JP2000081511A - 赤外線カットフィルタ― - Google Patents
赤外線カットフィルタ―Info
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- JP2000081511A JP2000081511A JP11182636A JP18263699A JP2000081511A JP 2000081511 A JP2000081511 A JP 2000081511A JP 11182636 A JP11182636 A JP 11182636A JP 18263699 A JP18263699 A JP 18263699A JP 2000081511 A JP2000081511 A JP 2000081511A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐熱性、耐光性、赤外線吸収率、可視光透過率
等の優れた赤外線カットフィルターの開発 【解決手段】下記式（２） 【化１】 （式（２）においてＲ1からＲ8の置換基としては少なく
とも１つのシアノ置換アルキル基を置換基として持ち、
環Ａ、Ｂは更に置換基を有しても良い）で示される構造
を有するジイモニウム塩化合物を少なくとも一種含有す
る赤外線カットフィルター
等の優れた赤外線カットフィルターの開発 【解決手段】下記式（２） 【化１】 （式（２）においてＲ1からＲ8の置換基としては少なく
とも１つのシアノ置換アルキル基を置換基として持ち、
環Ａ、Ｂは更に置換基を有しても良い）で示される構造
を有するジイモニウム塩化合物を少なくとも一種含有す
る赤外線カットフィルター
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外領域に吸収を
有するジイモニウム塩化合物を含有する耐熱性及び耐光
性に優れた赤外線カットフィルターに関する。
有するジイモニウム塩化合物を含有する耐熱性及び耐光
性に優れた赤外線カットフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外線吸収剤であるジイモニウム
塩化合物は、断熱フィルム及びサングラス等に広く利用
されている。しかし、光や製造時における加熱処理など
により劣化が起こり、色素自体の耐熱性及び耐光性が問
題となっている。
塩化合物は、断熱フィルム及びサングラス等に広く利用
されている。しかし、光や製造時における加熱処理など
により劣化が起こり、色素自体の耐熱性及び耐光性が問
題となっている。
【０００３】特に近年、盛んに検討されている大型薄型
テレビ、ディスプレーとして注目されているＰＤＰは、
近赤外線光を出し、近赤外線リモコン等を用いている電
子機器に誤作動を起こさせるという問題があった。近赤
外線吸収色素を用いてフィルターを作製することはある
が、色素の耐熱性、耐光性、赤外線吸収率、可視光透過
率等の点で、満足する化合物は提供されていなかった。
テレビ、ディスプレーとして注目されているＰＤＰは、
近赤外線光を出し、近赤外線リモコン等を用いている電
子機器に誤作動を起こさせるという問題があった。近赤
外線吸収色素を用いてフィルターを作製することはある
が、色素の耐熱性、耐光性、赤外線吸収率、可視光透過
率等の点で、満足する化合物は提供されていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこの様な状況
に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、従来の
ものよりも耐熱性、耐光性、赤外線吸収率、可視光透過
率等の優れた赤外線カットフィルターを提供することに
ある。
に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、従来の
ものよりも耐熱性、耐光性、赤外線吸収率、可視光透過
率等の優れた赤外線カットフィルターを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記したよ
うな課題を解決すべく鋭意努力した結果、本発明を完成
した。すなわち本発明は、（１）ジイモニウムカチオン
として、下記式（１）
うな課題を解決すべく鋭意努力した結果、本発明を完成
した。すなわち本発明は、（１）ジイモニウムカチオン
として、下記式（１）
【０００６】
【化２】
【０００７】で示される骨格構造を有し、２つの４級窒
素に結合する４つのフェニル基のそれぞれの４位に、置
換基を有していてもよい、アミノ基が結合しており、該
４つのアミノ基の少なくとも１つが、置換基として、シ
アノアルキル基を有し、環Ａ，Ｂは更に置換基を有して
いてもよいジイモニウム塩化合物を含有する層を有する
赤外線カットフィルター、（２）シアノアルキル基がシ
アノ（Ｃ1〜Ｃ5）アルキル基である（１）に記載の赤外
線カットフィルター、（３）４つのアミノ基の全てにシ
アノアルキル基が結合している（１）または（２）に記
載の赤外線カットフィルター、（４）シアノアルキル基
が結合しているアミノ基がジ（シアノアルキル）アミノ
基である（３）に記載の赤外線カットフィルター、
（５）シアノアルキル基がシアノプロピル基である
（４）に記載の赤外線カットフィルター、に関する。
素に結合する４つのフェニル基のそれぞれの４位に、置
換基を有していてもよい、アミノ基が結合しており、該
４つのアミノ基の少なくとも１つが、置換基として、シ
アノアルキル基を有し、環Ａ，Ｂは更に置換基を有して
いてもよいジイモニウム塩化合物を含有する層を有する
赤外線カットフィルター、（２）シアノアルキル基がシ
アノ（Ｃ1〜Ｃ5）アルキル基である（１）に記載の赤外
線カットフィルター、（３）４つのアミノ基の全てにシ
アノアルキル基が結合している（１）または（２）に記
載の赤外線カットフィルター、（４）シアノアルキル基
が結合しているアミノ基がジ（シアノアルキル）アミノ
基である（３）に記載の赤外線カットフィルター、
（５）シアノアルキル基がシアノプロピル基である
（４）に記載の赤外線カットフィルター、に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の赤外線カットフィルター
は、上記式（１）で示される骨格構造を有し、２つの４
級窒素に結合する４つのフェニル基のそれぞれの４位
に、置換基を有していてもよい、アミノ基が結合してお
り、該４つのアミノ基の少なくとも１つが、置換基とし
て、シアノ置換アルキル基を有するジイモニウム塩化合
物含有層を有することを特徴とする。このようなジイモ
ニウム塩化合物の代表例を化学式で示すと下記式（２）
の通りである。
は、上記式（１）で示される骨格構造を有し、２つの４
級窒素に結合する４つのフェニル基のそれぞれの４位
に、置換基を有していてもよい、アミノ基が結合してお
り、該４つのアミノ基の少なくとも１つが、置換基とし
て、シアノ置換アルキル基を有するジイモニウム塩化合
物含有層を有することを特徴とする。このようなジイモ
ニウム塩化合物の代表例を化学式で示すと下記式（２）
の通りである。
【０００９】
【化３】
【００１０】式（２）において、環Ａ、Ｂはそれぞれ１
から４つの置換基を有していても良い。Ｒ1からＲ8は炭
素数１から８の置換基であり、その少なくとも１つはシ
アノ置換アルキル基であり、残りはアルキル基である。
また、Ｘは陰イオンであり、ｎは１または２の整数であ
る。
から４つの置換基を有していても良い。Ｒ1からＲ8は炭
素数１から８の置換基であり、その少なくとも１つはシ
アノ置換アルキル基であり、残りはアルキル基である。
また、Ｘは陰イオンであり、ｎは１または２の整数であ
る。
【００１１】環Ａには１から４つの置換基を有していて
も、いなくても良い。結合しても良い置換基としては、
例えばハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基、
シアノ基、低級アルキル基があげられる。ハロゲン原子
としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等が挙げられる。アルコキシ基としては、例え
ばメトキシ基、エトキシ基等のＣ1〜Ｃ5のアルコキシ基
が挙げられ、低級アルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基等のＣ1〜Ｃ5のアルキル基が挙げられる。
