KR20050092446A - 근적외선 흡수 화합물 및 이를 사용하는 근적외선 흡수필터 - Google Patents

근적외선 흡수 화합물 및 이를 사용하는 근적외선 흡수필터 Download PDF

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니폰 가야꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

안티몬과 비소 등을 포함하지 않는, 내열성이 우수한 근적외선 흡수 필터를 제공한다.
하기 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온(Ⅹ)이 상기 양이온을 중화시키는 데에 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산 이온인 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 필터:
(1)
상기 식에서, 환A 및 B는 치환기를 가져도 좋고, Rl∼R8은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 치환 또는 미치환의 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타낸다.

Description

근적외선 흡수 화합물 및 이를 사용하는 근적외선 흡수 필터{Near-Infrared Absorbing Compound And Near-Infrared Absorbing Filter Using Same}
본 발명은 유해물질에 해당하지 않고, 내열성이 우수한 근적외선 흡수 화합물, 근적외선 흡수 필터 및 근적외선 흡수 조성물, 특히, 상기 근적외선 흡수 필터로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 근적외선 흡수 필터에 관한 것이다.
근적외선 흡수제로서의 디이모늄 화합물 및 아미늄 화합물은 널리 알려져 있고(예를 들면, 일본 특허출원 공고 제7-51555호 공보, 제2면; 일본 특허출원 공개 제10-316633호, 제5면; 일본 특허출원 공고 제43-25335호, 제7-14면 참조), 근적외선 흡수 필터, 단열 필름 및 썬그라스 등에 널리 사용되고 있다. 그러나, 이러한 화합물 중에서 반대이온이 6불화 안티몬산 이온, 6불화 비소 이온 등인 화합물은 내열성이 우수하고, 특히 6불화 안티몬산 이온의 화합물이 주로 사용되고 있었다. 그러나 안티몬을 함유하는 것 만으로도 유해물질에 해당하기 때문에, 최근 중금속 등이 규제를 받는 산업 분야, 특히 전기 재료 분야에서는 이러한 금속을 함유하지 않은 화합물이 요망되고 있었다. 이들을 해결하기 위한 수단으로서, 과염소산 이온, 6불화인산 이온, 불화붕산(fluoroborate) 이온 등을 사용하는 방법이 있지만, 내열성이나 내습열성을 고려하면, 이들의 반대이온에서는 불충분하다. 또한 나프탈렌디술폰산을 반대이온으로 한 화합물도 제안되고 있지만(예를 들면 일본 특허출원 공개 제10-316633호, 제5면 참조), 몰 흡광계수가 낮고 녹색을 띄고 있기 때문에, 실제 사용할 수 없었다.
한편, 반대이온으로서 트리플루오로메탄술폰산 이온을 사용하는 것도 알려져 있지만, 그들의 구체적인 데이타는 나타나 있지 않다(예를 들면 일본 특허출원 공고 제7-51555호 공보, 제2면 참조).
본 발명은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 안티몬을 함유하지 않고, 또 안티몬을 함유하지 않는 기타 반대이온에 비해 우수한 안정성, 특히 내열성을 갖는 근적외선 흡수 화합물, 그와 같은 근적외선 흡수 화합물을 사용하여 제조한, 플라즈마 디스플레이 패널용 근적외선 흡수 필터에 적합한 근적외선 흡수 필터를 제공하는 데 있다.
발명자들은 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해 노력한 결과, 하기 일반식(1)의 구조를 갖는 근적외선 흡수 화합물이 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은,
(1) 하기 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온(Ⅹ)이 상기 양이온을 중화시키는 데에 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산 이온인 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 필터:
(1)
상기 식에서, 환A 및 B는 치환기를 가져도 좋고, Rl∼R8은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 치환 또는 미치환의 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타낸다.
(2) 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물이 하기 일반식(4)의 화합물인 (1)항에 기재된 근적외선 흡수 필터:
(4)
(3) 환A 및 B의 1,4-이외가 무치환이거나, 또는 치환기로서 각각의 고리에 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기를 1∼4개 갖는, (1) 또는 (2)항에 기재된 근적외선 흡수 필터,
(4) Ⅹ가 무치환이거나 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼8의 알킬술폰산인 (1) 내지 (3)항 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수 필터,
(5) 플라즈마 디스플레이 패널용인 (1) 내지 (4)항중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수 필터,
(6)수지 중에, 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온이 양이온을 중화시키는 데 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기, 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산 이온인 화합물을 함유하여 이루어진 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 조성물,
(7) 하기 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온이 상기 양이온을 중화시키는 데 필요한, 하기 일반식(2)로 나타내지는 알킬술폰산인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 화합물,
(1)
(2)
상기 식에서,
환A 및 B는 치환기를 가져도 좋고,
Rl∼R8은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 치환 또는 미치환의 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 또는 아릴기를 나타내고,
Rl0∼R14은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기를 나타내고,
n은 1∼7의 정수를 나타낸다.
(8) 하기 일반식(6)으로 나타내지는 근적외선 흡수 화합물:
(6)
상기 식에서, R15∼R22는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 부틸기 또는 펜틸기를 나타낸다.
발명의 실시형태
본 발명의 근적외선 흡수 필터는, 상기 일반식(1)으로 나타내지는 구조의 화합물을 응용하여 이루어진 것이다. 이와 같은 근적외선 흡수 화합물의 예를 화학식에 나타내면 하기 일반식(3) 또는 (4)로 나타내지는 화합물이다:
(3)
(4)
상기 식에서, 환A, 환B, Rl∼R8, Ⅹ는 앞에서 기술한 바와 같다.
