KR20040104869A

KR20040104869A - 아몰포스 자성코어를 사용하여 제조된 마이크로플럭스게이트 센서 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20040104869A
Application number: KR1020030036130A
Authority: KR
Inventors: 나경원; 최상언; 박해석; 심동식
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-06-04
Filing date: 2003-06-04
Publication date: 2004-12-13
Also published as: US7382123B2; EP1484618B1; EP1484618A3; US20050024050A1; KR100503455B1; JP2004361408A; EP1484618A2

Abstract

본 발명은 아몰퍼스 자성체를 코어로 하여 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서 및 상기 센서를 마이크로 머시닝 기술을 이용하여 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 마이크로 플럭스게이트 센서는 두개의 바형태 또는 사각 링형태로 제조된 아몰퍼스 자성코어, 상기 아몰퍼스 자기코어를 권선한 형태의 여자코일 및 자계검출용 코일, 상기 코일상에 증착되어 보호막을 형성하는 절연층 및 상기 절연층을 패터닝하여 상기 코일을 외부로 노출시키는 패드를 포함한다.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법은, 웨이퍼상에 여자코일 및 자계검출용 코일의 하부코일을 제작하는 단계, 상기 하부코일 상에 제1절연층을 증착한후, 두개의 바형태의 아몰퍼스 자성코어를 제작하는 단계, 상기 아몰퍼스 자성코어상에 제2절연층을 증착한후, 상기 하부코일과 연결된 상부코일을 제작하여 여자 코일 및 자계검출용 코일을 제작하는 단계 및 상기 코일의 상부부분상에 보호막을 씌우고 패드를 노출시키는 단계를 포함한다.

본 발명에 따라 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서는 아몰퍼스 자성코어를 이용함으로써 자계 검출 감도가 훨씬 더 개선되며, 기존의 제조 방법에 따라 제조하는 경우보다 소형화, 경량화되는 효과가 있다.

Description

아몰포스 자성코어를 사용하여 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서 및 그 제조 방법 { The micro fluxgate censor manufactured with Amolphous magnetic core and method for manufacturing the same }

본 발명은 마이크로 플럭스게이트 센서(censor)에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 아몰퍼스(amorphous) 자성코어를 사용하여 마이크로 머시닝(micro - machining)기술로 제조된 마이크로 플럭스게이트 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

플럭스게이트(Flux gate) 센서란 사람의 감각기관으로 직접 느낄 수 없는 자기 에너지(magnetic energy)를 감지하기 위해 구현된 장치이다. 주변에 형성된 자기 에너지를 감지할 필요가 있는 여러 분야, 예를 들어, 항공기, 선박 및 차량의 위치 인식 시스템, 가상현실 공간에서의 움직임 감지, HDTV의 지자기 보상 및 색번짐 보상, 의료용 기구에서 환자의 뇌자기, 심자기 측정등에서 이러한 자기 검출 센서가 사용될 수 있다. 최근에 점차 그 응용분야가 확대되면서 점차 상기 센서를 이용하는 기기가 소형화, 경량화, 저가격화 되는 추세인 바, 이러한 플럭스 게이트 센서에 대해서도 소형화, 경량화, 저가격화 시키려는 시도가 많이 이루어지고 있다.

마이크로 플럭스게이트 센서의 구성요소는 크게 세가지로 나누는데, 즉, 연자성체로 이루어진 코어(core), 상기 코어를 권선하여 전류가 인가되면 자기를 유도하는 여자코일(Excite coil), 그리고, 상기 여자코일에서 유도되는 자기가 외부자계로부터 받는 영향을 검출하는 자계검출용 코일로 이루어진다. 기본 검출원리는 연자성체코어의 비선형 특성, 즉 포화특성을 이용한다. 여자코일에 충분히 큰 교류전류를 공급하여 자계를 발생시키면, 코어 내부의 자속 밀도는 주기적으로 포화한다. 이때 측정하고자 하는 외부자계가 주어지면 코어 내부의 자속 밀도가 변화되고, 자계검출용 코일은 이 자속의 변화량을 측정함으로써 외부 자계의 크기를 측정한다.

