KR20040097981A - 반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드 - Google Patents

반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 구동 회로는, 구동용 IC(4)와, 이 IC(4)가 탑재된 기판을 구비하고 있다. IC(4)는, 구동 신호를 생성하는 스위칭 소자와, 스위칭 소자에 대하여 전원전압을 공급하기 위한 고전위 전원 단자(42) 및 저전위 전원 단자(43)와, 스위칭 소자에 의해 생성되는 구동 신호를 외부에 출력하기 위한 구동 신호 출력 단자(44)를 갖고 있다. 단자(42∼44)는 IC(4)의 본체(4a)의 한 측부에서 열거하여 배치되어 있다. 기판은 단자(42∼44)에 접속되는 도체부(45∼47)를 갖고 있다. 단자(42∼44)가 배치된 IC(4)의 한 측부의 옆에 칩 콘덴서(51, 52)가 배치되고, 콘덴서(51, 52)의 한 끝은 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 다른 끝은 저전위 전원 단자(43)에 접속되어 있다.

Description

반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드{SEMICONDUCTOR LASER DRIVING CIRCUIT AND OPTICAL HEAD}
근년, 여러가지 상황하에서, 취급되는 정보의 양이 비약적으로 증대해 오고 있다. 그 때문에, 이러한 정보의 기록 및 재생을 행하는 기록 시스템에는, 기록 용량 및 데이터 전송 속도를 크게하는 것이 요구되고 있다. 특히, 광디스크 등의 광기록매체를 사용한 대용량의 광기록 시스템에서는, 그 기록 속도를 자기 디스크 장치와 동일한 정도로까지 높이는 것이 중요한 기술과제로 되어 있다. 그 때문에, 큰 기록 속도에 적응하는 광기록매체의 개발도 한창 행해져 오고 있다.
그런데, 광기록 시스템에서는, 일반적으로, 광기록매체에 대향하도록 배치되는 광 헤드에 의해, 광기록매체에 광을 조사하고, 광기록매체에 대해 광학적으로 정보를 기록하게 되어 있다. 광 헤드에서는, 일반적으로, 광원으로서 반도체 레이저가 사용된다. 반도체 레이저는, 정보의 기록시에는, 펄스 광을 출사하도록 반도체 레이저 구동 회로에 의해 구동된다. 이 구동 회로는, 스위칭 소자에 의해, 반도체 레이저의 발광의 타이밍을 제어하는 구형파의 구동 신호를 생성하고, 이 구동신호를 반도체 레이저에 부여한다.
광기록 시스템에서 기록 속도를 보다 크게 하기 위해서는, 반도체 레이저의 출력을 보다 크게 하는 동시에, 반도체 레이저의 출사광의 펄스 폭을 보다 작게 할 필요가 있다. 반도체 레이저의 출사광의 펄스 폭을 작게 하기 위해서는, 구동 신호를 전송하는 전송 선로를 가능한 한 짧게 하여, 전송 선로에서의 구동 신호의 파형의 열화를 방지하는 것이 중요하게 된다. 그 때문에, 구동 회로는, 반도체 레이저의 구동 전용의 집적회로(이하, IC라고도 기술한다.)를 사용하여 구성되어, 광 헤드에 탑재되는 경우가 많다.
상기의 반도체 레이저 구동용의 IC에서는, 스위칭 소자의 동작에 따라, 구동용 IC의 전원전압에 리플 성분이 중첩된다. 전원전압에 중첩된 리플 성분은, 구동 신호에서도, 바람직하지 못한 리플 성분을 발생시킨다. 그래서 일반적으로, 구동용 IC의 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 저감하기 위해서, 구동용 IC에 접속되는 전원 라인과 그랜드 라인 사이에 용량이 큰 콘덴서가 접속된다. 종래는, 이 콘덴서의 설치 장소에 대해서는, 특별히 배려가 되어 있지 않았다.
지금까지는, 종래의 구동 회로라도, 반도체 레이저로부터 원하는 펄스 폭의 펄스 광을 출사시키기 위한 구동 신호를 생성하는 것이 가능했었다. 예를 들면, 재기록 가능한 광기록매체인 CD-RW(Compact Disc-Rewritable)에 대하여 4배속으로 정보를 기록하는 경우에 있어서의 펄스 광의 최소 펄스 폭은 약 29ns이다. 이 정도의 펄스 폭의 펄스 광을 반도체 레이저로부터 출사시키기 위한 구동 신호는, 종래의 구동 회로에 의해, 특별히 문제 없이 생성할 수 있었다.
그렇지만, 앞으로, 기록 속도를 더욱 크게 하기 위해서, 펄스 광의 펄스 폭을 더욱 짧게 하는 경우에는, 구동 회로는, 보다 폭이 작은 구형파의 구동 신호를 생성하지 않으면 안되게 된다.
한편, TTL(트랜지스터-트랜지스터-로직)에 의해 생성되는 구형파 신호와 같은, 통상 사용되는 구동 신호에서의 파형의 상승 시간은 1ns 정도이다. 그러나, 실제의 전자회로에서는, 입력 단자나 출력 단자에서의 임피던스의 부정합이나, 전송 선로의 부유 임피던스가 존재하기 때문에, 구동 신호의 파형에서의 상승 부분에 라운딩이 발생해버린다. 이 구동 신호의 파형에 있어서의 라운딩은, 반도체 레이저로부터 출사되는 펄스 광의 파형에서 왜곡을 발생시킨다.
이 펄스 광의 파형의 왜곡은, 펄스 광의 펄스 폭이 충분히 큰 경우에는, 광기록 시스템의 동작상, 큰 문제로 되지 않는다. 그러나, 펄스 폭이 작아지면, 펄스 광전체중, 파형이 왜곡된 부분의 비율이 커진다. 이와 같이, 파형이 왜곡된 부분의 비율이 큰 펄스 광을 사용하여 광기록매체에 대한 정보의 기록 동작을 행하면, 광기록매체에 충분한 파워의 에너지가 공급되지 않게 될 우려가 있다. 그 결과, 광기록매체에 정보가 정확하게 기입되지 않고, 정보의 재생시에 판독 에러가 발생할 가능성이 높아진다.
이와 같이, 종래의 반도체 레이저 구동 회로에서는, 특히 반도체 레이저로부터 출사되는 펄스 광의 펄스 폭이 작아진 경우에, 양호한 구동 신호를 생성할 수 없게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 광기록용의 반도체 레이저를 구동하기 위한 반도체 레이저 구동 회로, 및 반도체 레이저와 그 구동 회로를 포함하는 광 헤드에 관한 것이다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 광 헤드를 도시하는 사시도이다.
도 2는, 본 발명의 제 1 실시형태에서의 광 헤드 광학계를 도시하는 설명도이다.
