TWI302908B - Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes - Google Patents

Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes Download PDF

Info

Publication number
TWI302908B
TWI302908B TW92125785A TW92125785A TWI302908B TW I302908 B TWI302908 B TW I302908B TW 92125785 A TW92125785 A TW 92125785A TW 92125785 A TW92125785 A TW 92125785A TW I302908 B TWI302908 B TW I302908B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
linear
methylphenyl
methyl
group
decane
Prior art date
Application number
TW92125785A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200404769A (en
Inventor
Daniel J Teff
Gregory B Smith
John L Chagolla
Tim S Andreyka
Original Assignee
Fujifilm Electronic Materials
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Electronic Materials filed Critical Fujifilm Electronic Materials
Publication of TW200404769A publication Critical patent/TW200404769A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI302908B publication Critical patent/TWI302908B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/05—Alcohols; Metal alcoholates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Description

1302908 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 相關申請案 本案請求臨時專利申請案第60/411，651號，申請日2002 5年9月18日（審查中）之優先權。 發明領域 概略言之本發明係有關對水分及氧氣具有安定性之矽 氧烧組成物。特別本發明係針對使用一或多種抗氧化劑化 合物安定化之有機氫矽氧烷。 10 【先前老^^"】 發明背景 1，3,5,7-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)屬於可用於生成特 用聚合物之有機氫矽氧烷範例（亦即由卜HsiR_〇-]單元組 成，此處R為烷基，於本例尺為甲基）。TMCTS屬於環狀有 15機氫矽氧烷範例，其可進行開環聚合反應。也具有Si-H鍵 結，其可用於對所得聚合物增添額外功能。由於此等獨特 性質之故，半導體產業晚近選用TMCTS作為藉化學氣相沉 積於半導體晶圓上進行電漿加強式化學！^目沉積(pecvd) 低κ介電薄膜用之新穎前驅物。 20 *™CTS以及類似之環狀有機氫残燒導人半導體 製程，造成重大製造挑戰，原因在於此等材料可能非預期 地聚合。此種行為付出的成本及時間代價極高，=聚合= 出現在液體或蒸氣化學品輸送管線内部，屆時唯一的f糸 之道只有拆卸且更換受影響的管線。半導蓝補 座茶要求穩 13〇29〇8 疋可預測且可靠的產品，此種表現乃高容積半導體製造 所無法接受。因此需要找出穩定TMCTS之手段，俾確保產 口口由化學供應商輸送至終端使用製程之轉運過程，即使於 暴露於多種條件之後也不會聚合。 TMCT以及其它具有si-H鍵結之烧基-氫線性石夕氧烧或 嶮狀矽氧烷可與氧氣或空氣中的其它成分反應。此種反應 乂成矽氧烷的顯著降解，且當涉及環狀材料時，即使於室 溫短時間暴露於空氣，最終將導致完全聚合。 ^化學品的降解，縮短儲存壽命，降低產品品質，甚至 讀料係於化學處理設備内部聚合，可能造成設備停機的 較大問題4加壓的化學管線及閥門被阻塞時安全性問題 15 …^ 年w凡座奶I兮解成為較高分 子量物種，引發化學使用上的額外問題。最常見的將高彿 點(例如大於抓）材料導人加工工具之方法翁化學品落 氣或化學品霧直接注續過加熱的「餘」氣流内，賴 :躲^壓力顶人處”。經過加熱之載氣氣流氣 =二Γί氣運送至處理室，於處理室_氧燒轉變 :厌…之减㈣。但此項技術涉及單—純物 設備内部有均質產物蒸氣旦 皁讓 於降解後之有機切氧燒所見之高分於= 流中不容易氣化’反㈣純㈣於處理設備」部表: 上及=導致嚴重問題’包括例如阻塞運送管線及闕門， 以及於日日圓上形成顆粒。 20 1302908 先則技術鲁试穩定化含石夕氧貌及 等人之美國專利第5,177，142_ 疋、、且成物。— 物，句w… 矽氧釋放塗覆組成 t. ^ ° —有機發氧燒、含Si-H基之交聯 加虱石夕化催化劑。催化劑係藉由組成物内攙混至少 一種自由基抑·(域氧基⑽而被抑制。結果組成物鍵结 至丙烯酸系黏著劑之傾向降低。
Bryson等人之美國專利第5 ，υι琥揭不一種以聚矽 烷=主之組成物，其特別係用於製造碳化石夕。組成物包含 可藉氧化而形成聚石夕氧院型產物降解之聚石夕燒鍵，以及至 Η)少-種抗氧化劑系統。抗氧化劑系統可大為降低聚石夕燒對 空氣的敏感度。 先前技術缺乏一種類似本發明之組成物，該組成物包 含對水分及氧氣具有改良安定性之有機氫石夕氧貌且供用於 半導體領域。本發明之安定組成物可顯著延長有機氣石夕氧 15烷產物之儲存壽命，於化學製程或半導體製造上處理此等 產物提供較高彈性。結果所得矽氧烷之穩定化，避免產物 於化學輸送管線或閥門完全聚合（亦即固化）的可能，降低管 線維修及維修成本，且縮短停機時間。此外，減少較高分 子量化合物的形成允許產物的均勻氣化，無虞較高分子量 20化合物於蒸氣輸送管線内部逐漸沉積，結果可獲得較為_ 致且較尚品質之沉積薄膜。 【發明内容】 發明概要 本發明提供一種有機石夕氧炫組成物，包含： 1302908
經取代之芳基以及 a·一或多種有機氫矽氧人·" [-HSiR-O-]單元，其中 衣仏机軋丞、或經取代或未經 種式（1)所示抗氧化劑化合物 R4 u5
R2 V 線性分支或環狀烧氧基、成總跑技土 其中該抗氧化劑化合物為紛系化合物，其存在濃度由 約1 ppm至約5，_ ppm，以及其中R^R5各自分別為H、 OH、^18線性分支或環狀烧基、CrCi8線性分支或環狀院 氧基、或經取代或未經取代之芳基。 本發明也提供一種有機矽氧烷組成物，包含： a·—或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一個 [-HSiR-O-]單元，其中R^CVC^線性分支或環狀烷基、Ci_Ci8 線性或ί衣狀烧氧基、或經取代或未經取代之芳基以及 b. —種式（1)所示抗氧化劑化合物 R4 R5
其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度由 1302908 約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為η、 OH、CVC!8線性分支或環狀烧基、crCi8線性分支或環狀炫 氧基、或經取代或未經取代之芳基；以及 C· 一種式(2)烧氧基石夕烧，
其中烧氧基石夕烧之存在量為約1 ppm至約5〇〇〇 ppm ;以 及其中以為^-匕8線性分支或環狀烷基、或經取代或未經取 代之芳基；以及R7、各自分別為H、Ci_CiAi性分支 或環狀烷基、CrC^線性分支或環狀烷氧基、或經取代或未 10 經取代之芳基。 除了前述組成物外，本發明也提供一種形成一氧化物 層於一基材上之方法，包含下列步驟： a·將-種有機氫錢烧組成物導人氣流内，藉此形成製 程蒸氣； 15 b•讓該基材之—細接觸該製程蒸氣；以及 e·分解該製《氣’藉此形成氧化物層於基材上。 其中該有機氫矽氧烷組成物包含： a·-或多種有機氫石夕氧烧化合物，其各自至少有一個 [-R-Ο·]單兀’其中R;Ci_c^線性分支或環贱基、 線性分支或環狀蛛基、或經取代或未經取代之芳基以及 b•一種式⑴所不抗氣化劑化合物 1302908
Ο—Η ⑴ 其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度由 約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為Η、 OH、CVCiAi性分支或環狀烷基、CrC18線性分支或環狀烷 5 氧基、或經取代或未經取代之芳基。 根據本發明之另一種形成一氧化物層於一基材上之方 法，包含下列步驟： a.將一種有機氫矽氧烷組成物導入氣流内，藉此形成製 程蒸氣； 10 b.讓該基材之一表面接觸該製程蒸氣；以及 c.分解該製程蒸氣，藉此形成氧化物層於基材上。 其中該有機矽氧烷組成物包含： a.—或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一個 [-HSIR-0-]單元，其中R=CVC18線性、分支或環狀烷基、 15 Q-Cu線性或環狀烷氧基、或經取代或未經取代之芳基以及 b·—種式（1)所示抗氧化劑化合物 R4 R5
Ο—Η (1) 11 1302908 其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度由 約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為Η、 OH、心/…線性分支或環狀烷基、性或環狀烷氧 基、或經取代或未經取代之芳基；以及 c· 一種式(2)烷氧基矽烷，
其中烧氧基石夕烧存在量為約1 ppm至約5000 ppm;以及 其中線性分支或環狀烷基、或經取代或未經取代 之芳基；以及R7、R8及R9各自分別為H、CrCl8線性分支或 10環狀烧基、Cl_Ci8線性分支或環狀烧氧基、或經取代或未經 取代之芳基。 C實施方式;3 較佳實施例之詳細說明
矽氧烷產物之 體製造上之處 避免產物於化 15 本發明具有安定性，且顯著延長有機氫 儲存壽命，允許此等產物於化學製程或半導 理有較大彈性。結果所得矽氧烷之穩定化， 學輸送管線或_完全聚合(亦即固化)的可能，降低管線維 修及維修成本，且縮短停機時間。此外，減少較高分子量 化合物的形成允許產物的均勻氣化，無虞較高分子量化合 物於蒸氣輸送管線内部逐漸沉積，結果可獲得較為一致且 較高品質之沉積薄膜。此外本發明之一目 的係提供一種經 12 20 1302908 穩定化之有機氫錢燒組成物之使用方法。 *本《狀主要方面為發現使用本發日驗成物沉積之 薄膜具有之性質，係_及/或優於侧原有組成物沉積之 薄=性質。因此本發明組成物可全然替代原有組成物， 而無"做任何製程改變及/或出現非期望之效能變化。 含：本發明之—具體實施例中’該有機氣石夕氧院組成物包 10 ❿ 二，機氯嫩一 [〇_]早元，其中線性分支或環狀絲、c_c 1性分支或環㈣氧基、或經取代或未經取代之芳基U8 合物tr/rr标抗氧化難合物，其切抗氧化劑化 15 20 或環狀燒基、c r t _、〇H、Cl'Cl8線性分支 經取代之芳基 支或環狀貌氧基、或經取代或未
^一或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至小有 ，個 13 1302908 |>HSIiR_〇_]單元’其中R^CVCi8線性分支或環狀燒基、 Ci-Cis線性分支或J衣狀燒氧基、或經取代或未經取代之芳美 以及 b) —種式（1)所示抗氧化劑化合物其中該抗氧化劑化合 5物為酚系化合物’其存在濃度由約1 ppm至約5,000 ppm， 以及其中R1至R5各自分別為H、OH、CVC^線性、分支或環 狀烧基、CrCi8線性分支或環狀烧氧基、或經取代或未經取 代之芳基；以及 c) 一種式(2)所示具有式(R6〇)SiRVR9烷氧基矽烷，其 10中烧氧基矽烧存在量為約1 ppm至約5000 ppm ;以及R6為 線性、分支或環狀烷基或經取代或未經取代之芳基； 以及R7、R8及R9各自分別為H、CrCis線性分支、或環狀烷 基、eve”線性分支或環狀烷氧基、或經取代或未經取代之 芳基。
本毛月亦係關於一種使用有機氫石夕氧烧組成物形成〆 層石反攙雜氧化矽於晶圓之方法。 本I月之-具體實施例中，該方法包含下列步驟： 4提仏種有機氫矽氧烷組成物於一容器、一薄膜沉 積工具、-連結該容器與該薄膜沉積卫具之裝置、一氣體 々丨L以及基材於該薄膜沉積工具内； 14 W29〇8 藉此形成製程 b)將有機氫矽氧烷組成物導入氣流内 凑氣； 5 10 15 20 c)轉運有機氫石夕氧燒組成物蒸氣至該薄膜沉積工具内 °丨之基材上；以及 、 有j使用—或多種裝置例如電漿、熱或化學反應來分解 機氧錢触·，俾形成碳攙雜氧切層於基材上， 其中該有機氫矽氧烷組成物包含： 1)-或多種有機切氧烧化合物，其各自至少有一個 線::T]單元，其中R=CrCl8線性分支或環狀烷基、Cl_Cl8 生刀支或·找基、或縣代絲錄代之芳基；以 2)-種式⑴所示抗氧化劑化合物，其中該抗氧化劑化 :匆為盼系化合物，其存在濃度由約1 ppm至約5，_ Pi^’以及其伙奸各自分別為Η、〇h、線性分支 ^之Cl Cl8線性或環錄氧基、或經取代或未經取 本發明之另-具體實施例中，使用一種有機 組成物供形成—碳攙雜氧化㈣於晶K方法，包Γ 列步驟： 3下 a)提供一種有機氫魏燒組成物於-容器、-薄心 積工具連結該容器與該薄膜沉積工具、 流以及-基材於簡 藉此形成製程 b)將有機氫矽氧烷組成物導入氣流内 蒸氣； 15 1302908 C)轉運有機氫；5夕氧燒組成物蒸氣至該薄膜沉積工具内 部之基材上；以及 句使用-或多種裳置例如電漿、熱或化學反應來分解 有機氫石夕氧烧組成物，俾形成碳攙雜氧化石夕層於基材上， 5 其中有機氫矽氧烷組成物包含·· 或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一個 [況〇-]單元’其中Rkvc!8線性分支或環狀烷基、Ci_Cl8 、氣丨77支或環狀烧氧基 '或經取代或未經取代之芳基以及 2) 一種式（1)所示抗氧化劑化合物其中該抗氧化劑化合 10物為盼系化合物，其存在濃度由約1 ppm至約5，_ ppm， 以及其中R1至R5各自分別為H、〇H、Ci_Ci8線性分支或環狀 烷基、線性分支或環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及 3) —種式(2)所示具有式(R6〇)SiR7R8R9烷氧基矽烷，其 15中烷氧基矽烷存在量為約1 ppm至約5000 ppm ;以及R6為 ci Cls線性分支或環狀烧基、或經取代或未經取代之芳基； 以及R、R及R9各自分別為H、Ci_Cis線性分支、或環狀烷 基、CrCls線性分支或環狀烷氧基或經取代、或未經取代之 芳基。 2〇 —該有機氫矽氧烷可為線性或環狀。本發明之線性有機 虱矽氧烷化合物之適當範例為式(3)或式(4)所示化合物。式 (3)或(4)中，R1G*Cl_Cl8線性分支或環狀烷基、Ci_Ci8線性 分支或環狀烷氧基、或經取代或未經取代之芳基；以及Ru 至R各自分別為Η、CrCis線性分支或環狀烷基、 16 l3〇29〇8 &分支或環狀烷氧基、或經取代或未經取代之芳基； 至約20之範圍以及y係於0至約20之範圍。此外，當Rii至㊇ 令之至少一者等於Η時，X等於0。式(3)及(4)例如包括 限制性）具有Ri〇至Ri6等於甲基、乙基、丙基、丁基、笨義非 甲基苯基、環己基、異丙基以及R11至R16另外可為氣， y係於約0至約10之範圍，X係於約1至約10之範圍，戈 至反16中之一者等於Η，則另外X等於〇。式(3)及(4)之較佳# 例包括(但非限制性)具有Ri〇至Ri6等於甲基、乙基、 釦 τι 土内基、 10 15 基、環己基以及R11至R16另外可為氫，此處x係於約i至約 8之範圍以及y係於丨至約8之範圍。式(3)及(4)之更佳範例包 括(但非限制性)具有R10至R16等於甲基、乙基、環己基以及 RU至R16另外可為氫，此處x係於約丨至約4之範圍，y係於約 1至約5之範圍。例如用於半導體用途之式(3)及(句，以甲美 最佳用於R10,甲基或Η最佳用於Rii至Ri6,以及χ係於約"3 至約4之範圍，而y係於約3至約4之範圍。 .13 • 10 *Sr—〇 R11 —〇 Η x Γ Si—R15 .16 (3) il3
