JP2001084510A

JP2001084510A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP2001084510A
Application number: JP26010999A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Tsuji; 弘恭辻; Akira Awane; 明阿波根
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-09-14
Filing date: 1999-09-14
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部における磁極
コイルが占める空間の長さを小さくして、磁路長が短く
なった薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】記録電流を流すに必要な断面積を持つよ
うに、磁極コイルの断面を縦長のアスペクト比を有する
縦長長方形の断面形状にし、且つＣｕメッキシード層を
成膜することにより、巻線コイルの断面のアスペクト比
を非常に大きくした磁極コイルをメッキ形成によって作
製し、磁極コイルを形成する空間の記録ヘッドギャップ
デプス方向の長さを小さくして、磁路長を短くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
（ＨＤＤ装置）等の磁気記録媒体に対して高密度の記録
・再生を行う装置に適用される薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置（ＨＤＤ装置）
等の磁気記録媒体に対する記録において、処理速度の向
上と記録容量の大容量化の必要性が増してきており、高
記録密度化への取り組みが強化されつつある。

【０００３】以下、従来の薄膜磁気ヘッドについて図面
を用いて説明する。

【０００４】図１２及び図１３は、従来の薄膜磁気ヘッ
ドを示す図であり、図１２は斜視概略図、図１３は薄膜
磁気ヘッドの記録ヘッド部の概略断面図である。

【０００５】例えば、磁気ディスク装置における信号の
磁気記録媒体への記録再生に用いられる薄膜磁気ヘッド
は、図１２に示すような所謂ＭＲ（ＧＭＲ）インダクテ
ィブ複合ヘッドと呼ばれているものが多い。

【０００６】図１２において、パーマロイ、Ｃｏ系アモ
ルファス磁性膜或いはＦｅ系合金磁性膜等の軟磁性材料
で成膜された下部シールド層１２１の上にＡｌ₂Ｏ₃、Ａ
ｌＮ或いはＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料を用いて下部ギ
ャップ絶縁層１２２が成膜され、更にその上面に磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と言う）１２３が積層成膜
形成され、ＭＲ素子１２３の両側部にＣｏＰｔ合金等の
材料でハードバイアス層１２４、１２４が成膜される。
ハードバイアス層１２４、１２４の上面及びＭＲ素子１
２３の一部の上面にかかるようにして、Ｃｕ、Ｃｒ或い
はＴａ等の材料を用いて電極リード層１２５、１２５が
成膜される。ここで、電極リード層１２５、１２５はＭ
Ｒ素子１２３の一部の上面にかかるようにしないで、Ｍ
Ｒ素子１２３の上面とその左右の側面との交線である稜
線に接し、ハードバイアス層１２４、１２４の上面のみ
に成膜するようにしても良い。次に、電極リード層１２
５、１２５とＭＲ素子１２３の露出した部分の上に、下
部ギャップ絶縁層１２２と同様の非磁性絶縁材料を用い
て上部ギャップ絶縁層１２６を成膜する。更に、上部ギ
ャップ絶縁層１２６の上に、下部シールド層１２１と同
じような軟磁性材料を用いて共通シールド層１２７を成
膜形成し、再生ヘッド部１２０を構成する。

【０００７】次に、共通シールド層１２７の上面に下部
ギャップ絶縁層１２２と同様の非磁性絶縁材料を用いて
記録ギャップ層１２８を成膜し、更にその上面に軟磁性
材料を用いて上部磁極１２９を成膜形成して、記録ヘッ
ド部１３０を構成する。

【０００８】図１３に記録ヘッド部１３０の概略断面図
を示すように、上部磁極１２９は記録ギャップ層１２８
を介して共通シールド層１２７に対向した部分と異なる
部分で共通シールド層１２７に接触し、バックギャップ
部１３１を形成しており、バックギャップ部１３１の部
分で上部磁極１２９を渦巻状に周回するように、磁極コ
イル１３２が設けられている。尚、磁極コイル１３２は
絶縁材１３３によって上部磁極１２９及び共通シールド
層１２７と絶縁されている。

