KR20040104393A - 수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 적용방법 - Google Patents

수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 적용방법 Download PDF

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KR20040104393A
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다카노유스케
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타이완 세미콘덕터 매뉴팩처링 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명의 목적에 따라, 신규한 수용성 네가티브 포토레지스트가 패킹 및 언패킹(PAU) 가공 단계에 제공된다.

Description

수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 적용방법{Application method of water soluble negative tone photoresist}
본 발명은 집적 회로 장치의 제조, 보다 구체적으로, 네가티브 포토레지스트용 특정 화학에 관한 것이다.
집적 반도체 장치는 서브-마이크론 및 심 서브-마이크론 크기의 전자 회로를 포함하고, 전형적으로 규소 기재의 표면에 또는 표면상에 생성된다. 반도체 장치의 생성은 정교하고 상호 작용하는 서로 지지되는 분야에 의해 지지된다.
장치 특징은 마스크로부터 광석판 인쇄 영상 공정을 사용하여 반도체 표면으로 운반된다. 이러한 노출은 공급원으로부터 표적 표면으로 광 에너지의 이동에 의해 좌우되므로, 서로 매우 근접하여 생성되는 표적 특징에서 광 에너지의 이동은 매우 좁은 간격 장치 특징에 대하여 상호 작용하고, 가장 일반적으로 서로 연결된 라인 또는 접촉 홀은 인접한 라인 사이에 서브-마이크론 간격을 갖는다.
이러한 상호 작용의 발생에 대한 통상의 측정은 집적 회로(IC)의 레이아웃의 임계 크기(CD)가 석판 인쇄 장치의 분해 한계에 접근하는 적용이다. 이러한 적용에서, 근접 효과는 마스크 상을 표적 표면으로 이동시키는 방법에 영향을 준다. 이러한 상호 작용은 인접한 장치 특징의 근접을 제한하고, 이들 제한은 장치 및 장치 레이아웃의 임계 크기(CD)로서 언급된다.
관련원(TS01-376, 일렬 번호 제10/002,986호, 2001년 11월 30일 출원)은 반도체 표면, 예를 들면, 포토레지스트의 층의 표면 또는 반도체 기재의 표면상에 개구를 생성시키는 경우 부닥치는 문제점 및 제한을 다루고 있다. 이러한 출원은 2개의 마스크를 제공한다. 패킹 마스크라 하는 제1 마스크는 반도체 장치의 생성의 일부인 목적하는 접촉 홀을 포함한다. 패킹 마스크에 패딩 홀을 가하여 패킹 마스크의 홀 밀도를 증가시키고 농축시킨다. 언패킹 마스크라 하는 제2 마스크는 제1 마스크의 패딩 홀의 위치와 동일한 위치에서 개구를 포함하며, 제2 마스크에 제공된 개구의 크기는 제1 마스크의 패딩 홀보다 약간 크다. 제1 노출은 패킹 마스크를 사용하여 수행하고, 동일한 표면적의 제2 노출은 언패킹 마스크를 사용하여 수행한다. 언패킹 마스크를 사용하여 패딩 접촉 홀을 선택적으로 커버링하여 최종 상을 제공한다. 2개 형태의 언패킹 마스크를 사용할 수 있으며, 제1 형태는 목적하는 홀 패턴을 둘러싸는 언패킹 홀을 갖고, 제2 형태는 목적하는 홀 패턴과 일직선인 언패킹 홀을 갖는다.
관련원(TSO1-463, 일렬 시리즈 번호 제10/005,806호, 2001년 12월 5일 출원)은 패킹 및 언패킹 방법을 사용하여 접촉 홀을 생성시키는 방법을 제공하고, 위상-이동 마스크가 추가로 적용된다. 근접 패킹 홀의 초점 깊이(DOF) 및 마스크 오차 인자(MEF)는 홀의 노출에 대하여 교호 위상 이동 마스크(Alt PSM)를 사용하여 개선시킬 수 있다. 그러나, Alt PSM은 홀 밀도 또는 홀 분리도에 의해 의존하고, 홀이 서로 비교적 추가로 분리되는 경우 덜 효과적이다. 홀의 생성에 대하여 DOF 및 MEF 성능을 개선시키기 위해, 가외의 홀을 제1 마스크의 표면에 접촉 홀의 주어진 패턴에 가하여 제1 마스크 상에 홀 패턴을 조밀화시키고 홀-직경 대 홀 분리 비의 범위를 감소시킨다. 가해진 홀의 패턴은 목적하는 홀의 패턴과 위상에서 교호된다. 가해진 홀을 제2 마스크를 사용하여 충전시킨다.