Ri〇 W—Si-—〇一一Si—〇.H I» ,12. R14I 15 •Si—r15 y (4)
H 3- 17 1302908 五曱基二矽氧烷、1，1，1，3,3-五乙基二矽氧烷、五 苯基二矽氧烷、1，1，1，3,3-五(4-曱基苯基)二矽氧烧、u，5,5_ 四甲基-3 -乙基二硬乳烧、1，1，5,5-四乙基-3-甲基三砍氧烧、 1，1，3,5,5-五甲基三矽氧烷、i，i,3,5,5-五乙基三石夕氧烧、 5 I1，3,5,5-五苯基三矽氧烷、1，1，3,5,5-五(4-甲基苯基)三石夕氧 燒、、甲基-3-乙基二碎氧烧、ι，ι，ι，5 5 5-六乙具 -3-甲基三矽氧烷、七甲基三矽氧烷、 · ^:^^一^-七乙基三矽氧烷〜^^孓七苯基三石夕氧 燒、1’1’1，3,5,5,5-七（4-甲基苯基）三碎氧烧、1，1，3,5,7,7_六 _ 10甲基四石夕氧燒、1，1，3,5,7,7-六乙基三石夕氧烧、ij，3,5,7 六苯基三矽氧烷、U，3,5,7,7•六（夂甲基苯基）三矽氧烷、 1’1，1，3,5,7,7,7-八甲基四石夕氧烧、mu?，？，？.八&基三矽 氧烧、1，1，1，3,5,7,7,7_八苯基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,7,7,7_八(4- 甲基苯基）三矽氧烷、丨丄^^^七甲基五矽氧烷、 15 U，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、u，355,7,9,9-七乙基五矽氧 烧、1，1，3,5,7,9,9-七苯基五石夕氧烧、^^入以一七⑷甲基 苯基）五石夕氧烷、1，U，3,5,7,9,9,9-九甲基五矽氧燒、 · U，l，3,5,7,9,9,9-九乙基五石夕氧烧、^，^^^九苯基 五石夕氧烧、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九（4-曱基苯基）五矽氧燒、 、 2()1’1，3,5,7,9，11，11-八甲基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9，11511一八乙基 · 夕氧燒1，1，3,5,7,9，11，11-八苯基六石夕氧烧、1山3,5,7,9 1Ul-八(4_曱基苯基)六矽氧烧、1，1，1，3,5,7,9，11，11，11十甲 基六石夕氧燒、Ij’U，5,7，^，^^十乙基六矽氧燒、 18 13〇29〇8 5 10 U-十(4-甲基苯基)六矽氧烷。 式(4)所示線性有機氫石夕氧燒之適當範例包括^二乙 土-3,3-二甲基二錢燒、u，3,3,甲基二碎氧烧、 四乙^二錢燒、u，3,3_四笨基二石m 1，U，3-四(4-甲基苯基㈣氧燒、U，5,5,甲基-3,3-二乙基三石舰、 似5-四乙基处：曱基三魏^、…，⑽六甲基三 元1’1，3’3,5,5-六乙基与氧燒、1，1，3,3,5,5_六苯基三 石夕乳坑、1，1，3,3,5,5·六（4_ f基苯基）三碎氧燒、 ，3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、以，3,3,5,5,7,7-八乙一 乳烧、 甲基苯基)_氧燒、u，3,3,5,5,7,7,9,9_十曱基五魏烧、 “⑶以从’十乙基五矽氧烷^狀^”妙十苯 基五魏烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9•十(4_f絲基)五梦氧烧、
15 U，3,3,5,5,7,7,9,9，1U1_十二 f 基六梦氧烧、u，3,3,5,5,7,7, 9,9，11，11-十二乙基六梦氧燒、k苯基六錢烧、丨从^奶灿几十二…甲基苯基) 六矽氧烷。
本發明環狀有機氫石夕氧院化合物適當之範例為式⑺所 述式(5)中，R各自分別為CrCi8線性分支或環狀炫基、 2〇 Cl_Cl8線性分支或環狀烷氧基、或經取代或未經取代之芳基 以及z係於約2至约Μ之範圍。式(5)化合物包括(但非限制性) 具有R17等於尹基、乙基、丙基、丁基、苯基、歹基苯基、 環己基或異丙基，此處z係於约2至约21之範圍。式（5)之較 佳範例包括R、於F基、乙基、丙基、丁基或環己基，此乂 19 1302908 處Z係於約2至約11之範圍。式（5)之更佳範例包括具有r17 等於甲基、乙基或環己基，此處Z係於約2至約7之範圍。式 (5)之最佳範例包括R17等於甲基以及z係於約2至約5之範圍 供用於半導體應用。 5 R17
(5) 10 15 式（5)所示環狀矽氧烷例如包括1，3,5-三甲基環三矽氧 烧、1，3,5-二乙基環三矽氧烷、三苯基環三矽氧烷、 1，3,5-二(4-甲基苯基)環三矽氧烷、^^―四甲基環四矽氧 烷、1，3,5,7-四乙基環四矽氧烷、^'四苯基環四矽氧 烷、L3,5,7·四（‘甲基苯基)環四矽氧烷、1，5-二曱基-3,7-二 乙基環四石m 二甲基·5,7-二乙基環四石夕氧烧、 …//，、五甲基環切氧烧^仍-五乙基環戊石夕氧 烷、1，3,5,7,9-五苯基環戊矽氧烷、^入^丑…甲基苯基) %戊石夕氧烧、i，3,5,7,9，u_a f基環六魏烧、mm 六乙基環六石m⑶从⑴六苯基環六石夕氧烧、 1’3’5’7’9’11 /、（4_曱基笨基）環六石夕氧烧、三曱基 3,7，ιι —乙基^己;^氧燒以m，3,5•三曱三乙基 環己矽氧烷。 如於式(5)壞狀有機氫石夕氧燒比較線性化合物例如式⑺ 2〇或⑷化口物，^狀有機氫石夕氧院用於半導體產業為較佳， 20 、口在於其具有較大能 機氫石夕氧燒例如包括135 合物物種。較佳環狀有 ^ ，，二甲基環三秒纽、135 ” 5 氧⑽ 1，晰 四甲基環四矽氧俨用於车道挪土衣二矽乳烷以及m?· _ 贼用於+導體產業為最佳。 /儿積於基材上之薄層性質例如 折射率受顺至薄敎n 4巾數4膜硬度及 10 如依據使用之處轉件_改㈣影響。例 之範圍。於約2.G至約4.〇 ㈣季又新半導體裝置， 之材料為佳。各層性質可經=:低於約2.7 經由使用不鬥…^田汉文有機虱矽乳烷之身分、 使用不问的流動氣體、或 應性氣體而予微調。另一項影 二:=同的反 15 氫石夕氧燒之組合，或係使用有機 ,ν ^ °種有機氫矽氧烷與另一種含 刀子例如石夕燒類、聚石夕烧 種“夕 組合有機氫魏Π㈣戏類、料钱類等。 的組合之決策^及=物氧烧與其它石夕化合物 完全係依據欲達成之之組合比例及組合方法 U ^之』望政果決定。於此種組合，w 20 機 基 環
过系統為例，相對比例係於約1%至99%之範 〜成 以糸統為_ _丨％至物 -成 等於約職組成物(任-種添加嶋外）;—種成分之合 本糾之騎_抗氧化義料⑴_ ，分別為Η鲁Cl_Ci8線性分支纖燒基^至 線性分支或環狀絲基、或經取代或未經取代之芳基= 21 1302908 伙至作如包括h、oh、甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、聽基、異 丙氧基、丁氧基或第三丁氧基。式⑴之以至以較佳例如包 括Η、〇H、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基以及第三丁基。 最佳例如為Η及曱氧基，此處R1、r2、為甲 基。 10 15 20 式⑴之適當範例包括(但非叫晴、氫、醌、4_甲 酚、3-甲酚、2-甲酚、4-乙酚、4•丙酚、4_異丙酚、4_ 丁酚、 4-第二丁酴、4_異丁 mT盼、4甲氧絲、3_甲氧 基紛、2-甲氧基14·乙氧絲、4•丙氧祕、4_了氧基齡、 2,4-二-第三丁紛、2_(1曱基丁基)紛、咐氧細、2_第 三丁基-6.甲基盼、3,4,5_三甲氧基盼、3_乙氧基_4_甲基紛、 4-节氧絲、4_节基_2,匕第三丁絲、2_(2_丁烯細、 2-(4-曱基节基）紛、2,6_二第三丁基I甲基紛(bht)、以 二，基苯、2,4,6如氧聽、2,4•二環己基_5•甲基盼以及 6-第三丁基-1’2-二經基苯。較佳式⑴抗氧化劑包括盼、4- 甲紛、3-甲紛、2_甲盼、心甲氧基紛、3_甲氧基盼及2_甲氧 基酚。最佳式（1)抗氧化劑為4_甲氧基酚。 盼系添加劑之適當濃度可得自—定濃絲圍例如則 PPm至約5_ ppm。適#濃度範圍係經蚊義適當濃度之 低端與適當濃度之高端而界定。 紛系添加劑之適當濃度範圍之低端為約丨ppm至約夏 靜。低端濃度範圍之適當濃度包括(但非限制性)i ppm、<
22 1302908 ppm。 適當濃度範圍之高端對穩定組成物而言並無特殊限 制’但可能受到沉積薄膜純度以及酚系添加劑於有機氫矽 氧燒之溶解度之若干考量所限。高端酚系添加劑濃度之適 5 ¥ /辰度範圍為約1〇〇〇 ppm至約5000 ppm。高端適當濃度例 如包括（但非限制性）1〇〇〇 ppm、1500 ppm、2000 ppm、2500 Ppm、3000 ppm、3500 ppm、4000 ppm、4500 ppm及5000 ppm 〇 盼系添加劑之適當濃度係於約1 ppm至約1000 ppm之 10範圍。紛系添加劑之較佳濃度係於約10 ppm至約500 ppm之 範圍。紛系添加劑之更佳濃度係於約25 ppm至約2〇〇 ppm之 範圍。酚系添加劑之最佳濃度係於約5〇ρριη至約丨⑽卯瓜之 範圍。 式（1)盼系添加劑濃度可為單一酚系添加劑或酚系添加 15 劑混合物。酚系添加劑混合物可呈任一種相對比例。 半導體產業有用之添加劑非僅限於揮發性添加劑（具 有沸點小於300°〇之物種，最佳具有沸點接近欲穩定化之 產品物種。TMCTS之沸點為135°C，故最希望使用沸點接近 或低於135 C之添加劑。此外，半導體產業應用指示選用之 20前驅物性質。例如層間介電膜(ILD)膜之形成，限制前驅物 之選擇只使用矽、氧、碳及氫，原因在於ILD薄膜與晶片周 圍各層之相容性問題。自由基抑制劑的選擇也須遵循此項 基礎，因此卵鱗脂以及脂酸(lip〇iC acid)等常見自由基抑制 劑中出現的氮、硫及磷等須避免用於半導體產業。記住對 23 1302908 5 10 15 20 半導體產業使用之抑制 由基抑_之巍關揮發㈣及元素之限制，自 此_ μμ望太 谭為酚、虱醌、4-甲酚及4-甲氧基酚， 处、a品之彿點分別係於182°C至243〇C之範圍。為岐加劑化合物係以式(2)說明，此處r6 r7 、讀或分纽基或經取代未經取代之芳基； K、R及R分別為H、 線性分支或觀絲美 分支或環祕基、C1_C18 告6 土、或經取代或未經取代之芳基。適 =基:如包括(但非限制性)甲基、乙基、丙基、異丙基、 心'ρβ Ί、第二丁基、第三丁基、苯基或甲苯基。適:美及R例如包括（但非限制性)Η、甲基、乙基、 異丙基、丁基、異丁基、楚一 弟一丁基、第三丁基、甲氧基、 =基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁 丄Γ丁乳基、苯基或甲基苯基。式(2)之尺6較佳例如广基及丙氧基。R6之最佳範例為曱基及乙基。R7、 R及R之最佳範例為甲基、乙基、甲氧基及乙氧基。 :()、田乾例包括(但非限制性)三甲基甲氧基矽烷、 =甲氧基石夕烧、三丙基甲氧基石夕烧、三苯基甲氧基石夕 =(4_Γ基苯基）甲氧基外、：甲基：甲氧基械、二氧齡烧、二苯基二甲氧 二、元⑷甲基本基)二甲氧基魏、甲基三甲氧基石夕二氧基魏H甲氧基魏、苯基三甲氧 土 '、4_甲基苯基三甲氧基石夕烧、三甲基乙氧基石夕烧、
24 1302908 三乙基乙氧基矽烧、三丙基乙氧基矽烧、三苯基乙氧基矽 烷、三(4_曱基苯基）乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二 乙基*一乙氧基碎烧、-一丙基"一乙氧基梦烧、二苯基二乙氧 基矽烧、二(4_甲基苯基）二乙氧基矽烧、甲基三乙氧基矽 5 烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧 基矽烷、4·甲基苯基三乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、 三乙基丙氧基矽烧、三丙基丙氧基矽烧、三苯基丙氧基矽 、 烷、三(4-甲基苯基）丙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二 乙基二丙氧基石夕烧、二丙基二丙氧基石夕烧、二苯基二丙氧 擊 10基矽烷、二(4-甲基苯基）二丙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽 烷、乙基三丙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、苯基三丙氧 基矽烷、4-甲基苯基三丙氧基矽烷、三甲基丁氧基矽烷、 三乙基丁氧基矽烷、三丙基丁氧基矽烷、三苯基丁氧基矽 烷、三(4-甲基苯基）丁氧基矽烷、二甲基二丁氧基矽烷、二 15乙基二丁氧基矽烷、二丙基二丁氧基矽烷、二苯基二丁氧 基矽烷、二(4-甲基苯基）二丁氧基矽烷、甲基三丁氧基矽 烷、乙基三丁氧基矽烷、丙基三丁氧基矽烷、苯基三丁氧 馨 基矽烷、4-甲基苯基三丁氧基矽烷、三甲基苯氧基矽烷、 三乙基苯氧基矽烷、三丙基苯氧基矽烷、三苯基苯氧基矽 ’ 2〇烷、二(4-曱基苯基)苯氧基矽烷、二甲基二苯氧基矽烷、二 * 乙基二苯氧基矽烷、二丙基二苯氧基矽烷、二苯基二苯氧 基矽烷、二(4-甲基苯基）二苯氧基矽烷、甲基三苯氧基矽 、元乙基二本氧基石夕烧、丙基三苯氧基石夕燒、苯基三苯氧 基石夕燒、4-甲基苯基三苯氧基石夕烧、三甲基(4_甲基苯氧基） 25 1302908 矽烷、三乙基(4-曱基苯氧基)矽烷、三丙基(4-甲基笨氧基） 矽烷、三苯基(4-甲基苯氧基)矽烷、三(4-甲基苯基)(4_甲基 苯氧基)矽烷、二甲基二(4-甲基苯氧基)矽烷、二乙基二(4-甲基本氧基)碎烧、一丙基二(4-曱基苯氧基)石夕烧、二苯基 5二(4_甲基苯氧基)矽烷、二(4-甲基苯基）二(4-曱基苯氧基） 矽烷、甲基三(4-曱基苯氧基)矽烷、乙基三(4_甲基苯氧基） 矽烷、丙基三(4-甲基苯氧基)矽烷、苯基三(4_甲基苯氧基） 梦炫以及4-甲基本基二(4-甲基苯氧基)秒烧。式(2)化合物較 佳例如包括三甲基曱氧基矽烷、三乙基曱氧基矽烷、三丙 10基甲氧基石夕烧、二曱基二曱氧基矽烷、二乙基二曱氧基矽 烷、二丙基二曱氧基矽烷、三曱基乙氧基矽烷、三乙基乙 氧基矽烷、三丙基乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二 乙基二乙氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、三曱基丙氧基 石夕炫、二乙基丙氧基石夕娱：、三丙基丙氧基石夕烧、二甲基二 15丙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、 三甲基丁氧基矽烷、三乙基丁氧基矽烷、三丙基丁氧基矽 烷、二甲基二丁氧基矽烷、二乙基二丁氧基矽烷以及二丙 基二丁氧基矽烷。式(2)之最佳範例包括三甲基甲氧基矽 炫、三乙基曱氧基石夕烧、三丙基甲氧基石夕燒、三甲基乙氧 2〇基矽烷、二乙基乙氧基矽烷、三丙基乙氧基矽烷、三甲基 丙氧基矽烷、二乙基丙氧基矽烷、三丙基丙氧基矽烷、三 甲基丁氧基石夕烧、三乙基丁氧基魏以及三丙基丁氧基石夕 烷。 式(2)烷氧基矽烷添加劑化合物之適當濃度可得自一定 26 1302908 濃度範圍，例如約1 ppm至約5000 ppm。適當濃度範圍係由 疋義適當濃度之低端以及適當?辰度之南端而予界疋。 烷氧基矽烷添加劑化合物之適當濃度之低端為約1 ppm至約500 ppm。低端濃度之適當範圍包括(但非限制性）1 5 ppm、5 ppm ]0 ppm、25 ppm、50 ppm、100 ppm、200 ppm、 300 ppm、400 ppm及500 ppm o 烷氧基矽烷添加劑化合物之適當濃度之高端為約1000 ppm至約5000 ppm。高端濃度之適當範圍包括（但非限制 性）1000 ppm、1500 ppm、2000 ppm、2500 ppm、3000 ppm、 10 3500 ppm、4000 ppm、4500 ppm及5000 ppm。 式(2)烷氧基矽烷添加劑濃度可為單一烷氧基矽烷添加 劑或烷氧基矽烷添加劑混合物，烷氧基矽烷添加劑混合物 可呈任一種相對比例。 菖採用烧氧基石夕烧添加劑以及齡系添加劑二者時，較 15佳濃度係基於矽氧烷身分，酚系添加劑以及烷氧基矽烷添 加劑而改變。通常較佳當組合使用二者時，燒氧基石夕烧濃 度超過盼系添加劑濃度。原因在於使用較高百分比固體紛 系添加劑’特別於較高分子量有機切氧錢用較高百分 比固體盼系添加劑時，可能遭遇溶解度問題。此外較佳於 2〇穩定有機氫石夕氧院之前，將固體盼系添加劑溶解於烧氧基 矽烧。如此允許添加單-均質且容易計量之液體，無虞帶 有由-個容器至另一容器之洗滌固體的問題。 烷氧基石夕烧添加劑之適當濃度例如係於約i酔至約 5_觸之’此外㈣添加狀濃度係於則酵至約 27 1302908 1000 ppm之範圍。 烧氧基石夕烧添加劑之較佳濃度例如係於約1〇 ppm至約 測PPm之範圍，此㈣系添加劑之較佳濃度係於約1〇 ppm至約500 ppm之範圍。 烧氧基魏添加劑之更佳濃度例如係於約⑽靜至 約麵鹏之範圍，此外盼系添加劑之更佳濃度係於邸 ppm至約200 ppm之範圍。 烧氧基魏添加劑之最佳濃度例如係於約250 ppn^ 10 15