도 3은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로를 도시하는 회로도이다.
도 4는, 본 발명의 제 1 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도이다.
도 5는, 본 발명의 제 1 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도이다.
도 6은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 광 헤드를 포함하는 광기록 재생장치의 구성의 1예를 도시하는 설명도이다.
도 7은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 광 헤드를 포함하는 광기록 재생장치에서의 재생 신호 처리 회로의 구성의 1예를 도시하는 블록도이다.
도 8은, 본 발명의 제 2 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도이다.
도 9는, 본 발명의 제 2 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도이다.
도 10은, 본 발명의 제 2 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 다른 측면도이다.
도 11은, 본 발명의 제 2 실시형태의 변형예에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도이다.
도 12는, 비교예에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도이다.
도 13은, 비교예의 반도체 레이저 구동 회로에 의한 구동 신호의 파형을 도시하는 설명도이다.
도 14는, 본 발명의 제 2 실시형태에서의 제 1 실시예의 반도체 레이저 구동 회로에 의한 구동 신호의 파형을 도시하는 설명도이다.
도 15는, 본 발명의 제 2 실시형태에서의 제 2 실시예의 반도체 레이저 구동 회로에 의한 구동 신호의 파형을 도시하는 설명도이다.
본 발명의 목적은, 특히 반도체 레이저로부터 출사되는 펄스 광의 펄스 폭이 작은 경우에도, 양호한 구동 신호를 생성할 수 있도록 한 반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 반도체 레이저 구동 회로는, 광기록용의 광을 출사 반도체 레이저를 구동하는 집적회로와, 이 집적회로가 탑재되는 기판을 구비하고 있다. 집적회로는, 반도체 레이저를 구동하기 위해 구동 신호를 생성하는 스위칭 소자와, 이 스위칭 소자에 대해 전원전압을 공급하기 위한 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자와, 스위칭 소자에 의해 생성되는 구동 신호를 외부에 출력하기 위한 구동 신호 출력 단자를 갖고 있다. 고전위 전원 단자, 저전위 전원 단자 및 구동 신호 출력 단자는, 집적회로의 한 측부에서 나란히 배치되어 있다. 기판은, 고전위 전원 단자에 접속되어, 고전위 전원 단자에 고전위를 인가하는 고전위 도체부와, 저전위 전원 단자에 접속되어, 저전위 전원 단자에 저전위를 인가하는 저전위 도체부와, 구동 신호 출력 단자와 반도체 레이저를 접속하고, 구동 신호를 반도체 레이저에 전송하는 구동 신호 전송 도체부를 갖고 있다. 반도체 레이저 구동 회로는, 더욱이, 집적회로의 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 고전위 전원 단자에 접속되고, 다른 끝이 저전위 전원 단자에 접속된 콘덴서를 구비하고 있다.
또, 본 발명의 광 헤드는, 광기록용의 광을 출사 반도체 레이저와, 반도체 레이저로부터 출사된 광을 광기록매체에 조사하는 광학계와, 반도체 레이저를 구동하는 상기의 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로를 구비하고 있다.
본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에서는, 반도체 레이저를구동하는 집적회로의 고전위 전원 단자, 저전위 전원 단자 및 구동 신호 출력 단자는, 집적회로의 한 측부에서 나란히 배치되고, 콘덴서는, 집적회로의 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 고전위 전원 단자에 접속되고, 다른 끝이 저전위 전원 단자에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해 콘덴서는, 집적회로내의 스위칭 소자의 근방에 배치된다. 콘덴서는, 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 제거한다.
본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에 있어서, 구동 신호 출력 단자는 고전위 전원 단자와 저전위 전원 단자 사이에 배치되고, 콘덴서는 구동 신호전송 도체부를 걸치도록 배치되어 있어도 좋다.
또, 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에 있어서, 콘덴서의 한 끝은 고전위 도체부에 접속되고, 이 고전위 도체부를 통하여 고전위 전원 단자에 접속되고, 콘덴서의 다른 끝은 저전위 도체부에 접속되고, 이 저전위 도체부를 통하여 저전위 전원 단자에 접속되어 있어도 좋다.
또, 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에 있어서, 콘덴서는 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자상에 배치되어 있어도 좋다.
또, 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에 있어서, 콘덴서는 복수개 설치되고, 이 복수개의 콘덴서는 병렬로 접속되어 있어도 좋다.
본 발명의 그 밖의 목적, 특징 및 이익은, 이하의 설명으로 충분히 명백해질 것이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[제 1 실시형태]
처음에, 도 1을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시형태에 관계되는 광 헤드의 구성의 개략에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 관계되는 광 헤드를 도시하는 사시도이다. 본 실시형태에 관계되는 광 헤드는, 후술하는 광기록 재생장치에 사용되는 것이다. 이 광기록 재생장치는, 원판형상의 광기록매체인 광디스크에 대해 광학적으로 정보를 기록하는 동시에, 광디스크로부터 광학적으로 정보를 재생하는 장치이다. 광디스크는, 정보가 기록되는 층인 정보기록층을 갖고 있다. 또, 광디스크는 복수의 트랙을 갖고 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 관계되는 광 헤드(1)는, 후술하는 광 헤드 광학계의 일부를 내장하는 광 헤드 본체(2)와, 이 헤드 본체(2)에 부착된 제 1 레이저 유닛(10)과, 헤드 본체(2)에 접속된 플렉시블 회로 기판(3)과, 이 플렉시블 회로 기판(3)에 탑재된 반도체 레이저 구동용 IC(4)를 구비하고 있다. 제 1 레이저 유닛(10)은, 플렉시블 회로 기판(3)에 접속되어 있다. 플렉시블 회로 기판(3)과 반도체 레이저 구동용 IC(4)는, 본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로를 구성하고 있다.
광 헤드 광학계는, 대물렌즈(5)를 포함하고 있다. 도 1에서는 도시하지 않지만, 광 헤드(1)는, 더욱이, 대물렌즈(5)를 광디스크의 면에 수직한 방향과 트랙을 횡단하는 방향으로 이동가능한 액추에이터를 구비하고 있다. 이 액추에이터는 헤드 본체(2)에 대해 고정되어 있다. 광 헤드(1)는, 더욱이, 액추에이터를 둘러싸는 액추에이터 커버(6)를 구비하고 있다.
제 1 레이저 유닛(10)은, 후술하는 제 1 반도체 레이저와 제 1 광검출기를 포함하고 있다. 반도체 레이저 구동용 IC(4)는, 제 1 반도체 레이저를 구동하게 되어 있다. 도 1에서는 도시하지 않지만, 광 헤드(1)는, 더욱이, 광 헤드 본체(2)에 내장된 제 2 레이저 유닛과, 이 제 2 레이저 유닛에 접속된 고주파 중첩회로를 구비하고 있다. 제 2 레이저 유닛은, 제 2 반도체 레이저와 제 2 광검출기를 포함하고 있다. 광 헤드 본체(2)는, 평행하게 배치된 2개의 레일(7)에 의해, 광디스크의 트랙을 횡단하는 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다.
