JP4086282B2 - 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド - Google Patents

半導体レーザ駆動回路および光ヘッド Download PDF

Info

Publication number
JP4086282B2
JP4086282B2 JP2002115726A JP2002115726A JP4086282B2 JP 4086282 B2 JP4086282 B2 JP 4086282B2 JP 2002115726 A JP2002115726 A JP 2002115726A JP 2002115726 A JP2002115726 A JP 2002115726A JP 4086282 B2 JP4086282 B2 JP 4086282B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
power supply
potential power
supply terminal
drive signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002115726A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003317293A (ja
JP2003317293A5 (ja
Inventor
義一 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002115726A priority Critical patent/JP4086282B2/ja
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to US10/405,625 priority patent/US6970487B2/en
Priority to CNB038007274A priority patent/CN1280806C/zh
Priority to EP03746420A priority patent/EP1496503A4/en
Priority to KR1020047000379A priority patent/KR100840307B1/ko
Priority to PCT/JP2003/004263 priority patent/WO2003088230A1/ja
Priority to TW092108906A priority patent/TWI235532B/zh
Publication of JP2003317293A publication Critical patent/JP2003317293A/ja
Publication of JP2003317293A5 publication Critical patent/JP2003317293A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4086282B2 publication Critical patent/JP4086282B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録用の半導体レーザを駆動するための半導体レーザ駆動回路、および半導体レーザとその駆動回路とを含む光ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、様々な状況下において、扱われる情報の量が飛躍的に増大してきている。そのため、このような情報の記録および再生を行う記録システムには、記録容量およびデータ転送速度を大きくすることが求められている。特に、光ディスク等の光記録媒体を用いた大容量の光記録システムにおいては、その記録速度を磁気ディスク装置と同程度にまで高めることが重要な技術課題となっている。そのため、大きな記録速度に適応する光記録媒体の開発も盛んに行われてきている。
【0003】
ところで、光記録システムでは、一般的に、光記録媒体に対向するように配置される光ヘッドによって、光記録媒体に光を照射して、光記録媒体に対して光学的に情報を記録するようになっている。光ヘッドでは、一般的に、光源として半導体レーザが用いられる。半導体レーザは、情報の記録時には、パルス光を出射するように半導体レーザ駆動回路によって駆動される。この駆動回路は、スイッチング素子によって、半導体レーザの発光のタイミングを制御する矩形波の駆動信号を生成し、この駆動信号を半導体レーザに与える。
【0004】
光記録システムにおいて記録速度をより大きくするためには、半導体レーザの出力をより大きくすると共に、半導体レーザの出射光のパルス幅をより小さくする必要がある。半導体レーザの出射光のパルス幅を小さくするためには、駆動信号を伝送する伝送線路をできる限り短くして、伝送線路における駆動信号の波形の劣化を防止することが重要になる。そのため、駆動回路は、半導体レーザの駆動専用の集積回路(以下、ICとも記す。)を用いて構成されて、光ヘッドに搭載される場合が多い。
【0005】
上記の半導体レーザ駆動用のICでは、スイッチング素子の動作に伴い、駆動用ICの電源電圧にリップル成分が重畳される。電源電圧に重畳されたリップル成分は、駆動信号においても、好ましくないリップル成分を発生させる。そこで一般的に、駆動用ICの電源電圧に重畳されるリップル成分を低減するために、駆動用ICに接続される電源ラインとグランドラインとの間に容量の大きいコンデンサが接続される。従来は、このコンデンサの実装場所については、特に配慮がなされていなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
