KR100691467B1

KR100691467B1 - ＣｏＮｂＺｒ 자성코어를 포함하는 플럭스게이트 센서 및그 제작 방법

Info

Publication number: KR100691467B1
Application number: KR1020050098597A
Authority: KR
Inventors: 나경원; 양징리; 최상언
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-10-19
Filing date: 2005-10-19
Publication date: 2007-03-09
Also published as: US7737687B2; US20070085535A1

Abstract

플럭스게이트 센서가 개시된다. 본 플럭스게이트 센서는 CoNbZr를 포함하는 자성코어, 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 그리고, 자성코어 및 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함한다. 본 플럭스게이트는 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 87 : 5 : 8 (Atomic percent)의 비율로 조합된 CoNbZr을 사용할 수 있다. 이에 따라, 낮은 보자력 및 높은 투자율 특성을 가지게 된다.

플럭스게이트 센서, CoNbZr, 보자력

Description

ＣｏＮｂＺｒ 자성코어를 포함하는 플럭스게이트 센서 및 그 제작 방법 { Fluxgate sensor comprising CoNbZr magnetic core, and, fabrication method thereof }

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 CoNbZr 자성코어를 포함한 플럭스게이트 센서의 구성을 나타내는 모식도,

도 2는 도 1의 플럭스게이트 센서의 특성을 설명하기 위한 그래프,

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플럭스게이트 센서 제작 방법을 설명하기 위한 수직 단면도, 그리고,

도 4 및 도 5는 도 1의 플럭스게이트 센서에 적용 가능한 코어 구조의 예를 나타내는 모식도이다.

* 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

110 : 자성코어 120 : 여자코일

130 : 자계검출코일 300 : 기판

310 : 하부코일구조 320 : 제1 절연층

330 : 자성코어 340 : 제2 절연층

350 : 상부코일구조 360 : 제3 절연층

본 발명은 플럭스게이트 센서 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, CoNbZr 자성코어를 사용하는 플럭스게이트 센서 및 그 제작 방법에 관한 것이다.

플럭스게이트(Flux gate) 센서란 사람의 감각기관으로 직접 느낄 수 없는 자기 에너지(magnetic energy)를 감지하기 위해 구현된 장치이다. 주변에 형성된 자기 에너지를 감지할 필요가 있는 여러 분야, 예를 들어, 항공기, 선박 및 차량의 위치 인식 시스템, 가상현실 공간에서의 움직임 감지, HDTV의 지자기 보상 및 색번짐 보상, 의료용 기구에서 환자의 뇌자기, 심자기 측정등에서 이러한 자기 검출 센서가 사용될 수 있다.

마이크로 플럭스게이트 센서의 구성요소는 크게 세가지로 나누는데, 즉, 자성코어(magnetic core), 자성코어를 권선하여 전류가 인가되면 자기를 유도하는 여자코일(Excite coil), 그리고, 여자코일에서 유도되는 자기가 외부자계로부터 받는 영향을 검출하는 자계검출 코일로 이루어진다. 기본 검출원리는 자성코어의 비선형 특성, 즉 포화특성을 이용한다. 여자코일에 충분히 큰 교류전류를 공급하여 자계를 발생시키면, 자성코어 내부의 자속 밀도는 주기적으로 포화한다. 이때 측정하고자 하는 외부자계가 주어지면 자성코어 내부의 자속 밀도가 변화되고, 자계검출 코일은 자속 밀도의 변화량을 측정함으로써 외부 자계의 크기를 측정한다.

종래의 플럭스게이트 센서에서는 퍼말로이(permalloy)와 같은 고투자율 재료 로 제작된 자성코어가 사용되었다. 퍼말로이란 Fe-Ni 합금 및 Fe-Ni-Mo 합금 등을 의미한다. 퍼말로이 재료로 제작된 자성코어를 이용하는 플럭스게이트 센서에 대하여 이지(easy)방향으로 보자력을 측정하면 대략 0.8 정도로 측정된다. 하지만, 플럭스게이트 센서는 그 특성상 낮은 보자력(coercivity)을 가지는 것이 유리하다. 이에 따라, 퍼말로이로 제작된 자성코어를 이용하는 플럭스게이트 센서보다 더 낮은 보자력을 가지는 플럭스게이트 센서에 대한 개발이 요구되고 있다.