일반식(3) 및/또는 (4)에 있어서 환A 및 B에는 각각 1,4-위치 이외에 1∼4개의 치환기를 가지고 있어도 좋고 없어도 좋다. 결합할 수 있는 치환기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, 히드록시기, 저급 알콕시기, 시아노기, 저급 알킬기를 들 수 있다. 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등을 들 수 있다. 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기 등의 Cl∼C5의 알콕시기를 들 수 있고, 저급 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등의 Cl∼C5의 알킬기가 있다. A 및 B가 치환기를 가지고 있지 않든가, 할로겐 원자(특히 염소 원자, 브롬 원자), 메틸기 또는 시아노기로 치환되어 있는 것이 바람직하다.
또한, B에 치환기를 가지는 경우는, 4개의 B환이 모두 같은 것, 더우기 치환기의 위치는 A환에 결합하는 질소 원자에 대해 m-위치인 것이 합성상 바람직하다. 또한, 환A 및 B에는 1,4-위치 이외에 치환기를 갖고 있지 않은 것이 합성상 바람직하다.
Rl∼R8의 알킬기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 등을 들 수 있다. 알킬 부분은 직쇄상 혹은 측쇄상의 어느 것이어도 좋다. 또한 치환기를 갖고 있어도 좋다. 결합할 수 있는 치환기로서는, 예를 들면 할로겐 원자(예, F, Cl, Br), 히드록시기, 알콕시기(예, 메톡시기, 에톡시기, 이소부톡시기 등), 알콕시알콕시기(예, 메톡시에톡시기 등), 아릴기(예, 페닐기, 나프틸기 등), 아릴옥시기(예, 페녹시기 등), 아실옥시기(예, 아세틸옥시기, 부티릴옥시기, 헥실일옥시기, 벤조일옥시기 등), 알킬 치환 아미노기(예, 메틸아미노기, 디메틸아미노기 등), 시아노기, 니트로기, 카르복시기, 술포기를 들 수 있다.
시클로알킬기로서는, 예를 들면 시클펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 알케닐기로서는, 예를 들면 아릴기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기 등이 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등이 있다. 아릴기는 치환기를 가지고 있어도 좋다.
치환기의 예로는 탄소수 1∼8의 알킬기(예, 메틸기, 에틸기, 부틸기 등), 탄소수 1∼6의 알콕시기(예, 메톡시기, 에톡시기 등), 아릴옥시기(예, 페녹시기, p-클로로페녹시기 등), 할로겐 원자(예, F, Cl, Br), 알콕시카르보닐기(예, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등), 아미노기, 알킬 치환 아미노기(예, 메틸 아미노기 등), 아미드기(예, 아세토아미드기 등), 술폰아미드기(예, 메탄술폰아미드기 등), 시아노기, 니트로기, 카르복시기, 술포기 등을 들 수 있다. 이와 같은 아릴기의 탄소수는 6∼12인 것이 바람직하다.
바람직한 Rl∼R8은, 무치환의 알킬기, 시아노 치환 알킬기, 알콕시 치환 알킬기, 아릴기이다. 특히 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차 부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등의 (Cl∼C8)알킬기, 시아노메틸기, 2-시아노에틸기, 3-시아노프로필기, 2-시아노프로필기, 4-시아노부틸기, 3-시아노부틸기, 2-시아노부틸기, 5-시아노펜틸기, 4-시아노펜틸기, 3-시아노펜틸기, 2-시아노펜틸기 등의 시아노 치환(Cl∼C6)알킬기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 3-메톡시프로필기, 3-에톡시프로필기, 4-메톡시부틸기, 4-에톡시부틸기, 5-에톡시펜틸기, 5-메톡시펜틸기 등의 알콕시 치환(Cl∼C6)알킬기이고, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기가 특히 바람직하다.
Ⅹ는 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어지는 양이온(전하)를 중화시키는 데 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기, 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산을 나타내고, 직쇄상이어도 좋고 측쇄상이어도 좋다. 전하를 중화하려면, 일반식(3)의 화합물의 경우에는 1분자, 일반식(4)의 화합물의 경우에는 2분자가 필요하게 된다. 이들의 탄소수 1∼8의 알킬술폰산의 구체예로서는, 예를 들면 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산, 펜 탄술폰산, 헥산술포산, 헵탄술폰산, 노난술폰산 등을 들 수 있다.
이들에는 전술한 할로겐 원자, 시아노기, 히드록시기로 치환되어도 좋다. 할로겐 원자로 치환된 화합물로서는, 예를 들면 트리플루오로메탄술폰산, 트리클로로메탄술폰산, 펜타플루오로에탄술폰산, 2-브로모에탄술폰산, 2-클로로에탄술폰산, 헵타플루오로프로판술폰산, 3-브로모프로판술폰산, 3-클로로프로판술폰산, 노나플루오로부탄술폰산, 헵타데카플루오로옥탄술폰산 등이, 시아노기로 치환된 화합물로서는, 예를 들면 시아노메탄술폰산, 2-시아노에탄술폰산, 4-시아노부탄술폰산 등이, 히드록시루기로 치환된 화합물로서는, 예를 들면 히드록시메탄술폰산, 2-히드록시에탄술폰산, 4-히드록시부탄술폰산 등을 각각 들 수 있다. 바람직하기로는, 무치환이든가 할로겐 원자로 치환된 알킬술폰산이고, 할로겐 원자로서는 불소 원자가 바람직하다.