이러한 마이크로 플럭스게이트 센서를 제조하기 위하여 종래에는 큰 봉 형태의 코어 또는 연자성 리본에 의한 링 형의 코어에 코일을 권선하여 사용하였는데, 코어 자체가 커지는바 제작비가 많이 들고, 부피가 커진다는 문제점이 있었다. 또한 여자코일에 의해 발생하는 자속 변화 및 검출된 자계는 코어에 의한 자속누설을 피할 수 없기 때문에 고감도의 자계 검출에 어려움이 있었다.

최근에는 보다 소형, 경량화된 플럭스게이트 센서를 제조하기 위해 인쇄 회로 기판(printed circuit board:PCB)의 적층기술을 이용하는 방법이 개발되고 있다.

인쇄 회로 기판의 적층기술을 이용하는 방법이란, 연자성체 코어를 중심층으로 하여 그 양쪽으로 절연층, 동판등을 차례로 접합하여 코어, 상기 코어를 권선한 형태의 여자코일 및 자계검출용코일을 제작하는 방법이다. 이러한 방법에서는 코어주위로 코일을 감기 위하여 드릴링을 통해 관통홀을 뚫어야 하는데, 그 과정에서 소자의 파손이 발생할 수 있고, 마이크로 머시닝 기술을 이용하는 경우보다 소형으로 제작하기가 어렵다는 문제점이 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 마이크로머시닝 기술을 이용하여 아몰퍼스(amorphous) 자성코어를 권선한 여자코일 및 자계검출 코어를 제작함으로써 초소형이면서, 보다 정확한 자계 검출이 가능한 마이크로 플럭스게이트 센서 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 마이크로 플럭스게이트 센서의 일반적인 모식도,

도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 여자 코일의 권선 형태를 달리한 마이크로 플럭스게이트 센서의 일반적인 모식도,

도 3은 마이크로 플럭스게이트 센서에서 자계를 검출하는 동작을 설명하기 위한 파형도,

도 4a 내지 도 4o는 본 발명에 따른 플럭스게이트 센서 제조 과정을 Y-Y'단면에서 본 단면도,

그리고,

도 5a 내지 도 5n은 본 발명에 따른 플럭스게이트 센서 제조 과정을 X-X'단면에서 본 단면도를 나타낸다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 마이크로 플럭스게이트 센서는, 씨드층이 증착된 웨이퍼 상에서 두개의 바 형태로 형성된 아몰퍼스 자성코어, 상기 아몰퍼스 자성코어를 권선한 구조로 형성된 여자코일, 상기 여자코일과 더불어 상기 아몰퍼스 자성코어를 권선한 구조로 형성된 자계검출용 코일, 상기 여자코일 및 자계검출용 코일 상부에 형성된 보호막 및 상기 보호막을 제거하여 여자 코일 및 자계검출용 코일의 일정부분을 노출시킴으로써 형성된 패드를 포함한다.

