KR20050089147A - 알킬-수소 실록산 분해 방지용 첨가제 - Google Patents

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KR20050089147A
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다니엘 제이. 테프
그레고리 비. 스미스
존 엘. 카골라
팀 에스. 안드레이카
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후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
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Abstract

5 a) 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 및 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들 b) 화학식 (1) R4 R5 R3 O-H R2 R1에 나타나 있는 항산화화합물로서, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고 상기 식 중, R1 내지 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있다. 본 발명의 조성물은 안정성을 나타내고 오가노히드로실록산 산물의 저장 수명을 상당히 연장시키고, 화학적 공정들 또는 반도체 제조에 있어서의 이들 생성물들을 다루는데 더 큰 유연성을 가질수 있게 한다. 결과적인 실록산의 안정화는 화학적 전달 라인들 또는 밸브들내에서의 생성물의 완전 중합(즉, 응결) 가능성을 방지하여 장비 유지 및 비용을 절감시키고 기계장치들의 제조 중단 시간을 감소시킨다.

Description

알킬-수소 실록산 분해 방지용 첨가제{Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes}
본 발명은 일반적으로 및 산소에 대하여 안정성을 나타내는 실록산 조성물에 관한 것이다. 더 자세하게는, 본 발명은 하나 또는 그 이상의 항산화 화합물들로 안정화된 오가노히드로실록산에 관한 것이다.
1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 (TMCTS)은 기능성 고분자 형성에 사용될 수 있는 오가노히드로실록산(즉, R은 알킬인 [-HSiR-O-] 단위들에 의해 구성된, 그리고 본 경우에는, 메틸인)의 일예이다. TMCTS는 고리형 오가노히드로실록산의 예이고, 이것은 개환 중합반응을 수행할 수 있는 능력이 있다. 이것은 또한 결과물인 고분자에 관능성(functionality)을 부여할 수 있는 반응성 Si-H 결합들을 가지고 있다. 이러한 특이한 물성에 기인하여, 반도체 산업은 최근 화학적 기상 증착에 의하여 반도체 웨이퍼들 상에 저 유전상수 유전체 필름을 플라즈마 강화 화학증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)하기 위한 신규 전구물질(precursor)로서 TMCTS를 선택하였다.
TMCTS 및 유사한 고리형 오가노히드로실록산을 반도체 제조에 도입하는 것은 심각한 제조상의 문제점들을 야기시켰는데, 왜냐하면 이들 물질들은 예측할 수 없게 중합할 수 있기 때문이다. 이러한 작용은 중합반응이 액체 내부에서 또는 영향을 받은 라인을 해체하거나 교체하는 것이 유일한 보수 방법인 기상 화학 전달 라인에서 일어난다면 매우 고비용이고 시간 소모적일 수 있다. 반도체 산업은 안정하고 예측가능하며 신뢰성 높은 산물을 요구하고, 이러한 작용은 대용량 반도체 제조에 있어서 허용될 수 없다. 따라서, 화학물질 공급기로부터 최종 산물 처리 공정으로 이동하는 동안, 심지어 다양한 조건들에 노출이 된 후에도 생성물이 중합되지 않도록 TMCTS를 안정화하는 수단을 찾는 것이 필요하게 되었다.
TMCTS 및 Si-H 결합들을 갖는 다른 알킬-수소 선형 또는 고리형 실록산은 공기의 산소 또는 다른 성분들과 반응할 수 있다. 이러한 반응은 상당한 양의 실록산이 분해되는 것을 야기시킬 수 있고, 고리형 물질들에 관해서는, 실온에서 짧은 시간 동안의 공기 노출 후에도 최종적으로 완전 중합이 될 수 있다.
화학물질의 분해는 저장 수명을 감소시키고, 산물의 품질을 저하하고, 그리고, 만약 물질이 화학적 처리 장비내에서 중합된다면 장비의 중단시간 유발과 같은 더 큰 문제점까지도 야기할 수 있다.
안전 문제들은 또한 가압 화학적 라인들 및 밸브들이 차단되는 경우에 중요한 문제가 된다.
반도체 산업에 있어서, 오가노히드로실록산 산물을 고분자량 화학종으로 분해하는 것은 화학적 사용에 있어서 추가적인 문제점들을 야기한다. 높은 끓는 점 (예를 들면, > 50 ℃)의 물질들을 처리 수단에 도입하는데 있어서 가장 통상적인 방법은 직접적으로 화학물질의 증기 또는 분무제를 실험실 주변 압력 이하의 처리 챔버(process chamber)로 흐르는 가열된 "캐리어(carrier)" 가스 스트림에 직접 주입하는 것이다. 캐리어 가스의 가열된 스트림은 생성물을 증기화하고, 생성물 증기는 처리 챔버로 이동되는데, 처리 챔버에서는 실록산이 탄소 도핑 규소 산화물 필름으로 변형된다. 그러나, 본 기술은 일반적으로 장비내부에 생성물 증기가 균일하게 하기 위하여 단일의 순수한 화학종을 사용하는 경우와 관련된다. 분해된 오가노히드로실록산에서 발견되듯, 만약 고분자량 화학종이 존재한다면,이들은 가열된 가스 스트림에서 쉽게 증기화되지 않고, 대신에 단순히 처리 장비의 내부 표면들에 모인다. 이러한 상황은 몇몇 문제점들을 유도하는데, 문제에는 예를 들면, 이동 라인들 및 밸브들의 막힘 및 웨이퍼 상의 입자 형성 등이 포함된다.
종래기술에서는 실록산 및 실란 함유 조성물을 안정화시키기 위한 시도들이 있어왔다. Stein 등의 미국 특허 제 5,177,142호는 불포화 기를 함유하는 폴리디오가노실록산, Si-H 기들을 함유하는 가교제, 및 수소화규소첨가 촉매를 포함하는 규소 방출 코팅 조성물을 개시하고 있다. 촉매는 조성물내에서, 알콕시페놀과 같은 자유 라디칼 억제제를 적어도 하나 포함시켜 억제된다. 결과적으로, 조성물은 아크릴 접착제에 결합하는 경향이 감소된다.
Bryson의 미국 특허 제 5,556, 901호는 특히 규소 카바이드를 제조하는데 사용되는 폴리실란계 조성물을 개시하고 있다. 조성물은 산화, 폴리실록산-타입 생성물 형성, 및 적어도 하나의 항산화 계에 의하여 분해될 수 있는 폴리실란 사슬들을 포함한다. 항산화 계는 폴리실란의 공기에 대한 감도를 상당히 감소시킨다.
종래기술에서 부족한 것은 본 발명과 같은 반도체 분야에 사용되기 위하여 습기 및 산소에 대하여 향상된 안정성을 나타내는 오가노히드로실록산을 포함하는 조성물이다. 본 발명의 안정한 조성물은 오가노히드로실록산 생성물의 저장 수명을 상당히 연장시키고, 화학적 공정들 또는 반도체 제조에서 이들 생성물을 다루는데 있어서 상당한 유연성을 제공한다.
실록산의 결과적인 안정화는 화학적 전달 라인들 또는 밸브들에서의 생성물의 완전한 중합 반응(즉, 응결)의 가능성을 방지하는데, 이는 장비 유지 및 비용을 절감시키고 기계장치들의 제조 중단 시간을 감소시킨다. 또한, 고분자량 화합물들 형성을 감소시키는 것은 더 균일한, 더 높은 품질의 침착된 필름을 만들어내면서 증기 전달 라인들에서의 고분자량 화합물들이 점진적으로 침착되는 것에 대한 우려 없이 생성물을 균일하게 증발시키는 것이 가능하게 한다.
발명의 요약
본 발명은
a. 각각 적어도 하나의[-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의오가노히드로실록산 화합물들; 및
b. 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
식 중 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함하는 오가노히드로실록산 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한
a. 각각 적어도 하나의[-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들;
b. 화학식 (1)의 항산화 화합물,
식 중 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
c. 화학식 (2)의 알콕시실란으로서,
알콕시실란은 약 1 ppm 및 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고; 그리고 식 중, R6는 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 R7, R8, 및 R9는 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 오가노히드로실록산 조성물을 제공한다.
상기 조성물 이외에도, 본 발명은 또한
a. 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림내로 도입하여, 처리 증기를 형성시키는 단계;
b. 기판의 표면을 처리 증기와 접촉시키는 단계; 및
c. 처리 증기를 분해하여, 기판상에 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하는 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법으로서,
오가노히드로실록산 조성물은
a. 각각 적어도 하나의[-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들; 및
b. 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
식 중, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함하는 것인 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판상에 산화물 층을 형성하는 또다른 방법은
a. 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림내로 도입하여, 처리 증기를 형성시키는 단계;
b. 기판의 표면을 처리 증기와 접촉시키는 단계; 및
c. 처리 증기를 분해하여, 기판 상에 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하고,
오가노히드로실록산 조성물은
a. 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들;
b. 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
식 중 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
c. 화학식 (2)의 알콕시실란으로서,
알콕시실란은 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고; 그리고 식 중, R6은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 R7, R8, 및 R9는 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함한다.
도 1은 본 발명에 따른 조성물을 사용하기 위해 반도체 산업에서 활용되는 필름 침착 수단을 나타내는 것이다.
