KR100480749B1 - 차동 솔레노이드형 자계검출소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자는 반도체 기판위에 서로 포개어지도록 형성된 2개의 연자성 박막코아와, 이 연자성 박막코아의 교류 여자를 위하여 8자형의 금속막 패턴으로 형성된 여자 코일과, 0자형의 금속막 패턴으로 형성된 자속변화 검출용 코일로 구성됨으로써, 두 개의 연자성 박막 코아가 폐자로를 구성하기 때문에 자속의 누설을 최소화할 수 있고, 차동형이기 때문에 구동신호의 결합을 상쇄할 수 있다. 즉, 연자성 박막코아 2개를 상하 포개어 평행하게 배치하고, 각 박막 코아를 검출축 방향으로 길게 형성하여 반자계성분을 감소시키고, 이 2개의 연자성 박막코아에 8자 형태로 감은 차동의 여자 코일과, 2개의 연자성 박막코아에서 발생한 자속의 합을 얻기위한 자속변화 검출용 코일을 상호 1턴씩 번갈아 감은 권선구조로 되어 있다.
Description
본 발명은 반도체 기판 위에 초소형 폐자로가 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 상하 2개로 형성된 연자성 박막코아의 차동 구동에 의한 폐자로를 구성하여 지구 자계 이하의 미약한 자계를 검출하기 위한 자계검출소자를 반도체 기판 위에 집적한 차동 솔레노이드형 자계검출소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
연자성체와 코일을 이용한 자기센서는, 오래 전부터 감도가 높은 자기센서로서 이용되어지고 있다. 이러한 자기센서는, 비교적 큰 봉상의 코아나, 연자성 리본으로 형성된 환상 코아에 코일을 손으로 감아서 제작한다. 또 측정 자계에 비례하는 자계를 얻기 위해서는 전자 회로가 필요하게 된다. 이러한 자기 센서의 자계검출소자를 연자성 박막 코아와 평면 박막 코일로 구현하는 방법도 고안되어 있다.
종래의 미약 자계 검출 소자는 대체로 큰 봉 형태의 코아 또는 연자성 리본에 의한 링 형태의 코아에 코일을 감아서 제작되기 때문에 고가의 제작비를 필요로 하게된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같은 종래의 미약 자계 검출 소자는 연자성 박막코아(1a, 1b)와 평면 박막 코일을 이용하며, 차동 구동을 위해 2개의 코아가 검출축 방향으로 병렬로 배치된다. 이는 2개의 연자성 박막 코아(1a, 1b)에 여자코일(2a, 2b)과 자속변화 검출코일(3a, 3b)을 감아서, 외부자계가 없을 때에, 전자유도에 의한 유도 전압을 상쇄하도록 한 것이다. 따라서, 큰 면적을 필요로 하고, 여자코일(2a, 2b)에 의하여 발생하는 자속변화 및 자속변화검출코일(3a, 3b)에 의해 검출되는 검출자계는 연자성박막코아(1a, 1b)를 통한 자속의 누설을 피할 수 없기 때문에 고감도의 자계 검출이 곤란하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 자속의 누설을 최소화하여 고감도의 정확한 자계를 검출할 수 있고, 또한 초소형화가 가능한 반도체 기판 위에 초소형의 폐자로가 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 서로 평행하는 폐자로가 형성되도록 상하로 포개지게 적층된 연자성 박막 코아; 상기 두 연자성 박막 코아에 교류적인 여자 및 차동 여자를 위하여 각각 금속 박막으로 형성된 솔레노이드형 여자코일; 및 상기 두 연자성 박막 코아 내부의 자속변화를 검출하기 위하여 각각 금속 박막으로 형성된 솔레노이드형 자속 변화 검출용 코일;을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 여자 코일 n턴 (n은 정의 정수), 상기 자속변화 검출용 코일 m턴(m은 정의 정수)을 상호 1턴씩 번갈아 감은 구조를 가지고, 외부 검출 자계가 0 일때, 상기 여자 코일에 의한 유도 파형을 상쇄하도록 하고, 상기 여자 코일은 상기 두 연자성 박막 코아에 8자형으로 감고, 상기 자속변화 검출용코일은 솔레노이드형의 평면 코일로서 상기 연자성 박막 코아에 0자형으로 감은 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법은, (가) 반도체 기판 위에 절연막을 형성하는 단계;
