JP2004361408A - アモルファス磁性コアを使用して製造されるマイクロフラックスゲートセンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 アモルファス磁性体をコアとして製造されたマイクロフラックスゲートセンサおよびセンサをマイクロマシニング技術を利用して製造する方法を提供する。
【解決手段】 マイクロフラックスゲートセンサの製造方法は、ウェーハ上に励磁コイルおよび磁界検出用コイルの下部コイルを製造するステップ、下部コイル上に第１絶縁層を蒸着した後、２つのバー形状のアモルファス磁性コアを製造するステップ、アモルファス磁性コア上に第２絶縁層を蒸着した後、下部コイルと接続された上部コイルを製造して励磁コイルおよび磁界検出用コイルを製造するステップおよびコイルの上部の部分上に保護膜を塗布しパッドを露出させるステップを含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、マイクロフラックスゲートセンサに関し、さらに詳細にはアモルファス磁性コアを使用してマイクロマシニング技術で製造されたマイクロフラックスゲートセンサおよびその製造方法に関する。

フラックスゲートセンサとは、人の感覚器官で直接感じられない磁気エネルギー(ＭＡＧＮＥＴＩＣ ＥＮＥＲＧＹ)を検知するために具現された装置である。周辺に形成された磁気エネルギーを検知する必要がある多様な分野、例えば、航空機、船舶および車両の位置認識システム、バーチャルリアリティ空間での動き検知、ＨＤＴＶの地磁気補償および色広がり補償、医療用器具で患者の脳磁気、心臓磁気測定などにおいてこのような磁気検出センサが用いられる。最近では、その応用分野が次第に拡大されつつあり、このセンサを利用する機器が小型化、軽量化、低コスト化される傾向であるため、フラックスゲートセンサも小型化、軽量化、低コスト化しようとする試みが多くなされている。

マイクロフラックスゲートセンサは、大きく分けると、軟磁性体からなるコア(core)、コアに巻回されて電流が印加されると磁気を誘導する励磁コイル(Excite coil)、また、この励磁コイルから誘導される磁気が外部磁界から受ける影響を検出する磁界検出用コイルの３つの構成要素からなる。検出の基本原理は、軟磁性体コアの非線形特性、すなわち飽和特性を利用する。励磁コイルに十分に大きい交流電流を供給して磁界を発生させると、コア内部の磁束密度は周期的に飽和する。この場合、測定しようとする外部磁界が付与されると、コア内部の磁束密度が変化し、磁界検出用コイルによりこの磁束の変化量を測定することによって外部磁界の大きさを測定することができる。

このようなマイクロフラックスゲートセンサを製造するために、従来では、大きい棒状のコアまたは軟磁性リボンで構成されるリング状のコアにコイルを巻回して使用しているが、コア自体が大きくなるため、製造費が多くなり、体積が大きくなるという問題点があった。また、励磁コイルにより発生する磁束変化および検出された磁界は、コアによる磁束漏れを防止できないため、高感度の磁界検出に困難さがあった。

最近では、より小型、軽量化されたフラックスゲートセンサを製造するため、印刷回路基板(Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ:ＰＣＢ）の積層技術を利用する方法が開発されている。

印刷回路基板の積層技術を利用する方法とは、軟磁性体コアを中心層としてその両側に絶縁層、銅板などを順に接合してコア、このコアに巻回された形態の励磁コイルおよび磁界検出用コイルを製造する方法である。このような方法ではコア周囲にコイルを巻回するためにドリルリングによって貫通孔を開けなければならないが、その過程において素子の破損が発生するおそれがあり、マイクロマシニング技術を利用する場合より小型に製造することが困難であるという問題点がある。

本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、マイクロマシニング技術を利用してアモルファス(amorphous)磁性コアに巻回した励磁コイルおよび磁界検出コアを製造することによって、超小型かつより正確な磁界検出が可能なマイクロフラックスゲートセンサおよびその製造方法を提供することである。

