KR20050106863A - 확산방지막을 구비하는 반도체소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하부층과의 접착력이 우수하면서 확산방지능력을 확보할 수 있는 얇은 두께로 형성할 수 있는 확산방지막을 구비한 반도체소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체소자의 제조 방법은 금속배선을 덮는 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 식각하여 상기 금속배선의 표면 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계, 상기 홀을 포함한 상기 절연막 표면에 소우킹층을 형성하는 단계, 상기 소우킹층 상에 확산방지막을 형성하는 단계, 및 상기 확산방지막 상에 상기 홀을 채울때까지 금속막을 매립하는 단계를 포함하되, 상기 소우킹층은 디보란 또는 실란을 이용하여 형성한다.

Description

확산방지막을 구비하는 반도체소자의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DIFFUSION BARRIER}
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체소자의 확산방지막제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자에 있어서 확산방지막(Diffusion barrier)은 배선과 반도체 기판 사이 또는 배선과 배선 사이에서 확산을 최대한 지연시키거나 화학반응이 일어나지 않도록 하는 역할을 하며, 안정한 확산방지막은 신뢰성 있는 반도체 소자의 개발을 위해서 필수적이다. 확산방지막의 성능은 확산을 완벽하게 방지하는 것은 불가능하므로 여러가지 열처리 조건 하에서 얼마나 오랫동안 확산방지막으로서의 역할을 하면서 견딜 수 있는가에 따라서 결정된다.
확산방지막으로서 요구되는 특성은 배선과 반도체 기판 사이에서 이들과 접촉한 상태에서도 열역학적으로 안정해야하고, 접착성이 우수하고 콘택 저항이 낮아야 하며, 열적, 기계적 스트레스에 강하고 반도체기판과 열팽창계수가 비슷할수록 좋으며, 또한 전기전도도가 좋아야 한다.
최근에 반도체소자의 집적도 증가에 따라 상부 금속배선과 하부 금속배선을 연결하는 콘택홀의 종횡비가 크게 증가하고 있으며, 이처럼 종횡비가 큰 콘택홀을 금속으로 채우는 방법으로는 텅스텐막의 화학기상증착법에 의한 공정(이하, 'CVD 텅스텐 공정'이라고 약칭함)을 적용하고 있다.
상기한 CVD 텅스텐 공정에서, 텅스텐막은 육불화텅스텐(WF6)을 전구체로 사용하는데, 이 전구체 및 그 분해물들이 하부층에 침투하는 것을 방지하기 위하여 확산방지막인 TiN을 먼저 증착하는 방법을 채택하고 있다. TiN 증착시 물리기상증착법(PVD)을 주로 이용하였으나, 최근에 종횡비가 증가함에 따라 화학기상증착법(CVD)을 적용하고 있는 추세이다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 CVD 텅스텐 공정을 이용한 메탈콘택 제조 방법을 간략히 도시한 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 하부 금속배선(11) 상부에 금속간절연막(IMD, 12)을 형성한 후, 금속간절연막(12)을 식각하여 하부 금속배선(11)의 일부를 노출시키는 콘택홀(13)을 형성한다.
다음으로, 콘택홀(13)을 포함한 전면에 확산방지막(14)을 증착한 후, 확산방지막(14) 상에 콘택홀(13)을 채울때까지 CVD 텅스텐 공정을 통해 텅스텐막(15)을 증착한다. 이때, 확산방지막(14)으로는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 증착한 티타늄막과 티타늄나이트라이드막의 적층구조(TiN/Ti)를 이용하고, 텅스텐막(15)의 화학기상증착시 소스가스로는 육불화텅스텐(WF6) 가스를 이용한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 층간절연막(12)의 표면이 드러날때까지 화학적기계적연마 또는 에치백하여 콘택홀(13) 내에만 확산방지막(14)과 텅스텐막(15a)을 잔류시킨다. 이때, 잔류하는 텅스텐막(15a)을 '텅스텐플러그(15a)'라 한다. 여기서, 텅스텐플러그(15a)는 하부 금속배선(11)과 상부금속배선을 연결시키는 메탈콘택 역할을 한다.