【０００９】共通シールド層１２７は再生ヘッド部１２
０のシールド機能と記録ヘッド部１３０の下部磁極機能
とを兼ね備えた機能を有している。磁極コイル１３２に
記録電流が供給されることにより、上部磁極１２９と共
通シールド層１２７に記録磁界が発生し、記録ギャップ
層１２８を介して対向する上部磁極１２９と共通シール
ド層１２７との間に漏洩磁束が発生し、磁気記録媒体に
記録信号を記録する。また、信号が記録された磁気記録
媒体の磁束を再生ヘッド部１２０で再生し、ＭＲ素子１
２３による抵抗変化に応じた再生信号を電極リード層１
２５、１２５の端子から検出する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来構成の薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッド部における磁
極コイルは上部磁極のバックギャップにおいて一平面上
に渦巻状に上部磁極を周回するように形成されているた
め、磁極コイル形成に必要な空間が大きくなり、磁路長
が大きくなって、高周波記録ができないという課題があ
った。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決し、磁極コイ
ルの断面形状のアスペクト比（縦／横比）を大きくし、
縦長の断面形状を有する磁極コイルを形成する方法を提
案して、磁路長が短く、高周波記録に対応し、記録密度
の向上を図ることができる薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、リング状の凹部を有する
共通シールド層と、共通シールド層のリング状凹部の外
側にある共通シールド層の第１の上面の上に記録ギャッ
プ層を介して対向し、且つ、リング状凹部の内側にある
共通シールド層の第２の上面に接した上部磁極と、共通
シールド層のリング状凹部の上にあり、共通シールド層
と上部磁極に囲まれた領域に、絶縁材を介し、且つ、上
部磁極が共通シールド層の第２の上面に接した部分（バ
ックギャップ部）で上部磁極を渦巻状に周回するように
メッキ形成された磁極コイルとを有し、磁極コイルはそ
の断面の高さ（ｈ）対幅（ｂ）がｈ／ｂ＞１である縦長長方形断面形状であり、且つその断面の外周
の少なくとも一部にＣｕメッキシードが被膜されている
ように構成されている。

【００１３】この構成によって、磁極コイルが占める空
間の記録ヘッドギャップデプス方向の長さが小さくな
り、磁路長を小さくすることができ、また、共通シール
ド層に凹部を形成することによって、上部磁極と共通シ
ールド層で構成される磁路のインダクタンスが小さくな
り、記録周波数を向上させ、記録密度の向上を図ること
ができるという効果を得ることができる。

【００１４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、軟磁性材料で形成された共通シールド層にリング状
凹部を設けて、共通シールド層にリング状凹部の外側に
第１の上面及び内側に第２の上面を形成する第１の工程
と、リング状凹部を有する共通シールド層の上に、共通
シールド層に設けられたリング状凹部の深さよりも大き
な厚さを持たせて下部絶縁層を成膜し、下部絶縁層の上
面が平面となるように下部絶縁層を削り取る第２の工程
と、共通シールド層に設けられたリング状凹部の上にあ
る下部絶縁層に、その断面が幅よりも高さの方が大きい
溝部を共通シールド層の第２の上面を挟むように渦巻状
に形成する第３の工程と、溝部が形成された下部絶縁層
に、メッキ下地定着材を薄膜成膜し、更に、その上にＣ
ｕメッキシード層を薄膜成膜する第４の工程と、Ｃｕメ
ッキシード層が成膜された下部絶縁層の溝部に充填する
ように、磁極コイル層をメッキ形成する第５の工程と、
共通シールド層の第１及び第２の上面と段差のある位置
で、下部絶縁層、メッキ下地定着材、Ｃｕメッキシード
層及び磁極コイル層を削り取り、下部絶縁層、メッキ下
地定着材、Ｃｕメッキシード層及び磁極コイル層が一平
面上にあるようにし、下部絶縁層に設けられている溝部
にメッキ下地定着材及びＣｕメッキシード層を介して磁
極コイルを形成した後、共通シールド層の第１及び第２
の上面が露出するように下部絶縁層を削り取って下部絶
縁部を形成する第６の工程と、下部絶縁部の上にフォト
レジストを塗布して、中間絶縁層を形成する第７の工程
と、それらの全面上に、記録ギャップ層を成膜し、更
に、共通シールド層の第２の上面が露出するように記録
ギャップ層を削除する第８の工程と、それらの上に、軟
磁性材料を用いて上部記録コア層を成膜し、記録ギャッ
プ層の上にある上部記録コア層の幅が所定の記録ヘッド
ギャップ幅と等しくなるように、且つ中間絶縁層の上及
び共通シールド層の第２の上面の上における上部記録コ
ア層の幅は所定の記録ヘッドギャップ幅よりも大きくな
るように上部記録コア層を削り取って、上部磁極を形成
する第９の工程とを有している。