미국 특허 제5,573,634호(Ham)에는 이중 노출 포토레지스트 공정을 사용하는 접촉 홀 방법이 기술되어 있다.
미국 특허 제5,308,741호(Kemp)에는 마스크 이동 및 위상 이동을 사용하는 이중 노출 방법이 기술되어 있다.
미국 특허 제5,432,644호(Shimizu)에는 상 이동 마스크(PSM)를 사용하는 이중 노출 방법이 기술되어 있다.
미국 특허 제5,017,461호(Abe), 미국 특허 제5,998,092호(McCulloch 등), 미국 특허 제5,648,196호(Frechet 등) 및 미국 특허 제5,532,113호(Frechet 등)가 관련 특허이다.
지금까지, 레지스트 단일 공정에 있어서, 독립 패턴과 밀집 패턴을 1회의 광원에 의한 노출로 동시에 형성하는 경우, 각각의 패턴에 대해 공통으로 달성할 수 있는 광원에 의한 노출 유도(裕度)·초점 마진을 공정에 부여해야 했다. 지금까지 광원에 의한 노출 장치의 최적화, 레지스트 조성의 최적화에 의해 이러한 기술적 과제가 달성되어 왔다. 그러나, 앞으로의 0.1㎛ 이후 패턴 형성 기술에 있어서 상응하는 공정 마진을 취하는 것이 곤란해지고 있다. 본 공정은 이러한 것을 감안하여 공정 유도를 비교적 취할 수 있는 단일 밀집 패턴을 형성한 다음에, 제2 레지스트를 사용함으로써 불필요한 패턴을 삭제하여 충분한 공정 마진을 취하는 것에 있다.
본 발명의 기본 목적은 포토레지스트 노출의 패킹 및 언패킹 방법에 대한 포토레지스트 피복물의 최적 용도를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 생성된 패턴의 최적 패턴 밀도를 허락하는 포토레지스트 노출의 패킹 및 언패킹 방법에 대한 포토레지스트 피복물의 용도를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적에 따라, 신규한 수용성 네가티브 포토레지스트가 패킹 및 언패킹(PAU) 가공 단계에 제공된다.
도 1a 내지 도 1c는 후 충전에 대하여 원치 않는 홀을 나타내기 위해 정규 패딩 홀 및 언패킹 마스크의 Alt PSM의 적용을 나타낸 것이다.
도 2a 내지 도 2d는 포토레지스트의 2개의 피복물을 갖는 패킹 및 언패킹(PAU)을 나타낸 것이다.
본 발명은 2개의 광석판 인쇄 노출 마스크의 용도에 적용된다. 제1 노출 마스크는 패킹 노출 마스크이고, 단일 홀 대 분리-비를 갖는 홀을 포함한다. 이러한 비는 전형적으로 1:1의 비일 수 있으나, 이로 한정되는 것은 아니고, Alt PSM의 유효 범위 내의 임의 비를 포함할 수 있다. 제2 마스크, 언패킹 마스크는 패킹 마스크의 홀보다 크기가 약간 큰 홀을 포함한다. 언패킹 마스크에 제공된 홀은 패킹 마스크의 홀의 직경보다 약간 크고, 언패킹 마스크에 제공된 홀은 목적하는 홀에 집중된다. 홀 패턴 생성에서 제1 가공 단계로서, 패킹 마스크를 사용하여 2가지 형태의 홀을 묘사한다. 이러한 노출이 완료된 후, 언패킹 마스크를 사용하여 패딩 홀을 선택적으로 커버링하여 최종 상을 제공한다.