好ましくはＡが置換基を有していないか、ハロゲン原子
（特に塩素原子、臭素原子）、メチル基またはシアノ基
で置換されているものが好ましい。又環Ｂに前記アミノ
基以外の置換しうる置換基としてはハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、アルコキシ基、シアノ基、低級アルキル基
があげられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
又、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキ
シ基等のＣ1〜Ｃ5のアルコキシ基が挙げられ、更に低級
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等のＣ
1〜Ｃ5のアルキル基が挙げられる。
も、いなくても良い。結合しても良い置換基としては、
例えばハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基、
シアノ基、低級アルキル基があげられる。ハロゲン原子
としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等が挙げられる。アルコキシ基としては、例え
ばメトキシ基、エトキシ基等のＣ1〜Ｃ5のアルコキシ基
が挙げられ、低級アルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基等のＣ1〜Ｃ5のアルキル基が挙げられる。
好ましくはＡが置換基を有していないか、ハロゲン原子
（特に塩素原子、臭素原子）、メチル基またはシアノ基
で置換されているものが好ましい。又環Ｂに前記アミノ
基以外の置換しうる置換基としてはハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、アルコキシ基、シアノ基、低級アルキル基
があげられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
又、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキ
シ基等のＣ1〜Ｃ5のアルコキシ基が挙げられ、更に低級
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基等のＣ
1〜Ｃ5のアルキル基が挙げられる。
【００１２】Ｒ1からＲ8の置換基は、少なくとも１つは
シアノ置換アルキル基であり、残りは炭素数１から８
（Ｃ1〜Ｃ8）のアルキル基である。アルキル部分は直鎖
状でもあるいは分岐鎖状のいずれでもよい。また、それ
ぞれ同じであっても異なっていても良い。シアノ置換ア
ルキル基としては、例えばシアノメチル基、２−シアノ
エチル基、３−シアノプロピル基、２−シアノプロピル
基、４−シアノブチル基、３−シアノブチル基、２−シ
アノブチル基、５−シアノペンチル基、４−シアノペン
チル基、３−シアノペンチル基、２−シアノペンチル
基、６−シアノヘキシル基、５−シアノヘキシル基、４
−シアノヘキシル基、３−シアノヘキシル基、２−シア
ノヘキシル基等のシアノ置換（Ｃ1〜Ｃ8）アルキル基が
挙げられ、アルキル部分の炭素数が２〜５のものが好ま
しい。更に好ましくはシアノプロピル基が挙げられる。
Ｒ1からＲ8の置換基であるアルキル基としては、例えば
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等があげられ
る。
シアノ置換アルキル基であり、残りは炭素数１から８
（Ｃ1〜Ｃ8）のアルキル基である。アルキル部分は直鎖
状でもあるいは分岐鎖状のいずれでもよい。また、それ
ぞれ同じであっても異なっていても良い。シアノ置換ア
ルキル基としては、例えばシアノメチル基、２−シアノ
エチル基、３−シアノプロピル基、２−シアノプロピル
基、４−シアノブチル基、３−シアノブチル基、２−シ
アノブチル基、５−シアノペンチル基、４−シアノペン
チル基、３−シアノペンチル基、２−シアノペンチル
基、６−シアノヘキシル基、５−シアノヘキシル基、４
−シアノヘキシル基、３−シアノヘキシル基、２−シア
ノヘキシル基等のシアノ置換（Ｃ1〜Ｃ8）アルキル基が
挙げられ、アルキル部分の炭素数が２〜５のものが好ま
しい。更に好ましくはシアノプロピル基が挙げられる。
Ｒ1からＲ8の置換基であるアルキル基としては、例えば
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等があげられ
る。
【００１３】Ｘは１価の陰イオンまたは２価の陰イオン
である。１価の陰イオンの場合ｎは２であり、２価の陰
イオンの場合ｎは１である。１価の陰イオンとしては、
例えば有機酸１価アニオン、無機１価アニオン等があげ
られる。有機酸１価アニオンとしては、例えば酢酸イオ
ン、乳酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、プロピオン
酸イオン、安息香酸イオン、シュウ酸イオン、コハク酸
イオン、ステアリン酸イオン等の有機カルボン酸イオ
ン、メタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオ
ン、ナフタレンモノスルホン酸イオン、クロロベンゼン
スルホン酸イオン、ニトロベンゼンスルホン酸イオン、
ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン
酸イオン、エタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタ
ンスルホン酸イオン等の有機スルホン酸イオン、テトラ
フェニルホウ酸イオン、ブチルトリフェニルホウ酸イオ
ン等の有機ホウ酸イオン等があげられ、好ましくは、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン
酸イオン等のハロゲノアルキルスルホン酸イオンもしく
はアルキルアリールスルホン酸イオンが挙げられる。
である。１価の陰イオンの場合ｎは２であり、２価の陰
イオンの場合ｎは１である。１価の陰イオンとしては、
例えば有機酸１価アニオン、無機１価アニオン等があげ
られる。有機酸１価アニオンとしては、例えば酢酸イオ
ン、乳酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、プロピオン
酸イオン、安息香酸イオン、シュウ酸イオン、コハク酸
イオン、ステアリン酸イオン等の有機カルボン酸イオ
ン、メタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオ
ン、ナフタレンモノスルホン酸イオン、クロロベンゼン
スルホン酸イオン、ニトロベンゼンスルホン酸イオン、
ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン
酸イオン、エタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタ
ンスルホン酸イオン等の有機スルホン酸イオン、テトラ
フェニルホウ酸イオン、ブチルトリフェニルホウ酸イオ
ン等の有機ホウ酸イオン等があげられ、好ましくは、ト
リフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン
酸イオン等のハロゲノアルキルスルホン酸イオンもしく
はアルキルアリールスルホン酸イオンが挙げられる。
【００１４】無機１価アニオンとしては、例えばフッ素
イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等のハ
ロゲンイオン、チオシアン酸イオン、ヘキサフルオロア
ンチモン酸イオン、過塩素酸イオン、過ヨウ素酸イオ
ン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサ
フルオロリン酸イオン、モリブデン酸イオン、タングス
テン酸イオン、チタン酸イオン、バナジン酸イオン、リ
ン酸イオン、ホウ酸イオン等があげられ、好ましいもの
としては、過塩素酸イオン、ヨウ素イオン、テトラフル
オロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキ
サフルオロアンチモン酸イオン等があげられる。
イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン等のハ
ロゲンイオン、チオシアン酸イオン、ヘキサフルオロア
ンチモン酸イオン、過塩素酸イオン、過ヨウ素酸イオ
ン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサ
フルオロリン酸イオン、モリブデン酸イオン、タングス
テン酸イオン、チタン酸イオン、バナジン酸イオン、リ
ン酸イオン、ホウ酸イオン等があげられ、好ましいもの
としては、過塩素酸イオン、ヨウ素イオン、テトラフル
オロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキ
サフルオロアンチモン酸イオン等があげられる。
【００１５】２価の陰イオンとしては、例えばナフタレ
ン−１、５−ジスルホン酸、Ｒ酸、Ｇ酸、Ｈ酸、ベンゾ
イルＨ酸、ｐ−クロルベンゾイルＨ酸、ｐ−トルエンス
ルホニルＨ酸、クロルＨ酸、クロルアセチルＨ酸、メタ
ニルγ酸、６−スルホナフチル−γ酸、Ｃ酸、ε酸、ｐ
−トルエンスルホニルＲ酸、ナフタリン−１，６−ジス
ルホン酸、１−ナフトール−４，８−ジスルホン酸、等
のナフタレンジスルホン酸誘導体、カルボニルＪ酸、
４，４’−ジアミノスチルベン−２，２’ージスルホン
酸、ジＪ酸、ナフタル酸、ナフタリン−２，３−ジカル
ボン酸、ジフェン酸、スチルベン−４，４’−ジカルボ
ン酸、６−スルホ−２−オキシ−３−ナフトエ酸、アン
トラキノン−１，８−ジスルホン酸、１，６−ジアミノ
アントラキノン−２，７−ジスルホン酸、２−（４−ス
ルホフェニル）−６−アミノベンゾトリアゾール−５−
スルホン酸、６−（３−メチル−５−ピラゾロニル）−
ナフタレン−１，３−ジスルホン酸、１−ナフトール−
６−（４−アミノ−３−スルホ）アニリノ−３−スルホ
ン酸等の２価の有機酸のイオンが挙げられる。
ン−１、５−ジスルホン酸、Ｒ酸、Ｇ酸、Ｈ酸、ベンゾ
イルＨ酸、ｐ−クロルベンゾイルＨ酸、ｐ−トルエンス
ルホニルＨ酸、クロルＨ酸、クロルアセチルＨ酸、メタ
ニルγ酸、６−スルホナフチル−γ酸、Ｃ酸、ε酸、ｐ
−トルエンスルホニルＲ酸、ナフタリン−１，６−ジス
ルホン酸、１−ナフトール−４，８−ジスルホン酸、等
のナフタレンジスルホン酸誘導体、カルボニルＪ酸、
４，４’−ジアミノスチルベン−２，２’ージスルホン
酸、ジＪ酸、ナフタル酸、ナフタリン−２，３−ジカル
ボン酸、ジフェン酸、スチルベン−４，４’−ジカルボ
ン酸、６−スルホ−２−オキシ−３−ナフトエ酸、アン
トラキノン−１，８−ジスルホン酸、１，６−ジアミノ
アントラキノン−２，７−ジスルホン酸、２−（４−ス
ルホフェニル）−６−アミノベンゾトリアゾール−５−
スルホン酸、６−（３−メチル−５−ピラゾロニル）−
ナフタレン−１，３−ジスルホン酸、１−ナフトール−
６−（４−アミノ−３−スルホ）アニリノ−３−スルホ
ン酸等の２価の有機酸のイオンが挙げられる。
【００１６】これらの陰イオンのうち、好ましいものと
しては、例えば過塩素酸イオン、ヨウ素イオン、テトラ
フルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、
ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、トリフルオロメタ
ンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン等が挙
げられる。
しては、例えば過塩素酸イオン、ヨウ素イオン、テトラ
フルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、
ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、トリフルオロメタ
ンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン等が挙
げられる。
【００１７】次に、一般式（２）で示されるジイモニウ
ム塩化合物の具体例を表１〜３に示す。表１〜３中、
１，５−ＮｐＳは１，５−ナフタレンジスルホン酸、Ｔ
ｓＯはトルエンスルホン酸イオンを表す。また、Ａが無
置換の場合は「４Ｈ」と、Ｒ1〜Ｒ8が全てシアノエチル
基である場合には「４（ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ，ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｎ）」と、またＲ1〜Ｒ8のうち、例えば１つがｎ−ブチ
ル基で残りがシアノエチル基である場合には「３（ＣＨ
2ＣＨ2ＣＮ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ）（ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ，ｎ−
Ｃ4Ｈ9）」等と簡略して表記する。
ム塩化合物の具体例を表１〜３に示す。表１〜３中、
１，５−ＮｐＳは１，５−ナフタレンジスルホン酸、Ｔ
ｓＯはトルエンスルホン酸イオンを表す。また、Ａが無
置換の場合は「４Ｈ」と、Ｒ1〜Ｒ8が全てシアノエチル
基である場合には「４（ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ，ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｎ）」と、またＲ1〜Ｒ8のうち、例えば１つがｎ−ブチ
ル基で残りがシアノエチル基である場合には「３（ＣＨ
2ＣＨ2ＣＮ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ）（ＣＨ2ＣＨ2ＣＮ，ｎ−
Ｃ4Ｈ9）」等と簡略して表記する。
【００１８】 表１ NO. A (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8), X n 1 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), SbF6 2 2 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 3 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), TsO 2 4 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), PF6 2 5 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), BF4 2 6 4H 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), 1,5-NpS 1 7 4H 4(CH2CH2CN,CH2CH2CN), SbF6 2 8 4H 4(CH2CH2CN,CH2CH2CN), ClO4 2 9 4H 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), SbF6 2 10 4H 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), ClO4 2 11 4H 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), 1,5-NpS 1