본 발명의 조성물은 안정성을 나타내고, 오가노히드로실록산 생성물의 저장수명을 상당히 연장시키고, 화학적 공정들 또는 반도체 제조에서 이들 생성물들을 다루는데 있어서 유연성을 증진한다. 실록산의 결과적인 안정화는 화학적 전달 라인들 또는 밸브들에서 생성물의 완전 중합(즉, 응결)의 가능성을 방지하는데, 이는 장비 유지 및 비용을 절감시키고 기계장치들의 제조 중단 시간을 감소시킨다. 또한, 고분자량 화합물들의 형성 감소로 인하여 생성물의 균일한 증발이 가능하게 되고, 이로서 고분자량 화합물들이 증기 전달 라인들내에서 점진적으로 침착되는 것에 대한 우려 없이 더 일관된, 더 높은 품질의 침착된 필름들을 생성하도록 유도하게 된다. 나아가 본 발명의 목적은 안정화된 오가노히드로실록산 조성물의 사용 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 주요 일측면은 본 발명의 조성물로 침착된 필름들이 현존하는 조성물을 사용하여 침착된 필름들의 물성들과 유사하고/유사하거나 더 나은 물성을 갖는다는 것을 알게된 것이다. 따라서, 본 발명의 조성물은 처리상의 변화들 및/또는 바람직하지 않은 성능 변화 없이 현존하는 조성물을 순조롭게 대체할 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예에서, 오가노히드로실록산 조성물은
A) 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들; 및
B) 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있는 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 오가노히드로실록산 조성물은
a) 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의오가노히드로실록산 화합물들;
b) 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있는 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
c) 화학식 (2)에 나타나있는 화학식 (R6O)SiR7R8R9의 알콕시실란으로서, 알콕시실란 화합물은 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고, 그리고 R6는 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 R7, R8, 및 R9는 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (2)에 나타나있는 화학식 (R6O)SiR7R8R9의 알콕시실란을 포함한다.
본 발명은 또한 웨이퍼상에 탄소-도핑된 규소 산화물(carbon-doped silicon oxide) 층을 형성하기 위하여 오가노히드로실록산 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에서, 방법은
a) 용기에 넣은 오가노히드로실록산 조성물, 필름 침착 수단, 용기 및 필름 침착 수단을 연결하는 수단, 필름 침착 수단내의 가스 스트림 및 기판을 준비하는 단계;
b) 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림내로 도입하여 처리 증기(processs vapor)를 형성시키는 단계;
c) 오가노히드로실록산 조성물의 증기를 필름 침착 수단내의 기판으로 이동시키는 단계; 및
d) 플라즈마, 열 또는 화학반응과 같은 수단 중 하나 또는 그 이상의 수단을 이용하여, 오가노히드로실록산 조성물을 분해하여, 기판상에 탄소-도핑된 규소 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하고,
오가노히드로실록산 조성물은
1) 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들; 및
2) 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고, 그리고 식 중, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 웨이퍼상에 탄소-도핑된 규소 산화물 층을 형성하기 위하여 오가노히드로실록산 조성물을 사용하는 방법은
a) 용기에 넣은 오가노히드로실록산 조성물, 필름 침착 수단, 용기 및 필름 침착 수단을 연결하는 수단, 필름 침착 수단내의 가스 스트림 및 기판을 준비하는 단계;
b) 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림내로 도입하여, 처리 증기를 형성시키는 단계;
c) 오가노히드로실록산 조성물의 증기를 필름 침착 수단내의 기판으로 이동시키는 단계; 및
d) 플라즈마, 열 또는 화학반응과 같은 수단 중 하나 또는 그 이상의 수단을 이용하여, 오가노히드로실록산 조성물을 분해하여, 기판상에 탄소-도핑된 규소 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하고
오가노히드로실록산 조성물은
1) 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 식 중, R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들;
2) 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고, 그리고 식 중, 상기 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있는 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
3) 화학식 (2)에 나타나있는 화학식(R60)SiR7R8R9의 알콕시실란으로서, 알콕시실란 화합물은 약 1 ppm 내지 약 5,000 ppm의 농도로 존재하고, 그리고 R6는 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 R7, R8, 및 R9는 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (2)에 나타나있는 화학식(R60)SiR7R8R9의 알콕시실란을 포함한다.
오가노히드로실록산은 선형 또는 고리형일 수 있다. 본 발명의 선형 오가노히드로실록산 화합물들의 적절한 예들은 화학식 (3) 또는 화학식 (4)에 개시되어 있다. 화학식 (3) 또는 (4)에서, R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있고, 그리고 R11 내지 R16 은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있고, x는 1 내지 약 20의 범위일 수 있고, 그리고 y는 0 내지 약 20의 범위일 수 있다. 또한, R11 내지 R16 중 적어도 하나가 H일 때, x는 0과 같을 수 있다. 화학식 (3) 및 (4)의 예들에는 반드시 이에 한정되지는 않으나 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 메틸페닐, 시클로헥실, 이소프로필과 같고, R11 내지 R16에 대하여는 추가적으로 H와 같을 수 있는 R10 내지 R16을 갖는 것이 포함되는데 여기서 y는 약 0 내지 약 10의 범위일 수 있고, x는 약 1 내지 약 10의 범위일 수 있거나 그대신에 R11 내지 R16 중 어느 하나가 H라면 0과 같을 수 있다. 바람직한 화학식 (3) 및 (4)의 예들에는 반드시 이에 한정되지는 않으나 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 메틸페닐, 시클로헥실, 이소프로필과 같고, R11 내지 R16에 대하여는 추가적으로 H와 같을 수 있는 R10 내지 R16을 갖는 것이 포함되는데 여기서 x는 약 1 내지 약 8의 범위일 수 있고, y는 약 0 내지 약 8의 범위일 수 있다. 더 바람직한 화학식 (3) 및 (4)의 예들에는 반드시 이에 한정되지는 않으나, 메틸, 에틸, 시클로헥실과 같고, R11 내지 R16에 대하여는 추가적으로 H와 같을 수 있는 R10 내지 R16을 갖는 것이 포함되는데, 여기서 x는 약 1 내지 약 4의 범위일 수 있고, y는 약 1 내지 약 5의 범위일 수 있다. 반도체 분야에 사용되는 화학식 (3) 및 (4)에 대하여는, R10 에 대하여는 메틸이 가장 바람직하고, R11 내지 R16에 대하여는 메틸 또는 H가 가장 바람직하고, 그리고 x는 약 3 내지 약 4의 범위일 수 있고 반면 y는 약 3 내지 약 4의 범위일 수 있다.
화학식 (3)에 개시된 선형 오가노히드로실록산의 적절한 예들에는 1,1,1,3,3-펜타메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타에틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타에틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타페닐트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사에틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사페닐테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타에틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타페닐펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나메틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나에틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나페닐펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타메틸헥사실록산(1,1,3,5,7,9,11,11-octaamethylhexasiloxane), 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타에틸헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타페닐헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타(4-메틸페닐)헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카메틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카에틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카페닐헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카(4-메틸페닐)헥사실록산이 포함된다.
화학식 (4)에 개시된 선형 오가노히드로실록산의 적절한 예들에는 1,1-디에틸-3,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에틸트리실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3,3-디메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사페닐트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카메틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카에틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카페닐펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카메틸헥사실록산( 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-dodecaamethylhexasiloxane), 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카에틸헥사실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카페닐헥사실록산, 및 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카(4-메틸페닐)헥사실록산이 포함된다.
본 발명의 고리형 오가노히드로실록산 화합물들의 적절한 예들은 화학식 (5)에 개시되어 있다. 화학식 (5)에서, 각각의 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있고 z는 약 2 내지 약 21의 범위일 수 있다. 화학식 (5)의 예들에는 반드시 이에 한정되는 것은 아니나, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 메틸페닐, 시클로헥실, 또는 이소프로필과 같은 R17을 갖는 것이 포함되고 여기서 z는 약 2 내지 약 21의 범위에 있을 수 있다. 바람직한 화학식 (5)의 예들은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실과 같은 R17을 갖는 것이 포함되고, 여기서 z는 약 2 내지 약 11의 범위일 수 있다. 더 바람직한 화학식 (5)의 예들에는 메틸, 에틸, 또는 시클로헥실과 같은 R17을 갖는 것이 포함되고, 여기서 z는 약 2 내지 약 7의 범위일 수 있다. 반도체 분야에 사용하기에 가장 바람직한 화학식 (5)의 예들에는 메틸과 같은 R17을 갖는 것을 포함되고 여기서 z는 약 2 내지 약 5의 범위일 수 있다.
화학식 (5)에 개시된 고리형 실록산의 예들에는 1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리페닐시클로트리실록산, 1,3,5-트리(4-메틸페닐)시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라페닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라(4-메틸페닐)시클로테트라실록산, 1,5-디메틸-3,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3-디메틸-5,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타에틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타페닐시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타(4메틸페닐)시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사에틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사페닐시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사(4메틸페닐)시클로헥사실록산, 1,5,9-트리메틸-3,7,11-트리에틸시클로헥사실록산, 및 1,3,5-트리메틸-7,9,11-트리에틸시클로헥사실록산이 포함된다.
화학식 (5)에서처럼, 고리형 오가노히드로실록산은 화학식 (3) 또는 (4)에서처럼, 선형 화합물들과 비교하여 볼 때, 고분자 화학종 형성 능력이 탁월하다는 이유에 의하여 반도체 산업에서 사용하기에 바람직하다. 고리형 오가노히드로실록산의 바람직한 예들에는 1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산 및 1,3,5,7,9펜타에틸시클로펜타실록산이 포함된다. 1,3,5-트리메틸시클로트리실록산 및 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산이 반도체 산업에 대하여 가장 바람직하다.
유전 상수, 필름 경도 및 굴절률과 같은 기판에 침착된 층(layer)의 물성들은 필름 침착 수단에 공급되는 조성물의 화학적 성질을 변화시키는 것에 의하여 영향을 받는다. 예를 들면, 유전 상수는 약 2.0 내지 약 4.0의 범위일 수 있는데, 이는 사용될 처리 조건들에 의존한다. 약 2.7 이하의 유전상수를 갖는 물질들은 더 새로운 반도체 장치들에 대하여 바람직하다. 층의 물성들은 오가노히드로실록산의 종류(identity)를 변경하거나, 한 종류의 다른 유동 가스(flow gas)를 사용하거나, 또는 하나 또는 그 이상의 다른 반응성 가스들을 사용하여 조절할 수 있다. 층 물성들에 영향을 미치는 또다른 수단은 오가노히드로실록산의 조합(combination)을 사용하거나, 또는 오가노히드로실록산을 실란, 폴리실란, 실록산, 폴리실록산 및 그와 동종의 것들과 같은 다른 규소-함유 분자들과 조합하여 사용하는 것이다. 오가노히드로실록산을 조합하거나 또는 다른 규소 화합물들과 조합하여 사용하는 것을 결정하거나 또는 그들을 조합하는 비율 및 방법을 결정하는 것은 전적으로 원하는 바람직한 효과가 어느것이냐에 달려있다. 그러한 조합에서, 상대비율은 이-성분 계의 경우에는 약1% 내지 약 99% 의 범위일 수 있고, 삼-성분 계의 경우에는 세가지 성분들의 합이 어떠한 첨가제도 없이 조성물의 약 100 %를 구성하고 있는 조건하에서 약 1 % 내지 약 99 %의 범위일 수 있다.
