KR20050067051A

KR20050067051A - 전자 회로의 제조 방법 및 전자 회로 기판

Info

Publication number: KR20050067051A
Application number: KR1020040111801A
Authority: KR
Inventors: 야마구찌나오꼬; 아오끼히데오; 다꾸보찌아끼
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-12-24
Publication date: 2005-06-30
Also published as: JP2005197305A; CN1638606A; CN100421533C; US20050153220A1; KR100681963B1; TW200525591A; TWI254967B; US7486921B2; JP4130407B2

Abstract

본 발명의 일형태에 따르면, 감광체의 표면을 대전시키는 공정과, 대전한 감광체의 표면에 소정 패턴의 정전 잠상을 형성하는 공정과, 상기 정전 잠상이 형성된 상기 감광체의 표면에 수지로 이루어지는 하전 입자를 정전적으로 부착시켜 가시상을 형성하는 공정과, 상기 감광체의 표면에 형성된 상기 하전 입자로 이루어지는 가시상을 베이스 부재 상에 전사하는 공정과, 상기 베이스 부재 상에 전사된 상기 가시상을 상기 베이스 부재 상에 정착시켜 상기 베이스 부재 상에 수지층을 형성하는 공정을 구비한 수지층 형성 공정을 상기 수지층이 적층되도록 복수회 반복하고, 상기 베이스 부재 상에 모든 상기 수지층이 일체화된 소정의 두께를 갖는 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법이 제공된다.

Description

전자 회로의 제조 방법 및 전자 회로 기판{METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC CIRCUIT AND ELECTRONIC CIRCUIT SUBSTRATE}

본 발명은 전자 회로의 제조 방법 및 전자 회로 기판에 관한 것이다.

종래, 전자 회로 기판의 제조에 있어서는 금속 박막 상에 레지스트를 도포하여, 노광, 현상, 에칭 등을 행함으로써 도체 패턴을 형성하고 있다(일본 특허 공개 평7-263841호 공보 참조). 그러나, 이 방법에서는 각 층마다 노광 마스크가 필요해져, 노광 마스크의 설계나 제작에 막대한 시간과 비용을 필요로 하고 있었다. 또한, 노광 마스크의 변경이나 수정 등이 발생되면, 전자 회로 기판의 납기나 비용에 막대한 영향을 주고 있었다.

이러한 점으로부터, 상기 방법 대신에 전자 사진 방식을 이용한 인쇄에 의해 전자 회로 기판을 형성하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에서는, 우선 수지 내에 금속 미립자를 함유하는 하전 입자를 사용하여 전자 사진 방식에 의해 임의의 패턴을 갖는 무전해 도금용 기초층을 형성하고, 이 기초층 상에 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하고, 또한 수지로 이루어지는 하전 입자를 사용하여 전자 사진 방식에 의해 절연층을 형성함으로써 전자 회로 기판을 형성한다.

그런데, 상기 절연층에는 충분한 전기 절연성이 요구되기 때문에 20 ㎛ 이상 정도의 두께가 필요해진다. 여기서, 1회의 인쇄로 형성할 수 있는 절연층의 두께는 하전 입자의 평균 입경에 의존하고 있다. 이로 인해, 절연막의 형성에는 1회의 인쇄로 20 ㎛ 이상의 두께를 얻을 수 있는 평균 입경이 큰 하전 입자를 사용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이러한 하전 입자를 사용하여 절연층을 형성한 경우에는, 절연층 내에 보이드가 발생되어 버린다고 하는 문제가 있다. 또한, 패턴의 해상도는 입경에 크게 의존하기 때문에, 큰 하전 입자를 사용한 경우 미세한 패턴 형성을 할 수 없다고 하는 문제도 있다.

