KR20040101917A - 무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과전사필름 - Google Patents

무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과전사필름 Download PDF

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KR20040101917A
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후지 필름 아치 가부시키가이샤
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Abstract

(과제)저유전율이며, 또한 고정밀도로 미세한 구조를 갖는 무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과 그 제조가 용이하면서 기판에 양호하게 밀착되고, 또한 감광성 레지스트와 밀착도 양호한 조성물을 갖는 전사필름을 제공하는 것.
(해결수단)적어도 무기분말을 함유하는 비감광성 조성물을 소성하여 얻어지는 다공성의 무기 재료막으로서, 상기 무기 재료막은, 공극 면적율이 5∼75%이고, 공극 사이즈가 0.1∼30㎛인 무기 재료막. 상기 비감광성 조성물을 기판 상에 형성하고, 상기 비감광성 조성물 상에 감광성 조성물을 형성하고, 노광, 현상 처리한 후, 비감광성 조성물에 패턴을 형성하고, 이어서 소성하는 무기 재료막 구조물의 제조방법. 가요성 임시 지지체 상에 상기 비감광성 조성물로 이루어지는 도포층을 갖는 전사필름.

Description

무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과 전사필름{INORGANIC MATERIAL MEMBRANE, INORGANIC MATERIAL MEMBRANE STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND TRANSFER FILM}
본 발명은 무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과 전사필름에 관한 것이다. 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이나 플라즈마 어드레스 액정(PALC) 디스플레이 패널 등의 격벽이나 유도체의 구조에 관한 것이고, 그것을 형성하는 방법 및 그 형성에 사용되는 전사필름에 관한 것이다. 이들 무기 재료막은 또한, 그 밖의 액정, FED, 유기나 무기의 EL 등의 각종 디스플레이 회로 재료 등의 회로 패턴 등을 이루는 구조물로서도 이용할 수 있다.
최근, 디스플레이나 회로 재료의 분야에서, 무기 재료를 고정밀도로 패턴 가공하는 기술이 강하게 요구되고 있다. 특히, 디스플레이의 분야에 있어서, 소형·고정세화가 진행되고 있고, 그것에 따라서 패턴 가공 기술도 기술 향상이 요구되고 있다.
한편, 유전율 등의 전기적 특성을 제어하기 위해, 재료를 선정하는 것으로 유전율을 저하시키는 시험이 이루어지고 있다. 그러나, 더욱 저하시키는 것이 요구되고 있고, 그것을 실현하는 방법의 개발이 요구되어 있었다.
종래, 무기 재료의 패턴 가공을 행하는 경우, 무기 입자와 유기 바인더로 이루어지는 페이스트를 인쇄한 후, 소성하는 방법이 많이 사용되고 있다. 그러나 스크린 인쇄는 정밀도가 높은 패턴이 형성될 수 없다는 문제가 있었다. 또한, 고종횡비의 패턴을 형성하는 경우, 다층 인쇄를 행할 필요가 있어, 공정이 증가된다는 문제가 있었다.
이와 같은 결점을 해소하기 위해, 특허문헌1, 특허문헌2에서는, 샌드블라스트(sandblast)법을 사용한 격벽 형성방법이 개시되어 있다.
이 방법은 고종횡비의 패턴을 형성할 수 있는 것이나 정밀도가 높다는 등의 특징을 갖고 있다. 그러나, 샌드블라스트 공정에 있어서, 유전체 형성층과 격벽 형성층의 샌드블라스트성을 달리하여, 샌드블라스트 가공할 때, 레지스트 패턴의 개구부의 격벽 형성층만을 제거하고, 그 하층인 유전체 형성층을 잔존시키는 것이 바람직하지만, 샌드블라스트성의 차이를 두는 것이 곤란하였다.
또한, 유전체층을 감광성의 드라이 필름과 샌드블라스트법을 사용하고, 패턴 형성할 때, 격벽 형성층과 감광성 레지스트의 밀착이 약하고, 현상 중이나 샌드블라스트 중에 벗겨진다는 문제가 있었다.
또한, 유전체층의 유전율을 떨어뜨릴 경우, 유리 조성으로부터 연화점이 높아진다는 문제가 있었다.
또한, 소성 공정에 있어서, 수축의 장소적 불균일이 있거나, 수축이 크기 때문이거나, 균열이 발생하기 쉬운 것이나, 샌드블라스트 후의 소성시에 있어서, 격벽이 늘어지기 쉬워 변형된다는 문제가 있었다. 또한, 소성하여 할 수 있었던 격벽의 유전율이 높고, 발열이나 전력 소비 등의 문제가 있었다.
샌드블라스트성을 손상시키는 경우 없이, 감광성의 샌드블라스트용 레지스트와의 밀착성이 좋고, 소성시에 늘어짐이나 변형, 균열이 적은 저유전율의 격벽형성층에 사용되는 재료가 요구되어 있었다.
특허문헌3에는, 무기 조성물의 도포시에 있어서의 결함이나 샌드블라스트시에 있어서의 패턴의 결락, 또한, 소성시의 균열 등의 문제에 대하여, 2종류의 평균 입자 사이즈를 갖는 무기입자를 혼합한 리브 페이스트(rib paste)를 사용하고, 스크린 인쇄로 패턴을 형성하는 방법이 기재되어 있다.
그러나, 소성 후의 고해상도의 미세한 패턴을 형성할 수 없고, 또한, 인쇄법을 사용하고 있기 때문에, 균일성 등의 점에서 충분히 만족하는 것은 아니었다,
특허문헌4에는, 입도 분포에 있어서, 2개의 피크를 갖는 유리를 사용한 유전체 페이스트가 설명되어 있다. 그러나, 본 발명에서 사용하는 필러를 함유하지 않아, 격벽 형성에 제공할 수 없었다. 또한, 전사필름을 사용하는 방법에 대해서는 기재되어 있지 않았다.
또한, 특허문헌5∼13 등에는, 형(型)을 사용한 격벽 형성법이 기재되어 있다. 그러나, 이들 방법을 사용하여도 두꺼운 막에서 균열이 없고, 높이가 균일한 막을 형성하는 것은 곤란하였다.
또한, 특허문헌14에는, 형광체 페이스트를 화소 내면에 압입할 때에 화소면 내의 공기의 빠짐을 좋게 하기 위해 다공질의 격벽을 사용하는 PDP의 제조방법이기재되어 있다. 그러나, 격벽의 가공성이나 저유전율로 하기 위해서는, 어떠한 재질로 하면 좋은지, 또한, 다공성을 형성하는 공극 사이즈나 공극율 등의 다공성의 정도에 관해서는 기재되어 있지 않다.
또한, 특허문헌15에는 격벽의 표면에 격벽 보다도 다공질인 벽을 형성함으로써, 패널 발광 시에 방전 공간 내에 불순 가스가 혼입되기 어렵고, 방전 공간내의 불화성 가스의 순도를 유지, 발광 휘도를 향상시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 저유전율로 하기 위한 지침에 관해서는 하등 개시되어 있지 않고, 격벽 표면의 층의 공극 사이즈나 공극율 등의 다공성의 정도에 관해서의 기재가 없다. 소성시의 균열에 관한 기재는 전혀 없었다.
(특허문헌 1) 일본 특허공개 평10-144206호 공보
(특허문헌 2)일본 특허공개 평10-172424호 공보
(특허문헌 3)일본 특허공개 평11-1343호 공보
(특허문헌 4)일본 특허공개2002-15664호 공보
(특허문헌 5)일본 특허공개2003-123637호 공보
(특허문헌 6)일본 특허공개2000-185938호 공보
(특허문헌 7)일본 특허공개2001-167698호 공보
(특허문헌 8)일본 특허공개2002-75175호 공보
(특허문헌 9)일본 특허공개2002-93313호 공보
(특허문헌 10)일본 특허공개2002-134005호 공보
(특허문헌 11)일본 특허공개2000-173456호 공보
(특허문헌 12)일본 특허공개2001-58352호 공보
(특허문헌 13)일본 특허공개2001-1436128호 공보
(특허문헌 14)일본 특허공개 평5-47303호 공보
(특허문헌 15)일본 특허공개2002-324491호 공보
본 발명은, 저유전율이며, 발열이 억제된 전력이 절약되는 PDP 등이 제공가능한 무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과 그 제조에 사용되는 전사필름을 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명은 소성 후의 격벽이나 유전체의 각종 패턴의 선폭이나 막두께의 변화가 거의 없는, 고정밀도이고 미세한 제조를 갖는 무기 재료막, 무기 재료막 구조물, 및 그 제조방법과 그 제조에 사용되는 전사필름을 제공하는 것에 있다,
또한, 본 발명은 격벽이나 유전체의 각종 패턴을 스크린 인쇄 등의 도포하는 방식에 비하여 간편하게 기판 상에 형성시킬 수 있는 전사필름 및 그것을 사용한 무기 재료막 구조물의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명은 격벽이나 유전체의 각종 패턴 형성용의 비감광성 조성물이 기판에 양호하게 밀착되고, 또한 감광성 레지스트와의 밀착도 양호한 조성물을 갖는 전사필름, 및 그것을 사용한 무기 재료막 구조물의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 이하에 기재된 것이고, 이것에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다.