본 발명은 상술한 필요성에 따라 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 CoNbZr로 이루어진 자성코어를 이용하여 낮은 보자력을 가지는 플럭스게이트 센서 및 그 제작방법을 제공함에 있다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플럭스게이트 센서는, CoNbZr를 포함하는 자성코어, 상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 및, 상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함한다.

바람직하게는, 상기 CoNbZr은 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 87±a : 5±b : 8±c 의 비율로 조합되며, 상기 비율에서 a, b, c는 각각 0, 1, 2, 3 중 하나의 상수가 될 수 있다.

또한 바람직하게는, 상기 CoNbZr의 두께는 0.1 내지 10 ㎛ 사이가 될 수 있다.

보다 바람직하게는, 상기 자성코어는, 상기 CoNbZr 및 절연층이 교번적으로 적층된 복층 구조가 될 수 있다.

또한, 상기 자성코어는, 상기 CoNbZr 및 소정 종류의 자성층이 교번적으로 적층된 복층 구조가 될 수도 있다.

한편, 상기 CoNbZr는 DC 스퍼터링 방식으로 증착되는 것이 바람직하다.

본 플럭스게이트 센서에서 상기 자성코어는 사각 링 형태로 제작가능하며, 이 경우, 상기 여자코일은, 상기 사각 링의 4 변 중 하나를 권선하는 제1 여자코일부 및 상기 제1 여자코일부가 권선한 변과 마주보는 변을 권선하는 제2 여자코일부를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 자계검출코일은, 상기 제1 및 제2 여자코일부가 각각 권선한 두 변을 동시에 권선한다.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 자성코어, 상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 및, 상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함하는 플럭스게이트 센서 제작 방법은, (a) 기판 상의 소정 영역에 하부 코일 구조를 적층하는 단계, (b) 상기 하부 코일 구조 및 상기 기판 상에 제1 절연층을 적층하는 단계, (c) 상기 제1 절연층 상의 소정 영역에 CoNbZr을 적층하여 상기 자성코어를 제작하는 단계, (d) 상기 자성코어 및 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계, 및, (e) 상기 제2 절연층 상의 소정 영역에 상부 코일 구조를 적층하고 상기 하부 코일 구조와 연결시켜, 여자코일 및 상기 자계검출코일을 제작하는 단계를 포함한다.

바람직하게는, 상기 CoNbZr은 상기 CoNbZr은 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 87±a : 5±b : 8±c 의 비율로 조합될 수 있다. 이 경우, a, b, c는 각각 0, 1, 2, 3 중 하나의 상수가 될 수 있다.

또한 바람직하게는, 상기 CoNbZr은 0.1 내지 10 ㎛ 사이의 두께로 적층될 수 있다.

보다 바람직하게는, 상기 (c) 단계는, DC 스퍼터링 방식으로 상기 CoNbZr을 상기 제1 절연층 상에 증착시키고 패터닝하여 상기 자성 코어를 제작할 수 있다.

한편, 상기 (c) 단계는, 상기 CoNbZr로 이루어진 CoNbZr 층 및 소정 종류의 절연물질로 이루어진 절연층을 교번적으로 적층하여, 상기 자성코어를 복층 구조로 제작할 수 있다.

또한, 상기 (c)단계는, 상기 CoNbZr로 이루어진 CoNbZr 층 및 소정 종류의 자성물질로 이루어진 자성층을 교번적으로 적층하여, 상기 자성코어를 복층 구조로 제작할 수도 있다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플럭스게이트 센서의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 1에 따르면, 본 플럭스게이트 센서는 자성코어(110), 여자코일(120) 및 자계검출코일(130)을 포함한다.