以上の目的を達成するための本発明の一実施の形態に係るマイクロフラックスゲートセンサは、シード層が蒸着されたウェーハ上に形成されたアモルファス磁性コアと、前記アモルファス磁性コアに巻回された構造で形成された励磁コイルと、前記励磁コイルおよび前記アモルファス磁性コアに巻回された構造で形成された磁界検出用コイルと、前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイルの上部に形成された保護膜と、前記保護膜をエッチングして前記励磁コイルおよび磁界検出用コイルの一定部分を露出させることによって形成されたパッドとを含む。

この場合、アモルファス磁性コアは、２つのバー形状に形成することができ、四角リング状に形成することも可能である。

また、励磁コイルは、前記アモルファス磁性コアに「８」字形態で巻回される構成とすることができる。

一方、本発明に係るマイクロフラックスゲートセンサの製造方法は、(ａ)ウェーハ上に励磁コイルおよび磁界検出用コイル各々の下部コイルを製造するステップと、(ｂ)前記下部コイル上に第１絶縁層を蒸着した後、アモルファス磁性コアを製造するステップと、(ｃ)前記アモルファス磁性コア上に第２絶縁層を蒸着した後、前記下部コイルと接続した上部コイルを製造して前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイルを形成するステップと、(ｄ)前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイル各々の上部に保護膜を塗布しパッドを露出させるステップとを含む。

この場合、前記アモルファス磁性コアは、２つのバー形状、または四角リング状に形成することができる。前記励磁コイルは、前記アモルファス磁性コアに「８」字形態で巻回される構成とすることが好ましい。

前記(ａ)ステップは、ウェーハをクリーニングし、第１シード層を形成するステップと、前記第１シード層の上部に第１フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、前記第１フォトレジスト膜のパターン間にコイル材料を電気メッキするステップと、前記第１フォトレジスト膜のパターンを除去してコイル材料のみを残すことによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイル各々の下部コイルを製造するステップとを含むことができる。

この場合、前記(ｂ)ステップは、前記第１フォトレジスト膜のパターンが除去された部分のシード層をエッチングするステップと、前記シード層がエッチングされた部分および前記下部コイル部分上に第１絶縁層を蒸着するステップと、前記第１絶縁層上にアモルファス磁性膜を接合するステップと、前記アモルファス磁性膜上に第２フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、前記第２フォトレジスト膜のパターンとして保護される部分のみを残して前記アモルファス磁性膜を除去するステップと、前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去して２つのバー形状のアモルファス磁性コアを形成するステップとを含むことが好ましい。

また、前記(ｃ)ステップは、前記アモルファス磁性コアおよび前記第１絶縁層上に第２絶縁層を蒸着するステップと、前記第２絶縁層上に第２シード層を蒸着するステップと、前記第２シード層および前記第２絶縁層を貫通して下部コイルまで到達するビアホールを製造するステップと、前記第２シード層上に第３フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、前記第３フォトレジスト膜のパターン間にコイル材料を電気メッキして、前記ビアホールを通して前記下部コイルと接続するステップと、前記第３フォトレジスト膜のパターンを除去してコイルのみを残すことによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイルを製造するステップとを含むことも好ましい。

また、前記(ｄ)ステップは、前記第３フォトレジスト膜のパターンが除去された部分の第２シード層をエッチングするステップと、前記第２シード層がエッチングされた部分および前記上部コイル部分上に第３絶縁層を蒸着して保護膜を製造するステップと、前記保護膜をパターンニングして前記上部コイルの一部分を露出させることによってパッドを形成するステップとを含むことが好ましい。

本発明は、透磁率と保磁力特性に優れたアモルファス磁性膜をシリコン基板上に形成してコアとして使用することによって、従来のシリコンから製造されたフラックスゲートセンサより良い感度が得られる。一方、本発明によれば、フラックスゲートセンサを印刷回路基板(ＰＣＢ）の積層技術を使用して製造せず、マイクロマシニング技術を利用して製造することによって、さらに小型かつ軽量化されたマイクロフラックスゲートセンサを製造できる。

以下、添付する図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係るマイクロフラックスゲートセンサの構造を示す模式図である。図１において、２つのバー形状のアモルファス磁性コア１、２を中心として励磁コイル３が各々のコアに巻回されており、磁界検出用コイル４が励磁コイルおよびコアに全体的に巻回されている。