다음으로, 텅스텐플러그(15a) 상에 접착막으로서 티타늄나이트라이드막(16)을 증착하고, 티타늄나이트라이드막(16) 상에 텅스텐막(17)을 증착한다. 그리고, 텅스텐막(17)과 티타늄나이트라이드막(16)을 패터닝하여 상부 금속배선을 형성한다.
상술한 종래기술에서 확산방지막으로 TiN을 이용하고 있으며, 이 TiN의 웨팅층(wetting layer)으로서 Ti를 사용하고 있다.
소자의 집적도가 증가함에 따라 콘택홀의 종횡비가 급속히 증가하면서 콘택저항을 낮추기 위하여 TiN/Ti 구조의 확산방지막에 대해 많은 변화를 필요로 하고 있는 실정이다. 예를 들어, 100nm 이하의 메모리 소자의 경우, 콘택저항을 낮추기 위하여 Ti를 증착하지 않고 곧바로 얇은 TiN을 화학기상증착법에 의해 증착하는 방법이 제안되었다.
그러나, 이와 같이 TiN만을 증착하는 경우 하부층인 금속간절연막과 접착력이 나빠지고, TiN이 섬(Island) 형태로 성장(growth)을 하기 때문에 섬이 성장하여 연속된 박막을 형성하기 위해서는 일정 두께 이상으로 TiN을 증착해야만 하는 단점이 있다. 더욱이, TiN의 두께가 두꺼울수록 비저항이 높아지기 때문에 콘택저항의 증가는 피할 수 없다. 즉, 화학기상증착법(CVD)에 의해 증착된 TiN은 주 매립금속인 텅스텐막보다 비저항이 높은 물질이므로 콘택 저항의 증가를 초래하고, TiN의 확산방지능력을 유지하기 위해 두께를 두껍게 하면 콘택홀 내벽에 비저항이 높은 물질이 두껍게 증착되기 때문에 콘택저항은 더욱 증가한다.
위와 같은 콘택저항 증가는 콘택홀의 종횡비가 증가할수록 더욱더 증가하는 문제가 있다.
따라서, 확산방지막의 확산방지 능력이 저하되지 않으면서 가능한 한 얇게 증착할 필요가 있으며, 또한, 하부층과의 접착력(Adhesion) 향상도 반드시 필요한 요건이 되고 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 하부층과의 접착력이 우수하면서 확산방지능력을 확보할 수 있는 얇은 두께로 형성할 수 있는 확산방지막을 구비한 반도체소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 제조 방법은 금속배선을 덮는 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 식각하여 상기 금속배선의 표면 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계, 상기 홀을 포함한 상기 절연막 표면에 소우킹층을 형성하는 단계, 상기 소우킹층 상에 확산방지막을 형성하는 단계, 및 상기 확산방지막 상에 상기 홀을 채울때까지 금속막을 매립하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 소우킹층은 디보란 또는 실란을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체소자의 제조 방법은 실리콘이 함유된 반도체층을 덮는 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 식각하여 상기 반도체층의 표면 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계, 상기 노출된 반도체층 표면에 실리사이드를 형성하는 단계, 상기 실리사이드를 포함한 전면에 소우킹층을 형성하는 단계, 상기 소우킹층 상에 확산방지막을 형성하는 단계, 및 상기 확산방지막 상에 상기 홀을 채울때까지 금속막을 매립하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
후술하는 본 발명의 실시예는 보론을 이용한 소우킹(Soaking) 기술을 도입하여 하부층과의 접착력이 우수하면서 확산방지능력을 확보할 수 있는 얇은 두께로 형성할 수 있는 TiN 확산방지막의 제조 방법을 제안한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 TiN 확산방지막의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, TiCl4와 NH3 분자의 반응에 의한 TiN의 CVD 공정에서, 반응이 일어나기 위해 100℃∼800℃ 범위의 온도로 가열된 기판(21)에 먼저 소우킹(Soaking) 물질로서 디보란(B2H6, Diborane)(22)을 도입한다. 이때, 챔버의 압력은 0.1mtorr∼100torr를 유지한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 디보란(22)을 챔버 내부에 도입하면, 기판(21) 표면에 수 층의 보론층(23)이 형성된다. 여기서, 소우킹은 접착력 증대를 위한 것으로, 확산방지막을 증착하기 전에 표면을 전처리해주어 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 형태로 확산방지막이 성장하도록 도와준다. 이처럼 표면 전처리를 한 층을 소우킹 층이라고 한다.