한편, 본 발명의 일실시예로써, 상기 아몰퍼스 자성코어를 사각링(ring) 형태로 제조할 수 있으며, 상기 여자코일(Excite coil)은 상기 아몰퍼스 자성코어를 "8"자형태로 권선할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 상기 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조방법은, 웨이퍼를 클리닝하고 제1씨드층을 형성하는 단계, 상기 제1씨드층 상부에 제1포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1포토레지스트 막 패턴 사이에 코일재료를 전기도금시키는 단계, 상기 제1포토레지스트 막 패턴을 제거하여 코일만 남김으로써 여자코일 및 자계검출용 코일의 하부코일을 형성하는 단계, 상기 제1포토레지스트 막 패턴이 제거된 부분의 제1씨드층을 에칭시키는 단계, 상기 제1씨드층이 에칭된 부분 및 상기 하부 코일 부분 상에 제1절연층을 증착시키는 단계, 상기 제1절연층 상에 아몰퍼스 자성막을 접합시키는 단계, 상기 아몰퍼스 자성막 상에 제2포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2포토레지스트 막 패턴으로 보호되는 부분만 남기고 상기 아몰퍼스 자성막을 제거하는 단계, 상기 제2포토레지스트 막패턴을 제거하여 두개의 바형태의 아몰퍼스 자성코어를 형성하는 단계, 상기 아몰퍼스 자성코어 및 제1절연층상에 다시 제2절연층을 증착시키는 단계, 상기 제2절연층상에 제2씨드층을 증착시키는 단계, 상기 제2씨드층 및 제2절연층을 관통하여 하부코일까지 도달하는 비아홀을 제작하는 단계, 상기 제2씨드층 상에 제3포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제3포토레지스트 막 패턴 사이에 코일재료를 전기도금하여 하부코일과 연결시키는 단계, 상기 제3포토레지스트 막 패턴을 제거하여 코일만 남김으로써 여자코일 및 자계검출용 코일을 형성하는 단계, 상기 제3포토레지스트 막 패턴이 제거된 부분의 제2씨드층을 에칭하는 단계, 상기 제2씨드층이 에칭된 부분 및 상기 상부 코일 상에 제3절연층을 증착하여 보호막을 제작하는 단계 및 상기 보호막을 패터닝하여 상부코일의 일부분을 노출시킴으로써 패드를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 마이크로 플럭스게이트 센서 및 그 제조 방법에 대하여 자세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 마이크로 플럭스게이트 센서의 기본적 구조를 모식적으로 나타낸 도면이다. 상기 도면에서, 두개의 바 형태의 아몰퍼스 자성코어(1, 2)를 중심으로 하여 여자코일(3)이 각각의 코어를 감고 있고, 자계검출용 코일(4)이 여자 코일 및 코어를 전체적으로 감고 있다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도면으로, 상기 여자코일(3)이 두개의 바 형태의 코어(1, 2)를 "8"자 형태로 감고 있고, 자계검출용 코일(4)이 여자 코일 및 코어를 전체적으로 감고 있다.

이러한 플럭스게이트 소자의 동작에 대해서는 도 3에서 파형도로써 보여주고 있다. 제1코어(1)에 감긴 여자코일에 전류가 인가되어 자계 Hexc가 도 3a와 같이 유도되면, 외부자계가 존재하는 경우 상기 외부자계의 크기(Hext)와 더해져서 도면과 같이 Hext+Hexc가 얻어진다. 한편, 제2코어(2)부분에서는 -Hexc가 유도되므로 외부자계와 더해지면 도 3b와 같은 Hext-Hexc파형이 얻어진다.

자속밀도 B에 관하여도, 제1코어에서 발생하는 자속밀도 Bexc, 외부자계로 인한 영향을 나타내는 Bext+Bexc, 제2코어에서 발생하는 자속밀도 -Bexc 및 제2코어에 미치는 외부 자계 영향을 나타내는 Bext-Bexc를 도 3c, 도 3d에서 도시하고 있다.

한편, 자계검출용 코일(4)은 양 코어를 모두 감고 있어 제1코어 및 제2코어 각각에서 발생하는 자속변화의 합을 취하는바, 상기 자계검출용 코일(4)에서 검출되는 유기전압은 각 코어에서 발생하는 Vind1 및 Vind2 (도 3e 참조)가 합해진 도 3f와 같은 파형으로 검출된다. 상기 도 3f파형에 의해 외부자계 Hext의 크기를 측정하게 된다.

본 발명의 마이크로 플럭스게이트 센서의 단면적 구조는 도 4o및 도 5n에서 나타나는데, 도 4o는 도 1 및 도 2의 마이크로 플럭스게이트 센서를 Y-Y'단면으로 자른 단면도이고, 도 5n은 X-X'단면으로 자른 단면도를 나타낸다.