【００１９】 表２ NO. A (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8), X n 12 4H 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN,n-C4H9), SbF6 2 13 4H 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN,n-C4H9), ClO4 2 14 4H 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CN), SbF6 2 15 4H 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 16 4H 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CH2CN), SbF6 2 17 4H 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CH2CN), ClO4 2 18 Cl 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), SbF6 2 19 Cl 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 20 Cl 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), 1,5-NpS 2 21 Cl 4(CH2CH2CN,CH2CH2CN), ClO4 2 22 Cl 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), SbF6 2
【００２０】 表３ NO. A (R1,R2)(R3,R4)(R5,R6)(R7,R8), X n 23 Cl 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), ClO4 2 24 Cl 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), 1,5-NpS 1 25 Cl 3(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN)(CH2CH2CH2CN,n-C4H9), ClO4 2 26 Cl 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CN), SbF6 2 27 Cl 3(n-C4H9,n-C4H9)(n-C4H9,CH2CH2CH2CH2CN), ClO4 2 28 2Br 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), SbF6 2 29 2Br 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), SbF6 2 30 CH3 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 31 CH3 4(CH2CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CH2CN), ClO4 2 32 CH3O 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 33 4F 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 34 CN 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), ClO4 2 35 4CN 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), PF6 2 36 2CN 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), PF6 2 37 2CH3 4(CH2CH2CH2CN,CH2CH2CH2CN), PF6 2
【００２１】本発明で使用する一般式（１）で表される
化合物は、例えば次の様な方法で得ることができる。ウ
ルマン反応及び還元反応で得られる下記式（３）
化合物は、例えば次の様な方法で得ることができる。ウ
ルマン反応及び還元反応で得られる下記式（３）
【００２２】
【化４】
【００２３】で表されるアミノ体を、有機溶媒中、好ま
しくはＤＭＦ，ＤＭＩ，ＮＭＰ等の水溶性極性溶媒中、
３０〜１６０℃、好ましくは５０〜１４０℃でハロゲン
化された対応するシアノアルキルと反応させ全置換体を
得るか、又は先に所定のモル数のハロゲン化アルキルと
反応させた後、ハロゲン化された対応するシアノアルキ
ルと反応させ式（３）の化合物のシアノアルキル置換体
を得る。
しくはＤＭＦ，ＤＭＩ，ＮＭＰ等の水溶性極性溶媒中、
３０〜１６０℃、好ましくは５０〜１４０℃でハロゲン
化された対応するシアノアルキルと反応させ全置換体を
得るか、又は先に所定のモル数のハロゲン化アルキルと
反応させた後、ハロゲン化された対応するシアノアルキ
ルと反応させ式（３）の化合物のシアノアルキル置換体
を得る。
【００２４】その後、式（３）の化合物のシアノアルキ
ル置換体を、有機溶媒中、好ましくはＤＭＦ、ＤＭＩ、
ＮＭＰ等の水溶性極性溶媒中、０〜１００℃、好ましく
は５〜７０℃で対応する銀塩を用いて酸化することによ
り、本発明の一般式（１）で表される化合物が得られ
る。また、式（３）の化合物のシアノアルキル置換体を
硝酸銀、過塩素酸銀、塩化第二銅等の酸化剤で酸化し、
その反応液に、所望のアニオンの酸もしくは塩を添加し
て塩交換を行う方法によっても一般式（１）で表される
化合物を合成することが出来る。
ル置換体を、有機溶媒中、好ましくはＤＭＦ、ＤＭＩ、
ＮＭＰ等の水溶性極性溶媒中、０〜１００℃、好ましく
は５〜７０℃で対応する銀塩を用いて酸化することによ
り、本発明の一般式（１）で表される化合物が得られ
る。また、式（３）の化合物のシアノアルキル置換体を
硝酸銀、過塩素酸銀、塩化第二銅等の酸化剤で酸化し、
その反応液に、所望のアニオンの酸もしくは塩を添加し
て塩交換を行う方法によっても一般式（１）で表される
化合物を合成することが出来る。
【００２５】本発明の赤外線カットフィルターは、上記
のジイモニウム塩化合物含有層を基材上に設けたもので
も良く、また基材自体がジイモニウム塩化合物含有層で
あっても良い。基材としては、特に制限されないが、通
常樹脂製の基材が使用される。ジイモニウム塩化合物含
有層の厚みは０．１μｍ〜１０ｍｍ程度であるが、赤外
線カット率等の目的に応じて、適宜決定される。また、
ジイモニウム塩化合物の含有量も目的とする赤外線カッ
ト率に応じて、適宜決定される。
のジイモニウム塩化合物含有層を基材上に設けたもので
も良く、また基材自体がジイモニウム塩化合物含有層で
あっても良い。基材としては、特に制限されないが、通
常樹脂製の基材が使用される。ジイモニウム塩化合物含
有層の厚みは０．１μｍ〜１０ｍｍ程度であるが、赤外
線カット率等の目的に応じて、適宜決定される。また、
ジイモニウム塩化合物の含有量も目的とする赤外線カッ
ト率に応じて、適宜決定される。
【００２６】ベースとなる樹脂としては、樹脂板又は樹
脂フィルムにした場合、できるだけ透明性の高いものが
好ましく、具体例として、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢
酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポ
リフッ化ビニル等のビニル化合物、及びそれらのビニル
化合物の付加重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリ
ル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリシアン化ビニリデン、フッ化ビニリデン／ト
リフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／テト
ラフルオロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン／酢
酸ビニル共重合体、等のビニル化合物又はフッ素系化合
物の共重合体、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等の
フッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロン６６等のポリ
アミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリペプチド、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリオキシメチレン等のポリエーテル、エポ
キシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル等が挙げられる。
脂フィルムにした場合、できるだけ透明性の高いものが
好ましく、具体例として、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢
酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポ
リフッ化ビニル等のビニル化合物、及びそれらのビニル
化合物の付加重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリ
ル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリシアン化ビニリデン、フッ化ビニリデン／ト
リフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／テト
ラフルオロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン／酢
酸ビニル共重合体、等のビニル化合物又はフッ素系化合
物の共重合体、ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等の
フッ素を含む樹脂、ナイロン６、ナイロン６６等のポリ
アミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリペプチド、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリオキシメチレン等のポリエーテル、エポ
キシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ル等が挙げられる。
【００２７】上記化合物を用いて、本発明の赤外線カッ
トフィルターを作製する方法としては、特に限定される
ものではないが、例えば次の方法が利用できる。例え
ば、（１）樹脂に上記のジイモニウム塩化合物を混練
し、加熱成形して樹脂板あるいはフィルムを作製する方
法。（２）化合物と樹脂モノマーまたは樹脂モノマーの
予備重合体を重合触媒の存在下にキャスト重合し、樹脂
板或いはフィルムを作製する方法。（３）化合物を含有
する塗料を作製し、透明樹脂板、透明フィルム、或いは
透明ガラス板にコーティングする方法。（４）化合物を
接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィル
ム、或いは合わせガラス板を作製する方法等である。
トフィルターを作製する方法としては、特に限定される
ものではないが、例えば次の方法が利用できる。例え
ば、（１）樹脂に上記のジイモニウム塩化合物を混練
し、加熱成形して樹脂板あるいはフィルムを作製する方
法。（２）化合物と樹脂モノマーまたは樹脂モノマーの
予備重合体を重合触媒の存在下にキャスト重合し、樹脂
板或いはフィルムを作製する方法。（３）化合物を含有
する塗料を作製し、透明樹脂板、透明フィルム、或いは
透明ガラス板にコーティングする方法。（４）化合物を
接着剤に含有させて、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィル
ム、或いは合わせガラス板を作製する方法等である。
【００２８】（１）の作製方法としては、用いる樹脂に
よって加工温度、フィルム化（樹脂板化）条件等が多少
異なるが、通常、本発明の化合物をベース樹脂の粉体或
いはペレットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解
させた後、成形して樹脂板を作製する方法、押し出し機
によりフィルム化（樹脂板化）する方法等が挙げられ
る。上記のジイモニウム塩化合物の添加量は、作製する
樹脂板或いはフィルムの厚み、吸収強度、可視光透過率
によって異なるが、一般的にバインダー樹脂の重量に対
して、０．０１〜３０％、好ましくは０．０３〜１５％
使用される。
よって加工温度、フィルム化（樹脂板化）条件等が多少
異なるが、通常、本発明の化合物をベース樹脂の粉体或
いはペレットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解
させた後、成形して樹脂板を作製する方法、押し出し機
によりフィルム化（樹脂板化）する方法等が挙げられ
る。上記のジイモニウム塩化合物の添加量は、作製する
樹脂板或いはフィルムの厚み、吸収強度、可視光透過率
によって異なるが、一般的にバインダー樹脂の重量に対
して、０．０１〜３０％、好ましくは０．０３〜１５％
使用される。
【００２９】上記の化合物と樹脂モノマーまたは樹脂モ
ノマーの予備重合体を重合触媒の存在下にキャスト重合
し、作製する（２）の方法において、それらの混合物を
型内に注入し、反応させて硬化させるか、或いは金型に
流し込んで型内で硬い製品となるまで固化させて成形す
る。多くの樹脂がこの過程で成形可能であり、具体例と
してアクリル樹脂、ジエチレングリコールビス（アリル
カーボネート）樹脂、エポキシ樹脂、フェノール−ホル
ムアルデヒド樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂、
等が挙げられる。その中でも、硬度、耐熱性、耐薬品性
に優れたアクリルシートが得られるメタクリル酸メチル
の塊状重合によるキャスティング法が好ましい。
ノマーの予備重合体を重合触媒の存在下にキャスト重合
し、作製する（２）の方法において、それらの混合物を
型内に注入し、反応させて硬化させるか、或いは金型に
流し込んで型内で硬い製品となるまで固化させて成形す
る。多くの樹脂がこの過程で成形可能であり、具体例と
してアクリル樹脂、ジエチレングリコールビス（アリル
カーボネート）樹脂、エポキシ樹脂、フェノール−ホル
ムアルデヒド樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂、
等が挙げられる。その中でも、硬度、耐熱性、耐薬品性
に優れたアクリルシートが得られるメタクリル酸メチル
の塊状重合によるキャスティング法が好ましい。
【００３０】重合触媒としては公知のラジカル熱重合開
始剤が利用でき、例えばベンゾイルパーオキシド、ｐ−
クロロベンゾイルパーオキシド、ジイソプロピルパーオ
キシカーボネート等の過酸化物、アゾビスイソブチロニ
トリル等のアゾ化合物が挙げられる。その使用量は混合
物の総量に対して、一般的に０．０１〜５ｗｔ％であ
る。熱重合における加熱温度は、一般的に４０〜２００
℃であり、時間は一般的に３０分〜８時間程度である。
また熱重合以外に、光重合開始剤や増感剤を添加して光
重合する方法も利用できる。
始剤が利用でき、例えばベンゾイルパーオキシド、ｐ−
クロロベンゾイルパーオキシド、ジイソプロピルパーオ
キシカーボネート等の過酸化物、アゾビスイソブチロニ
トリル等のアゾ化合物が挙げられる。その使用量は混合
物の総量に対して、一般的に０．０１〜５ｗｔ％であ
る。熱重合における加熱温度は、一般的に４０〜２００
℃であり、時間は一般的に３０分〜８時間程度である。
また熱重合以外に、光重合開始剤や増感剤を添加して光
重合する方法も利用できる。
【００３１】（３）の方法としては、本発明の化合物を
バインダー樹脂及び有機溶媒に溶解させて塗料化する方
法、本発明の化合物を微粒子化して分散して、水系塗料
とする方法等がある。前者の方法では例えば、脂肪族エ
ステル樹脂、アクリル系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、芳香族エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リビニル系樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹脂、芳香族ポ
リオレフィン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビ
ニル変性樹脂等、或いはそれらの共重合樹脂をバインダ
ーとして用いる事ができる。
バインダー樹脂及び有機溶媒に溶解させて塗料化する方
法、本発明の化合物を微粒子化して分散して、水系塗料
とする方法等がある。前者の方法では例えば、脂肪族エ