상기한 것처럼 소우킹층인 보론층(23)을 형성한 후에, 도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(21) 상부에 TiCl4(24)와 NH3(25)가 포함된 기체를 도입한다.
다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, TiCl4(24)와 NH3(25)가 포함된 기체를 챔버 내부에 도입하면, 표면에 흡착된 보론층(23)과 TiCl4와의 빠른 반응특성 때문에 기판(21)의 모든 표면에서 균일하게 빠른 속도로 TiN 핵이 생성되어, 1∼10nm의 얇지만 연속된 TiN 박막(26)이 성장된다. 이때, Cl과 H의 반응부산물들(27)은 휘발된다.
도 2a 내지 도 2d에 따르면, 균일하게 TiN 핵이 생성되고 보론의 웨팅(wetting) 특성에 의해 TiN 박막(26)의 하부층에 대한 접착력도 크게 향상된다.
위에서는 디보란을 이용하여 소우킹층을 형성하였으나, 실란(SiH4)을 소우킹 물질로 이용할 수 있고, 소우킹층을 플라즈마분위기하에서 전처리하여 형성할 수도 있다. 플라즈마분위기하에서 전처리는 0℃∼800℃ 기판위에서 RF 또는 DC 전원을 이용하여 소우킹 물질이 포함된 반응기내에 직접 플라즈마를 형성하여 전처리하거나, 아르곤 등 불활성기체의 리모트플라즈마(Remote plasma)를 이용하여 소우킹 물질을 활성화하고, 활성화된 소우킹물질에 의해 기판 표면을 전처리할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 도2의 확산방지막 형성 공정을 금속배선 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 경우를 도시한 공정 단면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 하부 금속배선(31) 상부에 층간절연막 또는 금속간절연막(32)을 형성한 후, 금속간절연막(32)을 식각하여 하부 금속배선(31)의 일부를 노출시키는 콘택홀(33)을 형성한다. 하부 금속배선(31)은 W, Al, Cu, Ti, TiN, TaN, Ta, WN이 적용가능하고, 상부 금속배선으로는 텅스텐막외에도 Al, Cu가 적용 가능하다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 400℃∼700℃ 범위의 온도를 유지하는 TiN CVD 증착챔버 내에 소우킹 물질로서 디보란(B2H6, 34)을 도입하면, 콘택홀(33)을 포함한 전면에 디보란의 흡착층(35)이 형성된다. 여기서, 흡착층(35)은 디보란 중의 보론이 흡착된 것으로, 서브 모노레이어부터 수 모노레이어로 성장한다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 흡착층(35)을 형성한 후에, 챔버에 TiCl4와 NH3가 포함된 기체(36)를 도입하면 흡착층(35)과 TiCl4와의 빠른 반응특성 때문에 모든 표면에서 균일하게 빠른 속도로 TiN 핵이 생성되어 1∼10nm의 얇지만 연속된 TiN 박막(37)이 성장된다. 이때, Cl과 H의 반응부산물들은 휘발된다.