図２は、本発明の他の実施の形態に係るマイクロフラックスゲートセンサの構造を示す模式図である。図２によれば、励磁コイル３が２つのバー形状のコア１、２に「８」字形態で巻回されており、磁界検出用コイル４が励磁コイル３およびコア１、２に全体的に巻回されている。

図３Ａないし図３Ｆは、図２に示したフラックスゲート素子の動作を説明するための波形図である。図３Ａは、第１軟磁性コア１から発生した磁界の波形図、図３Ｂは第２軟磁性コア２から発生した磁界の波形図、図３Ｃは第１軟磁性コア１から発生した磁束密度の波形図、図３Ｄは、第２軟磁性コア２から発生した磁束密度の波形図、また図３Ｅおよび図３Ｆは、磁界検出用コイル４に誘起される第１および第２誘起電圧Ｖｉｎｄ１、Ｖｉｎｄ２と第１および第２誘起電圧の和Ｖｉｎｄ１+Ｖｉｎｄ２を各々示した波形図である。

励磁コイル３が２個の軟磁性コア１、２に「８」字形態に巻回されるか、各々に巻回される場合、交流の励磁電流により各コア１、２の内部磁界「Ｈｅｘｔ(外部磁界)+Ｈｅｘｃ(励磁コイルによる磁界)」と「Ｈｅｘｔ−Ｈｅｘｃ」および磁束密度「Ｂｅｘｔ(外部磁界による磁束密度)+Ｂｅｘｃ(励磁コイルによる磁束密度)」と「Ｂｅｘｔ-Ｂｅｘｃ」は互いに逆方向で発生する(図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ参照)。一方、磁界検出用コイル４は、２個のコア１、２各々で発生する磁束変化の和を取るように巻回されているので、励磁電流による電子誘導により発生する磁束変化を検出する。この場合、磁界検出用コイル４から検出される誘起電圧は、２個のコア１、２各々の内部磁界が逆方向であるため、対称的に発生した両誘起電圧Ｖｉｎｄ１、Ｖｉｎｄ２の発生電圧が相殺されて検出される(図３Ｆ)。すなわち、外部磁界Ｈｅｘｔは、各コア１、２の軸方向から両コア１、２に対し同一方向に加えられるため、両コア１、２各々から発生する内部磁界は、Ｈｅｘｔ+ＨｅｘｃとＨｅｘｔ-Ｈｅｘｃとなる。この場合、図３Ｅに示したように、磁界検出用コイル４に各々電圧Ｖｉｎｄ１、Ｖｉｎｄ２が誘起され、両誘起電圧は互いに相殺されて図３Ｆのように示され、両誘起電圧が相殺されて現れる誘起電圧Ｖｉｎｄ１+Ｖｉｎｄ２を磁界変化検出コイルを介して測定することによって、外部磁界Ｈｅｘｔの大きさが分かる。

以上のような磁界検出素子においては、２個の軟磁性コア１、２と「８」字形態の結合型構造を有する励磁コイル３と、２個の軟磁性コア１、２から発生する磁束変化の和を得るように、磁界検出用コイル４を励磁コイル３の上にソレノイド状に積層する構造が重要である。このような磁界検出素子の構造は、外部磁界Ｈｅｘｔがない場合、軟磁性コア１、２から発生された磁界による誘起波形を相殺し、励磁コイル３によって発生された磁束は軟磁性コアで閉磁路を形成するためである。

一方、本発明のまた他の実施の形態によれば、軟磁性体コアを２つのバー形状でない四角リング状に製造できる。この場合、励磁コイルを、四角リングの対向する２つの辺に各々巻回するか、「８」字形態に巻回することができる。この場合、磁界検出用コイルは、励磁コイルおよび四角リングに共に巻回される構造で製造できる。軟磁性体コアが四角リング状に製造された場合も、２つのバー形状に製造された場合と動作原理がほぼ同一であるため、これ以上の説明および図示は省略する。

本発明のマイクロフラックスゲートセンサの断面積構造は図４Ｏおよび図５Ｎに示されるが、図４Ｏは図１および図２のマイクロフラックスゲートセンサをI-I断面に切った断面図であり、図５ＮはII-II断面に切った断面図を示す。