단면도를 살피면, 일반적인 실리콘 웨이퍼(100)상에 증착된 씨드층(seed layer:110), 상기 씨드층(110)상에 일정간격으로 제작된 하부코일부(130)가 형성되어 있다. 상기 하부코일부(130)는 후술하는 단계에서 제작되는 상부코일부(200)와접합함으로써, 코일부를 형성하게 된다. 상기 코일부는 제작자의 의도에 따라 여자코일 및 자계검출용 코일로 나누어 사용될 수 있다. 본 발명에서는 따로이 자계검출용 코일 제작 단계를 거치지 않고 일괄적으로 코일부를 제작하여 코일간의 접속을 달리함으로써 여자코일 및 자계검출용 코일을 나누게 된다. 즉, 짝수번 째의 코일은 여자코일로 사용하고, 홀수번째의 코일은 자계검출용 코일로 사용한다던지 아니면, 그 반대의 순서로 사용할 수 있다. 이러한 사용은 코일부를 접속하는 과정에서, 여자코일로 사용될 코일부끼리, 자계검출용 코일로 사용될 코일부끼리 접속하고 각각의 패드를 통해 외부단자와 접속 함으로써 가능해진다.

한편, 두개의 바형태 코어 중 하나를 제1코어, 다른 하나를 제2코어로 명명하면, 본 발명의 일실시예로써, 제1코어의 하부코일을 제2코어의 상부코일과 접속, 제2코어의 상부코일과 제2코어의 하부코일을 접속시키고, 제2코어의 하부전극을 다시 제1코어의 상부코일과 접속시키는 과정을 되풀이하여 여자코일 두개의 바형태의 코어에 대하여 "8"자 형태로 권선된 구조를 구현할 수도 있다.

한편, 상기 코일부의 중간부분은 제1절연층(140)으로 분리되어 두 부분으로 나뉘어 있고, 상기 분리된 각각의 코일 내부에는 아몰퍼스 자성코어(150)가 위치하고 있다. 상기 자성코어(150) 및 코일간에는 제1절연층(140) 및 제2절연층(170)이 형성되어 일정거리 이격시키고 있다. 한편, 상기 코일상에는 제3절연층으로 보호막(210)이 증착되어 있고, 상기 보호막을 식각하여 코일과 외부단자를 연결시키는 패드 노출을 위한 비아홀(210a, 210b)이 형성되어 있다.

이하에서는 도 4a 내지 도 4o, 도 5a 내지 도 5n을 참조하여, 본 발명의 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 단계별 공정을 설명한다.

먼저, 통상의 실리콘 웨이퍼(100)를 클리닝한 다음 제1씨드층(110)을 형성한다(도 4a, 도 5a참조). 상기 제1씨드층(seed layer)은 후술하는 단계에서 코일을 전기도금하기 위한 것이다.

다음으로, 도 4b, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 제1씨드층(110) 위에 제1포토레지스트(photo-resist) 막 패턴(120)을 형성한다. 상기 제1포토레지스트 막(120)은 후술하는 단계에서 코일의 하단부분(130)을 제작하기 위한 주형(mold)역할을 하는 부분이다.

다음으로, 도 4c, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 제1포토레지스트막 패턴(120)사이로 코일재료(130)를 전기도금(electroplating)한다. 상기 코일재료로는 구리(Cu)를 사용하는 것이 일반적이다. 그 다음 단계에서, 상기 제1포토레지스트 막 패턴(120)을 제거하면 2열로 나열된 하부코일부분(130)이 형성된다(도 4d, 도 5d 참조).

다음으로, 상기 제1포토레지스트 막 패턴(120)이 제거된 부분의 바닥에 형성된 제1씨드층(110)만을 비등방성 에칭시키고, 상기 제1씨드층(110)이 에칭된 부분 및 상기 하부코일(130) 부분 상에 제1절연층(140)을 증착시켜서 도 4e, 도 5e에 도시된 바와 같은 구조를 형성한다. 상기 제1절연층(140)은 코어부분(150)과 코일부분(130, 200)을 격리시키는 역할을 한다.

다음으로, 제1절연층(140)상에 아몰퍼스(amorphous:비정질) 자성막(150)을 접착제를 사용하여 접합시킨다(도 4f, 도 5f 참조). 후술하는 단계에서 상기 아몰퍼스 자성막(150)을 패터닝하여 코어를 제조하게 되면 결정자기 이방성이 없으므로 자화가 쉽고, 보자력이 적으며 또한 히스테리시스 손실이 매우 적다는 장점이 있다. 상기 아몰퍼스 자성막(150)은 약 100,000의 DC 투자율 (permeability)을 갖는 코발트(Co)가 주성분인 아몰퍼스 재료가 사용될 수 있다.