본 발명의 적절한 페놀성 항산화제는 화학식 (1)에 나타나 있는데, 식 중 R1 내지 R5가 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴일 수 있다. 적절한 R1 내지 R5의 예들에는 H, OH, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, 부틸, 이소-부틸, 터트-부틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소-프로폭시, 부톡시 또는 터트-부톡시가 포함된다. 화학식 (1)의 R1 내지 R5의 바람직한 예들에는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸이 포함된다. 가장 바람직한 예들은 H 및 메톡시인데, R1, R2, R4 및 R5가 H이고 R3이 메톡시인 경우이다.
화학식 (1)의 적절한 예들에는 페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-프로필페놀, 4-이소-프로필페놀, 4-부틸페놀, 4-세크-부틸페놀, 4-이소-부틸페놀, 4-터트-부틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-메톡시페놀, 4-에톡시페놀, 4-프로폭시페놀, 4-부톡시페놀, 2,4-디-터트-부틸페놀, 2-(1-메틸부틸)페놀, 2-(벤질옥시)페놀, 2-터트-부틸-6-메틸페놀, 3,4,5-트리메톡시페놀, 3-에톡시-4-메틸페놀, 4-벤질옥시페놀, 4-벤질-2,6-디-터트-부틸페놀, 2-(2-부테닐)페놀, 2-(4-메틸벤질)페놀, 2,6-디-터트-부틸-4-메틸페놀 (BHT), 1,2-디히드록시벤젠, 2,4,6-트리스-벤질옥시페놀, 2,4-디시클로헥실-5-메틸페놀 및 6-터트-부틸-1,2-디히드록시벤젠이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화학식 (1)의 바람직한 항산화제에는 페놀, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 및 2-메톡시페놀이 포함된다. 화학식 (1)의 가장 바람직한 항산화제는 4-메톡시페놀이다.
페놀성 첨가제의 적절한 농도는 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm과 같은 일정 농도범위에서 얻을 수 있다. 적절한 농도 범위는 적절한 농도의 저점(low end) 및 적절한 농도의 고점(high end)을 정의하여 정의될 수 있을 것이다.
페놀성 첨가제의 적절한 농도 범위의 저점은 약 1 ppm 내지 약 200 ppm일 수 있다. 저점 농도 범위에 대한 적절한 농도는 1 ppm, 5 ppm, 10 ppm, 25 ppm, 50 ppm, 100 ppm, 150 ppm, 및 200 ppm을 포함하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
적절한 농도 범위의 고점은 조성물의 안정화에 임계적인 사항은 아니나, 침착된 필름 순도 및 오가노히드로실록산내에서의 페놀성 첨가제의 용해도와 같은 사항을 고려하여 볼 때 제한될 수 있을 것이다. 고점 페놀성 첨가제 농도의 적절한 농도 범위는 약 1000 ppm 내지 약 5000 ppm일 수 있다. 고점에 대한 적절한 농도의 예들은 1000 ppm, 1500 ppm, 2000 ppm, 2500 ppm, 3000 ppm, 3500 ppm, 4000 ppm, 4500 ppm, 및 5000 ppm을 포함하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
페놀성 첨가제의 적절한 농도의 예는 1 내지 약 1000 ppm의 범위이다. 페놀성 첨가제의 바람직한 농도는 약 10 내지 약 500 ppm의 범위이다. 페놀성 첨가제의 더 바람직한 농도는 약 25 내지 약 200 ppm의 범위이다. 페놀성 첨가제의 가장 바람직한 농도는 약 50 내지 약 100 ppm의 범위이다.
화학식 (1)의 페놀성 첨가제의 농도는 단일 페놀성 첨가제 또는 페놀성 첨가제의 혼합물일 수 있다. 페놀성 첨가제의 혼합물은 임의의 상대적 비율을 가질 수 있다.
반도체 산업에 유용한 첨가제는 휘발성 있고, 300 ℃ 미만의 끓는점을 갖고, 그리고 가장 바람직하게는 끓는 점이 안정화된 생성물의 끓는점에 근접한 화학종에 한정된다. TMCTS의 끓는점은 135 ℃이고, 따라서 첨가제는 끓는점이 135℃ 근처 또는 그 이하인 것이 가장 바람직하다. 또한, 반도체 산업에 적용하는 것은 선택된 전구물질의 물성들을 제한하게 될 것이다. 예를 들면, 층간 유전체 (interlayer dielectric, ILD) 필름들을 형성하는 것은 칩내에서의 주변 층들과의 상용성 문제들에 기인하여 오직 규소, 산소, 탄소 및 수소를 사용하는 것으로 전구물질 선택을 제한하게 된다. 라디칼 억제제들의 선택 또한 이런 기본원칙을 따라야하며, 그리하여 레시틴 및 리포산과 같은 통상적인 라디칼 억제제들에서 찾을 수 있는 질소, 황 및 인은 회피되어야만 한다. 반도체 산업에서 유용한 억제제들의 휘발성 및 기본적인 제한들을 유념하면, 바람직한 선택은 페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀 및 4-메톡시페놀이고, 이들 제품의 끓는점들은 각각 182 ℃ 내지 243 ℃의 범위에 있다.
적절한 알콕시실란 첨가제 화합물들의 예들은 화학식 (2)에 나타나있는데, 식 중 R6는 C1-C18 선형, 고리형 또는 가지형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴 이고; R7, R8, 및 R9은 독립적으로 H, C1-C18 선형, 고리형 또는 가지형 알킬, C1-C18 선형, 고리형 또는 가지형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이다. 적절한 R6 기들의 예들에는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, 부틸, 이소-부틸, 세크-부틸, 터트-부틸, 페닐 또는 메틸페닐이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 적절한 R7, R8, 및 R9 기의 예들에는 H, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, 부틸, 이소-부틸, 세크-부틸, 터트-부틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소-프로폭시, 부톡시, 이소-부톡시, 세크-부톡시, 터트-부톡시, 페닐 또는 메틸페닐이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화학식 (2)의 R6의 바람직한 예들에는 메틸, 에틸 및 프로필이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. R6의 가장 바람직한 예는 메틸이다. R7, R8 및 R9의 바람직한 예들에는 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 및 프로폭시가 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. R6의 가장 바람직한 예들은 메틸 및 에틸이다. R7, R8 및 R9의 가장 바람직한 예들에는 메틸, 에틸, 메톡시 및 에톡시가 포함된다.
화학식 (2)의 적절한 예들에는 트리메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리프로필메톡시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리(4-메틸페닐)메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디프로필디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디(4-메틸페닐)디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 4-메틸페닐트리메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리프로필에톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 트리(4-메틸페닐)에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디프로필디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디(4-메틸페닐)디에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 4-메틸페닐트리에톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리에틸프로폭시실란, 트리프로필프로폭시실란, 트리페닐프로폭시실란, 트리(4-메틸페닐)프로폭시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디프로필디프로폭시실란, 디페닐디프로폭시실란, 디(4-메틸페닐)디프로폭시실란, 메틸트리프로폭시실란, 에틸트리프로폭시실란, 프로필트리프로폭시실란, 페닐트리프로폭시실란, 4-메틸페닐트리프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란, 트리에틸부톡시실란, 트리프로필부톡시실란, 트리페닐부톡시실란, 트리(4-메틸페닐)부톡시실란, 디메틸디부톡시실란, 디에틸디부톡시실란, 디프로필디부톡시실란, 디페닐디부톡시실란, 디(4-메틸페닐)디부톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리부톡시실란, 프로필트리부톡시실란,페닐트리부톡시실란, 4-메틸페닐트리부톡시실란, 트리메틸페녹시실란, 트리에틸페녹시실란, 트리프로필페녹시실란, 트리페닐페녹시실란, 트리(4-메틸페닐)페녹시실란, 디메틸디페녹시실란, 디에틸디페녹시실란, 디프로필디페녹시실란, 디페닐디페녹시실란, 디(4-메틸페닐)디페녹시실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리페녹시실란, 프로필트리페녹시실란, 페닐트리페녹시실란, 4-메틸페닐트리페녹시실란, 트리메틸(4-메틸페녹시)실란, 트리에틸(4-메틸페녹시)실란, 트리프로필(4-메틸페녹시)실란, 트리페닐(4-메틸페녹시)실란, 트리(4-메틸페닐)(4-메틸페녹시)실란, 디메틸디(4-메틸페녹시)실란, 디에틸디(4-메틸페녹시)실란, 디프로필디(4-메틸페녹시)실란, 디페닐디(4-메틸페녹시)실란, 디(4-메틸페닐)디(4-메틸페녹시)실란, 메틸트리(4-메틸페녹시)실란, 에틸트리(4-메틸페녹시)실란, 프로필트리(4-메틸페녹시)실란, 페닐트리(4-메틸페녹시)실란, 4-메틸페닐트리(4-메틸페녹시)실란이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화학식 (2)의 바람직한 예들에는 트리메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리프로필메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디프로필디메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리프로필에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디프로필디에톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리에틸프로폭시실란, 트리프로필프로폭시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디프로필디프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란, 트리에틸부톡시실란, 트리프로필부톡시실란, 디메틸디부톡시실란, 디에틸디부톡시실란, 및 디프로필디부톡시실란이 포함된다. 화학식 (2)의 가장 바람직한 예들에는 트리메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리프로필메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리프로필에톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리에틸프로폭시실란, 트리프로필프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란, 트리에틸부톡시실란, 및 트리프로필부톡시실란이 포함된다.