(1)적어도 무기분말을 함유하는 비감광성 조성물을 소성하여 얻어지는 다공성의 무기 재료막으로서, 상기 무기 재료막은, 공극 면적율이 5∼75%이고, 공극 사이즈가 0.1∼30㎛인 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
(2)상기 (1)에 있어서, 상기 무기분말은, 평균 입자경 및 연화점이 각각 상위한 2종류 이상으로 이루어지고, 또한 평균 입자경이 큰 분말이 높은 연화점을 갖는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
(3)상기 (2)에 있어서, 상기 무기분말은 무기분말a와, 그 보다 연화점이 높으면서, 평균 입자경이 큰 무기분말b로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
(4)상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 무기분말은 평균 입자경 0.2∼2.5㎛인 무기분말A와, 그 보다 평균 입자경이 크고, 또한 평균 입자경 2∼10㎛인 무기분말B로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
(5)상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 무기 재료막을 기판 상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물.
(6)상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 비감광성 조성물을 기판 상에 형성하고, 상기 비감광성 조성물 상에 감광성 조성물을 형성하고, 노광, 현상 처리한 후, 비감광성 조성물에 패턴을 형성하고, 이어서 소성하여 제 5항에 기재된 무기 재료막 구조물을 얻는 것을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물의 제조방법.
(7)상기 (6)에 있어서, 상기 (6)에 기재된 기판 상에 형성되어지는 비감광성 조성물은, 가요성 임시 지지체 상에 형성되어 이루어지는 도포층을 갖는 전사필름으로부터 상기 도포층을 기판 상에 전사한 것임을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물의 제조방법.
(8)가요성 임시 지지체 상에 상기 (6)에 기재된 비감광성 조성물로 이루어지는 도포층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사필름.
본 발명의 무기 재료막 및 그것을 기판 상에 형성한 무기 재료막 구조물의 무기 재료막은 다공성인 것을 특징으로 하고, 공극 면적율과 공극 사이즈를 특정 범위로 규정한 것이다.
상기 무기 재료막은 상기 구성으로 함으로써, 비감광성 조성물을 격벽이나 유전체의 각종 패턴 형성 후에 소성하여 얻어지는 각종 패턴이, 그 중에 적정한 공극이 존재하는 다공성이 되므로 내수축률이 개선됨과 아울러 유전율이 저감된다는 효과가 있다. 유전율의 저감은 PDP 등의 발열을 억제하면서 전력 소비를 저감시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 전사필름 형태로 함으로써, 감광성 조성물의 도포층을 지지체에 전사하여 얻어진 전사 도포층의 표면성을 평활하게 할 수 있으므로, 정밀도가 좋은 프로파일의 우수한 패턴을 소망의 지지체 상에 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 공극 사이즈 및 공극 면적은 무기 재료막의 단면에 있어서의 구멍의 단면으로부터 구해진다.
공극 사이즈는, 상기 단면의 최장의 직경(2점간의 거리)을 의미하고, 본 발명에서는 0.1∼30㎛이고, 0.3∼15㎛가 더욱 바람직하다.
공극 면적은, 구멍 단면의 총합을 의미하고, 개개의 단면의 면적은 SEM의 단면 사진의 구멍 부분을 트레이싱 페이퍼(tracing paper)에 묘사하고, 그것을 잘라 질량을 잼으로써 구할 수 있다.
구멍의 단면 형상은, 특히 제한은 없고, 부정형이거나, 원형이라도 상관없다. 또한, 본 발명에서는, 무기 재료막의 단면적에 대한 공극 면적의 비율을 공극 면적률로 정의한다. 여기서, 공극 면적률은 무기 재료막의 단면을 SEM사진으로 얻고, 100㎛×100㎛ 크기 3개의 단면으로부터의 측정값의 평균을 구한 것이다. 본 발명에서는, 무기 재료막의 공극 면적률은 5∼75%이고, 10∼65%가 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서, 무기 재료막의 다공성을 상기 범위로 제어하는 수단으로서는, 이하의 수단이 열거된다.
무기분말로서, 평균 입자경 및 연화점이 각각 상위한 2종류 이상으로 이루어지고, 또한 평균 입자경이 큰 분말이 높은 연화점을 갖는 것을 사용하는 것이고, 바람직하게는 이하의 수단이 열거된다. 또한, 여기서, 평균 입자경 및 연화점이 서로 다른 무기분말을 평균 입자경 및 연화점이 적은 쪽으로부터 순서대로, 무기분말 a, b, c, d…로 소문자 알파벳 순으로 기재한다.
(1)무기분말로서, 무기분말a와 무기분말b로 이루어지는 혼합물을 사용하는 것.
(2)무기분말로서, 평균 입자경 0.2∼2.5㎛인 무기분말A와 그 보다 평균 입자경이 크고, 또한 평균 입자경 2∼10㎛인 무기분말B로 이루어지는 혼합물을 사용하는 것.
상기 (1)의 수단에 있어서, 무기분말b의 연화점이 무기분말a의 연화점 보다50℃ 이상 높은 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100℃ 이상 높게 되도록 선정한다. 이 높은 쪽의 연화점은 600∼1500℃가 바람직하고, 700∼1400℃가 더욱 바람직하다. 또한, 무기분말a와 무기분말b는, 원소 조성 및/또는 결정 구조가 다르지만, 이 둘의 평균 입자경의 구체적 크기는, 상기 (2)의 범위가 될 필요는 없으나, 이 범위인 것이 바람직하다.
상기 (2)의 수단에 있어서, 무기분말A와 무기분말B의 평균 입자경을 상기와 같이 특정하는 것이 중요하다. 즉, 무기분말A의 평균 입자경은 0.2∼2.5㎛이고, 바람직하게는 0.3∼2.0㎛이고, 무기분말B의 평균 입자경은 2∼10㎛이고, 바람직하게는 2.5∼9㎛이고, 또한, 무기분말A의 평균 입자경 보다도 무기분말B의 평균 입자경의 쪽을 크게 할 필요가 있다. 또한, 무기분말A와 무기분말B는, 원소 조성 및/또는 액정 구조는 동일하여도 좋고, 이 둘의 연화점의 관계는 상기 (1)의 범위가 될 필요는 없으나, 이 범위인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 사용되는 무기분말은, 그 입자 사이즈 분포 곡선이 2개 이상의 극대 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이 무기분말로서는, 예컨대, 무기분말a 또는 b 및 그들의 혼합물, 무기분말A 또는 B 및 그들의 혼합물이 열거된다. 이 입자 사이즈 분포 곡선은 레이저 회절 산란법에 의해, 가로축에 입자경을 세로축에 빈도(체적)를 취해 플롯한 것이다. 또한, 본 발명에 있어서 평균 입자경이란, 상기 빈도의 누적 체적의 총합을 100%로 할 때에 누적 체적이 50%가 되는 입자경(D50)이다(단, 입자 사이즈 분포 곡선에 있어서, 반드시 극대 피크를 갖지 않아도 좋지만, D50 근변에 극대 피크를 갖고 있는 것이 바람직하다).
무기분말이 2개 이상의 극대 피크를 갖도록 하는데는, 그 극대 피크를 부여하는 분말 성분의 배합 비율을, 각각의 분말 전체의 평균 입자경이 본 발명의 범위가 되도록 조정하면 된다.
