KR20050013971A - 소켓 및 시험 장치 - Google Patents

소켓 및 시험 장치

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KR20050013971A
KR20050013971A KR1020040059602A KR20040059602A KR20050013971A KR 20050013971 A KR20050013971 A KR 20050013971A KR 1020040059602 A KR1020040059602 A KR 1020040059602A KR 20040059602 A KR20040059602 A KR 20040059602A KR 20050013971 A KR20050013971 A KR 20050013971A
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Abstract

복수의 볼 콘택트를 포함하는 BGA 유닛과 전기적으로 접속하는 소켓에 있어서, 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가지는 복수의 관통공이, BGA 유닛쪽을 향하는 하우징의 표면에 복수의 볼 콘택트에 대응하도록 형성된 하우징 및 복수의 관통공에 형성되며, 대응하는 볼 콘택트의 측부와 접촉하는 복수의 핀 콘택트를 포함하는 소켓을 제공한다. 바람직하게는, 인접하는 관통공에 형성된 핀 콘택트의 각각의 연장 방향이 서로 반대 방향으로 되도록 복수의 핀 콘택트를 형성한다.

Description

소켓 및 시험 장치{A socket and a test apparatus}
본 발명은, 전자 디바이스와 전기적으로 접속하는 소켓에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 BGA(Ball Grid Array) 유닛을 포함하는 전자 디바이스와 전기적으로 접속하는 소켓에 관한 것이다. 문헌 참조에 의한 첨부가 인정되는 지정국에 대해서는 하기 출원에 기재된 내용을 참조하여 본 출원에 포함해서 본 출원 기재의 일부로 한다.
일본특허출원 2003-282139 출원일 평성15년 7월 29일
종래, BGA 유닛을 포함하는 반도체 칩등의 시험을 수행하는 경우, 반도체 칩과 신호를 송수신하기 위하여, IC검사용 소켓이 이용되어 왔다. 이 경우에, 볼 콘택트에 대하여 소켓측의 콘택트로서 POGO 핀이나 전극 패드등이 알려져 있다.
POGO 핀은, BGA의 볼 콘택트에 핀의 선단을 접촉시켜 압력을 가하는 것에 의하여 전기적으로 접속시키는 콘택트이며, 전극 패드는 평면의 전극을 볼 콘택트의 정점과 접촉시키는 콘택트이다.
그러나, 종래의 볼 콘택트에 있어서는, 핀 콘택트의 선단이 볼 콘택트에 깊이 박힌 상태로 접촉하기 때문에, 볼 콘택트가 손상되기 쉬우며, 또한 전극 패드의 경우, 이물질등이 전극에 부착되기 쉽다. 이때문에, 다전극을 접촉할 필요가 있는 반도체 칩의 시험에 있어서는, 접촉의 신뢰성이나 내구성에 문제가 발생하고 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 시험 장치 100의 구성의 일예를 도시하는 도면.
도 2는 소켓 20의 하우징 22의 사시도의 일예를 도시하는 도면.
도 3는 관통공 24에 형성되는 핀 콘택트를 설명하는 도면.
도 3(a)는 관통공 24의 단면을 도시하는 도면.
도 3(b)는 핀 콘택트의 단면도의 일예를 도시하는 도면.
도 3(c)는 핀 콘택트의 사시도의 일예를 도시하는 도면.
도 4는 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210이 접촉하는 경우의, 관통공 24의 단면을 도시하는 도면.
도 5는 하우징 22의 표면 34측으로부터의 관통공 24의 상면도의 일예를 도시하는 도면.
도 6은 하우징 22의 표면도의 일예를 도시하는 도면.
도 7은 하우징 22의 이면도의 일예를 도시하는 도면.
도 8은 하우징 22 및 핀 콘택트 50의 다른 예를 설명하는 도면.
도 8(a)는 하우징 22에 있어서 관통공 24의 단면을 도시하는 도면.
도 8(b)는 핀 콘택트 50의 사시도.
도 8(c)는 핀 콘택트 50 및 지지 시트 70의 사시도.
도 9는 핀 콘택트 50의 유동을 설명하는 도면.
도 9(a)는 핀 콘택트 50이 소켓 보드의 단자 18의 방향으로 유동하는 경우를 도시하는 도면.
도 9(b)는 핀 콘택트 50이 소켓 보드의 단자 18과 반대 방향으로 유동하는 경우를 도시하는 도면.
도 10은 하우징 22 및 핀 콘택트 50의 다른 예를 설명하는 도면.
도 11은 도 10에 있어서 설명한 핀 콘택트 50 및 결합구 32의 구성의 일예를 설명하는 도면.
도 11(a)는 도 10에 도시된 부분 B의 확대도.
도 11(b)는 핀 콘택트 50의 단면도.
도 11(c)는 핀 콘택트 50의 사시도.
*도면의 주요 부분의 부호의 설명
10 : 패턴 발생부 12 : 파형 정형부 14 : 판정부
16 : 결합공 18 : 단자 20 : 소켓
22 : 하우징 23 : 돌기부 24 : 관통공
26 : 노치(notch) 30 : 콘택트 지지부 32 : 결합구
34 : 하우징 표면 36 : 하우징 이면 38 : 보드측 접촉부
42 : 접촉면 50 : 핀 콘택트 51 : 지지부의 하부
52 : 지지부 53 : 볼록부 54 : 탄성부
55 : 노치부 56 : 곡면부 57 : 지지조(爪)
58 : 종단부 60 : 곡면부 정점 62 : 그루브(groove)
70 : 지지 시트 72 : 개구부 100 : 시험장치
200 : 전자 디바이스 210 : 볼 콘택트 212 : 볼 콘택트 정점
214 : 볼 콘택트 측부
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제1 형태에 있어서는, 복수의 볼 콘택트를 포함하는 BGA 유닛과 전기적으로 접속하는 소켓에 있어서, 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가진 복수의 관통공이 BGA 유닛과 마주보는 하우징의 표면에 복수의 볼 콘택트에 대응하도록 형성된 하우징 및 복수의 관통공에 형성되며, 대응하는 볼 콘택트의 측부와 접촉하는 복수의 핀 콘택트를 포함하는 소켓을 제공한다.