도 2는, 광 헤드(1)에서의 광 헤드 광학계를 도시하는 설명도이다. 이 광 헤드(1)는, 광디스크(30)에 대향하도록 배치된다. 상술과 같이, 광 헤드(1)는, 제1 레이저 유닛(10)과, 이 제 1 레이저 유닛(10)에 접속된 플렉시블 회로 기판(3)과, 이 플렉시블 회로 기판(3)에 탑재된 반도체 레이저 구동용 IC(4)와, 제 2 레이저 유닛(20)과, 이 제 2 레이저 유닛(20)에 접속된 기판(8)을 구비하고 있다. 기판(8)에는, 후술하는 고주파 중첩회로가 탑재되어 있다.
제 1 레이저 유닛(10)은, 제 1 파장의 레이저 광을 출사하는 제 1 반도체 레이저(11)와, 제 1 광검출기(12)와, 제 1 홀로그램(13)을 갖고 있다. 제 1 광검출기(12)는, 재생 신호, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호를 생성할 수 있도록, 예를 들면 4분할된 수광부를 갖고 있다. 제 1 홀로그램(13)은, 제 1 반도체 레이저(11)로부터 출사된 광을 통과시키는 동시에, 광디스크(30)로부터의 귀환광의 일부를 회절하여, 제 1 광검출기(12)에 인도하도록 되어 있다.
제 2 레이저 유닛(20)은, 제 1 파장과는 다른 제 2 파장의 레이저 광을 출사하는 제 2 반도체 레이저(21)와, 제 2 광검출기(22)와, 제 2 홀로그램(23)을 갖고 있다. 제 2 광검출기(22)는, 재생 신호, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호를 생성할 수 있도록, 예를 들면 4분할된 수광부를 갖고 있다. 제 2 홀로그램(23)은, 제 2 반도체 레이저(21)로부터 출사된 광을 통과시키는 동시에, 광디스크(30)로부터의 귀환광의 일부를 회절하여, 제 2 광검출기(22)에 인도하도록 되어 있다.
광 헤드 광학계는, 광디스크(30)에 대향하도록 배치된 대물렌즈(5)를 구비하고 있다. 광 헤드 광학계는, 더욱이, 제 2 레이저 유닛(20)과 대물렌즈(5) 사이에서, 제 2 레이저 유닛(20)측으로부터 순차로 배치된 다이크로익 프리즘(31), 기립 미러(32), 콜리메이트 렌즈(33) 및 4분의 1 파장판(34)을 구비하고 있다. 다이크로익 프리즘(31)은, 다이크로익 미러면(31a)을 구비하고 있다. 제 1 레이저 유닛(10)은, 광디스크(30)로부터의 귀환광중 다이크로익 미러면(31a)에서 반사된 광이 입사되는 위치에 배치되어 있다. 광 헤드 광학계는, 더욱이, 제 1 레이저 유닛(10)과 다이크로익 프리즘(31) 사이에 배치된 보정판(35)과, 다이크로익 프리즘(31)을 끼우고 보정판(35)과 반대측에 배치된 프론트 모니터용 광검출기(36)를 구비하고 있다.
광 헤드는, 대물렌즈(5) 및 4분의 1 파장판(34)을 일체적으로, 광디스크(30)의 면에 수직한 방향과 트랙을 횡단하는 방향으로 이동가능한 액추에이터(37)를 구비하고 있다.
여기에서, 도 2에 도시한 광 헤드 광학계의 작용에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 관계되는 광 헤드(1)는, CD(컴팩트 디스크)와 DVD(디지털 비디오 디스크 또는 디지털 버서타일 디스크)의 조합과 같은 2종류의 광디스크(30)를 사용할 수 있는 광기록 재생장치에 사용된다. 제 1 레이저 유닛(10)은, 제 1 종류의 광디스크(30)에 대해 정보를 기록하는 경우와, 제 1 종류의 광디스크(30)로부터 정보를 재생하는 경우에 사용된다. 제 2 레이저 유닛(20)은, 제 2 종류의 광디스크(30)에 대해 정보를 기록하는 경우와, 제 2 종류의 광디스크(30)로부터 정보를 재생하는 경우에 사용된다.
제 1 종류의 광디스크(30)에 정보를 기록할 때는, 제 1 레이저 유닛(10)에서의 제 1 반도체 레이저(11)로부터, 기록용의 고출력의 펄스 광이 간헐적으로 출사되도록, 반도체 레이저 구동용 IC(4)에 의해 제 1 반도체 레이저(11)가 구동된다.제 1 반도체 레이저(11)로부터 출사된 광은, 홀로그램(13) 및 보정판(35)을 통과한 후, 다이크로익 프리즘(31)에 입사되고, 대부분은 다이크로익 미러면(31a)에서 반사되고, 일부는 다이크로익 미러면(31a)을 통과하여 프론트 모니터용 광검출기(36)에 입사된다. 프론트 모니터용 광검출기(36)의 출력 신호는, 반도체 레이저(11)의 출사광의 자동 광량조정을 행하기 위해서 사용된다. 다이크로익 미러면(31a)에서 반사된 광은, 기립 미러(32), 콜리메이트 렌즈(33), 4분의 1 파장판(34) 및 대물렌즈(5)를 순차로 통과하여, 수속하는 광으로 되어 광디스크(30)에 조사된다. 그리고, 이 광에 의해, 광디스크(30)의 정보기록층에 광학적으로 정보가 기록된다. 광디스크(30)에 조사된 광의 일부는, 정보기록층에서 반사되어서 귀환광이 되어서 광디스크(30)로부터 출사된다. 이 귀환광은, 대물렌즈(5), 4분의 1 파장판(34), 콜리메이트 렌즈(33) 및 기립 미러(32)를 순차로 통과한 후, 다이크로익 프리즘(31)에 입사되고, 대부분이 다이크로익 미러면(31a)에서 반사된다. 다이크로익 미러면(31a)에서 반사된 귀환광은, 보정판(35)을 통과한 후, 제 1 홀로그램(13)에 의해 회절되어, 제 1 광검출기(12)에 입사된다. 그리고, 이 광검출기(12)의 출력에 기초하여, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호가 생성된다.