본 발명의 일형태에 따르면, 감광체의 표면을 대전시키는 공정과, 대전한 감광체의 표면에 소정 패턴의 정전 잠상을 형성하는 공정과, 상기 정전 잠상이 형성된 상기 감광체의 표면에 수지로 이루어지는 하전 입자를 정전적으로 부착시켜 가시상을 형성하는 공정과, 상기 감광체의 표면에 형성된 상기 하전 입자로 이루어지는 가시상을 베이스 부재 상에 전사하는 공정과, 상기 베이스 부재 상에 전사된 상기 가시상을 상기 베이스 부재 상에 정착시켜 상기 베이스 부재 상에 수지층을 형성하는 공정을 구비한 수지층 형성 공정을, 상기 수지층이 적층되도록 복수회 반복하고, 상기 베이스 부재 상에 모든 상기 수지층이 일체화된 소정의 두께를 갖는 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 다른 형태에 따르면, 베이스 부재와, 상기 베이스 부재 상에 형성된 도금층과, 상기 도금층 상에 형성되고 평균 입경이 7 내지 18 ㎛인 수지 입자를 사용하여 형성된 수지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판이 제공된다.

이하, 실시 형태에 대해 설명한다. 도1은 본 실시 형태에 관한 전자 회로 기판의 제조 공정의 흐름을 나타낸 흐름도이고, 도2는 본 실시 형태에 관한 수지층 형성 공정의 흐름을 나타낸 흐름도이다. 도3a 내지 도3e는 본 실시 형태에 관한 전자 회로 기판의 개략적인 제조 공정도이다. 도4는 본 실시 형태에 관한 기초층 형성 장치의 동작 상황을 나타낸 도면이고, 도5는 본 실시 형태에 관한 절연층 형성 장치의 동작 상황을 도시한 도면이다.

우선, 도1 및 도3a에 도시된 바와 같이 베이스 부재(1) 상에 무전해 도금용 기초층(2)을, 전자 사진 방식을 이용한 인쇄에 의해 형성한다(스텝 1). 기초층(2)은, 도4에 도시된 바와 같은 기초층 형성 장치(10)를 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 기초층 형성 장치(10)는 감광체 드럼(11), 대전기(12), 레이저 발생·주사기(13), 현상기(14), 전사기(15), 정착기(16)로 주로 구성되어 있다.

기초층(2)을 형성하기 위해서는, 우선 감광체 드럼(11)을 화살표 방향으로 회전시키면서 대전기(12)에 의해 감광체 드럼(11)의 표면 전위를 일정 전위(예를 들어 마이너스 전하)로 균일하게 대전시킨다. 구체적인 대전 방법으로서는, 스코로트론 대전법, 롤러 대전법, 브러시 대전법 등이 있다.

다음에, 레이저 발생·주사기(13)에 의해 화상 신호에 따라서 레이저광(13A)을 감광체 드럼(11)에 조사하고, 조사 부분의 마이너스 전하를 제거하여 감광체 드럼(11)의 표면에 소정 패턴의 전하의 상(정전 잠상)을 형성한다.

다음에, 감광체 드럼(11) 상의 정전 잠상에 현상기(14)에 저류된 대전한 금속 미립자 함유 수지 입자(2A)를 공급 기구에 의해 정전적으로 부착시켜 가시상을 형성한다. 현상기(14)에는, 공지의 전자 사진식 복사 시스템에 있어서의 건식 또는 습식의 토너 전사 기술을 적용할 수 있다.

현상기(14)가 건식인 경우, 현상기(14)에는 3 내지 50 ㎛의 입경의 금속 함유 수지 입자(2A)가 저류된다. 여기서, 금속 함유 수지 입자(2A)의 보다 바람직한 입경은, 5 내지 10 ㎛이다. 한편, 현상기(14)가 습식인 경우, 현상기(14)에는 3 ㎛ 이하 입경의 금속 함유 수지 입자(2A)가 용매인 액체와 함께 저류된다.

현상기(14)에 저류된 금속 함유 수지 입자(2A)는, 공급 기구에 의해 감광체 드럼(11)에 공급되어 현상된다. 이 때, 정(正)현상법 혹은 반전 현상법을 이용할 수 있다.

여기서, 금속 함유 수지 입자(2A)를 구성하는 수지로서는 상온에서 고체인 B 스테이지의 열경화성 수지를 이용할 수 있다. B 스테이지라 함은, 열경화성 수지 중 적어도 일부는 경화되지 않고, 소정의 열을 가하면 그 경화되지 않은 부분이 용융하는 상태를 말한다. B 스테이지의 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 벤디시클로부텐 수지, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 부타디엔 수지, 실리콘 수지, 폴리카르보디이미드 수지, 폴리우레탄 수지 등을 사용할 수 있고, 필요에 따라 대전 제어제를 첨가해도 좋다.