화학식 (2)의 알콕시실란 첨가제 화합물들의 적절한 농도는 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm와 같은 일정 범위의 농도로부터 얻을 수 있다. 적절한 농도 범위는 적절한 농도의 저점 및 적절한 농도의 고점을 정의하여 정의될 수 있다.
알콕시실란 첨가제 화합물에 대한 적절한 농도의 저점 범위는 약 1 ppm 내지 약 500 ppm 일 수 있다. 저점 농도 범위에 대한 적절한 농도는 1 ppm, 5 ppm, 10 ppm, 25 ppm, 50 ppm, 100 ppm, 200 ppm, 300 ppm, 400 ppm 및 500 ppm을 포함하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
알콕시실란 첨가제 화합물에 대한 적절한 농도 범위의 고점은 약 1000 ppm 내지 약 5000 ppm일 수 있다. 고점 농도 범위에 대한 적절한 농도의 예들에는 1000 ppm, 1500 ppm, 2000 ppm, 2500 ppm, 3000 ppm, 3500 ppm, 4000 ppm, 4500 ppm, 및 5000 ppm이 포함되나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
화학식 (2)의 알콕시실란 첨가제의 농도는 단일 알콕시실란 첨가제 또는 알콕시실란 첨가제의 혼합물일 수 있고, 및 알콕시실란 첨가제의 혼합물은 임의의 상대적 비율일 수 있다.
알콕시실란 첨가제 및 페놀성 첨가제가 둘 다 사용되는 경우 바람직한 농도는, 실록산, 페놀성 첨가제 및 알콕시실란 첨가제가 어떤것인지에 기초하여 변화한다. 일반적으로, 둘을 조합하여 사용하는 경우 알콕시 실란의 농도는 페놀성 첨가제의 농도를 초과하는 것이 바람직하다. 이는 특히 고분자량 오가노히드로실록산에서 고체 페놀성 첨가제를 더 큰 백분율로 사용하는 경우 겪게 되는 용해도 문제에 기인한다. 또한, 오가노히드로실록산을 안정화시키기 전에 알콕시실란에 고체인 페놀성 첨가제를 용해시키는 것이 유리할 수 있다. 이는 고체를 용기로부터 다른 용기로 세척하여야 하는 문제점들에 대한 걱정 없이 단일의, 균일하고 쉽게 계량된 액체를 첨가할 수 있게 한다.
알콕시실란 첨가제의 적절한 농도의 예는 약 1 내지 약 5000 ppm의 범위이고 또한 페놀성 첨가제의 적절한 농도는 약 1 내지 약 1000 ppm이다. 알콕시실란 첨가제의 바람직한 농도의 예는 약 10 내지 약 2500 ppm의 범위이고, 또한 페놀성 첨가제의 바람직한 농도는 약 10 내지 약 500 ppm이다. 알콕시실란 첨가제의 더 바람직한 농도의 예는 약 100 내지 약 1000 ppm의 범위이고, 또한 페놀성 첨가제의 더 바람직한 농도는 약 25 내지 약 200 ppm이다. 알콕시실란 첨가제의 가장 바람직한 농도의 예는 약 250 내지 약 500 ppm의 범위이고 또한 페놀성 첨가제의 가장 바람직한 농도는 약 50 내지 약 100 ppm이다.
도 1을 참조하면, 화학식 (3), (4) 및 (5)에 나타나있는 타입의 화학적 전구물질(precursor)들은 전형적으로 스테인레스 강 용기들 (1)에 포장되고, 수송되고 저장되어 제품품질을 최대한의 기간 동안 유지할 수 있게 한다. 전구물질의 저장 수명을 연장시키기 위하여, 질소, 아르곤 또는 헬륨과 같은 불활성 기체하에서 제품을 포장하는 것이 일반적이다. 제품 용기는 그리고 나서 제품 및 처리 순도 및 일관성을 유지하기 휘하여 정확하게 제어되는 수단에 의해 화학물질을 이하에서는 필름 침착 수단(film deposition tool)이라 언급되는 처리장비로 이동시키는 화학적 전달 장비와 연결된다.
전구물질은 화학적 전달 라인들 (2)을 통하여 용기 (1)로부터 필름 침착 수단 (11)에 장착된 증발기 또는 분무 장치 (3)로 이동된다. 전구물질은 전달 라인 (2)를 통하여 불활성 기체로 용기 가압, 기계적인 펌핑 메커니즘 사용, 중력이용공급, 또는 이들의 조합을 포함하나 반드시 이에 한정되지는 않는 다양한 수단으로 용기(1)로부터 증발기 또는 분무 장치 (3)로 이동시킬 수 있다.
적절한 전구물질 유량은 약 0.01 내지 약 10 mL/분의 범위일 수 있다. 증발기 또는 분무 장치 (3)는 액체 전구물질을 증기 또는 분무로 빠르게 전환시키는 수단으로서 보조하고, 전구물질의 액체로부터 가스 상태로의 전환이 증발기 또는 분무 장치 (3) 또는 화학물질 증기 처리 라인 (5) 중 어느 하나에서 일어날 수 있음에도 불구하고, 여기에는 열, 고압가스, 또는 이러한 목적을 달성할 수 있는 다른 수단과 같은 다양한 기술들을 사용할 수 있다. 전구물질은 증기 또는 분무의 형태로 전구물질 증기가 라인 (5)의 내부에서 응결되는 것을 방지하기 위하여 일반적으로 약 30 ℃ 및 약 120 ℃ 사이로 가열되는 화학물질 증기 처리 라인 (5)으로 주입된다. 이 라인은 필름 침착 수단 (11)내부의 처리 챔버(4)로 연결되고 기판 (6)은 처리 챔버(4)내에 장착된다. 처리 챔버(4) 및 화학물질 증기 처리 라인 (5)은 주변압 (즉, 760 토르)에서 작동시킬 수 있으나, 대기압이하, 약 0.01 토르 내지 약 700 토르에서 작동시켜, 전구물질의 증발을 증강시키고 전구물질을 증기상으로 유지하는 것을 보조하는 것도 또한 일반적이다.
전구물질 증기는 화학물질 증기 처리 라인 (5)을 통하여 증발기 또는 분무 장치 (3)를 흘러 통과한 가스 스트림에 의해 처리 챔버(4)내의 기판 (6)으로 이동된다. 가스 스트림은 원료 탱크 (7)로부터 공급되고 가스 전달 라인 (8)을 통하여 화학물질 증기 처리 라인 (5)으로 흐른다. 약 5 sccm 내지 약 10,000 sccm의 유량을 갖는 가스 스트림은 전구물질의 증발을 향상시키기 위하여 및 전구물질을 증기상으로 유지시키는 것을 보조하기 위하여 종종 가열된다. 사용되는 가스는 질소, 헬륨 또는 아르곤과 같은 불활성일 수 있는데 이는 단순히 전구물질증기를 기판으로 이동시키기 위한 수단으로서 작용하도록 선택된 것이고, 또는 이것은 산소, 오존, 암모니아, 아산화질소, 이산화탄소, 일산화탄소, SiH4, 실란, 사불화규소, 히드라진 및 그와 동종의 것들과 같은 반응성 가스일 수 있다. 저 유전상수 필름(low k film)의 침착에 통상적으로 사용되지 않는 원소들을 포함하는 질소를 함유하는 암모니아와 같은 특정한 반응성 가스들은 침착된 필름의 변형이 바람직한 경우에 사용될 수는 있다. 침착 방법의 최종 단계에서 암모니아 가스를 흘려넣어 질소로 필름의 상부를 질소로 도핑하여 저 유전상수 필름의 침착 과정을 완결하는 것은 특이한 일은 아니다.
전구물질증기가 기판 (6)으로 이동함에 따라, 이동 가스 뿐만 아니라 하나 또는 그 이상의 반응물들과 혼합될 수 있어서, 기판상에 이들이 침착되는 것을 향상시키거나 또는 특별한 방식으로 결과물인 필름에 도핑된다. 반응물들은 전술한 반응성 가스들일 수 있고, 또는 아민, 아미노알코올, 실란, 실록산, 알칸, 알켄, 알킨, 알코올, 에스테르, 케톤, 알데히드, 카르복시산, 아르신, 알킬비산염, 포스핀, 알킬인산염, 보란, 알킬붕산염, 및 그와 동종의 것들, 또는 그들의 임의의 조합과 같은 다른 화학적 전구물질들일 수 있다. 예를 들면, 이하의 전구물질들은 본 발명에서 사용될 수 있다: 메틸아민, 디메틸아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 디에틸실란, 비닐메틸디메톡시실란, 옥탄, 시클로부텐, 트리메틸실릴아세틸렌, t-부탄올, 메틸벤조에이트, 아세톤, 벤즈알데히드 또는 아세트산, 및 아르신, 트리메틸비산염, 트리에틸비산염, 포스핀, 트리메틸인산염, 트리에틸인산염, 트리메틸아인산염, 트리에틸아인산염, 디보란, 트리메틸붕산염, 및 트리에틸붕산염과 같은 불순물 화학물질들. 반응물들은 기판상에 전구물질을 침착시키는 것을 향시킬 수 있도록, 그리고 기판 상에 침착된 층의 화학물질의 종류(identity) 및 물성들을 변경하도록 신중하게 선택된다. 이들 반응물들은 원하는 효과에 따라 필름 침착 수단 (11)에 다양한 수단에 의하여 그리고 다양한 처리 위치에서 도입될 수 있다. 가스 형태로 반응물을 필름 침착 수단 (11)에 도입하는 것이 가장 편리한데, 그에 따라 액체 반응물들이 사용되는 경우에 추가적인 증발기 또는 분무 장치를 구비하는 것이 요청된다. 반응물을 도입하기 위하여 사용될 추가적인 증발기 또는 분무 장치, 또는 가스 전달 라인은 가스 전달 라인 (8)이 화학물질 증기 처리 라인 (5)을 만나는 지점 근처, 증발기 또는 분무 장치의 업스트림 또는 다운스트림, 플라즈마 (9)로 또는 그 근처로, 및/또는 필름 침착 수단 (11)의 필름 처리 챔버(4)의 측면들, 상부 또는 하부에 위치할 수 있다.