따라서, 이 경우, 극대 피크를 부여하는 분말 성분의 입자 사이즈 분포 곡선은, 여러가지 선정될 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서 입자 사이즈 분포 곡선의 누적 체적의 총합을 100%로 할 때의 누적 체적이 10%가 되는 입자경(D10)은, 무기분말a 또는 무기분말A에서는 0.1∼2.0㎛가 바람직하고, 무기분말b 또는 무기분말B에서는 1.0∼8.0㎛가 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 입자 사이즈 분포 곡선의 누적 체적의 총합을 100%로 할 때의 누적 체적이 90%가 되는 입자경(D90)은, 무기분말a 또는 무기분말A에서는 2.5∼8.0㎛가 바람직하고, 무기분말b 또는 무기분말B에서는 5∼15㎛가 바람직하다.
상기와 같은 무기분말을 특정하면 비감광성 조성물의 도포층에 있어서, 무기분말b 또는 무기분말B의 간극에 무기분말a 또는 무기분말A가 충전되는 구조가 되고, 또한 소성할 때에 사이즈와 연화점의 상위의 기여에 의해 상기와 같은 공극은 생성되는 것이라 생각된다.
또한, 상기 사이즈나 연화점을 특정하는 것과 아울러 공극 면적률을 조정하기 위해 기여하는 요소로서는, 비감광성 조성물의 조성, 예컨대, 바인더, 용제, 가소제 등을 적당히 선정하는 것, 소성 조건을 선정하는 것 등이 열거된다.
또한, 본 발명의 비감광성 조성물은, 상기 특정의 분말 성분 이외의 무기 성분을 함유하여도 좋다. 상기 무기 성분으로서, 예컨대, 사이즈, 연화점이 다른 무기분말 등을 사용할 수 있다. 예컨대, 평균 입자경 50nm 이하의 콜로이달 실리카 등을 사용할 수도 있다.
본 발명의 무기 재료막의 높이는 50∼800㎛, 격벽으로서 사용하는 경우, 종횡비는 1∼10인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 무기 재료막의 유전율은 3.5∼12가 바람직하다.
본 발명의 비감광성 조성물은, 기판 상에 직접 도포할 수도 있고, 필름에 도포하고, 그 후 기판 상에 전사하여 막을 형성할 수 있다.
본 발명의 전사필름은, 비감광성 조성물의 도포층과 가요성 임시 지지체 사이에 이형성층을 갖는 것이 바람직하다.
이형성층은, 비감광성 조성물의 도포층을 유리 등의 기판 상에 용이하게 또한 정확하게 전사시킬 수 있도록 형성된다.
이형성층으로서는, 이형제를 기판 상에 형성한 것이 열거되고, 이형제로서는, 실리콘계 화합물(예컨대, 고점도 실리콘 화합물, 저점도 실리콘 화합물, 변성 실리콘 화합물), 불소계 화합물, 식물 유지계 화합물(예컨대, 식물성의 인지체(레시틴)를 주성분으로 한 것), 왁스 등이 열거된다.
본 발명의 전사필름은, 이형성층과 도포층이 함께 기판 상에 전사되어도 좋고, 이형성층은 가요성 임시 지지체 상에 고정 도포층만이 전사되도록 하여도 좋다. 따라서, 본 발명의 전사필름을 사용하고, 기판 상에 비감광성 조성물의 도포층을 전사하여 얻어지는 전사 도포층은, 이형성층을 갖고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 전사필름을 사용하면 전사 도포층의 표면을 평활하게 할 수 있고, 그 중심성 평균 표면 조도(Ra)는, 0.5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서의 무기 재료막 구조물의 제조방법의 일예는, 상기 본 발명의 전사필름으로부터 기판 상에 상기 전사 도포층을 형성하고, 그 전사 도포층 상에 감광성 조성물을 형성, 노광, 현상 처리한 후, 비감광성 조성물에 패턴을 형성하고, 이어서, 소성하는 것이 열거된다.
이하, 본 발명의 구성 요소 마다 상세히 설명한다.
A. 가요성 임시 지지체
본 발명의 전사필름에 사용되는 가요성 임시 지지체는, 비감광성 조성물을 도포에 의해 담지시키는 것이다. 이 도설된 비감광성 조성물로 이루어지는 도포층은, 경시적으로 보존되고, 사용시에 유리 기판 등의 기판에 전사됨과 아울러 가요성 임시 지지체는 박리된다.
이와 같은 가요성 임시 지지체로서는, 상기 기능이 발휘되는 것이면, 그 소재, 형태 등은 특히 제한되지 않는다. 가요성 임시 지지체의 소재로서는, 통상, 수지 필름이 사용되고, 예컨대, 폴리에스테르계(예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등), 폴리올레핀계(예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 폴리아미드계(예컨대, 나일론, 아라미드 등), 폴리이미드계, 폴리술폰계, 셀룰로오스계 등이 열거되고, 사용 목적에 따라서 그 종류, 물성(예컨대, 영률, 열팽창률, 표면 조도 등), 두께 등이 적당히 선정된다.
또한, 가요성 임시 지지체에는, 수지 성분 이외에 다른 소재, 예컨대, 무기분말, 이형제 등을 함유시킬 수 있다. 또한, 가요성 임시 지지체의 비감광성 조성물이 형성되는 측의 면을 물리적 및/또는 화학적으로 처리하여도 좋다. 예컨대, 도프 코트처리(상기 이형성층을 형성하는 것, 예컨대, 왁스 코트, 실리콘 코트 등의 수지 코트 등), 금속 증착 처리, 스패터링 처리, 도금 처리, 티끌과 먼지 제거 처리, 알칼리 처리, 열처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리 등이 열거된다.
B. 비감광성 조성물
본 발명의 비감광성 조성물, 또는 가요성 임시 지지체에 도포되어 도포층이 되는 비감광성 조성물은, 적어도 무기분말을 함유하고, 또한 수지 및 용제를 성분으로 한다. 비감광성 조성물은, 상기 성분 이외에 공지의 각종 첨가제, 예컨대, 가소제, 보존제, 계면활성제 등을 함유할 수 있다.
단, 비감광성 조성물은, 무기분말 성분의 배합율을 높인 조성이고, 그 이점을 유효하게 발휘시키기 위해서는 유기 성분은 될 수 있는 한 적은 쪽이 바람직하다.
B-a. 무기분말
무기분말로서는, 특히 제한되지는 않지만, 소성된 무기 재료막에 주로 불투명성을 부여하는 기능을 갖는 무기 물질, 예컨대, 알루미나, 산화티탄, 지르코니아, 코디어라이트(cordierite) 등의 금속 산화물, 금속 등, 소성된 무기 재료막에 주로 투명성을 부여하는 기능을 갖는 무기 물질, 예컨대, 유리, 바람직하게는 저융점 유리 등을 열거할 수 있다.
저융점 유리 분말이란, 연화점이 390∼990℃인 것을 의미하고, 선열팽창 계수가 (45∼100)×10-7K-1, 또는 (50∼90)×10-7K-1의 것이 바람직하다.
저융점 유리 분말의 조성으로서는, 산화 규소는 3∼80질량%의 범위로 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼70질량%이다. 3질량% 미만의 경우는, 유리층의 치밀성, 강도나 안정성이 저하하고, 또한, 열팽창 계수가 소망의 값으로부터 벗어나, 유리 기판과의 미스매치가 일어나기 쉽다. 또한, 70질량% 이하로 함으로써, 열연화점이 낮게 되고, 유리 기판으로의 인화가 가능하게 되는 등의 이점이 있다.
저융점 유리 분말의 조성으로서, 산화비스무트, 산화납, 산화아연, 산화알루미늄, 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨 중 적어도 1종류를 5∼60질량% 함유하는 것, 또는 산화붕소, 산화비스무트 또는 산화납을 합계로 8∼60질량% 함유하고, 또한 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨 중 1종 이상을 0∼15질량% 함유하는 유리 입자를 사용한 유리가 융점이 낮아 바람직하다.
저융점 유리 분말 조성의 바람직한 예로서는, (1)산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (2)산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (3)산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-A12O3계)의 혼합물), (4)산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 예시할 수 있다.
또한, (5)산화주석, 산화아연, 산화인계(SnO-ZnO-P2O5계)의 혼합물, (6)산화동, 산화인계(CuO-P2O5계)의 혼합물, (7)산화비스무트, 산화붕소계(Bi2O3-B2O3계)의 혼합물을 예시할 수 있다.