2개의 포토레지스트 피복물을 갖는 PAU를 사용하여(참조: 도 2a 내지 도 2d), 제1 포토레지스트 피복물(22)을 패킹 마스크를 사용하여 노출하고 통상적으로 현상한다. 제2 단계로서, 포토레지스트의 혼화성 제2 층(26)을 제1 포토레지스트 피복물에 영향 없이 제1 포토레지스트 피복물의 묘사된 상의 표면에 피복한다.
제2 포토레지스트 피복물의 적용에서, 포토레지스트의 제1 피복물에서 생성된 상을 유지시키기 위해, 포토레지스트의 제1 층을 경화 및/또는 가교 결합시킬 수 있다. 이러한 목적으로, 포토레지스트의 2개의 층을 포토레지스트의 제1 피복물의 형성에 사용할 수 있고, 포토레지스트의 이들 2개의 층의 바닥 층을 포토레지스트의 영상 층이 포토레지스트의 가교 결합된 층의 표면상에 피복된 후 가교 결합시킨다. 영상 층은 바람직하게는 산화물 또는 산화물 함유 층의 반응성 이온부식(RIE) 동안 비휘발성 화합물을 형성하는 원소, 예를 들면, 규소를 포함한다. 영상 층을 O2RIE 에칭을 적용하여 묘사하고, 포토레지스트의 제1 층으로 제공된다.
2개의 포토레지스트 피복물을 갖는 PAU를 사용하는 방법에 요구되는 포토레지스트의 제2 층에 대하여, 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트를 사용할 수 있다.
포지티브 포토레지스트가 포토레지스트의 제2 층으로 사용되는 경우, 패딩 홀을 기본으로 하는 광장(light-field) 언패킹 마스크는 패딩 홀의 커버링을 초래하고, 목적하는 홀을 기본으로 하는 암장(dark-field) 언패킹 마스크는 배경의 커버링을 초래한다.
네가티브 포토레지스트가 포토레지스트의 제2 층으로 사용되는 경우, 패딩 홀을 기본으로 하는 암장 언패킹 마스크를 패딩 홀에서 포토레지스트의 제2 층에 노출하여 레지스트 현상제에 불용성으로 만들어 패딩 홀의 커버링을 초래한다. 또는, 목적하는 홀을 기본으로 하는 광장 언패킹 마스크는 목적하는 홀이 위치하는 영역을 제외한 모든 영역에서 포토레지스트의 네가티브 제2 층에 노출하여 배경의 커버링을 초래한다.
상기 기술한 방법은 이러한 목적을 위해 도 1a 내지 도 1c 및 도 2a 내지 도 2c을 사용하여 추가로 설명한다.
도 1a 내지 도 1c를 구체적으로 참조하여, 다음과 같이 후 충전에 대하여 원치 않는 홀을 나타내기 위해 정규 패킹 홀 및 언패킹 마스크의 Alt PSM의 적용을나타낸 것이다: 도 1a에서 (10)은 패킹 마스크이고, (16)은 패킹 마스크(10) 상에 제공된 홀 중의 하나이며, 위상 이동기가 이러한 홀에 적용되지 않고, (18)은 패킹 마스크 상에 제공된 위상 이동 홀 중의 하나이고, 도 1b에서 (12)는 언패킹 마스크이며, 후 충전에 대하여 원치 않는 홀을 보호하기 위해 원치 않는 홀을 나타내며, [언패킹 마스크(12) 상에 제공된] 홀(11)은 [패킹 마스크(10) 상에 제공된] 홀(16 및 18)보다 크기가 크고, 도 1c에서 (14)는 패킹 마스크 및 언패킹 마스크를 제공하여 수득한 최종 상이며, 목적하는 홀(13)이 생성된다.