자성코어(110)는 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 조합된 CoNbZr로 제작된다. 이 경우, Co-Nb-Zr 간의 조합비율에 따라 플럭스게이트 센서의 보자력 특성이 달라진다. 보자력이란 자화(磁化)된 자성체에 역자기장을 걸어 그 자성체의 자화가 0이 되게 하는 자기장의 세기를 의미한다. 보자력은 Hc[Oe]로 나타내며, 그 값은 물질에 따라 다르다.

본 실시 예에 따르면, Co : Nb : Zr는 87±a : 5±b : 8±c 의 비율로 조합될 수 있다. 여기서, a, b, c는 각각 0, 1, 2, 3 중 하나의 상수를 의미한다. 이에 따라, 각 원소비율은 ±3정도 범위 내에서 달라질 수 있다. 구체적으로는, a, b, c가 모두 0인 경우에는 Co : Nb : Zr는 87 : 5 : 8로 정해진다. 그 밖에, Co : Nb : Zr의 비율은 (85 : 6 : 9), (85 : 5 : 10), (86 : 5 : 9), (86 : 6 : 8), ( 84 : 7 : 9), (90 : 3 : 7), (90 : 4 : 6), (87 : 6 : 7), (87 : 4 : 9) 등과 같은 정도의 수준에서 변화될 수 있다.

또한, CoNbZr은 0.1 내지 10 ㎛ 사이의 두께로 제작되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 매우 낮은 보자력을 가질 수 있다. 구체적인 실험 결과에 대해서는 후술한다.

자성코어(110)는 사각 링(rectangular ring) 형태로 제작될 수 있다. 이 경우, 자성코어(110)는 4개의 변을 가진다. 여자코일(120)은 4개의 변 중 서로 마주보는 두 개의 변을 하나씩 권선하는 형태로 제작된다. 즉, 여자코일(120)은 하나의 변을 권선하는 제1 여자코일부(121) 및 제1 여자코일부(121)가 권선한 변과 마주보는 변을 권선하는 제2 여자코일부(122)를 포함한다.

제1 및 제2 여자코일부(121, 122)는 서로 연결된 구조로 제작될 수 있다. 즉, 제1 여자코일부(121)의 일측부터 시작해서 한 변을 권선하고, 제1 여자코일부(121)의 타측은 마주보는 변을 권선한 제2 여자코일부(122)의 일측과 연결된다. 이에 따라, 여자코일(120)은 일체로 제작될 수 있다.

자계검출코일(130)은 자성코어(110) 상에서 여자코일(120)이 권선한 두 변을 한꺼번에 권선한다. 이에 따라, 여자코일(120)에 교류전류가 공급되어 자계가 발생되면, 자성코어(110) 내부의 자속 밀도의 변화량에 대응되는 전류가 자계검출코일(130)을 통해 출력된다.

한편, 자성코어(110)는 두 개의 바 형태로 제작될 수도 있다. 이 경우, 여자코일(120)은 각 바를 하나씩 권선하며, 자계검출코일(130)은 두 바를 동시에 권선하는 형태가 된다. 그 동작 원리는 사각 링 형태로 제작되었을 경우와 동일하다.

도 2는 도 1의 플럭스게이트 센서의 특성을 설명하기 위한 그래프이다. 도 2는 VSM(Vibrating Sample Magnetometer) 시스템을 이용하여 플럭스게이트 센서의 특성을 실험한 실험 결과를 나타낸다. VSM 시스템이란 두 개의 자극(Magnetic pole)을 이용하여 자장을 인가하면서 동시에 시료(sample)에 진동을 가하여, 시료로부터 얻어지는 유도 기전력을 검출하고, 그 유도 기전력으로부터 시료의 자화값을 측정하는 시스템이다.

도 2의 그래프에서 가로축은 인가되는 자장의 크기 H[Oe]를 나타내고, 세로축은 VSM 시스템에서 측정되는 자화값 M[emu]을 나타낸다. 제1 그래프(210)는 VSM 시스템 내부의 전극의 배치 방향과 평행한 방향으로 자성코어(110)가 배치된 상태에서 측정된 자화값 그래프이다. 제1 그래프(210)는 양 끝 부분은 하나의 선으로 표시되지만, 중간 부분은 두 개의 선으로 표시되고 있음을 볼 수 있다. 이 두 개의 선 사이의 폭을 2로 나눈 값이 보자력(Hc easy)이 된다. 제1 그래프(210) 상에서 두 선 사이의 폭이 매우 좁게 나타남을 알 수 있다.