다음 단계에서, 상기 아몰퍼스 자성막(150)상부에 제2포토레지스트 막 패턴(160)을 다시 증착시킨다(도 4g, 도 5g 참조). 상기 제2포토레지스트 막 패턴(160)은 상기 아몰퍼스 자성막(150)을 패터닝하여 코어를 형성하기 위한 것으로 제조하고자 하는 코어 형상으로 하게 된다. 즉, 두개의 바형태 또는 본 발명의 일실시예와 같이 사각 링형태로 증착시킨다. 그리고 나서, 상기 제2포토레지스트 막 패턴(160)으로 보호되지 않는 아몰퍼스 자성막(150) 부분을 제거하고 상기 제2포토레지스트 막 패턴(160)도 제거하게 되면 도 4h, 도 5h와 같은 구조가 형성된다.

다음으로, 코어부분(150) 및 제1절연층(140) 상에 제2절연층(170)을 증착시킨다(도 4i, 도 5i). 상기 제2절연층(170)은 후술하는 단계에서 증착될 상부코일(200) 및 상기 코어(150)를 서로 격리시키는 역할을 한다.

다음 단계는, 상기 제2절연층(170)상에 다시 제2씨드층(180)을 형성하고 패터닝하는 단계이다(도 4j, 도 5j). 이는 후술하는 단계에서 상부코일(200)을 전기도금시키기 위한 목적으로 이루어지며 상기 패터닝을 하여 후술하는 단계에서 하부코일까지의 통로를 제작할 수 있도록 하고 있다.

다음으로, 상기 제2씨드층(180)을 패터닝하여 제작된 통로를 이용하여 하부의 절연층(170, 140)을 에칭하여 비아홀(via hole: 180a, 180b)을 형성한다(도 4k 참조). 상기 비아홀은 X-X'단면 하에서는 도시를 생략하였다.

다음 단계는, 상기 제2씨드층(180)상에 제3포토레지스트 막 패턴(190)을 다시 형성하는 단계이다. 이는 후술하는 단계에서 상부 코일 부분(200)을 제작하기 위한 주형 구실을 하는 부분이다(도 4l, 도 5k 참조). 도면상에서는 상기 제3포토레지스트막 패턴(190)을, 제1포토레지스트 막 패턴(120)과 동일한 위치에 형성하고 있으나, 일실시예와 같이 "8"자 형태로 권선하는 경우등에는 위치를 달리하여 제작할 수 있다.

다음 단계는, 상기 제3포토레지스트 막 패턴(190) 사이로 다시 상부 코일(200)을 전기 도금하는 단계이다(도 4m, 도 5l 참조). 상기 코일로 사용되는 재료 및 도금 방법은 하부 코일(130) 제조시와 동일하게 사용할 수 있다.

다음으로, 상기 상부 코일(200)만 남기고 상기 제3포토레지스트막 패턴(190)을 제거한다(도 4n, 도 5m 참조). 그리고 나서, 상기 제3포토레지스트막 패턴(190)이 제거된 부분의 바닥에 형성된 제2씨드층(180)을 제거하고, 다시 제3절연층(210)을 증착하여 보호막을 형성한 다음, 상기 제3절연층(210)을 일정부분 에칭하여 외부단자와 연결될 패드(210a, 210b)부분을 제작한다(도 4o, 도 5n 참조).

본 발명은, 투자율과 보자력 특성이 우수한 아몰퍼스 자성막을 실리콘 기판상에 형성하여 코어로 사용함으로써, 기존의 실리콘으로 제작되던 플럭스게이트 센서보다 더 좋은 감도를 얻을 수 있다. 한편, 본 발명에 따르면, 플럭스게이트 센서를 인쇄 회로 기판(PCB)의 적층기술을 사용하여 제조하지 않고, 마이크로머시닝 (micro-machining)기술을 이용하여 제조함으로써, 보다 소형으로, 경량화된 마이크로 플럭스게이트 센서를 제조할 수 있다.