約谓鹏之範圍，此㈣系添加劑之最佳濃度係於約5< ppm至約100 ppm之範圍。 參照第1圖’式(3)、（4)及(5)所述各類別化學前驅物與 型係於不鏽鋼容器⑴包褒、運送及儲存，俾維持產品品質 至最長相為了延長前驅物之儲存壽命，常見於氮、氩 或氦等惰絲财塊產品。錢產品容輯結至化學品 輸送裝備，該裝備利用精密控制之裝置來轉運化學品，維 持產。口與t㈣純度以及__致性，製程裝備於此處稱作為
薄膜沉積工具。 ⑴驅物由4(1) ’經由化學品輸送管線(2)轉運至罩於 $膜沉積工具⑼内部之氣化器或霧化裝置⑺。前驅物可 藉夕種手&由4 a (1)經由輸送管線⑺轉運至氣化器或霧 化裝置(3) β亥等手段包括(但非限制性)以惰性氣體加壓容 器’使用，械系送機構，重力饋送或其組合。 友？，驅物流迷係於約0.01至約10毫升/分鐘之範圍。 孔化益或務化裝置(3)係作為將液態前驅物快速轉變成為蒸 28 I3〇29〇8
氣或霧之手段，可利用多項技術例如加熱、高壓氣體或其 匕手段來達成此項任務；但前驅物由液態轉成氣態可於氣 化器或霧化裝置(3)或於化學氣相處理管線(5)進行。前驅物 呈蒸氣或霧形式注入常見被加熱至約30°C至約120°C範圍 5之化學氣相處理管線(5)，該加熱係為了防止前驅物蒸氣於 管線(5)内部冷凝。管線(5)係連結至薄膜沉積工具（11)内部 之處理室（4)，基材（6)罩於處理室（4)内部。處理室（4)及化 學氣相處理管線(5)可於周圍壓力（亦即760托耳)操作，但也 常見於低於大氣壓下，於約0.01托耳至約700托耳操作，俾 1〇促進前驅物之氣化，且辅助維持前驅物於氣相。
前驅物蒸氣藉流經氣化器或霧化裝置(3)之氣流，經由 化學氣相處理管線(5)轉運至處理室(4)内部的基材(6)上。氣 流係由來源槽(7)供應，氣流流經氣體輸送管線(8)，流至化 學氣相處理管線(5)。流速約5 sccm至約1〇,〇〇〇 sccm之氣流 券被加熱，俾促進前驅物的氣化且辅助維持前驅物於氣 相。使用之氣體可為惰性氣體如氮氣、氦氣或氬氣，單純 選用作為轉運前驅物蒸氣至基材的手段；或使用之氣體可 献應性氣體例如氧氣、臭氧、氨氣、氧化亞氮、二氧化 碳、-氧化碳、甲石夕烧、石夕燒類、四說化石夕、胖等。某些 20反應性氣體含有低k薄膜沉積時不常用的元素，例如氨氣含 有氮，該種反應性氣體可用於需要修改沉積薄膜的情況。 _於沉積過程之末期滲入氨氣，讓薄膜頂部攙混氮，來 凡成低k薄膜的沉積過程並非不常見。 當前驅物蒸氣轉運至基材⑹時，除了轉運氣體之外， 29 1302908 前驅物蒸氣可混合一或多種反應物來促進其沉積於基材 上，或以特殊方式攙混所得薄膜。如前文說明，反應物可 為反應性氣體’或反應物可為其它化學前驅物例如胺類、 胺基醇類、矽烷類、矽氧烷類、烷類、烯類、炔類、醇類、 5酯類、酮類、醛類、羧酸類、胂類、烷基砷酸酯類、膦類、 烧基鱗酸Sa類、爛燒類、统基爛酸酯類等或其任一種組合。 舉例言之，下列前驅物可用於本發明：甲基胺、二甲基胺、 2-(二甲基胺基）乙醇、二乙基石浅、乙烯基曱基二甲氧基石夕 烷、辛烷、環丁烯、三曱基矽烷基乙炔、第三丁醇、苯甲 10酸甲酯、丙酮、苄醛或乙酸；以及攙雜劑化學品例如胂、 砷酸三甲酯、砷酸三乙酯、膦、磷酸三曱酯、磷酸三乙酯、 亞磷酸三甲酯、亞磷酸三乙酯、乙硼烷、硼酸三甲酯及硼 酸三乙酯。反應物經小心選擇來促進前驅物沉積於基材， 修改化學品身分以及沉積於基材上之該層性質。依據預定 15效果而定，反應物可藉多種手段以及於製程中之各個位置 被導入薄膜 >儿積工具（11)。最方便地係以氣態形式將反應物 導入薄膜沉積工具（11)，故於使用液體反應物時需要有額外 氣化器或霧化裝置。額外氣化器或霧化裝置、或用來導入 反應物之氣體輸送管線可位於接近氣體輸送管線(8)會合化 20學氣相處理管線(5)該點，位於氣化器或霧化裝置上游或下 游，直接導入電漿(9)或電漿(9)附近，及/或於薄膜沉積工具 (11)之薄膜處理室(4)側部、頂部或底部之某個位置。 前驅物蒸氣以及可能之反應物也經歷其它用來促進沉 積之條件，例如加熱或電漿(9)。前驅物蒸氣於接觸基材之 30 1302908 前可先預熱至約l〇〇t至約8〇(rc，俾促進前驅物沉積於基 材。也可使用電漿來增加能量至前驅物蒸氣且促進沉積。 此外電水可加脈衝以及未加脈衝來變更沉積之薄膜性 貝。電漿功率及脈衝持續時間經小心選擇，俾促進前驅物 5之沉積於基材，以及俾修改沉積於基材上之該層之化學身 分及性質。電漿可以1頻率範圍施加，高頻及低頻錢 · 功率係於約0千瓦至數千瓦之範圍。基材也具有偏麼約〇至 · 約-棚資俾促進材料之轉運至基材。基材可被加熱至約 25。(：至約5〇(TC ’俾造成前驅物於基材之熱分解，或用來促 · 10 進前驅物沉積於基材。 若只有有機氫石夕氧貌及惰性氣體用於此項沉積過程， 則所得薄臈將由Si、〇、CAH組成。若氧氣用於氣流，則 氧級薄膜之含量將增加。經由使用含碳或含氣反應物可 力入反及it此外’經由使用前述含有珅、删及麟之化合 15物可添加石申、删及碟至沉積過程。沉積於基材上之薄膜i 全與接觸薄膜之反應物有關。未反應材料係經由通風管線 (10)排放。 _ 實施例 叹计系列试驗來比較於多種條件下純TMCTS之分 20解，與已經使用添加劑穩定化之TMCTS之分解。試驗中， · 約5克經穩定化或未經穩定化之麗爾本置於玻璃安 親為了於樣本绝、封前由樣本中去除外來的氣體雜質，樣 本於液態氮冷;東，安瓶頂上空間於動態真空下抽真空，然 後樣本於靜態真空下解涞。重覆此項處理，然後於有或無 31 1302908 反應性氣體存在下婵 _ 像本經過燄封。對照樣本於真空下密 / &應I式驗樣本於約反應性氣體下 ，於周 圍壓力下密封。 使用之反應性氣體為氧氣及二氧化碳。由於氣體為空 氣^反應性成分故選用該等氣體。也使用潮濕空氣，潮濕 氣系二由將叙至内空氣流經水蒸氣產生氣，俾讓空氣 飽矛以水療氣。此條件用來模擬TMCTS暴露於100%濕度空 氣之最惡劣情況。
對各項可能的反應條件準備樣本，然後暴露於坑至 10 之溫度經歷五日時間。實驗完成後， 藉氣相層析 術(GC)測定各樣本之總分解情況。分解百分比係經由比較 實驗前及實驗後所得樣本之氣相層析圖而導出，此處層析 圖之任何其它物種濃度的增加表示分解。 實施例1-20
表1摘述之結果顯示對於純丁訄^^，樣本加熱至高於 60 C，暴露於二氧化碳或維持於真空下，觀察得小量分解。 樣本暴露於氧氣或空氣時，於全部溫度觀察得更顯著分 解於使用5,000 ppm二甲基甲氧基矽烧(TMM〇s)作為安定 2 ^之類似實驗中，於6GC至12G°C，於真空下或暴露於二氧 2〇化碳未見分解。如此指示TMM〇S安定劑比純TMCTS於類 似條件下可防止分解。但TMM0S無法於氧氣存在下穩定化 TMCTS 〇 32 1302908 最顯著，使用MHQ及TMMOS可將總分解百分比由〇16%降 至0.05%。 實施例21-27 然後试驗某個範圍之添加劑濃度，俾測定有效穩定 5 TMCTS所需添加劑之最低用量。TMCTy^本係以〇至5〇〇〇
ppm之MHQ濃度製備，樣本如前文討論係於氧氣氣氛下密 封於玻璃安瓶内。樣本於12〇°C加熱五日，然後各樣本藉gc 測定總分解。分解百分比係由各次實驗前後所取樣本之氣 相層析圖比對而導出，此處層析圖中有任何其它物種濃度 10的升高表示分解。表2結果證實低抵10 ppm之MHQ濃度可 有效穩定TMCTS不會分解。高達5000 ??111之]^11()濃度可有 效穩定TMCTS，但於1〇〇〇 ppm或1〇〇〇 ρριη以上之MHQ濃度 觀察得溶解度問題。雖然此等濃度可溶於TMCTS，但隨著 濃度的增高逐漸難以初步溶解MHQ於TMCTS。 15 表2 實施例編號 溫度(。〇 反應性氣體 MHQ數量 %分解 21 120 氧氣 Oppm 5.28 22 120 氧氣 10 ppm 0.66 23 120 氧氣 100 ppm 0.16 24 120 氧氣 500 ppm 0.05 25 120 乳氣 1000 ppm 0.06 26 120 氧氣 25000 ppm 0.12 27 120 氧氣 5000 ppm 0.20
實施例28-36 測試兩種以上的添加劑類別來決定其穩定TMCTS的效 34 1302908 果，其效果可經由改變取代基以及酚環的取代基位置而有不 同。對個別反應條件，使用100 ppm之兩種不同酚系添加劑 亦即酚及甲酚來準備TMCTS樣本。樣本於12(TC加熱五日。 藉GC測量各樣本之總分解。經由比較實驗前後所取樣本之氣 5 相層析圖，導出分解百分比，此處層析圖中任何其它物種濃 度的增加表示分解。此等結果與表1之純TMCTS以及含1〇〇 ppm MHQ之TMCTS所得結果並排比較，證實酚及間甲酚於 氧及潮濕空氣存在下可穩定化TMCTS效果如同MHQ。 表3 純 TMCTS 100 ppm MHQ 100 ppm 酚 100 ppm 甲酚 實施例 編號 溫度 CC) 反應性 氣體 %分解 7。分解 %分解 7。分解 28 25 真空 0 0 0 0 29 60 真空 0.04 0 0.12 0 30 90 真空 0.02 0 0.01 0.03 31 25 02 0.04 0 0 0 32 60 02 4.94 0 0 0 33 90 02 4.87 0 0 0.03 34 25 潮濕空氣 1.00 無資料 0 0 35 60 潮濕空氣 1.19 無資料 0 0 36 90 潮濕空氣 1.29 無資料 0.03 0.05
10 實施例37-45 為了驗證穩定化線性矽氧烧之能力，選用兩型線性矽 氧烷接受進一步試驗。式(6)所示1，1，3,3,5,5-六曱基三矽氧 烷（HMTS)選用其端末氫位於端末矽原子。式⑺所示 1，1，1，3,5,7,7,7-八曱基四矽氧烷(01^丁8)係選用其内部氫於 15 中央矽原子。 35 1302908 ch3 HSi.— CH3 ch3 ch3
I I ⑹ O—Si—〇—Si—h CH3 ch3 CH3
H
H CH3 H3C—Si一〇一Si—〇—Si一〇—Si一CH3 (7) ch3 CH3 CHq CH,
對各反應條件準備HMTS及OMTS樣本，可未使用添加 背J或如表4所示，使用1〇〇 ppm mhQ。樣本於120°C加熱五 曰。藉GC測量各樣本之總分解。分解百分比係經由比較實 驗W後所取樣本之氣相層析圖而導出，此處層析圖中任何其 它物種濃度的增加表示分解。此等結果比較表1對純TMCTS 以及含100 ppm MHQ之TMCTS所得結果。資料證實當線性 有機氫矽氧烷暴露於氧氣或潮濕空氣時發生分解，以及證 實各型線性有機氫矽氧烷皆可使用100 ppm MHQ穩定化。 表4 TMCTS TMCTS + 100 ppm 純 HMTS HMTS + 100 ppm 純 OMTS OMTS + 100 ppm 實施例 ▲號 溫度 CO 反應性 μ氣體 %分解 %分解 %分解 %分解 %分解 %分解 37 25 真空 0 0 0 0 0.56 0 38 60 真空 0.04 0 0.02 0.02 0.53 0 39 90 真空 0.02 0 0.02 0 0.38 0 40 25 02 0.04 0 0 0 0 0 41 60 02 4.94 0 0 0 0 0 42 90 02 4.87 0 2.65 0.01 5.51 0 43 25 潮濕 空氣 1.00 無資料 0.14 0 0.29 0 44 60 潮濕 空氣 1.19 無資料 0.10 0 0 0 45 90 潮濕 空氣 1.29 無資料 0.11 0 0.58 0 36 1302908 實施例46 以100 ppm4-甲氧酚及150 ppm三甲基曱氧基矽烷穩定 化之前驅物1，3,5,7-四曱基環四矽氧烷，借助於氮氣加壓， 以5毫升/分鐘流速，由不鏽鋼容器，通過化學輸送管線，
5移轉至燃料注入型氣化器。前驅物係於被加熱至80°C之化 學蒸氣處理管線内部氣化，且使ffil，00〇 sccm二氧化碳及 125 seem氧氣組成的反應性氣體混合物，轉運至基材，系 統之基礎壓力維持於60托耳。轉運至基材期間，前驅物蒸 氣及反應性氣體暴露於1，5〇〇瓦之高頻電漿功率以及25〇瓦 10之低頻電漿功率。基材加熱至250°C，基材偏壓為_15 VDC。 經過；5反攙雜之一氧化；5炭膜使用此等條件沉積於基材上。 雖然已經顯示及說明根據本發明之若干具體實施例， 但須瞭解熟諳技藝人士可對該等具體實施例等做出多項改 變。因此發明人不欲受限於此處顯示及說明之細節，反而 15意圖顯示全部落入隨附之申請專利範圍之變化及修改。 【圖式簡單說明】
第1圖為使用根據本發明之組成物，用於半導體產業之 薄膜沉積工具之代表圖。 【圖式之主要元件代表符號表 7…來源槽 8···氟體輸送管線 9…電漿 1〇…通風管線 11…薄膜沈積工具 1.. .容器 2.. ·化學品輸送管線 3··.氣化器或霧化裝置 4.. .處理室 5…化學氣相處理管線 6.. .基材 37

Claims (1)

  1. Β029Θ8 第92125785號專利申請案申請專利範圍修正本 97.07.10
    1. 申請專利範圍： 種有機氫矽氧烷組成物包含： 七1年 1 , ΐ ϋ s;> ί〇 a. —或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一 個[-HSiR-O-]單元，其中R為CrC18線性、分支烷基或 C3-C18i裒狀烷基、CrC18線性、分支烷氧基或C3-C18環狀 烷氧基、或經取代或未經取代之芳基以及 b. —種式（1)所示抗氧化劑化合物
    ⑴
    其中該抗氧化劑化合物為齡系化合物，其存在濃度 10 由約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為 H、OH、CVC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷基、CrC18 線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或經取代或未 經取代之芳基。 2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該一種或多種有 15 機氫矽氧烷化合物為一或多種線性化合物、一或多種環 狀化合物或其任一種組合。 3. 如申請專利範圍第2項之組成物，其中該一種或多種線 性化合物具有根據式(3)之化學式， 38 (3)1302908 R13 R10 R14