도 2a 내지 도 2d는 다음과 같이 포토레지스트의 2개의 피복물을 갖는 패킹 및 언패킹(PAU)을 타나낸 것이다: 도 2a에서 (20)은 반도체 표면, 전형적으로 기재의 표면이고, (22)는 포토레지스트의 제1 층이고, 포토레지스트의 제1 층은 패킹 마스크를 사용하여 패턴화되고, (23)은 포토레지스트의 제1 층(22)을 통해 생성된 패딩 홀이고, (24)는 포토레지스트의 제1 층(22)을 통해 생성된 목적하는 홀이고, 도 2b에서 (26)은 개구(23 및 24)를 충전하는 포토레지스트의 패턴화된 제1 층(22)의 표면에 부착된 포토레지스트의 제2 층이고, 도 2c에서 (26)은 패딩 개구(23)를 커버링하는 적소에 포토레지스트를 잔류시키는 제1 언팩이며, 도 2d에서 (26)은 적소에 포토레지스트의 배경 층을 잔류시키는 제2 언팩이다.
도 2a 내지 도 2c의 층(22 및 26)에 사용되는 포토레지스트의 특정 및 바람직한 부분은 이제 논의된다.
포토레지스트의 제1 층(22)에서, 바람직한 레지스트는 포지티브 레지스트, 예를 들면, I-라인 레지스트 및 KrF 레지스트 및 ArF 레지스트 및 F2 레지스트 및EUV 레지스트이다. 이러한 레지스트를 패킹 마스크에 대하여 노출하고, 현상한다. 포토레지스트의 제2 층(26)에 대하여, 본 발명의 바람직한 레지스트는 수용성 네가티브 레지스트이다. 포토레지스트의 제2 층(26)은 포토레지스트의 묘사된 제1 층(22)에 영향 없이 포토레지스트 상의 묘사된 제1 층(22) 상에 피복되므로, 포토레지스트의 제2 층(26)은 수용성 네가티브 레지스트를 포함하는 것이 바람직하다. 네가티브 포토레지스트의 제2 층(26)이 부착된 후, 제2 층 광석판 인쇄 마스크를 사용하여 포토레지스트의 제2 층(26)을 노출시키고 물을 사용하여 이러한 층을 현상하고, 도 2c 및 도 2d의 단면으로 나타낸 층(26)의 패턴을 생성시킨다.
제2 층(26)의 수용성 포토레지스트를 사용하는 이점은 2배이다(도 2b 내지 도 2d):
1. 통상의 포토레지스트는 포토레지스트의 제1 패턴을 손상시키는 용매를 포함하고(도 2a), 수용성 포토레지스트는 이러한 용매를 함유하지 않는다.
2. 물이 포토레지스트의 수용성 층의 현상에 사용되나, 물은 포토레지스트의 (하도) 제1 층(22)을 손상시키지 않는다.
본 발명을 다음과 같이 요약할 수 있다:
·본 발명은 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트의 제1 층을 제공하며, 레지스트의 이러한 제1 층은 패킹 노출 마스크로 노출 및 현상된다.
·패킹 노출 마스크를 사용하는 포토레지스트의 노출되고 현상된 제1 층을 생성시키는 것 이외에 및 생성시킨 다음, 포토레지스트의 (레지스트의 제1 층과)혼화성 층을 부착시키고, 이는 제1 포토레지스트의 하도 층에 영향을 주지 않으며, 2개의 층은 가교 결합되어 포토레지스트의 이들 2개의 층에 개선된 패킹 상을 형성시킨다.
·포토레지스트의 제2 층, 층(26)은 바람직하게는 수용성 네가티브 레지스트를 포함하고, 후자의 층은 365nm 또는 248nm 또는 193nm 또는 157nm 또는 EUV 또는 EB 광원에 의해 노출시켜 가교 결합될 수 있다.
·수용성 네가티브 포토레지스트에서, 이러한 층이 1) 기본 중합체, 예를 들면, 폴리비닐아세탈(4 내지 8%), 2) 가교 결합 성분, 예를 들면, 에틸렌우레아(0.5 내지 2%), 3) 광활성 화합물(0.01 내지 0.1%), 4) 급냉제(약 1 내지 30ppm) 및 5) 용매, 예를 들면, DIW/IPA(DIW 약 85 내지 90%, IPA 약 4 내지 7%)를 포함하는 것이 바람직하다.