断面図について説明すると、一般的なシリコンウェーハ１００上にシード層(seed layer)１１０が蒸着されて、シード層１１０上には一定間隔に製造された下部コイル１３０が形成されている。下部コイル１３０は、後述するステップで製造される上部コイル２００と接続することによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイルを形成する。すなわち、励磁コイルおよび磁界検出用コイルを各々別に製造せずに、一括的に下部コイルおよび上部コイルを製造した後、コイル間の接続を別にすることによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイルを分ける。具体的には、偶数番目のコイルは励磁コイルとして使用し、奇数番目のコイルは磁界検出用コイルとして使用し、またはその逆の順序で使用することができる。このような使用は、下部コイルおよび上部コイルを接続する過程で励磁コイルとして使用されるコイル同士、磁界検出用コイルとして使用されるコイル同士に接続し、各々のパッドを通して外部端子と接続することによって可能となる。

一方、２つのバー形状コアのうち、一方を第１コア、他方を第２コアとすると、本発明の一実施の形態として、第１コアの下部コイルを第２コアの上部コイルと接続、第２コアの上部コイルと第２コアの下部コイルを接続させ、第２コアの下部電極を再度第１コアの上部コイルと接続させる過程を繰り返して、励磁コイル２つのバー形状のコアに対して「８」字形態に巻回された構造を具現することができる。

一方、下部コイルおよび上部コイルとの間の中間部分は、第１絶縁層１４０に分離されて２部分に分けられ、分離された各々のコイル内部にはアモルファス磁性コア１５０が位置している。アモルファス磁性コア１５０およびコイルとの間には第１絶縁層１４０および第２絶縁層１７０が一定距離離間した状態で形成されている。一方、コイル上には第３絶縁層として保護膜２１０が蒸着されており、保護膜をエッチングしてコイルと外部端子とを接続するパッド露出のためのビアホール２１０ａ、２１０ｂが形成されている。

以下では図４Ａないし図４Ｏ、図５Ａないし図５Ｎを参照して、本発明のマイクロフラックスゲートセンサの製造ステップ別工程を説明する。

まず、通常のシリコンウェーハ１００をクリーニングした後、第１シード層１１０を形成する(図４Ａ、図５Ａ参照)。第１シード層は後述するステップでコイルを電気メッキするためのものである。

次に、図４Ｂ、図５Ｂに示すように、第１シード層１１０上に第１フォトレジスト膜のパターン１２０を形成する。第１フォトレジスト膜１２０は、後述するステップにおいてコイルの下段部分、すなわち、下部コイル１３０を製造するための鋳型(mold)役割をする部分である。

次に、図４Ｃ、図５Ｃに示すように、第１フォトレジスト膜のパターン１２０間にコイル材料１３０を電気メッキする。コイル材料では銅(Ｃｕ)を使用することが一般的である。次のステップにおいて、第１フォトレジスト膜のパターン１２０を除去すれば、２列に並ぶ下部コイル１３０が形成される(図４Ｄ、図５Ｄ参照)。

次に、第１フォトレジスト膜のパターン１２０が除去された部分の底部に形成された第１シード層１１０のみを非等方性エッチングし、第１シード層１１０がエッチングされた部分および下部コイル１３０上に第１絶縁層１４０を蒸着して、図４Ｅ、図５Ｅに示すような構造を形成する。第１絶縁層１４０はコア部分１５０とコイル部分１３０、２００とを隔離する役割をする。

次に、第１絶縁層１４０上にアモルファス(amorphous:非晶質)磁性膜１５０を接着剤を使用して接合する(図４Ｆ、図５Ｆ参照)。後述するステップにおいて、アモルファス磁性膜１５０をパターンニングしてコアを製造すると、結晶磁気異方性がないので磁化しやすく、保磁力が小さく、またヒステリシス損失が大変少ないという長所がある。アモルファス磁性膜１５０は、約１００、０００のＤＣ透磁率を有するコバルト(Ｃｏ)が主成分であるアモルファス材料を使用することができる。