    _! I i I Si 〇---Si一〇--Si—R15 L L I Jx I R H R16 其中R為CrCls線性、分支烧基或c3_c18環狀烧 基、C^C!8線性、分支烷氧基或C3-。環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；Rn至Ri6各自分別為H、 CrCu線性、分支烷基或CK：i8環狀烷基、Ci_心線性、 分支烷氧基或CVC〗8環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；X為約1至約2〇以及當R11至R16中之至少一者為 Η時X等於〇。 4·如申請專利範圍第3項之組成物，其中R10為甲基 '乙 基、丙基、丁基或環己基；R11至R16為甲基、乙基、丙 基、丁基、環己基或Η ;以及X為約1至約1〇。 5·如申請專利範圍第3項之組成物，其中該式(3)線性有機 氫石夕氧烧係選自下列化合物組成的組群：1，1，1，3,3_五甲 基一石夕氧烧、1，1，1，3,3-五乙基二石夕氧院、1，1，1，3,3_五苯 基二矽氧烷、1，1，1，3,3-五(4-甲基苯基)二矽氧烷、U，5,5_ 四甲基-3·乙基三矽氧烷、1，1，5,5-四乙基-3-甲基三石夕氧 烷、1，1，3,5,5-五甲基三矽氧烷、1，1，3,5,5-五乙基三石夕氧 垸、1，1，3,5,5·五苯基三矽氧烷、1，1，3,5,5·五(4-曱基笨基) 三矽氧烷、1，1，1，5,5,5-六甲基-3_乙基三矽氧烷、 1，1，1，5,5,5·六乙基-3-甲基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5-七甲 基三矽氧烷、l，lj，3,5,5,5-七乙基三矽氧烷、 39 1302908 1，1，1，3,5,5,5-七苯基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5-七（4-甲基苯 基）三矽氧烷、1，1，3,5,7,7_六甲基四矽氧烷、1，1，3,5,7,7-六乙基三矽氧烷、1，1，3,5,7,7-六苯基三矽氧烷、 1，1，3,5,7,7·六（4-甲基苯基）三石夕氧烧、1，1，1，3,5,7,7,7-八 甲基四矽氧烷、1,1^,3,5,7,7,7-八乙基三矽氧烷、 1，1，1，3,5,7,7,7-八苯基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,7,7,7-八(4-甲 基苯基）三矽氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、 1，1，3,5,7,9,9-七甲基五石夕氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七乙基五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七苯基五石夕氧烧、1，1，3,5,7,9,9-七（4-甲基苯基）五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九甲基五矽氧 烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9_九乙基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9- 九苯基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九(4-甲基苯基)五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八甲基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9, 八乙基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11_八苯基六石夕氧 烧、1，1，3,5,7,9，11，11 -八(4-甲基苯基)六碎氧烧、ι，ι，ι，3 5 7,9，11，11，11_十甲基六石夕氧烧、+ 乙基六矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9，11，11，11-十苯基六石夕氧燒、 1，1，1，3,5,7,9，11，11，11-十(4-甲基苯基)六矽氧烷，及其任 一種組合。 6·如申請專利範圍第2項之組成物，其中該一種或多種線 性化合物具有根據式(4)之化學式， 40 1302908 f Ψ° R14 12 丨 Γ I I R —Spo+τ一七一 r15 (4) H R11 ή 其中R10為CVCl8線性、分支烧基或kb環狀炫 基、CrCl8線性、分支絲基或C3-C18環狀燒氧基、或 經取代或未經取代之芳基；R11至R16各自分別為H、 ci_Cls線性、分支烷基或環狀烷基、Ci<i8線性、 分支烧氧基或C3_C：18環狀燒氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約〇至約20。 7·如申請專利範圍第6項之組成物，其中Rl。為甲基、乙 基、丙基、丁基或環己基；Rn至R16為甲基、乙基、丙 基、丁基、環己基或Η ;以及y為約〇至約8。 •如申明專利範圍第6項之組成物，其中該式(4)線性有機 氫矽氧烷係選自由下列化合物組成的組群：u_二乙基 _3,3-二甲基二矽氧烷、u，3,3-四甲基二矽氧烷、 四乙基二石夕氧烷、1，：1，3,3_四苯基二矽氧烧、丨山^-四… 甲基苯基）六矽氧烷、1，1，5,5_四甲基_3,3·二乙基三矽氧 烷、U，5,5-四乙基_3,3_二甲基三石夕氧烧、u，3,3,5,5_a 甲基二石夕氧烷、1，1，3,3,5,5_六乙基三矽氧烷、i，i，3,3,5,5-六苯基三矽氧烷、1，1，3,3,5,5-六(4-甲基苯基)三矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7-八甲基四石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7-八乙基 四石夕氧燒、1，1，3,3,5,5,7,7-八苯基四石夕氧烧、 1，1，3,3,5,5,7,7_八（4·甲基苯基）四石夕氧院、ι，ι，3,3,5,5， 41 1302908 7,7,9,9-十甲基五石夕氧燒、^^，口妙十乙基五石夕 氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十苯基五矽氧烷、1，1，3,3, 5,5,7,7,9,9_十（4-甲基苯基）五矽氧烷、 9,9，ll，ll-十二甲基六矽氧烷、113 十二乙基六矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二苯基 矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二(4-曱基苯基）六 石夕氣烧，及其任一種組合。
    9·如申請專利範圍第2項之組成物，其中該—種或多種環 狀化合物具有根據式(5)之式， R17 I _Sl** *— (5) I T 1 Ο——Si—一
    其中R分別為線性、分支烷基或C3-Ci8環狀 烷基、CrCu線性、分支烷氧基*C3_Ci8環狀烷氧基、 或、、二取代或未經取代之芳基；以及z為約2至約以。 10·如申請專利範圍第9項之組成物，其中Rl7為甲基、乙 基丙基、丁基、或環己基；以及z為約2至約11。 U.=申請專·圍第9項之組成物，其巾該式(5)環狀有機 氫矽氧烷係選自由下列化合物組成的組群：三甲 f環三石m ι，3,5·三乙基環三魏垸、u，5_三苯基 %三石夕氧烧、⑶-三…曱基苯基博三石夕氧烧^^ 四甲基壞四石夕氧烧、LW-四乙基環四石夕氧烧 42 1302908 四苯基環四矽氧烷、1，3,5,7-四（4-甲基苯基）環四矽氧 烧、1，5-—甲基-3,7_二乙基環四矽氧烧、^3-二曱基_5,7_ 二乙基環四矽氧烷、1，3,5,7,9-五甲基環戊矽氧烷、 ^’^^五乙基環戊矽氧烷^^^五苯基環戊矽氧 5 烧、Μ，5,7,9·五(4_甲基苯基)環戊石夕氧烧、1，3,5,7,9，η· 六甲基環六矽氧烷、1，3,5,7,9，11-六乙基環六矽氧烷、 1，3,5,7,9，11-六苯基環六矽氧烷、1，3,5,7,911_六(4_甲基 苯基)環六石夕氧烧、1，5,9-三甲基_3,7，u_三乙基環己石夕氧 烷以及1，3,5-三甲基_7,9，11-三乙基環己矽氧烷，及其任 10 一種組合。 12.如申请專利範圍第項之組成物，其中“至^5為η、QH、 甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基。 13·如申請專利範圍第i項之組成物，其中該式（1)抗氧化劑 化合物係選自由下列化合物組成的組群：酚、氫、醌、 5 4_甲酚、3·甲酚、2-甲酚、4_乙酚、4-丙酚、4_異丙紛、 4-丁紛、4_第二丁齡、4-異丁酚、4-第三丁紛、4-甲氧基 酚、3-甲氧基酚、2_甲氧基酚、4_乙氧基酚、冬丙氧基 酚、‘丁氧基酚、2,4-二-第三丁酚、2兴卜甲基丁基）酚、 2_(苄氧基）酚、2-第三丁基-6-甲基酚、3,4,5-三甲氧基 2〇 酚、3_乙氧基_4-甲基酚、屯苄氧基酚、4-苄基-2,6_二_ 第二丁基酚、2-(2-丁烯基）酚、2-(4-甲基苄基）酚、2,6_ 二-第三丁基-4-甲基酚(BHT)、1，2_二羥基苯、2,4,6_參苄 氧基酚、2,4-二環己基-5-甲基酚以及6_第三丁基 私基苯，及其任一種組合。 43 1302908 14. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該抗氧化劑化合 物之存在量為約1 ppm至約1000 ppm。 15. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該抗氧化劑化合 物之存在量為約25 ppm至約200 ppm。 5 16. —種有機氫矽氧烷組成物，包含：
    a.—或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一 個[-HSiR-O-]單元，其中R為CrC18線性、分支烷基或 C3-C18環狀烷基、CrC18線性、分支烷氧基或C3-C18環狀 烷氧基、或經取代或未經取代之芳基以及 10 b. —種式（1)所示抗氧化劑化合物
    其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度 由約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為 H、OH、CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷基、CVCu 15 線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或經取代或未 經取代之芳基；以及 c. 一種式(2)烧氧基碎烧， 44 1302908
    其中烧氧基石夕院之存在量為約1 ppm至約5000 ppm;以及其中R6為CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀 烷基、或經取代或未經取代之芳基；以及R7、R8及R9 5 各自分別為Η、CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷
    基、CrC18線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基。 17.如申請專利範圍第16項之組成物，其中R1至R5為H、 OH、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基。 10 18.如申請專利範圍第16項之組成物，其中該式（1)抗氧化劑
    化合物係選自由下列化合物組成的組群：酚、氫、醌、 4_甲紛、3 -曱紛、2-曱紛、4-乙紛、4-丙紛、4-異丙驗、 4-丁酚、4-第二丁酚、4-異丁酚、4-第三丁酚、4-甲氧基 酚、3-甲氧基酚、2-甲氧基酚、4-乙氧基酚、4_丙氧基 15 酚、4-丁氧基酚、2,4-二-第三丁酚、2-(1-甲基丁基）酚、 2-(苄氧基）酚、2-第三丁基-6-甲基酚、3,4,5-三甲氧基 酚、3-乙氧基-4-甲基酚、4-苄氧基酚、4-苄基-2,6-二-第三丁基酚、2-(2-丁烯基）酚、2-(4-甲基苄基）酚、2,6-二-第三丁基_4·甲基酚(BHT)、1，2-二羥基苯、2,4,6_參苄 20 氧基酚、2,4-二環己基-5-甲基酚以及6-第三丁基-1，2-二 羥基苯，及其任一種組合。 45 1302908 19·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該抗氧化劑化合 物之存在量為約1 口口爪至約1〇〇〇 ppm。 20·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該抗氧化劑化合 物之存在量為約25 ppm至約200 ppm。 5 21·如申請專利範圍第16項之組成物，其中R16為甲基、乙 基或丙基；以及R7、R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧 基、乙氣基或丙氧基。 22·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該式(2)烷氧基矽 烷係選自由下列化合物組成的組群：三甲基甲氧基矽 10 烷、三乙基甲氧基矽烷、三丙基甲氧基矽烷、三苯基甲 氧基矽烷、三(4-甲基苯基）甲氧基矽烷、二甲基二甲氧 基矽燒、二乙基二甲氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、 二苯基二甲氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二甲氧基矽烷、 甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基 15 矽烷、苯基三甲氧基矽烷、4-曱基苯基三甲氧基矽烷、 三甲基乙氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三丙基乙氧基 矽烷、三苯基乙氧基矽烷、三(4-甲基苯基）乙氧基矽烷、 二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二丙基二 乙氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二 20 乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、 丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、4-甲基苯基三 乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三乙基丙氧基矽烷、 三丙基丙氧基矽烷、三苯基丙氧基矽烷、三(4-甲基苯基） 丙氧基矽烧、二甲基二丙氧基矽烧、二乙基二丙氧基矽 46 1302908 烷、二丙基二丙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二(4_ 甲基苯基）二丙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三 丙氧基碎烧、丙基二丙氧基石夕烧、苯基三丙氧基石夕燒、 4-甲基苯基三丙氧基矽烷、三甲基丁氧基矽烷、三乙基 丁氧基矽烷、三丙基丁氧基矽烷、三苯基丁氧基矽烷、 二(4-甲基苯基）丁氧基石夕烧、二甲基二丁氧基石夕烧、二 乙基二丁乳基石夕烧、二丙基二丁氧基石夕烧、二苯基二丁 氧基石夕院、一(4-甲基苯基)二丁氧基石夕烧、甲基三丁氧 基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丙基三丁氧基矽烷、苯基 三丁氧基石夕烧、4-甲基苯基三丁氧基石夕烧、三甲基苯氧 基矽烷、三乙基苯氧基矽烷、三丙基苯氧基矽烷、三苯 基苯氧基矽烷、三(4_甲基苯基）苯氧基矽烷、二甲基二 苯氧基矽烷、二乙基二苯氧基矽烷、二丙基二苯氧基矽 烷、二苯基二苯氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二苯氧基矽 烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三苯氧基矽烷、丙基三苯 氧基矽烷、苯基三苯氧基矽烷、4-甲基苯基三苯氧基矽 烷、三甲基(4-曱基苯氧基)矽烷、三乙基(4_甲基苯氧基） 矽烷、三丙基(4-甲基苯氧基)矽烷、三苯基(4_曱基苯氧 基)石夕烷、三(4-甲基苯基)(4-甲基苯氧基)石夕烧、二甲基 二(4-甲基苯氧基)矽烷、二乙基二(4_甲基苯氧基)矽烷、 二丙基二(4-甲基苯氧基)矽烷、二苯基二甲基苯氧基） 矽烷、二(4-甲基苯基)二(4-甲基苯氧基)矽烷、甲基三(4_ 甲基苯氧基)石夕烧、乙基三(4-曱基苯氧基)石夕烧、丙基三 (4-甲基苯氧基)矽烷、苯基三(4-甲基苯氧基)矽烷、4_甲 47 1302908 基笨基三(4-甲基苯氧基)矽烷，及其任一種組合。 