. 상기 방법은 간단한 메커니즘의 방법으로 수행된다. 복잡한 전자공학이나 정교한 제어 알고리즘들이 필요하지 않다. 상기 방법은 기계 휴지시간이 감소되도록 진공에서,즉, 진공을 파괴하지 않고 수행된다.
Description
본 발명은 스퍼터 증착 공정, 예를 들어 자기적으로 강화된 스퍼터링 공정(magnetically enhanced sputtering process)을 개선시키는 방법에 관한 것이다. 용어 "개선"은 장기간 플라즈마 처리 안정성을 개선시키거나 코팅 균질성을 개선시키거나 스퍼터 증착 동안 기계 휴지시간을 감소시키는 관한 것이다.
아킹(arcing)의
문제
마그네트론 스퍼터 증착 공정(자기적으로 강화된 스퍼터링)에서, 폐루프 형태로 배열된 자석들의 어레이는 타겟 뒤에 설치된다. 이에 따라서, 폐루프 형태의 자계는 타겟의 앞에 형성되고 스퍼터링 존을 한정한다. 자계는 방전으로부터의 전자들을 이 자계 내에서 트랩시키고 나선형 패턴으로 이동시켜, 다이오드 스퍼터링과 비교하여 더욱 집중적인 이온화(플라즈마) 및 더 높은 스퍼터 레이트를 생성한다. 회전 원통형 마그네트론은 타겟으로서 원통형 캐소드를 사용한다. 이 구성에서, 원통형 캐소드는 고정 자석 어레이 위에서 연속적으로 회전된다. 회전 원통형 구성들은 플래너 자석 구성들에 비해서 더 많은 타겟 재료 소모 및 더 많은 타겟 재료가 이용될 수 있다는 사실로 인해 더 많은 코팅 용량, 더 높은 전력 밀도들을 사용할 가능성, AC 공정들에서 강화된 애노드 기능성, 및 반응 공정에서 더 낮은 아크 레이트와 같은 여러 가지 이점들을 갖는다. 그러나, 더 낮은 아크 레이트에도 불구하고, 아킹은 특히 반응 공정들에서 주요한 문제점을 갖고 있다. 반응 스퍼터링 증착 동안, 반응성 가스(가령 O2 또는 N2)는 불활성 가스에 인접한 스퍼터링 실로 도입되어 유전체 층(산화물 또는 질화물)을 기판상에 형성한다. 그러나, 결점은 기판을 위한 유전체 층이 또한 타겟 표면상에 형성되고 특히 레이트 트랙에 인접한 에어리어들 상에 형성된다는 것이다. 회전가능한 타겟의 경우에, 스퍼터링되지 않은 레이스트랙에 인접한 존들을 엔드 존들이라 칭한다.
회전하는 원통형 마그네트론 어셈블리에서, 타겟(캐소드)은 고정 자석 어레이 위에서 연속적으로 회전되어, 타겟의 새로운 부분이 스퍼터링 존으로 연속적으로 패턴닝되도록 한다. 이는 타겟 부식 존이 캐소드의 전체 주변을 포함한다는 것을 의미한다. 다른 말로서, 타겟은 엔드 존(스퍼터링 존을 넘어서)을 제외하면 플라즈마에 의해 연속적으로 세정된다. 이는 유전체 층의 성장이 회전하는 원통형 타겟의 엔드 존들에서 발생된다는 것을 의미한다. 양 이온들에 의한 폭격으로 인해, 이 유전체 층은 타겟이 부(negative)로 바이어스되는 동안 정(positive)으로 하전된다. 어떤 레벨로 하전되면, 전하는 아킹(유전체 층의 항복이 발생된다)에 의해 분산될 것이다. 아킹은 공정 불안정성을 초래하여 불균질성을 야기하고 코팅에서 결함을 초래하고 스퍼터 장비에 손상을 입힐 수 있다.