특히, 상기(1)∼(7)에 있어서, 납성분을 제거한 혼합물, 소위, 무연 유리는, 환경 보전의 점에서 바람직할 뿐만 아니라, 무기 재료막의 유전율을 저하시키는데 유효하고, PDP용 부재에 응용한 경우, 전력 절약성이 우수하고, 또한, 알루미나 등의 금속 산화물 분말과의 혼련성도 좋게 되어, 무기질막 균일성을 개량할 수 있다.
또한, 무연 유리로서는, 상기 성분 이외에 BaO, CaO, MgO, Na2O, K2O, Li2O, Al2O3, TiO2, ZrO2, Nb2O5, Bi2O3, SrO, V2O5, CuO 등으로부터 선택되는 1종 이상을 함유할 수 있고, 또한 소망의 원소를 배합할 수 있다.
무연 유리로서는, 적어도 ZnO, B2O3, SnO, SiO2, P2O5, BaO 및 Bi2O3중 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하다. 이 조성으로서는, 몰비로 ZnO/B2O3/SnO/SiO2/P2O5/BaO/Bi2O3/기타 = 20∼70/0∼80/0∼55/0∼45/0∼60/0∼50/0∼ 15/0∼15가 바람직하고, 25∼65/0∼75/0∼50/0∼40/0∼55/0∼45/0∼13/0∼13이 더욱 바람직하다.
비감광성 조성물에 특정의 무기분말 성분 이외의 각종 금속 산화물을 첨가함으로써, 패턴에 착색할 수 있다. 예컨대, 비감광성 조성물에 흑색의 금속 산화물을 1∼10질량% 함유시킴으로써, 흑색의 패턴을 형성시킬 수 있다. 이 목적에 사용되는흑색 또는 그 밖의 착색된 산화물로서, Cr, Fe, Co, Mn, Cu의 산화물 중, 1종 이상, 바람직하게는 3종 이상을 함유시킴으로써, 흑색화가 가능하게 된다. 특히, Fe와 Mn의 산화물을 각각 0.5질량% 이상 함유시킴으로써, 보다 흑색의 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 흑색 이외에 적색, 청색, 녹색으로 발색하는 무기 안료를 첨가한 비감광성 조성물을 사용함으로써, 각 색의 격벽이나 컬러필터 등, 착색된 패턴의 무기 재료막을 형성할 수 있다.
B-b. 수지
비감광성 조성물에 함유되는 수지로서는, 특히 제한되지 않지만, 셀룰로오스 화합물이나 아크릴 화합물을 사용할 수 있다.
(셀룰로오스 화합물)
비감광성 조성물에 사용하는 셀룰로오스 화합물은, 셀룰로오스 및 그 유도체를 포함한다. 셀룰로오스 화합물은, 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸프로필 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 셀룰로오스 아세테이트부티레이트, 셀룰로오스 부티레이트 등의 셀룰로오스계 수지다.
셀룰로오스 유도체의 치환기의 치환율은, 셀룰로오스 수산기의 0∼90%, 바람직하게는 10∼80%이다. 예컨대, 에틸 셀룰로오스에서는, 10∼70%의 치환율의 것이 바람직하다. 이들의 바인더는, 단일종의 폴리머를 사용해도 좋고, 또한 서로 혼화하는 폴리머끼리이면 상기한 것 이외의 셀룰로오스 유도체 또는 비셀룰로오스계 폴리머와 혼합하여 사용하여도 좋다. 혼합 비율은, 혼화할 수 있고, 또한 바인더로서의 기능이 유지되는 한 임의이다.
바인더로서 사용하는 셀룰로오스 유도체는, 상기의 것 이외에 수용성기로 치환된 셀룰로오스 유도체를 부차적 성분으로서 첨가해도 좋고, 이 수지는 수용성기의 이외에 저급 알킬기 또는 저급 아실기를 치환기로서 포함하고 있어도 좋다. 치환기의 수용성기는, 히드록시알킬기(탄소수1∼3) 및 카르복시메틸기이다.
이들 히드록시알킬 셀룰로오스의 히드록시 알킬기의 치환율은, 글루코오스 1단위당 1.3∼7.0당량이며, 바람직하게는 1.5∼5.0당량이다. 치환율은, 글루코오스 1단위당 3.0을 초과하는 경우는, 히드록시알킬 치환된 그 히드록시알킬기에 치환을 더 행하는 것을 의미한다. 치환율이 1.3당량 이하에서는 용해성, 혼화성이 불충분하게 되고, 7.0당량을 초과하면 치환도를 상승시키기 어렵고, 제조 비용이 높아진다. 특히, 바람직한 수용성기 치환 셀룰로오스 유도체는, 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시메틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스, 카르복시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필메틸 셀룰로오스, 히드록시메틸프탈산 셀룰로오스, 히드록시프로필메틸 셀룰로오스프탈레이트, 히드록시프로필메틸 셀룰로오스아세테이트 프탈레이트, 황산 셀룰로오스이다.
메틸 셀룰로오스는, 알칼리 셀룰로오스와 염화메틸 또는 디메틸 황산으로부터 통상의 방법에 의해 합성된다. 또한, 에틸렌옥사이드와 통상의 방법에 의하여 반응시킴으로써, 히드록시에틸메틸 셀룰로오스가 얻어진다. 에틸 셀룰로오스는, 알칼리 셀룰로오스를 가압 하에서 염화 에틸과 반응시켜 얻어진다. 그 밖의 알킬 셀룰로오스도 같은 방법으로 합성할 수 있다. 히드록시에틸 셀룰로오스는, 셀룰로오스와 에틸렌옥사이드로부터 통상의 방법에 의해 합성된다. 카르복시메틸 셀룰로오스는, 가성 알칼리의 존재 하에서 셀룰로오스와 모노클로로 아세트산을 통상의 방법에 의해 반응시켜 얻어진다. 또한, 황산 셀룰로오스는 셀룰로오스와 디메틸포름아미드를 정법에 의해 반응시켜 얻어진다. 그 밖의 셀룰로오스 유도체도 동일한 공지의 방법으로 합성할 수 있다. 또한, 시판도 되어 있다.
(아크릴 화합물)
아크릴 화합물로서는, 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물(R1이 수소원자인 경우의 아크릴레이트 화합물 및 R1이 메틸기인 경우의 메타크릴레이트 화합물의 총칭)의 단독 중합체(1a), 하기 일반식(1)으로 나타내지는(메타)아크릴레이트 화합물 중 2종 이상의 공중합체(1b), 및 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체의 공중합체(1c)가 포함된다.
H2C=C(Rl)COOR2(1)
[식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 폴리알킬렌글리콜의 반에스테르 잔기, 폴리알킬렌글리콜모노에테르의 에스테르 잔기 등이 열거된다.]
단독 중합체(1a) 및 공중합체(1b)를 생성하기 위해 사용되는 상기 일반식(1)으로 나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물의 구체예로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 아밀(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 스테알릴(메타)아크릴레이트, 이소스테알릴(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트; 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메타)아크릴레이트; 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메타)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메타)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메타)아크릴레이트, 보르닐(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메타)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메타)아크릴레이트; 벤질(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트 등을 열거할 수 있다. 이들 중, 상기 일반식(1) 중, R2로 나타내어지는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 (메타)아크릴레이트 화합물로서, 메틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메타)아크릴레이트를 열거할 수 있다
공중합체(1c)를 생성하기 위해 사용하는 (메타)아크릴레이트 화합물과의 공중합에 제공되는 다른 공중합성 단량체로서는, 상기 (메타)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특히 제한은 없고, 예컨대, (메타)아크릴산, 비닐안식향산, 말레인산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류: 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 열거할 수 있다. 공중합체(1c)에 있어서, 상기 일반식(1)으로나타내어지는 (메타)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분은, 통상 40질량% 이상, 바람직하게는 50질량% 이상이다.
단독 중합체(1a), 공중합체(1b) 또는 (1c)인 아크릴 화합물의 분자량으로서는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 질량평균분자량으로서 1,000∼300,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2,000∼200,000이다.