이들 중에서 특히 바람직한 것은 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 펜타플루오로에탄술폰산, 헵타플루오로프로판술폰산, 노나플루오로부탄술폰이다.
다음으로, 본 발명의 일반식(3)으로 나타내지는 근적외선 흡수 화합물의 구체예를 표1∼3에, 일반식(4)의 구체예를 표4∼6에 나타낸다. 표1∼6 중에서, Rl∼R8에 관하여, i-은 이소-와 같이 측쇄 상태를 나타내고, Ph는 페닐기, cy는 환상 인 것을 나타낸다. A 및 B에 관하여, 1,4-위치 이외가 무치환인 경우는「4H」로 표기하고, 치환 위치는 A환에 결합하는 질소 원자에 대한 치환 위치이다. 또 Rl∼R8에 관하여, Rl∼R8이 전부 부틸기인 경우에는「4(n-C4H9, n-C4H9)」라고 약기하고, 또 예를 들면, 하나가 이소-펜틸기에서 나머지가 n-부틸기인 경우, 즉, 4조의 치환기의 조합 중의 하나에 이소-펜틸기가 포함되고, 나머지의 3조가 전부 n-부틸기인 경우에는「3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9, i-C5H11)」이라고 약기한다.
표 1
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
1 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3SO3
2 4(i-C4H9, i-C4H9) 4H 4H CF3SO3
3 4(i-C5H11, i-C5H11) 4H 4H CF3SO3
4 4(C2H4OCH3, C2H4OCH3) 4H 4H CF3SO3
5 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3SO3
6 4(CH2CH=CH2, CH2CH=CH2) 4H 4H BrCH2SO3
7 4(CH2CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3SO3
8 4(n-C3H7,n-C3H7) 4H 4H CF3SO3
9 4(n-C2H5,n-C2H5) 4H 4H NCCH2SO3
10 4(n-C3H6COOH, n-C3H6COOH) 4H 4H ClCH2SO3
11 4(cy-C6H11,cy-C6H11) 4H 4H CF3SO3
12 4(Ph,Ph) 4H 4H HOCH2SO3
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
13 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
14 4(i-C4H9, i-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
15 4(i-C5H11, i-C5H11) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
16 4(C2H4OCH3, C2H4OCH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
17 4(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
18 4(CH2CH=CH2, CH2CH=CH2) 4H 4H C2H5SO3
19 4((CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)7SO3
20 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)7SO3
21 4(n-C2H5, n-C2H5) 4H 4H CF3(CF2)2SO3
22 4(n-C3H6COOH, n-C3H6COOH) 4H 4H n-C3H7SO3
23 4(cy-C6H11, cy-C6H11) 4H 4H n-C4H9SO3
24 4(Ph-CH3, Ph-CH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
25 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN,n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
26 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9, C2H4OCH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
27 3(C2H4OCH3,C2H4OCH3)(C2H4OCH3, CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
28 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9,i-C5H11) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
29 4(n-C4H9, n-C4H9) o-Cl 4H CF3(CF2)3SO3
30 4(i-C4H9,i-C4H9) 4H o-CH3 CH3SO3
31 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H o-CN CF3SO3
32 4(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) o-Cl 4H CF3SO3
33 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CH2CN,n-C4H9) o-Cl 4H CF3SO3
34 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9, C2H4OCH3) 4H o-CH3 CH3SO3
35 3(C2H4OCH3,C2H4OCH3)(C2H4OCH3,CH2CH2CH2CN) 4H o-CN BrCH2SO3
36 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9, C2H4OCH3) o-Cl 4H CF3(CF2)3SO3
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
37 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3SO3
38 4(i-C4H9, i-C4H9) 4H 4H CF3SO3
39 4(i-C5H11,i-C5H11) 4H 4H CF3SO3
40 4(C2H4OCH3, C2H4OCH3) 4H 4H CF3SO3
41 4(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3SO3
42 4(CH2CH=CH2, CH2CH=CH2) 4H 4H BrCH2SO3
43 4(CH2CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3SO3
44 4(n-C3H7,n-C3H7) 4H 4H CF3SO3
45 4(n-C2H5, n-C2H5 4H 4H NCCH2SO3
46 4(n-C3H6COOH, n-C3H6COOH) 4H 4H ClCH2SO3
47 4(cy-C6H11,cy-C6H11) 4H 4H CF3SO3
48 4(Ph,Ph) 4H 4H HOCH2SO3
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
49 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
50 4(i-C4H9, i-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
51 4(i-C5H11,i-C5H11) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