제 1 종류의 광디스크(30)로부터 정보를 재생할 때는, 제 1 레이저 유닛(10)의 제 1 반도체 레이저(11)로부터, 재생용의 저출력의 광이 연속적으로 출사되도록 반도체 레이저 구동용 IC(4)에 의해 제 1 반도체 레이저(11)가 구동된다. 제 1 반도체 레이저(11)로부터 출사된 광은, 정보의 기록시와 동일한 경로를 거쳐서 광디스크(30)에 조사된다. 광디스크(30)에 조사된 광의 일부는, 정보기록층에서 반사되고, 정보를 담지한 귀환광으로 되어 광디스크(30)로부터 출사된다. 이 귀환광은, 정보의 기록시와 동일한 경로를 거쳐서 제 1 광검출기(12)에 입사된다. 그리고, 이 광검출기(12)의 출력에 기초하여, 재생 신호, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호가 생성된다.
제 2 종류의 광디스크(30)에 정보를 기록할 때는, 제 2 레이저 유닛(20)의 제 2 반도체 레이저(21)로부터, 기록용의 고출력의 펄스 광이 간헐적으로 출사되도록, 광 헤드(1)의 외부로부터 부여되는 기록 신호에 의해, 제 2 반도체 레이저(21)가 구동된다. 제 2 반도체 레이저(21)로부터 출사된 광은, 홀로그램(23)을 통과한 후, 다이크로익 프리즘(31)에 입사되고, 대부분은 다이크로익 미러면(31a)을 통과하고, 일부는 다이크로익 미러면(31a)에서 반사되어 프론트 모니터용 광검출기(36)에 입사된다. 프론트 모니터용 광검출기(36)의 출력 신호는, 반도체 레이저(21)의 출사광의 자동 광량조정을 행하기 위해서 사용된다. 다이크로익 미러면(31a)을 통과한 광은, 기립 미러(32), 콜리메이트 렌즈(33), 4분의 1 파장판(34) 및 대물렌즈(5)를 순차로 통과하고, 수속하는 광이 되어 광디스크(30)에 조사된다. 그리고, 이 광에 의해, 광디스크(30)의 정보기록층에 광학적으로 정보가 기록된다. 광디스크(30)에 조사된 광의 일부는, 정보기록층에서 반사되어서 귀환광이 되어 광디스크(30)로부터 출사된다. 이 귀환광은, 대물렌즈(5), 4분의 1 파장판(34), 콜리메이트 렌즈(33) 및 기립 미러(32)를 순차로 통과한 후, 다이크로익 프리즘(31)에 입사되고, 대부분이 다이크로익 미러면(31a)을 통과한다. 다이크로익 미러면(31a)을 통과한 귀환광은, 제 2 홀로그램(23)에 의해 회절되어, 제 2 광검출기(22)에 입사된다. 그리고, 이 광검출기(22)의 출력에 기초하여, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호가 생성된다.
제 2 종류의 광디스크(30)로부터 정보를 재생할 때는, 광 헤드(1)의 외부로부터 부여되는 일정 레벨의 전류에, 고주파 중첩회로에 의해 생성된 고주파신호가 중첩되어 구동 전류가 생성되고, 이 구동 전류에 의해 제 2 반도체 레이저(21)가 구동된다. 제 2 반도체 레이저(21)로부터 출사된 광은, 정보의 기록시와 동일한 경로를 거쳐서 광디스크(30)에 조사된다. 광디스크(30)에 조사된 광의 일부는, 정보기록층에서 반사되어, 정보를 담지한 귀환광이 되어 광디스크(30)로부터 출사된다. 이 귀환광은, 정보의 기록시와 동일한 경로를 거쳐서 제 2 광검출기(22)에 입사된다. 그리고, 이 광검출기(22)의 출력에 기초하여, 재생 신호, 포커스 에러 신호 및 트래킹 에러 신호가 생성된다.
다음에, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로의 구성에 대하여 상세하게 설명한다. 도 3은 반도체 레이저 구동 회로를 도시하는 회로도, 도 4는 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도, 도 5는 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 5는 도 4에서의 하측에서 반도체 레이저 구동용 IC를 본 상태를 나타내고 있다.
본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로(9)는, 제 1 반도체 레이저(11)를 구동하는 반도체 레이저 구동용 IC(4)와, 이 IC(4)가 탑재된 플렉시블 회로 기판(3)을 구비하고 있다. 반도체 레이저 구동용 IC(4)는, 본체(4a)와,이 본체(4a)내에 설치되어, 반도체 레이저(11)를 구동하기 위해서 구동 신호를 생성하는 스위칭 소자(41)를 구비하고 있다. IC(4)는, 더욱이, 스위칭 소자(41)에 대해 전원전압을 공급하기 위한 고전위 전원 단자(42) 및 저전위 전원 단자(43)와, 스위칭 소자(41)에 의해 생성되는 구동 신호를 외부에 출력하기 위한 구동 신호 출력 단자(44)를 가지고 있다. 단자(42∼44)는, IC(4)의 본체(4a)의 한 측부로부터 외측에 돌출하도록 설치되어 있다. 또, 단자(42, 43, 44)는, 각각, 본체(4a)의 한 측부로부터 수평방향 외측으로 연장되는 본체접속부(42a, 43a, 44a)와, 플렉시블 회로 기판(3)에 접속되는 기판접속부(42b, 43b, 44b)와, 본체접속부(42a, 43a, 44a)와 기판접속부(42b, 43b, 44b)를 연결하는 연결부(42c, 43c, 44c)를 가지고 있다.
스위칭 소자(41)로서는, 예를 들면, 도 3에 도시하는 바와 같이 NPN형 바이폴라 트랜지스터가 사용된다. 이 경우에는, 트랜지스터의 콜렉터가 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 트랜지스터의 에미터가 구동 신호 출력 단자(44)에 접속된다. 트랜지스터의 베이스에는, 광 헤드(1)의 외부로부터 부여되는 기록 신호에 대응한 전압이 인가된다. 저전위 전원 단자(43)는 IC(4)내의 그랜드 라인에 접속되어 있다.
또한, 스위칭 소자(41)로서는, 전계효과형 트랜지스터를 사용해도 좋다. 이 경우에는, 트랜지스터의 드레인이 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 트랜지스터의 소스가 구동 신호 출력 단자(44)에 접속된다. 트랜지스터의 게이트에는, 광 헤드(1)의 외부로부터 부여되는 기록 신호에 대응한 전압이 인가된다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 고전위 전원 단자(42), 저전위 전원 단자(43) 및 구동 신호 출력 단자(44)는, IC(4)의 한 측부에서 나란히 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 특히, 구동 신호 출력 단자(44)는, 고전위 전원 단자(42)와 저전위 전원 단자(43) 사이에 배치되어 있다.