레이스트랙
턴들에서
그루브
형성
회전하는 원통형 마그네트론은 그루브가 형성되는 레이스트랙 턴의 위치에서 타겟의 엔드 존들을 제외하면 전체 타겟 관 길이에 걸쳐서 균일한 타겟 소모를 보장한다. 레이스트랙 턴에서, 타겟은 레이스트랙의 직선부와 비교하여 보다 긴 시간 동안 플라즈마 밑에서 이동한다. 이는 레이스트랙의 직선부와 비교하여 레이스트랙 턴에서 더 높은 타겟 재료 소모를 야기한다. 레이스트랙 턴의 존들에서 타겟 재료가 완전히 소모되면, 타겟은 상당량의 귀중한 재료가 타겟의 주요 부분 위에 제공될 수 있지만, 이 타겟은 대체되어야만 된다. 종래 기술은 덕본(dogbone) 형태의 원통형 타겟들로 제공된다. 덕본 타겟들은 타켓이 너무 일찍 소모되는 것을 피하게 한다. 그러나, 덕본들은 취성, 열 도전율, 재료 비용, 제조 공정 등과 같은 여러 가지 이유들로 인해 모든 재료들에 대해 항상 이용가능하지 않다.
타겟의
위치지정
아르곤 산소 혼합물에서 예를 들어 ITO(인듐 주석 산화물) 스퍼터링 타켓의 연속적인 스퍼터링에서, 결절들(nodules)이라 칭하는 블랙 매터(black matter)가 타겟의 표면상에 나타난다. 이들 결절들은 성정하는 경향이 있다. 이들 결절들은 자신들의 절연 특성들로 인해 스퍼터링되지 않거나 덜 스퍼터링 된다. 이들 결절들은 스퍼터링 동안 아킹을 야기하고 스퍼터링된 박막에서 불균질성 및 입자들의 소스가 된다. 수용가능한 동작의 경우, 결절 형성 및 이에 따라서 아킹 및 감소된 스퍼터 영역이 너무 강하게 되면, 스퍼터 공정은 불연속으로 되어야 만 되고 결절들은 재시작전 기계적으로 제거되어야만 한다.
미국 특허 제6,106,681호는 ITO 스퍼터링 타겟을 세정하는 방법을 서술한다. 스퍼터링 전 또는 정지(standstill) 동안, ITO 스퍼터링 타겟은 다수의 발진 초음파 세척을 겪거나, 대안적으로, 접착 테이프가 ITO 스퍼터링 타겟의 표면에 부착된다.
도1a는 원통형 타겟의 단면도.
도1b는 도1a의 원통형 타겟의 상부도.
도2는 재료가 타겟의 엔드 존에 도포되는 본 발명의 제1 예를 도시한 도면.
도3은 재료가 타겟의 엔드 존들로부터 제거되는 본 발명의 제2 예를 도시한 도면.
도4는 재료가 타겟의 레이스트랙 리턴의 존들에 도포되는 본 발명의 제3 예를 도시한 도면.
도5는 재료가 타겟의 레이스트랙 리턴 존들 및 엔드 존들 둘 다에 도포되는 본 발명의 제4 예를 도시한 도면.
도6은 재료가 타겟의 부식 존으로부터 제거되는 본 발명의 제5 예를 도시한 도면.
도7은 재료가 회전 애노드로부터 제거되는 본 발명의 제6 예를 도시한 도면.
도8은 재료가 회전 금속 브러시 애노드로부터 제거되는 본 발명의 제7 예를 도시한 도면.
본 발명의 목적은 종래 기술의 결점들을 피하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 장기간 플라즈마 처리 안정성을 개선시키는 것이다.
본 발명의 제3 목적은 기판상의 코팅 균질성을 개선시키는 것이다.
본 발명의 제4 목적은 스퍼터 증착 동안 기계 휴지시간을 감소시키는 것이다.
본 발명의 제5 목적은 아킹을 더욱 감소시키는 것이다.
본 발명의 제6 목적은 타겟 상의 그루브 형성을 감소시키는 것이다.