23·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該烷氧基矽烷之 存在量為約10 ppm至約2500 ppm。 24·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該烷氧基矽烷之 5 存在量為約100 ppm至約1000 ppm。 25·如申凊專利範圍第16項之組成物，其中該一種或多種有 機氫矽氧烷化合物為一或多種線性化合物、一或多種環 狀化合物或其任一種組合。 26·如申清專利範圍第25項之組成物，其中該一種或多種線 1〇 性化合物具有根據式(3)之化學式， r13 个 10 r14 R12-—Si—〇--Si—〇-一Si—R15 (3) i > 其中R1G為CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷 基、CrC18線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；R11至R16各自分別為Η、 15 CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷基、CrC18線性、 分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；X為約1至約20以及當R11至R16中之至少一者為 Η時X等於〇。 27.如申請專利範圍第26項之組成物，其中Ri〇為甲基、乙 20 基、丙基、丁基或環己基；R11至R16為甲基、乙基、丙 基、丁基、環己基或Η ;以及X為約1至約1〇。 48 1302908 28·如申請專利範圍第26項之組成物，其中該式(3)線性有機 氫矽氧烧係選自下列化合物組成的組群：1，1，1，3,3_五甲 基二矽氧烷、1，1，1，3,3·五乙基二矽氧烷、1，1，1，3,3-五苯 基二矽氧烷、1,1，1，3,3-五(4-甲基苯基)二矽氧烷、ΐ，ι，5,5-四甲基-3-乙基三砍氧烧、1，1，5,5-四乙基-3 -甲基三碎氧 烷、1，1，3,5,5-五甲基三矽氧烷、1，1，3,5,5-五乙基三矽氧 烷、1，1，3,5,5-五苯基三矽氧烷、1，1，3,5,5_五(4-曱基苯基) 三矽氧烷、1，1，1，5,5,5-六甲基-3-乙基三矽氧烷、 1，1，1，5,5,5-六乙基-3-甲基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5-七甲 基三矽氧烷、1，1，1，3,5,5,5-七乙基三矽氧烷、 1，1，1，3,5,5,5-七苯基三矽氧烷、1，1，1，3,5,5,5-七（4-曱基苯 基）三矽氧烷、1,1，3,5,7,7-六甲基四石夕氧烧、ι，ι，3,5,7,7-六乙基三矽氧烷、1，1，3,5,7,7-六苯基三矽氧烷、 1，1，3,5,7,7-六（4-甲基苯基）三石夕氧烧、1，1,1，3,5,7,7,7-八 曱基四矽氧烷、1，1，1，3,5,7,7,7-八乙基三矽氧烷、 1，1，1，3,5,7,7,7-八苯基三矽氧烷、1，1，1，3,5,7,7,7-八(4_甲 基苯基）三矽氧烷、ms，？，、、七甲基五矽氧烷、 1，1，3,5,7,9,9·七甲基五矽氧烷、113,5,7,9,9_七乙基五矽 氧烧、1，1，3,5,7,9,9-七苯基五石夕氧烧、1,1，3,5,7 9 9_七(4_ 甲基苯基）五矽氧烷、丨丄^^^九甲基五矽氧 烧、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九乙基五石夕氧烧、mum、 九苯基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9_九(4_甲基苯基)五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11_人甲基六石夕氧烧、1，1，3,5,79, 11，11-八乙基六石夕氧烷、^^ ^，^八苯基六矽氧 49 1302908 烷、1，1，3,5,7,9，11，11_八（4_甲基苯基）六矽氧炫、 1’1’1’3,5,7,9,11，11，11-十甲基六碎氧院、1，1，1，3,5,7,9, 11，11，11_十乙基六矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9，11，11，11-十苯基 六矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9，11，11，11-十(4-甲基苯基）六矽氧 烧，及其任一種組合。 29·如申請專利範圍第25項之組成物，其中該一種或多種線 性化合物具有根據式(4)之化學式， »13 ,10 • 12· R “——SiΟ——Si— H R11 r14I 15 -Si-—R15
    y (4) H 其中線性、分支烷基或C3-Ci8環狀烷 l〇 基、CrCu線性、分支烷氧基或^/以環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；RiiSRl6各自分別為H、 CrCls線性、分支烷基或環狀烷基、線性、
    刀支烷氧基或C3_C1S環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約0至約2〇。 15 3〇·如申請專利範圍第29項之組成物，其中Rl〇為甲基、乙 基、丙基、丁基或環己基；r%ri6為甲基、乙基、丙 基、丁基、環己基或Η ;以及y為約〇至約8。 31.如申請專利範圍第29項之組成物’其中該式⑷線性有機 20 氫矽氧烷係選自由下列化合物組成的組群：u_二乙基 •3,3-二甲基二石夕氧烧、U，3,3,甲基二石夕氧烧、 四乙基二魏烧、l，l，3,3•四苯基二錢烧、四⑷ 50 1302908 曱基苯基）六矽氧烷、1，1，5,5-四甲基_3,3-二乙基三矽氧 院、1，1，5,5-四乙基-3,3·二甲基三矽氧烷、j3,3,3,5,54 甲基二石夕氧烧、1，1，3,3,5,5_六乙基三矽氧烧、1，1，3,3,5,5- 六苯基三石夕氧烧、1，1，3,3,5,5-六(4-甲基苯基)三矽氧烷、 10
    1，1，3,3,5,5,7,7-八甲基四石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7_八乙基 四矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7_八苯基四矽氧烷、1，1，3,3, 5,5,7,7-八(4-甲基苯基)四矽氧烷、+ 甲基五矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十乙基五矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十苯基五矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9_ 十(4-甲基苯基)五石夕氧院、^^，^，^⑴十二 甲基六石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二乙基六石夕 氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11_十二苯基六矽氧烷、 1’1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11_十二(4_甲基苯基)六石夕氧院，及 其任一種組合。 15 32.如申睛專利範圍第25項之纟且成物，其中該—種或多種環 狀化合物具有根據式(5)之式
    其中R分別為C1<：i8線性、分支烧基或 1 kCu線性、分支燒氧基或環狀烧氧基 或座取代或未經取代H以及Z為約2至約2卜
    51 20 !3〇29〇8 33·如申請專利範圍第32項之組成物，其中Ri7為甲基、乙 基、丙基、丁基、或環己基；以及z為約2至約11。
    34·如申請專利範圍第32項之組成物，其中該式(5)環狀有機 氫矽氧烷係選自由下列化合物組成的組群·· 13，^三甲 基環二石夕氧烧、1，3,5-三乙基環三石夕氧烧、ι，3,5-三苯基 環二石夕氧烧、1，3,5-三(4-甲基苯基)環三石夕氧烧、ι，3,5 7· 四甲基環四矽氧烷、1，3,5,7-四乙基環四矽氧烷、u，5,7_ 四苯基環四矽氧烷、13,5,7-四（4_甲基苯基）環四矽氧 燒、1，5_—甲基-3,7_二乙基環四石夕氧烧、ι，3-二甲基 二乙基環四矽氧烷、五甲基環戊矽氧烷、
    1，3,5,7,9_五乙基環戊矽氧烧、1，3,5,7,9-五苯基環戊矽氧 烷、1，3,5,7,9-五(4-曱基苯基)環〈戊矽氧烷、u，5,7,9，n_ 六甲基環六矽氧烷、1，3,5,7,9，11_六乙基環六矽氧烷、 1，3,5,7,9，11-六苯基環六矽氧烷、1，3,5,7,911_六（4_甲基 笨基)環六矽氧烷、^9-三甲基_3,7，u_:乙基環己矽氧 燒以及1，3,5-三甲基三乙基環己石夕氧烷，及其任 一種組合。 35.如申請專利範圍第16項之組成物，其中該組成物包含： a·—或多種式(3)有機氫矽氧烷化合物，
    其中Rl0為Cl_Ci8線性、分支烷基或cvc18環狀烷 52 1302908 基、CrCl8線性、分支烷氧基或C3_C1S環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基，以及Rn至Ri6各自分別為 Η、C「C18線性、分支烷基或C3_Ci8環狀烷基、c^Ci8線 性、分支烷氧基或C3_C1S環狀烷氧基、或經取代或未經 取代之芳基；以及X為約1至約1〇 ; b· 一種式⑴抗氧化劑化合物，其中R1至1^為11、 〇H、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基；以及 c·一種式(2)烷氧基矽烷，其中R6為甲基、乙基、或
    丙基；以及R7、R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、 乙氧基或丙氧基。 36·如申請專利範圍第16項之組成物，其中該組成物包含： a·—或多種式(4)有機氫石夕氧烧化合物， »13 R10 ,14
    一~Si—Ο Ι Η R π y (4) H 15
    其中R10為CrC18線性、> 支烧基或心^環狀炫 基、CrCls線性、分支烷氧基4C3_Cis環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基，及以“至^6各自分別為h、 cvc18線性、分支烷基或Cs_Ci8環狀烷基、Ci_c^線性、 分支烧氧基或CVC18環狀錄基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約0至約20 ; b·、一種式（1)抗氧化劑化合物，其中以1至尺5為11、 〇H、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基；以及 53 20 1302908 c.一種式(2)烷氧基矽烷，其中R6為甲基、乙基、或 丙基；以及R7、R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、 5 乙氧基或丙氧基。 37.如申請專利範圍第16項之組成物，其中該組成物包含： a.—或多種式(5)有機氫矽氧烷化合物， R17I Si—〇-Η ΗI Ο——Si- ,17 (5)
    其中R17分別為Ci-Cu線性、分支烷基或C3-C18環狀 烷基、線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、 或經取代或未經取代之芳基；以及z為約2至約11 ; 10 b.—種式（1)抗氧化劑化合物，其中R1至R5為Η、 OH、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、或第三丁基；以 及 c.一種式(2)烷氧基矽烷，其中R6為甲基、乙基、或 丙基；以及R7、R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、 15 乙氧基或丙氧基。 3 8 · —種形成一氧化物層於一基材上之方法，包含下列步 驟：
    a.將一種有機氫矽氧烷組成物導入氣流内，藉此形 成製程蒸氣； 20 b·讓該基材之一表面接觸該製程蒸氣；以及 54 1302908 c•分解該製程τ — 复 巧氣，藉此形成氧化物層於基材上。 二或:有機氫矽氣烷組成物包含·· [韻.〇^有錢⑦纽化合物，其各自至少有一個 環狀烷Λ早疋’其中汉為01^18線性、分支院基或Cs-Cl8 A ★ 土 Cl<18線性、分支烷氧基或CVCu環狀烷氧 基、⑽取代或未經取代之芳基以及 種式（1)所示抗氧化劑化合物 R4 R5
    Ο—Η (1) 其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度 10 由約1 ppm至約5,000 ppm，以及其中R1至R5各自分別為 H' OH' CVc18線性、分支烷基或C3_Ci8環狀烷基、Ci_Ci8
    線丨生刀支燒氧基或C^-Ci8環狀烧氧基、或經取代或未 經取代之芳基。 39.如申請專利範圍第邓項之方法，其中該基材為半導體基 15 材。 4〇_如申請專利範圍第38項之方法，其中該氧化物層為摻雜 氧化石夕層包含一種選自下列組成的組群之摻雜劑：氫、 石反、鼠及其任一種組合。 41.如申請專利範圍第38項之方法，其中該氧化物層為摻雜 氧化矽層包含一種選自下列組成的組群之摻雜劑：砂、 55 1302908 硼、磷及其任一種組合。 42·如申请專利範圍第38項之方法，其中該氣流包各^ 列組成的組群之氣體：氮、氦、氬、氧、臭氧、氨氧 化亞氮、二氧化碳、一氧化碳、甲矽烷、矽烷、四氟4 5 $夕、肼及其任一種組合。 43·如申請專利範圍第38項之方法，其中該處理蒸氣進一步 包含一種選自下列組成的組群之化學前驅物：胺類、胺 基醇類、矽烷類、矽氧烷類、烷類、烯類、炔類、醇類、 酯類、_類、駿類、魏酸類及其任一種組合。 10 44.如申請專利範圍第38項之方法，其中該處理蒸氣進/步 包含一種選自下列組成的組群之化學前驅物：胂類、烷 基砷酸酯類、膦類、烷基磷酸酯類、烷基亞磷酸酯類、 硼烷類、烷基硼酸酯類、及其任一種組合。 45·如申請專利範圍第38項之方法，其中該分解步驟包含一 15 種選自下顺成的組群之分解手段··電漿、加熱、化學 反應及其任一種組合。 20 46·如申請專利範圍第45項之方法 iOOt：至約800t：之溫度。 其中該加熱手段包含約
    47·如申請專利範圍第38項之方法，其中該一 氫矽氧烷化合物為一或多種線性化合物、 化合物或其任一種組合。 種或多種有機 一或多種環狀 48·如申請專利範圍第47項之方法，其中該 化合物具有根據式(3)之化學式， 一種或多種線性 56 1302908 R13 R10 r14 12 I I I ⑶ R —Si ——O -—甲一 〇——Si——Ris i Jxi R11 H >
    其中線性、分支烷基或C3-Ci8環狀烷 基、CrC!8線性、分支烷氧基或。/^環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；RnsRl6各自分別為H、 Ci-C〗8線性、分支烷基或Cs_Ci8環狀烷基、Ci_c^線性、 分支烷氧基或CVCu環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；X為約1至約20以及當R11至R!6中之至少一者為 Η時X等於〇。 49·如申請專利範圍第48項之方法，其中r〗〇為甲基、乙基、 丙基、丁基或環己基；R11至R16為甲基、乙基、丙基、 丁基、環己基或Η ;以及X為約1至約10。
