KR20050002600A - 평면 패널 디스플레이의 전극 기판 - Google Patents

평면 패널 디스플레이의 전극 기판 Download PDF

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KR20050002600A
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Abstract

본 발명은 도전 박막층의 산화를 방지함과 아울러 에칭된 배선의 형상을 제어할 수 있는 보호층을 구비하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판을 제공함을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 평면 디스플레이 전극 기판은 기판과, 상기 기판에 형성된 전극층과, 상기 전극층에 형성되고, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전 박막층과, 상기 도전 박막층에 형성되고, 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 보호층을 구비한다.

Description

평면 패널 디스플레이의 전극 기판{ELECTRODE SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAY}
본 발명은 평면 패널 디스플레이의 기판 전극에 관한 것으로, 특히 보호층을 구비하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판에 관한 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 현재 사용되고 있는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판(4)은 기판(41)과, 기판(41)에 형성된 전극층(42)과, 전극층(42)에 형성된 도전 박막층(43)을 구비한다. 도전 박막층(43)은 저저항율의 금속 또는 그 합금, 예를 들면 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%) 또는 알루미늄 합금으로 구성된다.
평면 패널 디스플레이의 제조 공정에서는, 에칭액으로 전극 기판(4)에 있는 도전 박막층(43)을 소기의 배선 패턴 또는 보조 배선 패턴으로 에칭한다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 우선 도전 박막층(43)(예를 들면, 은 합금)에 레지스트층(5)을 형성한다, 다음, 레지스트층(5)에 패턴을 갖는 마스크(6)를 설치함과 동시에 자외선(UV 광)을 조사한다. 이어서, 현상 공정을 행하고, 마지막으로 도 2b에 도시한 바와 같이 도전 박막층(43)을 에칭액에 의해 소기의 배선 패턴으로 에칭한다.
또, 일반적으로, 레지스트층(5)을 형성하기 전에, 자외선에 의해 도전 박막층(43)의 표면을 세정한다. 그 목적은 레지스트층(5)과 도전 박막층(43)의 밀착성을 향상시키고, 레지스트층(5)과 도전 박막층(43)이 후속 공정에서의 박리에 의한 디바이스 수율의 저하를 피하는 데 있다.
그러나, 자외선 조사에 의해 도전 박막층(43)이 산화(검게 된다)되기 쉽고, 더욱이 도전 박막층(43)의 저항치가 높게 되며, 레지스트층(5)과의 밀착성이 저하한다. 또한, 도전 박막층(43)의 두께는 약 4000 내지 6000Å이기 때문에, 에칭을 행할 때 에칭된 배선의 형상이 제어하기가 어렵고, 즉 도전 박막층(43)이 레지스트층(5)에 가까운 부분의 에칭량은 도전 박막층(43)의 저층(전극층(42)에 가까운 부분)의 에칭량보다 크기 때문에(도 2b 참조), 서로 이웃하는 배선의 저부 사이에서 전자 이동(electromigration)이 발생하기 쉽고, 단락(arcing)되어 신뢰성이 저하한다.
일반적으로 사용되는 액팅 드라이버 평면 패널 디스플레이(예를 들면, AM-LCD)는, 예를 들면 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 또는 탄탈(Ta) 등의 과도 금속(過渡金屬)의 합금으로 이루어지는 금속 배선을 사용한다. 이들 금속 배선을 제작할 때, 지나치게 두껍게 퇴적하면, 양호한 스텝 커버리지(step coverage)를 얻을 수 없다. 그러나, 금속 배선이 얇으면, 배선의 저항치가 높게 되고, 신호의 RC-delay가 커지게 된다. 이 때문에, 이들 과도 금속으로 제작된 평면 표시 패널의 치수가 제한된다. 따라서, 큰 치수의 평면 표시 패널을 제작하기 위하여 극히 낮은 저항치를 갖는 금속 배선 제조 공정 또는 재료의 개발이 요청된다.