(나) 상기 절연막 상에 코일의 하층배선을 형성하는 단계; (다) 상기 절연막 상에 상기 하층 배선이 덮히도록 절연막을 형성하는 단계; (라) 상기 (다) 단계에서 형성된 절연막 상에 하층 자성박막용 연자성 재료를 도포하고 패터닝하여 하부 연자성 박막코아를 형성하는 단계; (마) 상기 하부 연자성 박막 코아가 덮히도록 절연막을 도포한 다음 포토리소그래피법을 이용하여 식각함으로써 제1스루홀들을 형성하는 단계; (바) 상기 (마) 단계에서 형성된 절연막 상에 중층배선용 금속층을 형성한 다음 패터닝하여 코일의 중층배선을 만드는 단계; (사) 상기 중층배선이 덮히도록 상기 (마) 단계에서 형성된 절연막 상에 절연막을 도포한 다음, 상기 절연막 상에 상층 자성박막용 연자성 재료를 도포하고 패터닝하여 상부 연자성 박막코아를 형성하는 단계; (아) 상기 상부 연자성 박막 코아가 덮히도록 절연막을 도포하고 포토리소그래피법을 이용한 에칭으로 제2스루홀을 형성하는 단계; 및 (자) 상기 (아) 단계에서 형성된 절연막 상에 상층 배선용 금속층을 형성한 다음 패터닝하여 코일의 상층배선을 만드는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판이고, 상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선은 Al, Au, Cu 중 적어도 어느한 금속으로 형성하되, 상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선이 Al 혹은 Au로 형성되는 경우에는 스퍼터링법 혹은 증착법을 사용하고, 상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선이 Cu로 형성되는 경우에는 전기 도금법 혹은 무전해 도금법을 사용하며, 상기 연자성 박막 코아는 퍼멀로이 혹은 비정질 자성합금과 비자성 재료를 서로 겹쳐 쌓은 다층 연자성 박막으로 형성되며, 상기 절연막은 산화 실리콘, 포토레지스트 및 폴리이미드 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자 및 그 제조 방법을 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 개략적 구성을 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 동작을 설명하기 위한 타이밍 챠트이며, 그리고 도 3에서 (a)는 연자성 박막 코아(12)에 있어서 자계의 파형도, (b)는 연자성 박막 코아(13)에 있어서 자계의 파형도, (c)는 연자성 박막 코아(12)에 있어서 자속밀도의 파형도, (d)는 연자성 박막 코아(13)에 있어서 자속밀도의 파형도, (e) 및 (f)는 자속변화 검출코일(15)에 있어서 유기되는 전압 Vind1, Vind2, Vind1+Vind2의 파형도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자는 반도체 기판(11) 위에 샌드위치 형태로 구성된 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에, 2개의 코일 즉 여자 코일(14a-14b)과 자속 변화 검출 코일(15a-15b)을 감은 구조를 갖는다. 여기서, 여자 코일(14)은 도 2에 도시된 바와 같이 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에 8자 형태로 감겨 있으므로, 교류의 여자전류에 의해서 생기는 코아 내부의 자속이, 상하로 형성된 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에서 서로 역방향으로 발생한다. 또한, 자속변화 검출코일(15)은 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에서 발생하는 자속 변화의 합을 취하도록 감겨 있으므로, 교류 여자전류에 의한 전자 유도 때문에 발생하는 자속 변화 검출코일(15)에 있어서의 유기 전압은, 2개의 연자성 박막 코아(12, 13) 내부의 자계가 서로 역방향이기 때문에 상쇄된다. 