또한, 금속 함유 수지 입자(2A)는 B 스테이지의 열경화성 수지를 주체로 하고, 이에 예를 들어 입경 0.05 내지 3 ㎛ 이하의 도전성 금속 미립자가 15 내지 70 중량 ％의 비율로 함유되어 있다. 금속 함유 수지 입자(2A)에 함유되는 금속 미립자의 더욱 바람직한 함유율은, 30 내지 60 중량 ％이다. 여기서, 금속 미립자로서는 Pt, Pd, Cu, Au, Ni, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류의 금속 미립자를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 금속 미립자는, 후술하는 무전해 도금의 핵이 되어, 도금 반응의 진행에 대해 촉매적인 작용을 갖는다. 이들 중에서도, 특히 Pd 또는 Cu의 사용이 바람직하다.

계속해서, 감광체 드럼(11)의 표면에 금속 함유 수지 입자(2A)에 의해 형성된 가시상(패턴)은, 전사기(15)에 의해 감광체 드럼(11)으로부터 원하는 베이스 부재(1) 상에 정전 전사된다. 전사 후의 감광체 드럼(11)은, 도시를 생략한 클리닝 장치에 의해 표면에 남은 금속 함유 수지 입자(2A)가 제거되어 회수된다.

계속해서, 베이스 부재(1) 상에 전사된 B 스테이지의 금속 함유 수지 입자(2A)를 가열 혹은 광조사에 의한 정착기(16)를 통해, 금속 함유 수지 입자(2A)를 구성하는 열경화성 수지를 용융하여 금속 함유 수지층(2B)을 형성한다. 그 후 정착기(16)에 의해 가열하거나 혹은 빛을 조사하여 금속 함유 수지층(2B)을 경화시켜, 베이스 부재(1) 상에 금속 함유 수지층(2B)을 정착시킨다. 이에 의해, 기초층(2)이 형성된다.

베이스 부재(1) 상에 기초층(2)을 형성한 후, 도3b에 도시된 바와 같이 무전해 도금에 의해 기초층(2)에 포함되는 금속 미립자를 핵으로 하여 기초층(2) 상에 도금층(3)을 형성한다(스텝 2). 또한, 본 실시 형태에서는 무전해 도금에 의해 도금층(3)을 형성하고 있지만, 무전해 도금과 전해 도금의 양방에 의해 도금층(3)을 형성해도 좋다.

무전해 도금을 효율적으로 행하기 위해, 기초층(2)에 무전해 도금을 실시하기 전에 기초층(2)의 표면에 금속 미립자 중 적어도 일부를 돌출시키는 처리를 실시해도 좋다. 이러한 처리로서는, 예를 들어 아세톤, 이소프로판올 등의 용제, 산, 알칼리 등을 사용한 에칭, 숏 블라스트, 에어 블라스트 등을 들 수 있다.

베이스 부재(1) 상에 도금층(3)을 형성한 후, 베이스 부재(1) 상에 전기 절연성의 절연층(4)을, 전자 사진 방식을 이용한 인쇄에 의해 형성한다(스텝 3). 절연층(3)은, 도5에 도시된 바와 같이 기초층 형성 장치(10)와 거의 동일한 구성의 절연층 형성 장치(20)를 사용하여 형성할 수 있다. 여기서, 현상기(14)에는 금속 함유 수지 입자(2A) 대신에 수지 입자(4A)가 저류된다.

절연층(4)을 형성하기 위해서는, 우선 도2에 도시된 바와 같이 감광체 드럼(11)을 화살표 방향으로 회전시키면서, 대전기(12)에 의해 감광체 드럼(11)의 표면 전위를 일정 전위(예를 들어 마이너스 전하)로 균일하게 대전시킨다(스텝 31).

다음에, 감광체 드럼(11)의 표면을 대전시킨 후, 레이저 발생·주사기(13)에 의해, 화상 신호에 따라서 레이저광(13A)을 감광체 드럼(11)에 조사하고, 조사 부분의 마이너스 전하를 제거하여 감광체 드럼(11)의 표면에 소정 패턴의 전하의 상(정전 잠상)을 형성한다(스텝 32).