전구물질증기, 및 잠재적인 반응물들은 또한 열 또는 플라즈마 (9)와 같은 침착을 증강시키는데 사용되는 다른 조건들을 겪게된다. 전구물질증기는 기판에 접촉시키기 전에 기판상에 전구물질의 침착을 증강시키기 위하여 약 100 ℃ 및 약 800 ℃사이까지 예열시킬 수 있다. 플라즈마는 또한 전구물질증기에 에너지를 증가시키고 침착을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다. 또한, 침착된 필름의 물성들을 변화시키기 위하여 플라즈마 펄스를 주기적으로 가할 수 있다. 플라즈마 전력 및 펄스 지속시간은 전구물질의 침착을 향상시키기 위하여, 그리고 화학물질의 종류(identity) 및 기판 상에 침착된 층의 물성들을 변경시키기 위하여 신중하게 선택된다. 플라즈마는 또한 일정범위의 주파수에 걸쳐 적용될 수 있는데, 고주파수 및 저주파수 플라즈마 전력은 약 0내지 수 킬로와트 범위일 것이다. 기판은 또한 기판으로의 원료물질의 전달을 증진시키기 위하여 약 0 및 약 -400 VDC 사이의 바이어스를 가질 수 있다. 기판은 약 25 ℃ 내지 약 500 ℃로 가열되어 기판상에서 전구물질의 열적 파괴(breakdown)을 야기하거나, 또는 기판상에서 전구물질의 침착을 향상시키는데 사용될 수 있다.
만약 오직 오가노히드로실록산 및 불활성 가스만이 침착 과정에 사용된다면, 결과물인 필름은 Si,O, C 및 H로 구성될 것이다. 만약 가스 스트림에 산소가 사용된다면, 필름에서의 산소의 양은 증가할 수 있다. 탄소 및 질소는 탄소 또는 질소 함유 반응물들을 사용하여 첨가될 수 있다. 또한, 비소, 붕소 및 인은 이미 기술한대로 이들 화합물들을 함유하는 반응물들을 사용하는것에 의하여 첨가될 수 있다. 기판상에 침착된 필름은 이들과 접촉하는 반응물들에 전적으로 의존한다. 미반응 물질들은 배출라인 (10)을 통하여 배출된다.
다양한 조건들하에서 순수한 TMCTS의 분해와 첨가제로 안정화된 TMCTS의 분해를 비교하기 위하여 일련의 테스트가 고안되었다. 이들 테스트에서, 대략 5 그램의 안정화된 TMCTS 또는 안정화되지 않은 TMCTS 샘플들을 유리 앰풀에 넣었다. 밀봉되기 전에 샘플로부터 우발적으로 포함된 가스 불순물을 제거하기 위하여, 샘플은 액체 질소내에서 냉동시켰고, 앰풀의 상부공간(headspace)은 동적 진공(dynamic vacuum)하에서 비워지고, 그리고나서 샘플은 정적 진공(static vacuum)하에서 해동하였다. 이 과정은 반복되었고, 샘플은 반응성 가스와 함께 또는 반응성 가스 없이 불꽃 밀봉되었다. 제어군 샘플들은 진공하에서 밀봉되었고, 반면 반응성 테스트 샘플들은 주변압에서 대략 0.5 wt% 의 반응성 가스하에서 밀봉되었다.
사용된 반응성 가스들은 산소 및 이산화탄소였다. 이들 가스들은 이들이 공기의 반응성 성분들이기 때문에 선택되었다. 눅눅한 공기(humid air)도 또한 사용되었고, 이것은 공기를 수증기로 포화시키기 위하여, 통상의 실험실 안 공기를 워터버블러(waterbubbler)를 통하여 흐르게 하여 발생시켰다. 이러한 조건은 100% 습도인 공기에 TMCTS가 노출된 최악의 시나리오를 가상화하기 위하여 사용되었다.
샘플들은 각각의 가능한 반응성 조건에 대하여 준비되었고, 이들은 5일동안 25℃ 내지 120 ℃의 온도 범위에 노출되었다. 실험이 완결된 후에, 각각의 샘플에 대해 가스 크로마토그래피(gas chromatography, GC)를 사용하여 전체 분해정도를 측정하였다. 분해 백분율은 각각의 실험 전 후에 채취한 샘플의 가스 크로마토그램에서 비교하여 얻었고, 크로마토그램의 다른 화학종의 농도 증가로서 분해를 나타내었다.
실시예 1-20
표 1에 나타난 결과들은 순수한 TMCTS에 대하여, 이산화탄소에 노출되었을때 또는 진공을 유지하였을때, 60 ℃ 이상으로 가열된 샘플에 대하여 소량의 분해가 관찰되었다는 것을 보여준다. 샘플들이 산소 또는 공기에 노출되었을 때, 모든 온도에 있어서 상당한 분해를 관찰할 수 있었다. 5,000 ppm의 트리메틸메톡시실란 (TMMOS)을 안정화제로서 사용한 유사한 실험들에서, 진공하에서 또는 이산화탄소에 노출되었을때 60 ℃내지 120 ℃에서 분해는 관찰되지 않았다. 이러한 사실은 TMMOS 안정화제가 유사한 조건들하에서의 순수한 TMCTS와 비교하여 분해를 방지한다는 것을 지적하는 것이다. 그러나, TMMOS는 산소 존재하에서 TMCTS를 안정화시키지 않았다.
표 1
표 1에 나타난 결과들은 4-메톡시페놀(MHQ)이 사용된 경우, 90 ℃까지 TMCTS 분해가 관찰되지 않고, 120 ℃에서는 최소한의 분해만이 관찰되면서, 이것이 모든 온도범위에서 매우 효과적인 안정화제라고 증명되었음을 보여준다. 본 결과들은 또한 MHQ를 TMMOS와 조합하여 사용하는 경우 120 ℃에서 약간 더나은 결과를 나타낸다는 것을 알려준다. 이러한 사실은 MHQ 및 TMMOS의 사용이 총 분해율을 0.16%에서 0.05%로 감소시키는 실시예 15에서 가장 명백하다.
실시예 21-27
그다음에 TMCTS를 효과적으로 안정화시키기에 필요한 첨가제의 최소량을 측정하기 위하여 첨가제 농도 범위가 테스트되었다. TMCTS의 샘플들은 0 내지 5000 ppm의 농도의 MHQ와 함께 준비되었고, 샘플들은 전술한대로 산소 환경하에서 유리 앰풀내에 밀봉되었다. 샘플들은 5일 동안 120 ℃에서 가열되었고, 각각의 샘플내에 대하여 GC로 총 분해량을 측정하였다. 분해 백분율은 각각의 실험 전 후에 채취한 샘플들의 가스 크로마토그램을 비교하여 얻었고, 크로마토그램에서 다른 화학종의 농도 증가로서 분해를 나타내었다. 표 2에 나타난 결과들은 분해에 대하여 10 ppm정도의 낮은 농도의 MHQ도 TMCTS를 효과적으로 안정화시킨다는 것을 보여준다. 1000 ppm 또는 더 높은 농도의 MHQ에서는 용해도 문제가 나타남에도 불구하고, 5000 ppm이하의 MHQ의 농도는 TMCTS를 안정시키는데 효과적이라는 사실을 알수 있었다. 이들 농도들은 TMCTS에 용해가능한데, 농도가 증가함에 따라 TMCTS에 MHQ를 초기 용해시키는 것이 점차 어려워진다.
표 2
실시예 28-36
두개의 또다른 첨가제 타입들을 그들의 TMCTS 안정화 유효성을 측정하기 위하여 테스트하였고. 이들은 치환기 및 페놀고리에서의 치환기의 위치면에서 서로 다른 것들이다. TMCTS의 샘플들은 두가지 다른 페놀성 첨가제, 페놀 및 크레졸을 100 ppm 사용하여 각각의 반응성 조건에 대하여 준비되었다. 샘플들은 5일 동안 120 ℃에서 가열되었고, GC로 각각의 샘플내에서 총 분해량이 측정되었다. 분해 백분율은 각각의 실험 전 후에 채취한 샘플들의 가스 크로마토그램을 비교하여 얻었고, 크로마토그램에서 다른 화학종의 농도 증가로서 분해를 나타내었다. 이들 결과들은 순수한 TMCTS 및 100 ppm의 MHQ를 사용한 TMCTS에 대한 표 1의 결과들과 비교하여 볼때, 페놀 및 m-크레졸이 산소 및 습기있는 공기 존재하에서 MHQ 만큼 TMCTS를 안정화시킨다는 것은 알려준다.
표 3
실시예 37-45
선형 실록산을 안정화시키는 능력을 설명하기 위하여, 두가지 타입의 선형 실록산이 추가적인 테스트를 위하여 선택되었다. 화학식 (6)에 나타나 있는 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산 (HMTS)은 말단 규소 원자들에 있는 말단 수소원자들 때문에 선택되었다. 화학식 (7)에 나타나 있는 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산 (OMTS)은 중앙의 규소 원자들에 있는 내부 수소들 때문에 선택되었다.
첨가제가 없거나, 또는 표 4에 나타나있는대로 100 ppm의 MHQ을 사용한 각각의 반응성 조건에 대하여 HMTS 및 OMTS의 샘플들을 준비하였다. 샘플들은 5일동안 120 ℃에서 가열되었다. GC에 의해 각각의 샘플에 대하여 총 분해량이 측정되었다. 분해 백분율은 각각의 실험 전후에 채취한 샘플들의 가스 크로마토그램을 비교하여 얻었고, 크로마토그램에서 다른 화학종의 농도 증가로서 분해를 나타내었다. 이들 결과들은 순수한 TMCTS 및 100 ppm의 MHQ를 사용한 TMCTS에 대한 표 1의 결과들과 비교되었다. 데이타는 선형 오가노히드로실록산이 산소 또는 눅눅한 공기에 노출되는 경우 또한 분해가 일어나고 각각의 타입의 선형 오가노히드로실록산은 100 ppm의 MHQ를 사용하여 안정화된다는 사실을 알려준다.