    50·如申請專利範圍第48項之方法，其中該式(3)線性有機氫 秒氧烷係選自下列化合物組成的組群：l，u，3,3_五甲基 二石夕氧烷、1，1，1，3,3-五乙基二矽氧烷、1，1，1，3,3_五苯基 —石夕氣烧、1，1，1，3,3_五(4-甲基苯基）二石夕氧烧、ι，ι，5,5_ 四甲基-3-乙基三矽氧烷、M，5,5-四乙基-3-甲基三矽氧 燒、1，1，3,5,5_五甲基三矽氧烷、1，1，3,5,5-五乙基三矽氧 燒、U，3,5,5_五苯基三矽氧烷、1，1，3,5,5-五(4-甲基苯基） 二石夕氧烷、1，1，1，5,5,5-六甲基-3-乙基三矽氧烷、 U，l，5,5,5-六乙基-3-甲基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5-七甲 基三矽氧烷' 1，1，1，3,5,5,5-七乙基三矽氧烷、 57 !3〇29〇8 1，1，1，3,5,5,5-七苯基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5-七（4-甲基苯 基）三矽氧烷、1，1,3,5,7,7-六曱基四石夕氧烧、1，1，3,5,7,7_ 六乙基三石夕氧烧、1，1，3,5,7,7-六苯基三石夕氧烧、 1，1，3,5,7,7-六（4-甲基苯基）三石夕氧燒、 甲基四砍乳烧、1，1，1，3,5,7,7,7-八乙基三碎氧烧、 1，1，1，3,5,7,7,7-八苯基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,7,7,7_八(4-甲 基苯基）三矽氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、 1，1，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、ι，ι，3,5,7,9,9-七乙基五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七苯基五矽氧烷、1，1,3,5,7,9,9_七（4_ 1〇 甲基苯基）五矽氧烷、U，l，3,5,7,9,9,9-九甲基五矽氧 九苯基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九(4-甲基苯基)五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八甲基六石夕氧烧、113,5,7,9, 1U1-八乙基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八苯基六矽氧 烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八（4_曱基苯基）六矽氧烷、 U，l，3,5,7,9，ll，ll，ll_ 十甲基六石夕氧烧、mwj， 11，11，11-十乙基六矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9，11，11,11_十苯基 六矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9，11，11，11_十(4-曱基苯基)六矽氧 燒’及其任一種組合。 51.如申請專利範圍第47項之方法，其中該一種或多種線性 化合物具有根據式(4)之化學式， 58 (4)1302908 12一
    R 其中Rl〇為Cl_Cl8線性、A支烧基或cvc18環狀烧 基、α18線性、分纽氧基或C3_Ci8環狀垸氧基、或 5 、經取代或未經取代之芳基；R11至R16各自分別為H、 Ci-C!8線性、分支烷基或環狀烷基、線性、
    刀支烷氧基或CVC〗8環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約〇至約20。 52·如申請專利範圍第51項之方法，其中r1〇為甲基、乙基、 丙基、丁基或環己基；Rn至Ri6為甲基、乙基、丙基、 1〇 丁基、環己基或H ;以及y為約〇至約8。
    53·如申請專利範圍第51項之方法，其中該式(4)線性有機氫 石夕氧烧係選自由下列化合物組成的組群：—二乙基 ·3,3-二甲基二矽氧烷、U，3,3-四甲基二矽氧烷、1，1，3,3_ 四乙基二矽氧烷、四苯基二矽氧烷、^^四㈠-15 甲基苯基）六矽氧烷、1，1，5,5·四甲基-3,3-二乙基三矽氧 烷、M，5,5-四乙基_3,3_二甲基三石夕氧烧、u，353,5,5_六 甲基三矽氧烷、U，3,3,5,5-六乙基三矽氧烷、1，1,3,3,5,5-六苯基三矽氧烷、1，1，3,3,5,5-六(4-甲基苯基)三矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7_八甲基四石夕氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7-八乙基 20 四石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7-八苯基四石夕氧烧、1，1，3,3,5,5, 7,7·八(4-甲基笨基）四石夕氧烧、U，3,3,5,5,7,7,9,9-+t& 59 1302908 五矽氧烷、1山3,3,5,5,7,7,9,9·十乙基五矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十苯基五石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9_ 十(4-甲基苯基)五石夕氧燒、 甲基六石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二乙基六石夕 氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二苯基六矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11_十二(4_甲基苯基)六石夕氧烧，及 其任一種組合。 54.如申請專利範圍第47項之方法，其中該—種或多種環狀 化合物具有根據式(5)之式 10
    其中R17分別為CVC,8線性、分支貌基或从8環狀 烷基、c】-c18線性、分支燒氧基或C3_Ci8環狀院氧基、 或經取代或未經取代之芳基；以及z為約2至約Μ。 15 &如申請專利範圍第54項之方法，其中r17為甲基、乙基、 丙基、丁基、或環己基；以及z為約2至約u。 土 ^申請專賴圍第54項之方法，其中該式(5)環 石夕竭選自由下列化合物紅成的組群： ： 環三石夕氧烧、U，5•三乙基環三魏院、^ 二石夕氧垸、U，5·三(4_甲基苯基)環三錢 = 四甲基環四㈣^，抓四乙基環四錢心^ 60 20 1302908 四苯基環四矽氧烷、1，3,5,7-四（4_甲基苯基）環四矽氧 烷、1，5-二甲基-3,7-二乙基環四矽氧烷、二甲基_5,7_ 二乙基環四矽氧烷、1，3,5,7,9_五甲基環戊矽氧烷、 1，3,5,7,9-五乙基環戊矽氧烷、1Λ5,7，、五苯基環戊矽氧 烧、1，3,5,7,9_五(4·甲基苯基)環戊矽氧烷、 六甲基環六矽氧烷、1，3,5,7,9，11-六乙基環六矽氧烷、 1，3,5,7,9，11-六苯基環六矽氧烧、1，3,5,7,9，11_六（4_甲基 苯基)環六矽氧烷、1，5,9-三甲基_3,7，U_三乙基環己矽氧 燒、1，3,5-二甲基-7,9，11_三乙基環己石夕氧烧，及其任一 _ 種組合。 57·如申請專利範圍第38項之方法，其中RlsR5為H、〇H、 曱基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基。 58.如申請專利範圍第38項之方法，其中該式（1)抗氧化劑化 合物係選自由下列化合物組成的組群：酚、氫、醌、4_ 甲酚、3-甲酚、2-甲酚、4-乙酚、4-丙酚、4-異丙酚、4-丁酚、4_第二丁酚、4-異丁酚、4-第三丁酚、4-甲氧基 酚、3-甲氧基酚、2-甲氧基酚、4-乙氧基酚、4_丙氧基 鲁 紛、4_丁氧基酚、2,4_二_第三丁酚、2_(1·甲基丁基）酚、 2_(苄氧基）酚、2-第三丁基-6-甲基酚、3,4,5-三甲氧基 盼、3_乙氧基_4_甲基盼、4-苄氧基紛、4_苄基-2,6-二_ 第三丁基酚、2_(2·丁烯基）酚、2_(4_曱基苄基）酚、2,6_ 一-弟二丁基_4_甲基紛(BHT)、1，2-二經基苯、2,4,6-參苄 氧基酚、2,4·二環己基-5-曱基酚以及6-第三丁基-1，2·二 經基本’及其任一種組合。 61 •如申請專利範圍 之存在量為約i 丨第38項之方法，其中該抗氧化劑化合物 ppm至約 1〇〇〇 ppm。 重形成氧化物層於基材之方法，包含下列步驟： 將種有機氫石夕氧烧組成物導入氣流内，藉此形 成製程蒸氣； b•讓該基材之一表面接觸該製程蒸氣；以及 C•分解該製程蒸氣，藉此形成氧化物層於基材上。 其中該有機矽氧烷組成物包含： 一或多種有機氫矽氧烷化合物，其各自至少有一個 [他㈣-]單元，其中R^rC18線性、分支烧基或C3_Ci8 環狀烷基、線性、分支烷氧基或Cs_Ci8環狀烷氧 基、或經取代或未經取代之芳基以及 一種式（1)所示抗氧化劑化合物 R4 R5
    其中該抗氧化劑化合物為酚系化合物，其存在濃度 由約4?1!1至約5,00(^?111，以及其中111至115各自分別為 Η、OH、CVCu線性、分支烷基或C3_Ci8環狀烷基、 線性、分支烧氧基或C3_C1S環狀烧氧基、或經取代或未 經取代之芳基；以及 一種式(2)烧氧基矽烧， 1302908
    其中烧氧基石夕烧存在量為約1 ppm至約5000 ppm ; 以及其中R6為CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷 基、或經取代或未經取代之芳基；以及R7、R8及R9各自 5 分別為Η、CrC18線性、分支烷基或C3-C18環狀烷基、 線性、分支烷氧基或C3-C18環狀烷氧基、或經取 代或未經取代之芳基。 61·如申請專利範圍第60項之方法，其中該基材為半導體基 材。 10 62.如申請專利範圍第60項之方法，其中該氧化物層為摻雜 氧化矽層包含一種選自下列組成的組群之摻雜劑：氫、 碳、氮及其任一種組合。
    63. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該氧化物層為摻雜 氧化石夕層包含一種選自下列組成的組群之摻雜劑：珅、 15 硼、磷及其任一種組合。 64. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該氣流包含選自下 列組成的組群之氣體：氮、氦、氧、氬、臭氧、氨、氧 化亞氮、二氧化碳、一氧化碳、甲石夕烧、石夕烧、四IL化 砍、耕及其任一種組合。 20 65·如申請專利範圍第60項之方法，其中該處理蒸氣進一步 包含一種選自下列組成的組群之化學前驅物：胺類、胺 63 1302908 基醇類、矽烷類、矽氧烷類、烷類、烯類、炔類、醇類、 酯類、酮類、醛類、羧酸類及其任一種組合。 66·如申請專利範圍第60項之方法，其中該處理蒸氣進一步 包含一種選自下列組成的組群之化學前驅物：胂類、烷 5 基砷酸酯類、膦類、烷基磷酸酯類、烷基亞磷酸酯類、 硼烷類、烷基硼酯類、及其任一種組合。 67.如申請專利範圍第60項之方法，其中該分解步驟包含一 種選自下列組成的組群之分解手段：電漿、加熱、化學 反應及其任一種組合。 10 68.如申請專利範圍第67項之方法，其中該加熱手段包含約 100°C至約800°C之溫度。 69. 如申請專利範圍第60項之方法，其中R1至R5為Η、OH、 甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或第三丁基。 70. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該式（1)抗氧化劑化 15 合物係選自由下列化合物組成的組群：酚、氫、醌、4- 甲紛、3 -甲紛、2-甲驗、4-乙紛、4-丙紛、4·異丙紛、4-丁酚、4-第二丁酚、4-異丁酚、4_第三丁酚、4-甲氧基 酚、3-甲氧基酚、2-甲氧基酚、4-乙氧基酚、4-丙氧基 酚、4-丁氧基酚、2,4-二-第三丁酚、2-(1-甲基丁基）酚、 20 2-(苄氧基）酚、2-第三丁基-6-甲基酚、3,4,5-三甲氧基 酚、3-乙氧基-4-甲基酚、4-苄氧基酚、4-苄基-2,6-二-第三丁基酚、2-(2-丁烯基）酚、2-(4-曱基苄基）酚、2,6-二-第三丁基-4-甲基酚(BHT)、1,2-二羥基苯、2,4,6-參苄 氧基酚、2,4-二環己基-5-曱基酚以及6-第三丁基-1，2-二 64 1302908 羥基笨，及其任一種組合。 71·如申請專利範圍第60項之方法，其中該抗氧化劑化合物 之存在量為約1 ppm至約1〇〇〇 ρριη。 72·如申請專利範圍第60項之方法，其中R16為甲基、乙基 或丙基；以及R7'R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、 乙氧基或丙氧基。 73·如申請專利範圍第60項之方法，其中該式(2)烷氧基矽烷 係選自由下列化合物組成的組群：三甲基曱氧基矽烧、 三乙基曱氧基矽烷、三丙基甲氧基矽烷、三苯基甲氧基 石夕烧、三(4_甲基苯基）甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽 烷、二乙基二甲氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二苯 基二甲氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二甲氧基矽烷、甲基 三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲氧基矽 烧、苯基三甲氧基矽烷、4-曱基苯基三曱氧基矽烷、三 甲基乙氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三丙基乙氧基矽 烷、三苯基乙氧基矽烷、三(4-甲基苯基）乙氧基矽烷、 二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二丙基二 乙氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二 乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、 丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、4-甲基苯基三 乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三乙基丙氧基矽烷、 三丙基丙氧基石夕烧、三苯基丙氧基石夕烧、三(4-甲基苯基) 丙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽 烧、二丙基二丙氧基石夕烧、二苯基二丙氧基石夕烧、二(4_ 65 1302908 甲基苯基）二丙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三 丙氧基石夕烧、丙基三丙氧基石夕烧、苯基三丙氧基石夕烧、 4-甲基苯基三丙氧基石夕烧、三甲基丁氧基石夕烧、三乙基 丁氧基矽烷、三丙基丁氧基矽烷、三苯基丁氧基矽烷、 5 三(4-甲基苯基）丁氧基矽烷、二甲基二丁氧基矽烷、二 乙基二丁氧基矽烷、二丙基二丁氧基矽烷、二苯基二丁 氧基矽烷、二(4-曱基苯基)二丁氧基矽烷、甲基三丁氧 基矽烷、乙基三丁氧基矽烷、丙基三丁氧基矽烷、苯基 三丁氧基矽烷、4-甲基苯基三丁氧基矽烷、三甲基苯氧 0 基矽烷、三乙基苯氧基矽烷、三丙基苯氧基矽烷、三苯 基苯氧基矽烷、三(4-甲基苯基）苯氧基矽烷、二甲基二 苯氧基矽烷、二乙基二苯氧基矽烷、二丙基二苯氧基矽 烷、二苯基二苯氧基矽烷、二(4-甲基苯基)二苯氧基矽 烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三苯氧基矽烷、丙基三苯 5 氧基矽烷、苯基三苯氧基矽烷、4-甲基苯基三苯氧基矽 烧、三甲基(4-甲基苯氧基)矽烷、三乙基(4-甲基苯氧基) 矽烷、三丙基(4-曱基苯氧基)矽烷、三苯基(4_甲基苯氧 基)矽烷、三(4-甲基苯基)(4-甲基苯氧基)矽烷、二甲基 二(4-甲基苯氧基)矽烷、二乙基二(4-甲基苯氧基)矽烷、 〇 二丙基二(4-曱基苯氧基)矽烷、二苯基二(4-甲基苯氧基） 矽烷、二(4-甲基苯基)二(4-甲基苯氧基)矽烷、甲基三(4-甲基苯氧基)矽烷、乙基三(4·甲基苯氧基)矽烷、丙基三 (4-甲基苯氧基)矽烷、苯基三(4-甲基苯氧基)矽烷、4-甲 基本基二(4-甲基苯氧基)石夕烧，及其任一種組合。 66 1302908 74·如申請專利範圍第60項之方法，其中該烷氧基矽烷之存 在量為約10 ppm至約2500 ppm。 75·如申請專利範圍第60項之方法，其中該烷氧基矽烷之存 在量為約100 ppm至約1000 ppm。 76·如申請專利範圍第60項之方法，其中該一種或多種有機 氫矽氧烷化合物為一或多種線性化合物、一或多種環狀 化合物或其任一種組合。 77.如申請專利範圍第76項之方法，其中該一種或多種線性 化合物具有根據式(3)之化學式， ,12. R 13 10 R —Si —〇-R11 Si—〇- I Η x R14 Si—R15 Λ6 ⑶ 其中R〇為CrCu線性、分支烷基或c3_Ci8環狀烷 基、CVC1S線性、分支烷氧基或^七^環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；Rn至Rl6各自分別為h、