이상, 본 발명의 상세한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었으며, 본 발명을 이에 한정하려는 것은 아니다. 상기 설명에 비추어 당해 기술분야의 숙련된 기술자는 본발명의 기술적 사상과 범위를 벗어나지 않고 개량과 변형이 가능하다.

Claims

씨드층이 증착된 웨이퍼 상에서 두개의 바 형태로 형성된 아몰퍼스 자성코어;

상기 아몰퍼스 자성코어를 권선한 구조로 형성된 여자코일;

상기 여자코일 사이에 형성되어 상기 아몰퍼스 자성코어를 권선한 구조를 가지는 자계검출용 코일;

상기 여자코일 및 자계검출용 코일 상부에 형성된 보호막;및

상기 보호막을 식각하여 여자 코일 및 자계검출용 코일의 일정부분을 노출시킴으로써 형성된 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서.
제1항에 있어서,

상기 아몰퍼스 자성코어는 사각링형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 여자 코일은 상기 아몰퍼스 자성막 코어를 "8"자 형태로 권선한 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서.
(a)웨이퍼상에 여자코일 및 자계검출용 코일의 하부코일을 제작하는 단계;

(b)상기 하부코일 상에 제1절연층을 증착한후, 두개의 바형태의 아몰퍼스 자성코어를 제작하는 단계;

(c)상기 아몰퍼스 자성코어상에 제2절연층을 증착한후, 상기 하부코일과 연결된 상부코일을 제작하여 여자 코일 및 자계검출용 코일을 제작하는 단계;및

(d)상기 코일의 상부에 보호막을 씌우고 패드를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 (a)단계는,

웨이퍼를 클리닝하고 제1씨드층을 형성하는 단계;

상기 제1씨드층 상부에 제1포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1포토레지스트 막 패턴 사이에 코일재료를 전기도금시키는 단계;및

상기 제1포토레지스트 막 패턴을 제거하여 코일재료만 남김으로써 여자코일및 자계검출용 코일의 하부코일을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 (b)단계는,

상기 제1포토레지스트 막 패턴이 제거된 부분의 씨드층을 에칭하는 단계;

상기 씨드층이 제거된 부분 및 상기 하부 코일 부분 상에 제1절연층을 증착시키는 단계;

상기 제1절연층 상에 아몰퍼스 자성막을 접합시키는 단계;

상기 아몰퍼스 자성막 상에 제2포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제2포토레지스트 막 패턴으로 보호되는 부분만 남기고 상기 아몰퍼스 자성막을 제거하는 단계;및

상기 제2포토레지스트 막 패턴을 제거하여 두개의 바형태의 아몰퍼스 자성코어를 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 (c)단계는,

상기 아몰퍼스 자성코어 및 제1절연층상에 제2절연층을 증착시키는 단계;

상기 제2절연층상에 제2씨드층을 증착시키는 단계;

상기 제2씨드층 및 제2절연층을 관통하여 하부코일까지 도달하는 비아홀을 제작하는 단계;

상기 제2씨드층 상에 제3포토레지스트 막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제3포토레지스트 막 패턴 사이에 코일재료를 전기도금하여 상기 비아홀을 통해 하부코일과 연결시키는 단계;및

상기 제3포토레지스트 막 패턴을 제거하여 코일만 남김으로써 여자코일 및 자계검출용 코일을 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법.
제4항에 있어서,

상기 (d)단계는.

상기 제3포토레지스트 막 패턴이 제거된 부분의 제2씨드층을 에칭하는 단계;

상기 제2씨드층이 에칭된 부분 및 상기 상부 코일 부분 상에 제3절연층을 증착하여 보호막을 제작하는 단계;및

상기 보호막을 패터닝하여 상부코일의 일부분을 노출시킴으로써 패드를 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조 방법.
제4항 또는 제6항에 있어서,

상기 아몰퍼스 자성코어는 사각링형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조방법.
제4항에 있어서,

상기 여자 코일은 상기 아몰퍼스 자성코어를 "8"자 형태로 권선하는 것을 특징으로 하는 마이크로 플럭스게이트 센서의 제조방법.