본 발명의 일반적인 양상을 따르면, 스퍼터 증착 공정을 개선시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은:
a) 진공을 제공하는 단계;
b) 상기 진공에서 전극을 제공하는 단계;
c) 상기 진공에서 상기 전극과 접촉하지 않는 기판을 제공하는 단계;
d) 상기 진공에서 상기 전극에 상대 이동하고 접촉 존에 걸쳐서 상기 전극과 접촉하는 장치를 제공하는 단계를 포함하는데,
상기 장치는 상기 전극으로부터 재료를 제거하거나 재료를 상기 전극에 도포되는데, 상기 재료는 고체 상태이다.
상기 물질 및 이 전극 간의 상대 운동 및 상기 물질 및 상기 전극 간의 접촉은 연속 또는 간헐적일 수 있다. 상기 장치는 예를 들어, 진공을 파괴함이 없이 기판 충전 사이크들 간에서 회전 타겟 상으로 적용될 수 있다. 또는, 이는 상기 전극의 속도 다음에 전극과 연속 접촉할 수 있는데, 즉, 장치 및 전극 간에 상대 이동이 존재하지 않으며, 재료가 제거되거나 도포될 때 상대 운동이 발생 되는 것을 종종 브레이크 오프(braked off)된다.
이 방법은 여러 가지 면들에서 유용하다. 이 방법은 간단하다. 실제로, 이 방법은 간단한 메커니즘에 의해 실행된다. 복잡한 전자장치들 또는 복잡한 제어 알고리즘들을 필요로 하지 않는다. 게다가, 이 방법은 진공에서 실행되는데, 즉 스퍼터 증착 공정 동안 또는 스퍼터 증착 사이클의 부분으로서, 기계 휴지시간이 감소되도록 한다. 게다가, 이 방법은 스퍼터링 장치 밖으로 타겟을 제거할 필요없이 원 위치에서 수행될 수 있다.
전극은 캐소드, 예를 들어 캐소드로서 기능하는 원통형 타겟일 수 있다. 본 발명의 문맥에서 원통형 타겟의 장점은 접촉 장치가 정지될 수 있다는 것인데, 그 이유는 원통형 타겟이 회전되기 때문이다. 원통형 타겟의 회전 동안, 이 장치는 재료를 타겟에 연속적으로 또는 간헐적으로 제거 또는 부가할 수 있다.
전극은 또한 기판과 접촉하지 않는 애노드일 수 있다. 이 애노드는 원통형 관일 수 있으며, 이는 회전가능하고 회전할 수 있다. 또는 이는 Sleck 등에게 허여된 미국 특허 제5683558호에 서술된 바와 같은 금속성 와이어 브러시일 수 있는데, 여기서 금속 와이어들의 극단들은 부의 전하의 콜렉터로서 작용한다. 이와 같은 금속 와이어 브러시는 임의의 형상을 갖지만 둥근 신장된 형상이 바람직하다. 브러시는 이 장치에 대해 이동할 수 있다.
진공 챔버의 벽 또는 차폐는 또한 애노드로서 작용할 수 있다. 그 후, 이 장치는 고정 진공 챔버에 대해서 이동하여야 한다.
본 발명의 제1 실시예에서, 재료는 전극으로부터 제거된다. 여기서, 장치는 타겟의 경도 또는 이의 일부분의 경도보다 크거나 같은 경도를 갖는다. 이 장치는 예를 들어 연마 수단 또는 절단 수단 또는 전극으로부터 재료를 제거하기 위한 폴리싱 수단일 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에서, 재료가 전극에 첨가된다. 여기서, 장치는 경도를 갖는 것이 바람직한데, 이는 타겟 또는 이의 일부분의 경도 보다 작거나 같다. 재료를 전극에 도포하고자 할 때, 이는 또다시 예를 들어 피드 메커니즘 또는 도포기(applicator) 또는 종래 기술에 공지된 바와 같은 임의의 다른 장치에 의해 행해질 수 있다.
전극, 대부분 타겟 및 장치 간의 접촉 존에 대해서 각종 대안들이 가능하다.