이들 후자의 성분 중에서, 다음의 상세한 설명이 제공될 수 있다.
1. 기본 중합체는 폴리비닐아세탈이다.
2. 광활성 화합물은 OCH3, CF3SO3또는 S(CH3)2을 포함하는 화합물 또는 당해 화합물의 혼합물이다.
본 발명의 바람직한 물질에 관한 추가의 상세한 설명은 다음에 제공된다.
기본 중합체:
바람직한 것: 수용성 중합체
보다 바람직한 것: 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리알릴산, 폴리비닐 알콜, 폴리에틸렌이민, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리비닐아민
가장 바람직한 것: 폴리비닐아세탈 및 이의 공중합체 및 혼합물
광활성 화합물:
바람직한 것: 수용성 광산 생성제
보다 바람직한 것: 오늄 염 유도체, 트리아진 유도체
가장 바람직한 것: 오늄 염 유도체 및 이의 혼합물
급냉제:
바람직한 것: 수용성 아민
보다 바람직한 것: 에틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, s-부틸아민, t-부틸아민, 사이클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-부틸디에탄올아민, TMAH, TBAH, 콜린
가장 바람직한 것: TBAH 및 이의 혼합물
가교 결합제:
바람직한 것: 수용성 가교 결합제
보다 바람직한 것: 우레아 유도체, 멜라민 유도체
가장 바람직한 것: 메톡시-메틸올-우레아 및 이의 혼합물
용매:
바람직한 것: PR에 대하여 비-손상 용매
보다 바람직한 것: DIW
가장 바람직한 것: DIW/IPA
근접 간격 접촉 홀을 생성시키기 위해 수용성 네가티브 톤 포토레지스트를 적용시키는 발명은 다음과 같이 요약될 수 있다:
·기재로 출발하여, 접촉 홀의 패턴을 생성시키기 위해 포토레지스트의 제1 층을 부착시킨다.
·포토레지스트의 제1 층의 표면을 제1 마스크로 노출하고, 제1 마스크는 접촉 홀의 제1 및 제2 패턴을 포함한다.
·개구는 접촉 홀의 제1 및 제2 패턴에 따라 포토레지스트의 제1 층에 생성된다.
·네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층이 포토레지스트의 제1 층에 생성된 개구를 포함하는 포토레지스트의 제1 층의 표면에 부착된다.
·개구는 접촉 홀의 제2 패턴에 따라 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층에 생성된다.
·홀의 제1 패턴은 접촉 홀을 포함한다.
·홀의 제2 패턴은 가상 홀을 포함한다.
·포토레지스트의 제1 층을 가교 결합시키는 추가의 단계가 수행될 수 있다.
·포토레지스트의 제1 층의 표면을 경화시키는 추가의 단계가 수행될 수 있다.
·추가로 및 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층을 부착시키기 전에, 포토레지스트의 제1 층과 혼화성인 포토레지스트의 층을 포토레지스트의 제1 층에 부착시키고, 포토레지스트의 제1 층을 혼화성 층과 가교 결합시켜, 포토레지스트의 이들 2개의 층에서 개선된 패킹 상을 형성시킨다.
또는, 본 발명은 다음과 같이 요약될 수 있다:
·기재로 출발하여, 접촉 홀의 패턴을 생성시키기 위해 포토레지스트의 제1 층을 부착시킨다.
·포토레지스트의 제1 층의 표면을, 접촉 홀의 제1 및 제2 패턴을 포함하는 마스크로 노출하여, 포토레지스트의 제1 층에서 노출의 제1 및 제2 패턴을 생성한다.
·포토레지스트의 제1 층의 표면을, 이중 극성 레지스트의 층에서 노출의 제2 패턴에 따라 방사선원에 선택적으로 노출시켜, 노출의 제2 패턴에 따라 포토레지스트의 제1 층에서 개구 생성을 억제한다.
·수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층을 포토레지스트의 제1 층에 부착시킨다.
·수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 층을 노출의 제1 패턴에 따라 현상한다.
·노출의 제1 패턴은 접촉 홀을 포함한다.