도 3d에 도시된 바와 같이, TiN 박막(37)을 증착한 후, TiN 박막(37) 상에 콘택홀(33)을 채울때까지 CVD 텅스텐 공정을 통해 텅스텐막(38)을 증착한다. 이때,텅스텐막(38)의 화학기상증착시 소스가스로는 육불화텅스텐(WF6) 가스를 이용한다.
상기한 실시예에서, 소우킹 물질을 도입하는 공정은 TiN CVD 챔버와 별개의 챔버에서 진행할 수도 있으나, CVD 챔버와 동일한 챔버에서 인시튜로 진행하면공정 쓰루풋 향상과 비용절감을 구현할 수 있다.
상술한 실시예는 하부 금속배선(31) 위에 콘택이 형성되는 경우 확산방지막인 TiN 박막(37)을 형성한 경우이며, TiN 박막(37)은 얇고 균일하며 흡착층(35) 위에 형성되므로 접착력이 우수하다.
도 4a 내지 도 4e는 도 2의 확산방지막 공정을 실리콘 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 제1예를 도시한 공정 단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 실리콘이 함유된 반도체층(41) 상부에 층간절연막(42)을 형성한 후, 층간절연막(42)을 식각하여 반도체층(41)의 일부를 노출시키는 콘택홀(43)을 형성한다.
도 4b에 도시된 바와 같이, TiCl4와 수소(H2)를 포함하는 CVD Ti 공정을 진행한다.
위와 같은 CVD Ti 공정을 통해 티타늄막(Ti, 44)을 증착하는데, 티타늄막(44)은 콘택홀(43) 아래의 반도체층(41) 표면, 콘택홀(43)의 내벽 그리고, 층간절연막(42) 표면에 증착된다.
한편, 티타늄막(44) 증착시 실리콘이 함유된 반도체층(41)과 티타늄막(44)이 반응하여 콘택홀 아래의 반도체층(41) 상에는 티타늄실리사이드(TiSi2, 45)이 형성된다.
위와 같이, CVD Ti 공정과 동시에 티타늄실리사이드(45)가 형성되는 원리는 CVD Ti 공정이 고온에서 이루어지기 때문에 별도의 열처리없이 티타늄실리사이드를 티타늄막 증착과 동시에 형성할 수 있는 것이다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 티타늄막(44)이 증착된 기판을 400℃∼700℃ 범위의 온도를 유지하는 TiN CVD 증착챔버로 이동한 후, 챔버내에 소우킹 물질로서 디보란(B2H6, 46)을 도입하면, 티타늄막(44) 표면에 디보란의 흡착층(47)이 형성된다. 여기서, 흡착층(47)은 디보란 중의 보론이 흡착된 것으로, 서브 모노레이어부터 수 모노레이어로 성장한다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 흡착층(47)을 형성한 후에, 챔버에 TiCl4와 NH3가 포함된 기체(48)를 도입하면 흡착층(47)과 TiCl4와의 빠른 반응특성 때문에 모든 표면에서 균일하게 빠른 속도로 TiN 핵이 생성되어 1∼10nm의 얇지만 연속된 TiN 박막(49)이 성장된다. 이때, Cl과 H의 반응부산물들은 휘발된다.
후속 공정으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, TiN 박막(49) 상에 콘택홀(43)을 채울때까지 CVD 텅스텐 공정을 통해 텅스텐막(50)을 증착한다. 이때, 텅스텐막의 화학기상증착시 소스가스로는 육불화텅스텐(WF6) 가스를 이용한다.
상술한 도 4a 내지 도 4e는 실리콘이 함유된 반도체층(41) 위에 콘택이 형성되는 경우 콘택저항 감소를 위해 콘택 부위에 티타늄실리사이드(45)를 형성한 후 확산방지막인 TiN 박막(49)을 형성한 경우이며, TiCl4와 NH3를 이용한 TiN 박막(49) 증착시 티타늄실리사이드(45)에 파손을 초래할 수 있는 TiCl4에 포함된 클로린(Cl)의 어택을 억제할 수 있는 장점이 있다. 이와 같은 어택을 억제하는 것은 흡착층(47)이 막아주기 때문이다.