또한, 금속 배선을 제작할 때, 보다 낮은 저항치를 얻기 위해서 보다 두껍고 보다 폭 넓은 금속 박막을 채용할 필요가 있다. 그러나, 보다 두꺼운 금속 박막을 채용하면, 스텝 커버리지가 열화하고, 또한 핀홀을 형성하는 결점이 있으며, 이러한 결점은 특별한 사각(斜角) 에칭(taper etching) 공정에 의해 개선할 수 있지만 공정 비용을 증가시킨다. 더욱이, 보다 폭넓은 금속 박막을 채용하면, 화소의 개구율을 저감할 뿐만 아니라 배선의 기생 용량도 증가시킨다.
전술한 문제를 피하기 위하여, TFT-LCD(박막 트랜지스터 액정 디스플레이)의 제조 공정에 있어서, 크롬/알루미늄/크롬 또는 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 3층 금속 구성을 배선 재료로 한다. 그러나, 이러한 배선을 제작할 때 두 가지의 다른 에칭액을 사용할 필요가 있다. 우선, 제1 에칭액으로 상층의 크롬(몰리브덴) 금속을 에칭하고, 다음에 제2의 에칭액으로 중간층의 알루미늄 금속을 에칭하며, 마지막으로 제1의 에칭액으로 하층의 크롬(몰리브덴) 금속을 에칭한다. 결국, 배선을 제작하기 위하여 에칭 공정을 3회 행할 필요가 있고, 제조 공정이 복잡하므로 정렬 비용도 증가하여, 실제의 공업상의 응용에 적용되지 않는다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 종래 기술의 결점을 해결하고, 도전 박막층의 산화를 방지함과 아울러, 에칭된 배선의 형상을 제어할 수 있는, 보호층을 갖는 평면 패널 디스플레이의 전극판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래의 전극 기판을 나타내는 단면도.
도 2a 및 도 2b는 전극 기판에 배선 패턴 또는 보조 배선 패턴을 형성하는 것을 보여주는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예 1의 전극 기판을 보여주는 단면도.
도 4는 실시예 1에서 전극 기판에 배선 패턴 또는 보조 배선 패턴을 형성하는 것을 보여주는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예 2의 전극 기판을 보여주는 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예 3의 전극 기판을 보여주는 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1: 전극 기판 11: 기판
12: 전극층 13: 도전 박막층
13': 배선 14: 보호층
2: 전극 기판 21: 기판
22: 전극층 23: 도전 박막층
24: 보호층 3: 전극 기판
31: 기판 32: 전극층
33: 배선 패턴 331: 배선
34: 보호층 4: 전극 기판
41: 기판 42: 전극층
43: 도전 박막층 5: 레지스트층
6: 마스크
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이의 전극 기판은 기판과, 상기 기판에 형성된 전극층과, 상기 전극층에 형성되고, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전 박막층과, 상기 도전 박막층에 형성되고, 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 보호층을 구비한다.
또한, 본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이의 전극 기판은 기판과, 상기 기판에 형성된 전극층과, 상기 전극층에 형성되고, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전 박막층과, 상기 도전 박막층에 형성되고, 몰리브덴, 크롬, 규소, 산화 규소, 또는 산화 티타늄으로 이루어지는 보호층을 구비한다.
또한, 본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이의 전극 기판은 기판과, 상기 기판에 형성된 전극층과, 상기 전극층에 형성되고, 적어도 하나의 배선을 구비하며, 상기 배선의 측면과 전극층과의 사잇각이 90도로, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 배선 패턴과, 상기 배선 패턴에 형성되는 보호층을 구비한다.