즉, 외부자계 Hext는 두 연자성 박막 코아(12, 13)의 축방향과 나란한 방향으로 가해지므로, 두 연자성 박막 코아(12, 13)에 대해 동일 방향으로 가해진다. 여자 코일(14)에 인가하는 여자 전류에 의한 여자 자계 Hexc는, 여자 코일(14)이 두 연자성 박막 코아(12, 13)에 대하여 8자형으로 감겨 있어, 여자 전류가 두 연자성 박막 코아(12, 13)에 대하여 서로 반대 방향으로 흐르므로, 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 서로 반대 극성으로 생성된다. 따라서, 두 연자성 박막 코아(12, 13)의 내부에 생성되는 내부 자계는, 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 각각 Hext+Hexc, Hext-Hexc 로 나타난다. 이 때, 두 연자성 박막 코아(12, 13)의 투자율은 동일하므로 두 연자성 박막 코아(12, 13)에서의 자속 밀도는 각각 도 3의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같으며, 자속 변화 검출 코일(15a-15b)에는 도 3의 (f)에 도시된 바와 같은 전압이 유도된다. 여기서, 도 3의 (e)는 두 연자성 박막 코아(12, 13) 각각에 형성된 자속 밀도에 의해 유도되는 전압을 구별하여 표시한 것으로 이들 전압을 합성하면 도 3의 (f)와 같이 된다. 이러한 합성 전압의 크기를 측정함으로써, 외부자계 Hext의 크기를 알 수 있다.
이러한 반도체 기판(11)을 이용하는 자계검출소자에 있어서는, 특히 2개의 연자성 박막코아(12, 13)에 8자의 솔레노이드 형태로 감은 여자코일(14a-14b)과 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에서 발생하는 자속 변화의 합을 얻도록 솔레노이드 형태로 감은 자속 변화 검출코일(15a-15b)을 상호 1턴씩 번갈아 감는 구조로 하는 것이 중요하다. 이와 같이, 반도체 기판(11) 위에 여자 코일(14a-14b)과 자속 변화 검출 코일(15a-15b)을 상호 1턴씩 번갈아 감되, 여자 코일(14a-14b)은 2개의 연자성 박막 코아(12, 13) 각각에 대하여 서로 반대 방향으로 감기도록 8자형으로 감고, 자속 변화 검출 코일(15a-15b)은 2개의 연자성 박막 코아(12, 13)에 대하여 서로 동일한 방향으로 감기도록 0자형으로 감음으로써, 외부자계 Hext가 없을 때는 유도 파형이 상쇄되도록 한다. 즉, 여자 코일(14a-14b)에 의해서 발생된 자속은 하층 자성박막코아(12)와 상층 자성박막코아(13)에서 폐자로를 이루도록 하는 권선 구조를 갖게 한다.
만약, 상기 구조와 달리 하나의 코아에 여자코일과 자속변화 검출코일 만을 배치하는 경우에는, 물론 자계 검출은 가능하지만, 외부자계가 없어도 검출 코일에는 여자 코일에 의한 큰 유도 전압이 생성되므로, 이를 제거하기 위한 증폭과 필터링 등의 검출 코일 출력에 대한 신호 처리가 번거롭게 된다.
실제로 도 2에 도시된 바와 같은 차동 솔레노이드형 자계검출소자를 반도체기판 위에 형성할 경우의 실시예는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같아진다. 도 4는 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자 실시예의 평면도이며, 도 5는 도 4의 X-X'선을 따라 절개한 부분의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 실시예는 반도체 기판(21) 위에 실리콘 산화막 등의 절연막(폴리이미드등)(22, 23)을 형성하고, 그 위에 3층의 금속배선, 즉, 코일의 하층배선(24)와 중층배선(28) 및 상층배선(32)를 스루홀(33, 34)을 중간에 세워서 접속함으로써, 도 2에 도시된 것과 동일한 권선 구조를 갖는 8자형의 여자 코일(14a-14b)과 0자형의 자속 변화 검출코일(15a-15b)이 구현된다. 즉, 실시예는 코일의 하층배선(24)과 중층배선(28) 및 상층배선(32)에 절연막(폴리이미드등)(25, 27, 29, 31)을 삽입하고, 이 절연막들(25, 27, 29, 31) 사이에 연자성 박막 코아(26, 30)가 끼워진 구조로 형성된다.