【００１５】この方法によって、磁極コイルの断面をア
スペクト比（縦／幅の比）の大きな縦長長方形の断面形
状にすることが容易にでき、アスペクト比の大きな断面
形状の磁極コイルとすることによって、磁極コイルを形
成する空間の記録ヘッドギャップデプス方向の長さが小
さくなり、磁路長を小さくすることができ、また、共通
シールド層に凹部を形成することによって、上部磁極と
共通シールド層で構成される磁路のインダクタンスが小
さくなり、記録周波数を向上させ、記録密度が向上した
薄膜磁気ヘッドを作製することができるという効果を得
ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、下部シールド層と共通シールド層との間に絶縁材を
介して磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッド部と、フロ
ント部において記録ヘッドギャップ絶縁層を介して共通
シールド層に対向し、バックギャップ部において共通シ
ールド層に接触している上部磁極と、絶縁材を介して共
通シールド層と上部磁極から絶縁され、且つ、バックギ
ャップ部において上部磁極に渦巻状に周回するように配
設された磁極コイルからなる記録ヘッド部で構成される
薄膜磁気ヘッドにおいて、リング状の凹部を有する共通
シールド層と、共通シールド層のリング状凹部の外側に
ある共通シールド層の第１の上面の上に記録ギャップ層
を介して対向し、且つ、リング状凹部の内側にある共通
シールド層の第２の上面に接した上部磁極と、共通シー
ルド層のリング状凹部の上にあり、共通シールド層と上
部磁極に囲まれた領域に、絶縁材を介し、且つ、上部磁
極が共通シールド層の前記第２の上面に接した部分（バ
ックギャップ部）で上部磁極を渦巻状に周回するように
メッキ形成された磁極コイルとを有し、磁極コイルはそ
の断面の高さ（ｈ）対幅（ｂ）がｈ／ｂ＞１である縦長長方形断面形状であり、且つその断面の外周
の少なくとも一部にＣｕメッキシードが被膜されたこと
を特徴としたものであり、磁極コイルの断面をアスペク
ト比の大きな断面形状とすることによって、磁極コイル
が占める空間の記録ヘッドギャップデプス方向の長さが
小さくなり、磁路長を小さくすることができ、また、共
通シールド層に凹部を形成することによって、上部磁極
と共通シールド層で構成される磁路のインダクタンスが
小さくなり、記録周波数を向上させ、記録密度の向上を
図ることができるという作用を有している。