플렉시블 회로 기판(3)은, 고전위 전원 단자(42)에 접속되어, 고전위 전원 단자(42)에 고전위를 인가하는 고전위 도체부(45)와, 저전위 전원 단자(43)에 접속되어, 저전위 전원 단자(43)에 저전위를 인가하는 저전위 도체부(46)와, 구동 신호 출력 단자(44)와 제 1 반도체 레이저(11)를 접속하고, 구동 신호를 반도체 레이저(11)에 전송하는 구동 신호 전송 도체부(47)를 갖고 있다. 이들 도체부(45, 46, 47)는 스트라이프 형상으로 형성되어 있다.
본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로는, 단자(42, 43, 44)가 배치된 IC(4)의 한 측부의 옆에 배치된 2개의 칩 콘덴서(51, 52)를 구비하고 있다. 이들 콘덴서(51, 52)의 각 한 끝은 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 콘덴서(51, 52)의 각 다른 끝은 저전위 전원 단자(43)에 접속되어 있다. 콘덴서(51, 52)는, 스위칭 소자(41)의 동작에 따라 IC(4)의 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 저감하기 위한 것인다. 콘덴서(51, 52)의 용량은 서로 다르다. 1예를 들면, 콘덴서(51)의 용량은 10μF이며, 콘덴서(52)의 용량은 0.1μF이다. 또한, 도 4 및 도 5에서는, 콘덴서(51)가 콘덴서(52)보다도 단자(42, 43, 44)의 근처에 배치되어 있는데, 콘덴서(51, 52)의 배치는 이것과는 반대라도 좋다.
콘덴서(51)의 양 끝부에는, 도체로 이루어지는 단자부(51a, 51b)가 형성되어있다. 단자부(51a, 51b)의 사이에서의 콘덴서(51)의 표면은 절연체에 의해 형성되어 있다. 동일하게, 콘덴서(52)의 양 끝부에는, 도체로 이루어지는 단자부(52a, 52b)가 형성되어 있다. 단자부(52a, 52b)의 사이에서의 칩 콘덴서(52)의 표면은 절연체에 의해 형성되어 있다.
콘덴서(51, 52)는, 모두, 구동 신호 전송 도체부(47)을 걸치도록 배치되고, 단자부(51a, 52a)가 고전위 도체부(45)에 접속되고, 단자부(51b, 52b)가 저전위 도체부(46)에 접속되어 있다. 단자부(51a, 52a)와 고전위 도체부(45)의 접속, 및 단자부(51b, 52b)와 저전위 도체부(46)의 접속은, 예를 들면 납땜에 의해 행해진다. 이와 같이 하여, 콘덴서(51, 52)의 단자부(51a, 52a)는, 고전위 도체부(45)를 통하여 IC(4)의 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 단자부(51b, 52b)는, 저전위 도체부(46)를 통하여 IC(4)의 저전위 전원 단자(43)에 접속되어 있다. 콘덴서(51, 52)는 서로 병렬 관계로 되어 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 고전위 도체부(45)에서, 단자부(51a, 52a)가 접속되는 부분의 폭은 다른 부분의 폭보다도 커져 있다. 동일하게, 저전위 도체부(46)에서, 단자부(51b, 52b)가 접속되는 부분의 폭은 다른 부분의 폭보다도 커져 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 고전위 도체부(45)에는 고전위(Vcc)가 인가되게 되어 있다. 또, 저전위 도체부(46)에는 저전위(그라운드 레벨)(GND)가 인가 되게 되어 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 단자(42, 43, 44)의 근처에 배치된 콘덴서(51)와 단자(42, 43, 44) 사이의 거리(D)는 2mm 이하인 것이 바람직하다.
다음에, 본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로의 작용에 대하여 설명한다. IC(4)에는, 고전위 도체부(45) 및 고전위 전원 단자(42)를 통하여 고전위(Vcc)가 공급되고, 저전위 도체부(46) 및 저전위 전원 단자(43)를 통하여 저전위(GND)가 공급된다. 고전위(Vcc)와 저전위(GND)의 전위차가, IC(4)를 동작시키기 위한 전원전압이 된다. 스위칭 소자(41)는, 반도체 레이저(11)를 구동하기 위해서 구동 신호를 생성한다. 이 구동 신호는, 구동 신호 출력 단자(44) 및 구동 신호 전송 도체부(47)를 통하여 반도체 레이저(11)에 인가된다.
콘덴서(51, 52)는, 스위칭 소자(41)의 동작에 따라 IC(4)의 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 저감한다. 본 실시형태에서는, IC(4)의 고전위 전원 단자(42), 저전위 전원 단자(43) 및 구동 신호 출력 단자(44)는, IC(4)의 한 측부에서 나란히 배치되어 있다. 이러한 배치의 경우, IC(4)내의 스위칭 소자(41)는, 단자(42∼44)의 근방에 배치된다. 본 실시형태에서는, 콘덴서(51, 52)는, IC(4)의 상기 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 고전위 전원 단자(42)에 접속되고, 다른 끝이 저전위 전원 단자(43)에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 콘덴서(51, 52)는 IC(4)내의 스위칭 소자(41)의 근방에 배치되게 된다. 그 때문에, 본 실시형태에 의하면, 고전위 도체부(45)와 저전위 도체부(46) 사이에서의 고주파 신호 성분(리플 성분)에 관한 배선의 길이를 짧게 할 수 있다. 이것에 의해, 배선이 갖는 유도성 및 용량성의 부유 리액턴스에 기인하는 전압-전류간의 위상의 늦음이나 앞섬을 최소한으로 억제할 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에 의하면, 콘덴서(51, 52)에 의해, 구동 신호의 파형에서 라운딩을 생기게하지 않는 정도까지, 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 제거할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 구동 신호에 리플 성분이 중첩되거나, 구동 신호의 파형에서 라운딩이 생기거나 하는 것을 방지할 수 있고, 그 결과, 높은 주파수영역에서도 이상적인 파형이 되는 구동 신호를 생성할 수 있다.
이상으로부터, 본 실시형태에 의하면, 특히 반도체 레이저(11)로부터 출사되는 펄스 광의 펄스 폭이 작을 경우에도, 반도체 레이저 구동 회로에 의해, 양호한 구동 신호를 생성할 수 있게 된다. 그 결과, 본 실시형태에 의하면, 높은 주파수영역에서도 이상적인 파형이 되는 펄스 광을 발생시킬 수 있다.
또한, 콘덴서(51)와 단자(42, 43, 44) 사이의 거리(D)가 짧을 수록, 고전위 도체부(45)와 저전위 도체부(46) 사이에서의 고주파 신호 성분(리플 성분)에 관한 배선의 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 거리(D)는 짧을 수록 좋고, 2mm 이하인 것이 바람직하다.