52 4(C2H4OCH3, C2H4OCH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
53 4(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
54 4(CH2CH=CH2, CH2CH=CH2) 4H 4H C2H5SO3
55 4((CH2CH2CH2CN, (CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)7SO3
56 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)7SO3
57 4(n-C2H5, n-C2H5) 4H 4H CF3(CF2)2SO3
58 4(n-C3H6COOH, n-C3H6COOH) 4H 4H n-C3H7SO3
59 4(cy-C6H11,cy-C6H11) 4H 4H n-C4H9SO3
60 4(Ph-CH3,Ph-CH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
No. (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8) A B X
61 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN,n-C4H9) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
62 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9, C2H4OCH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
63 3(C2H4OCH3,C2H4OCH3)(C2H4OCH3,CH2CH2CH2CN) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
64 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9, C2H4OCH3) 4H 4H CF3(CF2)3SO3
65 4(n-C4H9, n-C4H9) o-Cl 4H CF3(CF2)3SO3
66 4(i-C4H9, i-C4H9) 4H o-CH3 CH3SO3
67 4(n-C4H9, n-C4H9) 4H o-CN CF3SO3
68 4(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN) o-Cl 4H CF3SO3
69 3(CH2CH2CH2CN, CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN, n-C4H9) o-Cl 4H CF3SO3
70 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,C2H4OCH3) 4H o-CH3 CH2SO3
71 3(C2H4OCH3,C2H4OCH3)(C2H4OCH3,CH2CH2CH2CN) 4H o-CN BrCH2SO3
72 3(n-C4H9, n-C4H9)(n-C4H9,C2H4OCH3) o-Cl 4H CF3(CF2)3SO3
73 3(i-C4H9,i-C4H9)(i-C4H9,n-C4H9) 4H 4H CF3SO3
본 발명의 근적외선 흡수 필터로 사용되는 일반식(3) 및/또는 (4)로 나타내지는 화합물은, 예를 들면 일본 특허출원 공고 제43-25335호에 기재된 방법으로 얻어질 수 있다. 즉, p-페닐렌디아민과 1-클로로-4-니트로벤젠을 울만(Ullmann) 반응시켜 얻어진 생성물을 환원함으로써 얻어지는 하기 일반식(5)로 나타내지는 아미노체를 유기 용매 중에서, 바람직하게는 DMF, DMI 또는 NMP 등의 수용성 극성 용매 중에서 30∼160℃, 바람직하게는 50∼140℃에서, 소망의 Rl∼R8에 대응하는 할로겐화 화합물(예를 들면, Rl이 n-C4H9인 경우는 BrC4H9)와 반응시켜, 모든 치환기(Rl∼R8)가 동일한 화합물(이하, '모든 치환체'라 함)을 얻을 수 있다:
(5)
상기 식에서, 환A 및 B는 상기에서 정의한 바와 같다.
또 Rl∼R8의 모두가 같은 치환기인 화합물 이외의 것을 합성하는 경우(예를 들면 28번 화합물)에는, 먼저 소정의 몰수(상기 일반식(5)의 아민체 1몰당 7몰)의 시약(BrC4H9)과 반응시켜 Rl∼R8 중 7개에 n-부틸기를 도입한 후, 나머지 치환기(i-펜틸기)를 도입하는 데 필요한 몰수(상기 일반식(5)의 아민체 1몰당 1몰)의 대응하는 시약(BrC5Hll)과 반응시킨다. 예시한 28번 화합물의 제조 방법과 동일한 방법에 의해 모든 치환체 이외의 임의의 화합물을 얻을 수 있다.
그 후, 상기에서 합성한 화합물을, 유기 용매 중, 바람직하게는 DMF, DMI, NMP 등의 수용성 극성용매 중에서 0∼100℃, 바람직하게는 5∼70℃에서 일반식(3) 또는 (4)의 Ⅹ에 대응하는 산화제(예를 들면, 은염)를 첨가하여 산화반응을 시킨다. 일반적으로는 산화제의 당량을 2 당분량으로 하면 일반식(4)로 표현되는 화합물이 얻어지고, 당량을 1당량으로 하면 일반식(3)으로 표시되는 화합물이 얻어진다.
또 상기에서 합성한 화합물을 질산은, 과염소산은, 염화제이구리 등의 산화제로 산화한 후, 그 반응액에 소망의 음이온 산 또는 염을 첨가하여 염 교환을 하는 방법에 의해서도 일반식 (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다.
본 발명의 근적외선 흡수 필터는, 상기 근적외선 흡수 화합물을 함유하는 층을 기재 상에 제공한 것이어도 좋고, 또 기재 자체가 근적외선 흡수 화합물을 함유하는 수지 조성물(또는 그 경화물)로 이루어진 층이어도 좋다. 기재로서는, 일반적으로 근 적외선 흡수 필터에 사용할 수 있는 것이면 특히 제한되지 않지만, 통상, 수지제의 기재가 사용된다. 근적외선 흡수 화합물 함유층의 두께는 일반적으로 0.1㎛∼10mm정도지만, 근적외선 컷트율 등의 목적에 따라 적당히 결정된다. 또한 근적외선 흡수 화합물의 함유량도 목적으로 하는 근적외선 컷트율에 따라 적당히 결정된다.
기재가 되는 수지로서는, 수지판 또는 수지 필름으로 성형한 경우, 가능한 한 투명성이 높은 것이 바람직하고, 그 구체예로서 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 에스테르, 폴리아세트산비닐, 폴리아크릴로니트릴, 폴리 염화비닐, 폴리불화 비닐 등의 비닐 화합물, 및 그들 비닐 화합물의 부가 중합체, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 에스테르, 폴리염화비닐리덴, 폴리불화비닐리덴, 폴리시안화 비닐리덴, 불화비닐리덴/트리플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴/테트라플루오로에틸렌 공중합체, 시안화비닐리덴/아세트산 비닐 공중합체 등의 비닐 화합물 또는 불소계 화합물의 공중합체, 폴리트리플루오로에틸렌, 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리헥사플루오로프로필렌 등의 불소를 포함하는 수지, 나일론6, 나일론66 등의 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리펩티드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리옥시메틸렌 등의 폴리에테르, 에폭시 수지, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄 등을 들 수 있다.