표 4
실시예 46
100 ppm의 4-메톡시페놀 및 150 ppm의 트리메틸메톡시실란으로 안정화된 전구 물질, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 질소압을 사용하여 화학적 전달 라인을 통하여 5mL/분의 유량으로 스테인레스 강 용기로부터 연료-주입기 형태의 증발기로 이동시킨다. 전구물질을 80 ℃로 가열된 화학적 증기 처리 라인으로 증발시키고 계의 기본압을 60 토르로 유지시키면서 1,000 sccm의 이산화탄소 및 125 sccm의 산소로 구성된 반응성 가스 혼합물을 사용하여 기판으로 이동시킨다. 기판으로 이동되는 동안, 전구물질증기 및 반응성 가스들은 1,500 W의 고주파수 플라즈마 전력 및 250 W의 저주파수 플라즈마 전력에 노출되었다. 기판은 -15 VDC의 기판 바이어스를 적용하면서 250 ℃로 가열된다. 탄소 도핑된 규소 산화물 필름이 이들 조건들을 사용하여 기판에 침착되었다.
본 발명자들이 본 발명에 따른 몇몇 실시예를 나타내고 개시하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서의 당업자에게는 이들 실시예에 대한 수많은 변경이 용이하다는 것은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명자들은 나타나고 개시된 상세한 설명으로 제한하고자 하려는 의도는 없고 다만 첨부된 청구항들의 범위내에 그 모든 변경 및 수정들을 나타내고자 할 뿐이다.

Claims (88)

  1. a. 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 상기 식 중, 상기 R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들; 및
    b. 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
    상기 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함하는 오가노히드로실록산 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들은 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들, 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들, 및 그들의 임의의 조합들인 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (3)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 x는 약 1 내지 약 20이고; 그리고 상기 R11 내지 상기 R16 중 적어도 하나가 H일 때, 상기 x는 0과 같을 수 있는 조성물.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 x는 약 1 내지 약 10인
    조성물.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 화학식 (3)의 선형 오가노히드로실록산들은
    1,1,1,3,3-펜타메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타에틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타에틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타페닐트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사에틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사페닐테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타에틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타페닐펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나메틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나에틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나페닐펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타메틸헥사실록산(1,1,3,5,7,9,11,11-octaamethylhexasiloxane), 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타에틸헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타페닐헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타(4-메틸페닐)헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카메틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카에틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카페닐헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (4)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 조성물.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 8인 조성물.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 화학식 (4)의 선형 오가노히드로실록산들은
    1,1-디에틸-3,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에틸트리실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3,3-디메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사페닐트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카메틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카에틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카페닐펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카메틸헥사실록산(1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-dodecaamethylhexasiloxane), 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카에틸헥사실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카페닐헥사실록산, 및 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들은 화학식 (5)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 21인 조성물.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R17은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 조성물.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 화학식 (5)의 고리형 오가노히드로실록산들은
    1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리페닐시클로트리실록산, 1,3,5-트리(4-메틸페닐)시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라페닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라(4-메틸페닐)시클로테트라실록산, 1,5-디메틸-3,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3-디메틸-5,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타에틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타페닐시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타(4-메틸페닐)시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사에틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사페닐시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사(4-메틸페닐)시클로헥사실록산, 1,5,9-트리메틸-3,7,11-트리에틸시클로헥사실록산, 1,3,5-트리메틸-7,9,11-트리에틸시클로헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5은 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 조성물.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물은
    페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-프로필페놀, 4-이소-프로필페놀, 4-부틸페놀, 4-세크-부틸페놀, 4-이소-부틸페놀, 4-터트-부틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-메톡시페놀, 4-에톡시페놀, 4-프로폭시페놀, 4-부톡시페놀, 2,4-디-터트-부틸페놀, 2-(1-메틸부틸)페놀, 2-(벤질옥시)페놀, 2-터트-부틸-6-메틸페놀, 3,4,5-트리메톡시페놀, 3-에톡시-4-메틸페놀, 4-벤질옥시페놀, 4-벤질-2,6-디-터트-부틸페놀, 2-(2-부테닐)페놀, 2-(4-메틸벤질)페놀, 2,6-디-터트-부틸-4-메틸페놀(BHT), 1,2-디히드록시벤젠, 2,4,6-트리스-벤질옥시페놀, 2,4-디시클로헥실-5-메틸페놀, 6-터트-부틸-1,2-디히드록시벤젠, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 1 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 25 ppm 내지 약 200 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  16. a. 각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 상기 식 중, 상기 R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들;
    b. 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
    상기 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 상기 식 중, 상기 R1 내지 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    c. 화학식 (2)의 알콕시실란으로서,
    상기 알콕시실란은 약 1 ppm 및 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고; 그리고 상기 식 중, 상기 R6은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8, 및 상기 R9은 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는
    오가노히드로실록산 조성물.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5은 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 또는 터트-부틸인 조성물.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물은
    페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-프로필페놀, 4-이소-프로필페놀, 4-부틸페놀, 4-세크-부틸페놀, 4-이소-부틸페놀, 4-터트-부틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-메톡시페놀, 4-에톡시페놀, 4-프로폭시페놀, 4-부톡시페놀, 2,4-디-터트-부틸페놀, 2-(1-메틸부틸)페놀, 2-(벤질옥시)페놀, 2-터트-부틸-6-메틸페놀, 3,4,5-트리메톡시페놀, 3-에톡시-4-메틸페놀, 4-벤질옥시페놀, 4-벤질-2,6-디-터트-부틸페놀, 2-(2-부테닐)페놀, 2-(4-메틸벤질)페놀, 2,6-디-터트-부틸-4-메틸페놀(BHT), 1,2-디히드록시벤젠, 2,4,6-트리스-벤질옥시페놀, 2,4-디시클로헥실-5-메틸페놀, 6-터트-부틸-1,2-디히드록시벤젠, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  19. 제 16항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 1 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  20. 제 16항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 25 ppm 내지 약 200 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  21. 제 16항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R6은 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 조성물.
  22. 제 16항에 있어서,
    상기 화학식 (2)의 알콕시실란은
    트리메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리프로필메톡시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리(4-메틸페닐)메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디프로필디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디(4-메틸페닐)디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 4-메틸페닐트리메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리프로필에톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 트리(4-메틸페닐)에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디프로필디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디(4-메틸페닐)디에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 4-메틸페닐트리에톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리에틸프로폭시실란, 트리프로필프로폭시실란, 트리페닐프로폭시실란, 트리(4-메틸페닐)프로폭시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디프로필디프로폭시실란, 디페닐디프로폭시실란, 디(4-메틸페닐)디프로폭시실란, 메틸트리프로폭시실란, 에틸트리프로폭시실란, 프로필트리프로폭시실란, 페닐트리프로폭시실란, 4-메틸페닐트리프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란, 트리에틸부톡시실란, 트리프로필부톡시실란, 트리페닐부톡시실란, 트리(4-메틸페닐)부톡시실란, 디메틸디부톡시실란, 디에틸디부톡시실란, 디프로필디부톡시실란, 디페닐디부톡시실란, 디(4-메틸페닐)디부톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리부톡시실란, 프로필트리부톡시실란,페닐트리부톡시실란, 4-메틸페닐트리부톡시실란, 트리메틸페녹시실란, 트리에틸페녹시실란, 트리프로필페녹시실란, 트리페닐페녹시실란, 트리(4-메틸페닐)페녹시실란, 디메틸디페녹시실란, 디에틸디페녹시실란, 디프로필디페녹시실란, 디페닐디페녹시실란, 디(4-메틸페닐)디페녹시실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리페녹시실란, 프로필트리페녹시실란, 페닐트리페녹시실란, 4-메틸페닐트리페녹시실란, 트리메틸(4-메틸페녹시)실란, 트리에틸(4-메틸페녹시)실란, 트리프로필(4-메틸페녹시)실란, 트리페닐(4-메틸페녹시)실란, 트리(4-메틸페닐)(4-메틸페녹시)실란, 디메틸디(4-메틸페녹시)실란, 디에틸디(4-메틸페녹시)실란, 디프로필디(4-메틸페녹시)실란, 디페닐디(4-메틸페녹시)실란, 디(4-메틸페닐)디(4-메틸페녹시)실란, 메틸트리(4-메틸페녹시)실란, 에틸트리(4-메틸페녹시)실란, 프로필트리(4-메틸페녹시)실란, 페닐트리(4-메틸페녹시)실란, 4-메틸페닐트리(4-메틸페녹시)실란, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  23. 제 16항에 있어서,
    상기 알콕시실란은 약 10 ppm 내지 약 2500 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  24. 제 16항에 있어서,
    상기 알콕시실란은 약 100 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 조성물.
  25. 제 16항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들은 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들, 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들, 및 그들의 임의의 조합들인 조성물.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (3)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 x는 약 1 내지 약 20이고; 그리고 R11 내지 R16 중 적어도 하나가 H일 때 상기 x는 0과 같을 수 있는 조성물.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 x는 약 1내지 약 10인 조성물.
  28. 제 26항에 있어서,
    상기 화학식 (3)의 선형 오가노히드로실록산들은
    1,1,1,3,3-펜타메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타에틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타에틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타페닐트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사에틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사페닐테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타에틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타페닐펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나메틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나에틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나페닐펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타메틸헥사실록산(1,1,3,5,7,9,11,11-octaamethylhexasiloxane), 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타에틸헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타페닐헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타(4-메틸페닐)헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카메틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카에틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카페닐헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  29. 제 25항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (4)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 조성물.