본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이의 전극 기판은 전극층을 보호하기 위한 보호층을 구비하기 때문에, 종래 기술에 비하여 자외선의 조사에 기인하는 도전 박막층의 산화를 회피하고, 또한 도전 박막층의 저항치의 상승을 저감함과 아울러,레지스트층과의 밀착성을 향상시킨다. 또한, 본 발명에 의하면, 에칭된 배선의 형상(예를 들면, 배선 측면과 전극층과의 사잇각은 약 90도)을 제어할 수 있기 때문에, 변형된 배선에 의한 전자 이동을 회피함과 아울러, 단락의 발생을 회피하고, 디바이스의 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 보호층이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 구성된 경우, 단일의 에칭액을 사용할 수 있기 때문에, 에칭 공정을 1회만 행하면 완료되는데, 즉 보호층과 전극층을 동시에 에칭할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 의하면, 공정이 간단하고, 또 정렬 비용의 증가도 작기 때문에 실제의 공업상의 응용에 적용된다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태의 평면 패널 디스플레이의 전극 기판에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 평면 패널 디스플레이의 전극 기판(1)은 기판(11)과, 전극층(12)과, 도전 박막층(13)과, 보호층(14)을 구비한다. 전극층(12)은 기판(11)에 형성되고, 도전 박막층(13)은 전극층(12)에 형성된다. 보호층(14)은 도전 박막층(13)에 형성되고, 그 재료가 티타늄 또는 티타늄 합금이다.
본 실시예에서는, 기판(11)은 가요성 기판이어도 좋고, 강성 기판이어도 좋다. 또한, 기판(11)은 플라스틱 기판이어도 좋고, 유리 기판이어도 좋다. 그 중, 가요성 기판 또는 플라스틱 기판은, 예를 들면, 폴리카보네이트(PC) 기판이나 폴리에스터(PET) 기판이나, 환상 올레핀 공중합체(COC) 기판이나, 메타로센 기재-환상올레핀 공중합체(mCOC) 기판이다.
또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 전극층(12)은 스퍼터링법 또는 이온 도금법에 의하여 투명 기판(11)에 형성된다. 여기에서, 전극층(12)은 일반적으로 양극으로 하고, 그 재료가 투명한 도전성의 금속 산화물, 예를 들면, 산화 인듐 주석(ITO), 산화 알루미늄 아연(AZO), 산화 인듐 아연(IZO) 등이다.
도전 박막층(13)은 전극층(12)에 형성되고, 그 재료가 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%), 또는 알루미늄 합금이다. 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금은 저항치가 낮고 도전성도 높기 때문에, 도선 재료로서 양호하게 이용되고 있다. 여기에서, 도전층 박막(13)의 두께는 약 4000 내지 6000Å이다.
보호층(14)은 도전 박막층(13)에 형성된다. 여기에서, 보호층(14)은 도전 박막층(13)을 보호하기 위하여 마련되어, 자외선의 조사에 기인한 도전 박막층(13)의 산화를 회피한다. 보호층(14)의 재료는, 예를 들면 티타늄 또는 티타늄 합금이다. 티타늄과 티타늄 합금은 활성 금속이기 때문에, 보호층(14)이 패턴화된 후, 보호층(14)과 IC와의 사이의 접합도는 도전 박막층(13)(은 합금) 자신과 IC와의 사이의 접합도보다 좋다. 또한, 티타늄의 표면에는 긴밀한 산화물층(산화 티타늄)이 얇게 형성되고, 이 산화물층은 에칭을 방지할 수 있다. 여기에서, 보호층(14)의 두께는 약 100Å 이하이다.
또한, 본 실시예에서, 도전 박막층(13) 또는 보호층(14)의 두께는 실제 상황에 따라 조정할 수 있다.
평면 패널 디스플레이의 전극 기판(1)에 배선 패턴 또는 보조 배선 패턴을 형성할 때, 우선 보호층(14)에 레지스트층을 형성하고, 다음에 레지스트층에 패턴을 갖는 마스크를 설치함과 동시에, 자외선을 조사한다. 이어서, 현상 공정을 행하여, 패턴을 갖는 레지스트층을 형성한다. 마지막으로, 에칭액으로 에칭을 행한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 보호층(14)의 두께나 에칭 파라메타 등의 요소를 적절히 조정함으로써, 도전 박막층(13)이 에칭된 후의 배선(13')의 형상을 제어할 수 있다. 예를 들면, 배선(13')과 전극층(12)과의 사이의 사잇각을 약 90도로 되도록 제어함으로써 이들 배선 저부(13') 사이에서 발생한 전자 이동에 의한 단락을 회피할 수 있다. 또한, 에칭 공정을 행할 때 단일의 에칭액에 의하여 동시에 보호층(14)과 도전 박막층(13)을 에칭할 수 있다. 즉, 에칭 공정을 1회만 행하면, 보호층(14)과 도전 박막층(13)을 동시에 에칭할 수 있다. 더욱이, 전극 기판(1)에도 동일한 방식으로 다른 패턴을 형성할 수 있다.
[실시예 2]
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예 2의 평면 패널 디스플레이의 전극 기판(2)은 기판(21)과, 전극층(22)과, 도전 박막층(23)과, 보호층(24)을 구비한다. 전극층(22)은 기판(21)에 형성되고, 도전 박막층(23)은 전극층(22)에 형성되며, 그 재료가 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금이다. 보호층(24)은 도전 박막층(23)에 형성되고, 그 재료가 몰리브덴, 크롬, 규소, 산화 규소 또는 산화 티타늄이다.
본 실시예에서는, 기판(21), 전극층(22) 및 도전 박막층(23)은 그 특징과 기능이 실시예 1의 기판(11), 전극층(12) 및 도전 박막층(13)과 동일하므로, 그 설명을 생략한다. 또한, 본 실시예의 보호층(24)은 그 재료가 실시예 1의 보호층(14)의 재료와 다른 것 이외에 기타의 특징과 기능이 실시예 1의 보호층(14)과 동일하므로 그 설명도 생략한다.
[실시예 3]
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예 3의 전극 기판(3)은 기판(31)과, 전극층(32)과, 배선 패턴(33)과, 보호층(34)을 구비한다. 전극층(32)은 기판(31)에 형성되고, 배선 패턴(33)은 전극층(32)에 형성된다. 배선 패턴(33)은 적어도 하나의 배선(331)을 구비하고, 배선(331)의 측면과 전극층(32)과의 사잇각이 약 90도로, 그 재료가 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(>99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금이다. 보호층(34)은 배선 패턴(33)에 형성된다.
본 실시예의 기판(31), 전극층(32) 및 배선 패턴(33)은 그 특징과 기능이 실시예 1의 기판(11), 전극층(12) 및 도전 박막층(13)과 동일하므로, 그 설명을 생략한다. 또한, 본 실시예의 보호층(34)은 그 재료가 실시예 1의 보호층(14)의 재료와 다른 것 이외에 기타의 특징과 기능이 실시예 1의 보호층(14)과 동일하므로 그 설명도 생략한다.
또한, 본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이는 유기 전기 발광 디스플레이로 한정되지 않으며, 무기 전기 발광 디스플레이, 발광 다이오드(LED) 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 진공 형광 디스플레이(VFD), 전계효과 디스플레이(FED), 또는 전기 발색(electrochromic) 디스플레이도 가능하다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하여 상세히 설명하였으나, 구체적인 구성은 이 실시 형태로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않은 범위의 설계 변경 등이 있더라도 본 발명에 포함된다.
본 발명에 의한 평면 패널 디스플레이의 전극 기판은 전극층을 보호하기 위한 보호층을 구비하기 때문에, 종래 기술에 비하여 자외선의 조사에 기인하는 도전 박막층의 산화를 회피하고, 또한 도전 박막층의 저항치의 상승을 저감함과 아울러, 레지스트층과의 밀착성을 향상시킨다. 또한, 본 발명에 의하면, 에칭된 배선의 형상(예를 들면, 배선 측면과 전극층과의 사잇각은 약 90도)을 제어할 수 있기 때문에, 변형된 배선에 의한 전자 이동을 회피함과 아울러, 단락의 발생을 회피하고, 디바이스의 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 보호층이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 구성된 경우, 단일의 에칭액을 사용할 수 있기 때문에, 에칭 공정을 1회만 행하면 완료되는데, 즉 보호층과 전극층을 동시에 에칭할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 의하면, 공정이 간단하고, 또 정렬 비용의 증가도 작기 때문에 실제의 공업상의 응용에 적용된다.

Claims (14)

  1. 기판과,
    상기 기판에 형성된 전극층과,
    상기 전극층에 형성되고, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전 박막층과,
    상기 도전 박막층에 형성되고, 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 보호층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극층은 산화 인듐 주석(ITO), 산화 알루미늄 아연(AZO), 산화 인듐 아연(IZO)으로 이루어지는 그룹으로부터 적어도 하나를 선택한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전 박막층의 두께는 약 4000 내지 6000Å이고, 상기 보호층의 두께는 약 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  5. 기판과,
    상기 기판에 형성된 전극층과,
    상기 전극층에 형성되고, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전 박막층과,
    상기 도전 박막층에 형성되고, 몰리브덴, 크롬, 규소, 산화 규소, 또는 산화 티타늄으로 이루어지는 보호층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  7. 제5항에 있어서, 상기 전극층은 산화 인듐 주석(ITO), 산화 알루미늄 아연(AZO), 산화 인듐 아연(IZO)으로 이루어지는 그룹으로부터 적어도 하나를 선택한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  8. 제5항에 있어서, 상기 도전 박막층의 두께는 약 4000 내지 6000Å이고, 상기 보호층의 두께는 약 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  9. 기판과,
    상기 기판에 형성된 전극층과,
    상기 전극층에 형성되고, 적어도 하나의 배선을 구비하며, 상기 배선의 측면과 전극층과의 사잇각이 90도로, 은(>99.5%), 은 합금, 알루미늄(99.5%), 알루미늄 합금, 구리(>99.5%) 또는 구리 합금으로 이루어지는 배선 패턴과,
    상기 배선 패턴에 형성되는 보호층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호층은 티타늄 또는 티타늄 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  11. 제9항에 있어서, 상기 보호층은 몰리브덴, 크롬, 규소, 산화 규소, 산화 티타늄으로 이루어지는 그룹으로부터 적어도 하나를 선택한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  12. 제9항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  13. 제9항에 있어서, 상기 전극층은 산화 인듐 주석(ITO), 산화 알루미늄 아연(AZO), 산화 인듐 아연(IZO)으로 이루어지는 그룹으로부터 적어도 하나를 선택한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
  14. 제9항에 있어서, 상기 배선 패턴의 두께는 약 4000 내지 6000Å이고, 상기 보호층의 두께는 약 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이의 전극 기판.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060145712A1 (en) * 2005-01-05 2006-07-06 Wang Chih Y Contact-type film probe
US7837929B2 (en) * 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
KR100787435B1 (ko) * 2005-11-22 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 기체 여기 발광 소자 및 평판 표시장치
US8449817B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H.C. Stark, Inc. Molybdenum-containing targets comprising three metal elements
US8449818B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H. C. Starck, Inc. Molybdenum containing targets
KR20160021299A (ko) 2011-05-10 2016-02-24 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품
US9334565B2 (en) 2012-05-09 2016-05-10 H.C. Starck Inc. Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles
CN114981077A (zh) * 2020-04-06 2022-08-30 东丽Kp薄膜股份有限公司 金属化膜及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2719239B2 (ja) * 1991-02-08 1998-02-25 工業技術院長 電界放出素子
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display
US5621556A (en) * 1994-04-28 1997-04-15 Xerox Corporation Method of manufacturing active matrix LCD using five masks
US5578896A (en) * 1995-04-10 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Cold cathode field emission display and method for forming it
KR100241287B1 (ko) * 1996-09-10 2000-02-01 구본준 액정표시소자 제조방법
US6002206A (en) * 1996-11-28 1999-12-14 Cambridge Display Technology Limited Organic EL devices and operation thereof
FR2812125A1 (fr) * 2000-07-21 2002-01-25 Thomson Plasma Dalle en verre munie d'electrodes en un materiau conducteur
KR20020052562A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US6822380B2 (en) * 2001-10-12 2004-11-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Field-enhanced MIS/MIM electron emitters

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