제1 대안으로서, 접촉 존은 엔드 존과 중첩하는데, 예를 들어, 엔드 존을 커버, 예를 들어 엔드 존과 동일하다. 이 엔드 존은 스퍼터링되지 않은 존이다.
제2 대안으로서, 접촉 존은 레이스트랙 리턴의 존과 중첩하는데, 예를 들어 레이스트랙 리턴의 존의 커버, 예를 들어 타겟 상의 레이스트랙 리턴의 존이다.
제3 대안으로서, 접촉 존은 부식 존과 중첩하는데, 예를 들어, 부식 존을 커버, 예를 들어 부식 존이다. 이 부식 존은 정상 타겟 소모, 또한 직선 레이스트랙들의 존이다.
이들 중에서도 특히, 본 발명의 제3 대안은 소위 '결절' 형성에 민감한 재료들에 유용하다. '결절들'은 타겟 재료의 증착 동안 타겟의 표면상에 형성되는 국부적인 불규칙성들이다. 경도 또는 전기 도전율 면에서 다른 결절들은 자신들의 바로 인접 주변들을 형성함으로써, 스퍼터링 공정의 균일성을 왜곡시킨다. 이하의 재료들은 특히 결정 형성에 민감한 것으로 알려져 있다.
- ITO-인듐 주석 산화물-타겟들, 또는
- ZnAlO- 알루미늄으로 도핑된 징크옥사이드
- TiN, Ti, CoTi 및 Al
이 방법은 ITO 타겟들에 가장 적합하다.
지금부터 첨부 도면을 참조하여 본 발명이 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도1a는 회전하는 원통형 타겟(10)의 단면도로서, 이 타겟은 고정 자석 어셈블리(12) 주위에서 회전한다. 이 자석 어셈블리는 자계(13)를 발생시킨다.
도1b는 타겟(10)의 상부도이다. 전기력 및 자기력의 결합된 효과는 타겟(10)의 표면 상에서 소위 레이스트랙(14)을 발생시킨다. 이 레이스트랙(14)은 탸겟 재료가 스퍼터링되는 영역이다.
레이스트랙(14)은 타겟(10) 상의 3가지 상이한 유형들의 존들을 규정한다.
제1 유형의 존이 대부분을 형성하고 부식 존(16)이라 칭하는데 레이스트랙(14)의 직선부들에 대응한다. 부식 존(16)에서, 스퍼터링 동안 타겟 재료의 소모는 실질적으로 동일하다.
제2 유형의 존은 단부에서 발견될 수 있는데 엔드 존(18)이라 칭한다. 이 엔드 존(18)에서, 타겟 재료는 전혀(또는 매우 약간) 스퍼터링 제거되지 않는다. 다른 말로서, 타겟 재료는 엔드 존들(18)에서 소모된다.
제3 유형의 존은 레이스트랙 리턴(20)의 존이다. 상술된 바와 같이, 렝이스트랙 리턴(20)의 존들에 통상적으로 그루브가 형성되는데, 그 이유는 타겟(10)이 부식 존(16)과 비교하여 장기간 동안 플라즈마 아래에서 이동한다. 이는 레이스트랙 리턴(20)의 존들에서 더 많은 타겟 재료를 소모하고 그루브들을 생성시킨다.
본 발명은 타켓의 여러 존들에서 각종 문제들에 대한 각종 해법들을 제공한다.
예 1
도2는 재료가 주로 회전하는 원통형 타겟(10)의 엔드 존들(18)에 도포되는 본 발명의 제1 예를 도시한 것이다. 좌 및/또는 우 벨트형 재료(22, 22')는 회전하는 타겟(10)의 각 좌 및 우 엔드 존(18)에 대해서 러빙된다. 벨트형 재료(22. 22')는 증착 챔버에 대해서 고정될 수 있거나, 전후로 이동할 수 있거나, 타겟 및 장치간에서 모션을 발생시키기 위하여 가끔 브레이크 오프되는 타겟과 함께 이동할 수 있다. 벨트 형 재료(22, 22')의 하부측에는 타겟(10)의 재료보다 낮은 경도를 갖는 도전 재료가 제공된다. 타겟(10)의 회전시 그리고 도전 재료의 낮은 경도로 인해, 이 도전 재료층은 엔드 존들(18)의 완전한 둘레에 도포된다. 따라서, 아크 민감 에어리어는 도전 상태로 유지된다. 차지 업(charge up)은 발생 되지 않는다. 아킹이 피해진다.