상기한 실리사이드로는 티타늄실리사이드외에 탄탈륨실리사이드(TaSi), 텅스텐실리사이드(WSi), 코발트실리사이드(CoSi), 니켈실리사이드(NiSi)가 적용 가능하고, 이로써 티타늄막외에 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni)이 적용 가능하다.
도 5a 내지 도 5e는 도 2의 확산방지막 공정을 실리콘 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 제2예를 도시한 공정 단면도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 실리콘이 함유된 반도체층(51) 상부에 층간절연막(52)을 형성한 후, 층간절연막(52)을 식각하여 반도체층(51)의 일부를 노출시키는 콘택홀(53)을 형성한다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 살리사이드 공정(Salicide process)을 진행하여 콘택홀(53) 아래에 노출된 반도체층(51) 표면에 직접 티타늄실리사이드(54)를 형성한다.
여기서, 살리사이드 공정은 물리기상증착법(PVD)을 이용한 Ti 공정을 통해 티타늄막(Ti)을 증착한 후, 일정 열처리를 실시하여 실리콘이 함유된 반도체층(51)과 티타늄막의 반응을 유도하여 콘택홀(53) 아래의 반도체층(51) 상에 티타늄실리사이드(TiSi2, 54)를 형성한다. 다음으로, 미반응 티타늄막을 제거해준다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 티타늄실리사이드(54)가 형성된 기판을 400℃∼700℃ 범위의 온도를 유지하는 TiN CVD 증착챔버로 이동한 후, 챔버내에 소우킹 물질로서 디보란(B2H6, 55)을 도입하면, 티타늄실리사이드(54)를 포함한 층간절연막(52) 표면에 디보란의 흡착층(56)이 형성된다. 여기서, 흡착층(56)은 디보란 중의 보론이 흡착된 것으로, 서브 모노레이어부터 수 모노레이어로 성장한다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 흡착층(56)을 형성한 후에, 챔버에 TiCl4와 NH3가 포함된 기체(57)를 도입하면 흡착층(56)과 TiCl4와의 빠른 반응특성 때문에 모든 표면에서 균일하게 빠른 속도로 TiN 핵이 생성되어 1∼10nm의 얇지만 연속된 TiN 박막(58)이 성장된다. 이때, Cl과 H의 반응부산물들은 휘발된다.
도 5e에 도시된 바와 같이, TiN 박막(58)을 증착한 후, TiN 박막(58) 상에 콘택홀(53)을 채울때까지 CVD 텅스텐 공정을 통해 텅스텐막(59)을 증착한다. 이때,텅스텐막(59)의 화학기상증착시 소스가스로는 육불화텅스텐(WF6) 가스를 이용한다.
상술한 제3실시예는 실리콘이 함유된 반도체층(51) 위에 콘택이 형성되는 경우 콘택저항 감소를 위해 콘택 부위에 티타늄실리사이드(54)를 형성한 후 확산방지막인 TiN 박막(58)을 형성한 경우이며, TiCl4와 NH3를 이용한 TiN 박막(58) 증착시 티타늄실리사이드(54)에 파손을 초래할 수 있는 TiCl4에 포함된 클로린(Cl)의 어택을 억제할 수 있는 장점이 있다. 이와 같은 어택을 억제하는 것은 흡착층(56)이 막아주기 때문이다.
상기한 실리사이드로는 티타늄실리사이드외에 탄탈륨실리사이드(TaSi), 텅스텐실리사이드(WSi), 코발트실리사이드(CoSi), 니켈실리사이드(NiSi)가 적용 가능하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 반도체소자 제조 공정중 확산방지막으로 사용하는 TaN, WN, TiW, 비정질 메탈(Amorphous metal)도 소우킹 기술을 도입하여 하부층과의 접착력이 우수하면서 확산방지능력을 확보할 수 있는 얇은 두께로 균일하게 형성할 수 있다.