또, 본 실시형태에서는, 서로 용량이 다르고, 병렬로 접속된 2개의 콘덴서(51, 52)를 설치하고 있다. 이 중, 용량이 큰 쪽의 콘덴서(51)는, 용량이 작은 쪽의 콘덴서(52)에 비해, 리플 성분을 제거하는 기능에서 우수하다. 한편, 용량이 작은 쪽의 콘덴서(52)는, 용량이 큰 쪽의 콘덴서(51)에 비해, 구동 신호의 파형에 있어서의 라운딩의 발생을 억제하는 기능에서 우수한다. 따라서, 이들, 2개의 콘덴서(51, 52)를 병용함으로써, 보다 효과적으로, 구동 신호의 파형에 있어서의 라운딩의 발생을 억제하면서, 구동 신호에 중첩되는 리플 성분을 제거할 수있게 된다.
또한, 본 실시형태에서, 콘덴서(51, 52)는, 반드시 수평방향으로 나란히 배치할 필요는 없고, 중첩하여 배치해도 좋다. 또, 본 실시형태에서, 리플 제거용의 콘덴서의 수는, 반드시 2개일 필요는 없고, 1개라도 좋고, 3개 이상이라도 좋다.
다음에, 본 실시형태에 관계되는 광 헤드를 포함하는 광기록 재생장치의 구성의 1예에 대하여 설명한다. 도 6은 광기록 재생장치의 주요부의 구성의 1예를 도시하는 설명도이다. 이 예에서의 광기록 재생장치는, 본 실시형태에 관계되는 광 헤드(1)와, 광디스크(30)를 회전시키는 모터(61)와, 광디스크(30)가 소정의 속도로 회전하도록 모터(61)를 제어하는 디스크 회전 서보 회로(62)를 구비하고 있다. 광 헤드(1)는, 도 2에 도시하는 구성 요소에 더하여, 고주파 중첩회로(25)를 구비하고 있다. 이 고주파 중첩회로(25)는, 제 2 레이저 유닛(20)에 접속되어 있다. 제 2 레이저 유닛(20)에는, 기록시에는, 광 헤드의 외부로부터 기록 신호가 부여되도록 되어 있다. 또, 제 2 레이저 유닛(20)에는, 재생시에는, 광 헤드(1)의 외부로부터 부여되는 일정 레벨의 전류에 고주파 중첩회로(25)에 의해 생성된 고주파 신호가 중첩되어 생성된 구동 전류가 부여되게 되어 있다.
광기록 재생장치는, 더욱이, 광 헤드(1)를 광디스크(30)의 트랙을 횡단하는 방향으로 이동시키는 리니어 모터(63)와, 이 리니어 모터(63)를 제어하는 레이디얼 서보 회로(64)와, 레이디얼 서보 회로(64)에 대해, 광 헤드(1)의 출사광의 조사 위치를 원하는 트랙에 이동시키기 위한 지령을 주는 트랙 검색 회로(65)와, 디스크 회전 서보 회로(62) 및 트랙 검색 회로(65)를 제어하는 제어 회로(66)를 구비하고있다.
광기록 재생장치는, 더욱이, 제 1 레이저 유닛(10)내의 제 1 광검출기(12)의 출력 신호와 제 2 레이저 유닛(20)내의 제 2 광검출기(22)의 출력 신호를 증폭하는 프리 앰프(67)와, 각각 프리 앰프(67)의 출력 신호를 입력하는 포커싱·트래킹 서보 회로(68) 및 원상회복 회로(69)를 구비하고 있다. 포커싱·트래킹 서보 회로(68)는, 프리 앰프(67)의 출력 신호에 기초하여 포커스 에러 신호와 트래킹 에러 신호를 생성하고, 이것들에 기초하여 액추에이터(37)를 제어하고, 포커싱 서보 및 트래킹 서보를 행하게 되어 있다. 원상회복 회로(69)는, 프리 앰프(67)의 출력 신호에 기초하여 재생 신호를 생성하게 되어 있다.
도 7은 광기록 재생장치에서의 재생 신호 처리 회로의 구성의 1예를 도시하는 블록도이다. 또한, 도 7에는, 광 헤드(1)에 의해 정보를 판독할 수 있는 2종류의 광디스크중 한쪽에서 재생된 신호만을 처리하는 재생 신호 처리 회로를 도시하고 있다. 이 재생 신호 처리 회로는, 도 6에서의 원상회복 회로(69)의 출력 신호를 입력하고, 이 신호에 대해 위상 왜곡의 보상을 행하는 위상 등화기(71)와, 이 위상 등화기(71)의 출력 신호로부터 변조 신호를 취출하는 원상회복기(72)와, 이 원상회복기(72)의 출력 신호에 대해 에러 보정을 행하는 에러 보정기(73)를 구비하고 있다.
재생 신호 처리 회로는, 더욱, 에러 보정기(73)의 출력 신호를, MPEG2 규격의 비디오 데이터 및 오디오 데이터로 변환하는 MPEG2 디코더(74)와, 이 MPEG2 디코더(74)로부터 출력되는 비디오 데이터를 디지털-아날로그 변환하는 비디오 D/A변환기(75)와, 이 비디오 D/A변환기(75)의 출력 신호로부터 NTSC 방식 또는 PAL 방식의 컴포지트 비디오 신호를 생성하는 NTSC/PAL 엔코더(76)와, 이 NTSC/PAL 엔코더(76)의 출력 신호로부터 고주파 성분을 제거하여, 각종의 비디오 신호를 출력하는 로 패스 필터(77)를 구비하고 있다. 로 패스 필터(77)는, 예를 들면, RGB신호, 휘도 신호(Y), 색 신호(C), 컴포지트 비디오 신호(CVS)를 출력하게 되어 있다.
재생 신호 처리 회로는, 더욱, MPEG2 디코더(74)로부터 출력되는 오디오 데이터의 처리를 행하는 오디오 회로(78)와, 이 오디오 회로(78)의 출력 데이터를 디지털-아날로그 변환하여, 오디오 신호(L, R)를 출력하는 오디오 D/A변환기(79)를 구비하고 있다.
재생 신호 처리 회로는, 더욱, 에러 보정기(73), MPEG2 디코더(74), 오디오 회로(78) 등의 제어를 행하는 중앙처리장치(CPU)(80)와, 중앙처리장치(80)에 접속된 메모리(81)와, 중앙처리장치(80)에 접속된 입출력 인터페이스(82)를 구비하고 있다. 입출력 인터페이스(82)는, 예를 들면 리모트 컨트롤 장치와 중앙처리장치(80)와의 사이의 신호의 입출력을 제어하도록 되어 있다.
[제 2 실시형태]
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드에 대하여 설명한다. 도 8은 본 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도, 도 9는 본 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도, 도 10은 본 실시형태에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 다른 측면도이다. 또한, 도 9는 도 8에서의 하측에서 반도체 레이저 구동용 IC를 본 상태를 도시하고, 도 10은 도 8에서의 우측에서 반도체 레이저 구동용 IC를 본 상태를 도시하고 있다.