감광체 드럼(11)의 표면에 정전 잠상을 형성한 후, 현상기(14)에 의해 대전한 수지 입자(4A)를 감광체 드럼(11)의 표면에 정전적으로 부착시켜, 감광체 드럼(11)의 표면에 가시상을 형성한다(스텝 33). 현상기(14)에는, 공지의 전자 사진식 복사 시스템에 있어서의 건식 또는 습식의 토너 전사 기술을 적용할 수 있다.

현상기(14)에는 평균 입경이 7 내지 18 ㎛, 보다 바람직하게는 8 내지 15 ㎛의 수지 입자(4A)가 저류되는 것이 바람직하다. 절연층(4)의 형성에 있어서는, 전기 절연성의 관점으로부터 두께가 두꺼운 것이 바람직하고, 따라서 수지 입자(4A)의 입경은 금속 함유 수지 입자(2A)와 비교하여 크다.

현상기(14)에 저류된 수지 입자(4A)는, 공급 기구에 의해 감광체 드럼(11)에 공급되어 현상된다. 이 때, 정현상법 혹은 반전 현상법을 이용할 수 있다.

여기서, 수지 입자(4A)를 구성하는 수지로서는, 상온에서 고체인 B 스테이지의 열경화성 수지를 이용할 수 있다. B 스테이지의 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 벤디시클로부텐 수지, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 부타디엔 수지, 실리콘 수지, 폴리카르보디이미드 수지, 폴리우레탄 수지 등을 사용할 수 있고, 필요에 따라 대전 제어제를 첨가해도 좋다. 또한, 수지 입자(4A) 중에 소정의 비율로 함유된 실리카 등의 미립자를 분산시켜도 좋고, 이에 의해 특히 다층 배선 기판에 있어서, 강성 및 열팽창 계수 등 특성을 제어할 수 있고, 기판의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.

감광체 드럼(11)의 표면에 가시상(패턴)을 형성한 후, 전사기(15)에 의해 감광체 드럼(11)으로부터 원하는 베이스 부재(1) 상에 정전 전사된다(스텝 34). 전사 후의 감광체 드럼(1l)은, 도시를 생략한 클리닝 장치에 의해 표면에 남은 수지 입자(4A)가 제거되어 회수된다.

베이스 부재(1) 상에 가시상을 전사한 후, 정착기(16)에 의해 가시상을 가열하고 가시상을 구성하고 있는 수지 입자(4A)를 연화시켜 수지층(4B)을 형성한다. 그 후 정착기(16)에 의해 가열하거나 혹은 빛을 조사하여 수지층(4B)을 경화시켜, 베이스 부재(1) 상에 수지층(4B)를 정착시킨다(스텝 35). 이에 의해, 도3c에 도시된 바와 같이 베이스 부재(1) 상에 수지층(4B)이 형성된다. 여기서, 수지층(4B)은 수지층(4B)의 두께가 수지 입자(4A)의 평균 입경의 2배 이하가 되도록 형성된다.

베이스 부재(1) 상에 수지층(4B)을 형성한 후, 스텝 31 내지 스텝 35의 수지층 형성 공정을 반복하여 행하고, 수지층(4B) 상에 수지층(4B)과 동일한 패턴의 수지층(4B)을 적층해 간다. 여기서, 수지층(4B)을 수지층(4B) 상에 정착시키면, 수지층(4B)과 수지층(4B)은 일체화된다. 또한, 수지층 형성 공정은 일체화된 수지층(4B)의 두께가 소정의 두께, 예를 들어 15 내지 50 ㎛가 될 때까지 반복된다. 이에 의해, 도3d에 도시된 바와 같이 일체화된 수지층(4B)으로 이루어지는 절연층(4)이 형성된다.

베이스 부재 상에 절연층(4)을 형성한 후, 스텝 1 내지 스텝 3의 전자 회로 형성 공정을 반복하여 행하고, 도3e에 도시된 바와 같은 다층의 전자 회로 기판(5)이 형성된다.