비감광성 조성물에 있어서의 수지의 함유 비율로서는, 저융점 유리 분말 성분 100질량부에 대하여, 1∼20질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15∼18질량부이다. 수지의 비율이 과소일 경우에는, 저융점 유리 분말 성분을 확실하게 결착 유지할 수 없고, 한편, 이 비율이 과대할 경우에는, 소성 공정에 긴 시간을 필요로 하거나, 형성되는 소결체(무기 재료막)가 충분한 강도나 막두께를 갖지 않는다.
B-c. 용제 및 가소제
본 발명의 비감광성 조성물을 구성하는 용제로서는, 무기분말과의 친화성, 수지의 용해성이 양호하고, 비감광성 조성물에 적당한 점성을 부여할 수 있음과 아울러, 건조됨으로써 용이하게 증발 제거될 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 특히 바람직한 용제로서는, 표준 비점(1기압에 있어서의 비점)이 60∼300℃인 케톤류, 알콜류 및 에스테르류 등을 열거할 수 있다.
이러한, 용제의 구체예로서는, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 헵타논, 옥타논, 시클로헥사논, N-메틸피롤리돈 등의 케톤류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올류, n-헵탄올, 4-메틸-2-펜타놀, 시클로헥사놀, 7-브로모-헵타놀, 옥타놀, 디아세톤알콜, 글리세린, 벤질알콜, 테레빈유, 터피네올 등의 알콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르계 알콜류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 디에틸렌글리콜로모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중 터피네올, N-메틸피롤리돈, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.
또한, 무기 재료막의 유연성을 높이거나, 자기 접착성을 부여하기 위해 가소제를 첨가할 수 있다. 가소제로서는 부틸벤질프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디카프릴프탈레이트, 디부틸프탈레이트 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 비감광성 조성물(도포층 형성 전)에 있어서의 용제의 함유 비율로서는, 비감광성 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 관점으로부터, 무기분말 100중량부에 대하여 5∼50질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 8.0∼40질량부이다. 또한, 가소제의 비율은 무기분말 100질량부에 대하여 0∼20질량부인 것이 바람직하다.
B-d. 비감광성 조성물의 조제
본 발명의 비감광성 조성물에는, 상기의 필수성분 이외에, 분산제, 레벨링제, 점착성 부여제, 표면장력 조정제, 안정제, 소포제 등의 각종 첨가제가 임의성분으로서 함유되어 있어도 좋다. 바람직한 비감광성 조성물(도포층 형성전)의 일예를 나타내면, 무기분말 100질량부에 대하여, 수지 1∼20질량부, 용제 10∼50질량부, 가소제 2∼10질량부를 함유하는 비감광성 조성물을 열거할 수 있다. 본 발명의 비감광성 조성물은, 상기 성분을 롤혼련기, 믹서, 호모믹서, 샌드밀 등의 혼련·분산기를 사용하여 혼련함으로써 조제할 수 있다. 상기와 같이 하여 조제되는 본 발명의 비감광성 조성물은 도포층의 형성에 적당한 유동성을 갖는 비감광성 조성물이다.
C. 전사필름의 제작
상기 비감광성 조성물은, 가요성 임시 지지체 상에 도포층을 형성하기 위해 사용된다.
도포에 제공되는 감광성 조성물의 점도로서는 1∼300Pa·sec인 것이 바람직하다. 도포기로서는 롤 코터, 블레이드 코터, 커텐 코터, 와이어 코터 등이 열거되고,이것에 의해 가요성 임시 지지체 상에 비감광성 조성물의 도포층을 도포할 수 있고, 도포층을 롤형상으로 권회(卷回)한 상태로 보존하고, 공급할 수 있다. 가요성 임시 지지체의 두께로서는, 예컨대, 10∼100㎛가 열거된다. 전사필름을 구성하는 도포층은, 본 발명의 비감광성 조성물을 가요성 임시 지지체 상에 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 본 발명의 비감광성 조성물을 가요성 임시 지지체 상에 도포하는 방법으로서는, 막두께의 균일성이 우수한 막두께의 크기(예컨대, 20㎛ 이상)도막을 효율 좋게 형성할 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 비감광성 조성물이 도포되는 가요성 임시 지지체의 표면에는 이형성층을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 기판 상으로의 도포층의 전사 공정에 있어서, 가요성 임시 지지체의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 전사필름에는 도포층의 표면에 보호 필름층이 형성되어 있어도 좋다. 이와 같은 보호 필름층으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌필름, 폴리비닐알콜계 필름 등을 열거할 수 있다.
본 발명의 비감광성 조성물은 상기와 같이 전사필름을 제조할 때에 사용하여도 좋고, 스크린 인쇄법 등에 의하여 상기 비감광성 조성물을 유리 기판 등의 표면에 직접 도포하고, 도막을 건조함으로써 도포층을 형성하는 방법에도 사용할 수 있다. 여기서, 스크린 인쇄법에 의한 기판으로의 도포공정에 제공되는 비감광성 조성물의 점도로서는, 10∼2000Pa·sec인 것이 바람직하다.
D. 무기 재료막 구조물의 제조방법
본 발명의 무기 재료막 구조물의 제조방법은, 전사필름으로부터 유리판과 같은 기판 상에 전사 도포층을 형성하고, 상기 전사 도포층의 표면에 감광성 드라이 필름을 라미네이트 하고, 상기 감광성 드라이 필름 상에 패턴 노광, 현상을 순차적으로 행하여 형성한 레지스트 패턴을 사용하고, 샌드블라스트법에 의해 상기 기판상에 패턴을 형성하고, 이어서 소성하여 형성하는 방법이 바람직하다.
이 전사 도포층의 표면에 라미네이트되는 감광성 드라이 필름은, PET필름과 같은 임시 지지체 상에 감광성 수지 조성물층(레지스트층이라 함)이 형성되어 있는 것이며, 포지티브형의 레지스트 재료이어도 네가티브형의 레지스트 재료이어도 좋지만, 네가티브형쪽이 바람직하다. 포지티브형으로는, 특히 알칼리 가용성 페놀 수지와 나프토퀴논디아지드의 혼합물로 이루어지는 포지티브형 레지스트가 바람직하다. 그 중에서도 크레졸 노볼락 수지와 o-나프토퀴논디아지드술폰산 유도체로 이루어지는 것이 바람직하다. 네가티브형으로서는, 아릴시클로환을 갖는 쇄상 폴리머 등의 환상 고무와 방향족 비스아지드 화합물 등의 비스아지드 화합물이 조합된 환상 고무 비스아지드계 레지스트, 메타크레졸 노볼락 수지에 1-아지드피렌이 조합된 노볼락 수지-아지드계 레지스트, 아크릴계 모노머와 광중합 개시제가 조합된 아크릴계 레지스트액 등이 열거된다. 이들은, 시판품으로서 입수할 수 있다.
전사 도포층이 형성되는 기판이란, 유리 등의 단체의 기판, 전극 내지 회로 등을 갖는 기판 등을 말하고, 기판면이란, 기판의 바깥이어도 안이어도 좋다.
전사 도포층에 감광성 드라이 필름을 라미네이트한 후, 감광성 드라이 필름 상에 노광 장치를 사용하여 패턴 노광을 행한다. 상기 전사 도포층의 형성 및 상기 라미네이트는, 열롤러를 사용할 수 있다. 전사 도포층의 형성은, 본 발명의 전사필름의 도포층과 기판을 밀착시켜 열롤러를 통과시키고, 그 후, 임시 지지체를 박리시켜, 전사 도포층을 얻는다. 감광성 드라이 필름의 라미네이트는, 그 전사 도포층 상에 감광성 드라이 필름을 밀착시켜, 상기와 동일하게 열롤러를 통과시키고, 그후, 감광성 드라이 필름의 임시 지지체를 박리시키는 것이 열거된다. 이 감광성 드라이 필름의 임시 지지체의 박리는 노광 공정 전이어도 후이어도 행할 수 있다.
노광 공정은 통상의 포토리소그래피에서 수행되는 바와 같이, 포토마스크를 사용하여 마스크 노광하는 방법이 일반적이다. 사용되는 마스크는, 레지스트층의 감광성 유기 성분의 종류에 따라서, 네가티브형 또는 포지티브형 중 어느 쪽을 선정한다. 또한 포토마스크를 사용하고 않고, 적색이나 청색의 가시광 레이저광, Ar 이온레이저, UV이온 레이저 등으로 직접 묘화하는 방법을 사용해도 좋다.