한편, 제2 그래프(220)는 VSM 시스템 내부의 전극 배치 방향과 수직한 방향 으로 자성코어(110)가 배치된 상태에서 측정된 자화값 그래프이다. 제2 그래프(220) 상에서도 중간 부분이 두 개의 선으로 표시되고 있으며, 그 선 사이의 폭을 2로 나눈 값이 보자력(Hc hard)이 된다. 제1 및 제2 그래프(210, 220)의 기울기는 투자율이 된다. 제1 그래프(210)에 따르면, 본 플럭스게이트가 높은 투자율을 가진다는 것을 알 수 있다.

한편, 본 플럭스게이트 센서에 사용되는 자성코어(110)는 CoNbZr로 이루어진다. CoNbZr은 RF 스퍼터링 방식, DC 스퍼터링 방식으로 증착되어 자성코어(110)로 구현된다. RF 스퍼터링 방식을 이용할 때보다 DC 스퍼터링 방식을 이용할 때가 보자력 특성이 훨씬 더 낮게 나타난다. DC 스퍼터링 방식으로 CoNbZr를 증착한 플럭스게이트 센서의 보자력 특성(Hc easy, Hc hard)을 구하면 다음 표와 같다.

Material(method)	Hc easy(axis)	Hc hard(axis)
CoNbZr (DC sputterring)	0.03	0.03
Permalloy (Plating)	0.8	1.69

표 1은 1㎛ 두께를 가지며, 87 : 5 : 8의 조합 비율을 가지는 CoNbZr이 사용된 플럭스게이트 센서에 대하여 300 W의 DC 전압, 3 mtorr의 아르곤 기체 압력 조건하에서 측정한 보자력 값을 나타낸다. 표 1에 따르면, DC 스퍼터링 방식으로 제작된 CoNbZr을 이용한 플럭스게이트 센서의 경우, Hc easy 및 Hc hard 값이 0.03 정도로 매우 낮게 측정됨을 알 수 있다. 반면에, 도금 방식으로 제작된 퍼말로이를 이용한 플럭스게이트 센서의 경우, Hc easy 및 Hc hard 값이 각각 0.8, 1.69로 높게 나타남을 알 수 있다.

도 3a 내지 도 3f는 도 1의 플럭스게이트 센서를 제작하는 제작방법을 설명하기 위한 수직 단면도이다. 도 3a에 따르면, 기판(300) 상의 소정 영역에 하부 코일 구조(310)를 적층한다. 구체적으로는, 기판(300)을 클리닝한 다음 씨드(미도시)를 적층한다. 다음으로, 씨드 위에 포토레지스트(photo-resist) 막 패턴(미도시)을 형성한 후, 금속물질을 전기 도금(electroplating)하여 하부 코일 구조(310)를 제작한다. 그리고 나서, 포토레지스트 막 패턴을 제거한다.

다음으로, 도 3b와 같이 하부코일구조(310)가 제작된 기판(300) 전면에 제1절연층(320)을 적층한다.

다음으로, 도 3c와 같이 자성 코어(330)를 제작한다. 자성 코어(330) 제작은 DC 스퍼터(Sputter)를 이용하여 CoNbZr을 증착시키는 방식으로 이루어진다. DC 스퍼터란 직류전원을 이용한 스퍼터링 장치로서, 구조가 간단하며 증착 속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다는 특징이 있다. 스퍼터링이란, 진공상태의 용기 안에 헬륨, 아르곤 등 불활성 기체를 채우고 타겟(증착재료)에 고전압을 걸어 방전시키면, 이온화 된 불활성 기체가 타겟에 충돌하게 되고 이때 타겟 물질의 이온이 튀어 나와 기판에 달라붙어 증착이 되는 원리를 이용한 증착 기술을 의미한다.