【００１７】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
軟磁性材料で形成された共通シールド層にリング状凹部
を設けて、共通シールド層にリング状凹部の外側に第１
の上面及び内側に第２の上面を形成する第１の工程と、
リング状凹部を有する共通シールド層の上に、共通シー
ルド層に設けられたリング状凹部の深さよりも大きな厚
さを持たせて下部絶縁層を成膜し、下部絶縁層の上面が
平面となるように下部絶縁層を削り取る第２の工程と、
共通シールド層に設けられたリング状凹部の上にある下
部絶縁層に、その断面が幅よりも高さの方が大きい溝部
を共通シールド層の第２の上面を挟むように渦巻状に形
成する第３の工程と、溝部が形成された下部絶縁層に、
メッキ下地定着材を薄膜成膜し、更に、その上にＣｕメ
ッキシード層を薄膜成膜する第４の工程と、Ｃｕメッキ
シード層が成膜された下部絶縁層の溝部に充填するよう
に、磁極コイル層をメッキ形成する第５の工程と、共通
シールド層の第１及び第２の上面と段差のある位置で、
下部絶縁層、メッキ下地定着材、Ｃｕメッキシード層及
び磁極コイル層を削り取り、下部絶縁層、メッキ下地定
着材、Ｃｕメッキシード層及び磁極コイル層が一平面上
にあるようにし、下部絶縁層に設けられている溝部にメ
ッキ下地定着材及びＣｕメッキシード層を介して磁極コ
イルを形成した後、共通シールド層の第１及び第２の上
面が露出するように下部絶縁層を削り取って下部絶縁部
を形成する第６の工程と、下部絶縁部の上にフォトレジ
ストを塗布して、中間絶縁層を形成する第７の工程と、
それらの全面上に、記録ギャップ層を成膜し、更に、共
通シールド層の第２の上面が露出するように記録ギャッ
プ層を削除する第８の工程と、それらの上に、軟磁性材
料を用いて上部記録コア層を成膜し、記録ギャップ層の
上にある上部記録コア層の幅が所定の記録ヘッドギャッ
プ幅と等しくなるように、且つ中間絶縁層の上及び共通
シールド層の第２の上面の上における上部記録コア層の
幅は所定の記録ヘッドギャップ幅よりも大きくなるよう
に上部記録コア層を削り取って、上部磁極を形成する第
９の工程とを有することを特徴としたものであり、ま
た、本発明の請求項３に記載の発明は、請求項２の第２
の工程において、リング状凹部を有する共通シールド層
の上に、共通シールド層に設けられたリング状凹部の深
さよりも大きな厚さを持たせて下部絶縁層を成膜する第
２の工程を有することを特徴としたものであり、また、
本発明の請求項４に記載の発明は、請求項２の第９の工
程において、記録ギャップ層の上の幅が所定の記録ヘッ
ドギャップ幅を有し、且つ中間絶縁層の上及び共通シー
ルド層の前記第２の上面の上の幅が所定の記録ヘッドギ
ャップ幅よりも大きな幅を有する上部磁極を軟磁性材料
を用いてメッキ形成する第９の工程を有することを特徴
としたものであり、所定の記録電流を流すに必要な磁極
コイルの断面積を維持して、磁極コイルを縦長長方形の
断面形状にすることによって、磁極コイルを形成する空
間の記録ヘッドギャップデプス方向の長さが小さくな
り、磁路長を小さくすることができ、また、共通シール
ド層に凹部を形成することによって、上部磁極と共通シ
ールド層で構成される磁路のインダクタンスが小さくな
り、記録周波数を向上させ、記録密度が向上した薄膜磁
気ヘッドを作製することができるという作用を有してい
る。

【００１８】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。

【００１９】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１を示す概略説明図である。

【００２０】図１において、パーマロイ、Ｃｏ系アモル
ファス磁性膜或いはＦｅ系合金磁性膜等の軟磁性材料で
形成された共通シールド層１にリング状の凹部２が設け
られ、リング状凹部２の外側には共通シールド層１の第
１の上面３、内側には第２の上面４が形成されている。
Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ或いはＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料を
用いて形成された記録ギャップ層５を介して共通シール
ド層１の第１の上面３に対向し、また、共通シールド層
１の第２の上面４に接して上部磁極６が軟磁性材料を用
いて形成されている。共通シールド層１のリング状凹部
２の上にあり、共通シールド層１と上部磁極６で囲まれ
た部分に、記録ギャップ層５と同様の絶縁材料で形成さ
れた絶縁材７を介してＣｕ或いはＡｌ等を素材とする磁
極コイル８が上部磁極６を周回するように、渦巻状に設
けられている。

【００２１】図２に磁極コイル８の断面形状を拡大して
示す。磁極コイル８に流れる記録電流に必要且つ充分な
断面積を維持して、磁極コイル８の断面のアスペクト比
（断面の高さ２２／幅２１の比）を１より大きくなるよ
うにして、その幅２１を小さくして磁極コイル８がメッ
キ形成されており、且つその断面の一部（本実施の形態
では、断面形状が縦長の長方形形状であり、その３つの
辺を示す）にＣｕメッキシード層９が被膜されている。

【００２２】以上のように本実施の形態によれば、Ｃｕ
メッキシードを設けることで、アスペクト比の大きな断
面を有する磁極コイルをメッキ形成することができ、巻
数が同じとすれば、磁極コイルの断面の幅が小さければ
小さい程、磁極コイルによって占められる記録ヘッドギ
ャップデプス方向の距離は、小さくなることになり、従
って、磁路長が短くなり、記録周波数を向上させ、記録
密度の向上を図ることができる。

【００２３】（実施の形態２）図３〜図９は、本発明の
実施の形態２を説明する薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部
の製造工程を示す工程概略説明図である。以下、図３〜
図９を用いて薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部の製造方法
を各製造工程順に説明する。