노광 장치로서는, 스테퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 사용할 수 있다. 또한, 대면적의 노광을 행하는 경우는, 유리 기판 등의 기판을 반송하면서, 노광을 행함으로써, 적은 감광면적의 노광기로 큰 면적을 노광할 수 있다.
이 때, 사용되는 활성 광원은, 예컨대, 가시광선, 근자외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등이 열거되지만, 이들 중에서 자외선이 바람직하고, 그 광원으로서는 예컨대, 저압 수은등, 고압 수은등, 초과압 수은등, 할로겐램프, 살균등 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 초고압 수은등이 바람직하다. 노광 조건은 도포 두께에 의하여 달라지지만, 1∼100mW/cm2의 출력의 초고압 수은등을 사용하여 0.1∼30분간 노광을 행한다.
노광 후, 레지스트층의 감광 부분과 비감광 부분의 현상액에 대한 용해도차를 이용하고, 현상을 수행하지만, 이 경우, 침지법이나 스프레이법, 브러시법으로 행할 수 있다. 사용되는 현상액은 수현상이 가능하지만, 레지스트층 중의 유기 성분이 용해가능인 유기 용매도 사용할 수 있다. 레지스트층 중에 카르복실기 등의 산성기를 지닌 화합물이 존재하는 경우, 물 보다도 알칼리 수용액으로 현상하는 쪽이 바람직한 경우도 있다. 알칼리 수용액으로서 수산화나트륨이나 탄산나트륨, 수산화칼슘 수용액 등과 같은 금속 알칼리 수용액을 사용할 수 있으나, 유기 알칼리 수용액을 사용한 쪽이 소성시에 알칼리 성분을 제거하기 쉬우므로 바람직하다. 또한, 수지에 의해서는 물로 현상할 수도 있다.
유기 알칼리로서는, 일반적인 아민 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸벤질암모늄히드록시드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등이 열거된다. 알칼리 수용액의 농도는 통상 0.01∼10질량%, 보다 바람직하게는 0.1∼5질량%이다. 알칼리 농도가 지나치게 저하하면 가용부가 제거되지 않고, 알칼리 농도가 지나치게 높으면, 패턴부를 박리시키고, 또한 비가용부를 부식시킬 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한, 현상시의 현상온도는 20∼40℃에서 수행하는 것이 공정 관리상 바람직하다.
다음에, 레지스트층에 형성된 패턴에 따라서 전사 도포층을 제거하는 공정으로 이동한다. 이 공정은 샌드블라스트법이 바람직하다. 샌드블라스트법은, 압축 기체와 혼합된 연마제 미립자를 고속으로 분사하여 물리적으로 전사 도포층에 에칭을 실시하는 가공 방법이다.
또한, 전사 도포층의 에칭에는 일본 특허공개2000-16412호 공보에 기재된 고압 스프레이 현상을 사용할 수도 있다.
전사 도포층의 에칭 후, 전사 도포층 상의 레지스트 패턴을 제거하는 공정을형성하여도 좋고, 그대로 소성 공정으로 이동시켜도 좋다. 이 레지스트 패턴을 제거하는 공정으로는, 박리액에 침지시키거나, 스프레이 도포시켜 제거할 수 있다.
다음에 소성로에서 소성을 행한다. 소성 분위기나 온도는 전사 도포층이나 기판의 종류에 따라서 달라지지만, 공기 중, 질소, 수소 등의 분위기 중에서 소성한다. 소성로로서는, 배치식의 소성로나 벨트식의 연쇄형 소성로를 사용할 수 있다. 소성온도는 400∼600℃에서 행한다. 소성시간은 10∼60분간이다. 소성 온도는 낮은 쪽이 에너지 경제적으로 바람직하지만, 유기 성분을 제거하기 위해서면, 유리의 소결을 촉진시키기 위해 400℃의 온도가 필요하다. 또한, 600℃ 이상으로 높게 할 필요는 없다. 또한, 이상의 노광, 현상, 소성의 각 공정 중에 건조, 예비반응의 목적으로 50∼300℃ 가열 공정을 도입하여도 좋다.
본 발명의 무기재료막 구조물의 제조방법으로서는, 감광성 드라이 필름을 사용하는 방법의 이외에, 본 발명의 전사필름을 사용하여 형성한 전사 도포층을, 감광성 드라이 필름을 사용하지 않고 엠보싱법에 의해 패턴을 기판 상에 형성하는 방법을 사용하여 제조하는 방법을 사용할 수 있다. 이 엠보싱법은, 형을 전사 도포층에 있어서, 직접적으로 전사 도포층에 패턴을 형성하는 방법이 열거된다. 사용되는 형으로서는, 볼록상 패턴에 대응하는 부분이 오목 형상이며, 오목상 패턴에 대응하는 부분이 볼록 형상의 형(회전형, 평형 등)이 열거되고, 이 형을 전사 도포층에 소정 깊이까지 눌러서 전사 도포층을 형에 따라서 소성 변형시켜, 패턴을 형성하는 방법이다.
다른 엠보싱법으로서는, 패턴의 볼록부에 대응한 구멍을 갖은 암형(femaledie)을 전사 도포층에 있어서, 상기 볼록부만을 취하고, 이어서, 암형에서 취한 전사 도포층을 기판 상에 상기 구멍에 대응한 숫형(male die)이나 액압이나 기압으로 압출함으로써, 패턴을 형성하는 방법이 열거된다.
이들 형의 표면 및/또는 전사 도포층 표면에는 상기 이형성층에 사용된 이형제가 실시되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은, 예컨대, 일본 특허공개 평10-326562호 공보, 일본 특허공개2002-93313호 공보에 기재된 방법을 채용할 수 있다. 이 경우의 전사 도포층은, 상기 형 성형이 가능한 그 전사 도포층의 조성(특히 용제, 가소제 등의 종류, 양)이 선정되어, 그 가소성이 적정하게 조정된다
(실시예)
이하에, 본 발명에 대해서 실시예를 사용하여, 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
실시예1-1∼1-11, 비교예1-1∼1-4
1)도포용 비감광성 조성물의 조제
도포용 비감광성 조성물1의 조제
평균 입자경이 1.2㎛인 무기분말 가(A1)(표1에 기재) 70g과 평균 입자경이 7㎛인 무기분말 나(B1)(알루미나, 연화점: 1200℃)30g으로 이루어지는 무기분말을 터피네올과 프로필렌글리콜모노메틸에테르의 혼합 용제에, 2g의 수지(에틸셀룰로오스)를 용해한 용액에 분산, 그 후, 가소제로서, 디부틸프탈레이트를 첨가하고, 혼련하여, 도포용 비감광성 조성물1을 얻었다. 또한, 무기분말 가의 종류는 조성 성분의 비율을 설정하여 소정의 연화점을 얻었다.
도포용 비감광성 조성물2∼15의 조제
도포용 비감광성 조성물1에 있어서, 표2에 기재된 무기분말 성분, 수지, 가소제, 및 용제를 변경한 것 이외는 동일하게 하여, 도포용 비감광성 조성물2∼12을 얻었다. 도포용 비감광성 조성물2∼4은, 수지, 가소제, 용제를 변경한 예이고, 동일한 조성물5∼8 및 11 및 12는, 무기분말 성분의 사이즈를 변경한 예이며, 동일한 조성물9∼10은 무기분말 성분의 소재를 변경한 예이다.
2)전사필름의 제조
상기 도포용 비감광성 조성물1을, 미리 이형성층이 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어지는 가요성 임시 지지체(폭400mm, 길이30m, 두께70㎛) 상에 롤러 코터를 사용하여 도포하고, 형성된 도막을 100℃에서 30분간 건조함으로써, 용제를 제거하고, 이것에 의해 두께 120㎛의 도포층이 형성되어 이루어지는 전사필름을 제조하였다. 이 전사필름에 대해서, 도포층의 표면상태를 현미경을 사용해서 관측하였더니, 유리 분말의 응집물, 줄무늬 형상의 도장 흔적, 구멍, 핀홀 등의 막 결함은 확인되지 않고, 구멍형상의 패임도 관측되지 않았다.