이와 같이 실시예에서 처럼 반도체 기판을 이용한 경우에는 여자코일(14a-14b)과 자속변화 검출코일(15a-15b)을 연자성 박막 코아(26, 30)에 상호 1턴씩 번갈아 감는 구조로 하는 것이 중요하다. 이와 같이 하지 않으면, 연자성 박막코아는, 누설자속이 크서, 여자코일에 따르는 자속의 변화를 검출코일에서 충분히 픽업할수 없게 된다. 또, 반도체 기판위에, 8자 형태의 여자코일과 자속변화 검출코일을 상호 1턴씩 번갈아 감고, 동시에 상하 2개의 코아를 이용해서 차동으로 구동하므로서 폐자로를 형성할 수 있고, 외부자계가 없을 때, 여자코일에 의해 발생하는 코아 내부의 자속변화로부터 생성되는 유도 전압을 상쇄시키도록 한 권선 구조를 갖는 것이 특징이다.
이와 같은 구조의 실시예를 제조하는 방법은 다음과 같다.
도 6은 도 4 및 도 5의 실시예를 제조하는 방법을 설명하기 위한 제조 단계별 공정 단면도이다. 여기서는, 반도체 기판으로 실리콘 기판을 이용한 경우를 예로서 설명한다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(21) 위에 절연을 위하여 기판 표면을 열산화시켜 절연막(SiO2)(22)을 형성한다.
다음에, 도 6b에 도시된 바와 같이, SiO2 절연막(22) 상에 산화 실리콘, 포토레지스트, 폴리이미드 등의 절연막(23)을 한 번 더 형성하고, 이 폴리이미드 절연막(23) 상에 코일의 하층배선용 금속층을 형성한 다음, 포토리소그래피(photolithograph)법을 이용하여 식각함으로써 금속 패턴 즉 하층배선(24)을 만든다. 배선용 금속재료로는 Au, Cu, Al 등을 이용한다. 금속층을 형성하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)법, 증착(deposition)법 등 다양한 방법이 있지만, Cu층을 두껍게 형성하는 경우에는 전기도금법 혹은 무전해 도금법 등을 이용하는 것이 유효하다.
다음에, 도 6c에 도시된 바와 같이, 하층배선(24)가 형성된 절연막(23) 상에 산화실리콘, 포토레지스트, 폴리이미드 등을 하층배선(24)이 덮히도록 재차 도포하여 절연막(25)을 형성한다. 절연막(25) 도포 방법은 스퍼터링법이나 CVD(화학기상증착)법으로 실리콘 산화막, 포토레지스트, 폴리이미드 등을 이용할 수 있으며, 포토레지스트 및 폴리이미드 등은 경화시켜 절연막으로 사용한다. 이 때, 하층배선 위에 올록볼록함이 생기지 않도록 평탄화 공정을 시행한다. 그 다음, 하층 자성박막용 연자성 재료를 도포하고 패터닝하여 연자성 박막코아(26)를 형성한다. 연자성 재료 도포 방법으로는 전기도금법이나 스퍼터링법, 증착법 등을 이용한다. 또, 연자성 재료로는 퍼멀로이(permalloy)(Ni와 Fe의 합금), 각종 비정질(amorphous) 자성합금을 이용한다. 이 연자성 재료들과의 비자성 재료를 상호 겹처 쌓은 다층 연자성 박막 코아(26)를 형성한다.