  30. 제 29항에 있어서,
    상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 8인 조성물.
  31. 제 29항에 있어서,
    상기 화학식 (4)의 선형 오가노히드로실록산들은
    1,1-디에틸-3,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에틸트리실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3,3-디메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사페닐트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카메틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카에틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카페닐펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카메틸헥사실록산( 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-dodecaamethylhexasiloxane), 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카에틸헥사실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카페닐헥사실록산, 및 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  32. 제 25항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들은 화학식 (5)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 21인 조성물.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R17은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 조성물.
  34. 제 32항에 있어서,
    상기 화학식 (5)의 고리형 오가노히드로실록산들은
    1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리페닐시클로트리실록산, 1,3,5-트리(4-메틸페닐)시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라페닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라(4-메틸페닐)시클로테트라실록산, 1,5-디메틸-3,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3-디메틸-5,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타에틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타페닐시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타(4-메틸페닐)시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사에틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사페닐시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사(4-메틸페닐)시클로헥사실록산, 1,5,9-트리메틸-3,7,11-트리에틸시클로헥사실록산, 1,3,5-트리메틸-7,9,11-트리에틸시클로헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  35. 제 16항에 있어서,
    상기 조성물은
    a. 하나 또는 그 이상의 화학식 (3)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 상기 R11 내지 상기 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 x는 약 1 내지 약 10인 하나 또는 그 이상의 화학식 (3)의 오가노히드로실록산 화합물들;
    b. 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5은 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    c. 상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서, 상기 식 중, 상기 R6은 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인 조성물.
  36. 제 16항에 있어서,
    상기 조성물은
    a. 하나 또는 그 이상의 화학식 (4)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 상기 R11 내지 상기 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 하나 또는 그 이상의 화학식 (4)의 오가노히드로실록산 화합물들;
    b. 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 상기 식 중, R1 내지 R5는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    c. 상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서, 상기 식 중, 상기 R6는 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 및 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인 조성물.
  37. 제 16항에 있어서,
    상기 조성물은
    a. 하나 또는 그 이상의 화학식 (5)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 하나 또는 그 이상의 화학식 (5)의 오가노히드로실록산 화합물들;
    b. 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    c. 상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서, 상기 식 중, 상기 R6는 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 조성물.
  38. 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법으로서,
    a. 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림에 도입하여, 처리 증기(process vapor)를 형성시키는 단계;
    b. 상기 기판의 표면을 상기 처리 증기와 접촉시키는 단계; 및
    c. 상기 처리 증기를 분해하여, 상기 기판 상에 상기 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하는 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법으로서,
    상기 오가노히드로실록산 조성물은
    각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 상기 식 중, R= C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들; 및
    화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
    상기 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5는 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 화학식 (1)의 항산화 화합물을 포함하는 것인 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법.
  39. 제 38항에 있어서,
    상기 기판은 반도체 기판인 방법.
  40. 제 38항에 있어서,
    상기 산화물 층은 수소, 탄소, 질소, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 불순물(dopant)을 포함하는 도핑된 규소 산화물 층인 방법.
  41. 제 38항에 있어서,
    상기 산화물 층은 비소, 붕소, 인, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 불순물을 포함하는 도핑된 규소 산화물 층인 방법.
  42. 제 38항에 있어서,
    상기 가스 스트림은 질소, 헬륨, 아르곤, 산소, 오존, 암모니아, 아산화질소, 이산화탄소, 일산화탄소, SiH4, 실란, 사불화규소, 히드라진, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 가스를 포함하는 것인 방법.
  43. 제 38항에 있어서,
    상기 처리 증기는 아민, 아미노알코올, 실란, 실록산, 알칸, 알켄, 알킨, 알코올, 에스테르, 케톤, 알데히드, 카르복시산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 화학적 전구물질을 더 포함하는 것인 방법.
  44. 제 38항에 있어서,
    상기 처리 증기는 아르신, 알킬비산염, 포스핀, 알킬인산염, 알킬아인산염, 보란, 알킬붕산염, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 화학적 전구물질을 더 포함하는 것인 방법.
  45. 제 38항에 있어서,
    상기 분해 단계는 플라즈마, 가열, 화학반응, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 분해 수단을 포함하는 것인 방법.
  46. 제 45항에 있어서,
    상기 가열 수단은 약 100 ℃ 및 약 800℃ 사이의 온도를 포함하는 것인 방법.
  47. 제 38항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들은 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들, 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들, 및 그들의 임의의 조합들인 방법.
  48. 제 47항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (3)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 x는 약 1 내지 약 20이고; 그리고 R11 내지 R16 중 적어도 하나가 H일 때, 상기 x는 0과 같을 수 있는 것인 방법.
  49. 제 48항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 x는 약 1내지 약 10인 방법.
  50. 제 48항에 있어서,
    상기 화학식 (3)의 선형 오가노히드로실록산들은
    1,1,1,3,3-펜타메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타에틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타에틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타페닐트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사에틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사페닐테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타에틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타페닐펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나메틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나에틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나페닐펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타메틸헥사실록산(1,1,3,5,7,9,11,11-octaamethylhexasiloxane), 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타에틸헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타페닐헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타(4-메틸페닐)헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카메틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카에틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카페닐헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  51. 제 47항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (4)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 방법.
  52. 제 51항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 8인 방법.
  53. 제 51항에 있어서,
    상기 화학식 (4)의 선형오가노히드로실록산은
    1,1-디에틸-3,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에틸트리실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3,3-디메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사페닐트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카메틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카에틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카페닐펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카메틸헥사실록산( 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-dodecaamethylhexasiloxane), 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카에틸헥사실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카페닐헥사실록산, 및 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  54. 제 47항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들은 화학식 (5)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 21인 방법.
  55. 제 54항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R17은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 방법.
  56. 제 54항에 있어서,
    상기 화학식 (5)의 고리형 오가노히드로실록산들은
    1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리페닐시클로트리실록산, 1,3,5-트리(4-메틸페닐)시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라페닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라(4-메틸페닐)시클로테트라실록산, 1,5-디메틸-3,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3-디메틸-5,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타에틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타페닐시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타(4-메틸페닐)시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사에틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사페닐시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사(4-메틸페닐)시클로헥사실록산, 1,5,9-트리메틸-3,7,11-트리에틸시클로헥사실록산, 1,3,5-트리메틸-7,9,11-트리에틸시클로헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  57. 제 38항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R1 내지 R5는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 방법.
  58. 제 38항에 있어서,
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물은
    페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-프로필페놀, 4-이소-프로필페놀, 4-부틸페놀, 4-세크-부틸페놀, 4-이소-부틸페놀, 4-터트-부틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-메톡시페놀, 4-에톡시페놀, 4-프로폭시페놀, 4-부톡시페놀, 2,4-디-터트-부틸페놀, 2-(1-메틸부틸)페놀, 2-(벤질옥시)페놀, 2-터트-부틸-6-메틸페놀, 3,4,5-트리메톡시페놀, 3-에톡시-4-메틸페놀, 4-벤질옥시페놀, 4-벤질-2,6-디-터트-부틸페놀, 2-(2-부테닐)페놀, 2-(4-메틸벤질)페놀, 2,6-디-터트-부틸-4-메틸페놀 (BHT), 1,2-디히드록시벤젠, 2,4,6-트리스- 벤질옥시페놀, 2,4-디시클로헥실-5-메틸페놀, 6-터트-부틸-1,2-디히드록시벤젠, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  59. 제 38항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 1 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 방법.
  60. 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법으로서,
    a. 오가노히드로실록산 조성물을 가스 스트림내로 도입하여, 처리 증기를 형성시키는 단계;
    b. 상기 기판의 표면을 상기 처리 증기와 접촉시키는 단계; 및
    c. 상기 처리 증기를 분해하여, 상기 기판 상에 상기 산화물 층을 형성시키는 단계를 포함하는 기판상에 산화물 층을 형성하는 방법으로서,
    상기 오가노히드로실록산 조성물은
    각각 적어도 하나의 [-HSiR-O-] 단위를 갖는 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들로서, 상기 식 중, 상기 R = C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실록산 화합물들;
    화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
    상기 항산화 화합물은 페놀성 화합물이고, 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고, 그리고 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5은 각각 독립적으로 H, OH, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    화학식 (2)의 알콕시실란으로서,
    상기 알콕시실란은 약 1 ppm 내지 약 5000 ppm 사이의 양으로 존재하고; 및 상기 식 중, 상기 R6은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8, 및 상기 R9는 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시 또는 치환된 또는 미치환된 아릴인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인
    기판상에 산화물 층을 형성하는 방법.
  61. 제 60항에 있어서,
    상기 기판은 반도체 기판인 방법.
  62. 제 60항에 있어서,
    상기 산화물 층은 수소, 탄소, 질소, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 불순물을 포함하는 도핑된 규소 산화물 층인 방법.
  63. 제 60항에 있어서,
    상기 산화물 층은 비소, 붕소, 인, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 불순물을 포함하는 도핑된 규소 산화물 층인 방법
  64. 제 60항에 있어서,
    상기 가스 스트림은 질소, 헬륨, 아르곤, 산소, 오존, 암모니아, 아산화질소, 이산화탄소, 일산화탄소, SiH4, 실란, 사불화규소, 히드라진, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 가스를 포함하는 것인 방법.
  65. 제 60항에 있어서,
    상기 처리 증기는 아민, 아미노알코올, 실란, 실록산, 알칸, 알켄, 알킨, 알코올, 에스테르, 케톤, 알데히드, 카르복시산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 화학적 전구물질을 더 포함하는 것인 방법.
  66. 제 60항에 있어서,
    상기 처리 증기는 아르신, 알킬비산염, 포스핀, 알킬인산염, 알킬아인산염, 보란, 알킬붕산염, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 화학적 전구물질을 더 포함하는 것인 방법.
  67. 제 60항에 있어서,
    상기 분해 단계는 플라즈마, 가열, 화학반응, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 분해 수단을 포함하는 것인 방법.