3)도포층의 전사
20인치 패널용의 유리 기판의 표면(버스전극의 고정면)에, 도포층의 표면이 당접되도록 전사필름을 중첩시키고, 이 전사필름을 가압롤러에 의해 압착시켰다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤러의 표면온도를 110℃, 롤압을 3kg/cm2(294kPa), 가열롤의 이동 속도를 1m/분으로 하였다. 열압착 처리의 종료 후,도포층으로부터 임시 기판을 박리 제거하였다. 이것에 의해, 유리 기판의 표면에 도포층이 전사되어 밀착된 상태가 된 전사 도포층이 얻어졌다. 전사 도포층의 밀착성은 양호하였다. 또한, 전사 도포층의 중심선 평균 표면조도 Ra는, 0.1㎛이었다.
4) 감광성 드라이 필름의 라미네이트
이어서, 전사 도포층 상에, 보호막을 갖는 네가티브형 드라이 필름 레지스트 (니폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤 제품, NCP225, 25㎛)을 100℃의 열롤로 라미네이트하였다.
5)패턴의 형성
레지스트층 상에, 선폭 220㎛, 스페이스 80㎛의 라인앤드스페이스의 패턴 마스크를, 위치를 맞추어 배치시키고, 자외선 조사(364nm, 강도20mW/cm2, 조사량 12OmJ/cm2)하고, 노광한 후 포토레지스트층 상의 보호막을 박리시켜, 액온 30℃의 탄산 나트륨 1질량% 수용액을 사용하여 스프레이 현상하였다. 라인패턴마스크에 따른 레지스트 패턴이 얻어졌다.
이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로서, 샌드블라스트 가공 장치를 사용하여, 레지스트 패턴 개구부의 전사 도포층을 샌드블라스트 처리하였다.
그 후, 패턴처리된 전사 도포층을 갖는 기판을 소성로 내에 배치하고, 로내의 온도를 상온으로부터 5℃/분의 승온속도로 570℃까지 승온하고, 570℃의 온도 분위기로 30분간에 걸쳐서 소성 처리함으로써, 유리 기판 표면에 백색으로 불투명한 소성패턴을 형성하였다. 형성된 소성패턴을 육안으로 관측하였더니, 균열, 기판으로부터의 박리 등은 확인되지 않았다.
또한, 전자 현미경으로 무기 재료막의 단면을 관찰한 결과, 0.5∼10㎛의 무수의 공극이 확인되고, 다공성의 패턴이 형성된 것이 확인되었다.
형성된 패턴의 다공성, 내수축률, 해상성에 관해서 평가하고, 결과를 표2에 나타내었다. 또한, 도포용 비감광성 조성물2∼12에 관해서도 상기 2)∼5)를 실시하고, 동일하게 평가하였다. 도포용 비감광성 조성물2∼12를 사용하여 제작된 전사필름을 사용하여 형성된 패턴은, 도포용 비감광성 조성물1을 사용한 것과 동일하게 육안으로 관측하였다.
다공성: 공극면적율을 구하였다.
내수축률(%): (100×소성후 막두께/소성전 막두께)로 구하였다.
해상성: 노광량을 변경하여 선폭을 바꾸고, 소성 후의 패턴의 한계 해상력을 조절하였다. 이 해상력은 소성 후의 무기 재료막의 폭이다.
(표 1)
무기분말 가의 종류 조성 성분 연화점(℃)
A PbO-SiO2-B2O3-Al2O3-BaO 560
B PbO-SiO2-B2O3-Al2O3-ZnO 520
C PbO-SiO2-B2O3-MgO 580
(표 2)
상기 표로부터, 본 발명의 전사필름을 사용한 실시예는, 비교예에 비하여, 적당한 공극을 갖고, 소성 시의 수축이 적은 패턴이 얻어진다는 것이 확인된다. 또한, 소성 후의 선폭 변화도 적고, 높은 해상력이 얻어지는 것이 확인되었다. 한편, 비교예는, 무기 재료막 내부는 치밀하고, 공간은 거의 보이지 않았다.
실시예2-1∼2-11, 비교예2-1∼2-4
1)도포용 비감광성 조성물의 조제
도포용 비감광성 조성물13의 조제
평균입자경이 1.2㎛인 무기분말 가(A1)(표3에 기재) 70g과 평균 입자경이 7㎛인 무기분말 나(B1)(표 3에 기재)30g으로 이루어지는 무기분말 성분을 터피네올과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 혼합 용제에, 수지(에틸 셀룰로오스)를 용해한 용액에 분산, 그 후, 가소제로서, 디부틸프탈레이트를 첨가하고, 혼련하여, 도포용 비감광성 조성물13을 얻었다. 또한, 무기분말의 종류는 조성 성분의 비율을 설정하여 소정의 연화점을 얻었다.
도포용 비감광성 조성물14의 조제
도포용 비감광성 조성물1의 에틸셀룰로오스 대신에 폴리메틸메타크릴레이트를 사용하여 동일하게 도포용 비감광성 조성물14를 얻었다.
도포용 비감광성 조성물15∼27의 조제
도포용 비감광성 조성물13에 있어서, 표4에 기재된 무기분말 가 및 나의 조합을 변경한 것 이외는 동일하게 하여 도포용 비감광성 조성물 15∼27을 얻었다.
2)전사필름의 제조
상기 도포용 비감광성 조성물13을, 미리 이형성층이 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어지는 가요성 임시 지지체(폭400mm, 길이30m, 두께90㎛)상에 롤러 코터를 사용하여 도포하고, 형성된 도막을 100℃에서 30분간 건조함으로써, 용제를 제거하고, 이것에 의해 두께 50㎛의 도포층이 형성되어 이루어지는 전사필름을 제조하였다. 이 전사필름에 대해서, 도포층의 표면상태를 현미경을 사용하여 관측하였더니, 유리 분말의 응집물, 줄무늬 형상의 도장 흔적, 구멍, 핀홀 등의 막 결함은 확인되지 않고, 구멍형상의 패임도 관측되지 않았다.
3)도포층의 전사
20인치 패널용의 유리 기판의 표면(버스전극의 고정면)에, 도포층의 표면이 당접되도록 전사필름을 중첩시키고, 이 전사필름을 가압롤러에 의해 열압착시켰다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열롤의 표면온도를 110℃, 롤압을 3kg/cm2(294kPa), 가열롤의 이동 속도를 1m/분으로 하였다. 열압착 처리의 종료 후, 도포층으로부터 임시 지지체를 박리 제거하였다. 이것에 의해, 유리 기판의 표면에 도포층이 전사되어 밀착된 상태가 된 전사 도포층이 얻어졌다. 전사 도포층의 밀착성은 양호하였다. 또한, 전사 도포층의 중심선 평균 표면조도 Ra는, 0.1㎛이었다.
4)감광성 드라이 필름의 라미네이트
이어서, 전사 도포층 상에, 보호막을 갖는 네가티브형 드라이 필름 레지스트 (니폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤 제품, NCP225, 25㎛)을 100℃의 열롤로 라미네이트하였다.
5)패턴의 형성
레지스트층 상에, 선폭 200㎛, 스페이스 50㎛의 라인앤드스페이스의 패턴 마스크를, 위치를 맞추어 배치시키고, 자외선 조사(364nm, 강도20mW/cm2, 조사량 12OmJ/cm2)하고, 노광한 후 포토레지스트층 상의 보호막을 박리시켜, 액온 30℃의 탄산 나트륨 1질량% 수용액을 사용하여 스프레이 현상하였다. 라인패턴 마스크에 따른 레지스트 패턴이 얻어졌다.
이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로서, 샌드블라스트 가공 장치를 사용하여, 레지스트 패턴 개구부의 전사 도포층을 샌드블라스트 처리하였다.
그 후, 패턴처리된 전사 도포층을 갖는 지지체를 소성로 내에 배치하고, 로내의 온도를 상온으로부터 5℃/분의 승온속도로 570℃까지 승온하고, 570℃의 온도 분위기로 30분간에 걸쳐서 소성 처리함으로써, 유리 기판 표면에 투명한 소성패턴을 형성하였다. 형성된 소성패턴을 육안으로 관측하였더니, 균열, 지지체로부터의 박리 등은 확인되지 않았다.
또한, 전자 현미경으로 유전체층의 단면을 관찰한 결과, 0.1∼10㎛의 무수의 공극이 확인되고, 다공성의 무기 재료막이 형성된 것이 확인되었다. 또한, 투명성도 양호하였다.