예로서, 타겟(10)은 알루미늄, 아연 또는 주석일 수 있고, 벨트형 재료(22, 22')에는 흑연 블록이 제공될 수 있다.
예 2
도3은 재료가 회전하는 원통형 재료(10)의 엔드 존들(18)로부터 주로 제거되는 본 발명의 제2 예를 도시한 것이다. 적절한 블레이드, 나이프형 또는 끌(chisel) 절단 도구들 또는 스크레이핑 장치들(24, 24')에는 타겟(10)의 재료와 동일하거나 높은 경도가 제공된다. 이들 장치들(24, 24') 각각은 타겟(10)의 좌 및 우 엔드 존들(18)에 접촉한다. 타겟(10)의 회전시, 타겟(10)의 재료 층들은 제거된다. 따라서, 원치않는 유전체 재료가 엔드 존에서 축적되는 것은 감소되며, 그렇치 않다면 피해진다. 이 방식으로, 차징 업의 위험성 및 이와 관련된 아킹의 위험성은 감소된다.
예로서, 타겟(10)의 재료는 아연일 수 있고 장치들(24, 24')의 접촉 표면 재료는 텅스텐 카바이드들일 수 있다.
예 3
도4는 재료가 타겟(10)의 리트레이스 리턴의 존들(20)에 도포되는 제3 예를 도시한 것이다. 롤들(26, 26')은 예를 들어 스프링 시스템(도시되지 않음)에 의해 레이스트랙 리턴(20)의 좌 및 우 존들에 각각 적용된다. 롤들(26, 26')의 표면은 타겟(10)의 표면의 선형 속도와 상이한 선형 속도를 가져, 롤들(26. 26') 및 타겟(10) 간에 슬립이 존재하게 된다. 이 롤들(26, 26')에는 타겟(10)의 재료보다 낮은 스퍼터 레이트 및 경도의 재료가 제공된다. 타겟(10)의 회전시 그리고 롤들(26, 26')상의 재료의 낮은 경도로 인해, 재료는 타겟(10)의 완전한 주변에 도포된다. 도포된 재료의 낮은 스퍼터 레이트로 인해, 레이스트랙 리턴(20)의 존들에서 스퍼터 레이트는 저속으로 되고 그루브 형성은 감소되거나 피해진다.
예로서, 타겟(10)은 아연, 주석, 티타늄 또는 실리콘일 수 있고 롤들(26, 26')의 표면상에는 흑연이 제공될 수 있다.
예 4
예4는 예1 및 예3의 조합이다. 도5는 재료가 레이스트랙 리턴(20)의 존들 및 원통형 회전 타겟(10)의 엔드 존들(18) 둘 다에 도포 되는 제4예를 도시한 것이다. 재료의 도포는 2개의 롤들(28, 28')에 의해 행해질 수 있다.
예 5
도6은 재료가 ITO 타겟(10)의 부식 존으로부터 제거되는 제5 예를 도시한 것이다. 블레이드 스프링(32)에 각각 부착되는 상이한 스크레이퍼 블레이드들(31)을 포함하는 이동가능한 스크레이퍼(30)는 캐리어 로드(33)를 회전시킴으로써 부식 존(16) 및 리트레이스 리턴(20)의 존과 접촉할 수 있다. 바람직하게는 블레이드 스프링들은 전기 절연 재료로 제조된다. 상술된 바와 같이, ITO 타겟의 표면은 결절들(29)의 존재를 도시하는데, 이는 스퍼터링 코팅에서 아킹 또는 불균질성을 초래할 수 있다. 스크레이퍼(30)는 ITO 타겟(10)의 회전시 결절들(29)을 제거한다.