·노출의 제2 패턴은 가상 홀을 포함한다.
본 발명이 이의 특정 예시 양태를 참조하여 기술되고 예시되었으나, 본 발명이 이들 예시 양태로 한정되는 것은 아니다. 당해 분야의 숙련가는 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 변형 및 변화를 수행할 수 있음을 알고 있을 것이다. 따라서, 첨부된 청구의 범위 및 이의 등가물의 범위 내에 속하는 이러한 모든 변형 및 변화도 본 발명 내에 포함시키고자 한다.
본 발명에 따른 수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 적용방법에 따라 근접 간격 접촉 홀을 생성시킬 수 있다.

Claims (38)

  1. 접촉 홀의 패턴을 생성시키기 위한 포토레지스트의 제1 층이 제공된 기재를 제공하는 단계,
    포토레지스트의 제1 층의 표면을, 접촉 홀의 제1 및 제2 패턴을 포함하는 제1 마스크로 노출시키는 단계,
    접촉 홀의 제1 및 제2 패턴에 따라 포토레지스트의 제1 층에 개구를 생성시키는 단계,
    네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층을, 포토레지스트의 제1 층에 생성된 개수를 포함하는 포토레지스트의 제1 층의 표면에 부착시키는 단계 및
    접촉 홀의 제2 패턴에 따라 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층에 개구를 생성시키는 단계를 포함하는, 좁은 간격 접촉 홀을 생성시키기 위한, 수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 적용방법.
  2. 제1항에 있어서, 홀의 제1 패턴이 접촉 홀을 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 홀의 제2 패턴이 가상 홀을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 포토레지스트의 제1 층을 가교 결합시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 포토레지스트의 제1 층의 표면을 경화시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 추가로 및 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층을 부착시키기 전에, 포토레지스트의 제1 층과 혼화성인 포토레지스트의 층을 포토레지스트의 제1 층에 부착시키고, 포토레지스트의 제 1 층을 혼화성 층과 가교 결합시켜, 포토레지스트의 이들 2개의 층에 개선된 패킹 상을 형성시키는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 가교 결합이 광원에 의한 노출을 포함하고, 광원이 365nm, 248nm, 193nm, 157nm, EUV 또는 EB 광원인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 네가티브 톤 포토레지스트가 바람직하게는 수용성 네가티브 포토레지스트를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 수용성 네가티브 포토레지스트가 기본 중합체, 가교 결합 성분, 광활성 화합물, 급냉제 및 용매를 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 기본 중합체가 폴리비닐아세탈인 방법.
  11. 제9항에 있어서, 가교 결합 성분이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 0.5 내지 2% 포함되는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 광활성 화합물이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 0.01 내지 0.1% 포함되는 방법.
  13. 제9항에 있어서, 급냉제가 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 1 내지 30ppm 포함되는 방법.
  14. 제9항에 있어서, 용매가 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 DIW/IPA를 포함하고, DIW가 약 85 내지 90%이고, IPA가 약 4 내지 7%인 방법.
  15. 제10항에 있어서, 폴리비닐아세탈이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 4 내지 8% 포함되는 방법.
  16. 제12항에 있어서, 광활성 화합물이 OCH3, CF3SO3또는 S(CH3)2을 포함하는 화합물이거나 당해 화합물의 혼합물인 방법.
  17. 제9항에 있어서, 기본 중합체가 수용성 중합체, 바람직하게는 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리알릴산, 폴리비닐 알콜, 폴리에틸렌이민, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리비닐아민 또는 이들의 공중합체 또는 혼합물인 방법.
  18. 제9항에 있어서, 광활성 화합물이 수용성 광산 생성제, 바람직하게는 오늄 염 유도체, 트리아진 유도체 또는 이들의 혼합물인 방법.
  19. 제9항에 있어서, 급냉제가 수용성 아민, 바람직하게는 에틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, s-부틸아민, t-부틸아민, 사이클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-부틸디에탄올아민, TMAH, TBAH, 콜린, TBAH 또는 이들의 혼합물인 방법.