【００２４】第１の工程として、図３（ａ）に示すよう
に、パーマロイ、Ｃｏ系アモルファス磁性膜或いはＦｅ
系微粒子磁性膜等の軟磁性材料を素材とし、再生ヘッド
部（図示せず）のシールド機能を有する共通シールド層
３１にエッチング等の方法によりその第１及び第２の上
面３２及び３３に平行な底面を有し、且つ、図３（ｂ）
に示すように、外周を第２の上面３３の中心点を中心と
した略円形３４及び内周を第２の上面３３の中心点を中
心とした四角形３５で囲まれた部分にリング状凹部３６
を形成する。尚、リング状凹部３６の形状を外周を円３
４及び内周を四角形３５としたが、内形及び外形の形状
が夫々円形、四角形、多角形或いはそれらの組み合わせ
でも良いということは言うまでもない。

【００２５】第２の工程として、図３（ｃ）に示すよう
に、リング状凹部３６を有する共通シールド層３１の上
にアルミナ、ＡｌＮ或いはＳｉＯ₂等を素材とする下部
絶縁層３７を共通シールド層３１のリング状凹部３６の
深さよりも大きい膜厚で成膜し、図３（ｄ）に示すよう
に、下部絶縁層３７の上面３０１が平面になるように、
下部絶縁層３７をＣＭＰ或いはエッチング等の方法によ
り削り取る。

【００２６】第３の工程として、図３（ｅ）に示すよう
に、共通シールド層３１のリング状凹部３６における下
部絶縁層３７に、フォトレジストを塗布してドライエッ
チング等の方法により、共通シールド層３１の第２の上
面３３を挟むようにして渦巻状に、その断面が幅３０２
よりも高さ３０３の方が大きい溝部３８及び３９を形成
する。溝部３８及び３９は渦巻状の一本の溝で構成され
ていることは言うまでもない。尚、図５（ｃ）の上面図
に示すような略円形の渦巻状に限らず、楕円形、四角形
或いは多角形形状の渦巻状でも良い。

【００２７】第４の工程として、図４（ａ）に示すよう
に、下部絶縁層３７の表面にＴａ、Ｃｕ或いはＴｉ等の
材料を用いてメッキ下地定着材４１を極薄膜で成膜し、
後工程におけるメッキ下地層を安定して成膜することが
できるようにする。次に、図４（ｂ）に示すように、メ
ッキ下地定着材４１が成膜された下部絶縁層３７の上
に、更に、メッキ下地層としてＣｕメッキシード層４２
を成膜形成する。Ｃｕメッキシード層４２はその断面の
幅に対して高さの方が大きい溝部に、後工程における磁
極コイル層のメッキ加工が容易になされるようにするた
めのものである。

【００２８】第５の工程として、図４（ｃ）に示すよう
に、Ｃｕメッキシード層４２が成膜された下部絶縁層３
７にＣｕ或いはＡｌ等の導電材料を用いて磁極コイル層
４３をメッキ形成し、下部絶縁層３７の溝部３８及び３
９に充填する。

【００２９】第６の工程として、図５（ａ）に示すよう
に、下部絶縁層３７及び溝部３８と３９に成膜充填され
たメッキ下地定着材４１、Ｃｕメッキシード層４２及び
磁極コイル層４３の一部をＣＭＰ或いはエッチング等の
方法により削り取って、第１及び第２の上面３２及び３
３より高い位置に平面５１を形成し、且つ、メッキ下地
定着材４１及びＣｕメッキシード層４２が成膜された下
部絶縁層３７の溝部３８及び３９が夫々溝１１及び１２
に、磁極コイル層４３が磁極コイル５３となるように形
成する。更に、図５（ｂ）に断面図、図５（ｃ）に上面
図を示すように、共通シールド層３１の第１及び第２の
上面３２及び３３が露出するように、下部絶縁層３７の
一部をドライエッチング等の方法により削除して、下部
絶縁部５２を形成する。

【００３０】第７の工程として、図６（ａ）に断面図、
図６（ｂ）に上面図を示すように、下部絶縁部５２の平
面５１の上に、フォトレジストを塗布して、中間絶縁層
６１を形成する。

【００３１】第８の工程として、図７（ａ）に示すよう
に、露出した共通シールド層３１の第１の上面３２及び
３３、下部絶縁部５２の斜面及び中間絶縁層６１の上
に、下部絶縁層３７と同様の材料を用いて記録ギャップ
層７１を成膜する。図７（ｂ）に示すように、共通シー
ルド層３１の第２の上面３３の上にある記録ギャップ層
７１をドライエッチング等の方法により削り取って、第
２の上面３３を露出させる。