(전극과 마주보는 기판의 위치에 따라서)이 가능성이 배제되지 않지만, 재료의 제거동안, 타겟이 스퍼터링 모드에서 바람직하지 않다는 것은 상기로부터 명백할 것이다. 그 후, 스퍼터링 사이클이 정지되지만, 이 방법은 진공의 브레이킹 또는 세정을 위한 타겟의 설치해제를 필요로 하지 않는다. 파편(51)은 스퍼터링 장치의 오염을 방지하기 위하여, 실질적으로 동일한 치수의 레귤러 기판을 갖고 뒤쪽의 장소를 취하는 콜렉터 판(50) 상에 간편하게 수집될 수 있다. 진공은 세정동안 장치에서 먼지가 전파되는 것을 방지하도록 돕는다.
제1 대안적인 실시예(도시되지 않음)에서, 스크레이퍼는 회전 타겟에 대해서 푸시(push)되는 신장된 원통형 금속 브러시로 이루어질 수 있다. 이 브러시는 회전시 타겟에 대해서 회전될 수 있다.
제2 대안적인 실시예(도시되지 않음)에서, 스크레이퍼는 끌이 선반 내의 작업재 위에서 이동하는 것과 매우 유사하게 타겟 위에서 이동하는 절단 도구로 이루어질 수 있다.
예 6
도7은 재료가 회전 애노드들(34, 34')로부터 제거되는 제6 예를 도시한 것이다. 캐소드 타겟(10)에 인접하여, 2개의 회전하는 원통형 애노드들(34, 34')이 제공된다. 브러시들(36, 36')은 좌 및 우 애노드들(34, 34') 각각에 대해서 러빙된다. 애노드들이 회전할 때, 애노드들(34, 34')의 원주 표면이 세정된다. 애노드들(34) 상의 유전체 재료의 축적은 피해진다. 이 결과는 애노드들이 계속 기능하도록 하고 사라지지 않도록 하는 것이다.
예로서, 애노드들(34)은 스테인레스 강철로 제조되고 브러시들(36, 36')은 고 탄소 강철로 제조될 수 있다. 대안적으로, 스틸 울(steel wool)은 애노드들을 세정하기 위하여 사용될 수 있다.
예 7
도8은 2개의 수집 에노드들(44, 44')의 제7예를 도시한 것이다. 각 전극들은 신장된 원통형 금속 와이어 브러시(44, 44') 형태의 애노드인데, 이 브러시는 자신의 축 주위에서 회전한다. 다수의 금속 와이어들(46, 46')은 자기 어레이(12)에 의해 한정되는 플라즈마(42)에 의해 플래너 타겟(40)으로부터 제거되는 타겟 재료를 수집한다. 도시된 와이어들의 수는 브러시 내의 실제 와이어들의 수에 대응하지 않는데, 이들의 크기 및 길이는 원래 크기로 도시되지 않았다. 장치는 와이어를 구부림으로써 와이어 상에 수집되는 타겟 재료를 제거한다. 이 장치는 세라믹 재료 등과 같은 절연 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 또다시, 파편(51)은 스퍼터링 장치를 오염시키지 않도록 콜렉터 판(50)상에서 수집된다.