ステル樹脂、アクリル系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、芳香族エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リビニル系樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹脂、芳香族ポ
リオレフィン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビ
ニル変性樹脂等、或いはそれらの共重合樹脂をバインダ
ーとして用いる事ができる。
【００３２】溶媒としては、ハロゲン系、アルコール
系、ケトン系、エステル系、脂肪族炭化水素系、芳香族
炭化水素系、エーテル系の溶媒、或いはそれらの混合物
の溶媒を用いることができる。本発明のジイモニウム塩
化合物の濃度は、作製するコーティングの厚み、吸収強
度、可視光透過率によって異なるが、バインダー樹脂に
対して、一般的に０．１〜３０％である。
系、ケトン系、エステル系、脂肪族炭化水素系、芳香族
炭化水素系、エーテル系の溶媒、或いはそれらの混合物
の溶媒を用いることができる。本発明のジイモニウム塩
化合物の濃度は、作製するコーティングの厚み、吸収強
度、可視光透過率によって異なるが、バインダー樹脂に
対して、一般的に０．１〜３０％である。
【００３３】上記のように作製した塗料は、透明樹脂フ
ィルム、透明樹脂板、透明ガラス等の上にスピンコータ
ー、バーコーター、ロールコーター、スプレー等でコー
ティングして得ることができる。
ィルム、透明樹脂板、透明ガラス等の上にスピンコータ
ー、バーコーター、ロールコーター、スプレー等でコー
ティングして得ることができる。
【００３４】（４）の方法において、接着剤としては、
一般的なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂
用、或いは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着
剤、エチレン−酢酸ビニル系接着剤等の合わせガラス用
の公知の透明接着剤が使用できる。本発明の化合物を
０．１〜３０％添加した接着剤を用いて透明な樹脂板同
士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラス、樹脂フィ
ルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス同士を接着し
て、フィルターを作製する。
一般的なシリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂
用、或いは合わせガラス用のポリビニルブチラール接着
剤、エチレン−酢酸ビニル系接着剤等の合わせガラス用
の公知の透明接着剤が使用できる。本発明の化合物を
０．１〜３０％添加した接着剤を用いて透明な樹脂板同
士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラス、樹脂フィ
ルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス同士を接着し
て、フィルターを作製する。
【００３５】尚、それぞれの方法で混練、混合の際、紫
外線吸収剤、可塑剤などの通常の樹脂成形に用いる添加
剤を加えても良い。
外線吸収剤、可塑剤などの通常の樹脂成形に用いる添加
剤を加えても良い。
【００３６】本発明の赤外線カットフィルターは、一般
式（１）で表される化合物だけでも良いが、他の近赤外
線吸収化合物と混ぜて作製しても良い。他の近赤外線吸
収化合物としては、例えばフタロシアニン系、シアニン
系色素等があげられる。また、無機金属の近赤外線吸収
化合物としては、例えば金属銅或いは硫化銅、酸化銅等
の銅化合物、酸化亜鉛を主成分とする金属混合物、タン
グステン化合物、ＩＴＯ、ＡＴＯ等が挙げられる。
式（１）で表される化合物だけでも良いが、他の近赤外
線吸収化合物と混ぜて作製しても良い。他の近赤外線吸
収化合物としては、例えばフタロシアニン系、シアニン
系色素等があげられる。また、無機金属の近赤外線吸収
化合物としては、例えば金属銅或いは硫化銅、酸化銅等
の銅化合物、酸化亜鉛を主成分とする金属混合物、タン
グステン化合物、ＩＴＯ、ＡＴＯ等が挙げられる。
【００３７】又、フィルターの色調を変えるために、可
視領域に吸収を持つ色素を、本発明の効果を阻害しない
範囲で加えることも好ましい。又、調色用色素のみを含
有するフィルターを作製し、後で張り合わせることもで
きる。
視領域に吸収を持つ色素を、本発明の効果を阻害しない
範囲で加えることも好ましい。又、調色用色素のみを含
有するフィルターを作製し、後で張り合わせることもで
きる。
【００３８】この様な赤外線カットフィルターは、ディ
スプレーの前面板に用いられる場合等には、可視光の透
過率は高いほど良く少なくとも４０％以上、好ましくは
５０％以上必要である。近赤外のカット領域は８００〜
９００ｎｍ、より好ましくは８００〜１０００ｎｍであ
り、その領域の平均透過率が５０％以下、より好ましく
は３０％以下、更に好ましくは２０％以下、特に好まし
くは１０％以下になることが望ましい。
スプレーの前面板に用いられる場合等には、可視光の透
過率は高いほど良く少なくとも４０％以上、好ましくは
５０％以上必要である。近赤外のカット領域は８００〜
９００ｎｍ、より好ましくは８００〜１０００ｎｍであ
り、その領域の平均透過率が５０％以下、より好ましく
は３０％以下、更に好ましくは２０％以下、特に好まし
くは１０％以下になることが望ましい。
【００３９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。尚、実施例中、部は特に限定しない限り重量
部を表す。
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。尚、実施例中、部は特に限定しない限り重量
部を表す。
【００４０】合成例１ ＜置換化反応＞ＤＭＦ１６部中にＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラキス（アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミ
ン２．２部、４−ブロモブチロニトリル１２部を加え、
１３０℃で１０時間反応する。冷却後、液濾過し、この
反応液にメタノール４０部を加え、５℃以下で１時間撹
拌する。生成した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した
後、乾燥し薄茶色結晶２．８部を得た。
テトラキス（アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミ
ン２．２部、４−ブロモブチロニトリル１２部を加え、
１３０℃で１０時間反応する。冷却後、液濾過し、この
反応液にメタノール４０部を加え、５℃以下で１時間撹
拌する。生成した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した
後、乾燥し薄茶色結晶２．８部を得た。
【００４１】＜酸化反応＞ＤＭＦ１４部中にＮ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス｛ｐ−ジ（シアノプロピル）ア
ミノフェニル｝−ｐ−フェニレンジアミン１．０部を加
え、６０℃に加熱溶解した後、ＤＭＦ１４部に溶解した
六フッ化アンチモン酸銀０．７３部を加え、３０分反応
する。冷却後析出した銀を濾別する。この反応液に水２
０部をゆっくりと滴下し、滴下後１５分撹拌する。生成
した黒色結晶を濾過し、５０部の水で洗浄し、得られた
ケーキを乾燥して、Ｎｏ．１の化合物１．４部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８９，０００ 分解温度 ２３５℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス｛ｐ−ジ（シアノプロピル）ア
ミノフェニル｝−ｐ−フェニレンジアミン１．０部を加
え、６０℃に加熱溶解した後、ＤＭＦ１４部に溶解した
六フッ化アンチモン酸銀０．７３部を加え、３０分反応
する。冷却後析出した銀を濾別する。この反応液に水２
０部をゆっくりと滴下し、滴下後１５分撹拌する。生成
した黒色結晶を濾過し、５０部の水で洗浄し、得られた
ケーキを乾燥して、Ｎｏ．１の化合物１．４部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８９，０００ 分解温度 ２３５℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４２】合成例２ 上記合成例１の六フッ化アンチモン酸銀を過塩素酸銀に
変えた以外は同様に合成し、Ｎｏ．２の化合物１．４部
を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８７，０００ 分解温度 ２５４℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
変えた以外は同様に合成し、Ｎｏ．２の化合物１．４部
を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８７，０００ 分解温度 ２５４℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４３】合成例３ 上記合成例１の六フッ化アンチモン酸銀を硝酸銀に変
え、その反応液に１，５−ジナフタレンスルホン酸を加
えて反応させた以外は同様に合成し、Ｎｏ．６の化合物
１．０部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ９０，０００ 分解温度 ２３８℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
え、その反応液に１，５−ジナフタレンスルホン酸を加
えて反応させた以外は同様に合成し、Ｎｏ．６の化合物
１．０部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ９０，０００ 分解温度 ２３８℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４４】合成例４ 上記合成例１の六フッ化アンチモン酸銀の代わりに六フ
ッ化リン酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．４の
化合物１．４部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ９０，０００ 分解温度 ２４０℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
ッ化リン酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．４の
化合物１．４部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ９０，０００ 分解温度 ２４０℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４５】合成例５ 上記合成例１の六フッ化アンチモン酸銀の代わりに四フ
ッ化ホウ酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．５の
化合物１．３部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８７，０００ 分解温度 ２１４℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
ッ化ホウ酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．５の
化合物１．３部を得た。 λｍａｘ １０４２ｎｍ（アセトニトリル） 吸光係数 ８７，０００ 分解温度 ２１４℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４６】合成例６ 上記合成例１の置換反応で、４−ブロモブチロニトリル
の代わりに５−ブロモバレロニトリルを用いた以外は同
様に合成し、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス｛ｐ−ジ
（シアノブチル）アミノフェニル｝−ｐ−フェニレンジ
アミンを得た。これに実施例１の酸化反応と同様に六フ
ッ化アンチモン酸銀を用い合成し、Ｎｏ．９の化合物
１．２部を得た。 λｍａｘ １０８４ｎｍ（ジクロロメタン） 吸光係数 ９６，０００ 分解温度 ２５３℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
の代わりに５−ブロモバレロニトリルを用いた以外は同
様に合成し、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス｛ｐ−ジ
（シアノブチル）アミノフェニル｝−ｐ−フェニレンジ
アミンを得た。これに実施例１の酸化反応と同様に六フ
ッ化アンチモン酸銀を用い合成し、Ｎｏ．９の化合物
１．２部を得た。 λｍａｘ １０８４ｎｍ（ジクロロメタン） 吸光係数 ９６，０００ 分解温度 ２５３℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４７】合成例７ 上記合成例６の六フッ化アンチモン酸銀の代わりに過塩
素酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．１０の化合
物１．３部を得た。 λｍａｘ １０８５ｎｍ（ジクロロメタン） 吸光係数 ９８，０００ 分解温度 ２４０℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
素酸銀を用いた以外は同様に合成し、Ｎｏ．１０の化合
物１．３部を得た。 λｍａｘ １０８５ｎｍ（ジクロロメタン） 吸光係数 ９８，０００ 分解温度 ２４０℃（ＴＧ−ＤＴＡ）
【００４８】その他の化合物例についても上記合成例１
及び６と同様に対応するフェニレンジアミン誘導体を合
成する。それを対応する銀塩又は適当な酸化剤で酸化し
た後、対応する陰イオンを反応させることにより、合成
できる。
及び６と同様に対応するフェニレンジアミン誘導体を合
成する。それを対応する銀塩又は適当な酸化剤で酸化し
た後、対応する陰イオンを反応させることにより、合成
できる。
【００４９】実施例１ テトラフロロプロパノール１０部に前記合成例１で得ら
れたＮｏ．１の化合物０．１部を溶解し、その溶液約１
ｍｇをポリカーボネート基盤に回転速度２０００ｒｐｍ
でスピンコートし、本発明の赤外線カットフィルターを
得た。得られた赤外線カットフィルターをスガ試験機製
紫外線ロングライフカーボンアーク耐光試験機（ブラッ
クパネル温度６３℃）に入れ、基盤側から光を照射さ
せ、５時間、１０時間、２０時間で耐光安定性試験を行
った。また、得られた赤外線カットフィルターを８０℃
の熱風乾燥機で１日、４日、７日で耐熱安定性試験を行
った。試験後、いずれも色素残存率を分光光度計にて測
定した。耐光試験の結果を表４に、耐熱試験の結果を表
５に示す。
れたＮｏ．１の化合物０．１部を溶解し、その溶液約１
ｍｇをポリカーボネート基盤に回転速度２０００ｒｐｍ
でスピンコートし、本発明の赤外線カットフィルターを
得た。得られた赤外線カットフィルターをスガ試験機製
紫外線ロングライフカーボンアーク耐光試験機（ブラッ
クパネル温度６３℃）に入れ、基盤側から光を照射さ
せ、５時間、１０時間、２０時間で耐光安定性試験を行
った。また、得られた赤外線カットフィルターを８０℃
の熱風乾燥機で１日、４日、７日で耐熱安定性試験を行
った。試験後、いずれも色素残存率を分光光度計にて測
定した。耐光試験の結果を表４に、耐熱試験の結果を表
５に示す。
【００５０】その他の実施例についても上記実施例１と
同様にＮｏ．１化合物の代わりに適当な本発明の化合物
に変え、同様にして赤外線カットフィルターを作成し、
評価した。表４及び表５に示した実施例２〜５におい
て、実施例２はＮｏ．１化合物の代わりにＮｏ．２化合
物に変え、実施例３はＮｏ．４化合物に変え、実施例４
はＮｏ．５化合物に変え、実施例５はＮｏ．９化合物に
変えた評価結果である。
同様にＮｏ．１化合物の代わりに適当な本発明の化合物