본 발명의 근적외선 흡수 필터를 제조하는 방법으로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면 다음과 같은, 그 자체의 공지 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, (1)수지에 본 발명의 근적외선 흡수 화합물을 혼련하고, 가열 성형하여 수지판 또는 필름을 제조하는 방법, (2)상기 화합물과 수지 단량체 또는 수지 단량체의 예비중합체를 중합촉매의 존재 하에 캐스트 중합하고, 수지판 또는 필름을 제조하는 방법, (3)상기 화합물을 함유하는 도료를 제조하고, 투명 수지판, 투명 필름, 또는 투명 유리판에 코팅하는 방법, 및 (4)화합물을 접착제에 함유시키고, 적층 수지판, 적층 수지 필름, 또는 적층 유리판을 제조하는 방법 등이다.
(1)의 제조 방법으로서는, 사용하는 수지에 의해 가공온도, 필름화(수지판 화) 조건 등이 다소 다르지만, 통상, 본 발명의 근적외선 흡수 화합물을 기재 수지의 분체 또는 펠릿에 첨가하고, 150∼350℃로 가열, 용해시킨 다음, 성형하여 수지판을 제조하는 방법, 압출기로 필름화(수지판화)하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 근적외선 흡수 화합물의 첨가량은, 제조하는 수지판 또는 필름의 두께, 흡수 강도, 가시광 투과율 등에 따라 다르지만, 일반적으로 결합제 수지의 중량에 대해 0.01∼30 중량%, 바람직하게는 0.03∼15 중량%의 양으로 사용된다.
상기 화합물과 수지 단량체 또는 수지 단량체의 예비중합체를 중합촉매의 존재 하에 캐스트 중합하고, 제조하는 (2)의 방법에 있어서, 그들의 혼합물을 형 내에 주입하고, 반응시켜 경화시키든가, 또는 금형에 유입하여 형 내에서 단단한 제품으로 될 때까지 고화시켜 성형한다. 많은 수지가 이 과정에서 성형 가능하고, 그와 같은 수지의 구체예로서 아크릴 수지, 디에틸렌글리콜비스(알릴카보네이트)수지, 에폭시 수지, 페놀포름알데히드 수지, 폴리스티렌 수지, 실리콘 수지 등이 있다. 그 중에서도, 경도, 내열성, 내약품성이 우수한 아크릴 시트가 얻어지는 메타크릴산메틸의 괴상 중합에 의한 캐스팅법이 바람직하다.
중합촉매로서는 공지의 라디칼 열중합개시제를 이용할 수 있고, 예를 들면 벤조일퍼옥시드, p-클로로벤조일퍼옥시드, 디이소프로필 퍼옥시카보네이트 등의 과산화물, 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물을 들 수 있다. 그 사용량은 혼합물의 총량에 대해, 일반적으로 0.01∼5 중량%이다. 열중합에서의 가열온도는, 일반적으로 40∼200℃이고, 중합시간은 일반적으로 30분∼8시간 정도이다. 또한 열중합 이외에, 광중합 개시제와 증감제를 첨가하여 광중합하는 방법도 이용할 수 있다.
(3)의 방법으로서는, 본 발명의 근적외선 흡수 화합물을 결합제 수지 및 유기 용매로 용해시켜 도료화하는 방법, 상기 화합물을 미립자화 하여 분산하고, 수계 도료로 하는 방법 등이 있다. 전자의 방법에서는 예를 들면, 지방족 에스테르 수지, 아크릴계 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 방향족 에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리비닐계 수지, 지방족 폴리올레핀 수지, 방향족 폴리올레핀 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리비닐 변성 수지 등, 또는 그들의 공중합 수지를 결합제로서 사용할 수 있다.
용매로서는, 할로겐계, 알코올계, 케톤계, 에스테르계, 지방족 탄화수소계, 방향족 탄화수소계, 에테르계의 용매, 또는 그들 혼합물의 용매를 사용할 수 있다. 본 발명의 근적외선 흡수 화합물의 농도는, 제조하는 코팅의 두께, 흡수 강도, 가시광 투과율에 따라 다르지만, 결합제 수지에 대해서, 일반적으로 0.1∼30 중량%이다.
이와 같이 제조한 도료를 사용해 투명 수지 필름, 투명 수지판, 투명 유리 등의 위에 스핀코터, 바코터, 로울코터, 분무 등으로 코팅하여 근적외선 흡수 필터를 얻을 수 있다.
(4)의 방법에 있어서, 접착제로서는, 일반적인 실리콘계, 우레탄계, 아크릴계 등의 수지용, 또는 적층 유리용의 폴리비닐부티랄 접착제, 에틸렌―아세트산 비닐계 접착제 등의 적층 유리용의 공지된 투명 접착제를 사용할 수 있다. 본 발명에서의 근적외선 흡수 화합물을 0.1∼30 중량% 첨가한 접착제를 사용하여 투명한 수지판끼리, 수지판과 수지 필름, 수지판과 유리, 수지 필름끼리, 수지 필름과 유리, 유리끼리를 접착하여 필터를 제조한다.
또한, 각각의 방법으로 혼련, 혼합 시, 자외선 흡수제, 가소제 등, 수지 성형에 사용하는 통상의 첨가제를 가해도 좋다.