    CrCl8線性、分支烷基或C3_C1S環狀烷基、Ci_Ci8線性、 刀支烧氧基紅3_C18環狀錄基、或經取代或未經取代 之芳基；x為約1至約20以及當R11至R16中之至少一者為 Η時X等於〇。 78. 如申請專利範圍第77項之方法，其中Rl0為甲基、乙基、 丙基、丁基或環己基；R11至R16為甲基、乙基、丙某、 丁基、環己基或Η ;以及X為約1至約1〇。 79. 如申請專利範圍第77項之方法，其中該式(3)線性有機氮 67 I3〇29〇8 矽氧烷係選自下列化合物組成的組群· 五甲基 二矽氧烷、1，1，1，3,3-五乙基二矽氧烷、l u，3 3-五苯基 二矽氧烷、1，1，1，3,3-五(4-甲基苯基)二矽氧烷、U 5 5_ 四甲基-3-乙基三矽氧烷、U，5,5_四乙基_3_甲基三矽氧 烷、1，1，3,5,5-五甲基三矽氧烷、u，3,5,5_五乙基三矽氧 垸、1，1，3,5,5·五苯基三矽氧烷、1，丨，3,5,5_五(冬甲基苯基) 二石夕氧烧、1，1，1，5,5,5-六甲基-3-乙基三矽氧烷、 Μ，1，5,5,5·六乙基-3-甲基三石夕氧烧、1，1，1，3,5,5,5_七甲 基三矽氧烷、1，U，3,5,5,5-七乙基三矽氧烷、 1，1，1，3,5,5,5-七苯基三矽氧烷、ι，ι，ι，3,5,5,5-七（4-甲基苯 基）三矽氧烷、1，1，3,5,7,7_六甲基四石夕氧烧、i，i，3,5,7,7- 六乙基三矽氧烷、1，1，3,5,7,7-六苯基三矽氧烷、 1，1，3,5,7,7-六（4-甲基苯基）三石夕氧烧、八 甲基四矽氧烷、1，1，1，3,5,7,7,7-八乙基三矽氧烷、 1，1，1，3,5,7,7,7-八苯基三矽氧烷、ι，ι，ι，3,5,7,7,7-八(4-甲 基苯基）三矽氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、 1，1，3,5,7,9,9-七甲基五矽氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七乙基五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七苯基五矽氧烷、1，1，3,5,7,9,9-七（4-甲基苯基）五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九甲基五矽氧 烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九乙基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九苯基五矽氧烷、1，1，1，3,5,7,9,9,9-九(4-甲基苯基)五矽 氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八甲基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9, 11，11-八乙基六矽氧烷、1，1，3,5,7,9，11，11-八苯基六矽氧 烷、1，1，3,5,7,9，11，11_八(4-甲基苯基)六矽氧烷、1，1，1，3,5, 68 l3〇29〇8 7,9，11，11，11_切基六梦氧院、^ 3 5 7 乙基六石夕氧燒、lUWJUu·十苯基六石夕氧烧、 m’W’VUUl-十(4-甲基苯基)六矽氧烧，及其任 一種組合。 80·如申請翻範圍第％項之方法，其巾該—種或多種線性 化合物具有根據式(4)之化學式， ι13 R 10 R 12. •S|—〇-Η Si—Ο- R 11 y Γ Si—R1S H (4)
    其中Rl0為CrCl8線性、分支烷基或c3-c18環狀烷 基、線性、分支烷氧基*Q_Ci8環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基；r1^r16各自分別為H、 CrCls線性、分支烷基或環狀烷基、Ci_c】8線性、 分支烧氧基或C3_C18環㈣氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約0至約2〇。
    81·如申請專利範圍第8〇項之方法，其中r1G為甲基、乙基、 丙基、丁基或環己基；R11至R16為甲基、乙基、丙基、 丁基、環己基或Η ;以及y為約〇至約8。 82·如申請專利範圍第80項之方法，其中該式⑷線性有機氯 石夕氧烧係選自由下列化合物組成的組群：u-二乙基 -3,3-一曱基一梦氧烧' nn四甲基二⑪氧烧、 四乙基二石夕氧烧、1，1，3,3-四苯基二石夕氧烧、m3-四⑷ 甲基苯基)六♦氧烧、U，5,5_四甲基_3,3二乙基三石夕氧 69 1302908 院、1，1，5,5-四乙基-3,3-一甲基三梦氧炫、1，1，3,3,5,5-六 甲基三矽氧烷、1，1，3,3,5,5-六乙基三矽氧烷、i，i，3,3,5,5-六本基二分乳炫、1，1，3,3,5,5_六(4-甲基苯基)三梦氧烧、 1，1，3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烧、ι，ι，3,3,5,5,7,7-八乙基 5 四梦乳炫、1，1，3,3,5,5,7,7-八苯基四碎氧烧、mg，
    5,5,7,7_八(4-甲基本基）四石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十 甲基五矽氧烷、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9_十乙基五矽氧烷、 1，1，3,3,5,5,7,7,9,9-十苯基五矽氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9_ 十(4_甲基苯基)五矽氧烷、^^入入^^-十二 ) 甲基六石夕氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二乙基六矽 氧烧、1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二苯基六石夕氧烧、 1，1，3,3,5,5,7,7,9,9，11，11-十二(4_甲基苯基)六石夕氧烧，及 其任一種組合。 15 83.如申請專利範圍第76項之方法 化合物具有根據式（5)之式 其中该一種或多種環狀
    ^ _^8線性、分支烧基或a』 凡基、Q-Q8線性、分去 或經取代絲錄代减或C3.Cl8·烧氧基 84·如申請專利範圍第83項之;二為_21。 方法，其中R17為甲基、乙J
    70 20 1302908 内基、丁基、或環己基；以及Z為約2至約U。 85.如申請專利範圍第83項之方法，其中該式(5)環狀 石夕氧烧係選自由下列化合物組成的組群：1，3,5_三-環三石夕氧院、U，5_三乙基環三魏烧、1，3,5·三笨^ 二石夕氧烧、1，3,5-三(4-甲基苯基)環三梦氧院、 10 15
    四甲基四石夕氧院、^^四乙基環四石夕氧燒、1 3 $ 7 四苯基環四石夕氧院、U，5,7部_甲基苯基）環四錢 烷、1，5·二甲基_3,7·二乙基環四石夕氧烧、以二甲基仏 二乙基環时氧炫、u，5,7,9_五甲基環切^院’、· U，5,7,9-五乙基環切氧烧、五苯基環戊:氧 烷、1，3,5,7,9-五(4-甲基苯基)環戊石夕氧院、min 六甲基環六石夕氧炫、mwi-六乙基環六石夕氧燒、 1，3,5,7,9，11-六苯基環六石夕氧院、13,5,7,9ιι六⑷甲基 苯基)環六石夕氧烧、U，9·三甲基切卜三乙基環己石夕^ 烷1，3,5 一甲基_7,9，11_三乙基環己石夕氧烧，及其任一 種組合。 ^
    %如申料鄉㈣卿之方法，射财機切氧院組 成物包含： a·—或多種式(3)有機氫矽氧烷化合物， ι13 R12—si—〇-I11 R10 I，一〇 Η R14 I Si—p15 x (3) R 16 18環狀烧 其中R10為。心線性、分支烷基或c”c 71 20 1302908 基、C1<：1S線性、分支烷氧基或c3_Ci8環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基，及R11至R16各自分別為Η、 CrCls線性、分支烷基或C3_Cis環狀烷基、Ci_c^線性、 刀支燒氧基或C3_C1S環狀烧氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及X為約1至約10 ; b.—種式（1)抗氧化劑化合物，其中r1至r5為η、 OH、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、或第三丁基；以 及
    C•一種式(2)烧氧基矽烧，其中R6為甲基、乙基、或 丙基，以及R7、R8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、 乙氧基或丙氧基。 87·如申請專利範圍第60項之方法，其中該有機氫矽氧烷组 成物包含： 一或多種式(3)有機氫矽氧烷化合物，
    其中R10為CrCu線性、分支烷基或Cs_Ci8環狀烷 基、CrCu線性、分支烷氧基或C3_Ci8環狀烷氧基、或 經取代或未經取代之芳基，及Rii至Ri6各自分別為Η、 CrCu線性、分支烷基或Cs-C^環狀烷基、（^<18線性、 分支烷氧基或Cs-Cu環狀烷氧基、或經取代或未經取代 之芳基；以及y為約0至約20 ; 72 1302908 b.-種式（1)抗氧化劑化合物，其中r^r^h、 OH、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、或第三丁基；以 及 5 c.-種式(2成氧基魏，其中r6為甲基、乙基、或 丙基；以及R7、R8及R9為甲基、 乙氧基或丙氧基。 乙基、丙基、甲氧基 88.如申請專利範圍第60項之方法，其中該有機⑽氧炫組 成物包含： 一或多種式(3)有機氫矽氧烷化合物
    10 15 R13 R1»,2 I I R —Si—〇--Si—〇 R11 Η 其中R為CVC18線性、Α支院基或環狀烧 、、工取代或未經取代之芳基，及r1^r16各自分別為H、 CrCls線性、分支烷基或環狀烷基、線性、 分支烧氧基或C3_C18環狀縣基、或經取代或未經取代 之芳基，以及x為約1至約10 ; 種式（1)抗氧化劑化合物，其中ri至R5為Η、〇H、 甲基乙基、曱氧基、乙氧基、或第三丁基；以及 一種式(2彼氧基發燒，其中r6為甲基、乙基、或丙 基；以及r7、r8及R9為甲基、乙基、丙基、甲氧基、乙 氧基或丙氧基。
    73 20
TW92125785A 2002-09-18 2003-09-18 Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes TWI302908B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41165102P 2002-09-18 2002-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200404769A TW200404769A (en) 2004-04-01
TWI302908B true TWI302908B (en) 2008-11-11

Family

ID=32030703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW92125785A TWI302908B (en) 2002-09-18 2003-09-18 Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7129311B2 (zh)
EP (1) EP1573086A4 (zh)
JP (1) JP2006516302A (zh)
KR (1) KR20050089147A (zh)
TW (1) TWI302908B (zh)
WO (1) WO2004027110A2 (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7423166B2 (en) * 2001-12-13 2008-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films
US7456488B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Porogen material
US20080042105A1 (en) * 2001-12-21 2008-02-21 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilizers To Inhibit The Polymerization of Substituted Cyclotetrasiloxane
US7101948B2 (en) * 2001-12-21 2006-09-05 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilizers to inhibit the polymerization of substituted cyclotetrasiloxane
BR0311470A (pt) * 2002-06-28 2005-03-15 Sms Demag Ag Emprego de gás de separação durante processo contìnuo de acabamento por imersão em banho quente
US7646081B2 (en) 2003-07-08 2010-01-12 Silecs Oy Low-K dielectric material
JP4539131B2 (ja) 2004-03-16 2010-09-08 住友化学株式会社 有機ケイ素系化合物、及びその製造方法
JP2005294333A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Semiconductor Process Laboratory Co Ltd 成膜方法及び半導体装置
JP3788624B1 (ja) * 2005-01-18 2006-06-21 旭電化工業株式会社 シロキサン化合物及びフェノール化合物を含有してなる組成物
US8513448B2 (en) 2005-01-31 2013-08-20 Tosoh Corporation Cyclic siloxane compound, a material for forming Si-containing film, and its use
EP2256123B1 (en) * 2005-01-31 2013-08-14 Tosoh Corporation Cyclic siloxane compound, a material for forming Si-containing film, and its use
EP1931746B1 (en) * 2005-09-12 2013-09-04 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
TWI411639B (zh) * 2005-09-12 2013-10-11 Fujifilm Electronic Materials 防止環烯烴衍生物降解之添加劑（一）
JP4641933B2 (ja) * 2005-11-28 2011-03-02 三井化学株式会社 薄膜形成方法