に変え、同様にして赤外線カットフィルターを作成し、
評価した。表４及び表５に示した実施例２〜５におい
て、実施例２はＮｏ．１化合物の代わりにＮｏ．２化合
物に変え、実施例３はＮｏ．４化合物に変え、実施例４
はＮｏ．５化合物に変え、実施例５はＮｏ．９化合物に
変えた評価結果である。
【００５１】なお、比較例としてＮｏ．１の化合物の代
わりにテトラキス｛ｐ−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニ
ル｝フェニレンジイモニウムの六フッ化アンチモン酸塩
に変えた以外は同様にして赤外線カットフィルターを作
成し、評価した。結果を表４及び表５に示す。
わりにテトラキス｛ｐ−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニ
ル｝フェニレンジイモニウムの六フッ化アンチモン酸塩
に変えた以外は同様にして赤外線カットフィルターを作
成し、評価した。結果を表４及び表５に示す。
【００５２】
【００５３】 表５（耐熱安定性試験） 色素残存率（％） 初期 １日後 ４日後 ７日後 実施例１ １００ ９０．３ ８３．１ ７４．７ 実施例２ １００ ９３．５ ９１．１ ８６．４ 実施例３ １００ ９５．７ ８９．２ ７８．２ 実施例４ １００ ９４．７ ６８．８ ２２．２ 実施例５ １００ ８３．０ ６３．６ ４７．４ 比較例１ １００ ７５．０ １６．７ ９．２
【００５４】実施例６ 前記合成例１で得られたＮｏ．１の化合物をＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート）に対して、０．０３％添
加し、温度２００℃で射出成形し、厚さ１ｍｍと３ｍｍ
のフィルターを得た。得られたフィルターの８００〜１
０００ｎｍでの平均光線透過率を、分光光度計にて測定
したところ、厚さ１ｍｍのフィルターでは２０％、３ｍ
ｍのフィルターでは３％であった。
（ポリメチルメタクリレート）に対して、０．０３％添
加し、温度２００℃で射出成形し、厚さ１ｍｍと３ｍｍ
のフィルターを得た。得られたフィルターの８００〜１
０００ｎｍでの平均光線透過率を、分光光度計にて測定
したところ、厚さ１ｍｍのフィルターでは２０％、３ｍ
ｍのフィルターでは３％であった。
【００５５】
【発明の効果】本発明の赤外線カットフィルターは、基
材中に、９００ｎｍ以上に極大吸収を有する一般式
（１）のジイモニウム塩化合物を、少なくとも一種含有
せしめることによって、近赤外光を効率よくカットする
フィルターを作製でき、更に従来のものよりも、耐熱性
及び耐光性に優れた赤外線カットフィルターを提供する
ことができる。
材中に、９００ｎｍ以上に極大吸収を有する一般式
（１）のジイモニウム塩化合物を、少なくとも一種含有
せしめることによって、近赤外光を効率よくカットする
フィルターを作製でき、更に従来のものよりも、耐熱性
及び耐光性に優れた赤外線カットフィルターを提供する
ことができる。
Claims (5)
- 【請求項１】ジイモニウムカチオンとして、下記式
（１） 【化１】 で示される骨格構造を有し、２つの４級窒素に結合する
４つのフェニル基のそれぞれの４位に、置換基を有して
いてもよい、アミノ基が結合しており、該４つのアミノ
基の少なくとも１つが、置換基として、シアノアルキル
基を有し、環Ａ，Ｂは更に置換基を有していてもよいジ
イモニウム塩化合物を含有する層を有する赤外線カット
フィルター。 - 【請求項２】シアノアルキル基がシアノ（Ｃ1〜Ｃ5）ア
ルキル基である請求項１に記載の赤外線カットフィルタ
ー。 - 【請求項３】４つのアミノ基の全てにシアノアルキル基
が結合している請求項１または２に記載の赤外線カット
フィルター。 - 【請求項４】シアノアルキル基が結合しているアミノ基
がジ（シアノアルキル）アミノ基である請求項３に記載
の赤外線カットフィルター。 - 【請求項５】シアノアルキル基がシアノプロピル基であ
る請求項４に記載の赤外線カットフィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11182636A JP2000081511A (ja) | 1998-06-30 | 1999-06-29 | 赤外線カットフィルタ― |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18476598 | 1998-06-30 | ||
| JP10-184765 | 1998-06-30 | ||
| JP11182636A JP2000081511A (ja) | 1998-06-30 | 1999-06-29 | 赤外線カットフィルタ― |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000081511A true JP2000081511A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=26501365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11182636A Pending JP2000081511A (ja) | 1998-06-30 | 1999-06-29 | 赤外線カットフィルタ― |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000081511A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003097580A1 (fr) * | 2002-05-20 | 2003-11-27 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Melanges de sels de di-imonium, melanges de sels d'aminium et leurs utilisations |
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| JP2005325292A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Japan Carlit Co Ltd:The | 近赤外線吸収色素及び近赤外線遮断フィルター |
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| KR100745728B1 (ko) * | 2004-02-23 | 2007-08-02 | 주식회사 엘지화학 | 색보정과 근적외 흡수 기능을 갖는 다기능 점착제 필름과이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 필터 |
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| US7524619B2 (en) * | 2002-11-22 | 2009-04-28 | Japan Carlit Co., Ltd. | Coloring matter absorbing near-infrared ray and filter for cutting off near-infrared ray |
| US8323536B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorbing dye, near-infrared absorptive film-forming composition, and near-infrared absorptive film |
| WO2014069197A1 (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 株式会社Adeka | アルカリ現像性感光性組成物 |
| US8722307B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP11182636A patent/JP2000081511A/ja active Pending
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