본 실시형태에서는, 리플 제거용의 칩 콘덴서(51, 52)는, 구동 신호 전송 도체부(47)를 걸치도록, IC(4)의 단자(42, 43, 44)상에 배치되어 있다. 구체적으로 설명하면, 콘덴서(51)는, 단자(42, 43, 44)에서의 기판접속부(42b, 43b, 44b)상에 얹혀지고, 단자부(51a, 51b)가 각각 기판접속부(42b, 43b)에 예를 들면 납땜에 의해 접속되어 있다. 콘덴서(52)는, 콘덴서(51)상에 얹혀지고, 단자부(52a, 52b)가 각각 콘덴서(51)의 단자부(51a, 51b)에 예를 들면 납땜에 의해 접속되어 있다. 제 1 실시형태와 동일하게, 콘덴서(51, 52)는 서로 병렬의 관계로 되어 있다.
도 11은, 본 실시형태의 변형예에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 측면도이다. 이 변형예에서는, 콘덴서(51)는, 단자(42, 43, 44)에서의 본체접속부(42a, 43a, 44a)상에 얹혀지고, 단자부(51a, 51b)가 각각 본체접속부(42a, 43a)에 예를 들면 납땜에 의해 접속되어 있다. 콘덴서(52)는, 콘덴서(51)상에 얹혀지고, 단자부(52a, 52b)가 각각 콘덴서(51)의 단자부(51a, 51b)에 예를 들면 납땜에 의해 접속되어 있다.
본 실시형태에서의 그 밖의 구성은, 제 1 실시형태와 동일하다. 본 실시형태에서는, 콘덴서(51, 52)는, 제 1 실시형태에 비해, 보다 IC(4)내의 스위칭 소자(41)의 근처에 배치된다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 보다 이상적인 파형이 되는 펄스 광을 발생시킬 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태에서, 콘덴서(51, 52)는, 반드시 겹쳐 쌓아서 배치할 필요는 없고, 단자(42, 43, 44)상에 나란히 배치해도 좋다. 또, 본 실시형태에서, 리플 제거용의 콘덴서의 수는, 반드시 2개일 필요는 없고, 1개라도 좋고, 3개 이상이라도 좋다.
다음에, 본 실시형태에 관계되는 반도체 레이저 구동 회로의 효과를 확인하기 위해서 행한 실험에 대하여 설명한다. 이 실험에서는, 비교예의 반도체 레이저 구동 회로와, 본 실시형태의 제 1 및 제 2 실시예의 반도체 레이저 구동 회로에 대하여, 구동 신호의 파형을 관찰했다. 도 12는, 비교예에서의 반도체 레이저 구동용 IC의 일부와 그 근방을 도시하는 평면도이다. 이 비교예에서는, 칩 콘덴서(51, 52)를, 단자(42, 43, 44)가 배치된 IC(4)의 한 측부의 옆에 배치하지 않고, IC(4)의 다른 측부의 외측에 배치하고 있다. 이 비교예에서, 고전위 도체부(45) 및 저전위 도체부(46)는, IC(4) 아래를 통과하여 IC(4)의 다른 측부의 외측의 위치까지 뻗어 있다. 비교예에서, 칩 콘덴서(51, 52)의 각 한쪽의 단자부는 고전위 도체부(45)에 접속되고, 각 다른 쪽의 단자부는 저전위 도체부(46)에 접속되어 있다. 또, 비교예에서, 콘덴서(51)의 용량은 10μF이며, 콘덴서(52)의 용량은 0.1μF이다.
본 실시형태의 제 1 실시예에서는, 1개의 칩 콘덴서가, 단자(42, 43, 44)에서의 기판접속부(42b, 43b, 44b)상에 얹혀져 있다. 이 콘덴서의 한쪽의 단자부는 기판접속부(42b)에 접속되고, 다른 쪽의 단자부는 기판접속부(43b)에 접속되어 있다. 이 콘덴서의 용량은 0.1μF이다.
본 실시형태의 제 2 실시예에서는, 도 8에 도시한 바와 같이 칩 콘덴서(51, 52)를 배치하고 있다. 제 2 실시예에서, 콘덴서(51)의 용량은 10μF이며, 콘덴서(52)의 용량은 0.1μF이다.
실험에서는, 상기 비교예, 제 1 및 제 2 실시예의 각 반도체 레이저 구동 회로에, 주파수 25MHz의 구형파의 구동 신호를 생성시키고, 그 구동 신호의 파형을 오실로스코프에 의해 관찰했다. 도 13, 도 14 및 도 15는, 각각, 비교예, 제 1 및 제 2 실시예의 각 반도체 레이저 구동 회로에 의한 구동 신호의 파형을 도시하는 설명도이다. 또한, 도 13, 도 14 및 도 15는, 모두 오실로스코프에 의해 표시되는 구동 신호의 파형을 도시하고 있다.
도 13에 도시한 바와 같이, 비교예에서의 구동 신호의 파형에서는, 상승 부분에서 파형의 왜곡, 특히 라운딩이 발생하고 있는 동시에, 하강 부분에서도 파형의 왜곡이 발생하고 있다.
이것에 대하여, 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 제 1 및 제 2 실시예에서의 각 구동 신호의 파형에서는, 도 13에 도시한 비교예에서의 파형에 비해, 파형의 왜곡이 대폭 해소되고, 상승 및 하강이 매우 가파르게 되어 있다. 도 14에 도시한 제 1 실시예에서의 파형에서는 상승 부분에 오버 슈트가 발생하고 있지만, 도 15에 도시한 제 2 실시예에서의 파형에서는 상승 부분에서의 오버 슈트도 없고, 이상적인 구동 신호의 파형이 얻어지고 있다.
이상의 실험 결과로부터, 본 실시형태에 의하면, 이상적인 파형이 되는 구동 신호를 생성할 수 있고, 그 결과, 이상적인 파형이 되는 발생 펄스 광을 발생시킬수 있는 것을 알 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 그 밖의 작용 및 효과는, 제 1 실시형태와 동일하다.