상술한 본 발명은 종횡비가 큰 고집적 반도체 메모리 소자의 메탈콘택저항을 감소시킬 수 있으며, CVD 텅스텐의 확산방지막으로 사용하는 TiCl4 기저의 CVD TiN 박막의 하부층과의 접착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, TiN 박막의 치밀도가 좋기 때문에 확산방지막으로서의 특성이 개선되며, 소우킹 물질의 흡착층이 있는 상태에서 확산방지막이 CVD 공정을 통해 형성되기 때문에 CVD의 전구체에서 발생할 수 있는 오염원(할로겐원소)으로부터 하부층이 보호받을 수 있는 효과가 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 CVD 텅스텐 공정을 이용한 메탈콘택 제조 방법을 간략히 도시한 도면,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 TiN 확산방지막의 제조 방법을 도시한 공정 단면도,
도 3a 내지 도 3d는 도2의 확산방지막 형성 공정을 금속배선 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 경우를 도시한 공정 단면도,
도 4a 내지 도 4e는 도 2의 확산방지막 공정을 실리콘 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 제1예를 도시한 공정 단면도,
도 5a 내지 도 5e는 도 2의 확산방지막 공정을 실리콘 위에 형성되는 콘택 제조 방법에 적용한 제2예를 도시한 공정 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
31 : 하부 금속배선 32 : 금속간절연막
33 : 콘택홀 34 : 디보란
35 : 흡착층 36 : TiCl4/NH3 기체
37 : TiN 박막 38 : 텅스텐막

Claims (15)

  1. 금속배선을 덮는 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막을 식각하여 상기 금속배선의 표면 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계;
    상기 홀을 포함한 상기 절연막 표면에 소우킹층을 형성하는 단계;
    상기 소우킹층 상에 확산방지막을 형성하는 단계; 및
    상기 확산방지막 상에 상기 홀을 채울때까지 금속막을 매립하는 단계
    를 포함하는 반도체소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    디보란 또는 실란을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    화학기상증착법 또는 플라즈마분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    100℃∼800℃의 온도, 0.1mtorr∼100torr 압력범위에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    0℃∼800℃의 온도에서 RF DC 전원을 이용하여 직접 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소우킹층을 형성하는 단계는,
    불활성기체의 리모트 플라즈마를 이용하여 상기 소우킹 물질을 활성화하는 단계; 및
    상기 활성화된 소우킹 물질을 이용하여 전처리하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 확산방지막은,
    TiN, TaN, WN, TiW, 비정질 메탈로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  8. 실리콘이 함유된 반도체층을 덮는 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막을 식각하여 상기 반도체층의 표면 일부를 노출시키는 홀을 형성하는 단계;
    상기 노출된 반도체층 표면에 실리사이드를 형성하는 단계;
    상기 실리사이드를 포함한 전면에 소우킹층을 형성하는 단계;
    상기 소우킹층 상에 확산방지막을 형성하는 단계; 및
    상기 확산방지막 상에 상기 홀을 채울때까지 금속막을 매립하는 단계
    를 포함하는 반도체소자의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    디보란 또는 실란을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법
  10. 제8항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    화학기상증착법 또는 플라즈마분위기하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    100℃∼800℃의 온도, 0.1mtorr∼100torr 압력범위에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 소우킹층은,
    0℃∼800℃의 온도에서 RF DC 전원을 이용하여 직접 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 소우킹층을 형성하는 단계는,
    불활성기체의 리모트 플라즈마를 이용하여 상기 소우킹 물질을 활성화하는 단계; 및
    상기 활성화된 소우킹 물질을 이용하여 전처리하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 확산방지막은,
    TiN, TaN, WN, TiW, 비정질 메탈로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 실리사이드는,
    살리사이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조 방법.
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