KR20050019964A - 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- STI 및 소정의 하부 구조가 형성된 반도체 기판 상에 블로킹 산화막을 증착하는 단계와,상기 블로킹 산화막 상부에 실리사이드 형성 영역이 오픈 되도록 포토레지스트 패턴을 형성하고 PAI 공정을 진행하는 단계와,상기 PAI 공정 후 N2 원소를 이용한 PAI 공정을 진행하는 단계와,상기 STI 및 실리사이드 비형성 영역에만 블로킹 산화막이 남도록 식각하는 단계와,상기 식각 공정을 진행한 후 전세 공정을 진행하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 N2 PAI 공정은 0~90°의 틸트를 주어 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 N2 PAI 공정시 1~200KeV의 에너지 하에서 이온을 주입 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 N2 PAI 공정시 1E12~1E17의 도즈량으로 이온을 주입공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 N2 PAI 공정은 포토레지스트 패턴을 이용하여 STI 코너부에만 선택적으로 이온 주입 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법.
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