핀 콘택트는 하우징의 이면에 지지되는 지지부, 볼 콘택트와 접촉하는 곡면을 포함하는 곡면부 및 지지부로부터 곡면부까지 연장되어 형성되며, 탄성복원력을 가지는 탄성부를 포함하여도 좋다.
관통공은 하우징의 표면에 원형의 개구부를 가지며, 하우징에서 BGA 유닛으로 향하는 방향에 있어서 곡면부의 정점은, 관통공의 개구부 중심보다 개구부의 가장자리측에 형성되어도 좋다. 하우징의 표면과 평행한 면내에 있어서 지지부의 위치는, 개구부의 중심에 대하여, 곡면부의 정점과 반대측에 형성되어도 좋다.
또한, 하우징의 표면과 평행한 면내에 있어서, 지지부에서 곡면부로 향하는 연장 방향이 복수의 관통공의 배열 방향에 대하여 경사를 이루도록 핀 콘택트를 형성하여도 좋다. 또한, 인접하는 관통공에 형성된 핀 콘택트의 각각의 연장 방향이 서로 반대 방향이 되도록 복수의 핀 콘택트를 형성하여도 좋다.
하우징에서 BGA 유닛으로 향하는 방향에 있어서 곡면부의 정점의 높이는, 하우징의 표면보다 낮은 것이 바람직하다. 또한, 소켓은, 관통공의 저면과 일체로 형성되며, 지지부측으로부터 탄성부와 접촉하는 것에 의해, 핀 콘택트가 볼 콘택트와 접촉하지 않는 상태에 있어서의 탄성부의 각도를 규정하는 콘택트 지지부를 더욱 포함하여도 좋다.
콘택트 지지부는 핀 콘택트가 볼 콘택트와 접촉하지 않는 상태에 있어서, 탄성부가 형성되어야 할 각도와 대략 동일한 각도를 가지며, 탄성부와 접촉하는 접촉면을 포함하여도 좋다. 또한, 관통공은 하우징 표면에 가장자리가 모따기되어 있는 원형의 개구부를 가져도 좋다.
핀 콘택트는 지지부 중에서 하우징의 이면과 평행한 영역의 저면에 형성되며, BGA 유닛과 전기적으로 접속되는 외부 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 더욱 포함하여도 좋다.
하우징은 볼 콘택트와 접속하는 접속 방향에 있어서, 핀 콘택트를 유동 가능하도록 지지하여도 좋다. 또한, 소켓은, 하우징의 이면을 덮도록 고정되며, 핀 콘택트에 대응하는 위치에 개구부가 형성된 지지 시트를 더욱 포함하며, 핀 콘택트는 개구부의 폭 보다 큰 폭의 볼록부를 포함하며, 볼록부보다 하부의 핀 콘택트의 영역의 폭은 개구부보다 작아도 좋다.
하우징의 이면에는, 핀 콘택트의 일부가 삽입되는 결합구가 형성되며, 핀 콘택트는, 일부가 결합구에 삽입되는 지지부, 볼 콘택트와 접촉하는 곡면을 포함하는 곡면부 및 지지부로부터 곡면부까지 연장되어 형성되며, 탄성복원력을 갖는 탄성부를 포함하고, 지지부 중에서 결합구에 삽입되는 영역의 상부에 볼록부가 형성되며, 지지부의 다른 영역의 폭은 개구부의 폭보다 작아도 좋다.
지지 시트의 개구부는 지지부에 대응하는 위치에 지지부보다 긴 범위로 형성되며, 지지부는 결합구에 삽입되는 영역 및 하우징의 이면에 대략 평행한 영역을 포함하며, 핀 콘택트는, 지지부 중에서 하우징의 이면과 대략 평행한 영역의 저면에 형성되며, BGA 유닛과 전기적으로 접속되는 외부 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 더욱 포함하여도 좋다.
하우징의 이면에는 핀 콘택트의 일부가 삽입되는 결합구가 형성되며, 하우징은 결합구의 하부에 핀 콘택트의 방향으로 돌출하는 돌기부를 포함하고, 핀 콘택트는, 결합구에 삽입되는 지지부 및 지지부에 형성되고 돌기부 방향으로 돌출하는 지지조(爪)를 포함하여도 좋다.
본 발명의 제2 형태에 있어서는, 복수의 볼 콘택트를 포함하는 전자 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서, 전자 디바이스와 전기적으로 접속되는 소켓, 전자 디바이스에 공급하는 시험 패턴을 생성하고, 소켓을 개입시켜 전자 디바이스에 시험 패턴을 공급하는 패턴 발생기 및 시험 패턴에 응하여 전자 디바이스가 출력하는 출력 신호를 소켓을 개입시켜 수취하며, 출력 신호에 근거하여 전자 디바이스의 양부를 판정하는 판정부를 포함하고, 소켓은, 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가지는 복수의 관통공이, 전자 디바이스와 마주보는 하우징의 표면에 복수의 볼콘택트에 대응하도록 형성되는 하우징 및 복수의 관통공에 형성되며, 대응하는 볼 콘택트의 측부와 접촉하는 복수의 핀 콘택트를 포함하는 시험 장치를 제공한다.
소켓의 배면에 접속되고, 전자 디바이스와 시험 장치 사이의 신호의 송수신을 행하는 소켓 보드를 더욱 포함하며, 핀 콘택트는, 소켓 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 포함하여도 좋다. 핀 콘택트는, 하우징의 이면에 지지되는 지지부를 더욱 포함하며, 보드측 접촉부는, 지지부 중에서 하우징의 이면과 접촉하는 영역의 저면에 형성되고, 소켓 보드와 전기적으로 접촉하여도 좋다.
또한, 상기 설명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징 전부를 열거하는 것은 아니며, 이들 특징군의 서브 콤비네이션 또한 발명으로 될 수 있다.