  20. 제9항에 있어서, 가교 결합 성분이 수용성 가교 결합제, 바람직하게는 우레아 유도체, 멜라민 유도체, 메톡시-메틸올-우레아 또는 이들의 혼합물인 방법.
  21. 제9항에 있어서, 용매가 PR에 대하여 비-손상 용매, 바람직하게는 DIW 또는 DIW/IPA 또는 이들의 혼합물인 방법.
  22. 접촉 홀의 패턴을 생성시기 위한 포토레지스트의 제1 층이 제공된 기재를 제공하는 단계,
    포토레지스트의 제1 층의 표면을, 접촉 홀의 제1 및 제2 패턴을 포함하는 마스크로 노출시켜 포토레지스트의 제1 층에 노출의 제1 및 제 2 패턴을 생성시키는 단계,
    포토레지스트의 제1 층의 표면을, 이중 극성 레지스트의 층에서 노출의 제2 패턴에 따라 방사선원에 선택적으로 노출시켜, 노출의 제2 패턴에 따라 포토레지스트의 제1 층에서 개구 생성을 억제하는 단계,
    수용성 네가티브 톤 포토레지스트의 제2 층을 포토레지스트의 제1 층에 부착시키는 단계 및
    노출의 제1 패턴에 따라 수용성 네가티브 톤 레지스트의 층을 현상시키는 단계를 포함하는, 좁은 간격 접촉 홀의 생성방법.
  23. 제22항에 있어서, 노출의 제1 패턴이 접촉 홀을 포함하는 방법.
  24. 제22항에 있어서, 노출의 제2 패턴이 가상 홀을 포함하는 방법.
  25. 제22항에 있어서, 선택적 노출이 광원에 의한 노출을 포함하고, 광원이 365nm, 248nm, 193nm, 157nm, EUV 또는 EB 광원인 방법.
  26. 제22항에 있어서, 수용성 네가티브 톤 포토레지스트가 기본 중합체, 가교 결합 성분, 광활성 화합물, 급냉제 및 용매를 포함하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 기본 중합체가 폴리비닐아세탈인 방법.
  28. 제26항에 있어서, 가교 결합 성분이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 0.5 내지 2% 포함되는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 광활성 화합물이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 0.01 내지 0.1% 포함되는 방법.
  30. 제26항에 있어서, 급냉제가 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 1 내지 30ppm 포함되는 방법.
  31. 제26항에 있어서, 용매가 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 DIW/IPA를 포함하고, DIW가 약 85 내지 90%이고, IPA가 약 4 내지 7%인 방법.
  32. 제27항에 있어서, 폴리비닐아세탈이 네가티브 톤 포토레지스트의 성분으로서 약 4 내지 8% 포함되는 방법.
  33. 제26항에 있어서, 광활성 화합물이 OCH3, CF3SO3또는 S(CH3)2을 포함하는 화합물이거나 당해 화합물의 혼합물인 방법.
  34. 제26항에 있어서, 기본 중합체가 수용성 중합체, 바람직하게는 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리알릴산, 폴리비닐 알콜, 폴리에틸렌이민, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리비닐아민, 폴리비닐아세탈 공중합체 또는 이들의 혼합물인 방법.
  35. 제26항에 있어서, 광활성 화합물이 수용성 광산 생성제, 바람직하게는 오늄 염 유도체, 트리아진 유도체 또는 이들의 혼합물인 방법.
  36. 제26항에 있어서, 급냉제가 수용성 아민, 바람직하게는 에틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, n-프로필아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, s-부틸아민, t-부틸아민, 사이클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-부틸디에탄올아민, TMAH, TBAH, 콜린, TBAH 또는 이들의 혼합물인 방법.
  37. 제26항에 있어서, 가교 결합 성분이 수용성 가교 결합제, 바람직하게는 우레아 유도체, 멜라민 유도체, 메톡시-메틸올-우레아 또는 이들의 혼합물인 방법.
  38. 제26항에 있어서, 용매가 PR에 대하여 비-손상 용매, 바람직하게는 DIW 또는 DIW/IPA인 방법.
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