JP2007157870A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
US8053375B1 (en) 2006-11-03 2011-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films
US20080141901A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 American Air Liquide, Inc. Additives to stabilize cyclotetrasiloxane and its derivatives
DE102006060355A1 (de) * 2006-12-20 2008-06-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Tetramethylcyclotetrasiloxan
JP5194028B2 (ja) * 2007-01-12 2013-05-08 ユーティルエックス コーポレイション 電力ケーブルを修復し、そのアルミニウム導線コアの腐食を抑制する組成物および方法
US8173213B2 (en) * 2008-05-28 2012-05-08 Air Products And Chemicals, Inc. Process stability of NBDE using substituted phenol stabilizers
WO2010005937A1 (en) 2008-07-08 2010-01-14 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
TWI490363B (zh) * 2009-02-06 2015-07-01 Nat Inst For Materials Science 絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法及絕緣膜
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US11014819B2 (en) 2013-05-02 2021-05-25 Pallidus, Inc. Methods of providing high purity SiOC and SiC materials
US10322936B2 (en) 2013-05-02 2019-06-18 Pallidus, Inc. High purity polysilocarb materials, applications and processes
US9919972B2 (en) 2013-05-02 2018-03-20 Melior Innovations, Inc. Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices
US9657409B2 (en) 2013-05-02 2017-05-23 Melior Innovations, Inc. High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications
US11091370B2 (en) 2013-05-02 2021-08-17 Pallidus, Inc. Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
EP3129221A1 (en) 2014-04-09 2017-02-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
EP3297824A1 (en) 2015-05-19 2018-03-28 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
WO2017141796A1 (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 国立研究開発法人産業技術総合研究所 シロキサン及びその製造方法
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
JP6875336B2 (ja) * 2018-08-27 2021-05-26 信越化学工業株式会社 成膜方法
CN113801155B (zh) * 2020-06-15 2023-10-31 中国石油化工股份有限公司 适用于制备石英砂防吸附亲水涂层的化学剂及其制备和应用
CN113030295B (zh) * 2021-02-08 2023-02-03 广州海关技术中心 一种气相色谱-质谱/质谱法同时测定硅橡胶制品中21种硅氧烷类化合物的残留量的方法
KR102567948B1 (ko) * 2021-09-23 2023-08-21 (주)제이아이테크 페놀 계열의 수소-규소 결합의 안정성 개선을 위한 첨가제

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3998865A (en) * 1975-03-12 1976-12-21 General Electric Company Process for the stabilization of hexamethyl-cyclotrisiloxane and the stabilized compositions resulting therefrom
US4234441A (en) * 1979-04-27 1980-11-18 Olin Corporation Silicone oil compositions containing silicate cluster compounds
US5028566A (en) * 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
US5118735A (en) * 1990-10-05 1992-06-02 Hercules Incorporated Organosilicon composition comprising stabilizers
DE4123423A1 (de) * 1991-07-15 1993-01-21 Wacker Chemie Gmbh Alkenylgruppen aufweisende siloxancopolymere, deren herstellung und verwendung
US5177142A (en) * 1991-08-22 1993-01-05 General Electric Company Silicone release coating compositions
FR2686091B1 (fr) * 1992-01-15 1994-06-10 Flamel Tech Sa Composition a base de polysilane (s).
US5470800A (en) * 1992-04-03 1995-11-28 Sony Corporation Method for forming an interlayer film
JP2938734B2 (ja) * 1993-11-26 1999-08-25 信越化学工業株式会社 低分子量ポリメチルシクロポリシロキサンの安定化方法
US6369186B1 (en) * 1996-11-08 2002-04-09 Rhodia Chimie Cross-linkable compositions containing functionalized silicon fluids and use of these compositions for preparing polyurethane films
CN1137936C (zh) * 1997-04-24 2004-02-11 钟渊化学工业株式会社 耐冲击性热塑性树脂组合物
US5783719A (en) * 1997-05-13 1998-07-21 Lexmark International, Inc. Method for making silicone copolymers
US7423166B2 (en) * 2001-12-13 2008-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films
US7108771B2 (en) * 2001-12-13 2006-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films
US6858697B2 (en) * 2001-12-21 2005-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilizers to inhibit the polymerization of substituted cyclotetrasiloxane
US7101948B2 (en) * 2001-12-21 2006-09-05 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilizers to inhibit the polymerization of substituted cyclotetrasiloxane
TWI317749B (en) * 2002-02-15 2009-12-01 Kaneka Corp Graft copolymers and impact-resistant flame-retardant resin compositions containing the same
WO2003088315A2 (en) * 2002-04-11 2003-10-23 Honeywell International Inc. Thermally conductive coating compositions, methods of production and uses thereof
CN100429272C (zh) * 2002-04-30 2008-10-29 株式会社钟化 含聚有机硅氧烷的接枝共聚物组合物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004027110A3 (en) 2006-04-06
WO2004027110A2 (en) 2004-04-01
US20060159861A1 (en) 2006-07-20
JP2006516302A (ja) 2006-06-29
EP1573086A2 (en) 2005-09-14
TW200404769A (en) 2004-04-01
KR20050089147A (ko) 2005-09-07
US7129311B2 (en) 2006-10-31
US7531590B2 (en) 2009-05-12
US20060270787A1 (en) 2006-11-30
EP1573086A4 (en) 2012-10-03
US20040127070A1 (en) 2004-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI302908B (en) Additives to prevent degradation of alkyl-hydrogen siloxanes
TWI286155B (en) Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film
TWI232468B (en) Composition for film formation and material for insulating film formation
TW494131B (en) Coating solution for low dielectric constant silica film forming and substrate with the low dielectric constant film
JP2010065039A (ja) シクロテトラシロキサンを重合に対し安定化する方法及び組成物
EP1321469B1 (en) Stabilizers to inhibit the polymerization of substituted cyclotetrasiloxanes
TW201000558A (en) Composition and fabrication method thereof, porous material and forming method thereof, interlayer insulation film, semiconductor material, semiconductor device, and low refractive surface protecting film
TW200404742A (en) Method for modifying porous film, modified porous film and use of same
US11739220B2 (en) Perhydropolysilazane compositions and methods for forming oxide films using same
EP1650250A1 (en) Silicon-containing polymer, process for rpoducing the same, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film
TW200300435A (en) A stable composition, method for stabilizing a polysilica resin, and method for manufacturing an electronic device
TWI411639B (zh) 防止環烯烴衍生物降解之添加劑（一）
TW200927726A (en) Stabilizers for the stabilization of unsaturated hydrocarbon-based precursor
US20210102092A1 (en) Perhydropolysilazane compositions and methods for forming nitride films using same
JP2010150656A (ja) コバルトカルボニル錯体組成物及びコバルト膜の形成方法
JP5583529B2 (ja) 金属化合物及び薄膜形成用原料
US11377359B2 (en) Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes
US20230279030A1 (en) Cyclosiloxanes and films made therewith
TW201237070A (en) A kit for producing a cured product, a composition for producing a cured product, a cured product and semiconductor light-emitting device
TW201000445A (en) Improved process stability of NBDE using substituted phenol stabilizers
JP2021147457A (ja) ポリシラン組成物からシラン発生を抑制するための安定化剤、およびシラン発生を抑制する方法
TWI278357B (en) Composition of coating precursor
TW201736261A (zh) 經摻雜之組成物及其製造方法與用途
TW200840865A (en) Photoresist cleaning agent with low etching rate and method of using the same

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent