KR20050052365A - 연마포 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
합성예 1 | 합성예 2 | |||
배합 조성(중량부) | 용제 | PGM | 298.2 | 298.2 |
PMAc | 298.2 | 298.2 | ||
공중합 단량체 | MMA | 18.4 | 43.2 | |
HEMA | 92.8 | 92.8 | ||
MMA | 100.8 | 70.0 | ||
BMA | 188.0 | 194.0 | ||
중합 개시제 | AIBN | 3.6 | 3.6 | |
중량 평균 분자량 | 57,000 | 42,000 | ||
산가 (mgKOH/g) | 30 | 70 | ||
수산기가 (mgKOH/g) | 100 | 100 | ||
메타크릴 공중합체의 약호 | (A-1) | (A-2) |
메타크릴 공중합체 | |||||
A-1(본발명) | A-2(본발명) | R-1(참조예) | R-2(종래예2) | S-1(본발명) | |
MAA:1(중량%) | 4.6 | 10.8 | 23.0 | - | 4.4 |
HEMA:m(중량%) | 23.2 | 23.2 | 23.2 | - | 22.5 |
MMA:n(중량%) | 25.2 | 17.5 | 3.0 | 15.0 | 25.5 |
BMA:p(중량%) | 47.0 | 48.5 | 50.8 | 85.0 | 47.6 |
산가 (mgKOH/g) | 30 | 70 | 150 | - | 28.4 |
수산기가 (mgKOH/g) | 100 | 100 | 100 | - | 96.8 |
중량 평균 분자량 | 57,000 | 42,000 | 84,000 | 45,000 | 361,000 |
Claims (33)
- 화학 기계 연마에 이용되는 연마포이며, 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g인 (메트)아크릴 공중합체를 포함하는 성형체를 구비하는 연마포.
- 제1항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 공중합체는 산가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산히드록시알킬에스테르에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 1로 표시되는 것인 연마포.<화학식 1>단, 식 중의 R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소수 2 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, R5는 탄소수 1 내지 18의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 1O 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타낸다.
- 제1항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 공중합체는 산가를 나타내는 기가 (메트)메타크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산2-히드록시에틸에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 2로 표시되는 것인 연마포.<화학식 2>단, 식 중의 R는 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타내고, R을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르에 기초하는 구성 단위는 1종 또는 2종 이상일 수도 있다.
- 제1항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 공중합체는 40,000 내지 1,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 것인 연마포.
- 제1항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 공중합체의 성형체는 회전 가능한 정반 상에 직접 고정되는 것인 연마포.
- 제1항에 있어서, 상기 (메트)아크릴 공중합체의 성형체는 회전 가능한 정반 상에 완충재층을 통하여 고정되는 것인 연마포.
- 제6항에 있어서, 상기 완충재층은 부직포 유형의 연마 패드, 고무층 또는 탄성 발포체층인 연마포.
- 반도체 기판에 홈을 형성하는 공정과,상기 홈을 포함하는 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과,산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g인 (메트)아크릴 공중합체를 포함하는 성형체를 구비하는 연마포에 상기 반도체 기판의 절연막을 눌러 붙여 회전시키면서, 상기 연마포에 연마 지립을 포함하는 연마 슬러리를 공급하여 연마함으로써 상기 홈 내에 절연막을 잔존시켜 매립 소자 분리 영역을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 성형체는 산가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산히드록시알킬에스테르에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 1>단, 식 중의 R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소수가 2 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, R5는 탄소수가 1 내지 18의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타낸다.
- 제8항에 있어서, 상기 성형체는 산가를 나타내는 기가 (메트)메타크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산2-히드록시에틸에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 2>단, 식 중의 R은 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타내고, R을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르에 기초하는 구성 단위는 1종 또는 2종 이상일 수도 있다.
- 제8항에 있어서, 상기 성형체는 40,000 내지 1,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 직접 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 완충재층을 통하여 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 완충재층은 부직포 유형의 연마 패드, 고무층 또는 탄성 발포체층인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 연마 지립은 산화 세륨 및 실리카를 포함하는 군으로부터 선택되는 1 개 이상의 산화물의 입자인 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판 상의 요철 패턴에 층간 절연막을 형성하는 공정과,산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g인 (메트)아크릴 공중합체를 포함하는 성형체를 구비하는 연마포에 상기 반도체 기판의 층간 절연막을 눌러 붙여 회전시키면서, 상기 연마포에 연마 지립을 포함하는 연마 슬러리를 공급하여 상기 층간 절연막을 연마하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 성형체는, 산가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산히드록시알킬에스테르에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 1>단, 식 중의 R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소수 2 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, R5는 탄소수 1 내지 18의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타낸다.
- 제16항에 있어서, 상기 성형체는 산가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산2-히드록시에틸에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 2>단, 식 중의 R은 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타내고, R을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르에 기초하는 구성 단위는 1종 또는 2종 이상일 수도 있다.
- 제16항에 있어서, 상기 성형체는 40,000 내지 1,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 직접 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 완충재층을 통하여 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 완충재층은 부직포 유형의 연마 패드, 고무층 또는 탄성 발포체층인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 연마 지립은 산화 세륨 및 실리카를 포함하는 군으로부터 선택되는 1 개 이상의 산화물의 입자인 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막에 배선층의 형상에 상당하는 홈 및 비어필의 형상에 상당하는 개구부에서 선택되는 1 개 이상의 매립용 부재를 형성하는 공정과,상기 매립용 부재의 내면을 포함하는 상기 절연막 상에 도전 재료막을 형성하는 공정과,산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g인 (메트)아크릴 공중합체를 포함하는 성형체를 구비하는 연마포에 상기 반도체 기판의 도전재료막을 눌러 붙여 회전시키면서, 상기 연마포에 연마 지립을 포함하는 연마 슬러리를 공급하여 연마함으로써 상기 매립용 부재 내에 도전 재료막을 잔존시켜 배선층 및 비어필로부터 선택되는 1 개 이상의 도전 부재를 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 성형체는 산가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산히드록시알킬에스테르에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 1>단, 식 중의 R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R4는 탄소수 2 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, R5는 탄소수 1 내지 18의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타낸다.
- 제24항에 있어서, 상기 성형체는 산가를 나타내는 기가 (메트)아크릴산에 기초하는 구성 단위이고, 수산기가를 표시하는 기가 (메트)아크릴산2-히드록시에틸에 기초하는 구성 단위인 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.<화학식 2>단, 식 중의 R는 알킬기를 나타내고, 또한, l, m, n은 각 단량체에 기초하는 구성 단위의 중량%를 나타내고, 또한 l, m, n은 공중합체의 산가가 10 내지 100 mgKOH/g, 수산기가가 50 내지 150 mgKOH/g이 되도록 각각 선택되는 수를 나타내고, R을 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르에 기초하는 구성 단위는 1종 또는 2종 이상일 수도 있다.
- 제24항에 있어서, 상기 성형체는 40,000 내지 1,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 (메트)아크릴 공중합체로부터 만들어지는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 직접 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 성형체는 회전 가능한 정반 상에 완충재층을 통하여 고정되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제29항에 있어서, 상기 완충재층은 부직포 유형의 연마 패드, 고무층 또는 탄성 발포체층인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 도전 재료는 구리 또는 구리 합금인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제31항에 있어서, 배리어층이 상기 도전 재료층의 형성에 앞서서 상기 매립용 부재 내면을 포함하는 상기 절연막 상에 형성되는 것인 반도체 장치의 제조 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 연마 지립은 실리카 및 알루미나를 포함하는 군으로부터 선택되는 1 개 이상의 산화물의 입자인 반도체 장치의 제조 방법.
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