본 실시 형태에서는, 수지층 형성 공정을 수지층(4B)이 적층되도록 복수회 반복하고, 일체화된 수지층(4B)으로 이루어지는 소정 두께의 절연층(4)을 베이스 부재(1) 상에 형성하기 때문에, 충분한 두께와 해상도를 갖고 또한 보이드가 적은 절연층(4)을 얻을 수 있다. 즉, 보이드는 수지 입자(4A)를 연화시켰을 때에 수지 입자(4A) 사이에 존재하는 공기가 절연층(4)으로부터 배출되지 않고 절연층(4) 내에 잔류함으로써 발생된다고 생각할 수 있다. 한편, 전자 사진 방식을 이용하여 절연층(4)을 인쇄에 의해 형성하는 경우, 상술한 바와 같이 1회의 인쇄로 형성할 수 있는 수지층의 두께는 수지 입자(4A)의 평균 입경에 의존하고 있으므로, 예를 들어 두께 20 ㎛의 절연층(4)을 2회 이상의 인쇄로 형성하는 경우에는, 1회의 인쇄로 형성하는 경우보다도 평균 입경이 작은 수지 입자(4A)를 사용할 필요가 있다. 여기서, 평균 입경이 작은 수지 입자와 평균 입경이 큰 수지 입자에 의해 각각 절연층을 형성한 경우를 생각하면, 평균 입경이 작은 수지 입자를 사용한 경우 쪽이 평균 입경이 큰 수지 입자를 사용한 경우보다도 수지 입자 사이에 존재하는 공기가 적어진다. 또한, 1회의 인쇄마다 수지의 연화가 이루어지기 때문에, 1회의 인쇄마다 보이드가 배출된다. 그로 인해, 2회 이상의 인쇄로 절연층을 형성한 쪽이 1회의 인쇄로 절연층을 형성한 경우보다도 보이드가 적은 절연층을 얻을 수 있다. 또한, 절연층(4)의 두께가 소정의 두께가 될 때까지 수지층 형성 공정을 반복하기 때문에, 충분한 두께를 갖는 절연막(4)을 얻을 수 있다.

본 실시 형태에서는, 1회의 수지층 형성 공정에서 두께가 수지 입자(4A)의 평균 입경의 2배 이하가 된 수지층(4B)을 형성하기 때문에, 인쇄 정밀도가 좋은 절연층(4)을 얻을 수 있다.

(실시예)

이하, 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 평균 입경이 다른 수지 입자를 이용하여 소정의 패턴을 갖는 수지층을 전자 사진 방식에 의해 각각 형성하고, 그 때의 인쇄 정밀도 및 보이드를 조사하였다.

본 실시예에서는, 평균 입경이 7.9 ㎛, 11.7 ㎛, 21.2 ㎛, 29.8 ㎛인 수지 입자를 준비하고, 이들 수지 입자를 이용하여 소정의 패턴을 갖는 수지층을 전자 사진 방식에 의해 각각 형성하고, 그 때의 인쇄 정밀도 및 보이드에 대해 조사하였다.

이하, 결과에 대해 서술한다. 도6은 본 실시예에 관한 인쇄 횟수와 수지층의 두께와의 관계를 나타낸 그래프이다. 도6에 나타낸 바와 같이, 평균 입경이 큰 수지 입자를 사용할수록 1회의 인쇄로 형성되는 수지층의 두께는 두꺼워진다. 따라서, 평균 입경이 큰 수지 입자를 사용할수록 소정의 두께에 도달할 때까지의 인쇄 횟수가 적어진다. 그러나, 평균 입경이 21.2 ㎛, 29.8 ㎛인 수지 입자를 사용하여 수지층을 형성한 경우에는, 소정의 패턴 이외의 장소에도 수지 입자가 비산하고 있었다. 한편, 평균 입경이 7.9 ㎛, 11.7 ㎛, 21.2 ㎛인 수지 입자를 사용하여 수지층을 형성한 경우에는 수지층 내부의 보이드는 적지만, 평균 입경 29.8 ㎛의 수지 입자를 사용하여 수지층을 형성한 경우에는 수지층 내부에 보이드가 다수 관찰되었다. 이들 결과로부터, 평균 입경이 작은 수지 입자를 사용한 쪽이 우수한 인쇄 정밀도를 갖는 동시에 보이드가 발생되기 어려운 것이 확인되었다.

또한, 본 발명은 상기 실시 형태의 기재 내용에 한정되는 것은 아니며, 구조나 재질, 각 부재의 배치 등은 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절하게 변경 가능하다.

본 발명에 따르면, 전자 회로의 제조 방법 및 전자 회로 기판이 제공된다.

도1은 본 발명의 일실시 형태에 관한 전자 회로 기판의 제조 공정의 흐름을 나타낸 흐름도.