Claims (17)
- 스퍼터 증착 공정을 개선시키는 방법으로서,a) 진공을 제공하는 단계;b) 상기 진공에서 전극을 제공하는 단계;c) 상기 진공에서 상기 전극과 접촉하지 않는 기판을 제공하는 단계;d) 상기 진공에서 상기 전극에 상대 이동하고 접촉 존에 걸쳐서 상기 전극과 접촉하는 장치를 제공하는 단계를 포함하는데,상기 장치는 상기 전극으로부터 재료를 제거하거나 재료를 상기 전극에 도포하는데, 상기 재료는 고체 상태인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장치는, 상기 전극으로부터 재료를 제거하기 위하여 상기 전극 또는 이의 일부분의 경도 보다 크거나 같은 경도를 갖는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장치는, 상기 전극으로부터 재료를 도포하기 위하여 상기 전극 또는 이의 일부분의 경도 보다 작거나 같은 경도를 갖는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 캐소드인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 캐소드는 회전가능한 원통형 타겟인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 애노드인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 애노드는 진공 챔버 벽 또는 차폐물인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 애노드는 회전가능한 원통형 관인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 애노드는 회전가능한 브러시인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟은 스퍼터링되지 않은 엔드 존을 갖고 상기 접촉 존은 상기 엔드 존과 중첩하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제5항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟은 레이스트랙 리턴의 존을 갖고 상기 접촉존은 상기 레이스트랙 리턴의 존과 중첩하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제5항, 제10항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟은 부식 존을 갖고 상기 접촉 존은 상기 부식존과 중첩하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 타겟은 ITO 타겟인 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 전극에 대해 간헐적으로 상대 이동하고 상기 장치는 상기 전극과 간헐적으로 접촉하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 전극에 대해 연속적으로 상대 이동하고 상기 장치는 상기 전극과 간헐적으로 접촉하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 전극에 대해 간헐적으로 상대 이동하고 상기 장치는 상기 전극과 연속적으로 접촉하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 상기 전극에 대해 연속적으로 상대 이동하고 상기 장치는 상기 전극과 연속적으로 접촉하는 스퍼터 증착 공정 개선 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP03100768 | 2003-03-25 | ||
| EP03100768.5 | 2003-03-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050110032A true KR20050110032A (ko) | 2005-11-22 |
Family
ID=33041044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057017759A KR20050110032A (ko) | 2003-03-25 | 2004-02-26 | 진공에서 전극과 재료의 접촉 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060102465A1 (ko) |
| EP (1) | EP1606428A2 (ko) |
| JP (1) | JP2006521468A (ko) |
| KR (1) | KR20050110032A (ko) |
| CN (1) | CN100471987C (ko) |
| WO (1) | WO2004085699A2 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008505841A (ja) | 2004-07-12 | 2008-02-28 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティング |
| US20090145747A1 (en) * | 2005-11-07 | 2009-06-11 | Acrelormittal France | Method and installation for the vacuum colouring of a metal strip by means of magnetron sputtering |
| WO2007121211A2 (en) | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Cardinal Cg Company | Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| JP5474796B2 (ja) | 2007-09-14 | 2014-04-16 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティングおよび低保守コーティングの製造方法 |
| JP5935028B2 (ja) * | 2012-05-11 | 2016-06-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | スパッタリング装置 |
| GB2510389B (en) * | 2013-02-01 | 2016-08-03 | Camvac Ltd | Apparatus and method for defining a plasma |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318074A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-25 | Teijin Ltd | 薄膜形成装置 |
| DE4418906B4 (de) * | 1994-05-31 | 2004-03-25 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Beschichtungsanlage zu seiner Durchführung |
| JP3576364B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2004-10-13 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Ｉｔｏスパッタリングターゲットのクリーニング方法 |
| US6358851B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-03-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Sputter PM procedures with polish tool to effectively remove metal defects from target surface nodules (residue) |
-
2004
- 2004-02-26 WO PCT/EP2004/050210 patent/WO2004085699A2/en active Application Filing
- 2004-02-26 KR KR1020057017759A patent/KR20050110032A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-26 US US10/550,507 patent/US20060102465A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-26 EP EP04714796A patent/EP1606428A2/en not_active Withdrawn
- 2004-02-26 JP JP2006505433A patent/JP2006521468A/ja not_active Withdrawn
- 2004-02-26 CN CNB2004800113786A patent/CN100471987C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004085699A3 (en) | 2004-11-04 |
| CN1780932A (zh) | 2006-05-31 |
| EP1606428A2 (en) | 2005-12-21 |
| US20060102465A1 (en) | 2006-05-18 |
| CN100471987C (zh) | 2009-03-25 |
| WO2004085699A2 (en) | 2004-10-07 |
| JP2006521468A (ja) | 2006-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |