KR20040109999A - 적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 멤스(MEMS) 공정을 적용한 초전형 적외선 센서에 관한 것으로, 적외선 센서 구조체의 최상부에 위치하는 적외선 흡수층을 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성하여 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 파장에 대하여 뛰어난 흡수 효과를 보이고, 센서 픽셀(pixel)의 보호막 역할을 할 수 있게 한다. 또한, 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성하여 센서 구조체의 구조를 견고하게 하고, 제작 공정의 단계를 획기적으로 감소시켜 공정 수율을 높인다.
Description
본 발명은 적외선 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광집속판(Pyroelectric IR focal plane)의 적외선 흡수층이 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지고, 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥이 일체형으로 이루어진 비냉각형 초전형 적외선 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
초전형 적외선 센서의 광집속판은 입사되는 적외선의 에너지를 열 에너지로 바꾸어 초전체 박막에 전달하고, 이때 유기되는 초전체의 전하 변화량을 전기적 신호로 검출하는 소자이다. 통상적으로 적외선 센서의 광집속판은 입사된 적외선을 열 에너지로 바꾸는 부분, 열 에너지에 따라 전기적 특성의 변화를 보이는 기능성재료 부분, 그리고 전기적 특성의 변화에 따른 전기적 신호를 검출하기 위한 금속배선 부분 등으로 구성된다.
적외선 광이 초전형 적외선 센서로 입사되면 광집속판에 에너지가 전달되고, 전달된 에너지는 초전체 박막의 온도를 상승시킴으로써 초전체 고유의 특성인 표면 잔류 전하의 변화가 발생된다. 발생된 전하의 변화량은 미세 전류의 형태로 금속배선을 통해 검출되어진다. 이때 미세 전류는 피코 암페어(~pA) 또는 그 이하의 값으로 검출되는데, 신호를 검출하는 데 있어 소자의 잡음비는 매우 중요한 요소가 된다. 이러한 이유로 적외선 센서의 주요 구성요소인 초전체 박막을 포함하는 광집속판은 열적 잡음으로부터 탈피하기 위하여 기판으로부터 3차원적으로 분리된 형태를 갖는 것이 바람직하다.
도 1은 종래 초전형 적외선 센서의 구성을 도시한 사시도로서, 미국특허 제6,087,661호[Thermal Isolation of Monolithic Thermal Detector, Robert A. Owen et al.]에 게재된 초전형 적외선 센서의 구성을 도시한다. 이 초전형 적외선 센서는 열적 잡음을 고려하여 기판으로부터 3차원적으로 분리된 구조로 이루어진다.
도 1을 참조하면, 열센서(36)는 크게 열어셈블리(44)와 신호 흐름 경로(46)로 이루어진다. 열어셈블리(44)는 열 에너지에 따른 신호를 발생하는 열감지부(50) 및 열감지부(50)에서 발생된 신호를 모으기 위한 한 쌍의 전극(52 및 54)으로 구성된다. 신호 흐름 경로(46)는 전극(52 및 54)에서 모아진 신호를 기판(34)으로 전달하며, 각 전극(52 및 54)으로부터 연장되며 기판(34)에 연결된 한쌍의 지지아암(56및 58)을 포함한다. 상기 지지아암(56 및 58)은 기판(34)의 콘택 패드(70)에 설치된 기둥(64)에 의해 지지되며 열어셈블리(44)를 기판(34)으로부터 떨어지도록 지탱한다. 상기 지지아암(56 및 58)은 전극(52 및 54)에 의해 모아진 신호를 기판(34)으로 전달할 수 있는 전기적 절연도를 제공하는 열적 절연물로 이루어진다.
도 1에 도시된 초전형 적외선 센서는 적외선 흡수층을 구비하지 않는 구조이며, 적외선 흡수층 대신 적외선(IR) 영역에서 투명한 산화막으로 이루어진 상부 및 하부 전극(52 및 54)을 구비한다. 따라서 입사된 적외선이 초전체 박막에 일부 흡수된 후 기판(34)의 표면에 형성된 금속박막(도시안됨)에 반사되어 다시 흡수되는 형태로 고안되었다. 이 경우 적외선 센서의 광집속판 구조물의 상부 및 하부 전극(52 및 54)이 두개의 지지아암(56 및 58)으로 지지되어야 한다.
이러한 구조는 광집속판의 열질량을 낮추어 입사하는 적외선의 변화에 대해 매우 민감하게 반응할 수 있는 장점이 있다. 그러나 얇은 산화막 전극이 광집속판 구조물을 지탱하여야 하므로 구조적으로 불안정하여 공정 수율이 낮고 입사된 적외선을 기판으로부터 반사시키기 위한 반사경 역할을 하는 금속박막이 기판 상부에 존재하여야 한다는 단점이 있다.
따라서 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 실리콘 산화막을 이용하여 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성함으로써 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 흡수 능력이 향상되고 구조가 단단하며 제작 공정의 단계가 감소될 수 있도록 한 적외선 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 데그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 적외선 센서는 하부전극, 초전체 박막, 상부전극 및 적외선 흡수층이 적층되어 이루어지며 입사되는 적외선을 감지하는 광집속판, 배선을 통하여 상기 하부전극 및 상부전극에 각각 연결된 전극들, 및 기판 상에 상기 광집속판을 지지하기 위한 지지수단을 포함하며, 상기 적외선 흡수층이 소정 두께의 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 적외선 센서의 제조 방법은 다수의 접합부가 형성된 기판 상에 보호막 및 희생층을 형성한 후 상기 접합부 상부의 상기 보호막이 노출되도록 상기 희생층을 패터닝하는 단계, 전체 상부면에 버퍼층을 형성한 후 상기 버퍼층 및 보호막을 패터닝하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 콘택홀에는 플러그를, 상기 플러그 사이의 상기 버퍼층 상에는 배선을 통해 일측의 상기 플러그와 연결되는 하부전극을 형성하는 단계, 상기 하부전극 상에 초전체 박막을 형성하는 단계, 상기 초전체 박막 상에 배선을 통해 다른 일측의 상기 플러그와 연결되는 상부전극을 형성하는 단계, 전체 상부면에 실리콘 산화막을 형성한 후 상기 상부전극 상에는 적외선 흡수층이, 상기 플러그 주위에는 기둥이, 상기 적외선 흡수층과 기둥 사이에는 지지아암이 각각 형성되도록 패터닝하는 단계, 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 적외선 흡수층 및 상기 지지수단은 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 지지수단은 상기 기판에 형성된 접합부들과 연결된 플러그 형상의 전극들을 둘러싸도록 구성된 기둥들과 상기 광집속판과 기둥들을 연결하는 지지아암을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥들은 동일 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 기둥들의 높이는 상기 적외선 흡수층 및 상기 지지아암의 두께보다 크고, 상기 적외선 흡수층의 두께는 5000 내지 12000Å인 것을 특징으로 한다.
상기 하부전극 및 상부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어지고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래 초전형 적외선 센서의 일예를 설명하기 위한 사시도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 3은 도 2c 내지 도 2e를 설명하기 위한 평면도.
도 4a 및 도 4b는 상부전극의 투과성에 따른 적외선 흡수 특성을 도시한 개념도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 센서의 구조를 도시한 사시도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 센서의 구조를 도시한 측면도.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 적외선 센서에서 실리콘 산화막의 두께에 따른 적외선 흡수 특성을 도시한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
34, 100: 기판 106c: 하부전극
107: 초전체 박막 108a: 상부전극
109a: 적외선 흡수층 36: 열센서
44: 열어셈블리 46: 신호 흐름 경로
50: 열감지부 52, 54: 전극
56, 58, 109d: 지지아암 64, 109b, 109c: 기둥
70: 콘택 패드 101: 접합부
102: 보호막 103: 희생층
104: 버퍼층 105: 콘택홀
106a, 106b: 플러그 106d, 108b: 배선
110: 광집속판
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 3은 평면도로서, 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 개략적인 단면 구조와 평면 구조를 도시한다.
도 2a를 참조하면, 소정의 회로 패턴(도시안됨) 및 적어도 2개 이상의 접합부(101)가 형성된 기판(100) 상에 보호막(102) 및 희생층(103)을 순차적으로 형성한 후 접합부(101) 상부의 보호막(102)이 일부 노출되도록 희생층(103)을 패터닝한다. 상기 보호막(102)은 예를 들어, 5000Å 정도 두께의 산화막으로 형성하고, 상기 희생층(103)은 폴리 실리콘(Poly-Si)이나 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 형성하며 측벽이 소정의 기울기를 갖도록 패터닝한다.
도 2b를 참조하면, 전체 상부면에 버퍼층(104)을 형성한 후 상기 접합부(101)의 소정 부분이 노출되도록 버퍼층(104) 및 보호막(102)을 순차적으로 패터닝하여 콘택홀(105)을 형성한다. 이 때 희생층(103)의 측벽이 경사지게 형성됨에 따라 콘택홀(105)의 상부를 하부보다 넓게 형성할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 상기 콘택홀(105)이 매립되도록 전체 상부면에 도전층을 형성한 후 상기 콘택홀(105)에는 플러그(106a 및 106b)가 형성되고, 상기 플러그(106a 및 106b) 사이에는 하부전극(106c)이 형성되며, 상기 플러그(106a 및 106b)와 하부전극(106c) 사이에는 배선(106d)이 형성되도록 패터닝한다. 이 때 광흡수 영역에 형성되는 하부전극(106c)은 도 3에 도시된 바와 같이 일측의 플러그(106a)와 배선(106d)을 통해 연결된다.
상기 하부전극(106c)은 전기 전도성이 우수하고 적외선 영역에서 투과성을 갖는 않는 금속성의 도전물로 형성하는데, 예를 들어, 백금(Pt), 이리디움(Ir) 박막 등을 이용할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 전체 상부면에 초전체 박막(107)을 형성한 후 상기 하부전극(106c) 상에만 남도록 패터닝한다. 그리고 다시 전체 상부면에 도전층을 형성한 후 잔류된 초전체 박막(107) 상에는 상부전극(108a)이 형성되고,상부전극(108a)과 다른 측 플러그(106b) 사이에는 배선(108b)이 형성되도록 패터닝한다. 이 때 상부전극(108a)은 도 3에 도시된 바와 같이 다른 측의 플러그(106b)와 배선(108b)을 통해 연결된다. 즉, 초전체 박막(107)은 전기적 절연을 위해 하부전극(106c)을 둘러싸고, 상부전극(108a)은 초전체 박막(107)을 둘러싸며, 하부전극(106c), 초전체 박막(107) 및 상부전극(108a)이 순차적으로 적층된 구조가 형성된다.
상기 초전체 박막(107)은 Pb(Zr1-xTix)O3또는 그에 불순물이 함유된 (Pb1-xLax)(Zr1-yTiy)O3, (Ba1-xSrx)TiO3, (Sr1-xBax)Nb2O6등 초전 특성을 갖는 모든 물질을 포함한다. 상부전극(108a)은 적외선 영역에서 투과성을 갖지 않는 금속성의 도전물로 형성하거나, 또는 lanthanum nickelate(LNO), barium ruthenate(BRO), strontium ruthenate(SRO) 등과 같이 적외선 영역에서 투과성을 갖는 산화물 전극 박막 및 얇은 금속 박막을 이용하여 형성할 수 있다.
도 2e를 참조하면, 전체 상부면에 예를 들어, 500 내지 12000Å 두께의 실리콘 산화막(SiO2; 109)을 형성한 후 패터닝하여 도 3과 같이 상기 상부전극(108a) 상에는 적외선 흡수층(109a)이 형성되고, 상기 플러그(106a 및 106b) 주위에는 기둥(109b 및 109c)이 형성되며, 적외선 흡수층(109a)과 기둥(109b 및 109c) 사이에는 지지아암(109d)이 형성되도록 한다. 이 때 적외선 흡수층(109a)과 기둥(109b 및 109c)은 도 3에 도시된 바와 같이 지지아암(109d)을 통해 연결된다.
실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어지는 상기 적외선 흡수층(109a)의 두께는 하부에 위치하는 상부전극(108a)이 적외선 영역에서 투과성을 갖느냐 갖지 않느냐에 따라 달라진다. 상부전극(108a)이 적외선 영역에서 투과성을 갖지 않는 경우에는 도 4a와 같이 실리콘 산화막(SiO2)만으로 적외선을 흡수해야 하기 때문에 적외선 흡수층(109a)의 두께가 두꺼워야 하고, 상부전극(108a)이 적외선 영역에서 투과성을 갖는 경우에는 도 4b와 같이 적외선 흡수층(109a), 상부전극(108a) 그리고 초전체 박막(107)의 광학적 특성이 적외선 흡수에 영향을 미치기 때문에 얇게 형성해도 된다. 이러한 이유로 인하여 상기 하부전극(106c)은 반드시 적외선 영역에서 투과성을 갖지 않는 물질로 형성하여 입사하는 적외선을 전량 반사시킬 수 있어야 한다.
도 2f를 참조하면, 상기 희생층(103)을 완전히 제거한다. 예를 들어, 건식 식각 등의 방법으로 상기 지지아암(109d) 사이로 노출되는 희생층(103)을 완전히 제거함으로써 하부전극(106c), 초전체 박막(107), 상부전극(108a) 및 적외선 흡수층(109a)이 적층된 광집속판 구조물이 기판(100)으로부터 소정 거리 즉, 희생층(103)의 두께만큼 이격된다. 이 때 이격된 구조물은 기둥(109b 및 109c)에 연결된 지지아암(109d)에 의해 지탱된다.
도 5는 상기와 같이 제조된 적외선 센서의 개략적인 사시도이고, 도 6은 측면도이다.
본 발명에 따른 적외선 센서는 하부전극(106c), 초전체 박막(107), 상부전극(108a) 및 적외선 흡수층(109a)이 적층되어 이루어진 광집속판(110), 배선(109d)을 통하여 상기 하부전극(106c) 및 상부전극(108a)에 각각 연결된전극(106a 및 106b), 그리고 기판(100) 상에서 상기 광집속판(110)을 지지하기 위한 지지수단으로 구성되며, 상기 지지수단은 상기 전극(106a 및 106b)을 둘러싸도록 형성된 기둥(109b 및 109c) 및 상기 광집속판(110)과 기둥(109b 및 109c)을 연결하는 지지아암(109d)으로 이루어진다.
보다 상세히 설명하면 기판(100)에 형성된 접합부(101) 상에는 플러그(106a 및 106b)가 각각 형성되며, 플러그(106a 및 106b)를 감싸도록 기둥(109b 및 109c)이 형성된다. 그리고 기판(100) 상의 광흡수 영역에는 하부전극(106c), 초전체 박막(107), 상부전극(108a) 및 적외선 흡수층(109a)이 적층된 구조의 광집속판(110)이 형성되며, 광집속판(110)은 기둥(109b 및 109c)에 연결된 지지아암(109d)에 의해 기판(100)의 표면으로부터 소정 거리 이격되도록 지지된다. 상기 하부전극(106c)은 일측의 기둥(109b) 내에 형성된 플러그(106a)와 배선(106d)으로 연결되며, 상기 상부전극(108a)은 다른 일측의 기둥(109c) 내에 형성된 플러그(106b)와 배선(108b)으로 연결된다.
종래 적외선 센서의 광집속판에서는 적외선 흡수층과 구조체의 구조물이 따로 적층되어 있었으나, 본 발명에서는 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 적외선 흡수층이 광집속판 구조체를 지탱하는 구조물의 역할을 겸하도록 단순화된 것이 특징이다. 즉, 적외선 흡수층(109a), 적외선 흡수층(109a)을 지지하는 지지아암(109d) 그리고 지지아암(109d)이 고정된 기둥(109b 및 109c)이 하나의 물질로 일체화된 구조를 갖는다. 따라서 종래에는 적외선 흡수층과 구조물을 형성하기 위한 각각의 노광 공정이 필요하였으나, 본 발명에서는 적외선 흡수층과 구조물을 한번의 노광 공정으로 형성할 수 있다. 또한 실리콘 산화막(SiO2)이 구조체의 최상부층이 되도록 함으로써 완성된 소자를 보호하는 보호층 역할도 겸할 수 있다.
도 7 및 도 8은 두께가 5000Å, 8500Å, 12000Å인 실리콘 산화막(Oxide)의 두께에 따른 반사율(Reflectance)의 변화를 측정한 그래프로서, 적외선 영역의 파장(Wavelength)에서 적외선 흡수 특성이 매우 양호함을 알 수 있다. 도 7은 시뮬레이션(simulation)을 통해 얻은 결과이고, 도 8은 실험을 통해 얻은 결과이다. 그래프를 통해 알 수 있듯이 본 발명에 따르면 적외선 흡수층(109a)을 5000 내지 12000Å 두께의 실리콘 산화막(Oxide)으로 형성하면 최대의 효율을 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면 적외선 흡수율은 적외선 흡수층(109a)을 구성하는 실리콘 산화막(SiO2)의 두께 또는 상부 전극(108a)을 구성하는 산화막 전극 물질과 초전체 박막(107)의 두께에 의한 상관 관계에서 나타내어지는 광학 특성에 의해 결정된다. 이 경우 3차원 격리 구조로 형성되는 광집속판의 열질량은 위 세가지 박막의 두께를 적절히 조정함으로써 최소화시킬 수 있다. 따라서 본 발명은 작은 열질량을 가지는 광집속판의 구조를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 구조물의 안정성을 높여 가공 및 재현성이 균일한 소자를 제작할 수 있도록 한다.
본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 기존의 적외선 센서와 달리 실리콘 산화막(SiO2)을 이용하여 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성한다. 실리콘 산화막으로 이루어진 적외선 흡수층은 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 흡수 능력을 높이고 센서 픽셀(pixel)의 보호막 역할을 한다. 그리고 일체형의 구조는 센서 구조체의 구조를 견고하게 유지하고, 제작 공정의 단계를 획기적으로 감소시켜 공정 수율 또한 높일 수 있으며, 공정시에 소요되는 마스크의 수를 감소시켜 저비용으로 고수율을 얻을 수 있도록 한다.
Claims (15)
- 하부전극, 초전체 박막, 상부전극 및 적외선 흡수층이 적층되어 이루어지며, 입사되는 적외선을 감지하는 광집속판;배선을 통하여 상기 하부전극 및 상부전극에 각각 연결된 전극들; 및기판 상에 상기 광집속판을 지지하기 위한 지지수단을 포함하며,상기 적외선 흡수층이 소정 두께의 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 적외선 흡수층 및 상기 지지수단은 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전극들은 상기 기판에 형성된 접합부들과 연결된 플러그 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 지지수단은 상기 기판에 형성된 접합부들과 연결된 플러그 형상의 전극들을 둘러싸도록 구성된 기둥들; 및상기 광집속판과 상기 기둥들을 연결하는 지지아암을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 4 항에 있어서, 상기 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥들은 동일 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 5 항에 있어서, 상기 기둥들의 높이는 상기 적외선 흡수층 및 상기 지지아암의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 적외선 흡수층의 두께는 5000 내지 12000Å인 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어지고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 제 9 항에 있어서, 상기 산화물은 LNO, BRO 또는 SRO인 것을 특징으로 하는 적외선 센서.
- 다수의 접합부가 형성된 기판 상에 보호막 및 희생층을 형성한 후 상기 접합부 상부의 상기 보호막이 노출되도록 상기 희생층을 패터닝하는 단계;전체 상부면에 버퍼층을 형성한 후 상기 버퍼층 및 보호막을 패터닝하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀에는 플러그를, 상기 플러그 사이의 상기 버퍼층 상에는 배선을 통해 일측의 상기 플러그와 연결되는 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 초전체 박막을 형성하는 단계;상기 초전체 박막 상에 배선을 통해 다른 일측의 상기 플러그와 연결되는 상부전극을 형성하는 단계;전체 상부면에 실리콘 산화막을 형성한 후 상기 상부전극 상에는 적외선 흡수층이, 상기 플러그 주위에는 기둥이, 상기 적외선 흡수층과 기둥 사이에는 지지아암이 각각 형성되도록 패터닝하는 단계; 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 적외선 흡수층은 5000 내지 12000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 희생층은 폴리 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성하며, 측벽이 소정의 기울기를 갖도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 형성하고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법.
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