次のステップにおいて、アモルファス磁性膜１５０の上部に第２フォトレジスト膜のパターン１６０を再蒸着する(図４Ｇ、図５Ｇ参照)。第２フォトレジスト膜のパターン１６０は、アモルファス磁性膜１５０をパターンニングしてコアを形成するためのものであって、製造しようとするコア形状に対応して形成する。すなわち、２つのバー形状、または四角リング状にコアを製造する。その後、第２フォトレジスト膜のパターン１６０で保護されないアモルファス磁性膜１５０部分を除去し第２フォトレジスト膜のパターン１６０も除去すると、図４Ｈ、図５Ｈのような構造が形成される。

次に、コア１５０および第１絶縁層１４０上に第２絶縁層１７０を蒸着する(図４Ｉ、図５Ｉ)。第２絶縁層１７０は、後述するステップで蒸着される上部コイル２００およびコア１５０を互いに離間する役割をする。

次のステップは、第２絶縁層１７０上に再度第２シード層１８０を形成しパターンニングするステップである(図４Ｊ、図５Ｊ)。これは後述するステップで上部コイル２００を電気メッキする目的として行われる。

次に、第２シード層１８０をパターンニングして製造された通路を利用して下部の絶縁層１７０、１４０をエッチングして、ビアホール(ｖｉａ Ｈｏｌｅ)１８０ａ、１８０ｂを形成する(図４ｋ参照)。ビアホール１８０ａ、１８０ｂはII-II断面下では図示を省略する。

次のステップは、第２シード層１８０上に第３フォトレジスト膜のパターン１９０を再形成するステップである。これは後述するステップで上部コイル２００を製造するための鋳型役割をする部分である(図４l、図５Ｋ参照)。図面上では第３フォトレジスト膜のパターン１９０を第１フォトレジスト膜のパターン１２０と同じ位置に形成しているが、一実施の形態のように「８」字形態に巻回する場合などには位置を別にして製造できる。

次のステップは、第３フォトレジスト膜のパターン１９０間に再度上部コイル２００を電気メッキするステップである(図４Ｍ、図５Ｉ参照)。コイルとして用いられる材料およびメッキ方法は下部コイル１３０の製造時と同一に使用することができる。

次に、上部コイル２００のみを残して第３フォトレジスト膜のパターン１９０を除去する(図４Ｎ、図５Ｍ参照)。その後、第３フォトレジスト膜のパターン１９０が除去された部分の底部に形成された第２シード層１８０を除去し、再度第３絶縁層２１０を蒸着して保護膜を形成した後、第３絶縁層２１０を一定部分エッチングして外部端子と接続されるパッド２１０ａ、２１０ｂ部分を製造する(図４Ｏ、図５Ｎ参照)。
なお、本発明は、上記の実施の形態として開示した範囲に限定されるものではない。本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で多くの改良、変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。

本発明に係るマイクロフラックスゲートセンサは、超小型かつ超薄型に製造できるため、各種電磁装置に内蔵して使用することができる。特に、携帯電話のような通信機器に内蔵して地磁気を測定することによって、現在位置を判断することが可能となる。

マイクロフラックスゲートセンサの一般的な模式図である。 本発明の一実施の形態によって励磁コイルの巻線形態を別にしたマイクロフラックスゲートセンサの一般的な模式図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 マイクロフラックスゲートセンサにおいて磁界を検出する動作を説明するための波形図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をI-I断面から見た断面図である。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。 本発明に係るフラックスゲートセンサ製造過程をII-II断面から見た断面図を示す。

符号の説明

１、２ アモルファス磁性コア
３ 励磁コイル
４ 磁界検出用コイル
１００ ウェーハ
１１０ シード層
１３０ 下部コイル
１４０ 第１絶縁層
１５０ アモルファス磁性膜
１７０ 第２絶縁層
２００ 上部コイル
２１０ａ、２１０ｂ パッド

Claims (13)