이와 같이 (1) 내지 (4)의 각각의 방법에 있어서, 수지 중에 일반식(3) 및/또는 (4)로 표시되는 화합물을 첨가한 근적외선 흡수 조성물도, 본 발명에 포함된다.
또 필터의 색조를 바꾸기 위해서, 가시 영역에 흡수를 갖는 색소(조색용 색소)를, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 가하여도 좋다. 또 조색용 색소만을 함유하는 필터를 제조하고, 후에 본 발명의 근적외선 흡수 필터를 첨합할 수도 있다.
이와 같은 근적외선 흡수 필터는, 플라즈마 디스플레이의 전면 판에 사용되는 경우에는, 가시광의 투과율은 높을수록 좋고 적어도 40% 이상, 바람직하게는 50% 이상의 투과율이 필요하다. 근적외선의 컷트 영역은, 바람직하게는 800∼900nm, 보다 바람직하게는 800∼1000nm이고, 그 영역의 근적외선의 평균 투과율이 50% 이하, 더욱 바람직하게는 30% 이하, 더욱 더 바람직하게는 20% 이하, 특히 바람직하게는 10%이하로 되도록 하는 것이 요망된다.
본 발명에 있어서는, 일반적으로 가시광의 투과율이 높은 경향이 있는 일반식(4)의 화합물을 사용하는 것이 바람직하지만, 일반식(3)의 화합물을 사용해도 좋고, 일반식(3)과 (4)의 혼합물이어도 좋다. 또 이러한 화합물과, 다른 근적외선 흡수 화합물을 병용하여 제조해도 좋다. 병용할 수 있는 다른 근적외선 흡수 화합물로서는, 예를 들면 프탈로시아닌계 색소, 시아닌계 색소, 디티올니켈 착체 등이 있다. 또한, 사용할 수 있는 무기 금속 근적외선 흡수 화합물로서는, 예를 들면 금속 구리 또는 황화구리, 산화 구리 등의 구리 화합물, 산화아연을 주성분으로 하는 금속 혼합물, 텅스텐 화합물, ITO, ATO 등이 있다.
본 발명 근적외선 흡수 필터는, 디스플레이의 전면판과 같은 용도에 한하지 않고, 적외선을 커트할 필요가 있는 필터와 필름, 이를 테면 단열 필름, 광학 제품, 썬글라스 등에도 사용할 수 있다.
본 발명의 근적외선 흡수 필터는, 가시광 영역은 매우 높은 투과율이고, 안티몬을 함유시키지 않고, 근적외선 영역은 광범위하게 흡수하는 우수한 근적외선 흡수 필터이다. 또한 종래의 안티몬을 함유하지 않는 과염소산 이온, 헥사플루오로인산 이온, 불화붕산 이온으로 이루어진 근적외선 흡수 필터에 비해 안정성이 우수하다. 특히, 본 발명의 근적외선 흡수 필터는 내열성이 매우 우수하고, 열에 의한 분해 등의 반응을 일으키기 어렵기 때문에, 가시부의 착색이 거의 일어나지 않는 근적외선 흡수 필터를 얻을 수 있다. 또한 이러한 여러 가지 특징을 갖고 있기 때문에, 근적외선 흡수 필터와 이를테면 단열 필름 및 썬글라스와 같은 근적외선 흡수 필름에 적합하게 사용할 수 있고, 특히 플라즈마 디스플레이용의 근적외선 흡수 필터에 적합하다.
이하, 본 발명을 실시에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다. 또한, 실시예 중 부는 특히 특정하지 않는 한 중량부를 나타낸다.
실시예 1( 합성예 )
(표4의 37번 화합물의 합성)
DMF lO부 중에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 1.8부를 가하고, 60℃로 가열 용해한 후, DMF lO부 중에 용해한 트리플루오로메탄술폰산은 1.08부를 가하고, 30분간 반응시켰다. 냉각 후 석출한 은을 여과 분리하였다. 이 반응액(여액)에 물 20부를 서서히 적하하고, 적하 종료후 15분간 교반하였다. 생성한 흑색 결정을 여과하고, 50부의 물로 세정하고, 얻어진 케이크를 건조하고, 37번 화합물 2.3부를 얻었다.
λmax llOOnm(디클로로메탄)
합성예2
(표4의 39번 화합물의 합성)
상기 실시예1에서 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐)-p-페닐렌디아민 대신에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(i-아밀)아미노페닐}-p-페닐렌디아민을 사용한 이외는 실시예1과 동일하게 반응을 실시하여 39번 화합물을 얻었다.
λmax llO4nm(디클로로메탄)
합성예3
(표4의 38번 화합물의 합성)
상기 실시예1에서 N,N,N',N'-테트라키스(p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 대신에 N,N,N',N'-테트라키스(p-디(i-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민을 사용한 이외는 실시예1과 동일하게 반응을 실시하여 38번 화합물을 얻었다.
λmax llO6nm(디클로로메탄)
합성예4
(표4의 41번 화합물의 합성)
상기 실시예1에서 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 대신에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(시아노프로필)아미노페닐}-p-페닐렌디아민을 사용한 이외는 실시예1과 동일하게 반응을 실시하여 41번 화합물을 얻었다.
λmax lO68nm(디클로로메탄)
합성예5
(표1의 5번 화합물의 합성)
상기 실시예1에서 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 대신에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(시아노프로필)아미노페닐}-p-페닐렌디아민을 사용하고, 트리플루오로메탄술폰산은의 사용량을 1 당량을 사용한 이외는 실시예1과 동일하게 반응을 실시하여 5번 화합물을 얻었다.