【００３２】第９の工程として、図８（ａ）に示すよう
に、記録ギャップ層７１及び共通シールド層３１の露出
した第２の上面３３等の表面に、軟磁性材料を用いて上
部記録コア層８１を成膜し、次に、図８（ｂ）に斜視
図、図８（ｃ）に上面図を示すように、記録ギャップ層
７１の上にある上部記録コア層８１の幅８２を所定の記
録ヘッドギャップ幅とし、中間絶縁層６１、共通シール
ド層３１の第２の上面３３等の上面の幅８３は幅８２よ
りも大きくなるように、ドライエッチング等の方法によ
り上部記録コア層８１を削除して、上部磁極８４を形成
する。尚、上部記録コア層８１と共に記録ギャップ層７
１を削り取っても良い。

【００３３】次に、図９（ａ）に示すように、他の絶縁
層と同様の絶縁材料を用いて上部絶縁層９１を成膜し
て、その上面を平面形成し、更に、図９（ｂ）に示すよ
うに、その上にＡｌＴｉＣ等の材料を用いて保護層９２
を成膜する。そして、このように形成された多数の薄膜
磁気ヘッドを有するウエハーからバー状に切り出し、図
９（ｃ）に示すように、磁気記録媒体に対向する面９３
を平面研磨して、その面９３をエアーベアリング形成面
（ＡＢＳ面）としてエアーベアリング形状（図示せず）
を形成して、個々に切り出し、薄膜磁気ヘッドを作製す
る。

【００３４】また、図１０及び図１１は他の一例を示す
図であり、上述の第２の工程〜第６の工程において、第
２の工程として、図１０（ａ）に示すように、リング状
凹部１０１を有する共通シールド層３１の上にアルミ
ナ、ＡｌＮ或いはＳｉＯ₂等を素材とする下部絶縁層３
７を共通シールド層３１のリング状凹部１０１の深さよ
りも大きい膜厚で成膜する。第３の工程として、図１０
（ｂ）に示すように、共通シールド層３１のリング状凹
部１０１における下部絶縁層３７に、フォトレジストを
塗布してドライエッチング等の方法により、共通シール
ド層３１の第２の上面３３を挟むようにして渦巻状に、
その断面が幅１０２よりも高さ１０３の方が大きい溝部
１０４及び１０５を形成する。溝部１０４及び１０５は
渦巻状の一本の溝で構成されていることは言うまでもな
い。次に、第４の工程として、図１０（ｃ）に示すよう
に、下部絶縁層３７の表面にＴａ、Ｃｕ或いはＴｉ等の
材料を用いてメッキ下地定着材１０６を極薄膜で成膜
し、更に、図１１（ａ）に示すように、メッキ下地定着
材１０６が成膜された下部絶縁層３７の上に、更に、メ
ッキ下地層としてＣｕメッキシード層１１１を成膜形成
する。第５の工程として、図１１（ｂ）に示すように、
Ｃｕメッキシード層１１１が成膜された下部絶縁層３７
にＣｕ或いはＡｌ等の導電材料を用いて磁極コイル層１
１２をメッキ形成し、下部絶縁層３７の溝部１０４及び
１０５に充填する。第６の工程として、図１１（ｃ）に
示すように、下部絶縁層３７及び溝部１０４と１０５に
成膜充填されたメッキ下地定着材１０６、Ｃｕメッキシ
ード層１１１及び磁極コイル層１１２の一部をＣＭＰ或
いはエッチング等の方法により削り取って、共通シール
ド層３１の第１及び第２の上面３２及び３３より高い位
置に平面５１を形成し、且つ、メッキ下地定着材１０６
及びＣｕメッキシード層１１１が成膜された下部絶縁層
３７の溝部１０４及び１０５が夫々溝１１及び１２に、
磁極コイル層１１２が磁極コイル５３となるように形成
する。更に、前述の図５（ｂ）に断面図、図５（ｃ）に
上面図を示すように、共通シールド層３１の第１及び第
２の上面３２及び３３が露出するように、下部絶縁層３
７の一部をドライエッチング等の方法により削除して、
下部絶縁部５２を形成する。他の工程は、前述の各工程
と同様にして薄膜磁気ヘッドを作製することができる。