다음에, 도 6d에 도시된 바와 같이, 연자성 박막 코아(26)가 덮히도록 절연막(폴리이미드 등)(27)을 도포하여 표면이 평탄하도록 한 후, 포토리소그래피법을 이용하여 식각함으로써 스루홀(도 4의 33 참조)을 형성한다. 그 다음에, 중층배선용 금속층을 형성한 다음 패터닝하여 코일의 중층배선(28)을 만든다.
다음에, 도 6e에 도시된 바와 같이, 중층배선(28)이 덮히도록 절연막(27) 상에 절연막(폴리이미드등)(29)을 도포한 다음 표면이 평탄하도록 한다. 그 후, 절연막(29) 상에 상층 자성박막용 연자성 재료를 도포한 다음 패터닝하여 연자성 박막코아(30)를 형성한다.
다음에, 도 6f에 도시된 바와 같이, 연자성 박막 코아(30)가 덮히도록 절연막(폴리이미드등)(31)을 도포하고 그 표면이 평탄하도록 한 후, 포토리소그래피법을 이용한 에칭으로 스루홀(도 4의 33, 34 참조)을 형성한다. 그 다음에, 상층배선용 금속층을 형성하고 패터닝하여 금속패턴 즉 상층배선(32)을 만든다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 차동 솔레노이드형 자계검출소자는 초소형의 자계검출소자로서, 반도체 기판위에 서로 포개어지도록 형성된 2개의 연자성 박막코아와, 이 연자성 박막코아의 교류 여자를 위하여 8자형의 금속막 패턴으로 형성된 여자 코일과, 0자형의 금속막 패턴으로 형성된 자속변화 검출용 코일로 구성됨으로써, 두 개의 연자성 박막 코아가 폐자로를 구성하기 때문에 자속의 누설을 최소화할 수 있고, 차동형이기 때문에 구동신호의 결합을 상쇄할 수 있으며, 신호처리를 보다 쉽게 할 수 있으므로 초소형임에도 불구하고 고감도의 특성을 가진다. 즉, 연자성 박막코아 2개를 상하 포개어 평행하게 배치하고, 각 박막 코아를 검출축 방향으로 길게 형성하여 반자계성분을 감소시키고, 이 2개의 연자성 박막코아에 8자 형태로 감은 차동의 여자 코일과, 2개의 연자성 박막코아에서 발생한 자속의 합을 얻기위한 자속변화 검출용 코일을 상호 1턴씩 번갈아 감은 구조를 가지고, 외부 측정자계가 영일 때, 자속변화 검출용 코일에 유도파형이 나타나지 않도록한 권선구조로 되어 있기 때문에, 초소형임에도 불구하고, 극히 미약한 자계를 검출할 수 있다. 또한, 모놀리식 반도체 기판위에 박막 형성 기술을 이용하기 때문에 동일 칩위에 신호처리회로를 함께 집적할 수 있으므로 양산성 및 제작비용 면에서 우수한 특징이 있다.
이와 같이 하여 구현되는 자계검출소자는 지구자기 검출에 따르는 네비게이션 시스템, 지자기변동 모니터(지진예측), 일부의 생체 자기계측, 금속재료의 결함검출, 간접적 응용으로서, 자기 엔코드, 무접점 포텐션 미터, 전류센서, 토크 센서, 변위센서 등으로 광범위한 용도를 갖는다.