λmax 880nm(아세톤)
실시예2(합성예6)
(표5의 49번 화합물의 합성)
DMF 17부 중에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 3부, 노나플루오로부탄술폰산 칼륨 2.3부를 가하고, 60℃로 가열 용해한 후, DMF 17부 중에 용해한 질산은 1.2부를 가하고, 1 시간 동안 반응시켰다. 냉각 후 석출한 은을 여과 분리하였다. 이 반응액(여액)에 물 35부를 천천히 적하하고, 적하 종료 후 15분간 교반하였다. 생성된 흑색 결정을 여과하고, 50부의 물로 세정하고, 얻어진 케이크를 건조하여 49번 화합물 4.6부를 얻었다.
λmax llOOnm(디클로로메탄)
실시예3(합성예7)
(표2의 17번 화합물의 합성)
DMF 17부 중에 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(시아노프로필)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 3부, 노나플루오로부탄술폰산 칼륨 1부를 가하고, 60℃로 가열 용해한 후, DMF 17부 중에 용해한 질산은 0.5부를 가하고 1시간 동안 반응시켰다. 냉각 후 석출 한 은을 여과분리하였다. 이 반응액(여액)에 물 35부를 천천히 적하하고, 적하 종료후 15분간 교반하였다. 생성한 녹색 결정을 여과하고, 50부의 물로 세정하고, 얻어진 케이크를 건조하여 17번 화합물 3.6부를 얻었다.
λmax 882nm(아세톤)
실시예4(합성예8)
(표5의 56번 화합물의 합성)
상기 실시예2의 반응에서 노나플루오로부탄술폰산 칼륨 대신에 헵타데카플루오로옥탄술폰산 테트라에틸암모늄염을 사용한 이외는 실시예 2와 동일하게 반응을 실시하여 56번 화합물을 얻었다.
λmax 1098nm(디클로로메탄)
실시예 5(합성예9)
(표2의 19번 화합물의 합성)
상기 실시예3의 반응에서 노나플루오로부탄술폰산 칼륨 대신에 헵타데카플루오로옥탄 술폰산 테트라에틸암모늄염을 사용한 이외는 실시예 3과 동일하게 반응을 실시하여 19번 화합물을 얻었다.
λmax 884nm(아세톤)
합성예 10
(표6의 73번 화합물의 합성)
DMF 35부 중에 N,N,N',N'-테트라키스{아미노페닐)-p-페닐렌디아민 5.3부, 탄산칼륨 20부, 요오드화칼륨 10부, n-부틸브로마이드 5부, 이소부틸브로마이드 35부를 가하고, 90℃에서 3시간 반응시킨 후, 130℃에서 1 시간 반응시켰다. 냉각 후, 액을 여과하고, 그 반응액에 메탄올 40부를 가하고, 5℃ 이하에서 1시간 교반하였다. 생성된 결정을 여과하고, 메탄올로 세정한 후, 건조하여 엷은 갈색의 결정으로서 중간체 7.1부를 얻었다
상기 실시예1에서, N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}-p-페닐렌디아민 대신에 상기 치환반응에서 얻어진 중간체를 사용한 이외는 실시예1과 동일하게 반응을 실시하여 73번 화합물을 얻었다.
λmax llO4nm(디클로로메탄)
기타 화합물의 예에 관해서도 상기 합성예1∼합성예8과 동일하게 대응하는 페닐렌디아민 유도체를, X에 대응하는 은염을 비롯하여 상기한 여러 가지 산화제로 산화한 후, 대응하는 음이온과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.
실시예 6 및 7
상기 실시예에서 얻어진 화합물의 각각에 대해서, 디클로로메탄 중에서의 몰 흡광계수(ε)를 측정하였다. 몰 흡광계수는 실시예6에서는 37번 화합물로, 실시예7에서는 49번 화합물로 측정하였다. 이 결과를 표7에 나타낸다.
비교예 1 및 2
일본 특허출원 공개 제10-316633호(제5면 또는 실시예)에 기재된 화합물인 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}페닐렌디이모늄 1,5-나프탈렌디술폰산염(비교예1) 및 1-히드록시-2,5-나프탈렌디술폰산염(비교예2)를 사용한 이외는 상기 실시예들과 동일하게 실시하여 디클로로메탄 중에서의 몰 흡광계수(ε)를 측정하였다.
이 결과를 표7에 나타낸다.
표7(몰 흡광계수 비교 시험)
실시예 또는 비교예 몰 흡광계수 (ε)
실시예6 109,000
실시예7 96,500
비교예1 82,000
비교예2 24,500
실시예 8, 9 및 10(근적외선 흡수 필터 및 내열 안정성 시험)
MEK 18.8부에, 상기 각 실시예에서 얻어진 각 화합물 1.2부를 각각 용해시켰다. 이 용해액에, MEK 75부 중에 아크릴계 수지(Dianal BR-80, 미츠비시 레이온사제) 25부를 가하여 용해시킨 수지액 80부를 혼합하여 도공용 용액을 얻었다. 이를 폴리에스테르 필름에 두께 2∼4㎛로 되도록 도공하고, 80℃에서 건조시켜 본 발명의 근적외선 흡수 필터를 얻었다.