다음으로, 도 3d와 같이, 자성 코어(330) 및 제1 절연층(320) 상에 제2 절연층(340)을 적층한다.

그리고 나서, 도 3e와 같이, 제2 절연층(340) 상에 상부 코일 구조(350)를 제작한다. 상부 코일 구조(350)는 하부 코일 구조(310) 제작 방식과 동일하게 제작할 수 있다. 한편, 상부 코일 구조(350) 제작에 앞서, 제2 절연층(340)에 복수개의 비아홀을 뚫는다. 그리고, 비아홀을 통해 하부 코일 구조(310) 일부와 상부 코일 구조(350)의 일부를 연결시켜, 자성 코어(330)를 권선하는 형태로 제작한다. 하부 코일 구조(310)와 상부 코일 구조(350)가 서로 연결되면, 여자코일 및 자계검출코일 부분을 형성하게 된다.

다음으로, 도 3f와 같이, 상부 코일 구조(350) 및 제2 절연층(340) 상에 제3 절연층(360)을 적층한다. 제3 절연층(360)은 일종의 보호막 구실을 한다.

한편, 자성코어(330)는 복층 구조로 제작될 수 있다. 도 4 및 도 5는 복층 구조로 제작된 자성코어(330)의 구조를 나타내는 수직단면도이다.

도 4에 따르면, CoNbZr(331) 및 절연층(332)이 교번적으로 적층되어 복층 구조를 형성한다. 즉, CoNbZr(331)이 제1 절연층(320) 상에 적층된 상태에서, CoNbZr(331)과 동일한 패턴의 절연층(332)이 적층된다. 그리고 나서, 다시 CoNbZr(331), 절연층(332), CoNbZr(331)이 순차적으로 적층된다. 절연층(332)은 SiO₂, SiO₃N₄등의 물질로 이루어질 수 있다.

도 5에 따르면, CoNbZr(331) 및 자성층(333)이 교번적으로 적층되어 복층 구조를 형성한다. 즉, CoNbZr(331)이 제1 절연층(320) 상에 적층된 상태에서, CoNbZr(331)과 동일한 패턴의 자성층(333)이 적층된다. 그리고 나서, 다시 CoNbZr(331), 자성층(333), CoNbZr(331)이 순차적으로 적층된다. 자성층(333)은 NiFe, FeTaN 등과 같은 퍼말로이 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 자성층(333)은 CoNbZr(331)과 다른 비율로 조합된 또 다른 CoNbZr 층으로 이루어질 수도 있다.

도 4 및 도 5와 같이 복층구조로 제작하면, 자성코어의 자속 투과량이 증가되고, 또한, 자성코어로부터의 누설 자속이 감소되므로, 플럭스게이트 센서의 특성이 더 향상된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플럭스게이트 센서는 소정 비율로 조합된 CoNbZr을 자성코어로 이용한다. 이에 따라, 종래 플럭스게이트 센서보다 훨씬 낮은 크기의 보자력을 가질 수 있게 된다. 한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 자성코어가 복층구조로 제작되어 자성 코어에서의 자속 투과량을 증가시키고 누설 자속을 차단함으로써, 플럭스게이트 센서 특성을 더 향상시킬 수 있게 된다.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져 서는 안될 것이다.

Claims

삭제
CoNbZr를 포함하는 자성코어;

상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일; 및,

상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일;을 포함하며,

상기 CoNbZr은 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 87±a : 5±b : 8±c 의 비율로 조합되며, 상기 비율에서 a, b, c는 각각 0, 1, 2, 3 중 하나의 상수인 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
제2항에 있어서,

상기 CoNbZr의 두께는 0.1 내지 10 ㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
CoNbZr 및 절연층이 교번적으로 적층된 복층 구조로 이루어진 자성 코어;

상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일; 및,

상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
CoNbZr 및 소정 종류의 자성층이 교번적으로 적층된 복층 구조로 이루어진 자성 코어;

상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일; 및,

상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
제4항에 있어서,

상기 CoNbZr는 DC 스퍼터링 방식으로 증착된 것임을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
제4항에 있어서,