도2는 본 발명의 일실시 형태에 관한 수지층 형성 공정의 흐름을 나타낸 흐름도.

도3a 내지 도3e는 본 발명의 일실시 형태에 관한 전자 회로 기판의 개략적인 제조 공정도.

도4는 본 발명의 일실시 형태에 관한 기초층 형성 장치의 동작 상황을 도시한 도면.

도5는 본 발명의 일실시 형태에 관한 절연층 형성 장치의 동작 상황을 도시한 도면.

도6은 본 발명의 일실시예에 관한 인쇄 횟수와 수지층의 두께와의 관계를 나타낸 그래프.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 베이스 부재

2 : 기초층

2A : 금속 함유 수지 입자

2B : 금속 함유 수지층

3 : 도금층

4 : 절연층

4A : 수지 입자

4B : 수지층

10 : 기초층 형성 장치

11 : 감광체 드럼

12 : 대전기

13 : 레이저·주사기

13A : 레이저광

14 : 현상기

15 : 전사기

16 : 정착기

Claims

감광체의 표면을 대전시키는 공정과,

대전한 감광체의 표면에 소정 패턴의 정전 잠상을 형성하는 공정과,

상기 정전 잠상이 형성된 상기 감광체의 표면에 수지로 이루어지는 하전 입자를 정전적으로 부착시켜 가시상을 형성하는 공정과,

상기 감광체의 표면에 형성된 상기 하전 입자로 이루어지는 가시상을 베이스 부재 상에 전사하는 공정과,

상기 베이스 부재 상에 전사된 상기 가시상을 상기 베이스 부재 상에 정착시켜, 상기 베이스 부재 상에 수지층을 형성하는 공정을 구비한 수지층 형성 공정을 상기 수지층이 적층되도록 복수회 반복하고, 상기 베이스 부재 상에 모든 상기 수지층이 일체화된 소정의 두께를 갖는 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 수지층 형성 공정은 상기 수지층 형성 공정 1회에 있어서의 상기 수지층의 두께가 상기 하전 입자의 평균 입경의 2배 이하가 되도록 수지층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 하전 입자의 평균 입경은 7 내지 18 ㎛인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제3항에 있어서, 상기 하전 입자의 평균 입경은 8 내지 15 ㎛인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 소정의 두께는 15 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 수지는 B 스테이지의 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제1항에 있어서, 수지층 형성 공정 전에,

상기 베이스 부재 상에 수지와 상기 수지에 함유된 금속 미립자로 이루어지는 금속 함유 수지 입자를 사용하여 금속 함유 수지층을 형성하는 공정과,

상기 금속 미립자를 핵으로 하여 상기 금속 함유 수지층 상에 도금층을 형성하는 공정을 더 구비하고, 상기 수지층은 상기 도금층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 금속 함유 수지층을 형성하는 공정은,

정전 잠상이 형성된 감광체의 표면에 상기 금속 함유 수지 입자를 정전적으로 부착시켜 가시상을 형성하는 공정과,

상기 감광체의 표면에 형성된 상기 금속 함유 수지 입자로 이루어지는 가시상을 상기 베이스 부재 상에 전사하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 금속 함유 수지 입자의 수지는 B 스테이지의 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Pt, Pd, Cu, Au, Ni, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류의 금속 미립자인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 제조 방법.
베이스 부재와,

상기 베이스 부재 상에 형성된 도금층과,

상기 베이스 부재 상에 형성되고, 평균 입경이 7 내지 18 ㎛인 수지 입자를 사용하여 형성된 수지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제11항에 있어서, 상기 수지 입자의 평균 입경은 8 내지 15 ㎛인 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제11항에 있어서, 상기 수지층의 두께는 15 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제11항에 있어서, 상기 수지는 B 스테이지의 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제11항에 있어서, 상기 도금층은 수지와 상기 수지에 함유된 금속 미립자로 이루어지는 금속 함유 수지층의 상기 금속 미립자를 핵으로 함으로써, 상기 금속 함유 수지층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제15항에 있어서, 상기 금속 함유 수지층의 수지는 B 스테이지의 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.
제15항에 있어서, 상기 금속 미립자는 Pt, Pd, Cu, Au, Ni, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류의 금속 미립자인 것을 특징으로 하는 전자 회로 기판.