이하에, 발명의 실시 형태를 통해 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시 형태는 특허청구범위에 기재된 발명을 한정하는 것은 아니며, 또한, 실시 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합 전체가 발명의 해결 수단으로서 필수적인 것으로 한정되지 않는다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 시험 장치 100의 구성의 일예를 도시한다. 시험 장치 100은 복수의 볼 콘택트로 구성되는 BGA 유닛을 포함하는 전자 디바이스 200을 시험한다. 전자 디바이스 200은, 예를 들면 반도체 회로를 포함하는 디바이스이다. 또한, 시험 장치 100은 패턴 발생부 10, 파형 정형부 12, 소켓 20 및 판정부 14를 포함한다.
패턴 발생부 10은 전자 디바이스 200에 공급하는 시험 패턴을 생성하며, 파형 정형부 12 및 소켓 20을 개입시켜 전자 디바이스 200에 공급한다. 예를 들면, 패턴 발생부 10은 반도체 메모리 등의 전자 디바이스 200에 기억시켜야 하는 시험 패턴을 생성한다. 또한, 패턴 발생부 10은, 생성한 시험 패턴에 응하여, 전자 디바이스 200이 출력하여야 하는 기대치 신호를 생성하고 판정부 14에 공급한다.
파형 정형부 12는 시험 패턴을 정형하여, 소정의 타이밍으로 소켓 20에 공급한다. 소켓 20은 전자 디바이스 200과 전기적으로 접속되며, 전자 디바이스 200과 신호를 송수신한다. 또한, 소켓 20은 소켓 보드를 개입시켜 파형 정형부 12 및 판정부 14와 접속되어도 좋다. 소켓 보드는 복수의 소켓 20을 탑재하고, 복수의 전자 디바이스 200과 평행하게 신호를 주고 받는다.
판정부 14는 시험 패턴에 응하여 전자 디바이스 200이 출력하는 출력 신호를 소켓 20을 개입하여 수취하고, 출력 신호와 기대치 신호와의 비교 결과에 근거하여, 전자 디바이스 200의 양부를 판정한다.
도 2는 소켓 20의 하우징 22의 사시도의 일예를 도시한다. 소켓 20은, 복수의 볼 콘택트를 포함하는 BGA 유닛과 전기적으로 접속하는 소켓이다. 소켓 20은, 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가진 복수의 관통공 24가 BGA 유닛과 마주보는 하우징 22의 표면에 BGA 유닛의 복수의 볼 콘택트에 대응하도록 형성된 하우징 22 및 관통공 24에 형성된 핀 콘택트를 포함한다. 또한, 하우징 22에는, 소켓 20을 소켓 보드에 지지하기 위한 결합공 16이 형성되어 있다.
하우징 22에는, 소정의 수직 방향 및 수평 방향에, 복수의 관통공 24가 연속하여 형성되어 있다. 이들 관통공 24는 수직 방향 및 수평 방향에 각각 소정의 간격으로 형성된다. 여기에서, 수직 방향 및 수평 방향이란, 소켓 20이 BGA 유닛과 접속하는 접속 방향에 수직인 하우징 22의 표면내의 방향이다. 또한, 수직 방향 및 수평 방향이란. 당해 방향에 있어서의 각각의 관통공 24의 간격이 최소로 되는 방향을 가리킨다. 예를 들면, 본 예에 있어서, 복수의 관통공 24는 수직 방향 및 수평 방향에 대하여 경사진 방향에 있어서도 소정 간격으로 형성되지만. 그 간격은 수직 방향 및 수평 방향보다 크다.
또한, 소켓 20은 복수의 관통공 24의 내부에 형성되고, 대응하는 볼 콘택트와 접촉하는 복수의 핀 콘택트를 더욱 포함한다. BGA 유닛의 볼 콘택트를 각각 관통공 24 내부의 핀 콘택트와 전기적으로 접속하는 것에 의해, 전자 디바이스 200과 시험 장치 100을 전기적으로 접속시킨다. 다음으로, 관통공 24 내부의 핀 콘택트에 관하여 설명한다.
도 3은 관통공 24에 형성된 핀 콘택트를 설명하는 도면이다. 도 3(a)는 관통공 24의 단면을 도시하는 도면이다. 예를 들면, 도 3(a)는 도 2에 있어서의 쇄선 A-A′의 단면을 도시하는 도면이다. 또한, 도 3(b)는 핀 콘택트의 단면도의 일예이고, 도 3(c)는 핀 콘택트의 사시도의 일예이다.
또한, 일예로서, 관통공 24는 하우징 22의 표면 34에 원형의 개구부를 가지며, 하우징 22의 표면 34로부터 소정 깊이의 원주상의 공(孔) 및 당해 원주상의 공으로부터 연장되어 형성되는 원추상의 공(孔)으로 구성되는 관통공이다.
핀 콘택트 50은 관통공 24의 내부에 형성된다. 하우징 22는, 예를 들면, 수지 재료등의 절연 재료이며, 각각의 관통공 24에 핀 콘택트 50을 형성하는 것에 의해, 핀 콘택트 50 사이를 전기적으로 절연시킨다. 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 핀 콘택트 50은 지지부 52, 탄성부 54, 곡면부 56, 종단부 58 및 보드측 접촉부 38을 포함한다.
지지부 52는 하우징 22의 이면 36에 지지되며, 핀 콘택트 50의 위치를 고정한다. 예를 들면, 하우징 22의 이면 36에는, 지지부 52와 결합하기 위한 결합구(結合溝) 32가 형성되어 있고, 지지부 52의 일부와 결합구 32가 결합하는 것에 의해, 핀 콘택트 50의 위치가 고정된다. 지지부 52는 결합구 32와 결합하기 위한 돌기를 포함하여도 좋다. 예를 들면, 지지부 52는 하우징 22의 이면 36과 대략 평행한 영역 및 결합구 32에 삽입되는 영역을 포함한다. 이 경우에, 결합구 32에 삽입되는 지지부 52는 결합구 32로부터 수평 방향의 압력이 가해지는 상태로 고정된다. 또는, 지지부 52를 상하로 움직이도록 하여 콘택트 보드와 접속시켜도 좋다.