상기 자성코어는 사각 링 형태인 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
제7항에 있어서,

상기 여자코일은,

상기 사각 링의 4 변 중 하나를 권선하는 제1 여자코일부; 및,

상기 제1 여자코일부가 권선한 변과 마주보는 변을 권선하는 제2 여자코일부;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
제8항에 있어서,

상기 자계검출코일은,

상기 제1 및 제2 여자코일부가 각각 권선한 두 변을 동시에 권선하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서.
삭제
자성코어, 상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 및, 상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함하는 플럭스게이트 센서 제작 방법에 있어서,

(a) 기판 상의 소정 영역에 하부 코일 구조를 적층하는 단계;

(b) 상기 하부 코일 구조 및 상기 기판 상에 제1 절연층을 적층하는 단계;

(c) 상기 제1 절연층 상의 소정 영역에 CoNbZr을 적층하여 상기 자성코어를 제작하는 단계;

(d) 상기 자성코어 및 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계; 및,

(e) 상기 제2 절연층 상의 소정 영역에 상부 코일 구조를 적층하고 상기 하부 코일 구조와 연결시켜, 상기 여자코일 및 상기 자계검출코일을 제작하는 단계;를 포함하며,

상기 CoNbZr은 코발트(Co), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr)이 87±a : 5±b : 8±c 의 비율로 조합되며, 상기 비율에서 a, b, c는 각각 0, 1, 2, 3 중 하나의 상수인 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서 제작 방법.
제11항에 있어서,

상기 CoNbZr은 0.1 내지 10 ㎛ 사이의 두께로 적층되는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서 제작 방법.
제11항에 있어서,

상기 (c) 단계는,

DC 스퍼터링 방식으로 상기 CoNbZr을 상기 제1 절연층 상에 증착시키고 패터닝하여 상기 자성 코어를 제작하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서 제작 방법.
자성코어, 상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 및, 상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함하는 플럭스게이트 센서 제작 방법에 있어서,

(a) 기판 상의 소정 영역에 하부 코일 구조를 적층하는 단계;

(b) 상기 하부 코일 구조 및 상기 기판 상에 제1 절연층을 적층하는 단계;

(c) 상기 제1 절연층 상의 소정 영역에 CoNbZr을 적층하여 상기 자성코어를 제작하는 단계;

(d) 상기 자성코어 및 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계; 및,

(e) 상기 제2 절연층 상의 소정 영역에 상부 코일 구조를 적층하고 상기 하부 코일 구조와 연결시켜, 상기 여자코일 및 상기 자계검출코일을 제작하는 단계;를 포함하며,

상기 (c) 단계는,

상기 CoNbZr로 이루어진 CoNbZr 층 및 소정 종류의 절연물질로 이루어진 절연층을 교번적으로 적층하여, 상기 자성코어를 복층 구조로 제작하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서 제작 방법.
자성코어, 상기 자성코어를 권선하는 형태의 여자코일, 및, 상기 자성코어 및 상기 여자코일을 권선하는 형태의 자계검출코일을 포함하는 플럭스게이트 센서 제작 방법에 있어서,

(a) 기판 상의 소정 영역에 하부 코일 구조를 적층하는 단계;

(b) 상기 하부 코일 구조 및 상기 기판 상에 제1 절연층을 적층하는 단계;

(c) 상기 제1 절연층 상의 소정 영역에 CoNbZr을 적층하여 상기 자성코어를 제작하는 단계;

(d) 상기 자성코어 및 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계; 및,

(e) 상기 제2 절연층 상의 소정 영역에 상부 코일 구조를 적층하고 상기 하부 코일 구조와 연결시켜, 상기 여자코일 및 상기 자계검출코일을 제작하는 단계;를 포함하며,

상기 (c)단계는,

상기 CoNbZr로 이루어진 CoNbZr 층 및 소정 종류의 자성물질로 이루어진 자성층을 교번적으로 적층하여, 상기 자성코어를 복층 구조로 제작하는 것을 특징으로 하는 플럭스게이트 센서 제작 방법.