도 1은 종래의 자계검출소자의 개략적 구성을 보여주는 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판 위에 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 개략적 구성을 보여주는 사시도,
도 3은 도 2의 반도체 기판 위에 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자 실시예의 동작을 나타내는 타이밍 챠트,
도 4는 도 2의 반도체 기판 위에 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자 실시예의 평면도,
도 5는 도 4의 X-X'선을 따라 절개한 부분의 단면을 보여주는 단면도,
그리고 도 6a 내지 도 6f는 도 2의 반도체 기판 위에 집적된 차동 솔레노이드형 자계검출소자 실시예의 제조 방법을 공정 단계별로 보여주는 도면들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1a, 1b. 연자성 코아
2a, 2b. 여자 코일
3a, 3b. 자속변화검출코일
11. 반도체 기판
12. 연자성 박막 코아
13. 연자성 박막 코아
14a, 14b. 여자 코일
15a, 15b. 자속변화검출코일
21. 실리콘 기판
22. 실리콘 산화막(SiO2)
23. 1차 폴리이미드와 같은 절연체
24. 하층 금속배선
25. 2차 폴리이미드와 같은 절연체
26. 하층 연자성 박막코아
27. 3차 폴리이미드와 같은 절연체
28. 중층 금속배선
29. 4차 폴리이미드와 같은 절연체
30. 상층 연자성 박막코아
31. 5차 폴리이미드와 같은 절연체
32. 상층 금속배선
33. 1차 쓰루홀
34. 2차 쓰루홀
Claims (8)
- 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 서로 평행하는 폐자로가 형성되도록 상하로 포개지게 적층된 연자성 박막 코아;상기 두 연자성 박막 코아에 교류적인 여자 및 차동 여자를 위하여 각각 금속 박막으로 형성된 솔레노이드형 여자코일; 및상기 두 연자성 박막 코아 내부의 자속변화를 검출하기 위하여 각각 금속 박막으로 형성된 솔레노이드형 자속 변화 검출용 코일;을구비하며,상기 여자 코일 n턴 (n은 정의 정수), 상기 자속변화 검출용 코일 m턴(m은 정의 정수)을 상호 1턴씩 번갈아 감은 구조를 가지고, 외부 검출 자계가 0 일때, 상기 여자 코일에 의한 유도 파형을 상쇄하도록 한 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자.
- 제1항에 있어서,상기 여자 코일은 상기 두 연자성 박막 코아에 8자형으로 감고, 상기 자속변화 검출용코일은 솔레노이드형의 평면 코일로서 상기 연자성 박막 코아에 0자형으로 감은 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자.
- (가) 반도체 기판 위에 절연막을 형성하는 단계;(나) 상기 절연막 상에 코일의 하층배선을 형성하는 단계;(다) 상기 절연막 상에 상기 하층 배선이 덮히도록 절연막을 형성하는 단계;(라) 상기 (다) 단계에서 형성된 절연막 상에 하층 자성박막용 연자성 재료를 도포하고 패터닝하여 하부 연자성 박막코아를 형성하는 단계;(마) 상기 하부 연자성 박막 코아가 덮히도록 절연막을 도포한 다음 포토리소그래피법을 이용하여 식각함으로써 제1스루홀들을 형성하는 단계;(바) 상기 (마) 단계에서 형성된 절연막 상에 중층배선용 금속층을 형성한 다음 패터닝하여 코일의 중층배선을 만드는 단계;(사) 상기 중층배선이 덮히도록 상기 (마) 단계에서 형성된 절연막 상에 절연막을 도포한 다음, 상기 절연막 상에 상층 자성박막용 연자성 재료를 도포하고 패터닝하여 상부 연자성 박막코아를 형성하는 단계;(아) 상기 상부 연자성 박막 코아가 덮히도록 절연막을 도포하고 포토리소그래피법을 이용한 에칭으로 제2스루홀을 형성하는 단계; 및(자) 상기 (아) 단계에서 형성된 절연막 상에 상층 배선용 금속층을 형성한 다음 패터닝하여 코일의 상층배선을 만드는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선은 Al, Au, Cu 중 적어도 어느한 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선이 Al 혹은 Au로 형성되는 경우에는 스퍼터링법 혹은 증착법을 사용하고, 상기 하층 배선, 중층 배선 및 상층배선이 Cu로 형성되는 경우에는 전기 도금법 혹은 무전해 도금법을 사용하는 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 연자성 박막 코아는 퍼멀로이 혹은 비정질 자성합금과 비자성 재료를 서로 겹쳐 쌓은 다층 연자성 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 절연막은 산화 실리콘, 포토레지스트 및 폴리이미드 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 차동 솔레노이드형 자계검출소자의 제조 방법.
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