형성된 소성 패턴의 다공성, 내수축률, 현상성에 관해서 상기와 동일하게 평가하고, 결과를 표4에 나타내었다. 또한, 도포용 비감광성 조성물12∼27에 관해서도 상기 2)∼5)를 실시하고, 동일하게 평가하였다. 도포용 비감광성 조성물12∼27를 사용하여 제작된 전사필름을 사용하여 형성된 소성 패턴은, 도포용 비감광성 조성물1을 사용한 것과 동일하게 육안으로 관측하였다.
(표 3)
무기분말 종류 A1 B1 C1 D1 E1 A2 A3
조성성분 A B C D E A A
연화점(℃) 560 580 470 570 830 610 720
조성성분
A PbO-SiO2-B2O3
B PbO-SiO2-B2O3-A12O3-BaO
C PbO-SiO2-B2O3-A12O3-ZnO
D PbO-SiO2-B2O3-MgO
E SiO2-Al2O3-MgO
(표 4)
상기 표로부터, 본 발명의 전사필름을 사용한 실시예("실"이라 기재, 이하 동일)는, 비교예("비"라 기재, 이하 동일)에 비하여, 적당한 공극을 갖고, 소성 시의 수축이 적은 패턴이 얻어지는 것이 확인되었다. 또한, 소성 후의 선폭 변화도 적고, 높은 해상성이 얻어지는 것이 확인되었다. 한편, 비교예는, 무기 재료막 내부는 치밀하고, 공극은 거의 보이지 않았다.
실시예3-1∼3-26, 비교예3-1
1)도포용 비감광성 조성물의 조제
도포용 비감광성 조성물28∼54의 조제
평균 입자경이 각 0.1, 0.2, 0.5, 1.2, 2.5, 3.5㎛인 무기분말 가(표5에 기재 종류와 조성을 기재) 70g과 평균 입자경이 1, 2, 3, 7, 10, 12㎛인 무기분말 나(알루미나, 연화점: 1200℃)30g으로 이루어지는 무기분말을 표6 및 7과 같이 조합하고, 터피네올과 부틸카르비톨아세테이트의 혼합 용제에, 2g의 수지(에틸 셀룰로오스)를 용해시킨 용액에 분산, 그 후, 가소제로서, 디부틸프탈레이트를 첨가하고, 혼련하여, 도포용 비감광성 조성물28∼54를 얻었다.
2)페이스트층의 형성
상기 도포용 비감광성 조성물28∼54를 유리 기판(1m×1m) 상에 소정의 막두께로 블레이드 코터로 도포하고, 각각의 페이스트층을 제작하였다.
3)감광성 드라이 필름의 라미네이트
이어서, 페이스트층 상에 보호막을 갖는 포지티브형 드라이 필름 레지스트(니폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤 제품, NCP225, 25㎛)를 100℃의 열롤로 라미네이트하였다.
4)패턴의 형성
레지스트층 상에, 선폭 220㎛, 스페이스 80㎛의 라인앤드스페이스의 패턴 마스크를, 위치를 맞추어 배치시키고, 자외선 조사(364nm, 강도20mW/cm2, 조사량 12OmJ/cm2)하고, 노광한 후 포토레지스트층 상의 보호막을 박리시켜, 액온 30℃의 탄산 나트륨 1질량% 수용액을 사용하여 스프레이 현상하였다. 라인패턴 마스크에 따른 레지스트 패턴이 얻어졌다.
이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로서, 샌드블라스트 가공 장치를 사용하여, 레지스트 패턴 개구부의 페이스트층을 샌드블라스트 처리하였다.
그 후, 패턴처리된 페이스트층을 갖는 기판을 소성로 내에 배치하고, 로내의 온도를 상온으로부터 5℃/분의 승온속도로 570℃까지 승온하고, 570℃의 온도 분위기에서 30분간에 걸쳐서 소성 처리함으로써, 유리 기판 표면에 격벽 소성패턴을 형성하였다.
형성된 격벽 소성패턴의 종횡비, 격벽 높이, 공극 면적률, 공극 사이즈, 내수축률, 균열, 유전율 및 해상성에 관해서 평가하고, 결과를 표6 및 7에 나타내었다. 하기 이외는, 상기와 동일한 평가법을 사용하였다.
공극 사이즈: 공극 면적률을 구할 때, 100㎛×100㎛ 크기의 3개의 단면사진으로부터 트레이스된 복수 구멍의 최장 직경의 평균값을 구하였다.
균열: 육안으로 상세하게 관찰하였다. 관찰하여 없으면 없음이라 기재하고,관찰되면 있음으로 기재하였다.
유전율: 요코가와덴키 제작의 유전율 측정기(1MHz)로 측정하였다.
해상성: 노광량을 변경하여 선폭을 바꾸고, 소성 후의 패턴의 한계 해상력을 조절하였다. 이 해상력은 소성 후의 격벽의 폭이다.
(표 5)
(표 6)
(표 7)
실시예3-1∼13 및 비교예3-1은, 특히 무기분말 가와 무기분말 나의 각각의 평균 입자경을 변경함으로써, 공극 사이즈가 조정되는 것을 나타낸 것이고, 실시예는 균열이 없고, 고종횡비로 소성시의 수축률이 낮다. 저유전율이고, 다공성(공극이 있음)의 격벽을 형성할 수 있는 것이 확인된다.
실시예3-14∼19는 무기분말 가와 무기분말 나의 각각의 평균 입자경을 고정하고, 무기분말 가로서 각종 무연 유리를 사용한 예이고, 무연 유리를 사용하여도 균열이 없고, 고종횡비로 소성시의 수축률이 낮고, 저유전율이며, 다공성(공극이 있음)의 격벽을 형성할 수 있는 것이 확인된다.
실시예3-20∼26은, 무기분말 가와 무기분말 나의 각각의 평균입자경을 고정하고, 특히 페이스트층의 도포막을 변경한 예이지만, 수축률이 낮으므로, 박막이 두꺼워도 균일이 일어나지 않는 것이 확인된다.
본 발명은, 평균입자경 및 연화점이 서로 다른 2종 이상의 무기분말을 함유하는 비감광성 조성물을 사용함으로써, 저유전율의 다공성 무기 재료막 및 그것을 갖는 무기 재료막 구조물을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 비감광성 조성물의 도포층을 가요성의 임시 지지체 상에 갖는 전사필름으로 함으로써, 전사 도포층과 기판, 및 감광성 드라이 필름과 전사 도포층의 밀착성이 양호하고, 현상에 의해, 미소성 패턴이 정밀도가 좋고, 또한 용이하게 제작할 수 있고, 소성 후에도 선폭이나 막두께의 변화가 적고, 고정밀도로 전력이 절약되는 패턴을 갖는 PDP 등의 정밀 전자 장치를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 적어도 무기분말을 함유하는 비감광성 조성물을 소성하여 얻어지는 다공성의 무기 재료막으로서, 상기 무기 재료막은, 공극 면적율이 5∼75%이고, 공극 사이즈가 0.1∼30㎛인 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 무기분말은, 평균 입자경 및 연화점이 각각 상위한 2종류 이상으로 이루어지고, 또한 평균 입자경이 큰 분말이 높은 연화점을 갖는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 무기분말은 무기분말a와, 그 보다 연화점이 높으면서, 평균 입자경이 큰 무기분말b로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무기분말은 평균 입자경 0.2∼2.5㎛인 무기분말A와, 그 보다 평균 입자경이 크고, 또한 평균 입자경 2∼10㎛인 무기분말B로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 무기 재료막을 기판 상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 비감광성 조성물을 기판 상에 형성하고, 상기 비감광성 조성물 상에 감광성 조성물을 형성하고, 노광, 현상 처리한 후, 비감광성 조성물에 패턴을 형성하고, 이어서 소성하여 제 5항에 기재된 무기 재료막 구조물을 얻는 것을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 제 6항에 기재된 기판 상에 형성되어지는 비감광성 조성물은, 가요성 임시 지지체 상에 형성되어 이루어지는 도포층을 갖는 전사필름으로부터 상기 도포층을 기판 상에 전사한 것임을 특징으로 하는 무기 재료막 구조물의 제조방법.
  8. 가요성 임시 지지체 상에 제 6항에 기재된 비감광성 조성물로 이루어지는 도포층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사필름.
KR1020040036617A 2003-05-23 2004-05-22 무기 재료막, 무기 재료막 구조물 및 그 제조방법과전사필름 KR20040101917A (ko)

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