【００３５】また、他の例として、上述の第９の工程に
おいて、図８（ｂ）に示すように、記録ギャップ層７１
の上の幅８２を所定の記録ヘッドギャップ幅とし、中間
絶縁層６１、共通シールド層３１の第２の上面３３等の
上面の幅８３は幅８２よりも大きな幅を持つ形状の上部
磁極８４を軟磁性材料を用いてメッキ形成する第９の工
程としても良い。

【００３６】以上のように本実施の形態によれば、従来
の薄膜磁気ヘッドにおける略正方形或いは幅広の長方形
の断面形状を有する磁極コイルと同じ所定の記録電流を
流すに必要な磁極コイルの断面積を維持して、縦長のア
スペクト比（図３（ｄ）における高さ１２／幅１１＞
１）を有する縦長長方形の断面形状にし、且つＣｕメ
ッキシード層を成膜することにより、磁極コイルの断面
のアスペクト比を非常に大きくした磁極コイルをメッキ
形成によって作製することができ、且つ磁極コイル間の
絶縁材の厚みを薄くすることができ、磁極コイルを形成
する空間の記録ヘッドギャップデプス方向の長さが小さ
くなり、磁路長を小さくすることができ、また、共通シ
ールド層に凹部を形成することによって、上部磁極と共
通シールド層とで構成される磁路のインダクタンスが小
さくなり、高周波数記録の向上を図り、記録密度が向上
した薄膜磁気ヘッドを作製することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明は、所定の記録電流
を流すに必要な断面積を持ち、しかも磁極コイルの断面
を縦長の長方形の形状にした磁極コイルをＣｕメッキシ
ード層をメッキ下地処理として用いることによって容易
に形成し、巻線コイルが占める空間の記録ヘッドギャッ
プデプス方向の長さを小さくすることができ、磁路長が
短くなり、また、共通シールド層に凹部を設けることに
よって、上部磁極と共通シールド層から構成される磁路
のインダクタンスを小さくして、高周波記録に対応し、
記録密度の向上を図った薄膜磁気ヘッドを作製すること
ができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１を示す概略説明図