1. シード層が蒸着されたウェーハ上に形成されるアモルファス磁性コアと、
   前記アモルファス磁性コアに巻回される構造で形成された励磁コイルと、
   前記励磁コイルおよび前記アモルファス磁性コアに巻回された構造で形成された磁界検出用コイルと、
   前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイルの上部に形成された保護膜と、
   前記保護膜をエッチングして前記励磁コイルおよび磁界検出用コイルの一定部分を露出させることによって形成されたパッドと、
   を含むことを特徴とするマイクロフラックスゲートセンサ。
2. 前記アモルファス磁性コアは、２つのバー形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロフラックスゲートセンサ。
3. 前記アモルファス磁性コアは、四角リング状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロフラックスゲートセンサ。
4. 前記励磁コイルは、２つのバー形状の前記アモルファス磁性コアに対して「８」字形態で巻回されることを特徴とする請求項２に記載のマイクロフラックスゲートセンサ。
5. 前記励磁コイルは、四角リング状である前記アモルファス磁性コアの対向する２つの辺に対して「８」字形態で巻回されることを特徴とする請求項３に記載のマイクロフラックスゲートセンサ。
6. (ａ)ウェーハ上に励磁コイルおよび磁界検出用コイル各々の下部コイルを製造するステップと、
   (ｂ)前記下部コイル上に第１絶縁層を蒸着した後、アモルファス磁性コアを製造するステップと、
   (ｃ)前記アモルファス磁性コア上に第２絶縁層を蒸着した後、前記下部コイルと接続した上部コイルを製造して前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイルを形成するステップと、
   (ｄ)前記励磁コイルおよび前記磁界検出用コイル各々の上部に保護膜を塗布しパッドを露出させるステップと、
   を含むことを特徴とするマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
7. 前記アモルファス磁性コアは、２つのバー形状に製造されることを特徴とする請求項６に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
8. 前記励磁コイルは、前記アモルファス磁性コアに「８」字形態で巻回されることを特徴とする請求項７に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
9. 前記(ａ)ステップは、
   ウェーハをクリーニングし、第１シード層を形成するステップと、
   前記第１シード層の上部に第１フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、
   前記第１フォトレジスト膜のパターン間にコイル材料を電気メッキするステップと、
   前記第１フォトレジスト膜のパターンを除去してコイル材料のみを残すことによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイル各々の下部コイルを製造するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項７に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
10. 前記(ｂ)ステップは、
    前記第１フォトレジスト膜のパターンが除去された部分のシード層をエッチングするステップと、
    前記シード層がエッチングされた部分および前記下部コイル部分上に第１絶縁層を蒸着するステップと、
    前記第１絶縁層上にアモルファス磁性膜を接合するステップと、
    前記アモルファス磁性膜上に第２フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、
    前記第２フォトレジスト膜のパターンとして保護される部分のみを残して前記アモルファス磁性膜を除去するステップと、
    前記第２フォトレジスト膜のパターンを除去して２つのバー形状のアモルファス磁性コアを形成するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項９に記載のマイクロフラックスゲートセンサ製造方法。
11. 前記(ｃ)ステップは、
    前記アモルファス磁性コアおよび前記第１絶縁層上に第２絶縁層を蒸着するステップと、
    前記第２絶縁層上に第２シード層を蒸着するステップと、
    前記第２シード層および前記第２絶縁層を貫通して下部コイルまで到達するビアホールを製造するステップと、
    前記第２シード層上に第３フォトレジスト膜のパターンを形成するステップと、
    前記第３フォトレジスト膜のパターン間にコイル材料を電気メッキして、前記ビアホールを通して前記下部コイルと接続するステップと、
    前記第３フォトレジスト膜のパターンを除去してコイルのみを残すことによって、励磁コイルおよび磁界検出用コイルを製造するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１０に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
12. 前記(ｄ)ステップは、
    前記第３フォトレジスト膜のパターンが除去された部分の第２シード層をエッチングするステップと、
    前記第２シード層がエッチングされた部分および前記上部コイル部分上に第３絶縁層を蒸着して保護膜を製造するステップと、
    前記保護膜をパターンニングして前記上部コイルの一部分を露出させることによってパッドを形成するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１１に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。
13. 前記アモルファス磁性コアは、四角リング状に製造することを特徴とする請求項６に記載のマイクロフラックスゲートセンサの製造方法。

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