곡면부 56은 볼 콘택트 210과 접촉하는 곡면을 포함한다. 곡면부 56의 단면은 도 3(b)에 도시된 바와 같이 곡선이다. 또한 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 곡면부 56은, 예를 들면, 평면의 도전(導電)판의 일단을 소정 방향으로 만곡시킨 형상이다. 곡면부 56은 하우징 22에서 전자 디바이스 200으로 향하는 방향으로 정점 60을 가지며, 정점 60이 관통공 24의 개구부 중심보다는 개구부의 가장자리측으로 배치되도록 핀 콘택트 50이 형성된다. 여기에서, 정점 60에서 개구부 중심까지의 거리와 정점 60에서 관통공 24의 측면 28까지의 거리의 비는 1:3 정도인 것이 바람직하다. 하우징 22에서 전자 디바이스 200으로 향하는 방향에 있어서, 곡면부 56의 정점 60의 높이는 하우징 22의 표면 34보다 낮다. 또한, 하우징 22의 표면 34와 평행한 면내에 있어서의 지지부 52의 위치는 개구부의 중심에 대하여 곡면부 56의 정점 60과 반대측에 형성된다.
탄성부 54는 지지부 52로부터 곡면부 56까지 연장되어 형성된다. 또한, 탄성부 54는 탄성복원력을 가지는 탄성부재로 형성되어 있다. 볼 콘택트 210에 의해 곡면부 56에 압력이 가해지는 경우, 탄성부 54는 당해 압력에 대응하여 곡면부 56을 미끄러지듯이 움직이도록 한다. 즉, 곡면부 56은 볼 콘택트 210의 경사면에 미끄러지듯이 움직이며 접촉한다.
종단부 58은 곡면부 56으로부터 연장되어 형성된다. 또한, 보드측 접촉부 38은 지지부 52로부터 돌출하며, 소켓 보드의 단자 18과 접촉하는 것에 의해, 소켓 20과 소켓 보드를 전기적으로 접속시킨다. 본 예에 있어서, 보드측 접촉부 38은, 지지부 52 중에서 하우징 22와 대략 평행한 영역의 저면에 형성되며, BGA 유닛과 전기적으로 접속되는 외부 소켓 보드의 단자 18과 전기적으로 접촉한다. 또한, 탄성부 54는, 곡면부 56에 압력이 가해지지 않는 상태에 있어서, 곡면부 56과 지지부 52를 연결하는 직선으로 이어지도록 형성되는 것이 바람직하다. 시험 장치 100 및 전자 디바이스 200은 곡면부 56, 탄성부 54, 지지부 52 및 보드측 접촉부 38을 개입시켜 전기적으로 접속된다. 탄성부 54가 곡면부 56과 지지부 52를 최단 경로로 접속시키는 것에 의해, 전송하는 신호에 발생하는 노이즈를 저감하여, 고주파수에서 동작하는 전자 디바이스 200을 시험할 수 있다. 또한, 본 예의 핀 콘택트 50에 의하면, 볼 콘택트 210의 크기에 편차가 발생하는 경우에도, 접속의 안정성을 확보하면서, 볼 콘택트 210과 시험 장치 100을 일정한 최단 경로로 접속시킬 수 있다.또한, 볼 콘택트 210의 일부 또는 대부분을 하우징 22 내에 도입한 상태로 관통공 24를 형성할 수 있기 때문에, 핀 콘택트 50의 길이를 짧게 할 수 있으며, 보다 높은 주파수에 대응할 수 있게 되는 이점이 얻어진다.
또한, 관통공 24의 개구부는, 하우징 22의 표면 34에 있어서 가장자리에 노치(notch) 26이 형성되어 있다. 예를 들면, 관통공 24의 개구부의 가장자리 전체에 모따기가 형성되도록 가장자리가 노치되어 있다. 이때문에, 볼 콘택트 210의 위치가 관통공 24와 어긋난 상태로 압력이 가해지는 경우에도, 볼 콘택트 210의 손상을 저감하고, 또한 볼 콘택트 210을 관통공 24의 내부에 삽입할 수 있다.
또한, 필요에 따라, 볼 콘택트 210에 미끄러지듯이 움직이며 접촉하는 정점 60 및 곡면부 56에 있어서, 전기적인 접촉이 양호하게 되는 구조를 포함하여도 좋다. 즉, 볼 콘택트 210의 산화막등이 미끄러지듯이 움직이는 것에 의해 보다 확실히 제거될 수 있는 표면 가공, 예를 들면, 복수의 열로 배열된 구(溝)구조나 복수의 볼록 구조를 형성하여도 좋다.
도 4는 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210이 접촉하는 경우의 관통공 24의 단면을 도시하는 도면이다. 핀 콘택트 50의 곡면부 56은 볼 콘택트 210의 측부 214와 접촉한다. 예를 들면, 볼 콘택트 210의 측부 214는 볼 콘택트 210의 외주면에 있어서의 법선이 접속 방향과 평행하지 않은 개소이다. 또한, 상술한 바와 같이, 곡면부 56에 볼 콘택트 210에 의해 압력이 가해지는 경우, 탄성부 54는 당해 압력에 대응하여 곡면부 56을 미끄러지듯이 움직이도록 한다.
곡면부 56이 미끄러지듯이 움직이는 것에 의해, 곡면부 56의 접속 방향에 있어서의 위치와 수평 방향에 있어서의 위치가 변화한다. 곡면부 56의 접속 방향의 위치가 압력에 대응하여 변화하는 것에 의해, 과대한 압력이 곡면부 56에 가해지는 경우에도, 핀 콘택트 50 및 볼 콘택트 210의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 곡면부 56의 수평 방향의 위치가 압력에 대응하여 변화하는 것에 의해, 압력에 대응하여 곡면부 56과 접촉하는 볼 콘택트 210의 위치가 변화하고, 접속 방향에 있어서의 볼 콘택트 210과 핀 콘택트 50 사이의 압력을 대략 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 본 예에 있어서의 핀 콘택트 50은 곡면에 의해 볼 콘택트 210의 측부와 접촉하지만, 곡면부 56이 미끄러지듯이 움직이는 것에 의해, 볼 콘택트 210 표면의 산화막등을 제거하며, 곡면부 56과 볼 콘택트 210의 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 볼 콘택트 210이 곡면부 56의 경사면을 미끄러지듯이 움직이도록 하면서 압력을 가하여 접촉하는 결과, 전기적으로 접촉 가능한 구간으로서 압력을 가하는 방향의 유효한 접촉 구간을 길게 할 수 있다. 이 결과, 볼 콘택트 210과 대응하는 다수의 핀 콘택트 사이에 높이의 편차가 존재하여도, 당해 유효 접촉 구간이 길기 때문에, 안정적인 접촉 신뢰성을 확보할 수 있다. 따라서, 접촉 신뢰성이 우수한 구조이다. 또한, 핀 콘택트 50의 탄성부 54는 콘택트 지지부 30에 의해 각도를 상정하기 때문에, 볼 콘택트 210과 접촉하는 곡면부 56의 위치가 고정적으로 될 수 있는 결과, 위치 편차를 저감할 수 있다. 따라서, 안정한 접촉 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 소켓 20은 각각의 관통공 24에 콘택트 지지부 30을 포함한다. 콘택트 지지부 30은 관통공 24의 저면과 일체로 형성되며, 지지부 52측으로부터 탄성부 54와 접촉하는 것에 의해, 핀 콘택트 50이 볼 콘택트 210과 접촉하지 않는 상태에 있어서의 탄성부 54의 각도를 규정한다. 예를 들면, 콘택트 지지부 30은, 핀 콘택트 50이 볼 콘택트 210과 접촉하지 않는 상태에 있어서, 탄성부 54와 접촉하는 접촉면 42(도 3 참조)를 포함한다. 이 경우에, 당해 접촉면 42는 탄성부 54가 형성되는 각도와 대략 동일한 각도로 형성된다.
항상 탄성부 54가 접촉면 42와 접촉하는 구조로 되므로, 소위 프리로드 기능을 가지게 한다. 본 예에 있어서, 콘택트 지지부 30은 볼 콘택트 210과 접촉하는 경우에, 곡면부 56이 미끄러지듯이 움직이는 방향에 있어서, 탄성부 54에 소정의 압력을 가하도록 형성된다. 이 때문에, 탄성부 54는 탄성 복원력에 의해 미끄러지듯이 움직이는 방향과 반대 방향으로 복원하려고 하지만, 콘택트 지지부 30에 의해 복원이 제한된다. 이 때문에, 탄성부 54의 각도는 콘택트 지지부 30에 의해 규정되며, 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210의 접촉의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상과 같이, 각각의 콘택트 지지부 30이 탄성부 54의 각도를 대략 동일하게 유지하는 것에 의해, 각각의 핀 콘택트 50의 높이 및 곡면부 56의 정지 위치를 대략 일정하게 유지할 수 있다. 이에 의하여, 각각의 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210의 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 예에 있어서의 콘택트 지지부 30은 면에서 접촉하는 것에 의해 탄성부 54의 각도를 규정하였지만, 다른 예에서는, 콘택트 지지부 30은 탄성부 54로부터 관통공 24의 측면까지의 거리를 규정하기 위한 돌기를 포함하며, 당해 돌기를 탄성부 54에 접촉시키는 것에 의해, 탄성부 54의 각도를 규정하여도 좋다.
또한, 소켓 20을 사용한 시험 장치 100에 의하면, 전자 디바이스 200과 시험 장치 100의 본체를 안정하게 접속시킬 수 있다. 이 때문에, 전자 디바이스 200의 시험을 효율적이고 정밀하게 수행할 수 있다. 또한, 고주파로 동작하는 전자 디바이스 200의 시험을 정밀하게 수행할 수 있다.
도 5는, 하우징 22의 표면 34측으로부터의 관통공 24의 상면도의 일예를 도시한다. 본 예에 있어서 콘택트 지지부 30은 원추형으로 형성된다. 또한, 콘택트 지지부 30의 경사면의 적어도 일부에, 핀 콘택트 50의 곡면부 56 및 종단부 58이 미끄러지듯이 움직이도록 하기 위한 그루브 62가 형성되어 있다. 또한, 하우징 22의 표면 34와 평행한 면내에 있어서, 지지부 52에서 곡면부 56으로 향하는 연장 방향이, 복수의 관통공 24의 배열 방향, 즉 도 2에 있어서 설명한 수직 방향 또는 수평 방향에 대하여 경사지도록 각각의 핀 콘택트 50이 형성되는 것이 바람직하다.
도 6은 하우징 22의 표면도의 일예를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 각각의 관통공 24에 있어서, 그루브 62는 관통공 24의 배열 방향에 대하여 경사지도록 형성된다. 이들 관통공 24에 각각 핀 콘택트 50을 형성하는 것에 의해, 핀 콘택트 50의 연장 방향이 관통공 24의 배열 방향에 대하여 경사지게 된다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 인접하는 관통공 24에 형성된 핀 콘택트 50의 각각의 연장 방향은 서로 반대로 되는 것이 바람직하다. 여기에서, 인접하는 관통공 24란, 관통공 24의 배열 방향에 있어서 서로간의 거리가 가장 짧은 관통공 24를 가리킨다. 또한, 관통공 24에 그루브 62가 형성되는 방향도, 인접하는 관통공 24에 있어서 서로 반대로 되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 핀 콘택트 50을 형성하는 것에 의해, 복수의 핀 콘택트 50이 각각 볼 콘택트 210의 측부와 접촉하여도, 각각의 방향에 있어서 압력의 균형을 잡을 수 있다. 즉, 평면 방향의 압력이 상쇄될 수 있다. 이에 의하여, 전자 디바이스 200이 다수의 핀 콘택트 50에 압력을 가하는 경우에, 전자 디바이스 200을 상이한 방향으로부터 지탱할 수 있으며, 또한 핀 콘택트 50이 압력에 대응하여 미끄러지듯이 움직이는 것에 의해, 전자 디바이스 200을 안정하게 지지할 수 있는 위치에 얼라인먼트(alignment)할 수 있다. 예를 들면, 하우징 22의 표면 34와 평행한 면내에 있어서, 볼 콘택트 210과 핀 콘택트 50 사이에 힘의 총합이 대략 0이 되는 위치에 전자 디바이스 200을 얼라인먼트할 수 있으며, 전자 디바이스 200과 소켓 20을 안정하게 접속시킬 수 있다. 즉, 다수의 볼 콘택트 210에 대하여 한쪽 방향으로의 응력이 상쇄되는 결과, 압력을 가할 때의 위치의 어긋남을 방지할 수 있다. 또한, 핀 콘택트 50의 연장 방향이 서로 반대 방향으로 되는 것에 의해, 인접하여 형성되는 핀 콘택트 50에 의해 전송되는 신호 사이의 간섭을 저감할 수 있다.
도 7은 하우징 22의 이면도의 일예를 도시한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 관통공 24에 대한 결합구 32가 형성되는 방향은, 관통공 24의 배열 방향에 대하여 경사를 이루며, 인접하는 관통공 24에 있어서 서로 반대 방향으로 된다.
도 8은 하우징 22 및 핀 콘택트 50의 다른 예를 설명하는 도면이다. 도 8(a)는 하우징 22에 있어서 관통공의 단면을 도시하는 도면이다. 예를 들면, 도 8(a)는 도 2에 있어서 쇄선 A-A′의 단면을 도시하는 도면이다.
본 예에 있어서 하우징 22는, 핀 콘택트 50을, 소켓 20이 BGA 유닛과 접속하는 접속 방향에 있어서는, 하우징 22에 대하여 상대적으로 유동할 수 있게 지지하며, 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면 내의 방향에 대하여는 고정하도록 지지한다. 즉, 본 예에 있어서 하우징 22의 결합구 32는, 핀 콘택트 50의 지지부 52를, 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면 내의 방향에 대하여 고정하며, 또한 당해 접속 방향에 대해서는 고정하지 않는 구조를 가진다. 예를 들면, 결합구 32는 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면 내의 방향에 있어서 지지부 52의 폭과 대략 동일한 폭을 가지는 것에 의해, 핀 콘택트 50을 당해 방향에 있어서 고정한다. 또한, 결합구 32는 당해 접속 방향에 있어서 지지부 52의 길이와 대략 동일한 깊이를 가져도 좋다. 이와 같은 구성에 의해, 핀 콘택트 50은 결합구 32로부터 탈락하는 방향으로 유동할 수 있다.
그리하여, 하우징 22는 핀 콘택트 50이 완전히 탈락하는 것을 방지하는 지지 시트 70을 더욱 포함한다. 지지 시트 70은 하우징 22의 이면을 덮도록 고정되며, 핀 콘택트 50에 대응하는 위치에 개구부가 형성된다. 즉, 지지 시트 70은, 하우징 22의 결합구 32가 형성된 면에 고정되며, 보드측 접촉부 38을 포함하는 핀 콘택트 50의 일부를 통과시키는 개구부를 가진다.
핀 콘택트 50의 지지부 52는, 결합구 32에 삽입되는 영역 및 하우징 22의 이면과 대략 평행한 영역을 포함한다. 지지부 52 중에서 결합구 32에 삽입되는 영역의 상부의 폭을, 당해 개구부의 폭보다 크게 하며, 지지부 52의 다른 영역의 폭을 개구부보다 작게 하는 것에 의해, 당해 지지부 52의 상부가 지지 시트 70에 접촉하는 위치로부터 지지부 52의 상단이 결합구 32의 상단에 접촉하는 위치까지, 핀 콘택트 50을 유동할 수 있도록 지지할 수 있다. 여기에서, 지지부 52의 상부란, 결합구에 삽입되는 부분의 볼 콘택트 210측의 영역이다. 또한, 하우징 22 이외의 다른 구성은 도 3에 있어서 설명한 하우징 22와 동일하므로 그에 관한 설명은 생략한다.
도 8(b)는 핀 콘택트 50의 사시도이다. 핀 콘택트 50은 지지부 52의 상부에, 폭 방향으로 돌출한 볼록부 53을 양단에 포함한다. 볼록부 53의 폭은 핀 콘택트 50의 탄성부 54, 곡면부 56 및 종단부 58등의 다른 부위의 폭보다 넓은 것이 바람직하다. 또한, 지지부 52는 하부의 양단이 노치된 노치부 55를 포함한다. 또한, 지지부 52 이외의 핀 콘택트 50의 구성은 도 3에 있어서 설명한 핀 콘택트 50과 동일하므로 그에 관한 설명은 생략한다.
도 8(c)는 핀 콘택트 50 및 지지 시트 70의 사시도이다. 지지 시트 70은, 핀 콘택트 50에 대응하는 위치에, 보드측 접촉부 38을 포함하는 핀 콘택트 50의 일부를 통과시키는 개구부 72를 가진다. 단, 도 8(c)에 있어서는, 지지 시트 70의 하나의 개구부가 도시되어 있으나, 지지 시트 70은 복수의 핀 콘택트 50에 대응하는 복수의 개구부 72를 가진다.
핀 콘택트 50의 탄성부 54 및 볼록부 53이 형성되지 않은 지지부 52의 하부는 개구부 72보다 폭이 좁으며, 볼록부 53을 포함하는 지지부 52의 상부의 폭은 개구부의 폭보다 넓다. 또한, 개구부 72는 지지부 52보다 긴 범위로 형성되는 것이 바람직하다. 여기에서, 지지부 52의 길이는 하우징 22의 이면에 있어서 핀 콘택트 50이 연장하는 방향의 길이를 가리킨다. 이와 같은 구성에 의해, 상술한 바와 같이 핀 콘택트 50은 볼록부 53이 지지 시트 70에 접촉하는 위치에서 지지부 52의 상단이 결합구 32의 상단에 접촉하는 위치까지 유동할 수 있다.
도 9는 핀 콘택트 50의 유동을 설명하는 도면이다. 도 9에 있어서는 지지부 52의 정면도를 사용하여 설명한다. 도 9(a)는 핀 콘택트 50이 소켓 보드의 단자 18의 방향으로 유동하는 경우를 도시하며, 도 9(b)는 핀 콘택트 50이 소켓 보드의 단자 18과 반대 방향으로 유동하는 경우를 도시한다.
핀 콘택트 50은 볼 콘택트 210이 소켓 보드의 단자 18의 방향으로 핀 콘택트 50에 압력을 가하는 것에 의해 접속 방향에 있어서 고정된다. 그러나, 소켓 보드의 평탄도에 편차가 발생하는 경우 또는 하우징 22의 평탄도에 편차가 발생하는 경우, 각각의 핀 콘택트 50의 접속 방향의 위치가 상이한 경우가 있다.
예를 들면, 하우징 22는 -30℃ ~ +125℃ 정도의 온도 스트레스가 계속하여 주어지는 경우가 있으며, 당해 스트레스에 의해 만곡 변형되어 버린다. 또한, 소켓 보드도 마찬가지로 제조 편차 또는 온도 스트레스에 의해 만곡 변형되어 버린다. 이와 같은 경우에, 하우징 22가 핀 콘택트 50을 접속 방향에 있어서 고정되면, 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210 또는 소켓 보드의 단자 18을 안정하게 접속시킬 수 없다.
본 예에 있어서의 하우징 22 및 핀 콘택트 50에 의하면, 하우징 22가 핀 콘택트 50을 접속 방향으로 유동할 수 있게 지지하기 때문에, 상술한 경우에 있어서도 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210 및 소켓 보드의 단자 18을 안정하게 접속시킬 수 있다. 또한, 지지 시트 70은 내열성 또는 절연성 재료로 형성되며, 예를 들면, 폴리이미드, 실리콘계 탄성체, 세라믹계등의 시트이어도 좋다.
도 10은 하우징 22 및 핀 콘택트 50의 다른 예를 설명하는 도면이다. 도 10은 도 2에 있어서의 쇄선 A-A′의 단면을 도시하는 도면이다. 본 예에 있어서도 도 8에 있어서 설명한 바와 마찬가지로, 하우징 22는 핀 콘택트 50을, 소켓 20이 BGA 유닛과 접속하는 접속 방향에 있어서는 하우징 22에 대하여 상대적으로 유동할 수 있도록 지지하며, 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면 내의 방향에 대하여는 고정시켜 지지한다.
즉, 본 예에 있어서 하우징 22의 결합구 32는, 핀 콘택트 50의 지지부 52를, 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면내의 방향에 대하여 고정하며, 또한 당해 접속 방향에 대해서는 고정하지 않는 구조를 갖는다. 본 예에 있어서, 결합구 32는, 당해 접속 방향을 법선으로 하는 면 내의 방향에 있어서 지지부 52의 폭과 대략 동일한 폭을 가지는 것에 의해, 핀 콘택트 50을 당해 방향에 있어서 고정한다. 또한, 결합구 32는, 핀 콘택트 50의 방향으로 돌출한 돌기부를, 결합구 32의 하부에 포함한다. 여기에서, 결합구 32의 하부는 결합구 32 중에서 소켓 보드측의 영역을 가리킨다. 하우징 22의 그외의 다른 구성은 도 3에 있어서 설명한 하우징 22와 동일하므로 그에 관한 설명은 생략한다.
핀 콘택트 50은, 결합구 32의 돌기부와 접촉하는 것에 의해 핀 콘택트 50의 소켓 보드 방향에 대한 유동을 제한하는 지지조(爪)를 지지부 52에 포함한다. 이와 같은 구성에 의해, 핀 콘택트 50을 접속 방향으로 유동할 수 있도록 지지하며, 또한 핀 콘택트 50이 결합구 32로부터 완전히 탈락하는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 도 10에 있어서 설명한 핀 콘택트 50 및 결합구 32의 구성의 일예를설명하는 도면이다. 도 11(a)는 도 10에 도시한 부분 B의 확대도이다. 상술한 바와 같이 결합구 32는 결합구 32의 하부에 돌기부 23을 포함한다. 돌기부 23은 핀 콘택트 50의 지지부 52와 병렬로, 대략 동일한 폭으로 형성되어도 좋다.
핀 콘택트 50은, 지지부 52에, 돌기부 23의 방향으로 돌출한 지지조 57을 포함한다. 이와 같은 구성에 의해, 지지부 52의 상단이 결합구 32의 상단에 접하는 위치에서 지지조 57이 돌기부 23에 접촉하는 위치까지, 핀 콘택트 50을 접속 방향으로 미끄러지듯이 움직이도록 지지할 수 있다. 또한, 결합구 32 중에서, 돌기부 23이 형성되지 않은 상부 영역의 접속 방향에 있어서의 깊이는, 지지부 52의 지지조 57의 하단에서 지지부 52의 상단까지의 길이보다 크다. 당해 깊이와 당해 길이와의 차이만큼 핀 콘택트 50은 접속 방향으로 유동할 수 있다.
도 11(b)는 핀 콘택트 50의 단면도이다. 상술한 바와 같이, 핀 콘택트 50은 지지부 52에 지지조 57을 포함한다. 도 11(c)는 핀 콘택트 50의 사시도이다. 도 11(c)에 도시된 바와 같이, 지지부 52에 소정 크기의 사각형의 사 변 중에서 세 변을 잘라내어 잘라낸 영역에 압력을 가하는 것에 의해 지지조 57을 형성하여도 좋다. 또한, 지지조 57 이외의 핀 콘택트 50의 구성은 도 3에 있어서 설명한 핀 콘택트 50과 동일하므로 그에 관한 설명은 생략한다.
본 예에 있어서, 하우징 22 및 핀 콘택트 50에 의해서도, 하우징 22가 핀 콘택트 50을 접속 방향으로 유동할 수 있도록 지지하므로, 핀 콘택트 50과 볼 콘택트 210 및 소켓 보드의 단자 18을 안정하게 접속할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 이용하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시의 형태에 기재된 범위에 한정되지는 않는다. 상기 실시의 형태에 다양한 변경 또는 개량을 추가할 수 있다는 것이 당업자에게 명백하다. 그러한 변경 또는 개량을 추가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다는 것이 특허청구범위의 기재로부터 명백하다.
본 발명에 의하면, 전자 디바이스 및 소켓을 안정하게 접속시킬 수 있으며, 또한 BGA의 손상을 저감할 수 있다. 나아가. 이와 같은 소켓을, 하우징 및 핀에 의한 간이한 구성에 의해 제공할 수 있다.

Claims (16)

  1. 볼 콘택트를 포함하는 BGA(Ball Grid Array) 유닛과 전기적으로 접속하는 소켓에 있어서,
    상기 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가지는 관통공이, 상기 BGA 유닛과 마주보는 하우징의 표면에, 상기 볼 콘택트에 대응하도록 형성된 하우징 및
    상기 관통공에 형성되며, 대응하는 상기 볼 콘택트의 측부와 접촉하는 핀 콘택트를 포함하는 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 BGA 유닛은 복수의 상기 볼 콘택트를 포함하며,
    상기 하우징은, 상기 복수의 볼 콘택트에 대응하는 복수의 상기 관통공을 포함하며,
    상기 소켓은, 상기 복수의 관통공에 형성된 복수의 상기 핀 콘택트를 포함하는 소켓.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 핀 콘택트는,
    상기 하우징의 이면에 지지되는 지지부;
    상기 볼 콘택트와 접촉하는 곡면을 포함하는 곡면부; 및
    상기 지지부에서 상기 곡면부까지 연장되어 형성되며, 탄성복원력을 가지는 탄성부를 포함하는 소켓.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 핀 콘택트는 상기 하우징 표면과 평행한 면내에 있어서, 상기 지지부에서 상기 곡면부로 향하는 연장 방향이, 상기 복수의 관통공의 배열 방향에 대하여 경사를 이루도록 형성된 소켓.
  5. 제4항에 있어서,
    인접하는 상기 관통공에 형성된 상기 핀 콘택트의 각각의 상기 연장 방향이 서로 반대 방향이 되도록 상기 복수의 핀 콘택트가 형성된 소켓.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 하우징에서부터 상기 BGA 유닛으로 향하는 방향에 있어서 상기 곡면부의 정점의 높이는 상기 하우징의 표면보다 낮은 소켓.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 관통공의 측면과 일체로 형성되며, 상기 지지부로부터 상기 탄성부와 접촉하는 것에 의해, 상기 핀 콘택트가 상기 볼 콘택트와 접촉하지 않는 상태에서의 상기 탄성부의 각도를 규정하는 콘택트 지지부를 더욱 포함하는 소켓.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 핀 콘택트는, 상기 지지부 중에서 상기 하우징의 이면과 대략 평행한 영역의 저면에 형성되며, 상기 BGA 유닛과 전기적으로 접속되는 외부 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 더욱 포함하는 소켓.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 하우징은, 상기 볼 콘택트와 접속하는 접속 방향에 있어서, 상기 핀 콘택트를 유동 가능하도록 지지하는 소켓.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 하우징의 이면을 덮도록 고정되며, 상기 핀 콘택트에 대응하는 위치에 개구부가 형성된 지지 시트를 더욱 포함하며,
    상기 핀 콘택트는 상기 개구부의 폭보다 폭이 넓은 볼록부를 포함하며, 상기 핀 콘택트의 상기 볼록부보다 하부의 영역의 폭은 상기 개구부의 폭보다 좁은 소켓.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하우징의 이면에는, 상기 핀 콘택트의 일부가 삽입되는 결합구가 형성되며,
    상기 핀 콘택트는,
    일부가 상기 결합구에 삽입되는 지지부;
    상기 볼 콘택트와 접촉하는 곡면을 포함하는 곡면부; 및
    상기 지지부로부터 상기 곡면부까지 연장되어 형성되며, 탄성복원력을 가지는 탄성부를 포함하며,
    상기 지지부 중에서 상기 결합구에 삽입되는 영역의 상부에 상기 볼록부가 형성되며, 상기 지지부의 다른 영역의 폭은 상기 개구부의 폭보다 좁은 소켓.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지 시트에는, 상기 지지부에 대응하는 위치에 상기 지지부보다 긴 범위로 상기 개구부가 형성되며,
    상기 지지부는 상기 결합구에 삽입되는 영역 및 상기 하우징의 이면에 대략 평행한 영역을 포함하며,
    상기 핀 콘택트는, 상기 지지부 중에서 상기 하우징의 이면과 대략 평행한 영역의 저면에 형성되며, 상기 BGA 유닛과 전기적으로 접속되는 외부 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 추가적으로 포함하는 소켓.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 하우징의 이면에는, 상기 핀 콘택트의 일부가 삽입되는 결합구가 형성되며, 상기 하우징은 상기 결합구의 하부에 상기 핀 콘택트 방향으로 돌출한 돌기부를 포함하며,
    상기 핀 콘택트는, 상기 결합구에 삽입되는 지지부 및 상기 지지부에 형성되며, 상기 돌기부 방향으로 돌출한 지지조(爪)를 포함하는 소켓.
  14. 복수의 볼 콘택트를 포함하는 전자 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서,
    상기 전자 디바이스와 전기적으로 접속되는 소켓;
    상기 전자 디바이스에 공급하는 시험 패턴을 생성하고, 상기 소켓을 개입시켜 상기 전자 디바이스에 상기 시험 패턴을 공급하는 패턴 발생기; 및
    상기 시험 패턴에 따라서 상기 전자 디바이스가 출력하는 출력 신호를 상기 소켓을 개입시켜 출력하고, 상기 출력 신호에 근거하여 상기 전자 디바이스의 양부를 판정하는 판정부를 포함하며,
    상기 소켓은,
    상기 볼 콘택트의 직경보다 큰 직경을 가진 복수의 관통공이, 상기 전자 디바이스와 마주보는 표면에, 상기 복수의 볼 콘택트에 대응하도록 형성된 하우징 및
    상기 복수의 관통공에 형성되며, 대응하는 상기 볼 콘택트의 측부와 접촉하는 복수의 핀 콘택트를 포함하는 시험 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 소켓의 배면에 접속되며, 상기 전자 디바이스와 상기 시험 장치 사이의신호의 송수신을 행하는 소켓 보드를 더욱 포함하며,
    상기 핀 콘택트는 상기 소켓 보드와 전기적으로 접촉하는 보드측 접촉부를 포함하는 시험 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 핀 콘택트는 상기 하우징의 이면에 지지되는 지지부를 더욱 포함하며,
    상기 보드측 접촉부는 상기 지지부 중에서 상기 하우징의 이면과 접촉하는 영역의 저면에 형성되며, 상기 소켓 보드와 전기적으로 접촉하는 시험 장치.
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