  68. 제 67항에 있어서,
    상기 가열 수단은 약 100 ℃ 및 약 800 ℃ 사이의 온도를 포함하는 방법.
  69. 제 60항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5은 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 방법.
  70. 제 60항에 있어서,
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물은
    페놀, 히드로퀴논, 4-메틸페놀, 3-메틸페놀, 2-메틸페놀, 4-에틸페놀, 4-프로필페놀, 4-이소-프로필페놀, 4-부틸페놀, 4-세크-부틸페놀, 4-이소-부틸페놀, 4-터트-부틸페놀, 4-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-메톡시페놀, 4-에톡시페놀, 4-프로폭시페놀, 4-부톡시페놀, 2,4-디-터트-부틸페놀, 2-(1-메틸부틸)페놀, 2-(벤질옥시)페놀, 2-터트-부틸-6-메틸페놀, 3,4, 5-트리메톡시페놀, 3-에톡시-4-메틸페놀, 4-벤질옥시페놀, 4-벤질-2,6-디-터트-부틸페놀, 2-(2-부테닐)페놀, 2-(4-메틸벤질)페놀, 2,6-디-터트-부틸-4-메틸페놀 (BHT), 1,2-디히드록시벤젠, 2,4,6-트리스-벤질옥시페놀, 2,4-디시클로헥실-5-메틸페놀, 6-터트-부틸-1,2-디히드록시벤젠, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  71. 제 60항에 있어서,
    상기 항산화 화합물은 약 1 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 방법.
  72. 제 60항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R6은 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 방법.
  73. 제 60항에 있어서,
    상기 화학식 (2)의 알콕시실란은
    트리메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리프로필메톡시실란,트리페닐메톡시실란, 트리(4-메틸페닐)메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디프로필디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디(4-메틸페닐)디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란,에틸트리메톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 4-메틸페닐트리메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리에틸에톡시실란,트리프로필에톡시실란,트리페닐에톡시실란, 트리(4-메틸페닐)에톡시실란, 디메틸디에톡시실란,디에틸디에톡시실란, 디프로필디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디(4-메틸페닐)디에톡시실란,메틸트리에톡시실란,에틸트리에톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 4-메틸페닐트리에톡시실란, 트리메틸프로폭시실란, 트리에틸프로폭시실란, 트리프로필프로폭시실란, 트리페닐프로폭시실란, 트리(4-메틸페닐)프로폭시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디프로필디프로폭시실란, 디페닐디프로폭시실란, 디(4-메틸페닐)디프로폭시실란, 메틸트리프로폭시실란, 에틸트리프로폭시실란, 프로필트리프로폭시실란, 페닐트리프로폭시실란, 4-메틸페닐트리프로폭시실란, 트리메틸부톡시실란, 트리에틸부톡시실란, 트리프로필부톡시실란, 트리페닐부톡시실란, 트리(4-메틸페닐)부톡시실란, 디메틸디부톡시실란, 디에틸디부톡시실란, 디프로필디부톡시실란, 디페닐디부톡시실란, 디(4-메틸페닐)디부톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리부톡시실란, 프로필트리부톡시실란,페닐트리부톡시실란, 4-메틸페닐트리부톡시실란, 트리메틸페녹시실란, 트리에틸페녹시실란,트리프로필페녹시실란, 트리페닐페녹시실란, 트리(4-메틸페닐)페녹시실란, 디메틸디페녹시실란, 디에틸디페녹시실란, 디프로필디페녹시실란, 디페닐디페녹시실란, 디(4-메틸페닐) 디페녹시실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리페녹시실란, 프로필트리페녹시실란, 페닐트리페녹시실란, 4-메틸페닐트리페녹시실란, 트리메틸(4-메틸페녹시)실란, 트리에틸(4-메틸페녹시)실란, 트리프로필(4-메틸페녹시)실란, 트리페닐(4-메틸페녹시)실란, 트리(4-메틸페닐)(4-메틸페녹시)실란, 디메틸디(4-메틸페녹시)실란, 디에틸디(4-메틸페녹시)실란, 디프로필디(4-메틸페녹시)실란, 디페닐디(4-메틸페녹시)실란, 디(4-메틸페닐)디(4-메틸페녹시)실란, 메틸트리(4-메틸페녹시)실란, 에틸트리(4-메틸페녹시)실란, 프로필트리(4-메틸페녹시)실란, 페닐트리(4-메틸페녹시)실란, 4-메틸페닐트리(4-메틸페녹시)실란, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  74. 제 60항에 있어서,
    상기 알콕시실란은 약 10 ppm 내지 약 2500 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 방법.
  75. 제 60항에 있어서,
    상기 알콕시실란은 약 100 ppm 내지 약 1000 ppm 사이의 양으로 존재하는 것인 방법.
  76. 제 60항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 오가노히드로실란 화합물들은 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들, 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들, 및 그들의 임의의 조합들인 방법.
  77. 제 76항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들은 화학식 (3)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 상기 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 x는 1내지 약 20이고; 그리고 R11 내지 R16 중 적어도 하나가 H일 때, 상기 x는 0과 같을 수 있는 방법.
  78. 제 77항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 x은 약 1내지 약 10인 방법.
  79. 제 77항에 있어서,
    상기 화학식 (3)의 선형오가노히드로실록산들은
    1,1,1,3,3-펜타메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타에틸트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타메틸-3-에틸트리실록산, 1,1,1,5,5,5-헵타에틸-3-메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타에틸트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타페닐트리실록산, 1,1,1,3,5,5,5-헵타(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사에틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사페닐테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-헥사(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,1,3,5,7,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타메틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타에틸펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타페닐펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,9-헵타(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나메틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나에틸펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나페닐펜타실록산, 1,1,1,3,5,7,9,9,9-노나(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타a메틸헥사실록산(1,1,3,5,7,9,11,11-octaamethylhexasiloxane), 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타에틸헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타페닐헥사실록산, 1,1,3,5,7,9,11,11-옥타(4-메틸페닐)헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카메틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카에틸헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카페닐헥사실록산, 1,1,1,3,5,7,9,11,11,11-데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  80. 제 76항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 선형 화합물들 화학식 (4)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 방법.
  81. 제 80항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R10은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 상기 R11 내지 상기 R16이고 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 시클로헥실 또는 H이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 8인 방법.
  82. 제 80항에 있어서,
    상기 화학식 (4)의 선형오가노히드로실록산들은
    1,1-디에틸-3,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에틸트리실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라(4-메틸페닐)디실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디에틸트리실록산, 1,1,5,5-테트라에틸-3,3-디메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사페닐트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사(4-메틸페닐)트리실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산, 1,1,3,5,7,7-옥타에틸테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타페닐테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7-옥타(4-메틸페닐)테트라실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카메틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카에틸펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카페닐펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-데카(4-메틸페닐)펜타실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카메틸헥사실록산( 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-dodecaamethylhexasiloxane), 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카에틸헥사실록산, 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카페닐헥사실록산, 및 1,1,3,3,5,5,7,7,9,9,11,11-도데카(4-메틸페닐)헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  83. 제 76항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 이상의 고리형 화합물들은 화학식 (5)에 따른 화학식을 갖고,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 21인 방법.
  84. 제 83항에 있어서,
    상기 식 중, 상기 R17은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 또는 시클로헥실이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 방법.
  85. 제 83항에 있어서,
    상기 화학식 (5)의 고리형 오가노히드로실록산들은
    1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리에틸시클로트리실록산, 1,3,5-트리페닐시클로트리실록산, 1,3,5-트리(4-메틸페닐)시클로트리실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라페닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라(4-메틸페닐)시클로테트라실록산, 1,5-디메틸-3,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3-디메틸-5,7-디에틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타에틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타페닐시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9-펜타(4-메틸페닐)시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사에틸시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사페닐시클로헥사실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사(4-메틸페닐)시클로헥사실록산, 1,5,9-트리메틸-3,7,11-트리에틸시클로헥사실록산, 1,3,5-트리메틸-7,9,11-트리에틸시클로헥사실록산, 및 그들의 임의의 조합들로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  86. 제 60항에 있어서,
    상기 오가노히드로실록산 조성물은
    a. 하나 또는 그 이상의 화학식 (3)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 상기 R11 내지 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 x는 약 1 내지 약 10인 하나 또는 그 이상의 화학식 (3)의 오가노히드로실록산 화합물;
    b. 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서,
    상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    c. 상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서,
    상기 식 중, 상기 R6는 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 및 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인 방법.
  87. 제 60항에 있어서,
    상기 오가노히드로실록산 조성물은
    하나 또는 그 이상의 화학식 (4)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R10은 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고, 그리고 상기 R11 내지 상기 R16은 각각 독립적으로 H, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 y는 약 0 내지 약 20인 하나 또는 그 이상의 화학식 (4)의 오가노히드로실록산 화합물들;
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5 는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서, 상기 식 중, 상기 R6는 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 그리고 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9은 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인 조성물.
  88. 제 60항에 있어서,
    상기 오가노히드로실록산 조성물은
    하나 또는 그 이상의 화학식 (5)의 오가노히드로실록산 화합물들로서,
    상기 식 중, 상기 R17은 독립적으로 C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알킬, C1-C18 선형, 가지형, 또는 고리형 알콕시, 또는 치환된 또는 미치환된 아릴이고; 그리고 상기 z는 약 2 내지 약 11인 하나 또는 그 이상의 화학식 (5)의 오가노히드로실록산 화합물들;
    상기 화학식 (1)의 항산화 화합물로서, 상기 식 중, 상기 R1 내지 상기 R5는 H, OH, 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 및 터트-부틸인 상기 화학식 (1)의 항산화 화합물; 및
    상기 화학식 (2)의 알콕시실란으로서, 상기 식 중, 상기 R6는 메틸, 에틸, 또는 프로필이고; 및 상기 R7, 상기 R8 및 상기 R9는 메틸, 에틸, 프로필, 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시인 상기 화학식 (2)의 알콕시실란을 포함하는 것인 조성물.
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