또한, 본 발명은, 상기 각 실시형태에 한정되지 않고, 여러 변경이 가능하다. 예를 들면, 본 발명은, 고전위 전원 단자와 저전위 전원 단자가 구동 신호 출력 단자를 사이에 끼우지 않고 나란히 배치되고, 구동 신호 출력 단자가 고전위 전원 단자 또는 저전위 전원 단자에 인접하도록 배치되어 있는 경우도 포함한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로 또는 광 헤드에서는, 반도체 레이저를 구동하는 집적회로의 고전위 전원 단자, 저전위 전원 단자 및 구동 신호 출력 단자는, 집적회로의 한 측부에서 나란히 배치되고, 콘덴서는, 집적회로의 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 고전위 전원 단자에 접속되고, 다른 끝이 저전위 전원 단자에 접속되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 콘덴서는 집적회로내의 스위칭 소자의 근방에 배치되게 된다. 그 때문에, 본 발명에 의하면, 고전위 도체부와 저전위 도체부 사이에서의 고주파 신호 성분에 관한 배선의 길이를 짧게 할 수 있다. 이것에 의해, 배선이 갖는 유도성 및 용량성의 부유 리액턴스에 기인하는 전압-전류간의 위상의 늦음이나 앞섬을 최소한으로 억제할 수 있다. 그 결과, 콘덴서에 의해, 구동 신호의 파형에서 라운딩을 생기게 하지 않을 정도까지, 전원전압에 중첩되는 리플 성분을 제거할 수 있다. 이상으로부터, 본 발명에 의하면, 특히 반도체 레이저로부터 출사되는 펄스 광의 펄스 폭이 작을 경우에도, 양호한 구동 신호를 생성할 수 있게 된다.
이상의 설명에 기초하여, 본 발명의 여러 태양이나 변형예를 실시할 수 있는 것은 명확하다. 따라서, 이하의 청구의 범위의 균등한 범위에서, 상기의 최량의 형태 이외의 형태라도 본 발명을 실시하는 것이 가능하다.

Claims (10)

  1. 광기록용의 광을 출사하는 반도체 레이저를 구동하는 집적회로와, 이 집적회로가 탑재되는 기판을 구비한 반도체 레이저 구동 회로로서,
    상기 집적회로는, 상기 반도체 레이저를 구동하기 위해서 구동 신호를 생성하는 스위칭 소자와, 이 스위칭 소자에 대해 전원전압을 공급하기 위한 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자와, 상기 스위칭 소자에 의해 생성되는 구동 신호를 외부에 출력하기 위한 구동 신호 출력 단자를 갖고,
    상기 고전위 전원 단자, 저전위 전원 단자 및 구동 신호 출력 단자는, 상기 집적회로의 한 측부에서 나란히 배치되고,
    상기 기판은, 상기 고전위 전원 단자에 접속되어, 상기 고전위 전원 단자에 고전위를 인가하는 고전위 도체부와, 상기 저전위 전원 단자에 접속되어, 상기 저전위 전원 단자에 저전위를 인가하는 저전위 도체부와, 상기 구동 신호 출력 단자와 상기 반도체 레이저를 접속하고, 상기 구동 신호를 상기 반도체 레이저에 전송하는 구동 신호 전송 도체부를 갖고,
    상기 반도체 레이저 구동 회로는, 더욱, 상기 집적회로의 상기 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 상기 고전위 전원 단자에 접속되고, 다른 끝이 상기 저전위 전원 단자에 접속된 콘덴서를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 신호 출력 단자는 상기 고전위 전원 단자와 저전위 전원 단자 사이에 배치되고, 상기 콘덴서는 상기 구동 신호 전송 도체부를 걸치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서의 한 끝은 상기 고전위 도체부에 접속되고, 이 고전위 도체부를 통하여 상기 고전위 전원 단자에 접속되고, 상기 콘덴서의 다른 끝은 상기 저전위 도체부에 접속되고, 이 저전위 도체부를 통하여 상기 저전위 전원 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서는 복수개 설치되고, 이 복수개의 콘덴서는 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  6. 광기록용의 광을 출사하는 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저로부터 출사된 광을 광기록매체에 조사하는 광학계와, 상기 반도체 레이저를 구동하는 반도체 레이저 구동 회로를 구비한 광 헤드로서,
    상기 반도체 레이저 구동 회로는, 상기 반도체 레이저를 구동하는 집적회로와, 상기 집적회로가 탑재되는 기판을 구비하고,
    상기 집적회로는, 상기 반도체 레이저를 구동하기 위해서 구동 신호를 생성하는 스위칭 소자와, 이 스위칭 소자에 대해 전원전압을 공급하기 위한 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자와, 상기 스위칭 소자에 의해 생성되는 구동 신호를 외부에 출력하기 위한 구동 신호 출력 단자를 갖고,
    상기 고전위 전원 단자, 저전위 전원 단자 및 구동 신호 출력 단자는, 상기 집적회로의 한 측부에서 나란히 배치되고,
    상기 기판은, 상기 고전위 전원 단자에 접속되어, 상기 고전위 전원 단자에 고전위를 인가하는 고전위 도체부와, 상기 저전위 전원 단자에 접속되어, 상기 저전위 전원 단자에 저전위를 인가하는 저전위 도체부와, 상기 구동 신호 출력 단자와 상기 반도체 레이저를 접속하고, 상기 구동 신호를 상기 반도체 레이저에 전송하는 구동 신호 전송 도체부를 갖고,
    상기 반도체 레이저 구동 회로는, 더욱, 상기 집적회로의 상기 한 측부의 옆에 배치되고, 한 끝이 상기 고전위 전원 단자에 접속되고, 다른 끝이 상기 저전위 전원 단자에 접속된 콘덴서를 구비한 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 광 헤드.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 구동 신호 출력 단자는 상기 고전위 전원 단자와 저전위 전원 단자 사이에 배치되고, 상기 콘덴서는 상기 구동 신호 전송 도체부를 걸치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 헤드.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 콘덴서의 한 끝은 상기 고전위 도체부에 접속되고, 이 고전위 도체부를 통하여 상기 고전위 전원 단자에 접속되고, 상기 콘덴서의 다른 끝은 상기 저전위 도체부에 접속되고, 이 저전위 도체부를 통하여 상기 저전위 전원 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광 헤드.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 고전위 전원 단자 및 저전위 전원 단자상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광 헤드.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 콘덴서는 복수개 설치되고, 이 복수개의 콘덴서는 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 광 헤드.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079542A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Tdk Corp 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド
JP4731148B2 (ja) * 2004-09-30 2011-07-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136501A (ja) * 1991-11-11 1993-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ駆動回路
JPH05175579A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Canon Inc 半導体レーザ駆動回路
JPH05315686A (ja) 1992-04-14 1993-11-26 Sony Corp レーザダイオード駆動回路
DE69525865T2 (de) * 1994-04-22 2002-09-19 Canon Kk Treiberschaltung für eine Leuchtdiode
JP3708767B2 (ja) * 1999-06-25 2005-10-19 株式会社東芝 半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置
TW473984B (en) * 1999-08-19 2002-01-21 Toshiba Corp Laser driving circuit and reproducing device using the same
DE10041079A1 (de) * 2000-08-22 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lasermodul mit Ansteuerschaltung

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