【図２】本発明の実施の形態１を示す磁極コイルの部分
断面拡大図

【図３】本発明の実施の形態２における第１〜第３の工
程を示す概要説明図

【図４】本発明の実施の形態２における第４〜第５の工
程を示す概要説明図

【図５】本発明の実施の形態２における第６の工程を示
す概要説明図

【図６】本発明の実施の形態２における第７の工程を示
す概要説明図

【図７】本発明の実施の形態２における第８の工程を示
す概要説明図

【図８】本発明の実施の形態２における第９の工程を示
す概要説明図

【図９】本発明の実施の形態２におけるＡＢＳ面形成の
概略説明図

【図１０】本発明の実施の形態２における他の一例の第
２〜第４の工程を示す概要説明図

【図１１】本発明の実施の形態２における他の一例の第
４〜第６の工程を示す概要説明図

【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を示す斜視概略
図

【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部の断面
概略図

【符号の説明】

１、３１、１２７共通シールド層２、３６、１０１リング状凹部３、３２第１の上面４、３３第２の上面５、７１、１２８記録ギャップ層６、８４、１２９上部磁極７、１３３絶縁材８、５３、１３２磁極コイル１１，１２溝２１、８２、８３、１０２、３０２幅２２、１０３、３０３高さ２３、４２、１１１Ｃｕメッキシード層３４円形３５四角形３７下部絶縁層３８、３９、１０４、１０５溝部４１、１０６メッキ下地定着材４３、１１２磁極コイル層５２下部絶縁部６１中間絶縁層８１上部記録コア層９１上部絶縁層９２保護層９３面１２０再生ヘッド部１２１下部シールド層１２２下部ギャップ絶縁層１２３磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２４ハードバイアス層１２５電極リード層１２６上部ギャップ絶縁層１３０記録ヘッド部１３１バックギャップ部３０１上面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部シールド層と共通シールド層との間
に絶縁材を介して磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッド
部と、フロント部において記録ヘッドギャップ絶縁層を
介して前記共通シールド層に対向し、バックギャップ部
において前記共通シールド層に接触している上部磁極
と、絶縁材を介して前記共通シールド層と前記上部磁極
から絶縁され、且つ、前記バックギャップ部において前
記上部磁極に渦巻状に周回するように配設された磁極コ
イルからなる記録ヘッド部で構成される薄膜磁気ヘッド
において、リング状の凹部を有する共通シールド層と、前記共通シールド層の前記リング状凹部の外側にある前
記共通シールド層の第１の上面の上に記録ギャップ層を
介して対向し、且つ、前記リング状凹部の内側にある前
記共通シールド層の第２の上面に接した上部磁極と、前記共通シールド層の前記リング状凹部の上にあり、前
記共通シールド層と前記上部磁極に囲まれた領域に、絶
縁材を介し、且つ、前記上部磁極が前記共通シールド層
の前記第２の上面に接した部分（バックギャップ部）で
前記上部磁極を渦巻状に周回するようにメッキ形成され
た磁極コイルとを有し、前記磁極コイルはその断面の高さ（ｈ）対幅（ｂ）がｈ／ｂ＞１である縦長長方形断面形状であり、且つその断面の外周
の少なくとも一部にＣｕメッキシードが被膜されている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】軟磁性材料で形成された共通シールド層
にリング状凹部を設けて、前記共通シールド層に前記リ
ング状凹部の外側に第１の上面及び内側に第２の上面を
形成する第１の工程と、前記リング状凹部を有する前記共通シールド層の上に、
前記共通シールド層に設けられた前記リング状凹部の深
さよりも大きな厚さを持たせて下部絶縁層を成膜し、前
記下部絶縁層の上面が平面となるように前記下部絶縁層
を削り取る第２の工程と、前記共通シールド層に設けられた前記リング状凹部の上
にある前記下部絶縁層に、その断面が幅よりも高さの方
が大きい溝部を前記共通シールド層の第２の上面を挟む
ように渦巻状に形成する第３の工程と、前記溝部が形成された前記下部絶縁層に、メッキ下地定
着材を薄膜成膜し、更に、その上にＣｕメッキシード層
を薄膜成膜する第４の工程と、前記Ｃｕメッキシード層が成膜された前記下部絶縁層の
前記溝部に充填するように、磁極コイル層をメッキ形成
する第５の工程と、前記共通シールド層の前記第１及び前記第２の上面と段
差のある位置で、前記下部絶縁層、前記メッキ下地定着
材、前記Ｃｕメッキシード層及び前記磁極コイル層を削
り取り、前記下部絶縁層、前記メッキ下地定着材、前記
Ｃｕメッキシード層及び前記磁極コイル層が一平面上に
あるようにし、前記下部絶縁層に設けられている前記溝
部に前記メッキ下地定着材及び前記Ｃｕメッキシード層
を介して磁極コイルを形成した後、前記共通シールド層
の前記第１及び前記第２の上面が露出するように前記下
部絶縁層を削り取って下部絶縁部を形成する第６の工程
と、前記下部絶縁部の上にフォトレジストを塗布して、中間
絶縁層を形成する第７の工程と、それらの全面上に、記録ギャップ層を成膜し、更に、前
記共通シールド層の第２の上面が露出するように前記記
録ギャップ層を削除する第８の工程と、それらの上に、軟磁性材料を用いて上部記録コア層を成
膜し、前記記録ギャップ層の上にある前記上部記録コア
層の幅が所定の記録ヘッドギャップ幅と等しくなるよう
に、且つ前記中間絶縁層の上及び前記共通シールド層の
前記第２の上面の上における前記上部記録コア層の幅は
前記所定の記録ヘッドギャップ幅よりも大きくなるよう
に前記上部記録コア層を削り取って、上部磁極を形成す
る第９の工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項３】請求項２の第２の工程において、前記リ
ング状凹部を有する前記共通シールド層の上に、前記共
通シールド層に設けられた前記リング状凹部の深さより
も大きな厚さを持たせて下部絶縁層を成膜する第２の工
程を有することを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項４】請求項２の第９の工程において、前記記
録ギャップ層の上の幅が所定の記録ヘッドギャップ幅を
有し、且つ前記中間絶縁層の上及び前記共通シールド層
の前記第２の上面の上の幅が前記所定の記録ヘッドギャ
ップ幅よりも大きな幅を有する上部磁極を軟磁性材料を
用いてメッキ形成する第９の工程を有することを特徴と
する請求項２或いは請求項３のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項５】請求項２〜請求項４のいずれかに記載の
製造方法によって作成されたことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。