얻어진 근적외선 흡수 필터를 80℃의 열풍 건조기 중에서 소정의 시간, 내열 안정성 시험을 하고, 또 60℃, 95% RH의 조건의 항온항습기 중에서 소정의 시간, 내습 열안정성 시험을 행하였다. 시험 후, 그 필터를 분광광도계로 측색하고, L*, a*, b*값을 산출하고, b*값의 변화로부터 안정성 평가를 하였다. 실시예8에서는 37번 화합물을, 실시예9에서는 49번 화합물을, 실시예10에서는 73번 화합물을 사용하였다. 얻어진 내열 시험 결과를 표8에 나타낸다.
비교예 3 및 4
상기 화합물 대신에 일본 특허출원 공고 제7-51555호(제2면)에 기재된 화합물인 N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}페닐렌디이모늄의 6불화인산염(비교예 3), N,N,N',N'-테트라키스{p-디(n-부틸)아미노페닐}페닐렌디이모늄의 불화붕산염(비교예 4)을 사용한 이외는 실시예 8 및 9와 동일하게 실시하여 필터를 제조하고, 동일하게 평가하고 결과를 표8에 나타냈다.
표8 (내열 안정성 시험)
b* 값
실시예 또는 비교예 초기 4일 후 14일 후
실시예8 2.7 4.7 5.5
실시예9 4.2 5.8 6.5
비교예10 4.0 5.1 5.3
비교예3 2.9 6.4 9.0
비교예4 3.5 11.3 14.3
실시예9 (근적외선 흡수 필터)
상기 실시예1에서 얻어진 37번 화합물을 PMMA(폴리메타크릴산메틸)에 대해서, 0.03%의 양으로 첨가하고, 온도 200℃에서 사출성형하여 두께 1mm와 3mm의 본 발명의 근적외선 흡수 필터를 얻었다. 얻어진 필터의 800∼1000nm에서의 평균 광선투과율을, 분광광도계로 측정한 바, 두께 1mm의 필터에서는 20%, 3mm의 필터에서는 3%이었다.
표7로부터, 본 발명에서 사용하는 근적외선 흡수 화합물은 몰 흡광계수가 90,000 이상 높다는 것을 알 수 있다. 또한, 표 8로부터, 이들 화합물을 함유하는 본 발명의 근적외선 흡수 필터는 비교 시료에 대해서 b*값의 변화가 적기 때문에, 고온고습의 조건에서 안정성이 매우 우수한 것을 알 수 있다.
본 발명의 근적외선 흡수 화합물은, 안티몬 및 비소 등을 포함하지 않고, 몰 흡광 계수가 90,000 이상 높을 정도로 우수한 화합물이다. 또한 종래의 안티몬 등을 포함하지 않는 6불화인산 이온, 과염소산 이온, 불화붕산 이온을 갖는 디이모늄염에 비해, 환경 안정성, 특히 내열성이 우수하다. 이를 사용한 근적외선 흡수 필터는, 안티몬 등을 함유하지 않고 내열성이 극히 우수한 근적외선 흡수 필터이고, 열에 의한 분해 등의 반응을 일으키기 어렵고, 가시부의 착색이 거의 나타나지 않는다. 이와 같은 특징을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 근적외선 흡수 화합물은, 근적외선 흡수 필터와, 예를 들면 단열 필름 및 썬글라스와 같은 근적외선 흡수 필름에 적절히 사용할 수 있고, 특히 플라즈마 디스플레이용 근적외선 흡수 필터에 적합하다.

Claims (8)

  1. 하기 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온(Ⅹ)이 상기 양이온을 중화시키는 데 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산 이온인 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 필터:
    (1)
    상기 식에서, 환A 및 B는 치환기를 가져도 좋고, Rl∼R8은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 치환 또는 미치환의 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기 또는 아릴기를 나타낸다.
  2. 제 1항에 있어서, 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물이 하기 일반식(4)의 화합물인 근적외선 흡수 필터:
    (4)
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 환A 및 B의 1,4-이외가 무치환이거나, 또는 치환기로서 각각의 고리에 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기를 1∼4개 갖는 근적외선 흡수 필터.
  4. 제 1항 또는 제 3항 중 어느 하나에 있어서, Ⅹ가 무치환이거나 불소 원자로 치환된 탄소수 1∼8의 알킬술폰산인 근적외선 흡수 필터.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나에 있어서, 플라즈마 디스플레이 패널용인 근적외선 흡수 필터.
  6. 수지 중에, 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온이 양이온을 중화시키는 데 필요한, 무치환, 또는 할로겐 원자, 저급 알콕시기, 시아노기, 히드록시기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼8의 알킬술폰산 이온인 화합물을 함유하여 이루어진 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 조성물.
  7. 하기 일반식(1)의 화합물을 산화하여 얻어진 양이온과, 음이온과의 염으로 이루어진 화합물에 있어서, 상기 음이온이 상기 양이온을 중화시키는 데 필요한, 하기 일반식(2)로 나타내지는 알킬술폰산인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 화합물:
    (1)
    (2)
    상기 식에서,
    환A 및 B는 치환기를 가져도 좋고,
    Rl∼R8은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 치환 또는 미치환의 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 또는 아릴기를 나타내고,
    Rl0∼R14은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 시아노기 또는 히드록시기를 나타내고,
    n은 1∼7의 정수를 나타낸다.
  8. 하기 일반식(6)으로 나타내지는 근적외선 흡수 화합물:
    (6)
    상기 식에서, R15∼R22는 각각 독립적으로 직쇄 또는 측쇄 부틸기 또는 펜틸기를 나타낸다.
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