これまでは、従来の駆動回路であっても、半導体レーザから所望のパルス幅のパルス光を出射させるための駆動信号を生成することが可能であった。例えば、書き換え可能な光記録媒体であるCD−RW(Compact Disc-Rewritable)に対して4倍速で情報を記録する場合におけるパルス光の最小パルス幅は約29nsである。この程度のパルス幅のパルス光を半導体レーザから出射させるための駆動信号は、従来の駆動回路によって、特に問題なく生成することができていた。
【0007】
しかしながら、今後、記録速度を更に大きくするために、パルス光のパルス幅を更に短くする場合には、駆動回路は、より幅の小さい矩形波の駆動信号を生成しなければならなくなる。
【0008】
一方、TTL(トランジスタ−トランジスタ−ロジック)によって生成される矩形波信号のような、通常用いられる駆動信号における波形の立ち上がり時間は1ns程度である。しかし、実際の電子回路においては、入力端子や出力端子におけるインピーダンスの不整合や、伝送線路の浮遊インピーダンスが存在するため、駆動信号の波形における立ち上がり部分になまりが発生してしまう。この駆動信号の波形におけるなまりは、半導体レーザより出射されるパルス光の波形において歪を生じさせる。
【0009】
このパルス光の波形の歪は、パルス光のパルス幅が十分に大きい場合には、光記録システムの動作上、大きな問題にはならない。しかし、パルス幅が小さくなると、パルス光全体のうち、波形が歪んだ部分の割合が大きくなる。このように、波形が歪んだ部分の割合が大きなパルス光を用いて光記録媒体に対する情報の記録動作を行うと、光記録媒体に十分なパワーのエネルギが供給されなくなるおそれがある。その結果、光記録媒体に情報が正しく書き込まれず、情報の再生時に読み取りエラーが発生する可能性が高くなる。
【0010】
このように、従来の半導体レーザ駆動回路では、特に半導体レーザより出射されるパルス光のパルス幅が小さくなった場合に、良好な駆動信号を生成することができなくなるという問題点があった。
【0011】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、特に半導体レーザより出射されるパルス光のパルス幅が小さい場合においても、良好な駆動信号を生成することができるようにした半導体レーザ駆動回路および光ヘッドを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ駆動回路は、光記録用の光を出射する半導体レーザを駆動する集積回路と、この集積回路が搭載される基板とを備えている。集積回路は、半導体レーザを駆動するため駆動信号を生成するスイッチング素子と、このスイッチング素子に対して電源電圧を供給するための高電位電源端子および低電位電源端子と、スイッチング素子によって生成される駆動信号を外部に出力するための駆動信号出力端子とを有している。高電位電源端子、低電位電源端子および駆動信号出力端子は、集積回路の一側部において並べて配置されている。基板は、高電位電源端子に接続され、高電位電源端子に高電位を印加する高電位導体部と、低電位電源端子に接続され、低電位電源端子に低電位を印加する低電位導体部と、駆動信号出力端子と半導体レーザとを接続し、駆動信号を半導体レーザに伝送する駆動信号伝送導体部とを有している。半導体レーザ駆動回路は、更に、集積回路の一側部の脇に配置され、一端が高電位電源端子に接続され、他端が低電位電源端子に接続されたコンデンサを備えている。
【0013】
また、本発明の本発明の光ヘッドは、光記録用の光を出射する半導体レーザと、半導体レーザから出射された光を光記録媒体に照射する光学系と、半導体レーザを駆動する上記の本発明の半導体レーザ駆動回路と備えている。
【0014】
本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドでは、半導体レーザを駆動する集積回路の高電位電源端子、低電位電源端子および駆動信号出力端子は、集積回路の一側部において並べて配置され、コンデンサは、集積回路の一側部の脇に配置され、一端が高電位電源端子に接続され、他端が低電位電源端子に接続されている。このような構成によりコンデンサは、集積回路内のスイッチング素子の近傍に配置される。コンデンサは、電源電圧に重畳されるリップル成分を除去する。
【0015】
本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドにおいて、駆動信号出力端子は高電位電源端子と低電位電源端子との間に配置され、コンデンサは駆動信号伝送導体部をまたぐように配置されていてもよい。
【0016】
また、本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドにおいて、コンデンサの一端は高電位導体部に接続され、この高電位導体部を介して高電位電源端子に接続され、コンデンサの他端は低電位導体部に接続され、この低電位導体部を介して低電位電源端子に接続されていてもよい。
【0017】
また、本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドにおいて、コンデンサは高電位電源端子および低電位電源端子の上に配置されていてもよい。
【0018】
また、本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドにおいて、コンデンサは複数個設けられ、この複数個のコンデンサは並列に接続されていてもよい。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
始めに、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る光ヘッドの構成の概略について説明する。図1は、本実施の形態に係る光ヘッドを示す斜視図である。本実施の形態に係る光ヘッドは、後述する光記録再生装置に用いられるものである。この光記録再生装置は、円板状の光記録媒体である光ディスクに対して光学的に情報を記録すると共に、光ディスクから光学的に情報を再生する装置である。光ディスクは、情報が記録される層である情報記録層を有している。また、光ディスクは複数のトラックを有している。
【0020】
図1に示したように、本実施の形態に係る光ヘッド1は、後述する光ヘッド光学系の一部を内蔵する光ヘッド本体2と、このヘッド本体2に取り付けられた第1のレーザユニット10と、ヘッド本体2に接続されたフレキシブル回路基板3と、このフレキシブル回路基板3に搭載された半導体レーザ駆動用IC4とを備えている。第1のレーザユニット10は、フレキシブル回路基板3に接続されている。フレキシブル回路基板3と半導体レーザ駆動用IC4は、本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路を構成している。
【0021】
光ヘッド光学系は、対物レンズ5を含んでいる。図1では図示しないが、光ヘッド1は、更に、対物レンズ5を光ディスクの面に垂直な方向とトラックを横断する方向とに移動可能なアクチュエータを備えている。このアクチュエータはヘッド本体2に対して固定されている。光ヘッド1は、更に、アクチュエータを囲うアクチュエータカバー6を備えている。
【0022】
第1のレーザユニット10は、後述する第1の半導体レーザと第1の光検出器とを含んでいる。半導体レーザ駆動用IC4は、第1の半導体レーザを駆動するようになっている。図1では図示しないが、光ヘッド1は、更に、光ヘッド本体2に内蔵された第2のレーザユニットと、この第2のレーザユニットに接続された高周波重畳回路とを備えている。第2のレーザユニットは、第2の半導体レーザと第2の光検出器とを含んでいる。光ヘッド本体2は、平行に配置された2本のレール7によって、光ディスクのトラックを横断する方向に移動可能に支持されている。
【0023】
図2は、光ヘッド1における光ヘッド光学系を示す説明図である。この光ヘッド1は、光ディスク30に対向するように配置される。前述のように、光ヘッド1は、第1のレーザユニット10と、この第1のレーザユニット10に接続されたフレキシブル回路基板3と、このフレキシブル回路基板3に搭載された半導体レーザ駆動用IC4と、第2のレーザユニット20と、この第2のレーザユニット20に接続された基板8とを備えている。基板8には、後述する高周波重畳回路が搭載されている。
【0024】
第1のレーザユニット10は、第1の波長のレーザ光を出射する第1の半導体レーザ11と、第1の光検出器12と、第1のホログラム13とを有している。第1の光検出器12は、再生信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を生成できるように、例えば4分割された受光部を有している。第1のホログラム13は、第1の半導体レーザ11から出射された光を通過させると共に、光ディスク30からの戻り光の一部を回折して、第1の光検出器12に導くようになっている。
【0025】
第2のレーザユニット20は、第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を出射する第2の半導体レーザ21と、第2の光検出器22と、第2のホログラム23とを有している。第2の光検出器22は、再生信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を生成できるように、例えば4分割された受光部を有している。第2のホログラム23は、第2の半導体レーザ21から出射された光を通過させると共に、光ディスク30からの戻り光の一部を回折して、第2の光検出器22に導くようになっている。
【0026】
光ヘッド光学系は、光ディスク30に対向するように配置された対物レンズ5を備えている。光ヘッド光学系は、更に、第2のレーザユニット20と対物レンズ5との間において、第2のレーザユニット20側から順に配置されたダイクロイックプリズム31、立ち上げミラー32、コリメートレンズ33および4分の1波長板34を備えている。ダイクロイックプリズム31は、ダイクロイックミラー面31aを有している。第1のレーザユニット10は、光ディスク30からの戻り光のうちダイクロイックミラー面31aで反射された光が入射する位置に配置されている。光ヘッド光学系は、更に、第1のレーザユニット10とダイクロイックプリズム31との間に配置された補正板35と、ダイクロイックプリズム31を挟んで補正板35と反対側に配置されたフロントモニタ用光検出器36とを備えている。
【0027】
光ヘッドは、対物レンズ5および4分の1波長板34を一体的に、光ディスク30の面に垂直な方向とトラックを横断する方向とに移動可能なアクチュエータ37を備えている。
【0028】
ここで、図2に示した光ヘッド光学系の作用について説明する。本実施の形態に係る光ヘッド1は、CD(コンパクトディスク)とDVD(デジタルビデオディスクまたはデジタルヴァーサタイルディスク)の組み合わせのような2種類の光ディスク30を使用可能な光記録再生装置に用いられる。第1のレーザユニット10は、第1の種類の光ディスク30に対して情報を記録する場合と、第1の種類の光ディスク30から情報を再生する場合に用いられる。第2のレーザユニット20は、第2の種類の光ディスク30に対して情報を記録する場合と、第2の種類の光ディスク30から情報を再生する場合に用いられる。
【0029】
第1の種類の光ディスク30に情報を記録する際には、第1のレーザユニット10における第1の半導体レーザ11より、記録用の高出力のパルス光が間欠的に出射されるように、半導体レーザ駆動用IC4によって第1の半導体レーザ11が駆動される。第1の半導体レーザ11から出射された光は、ホログラム13および補正板35を通過した後、ダイクロイックプリズム31に入射し、大部分はダイクロイックミラー面31aで反射され、一部はダイクロイックミラー面31aを通過してフロントモニタ用光検出器36に入射する。フロントモニタ用光検出器36の出力信号は、半導体レーザ11の出射光の自動光量調整を行うために用いられる。ダイクロイックミラー面31aで反射された光は、立ち上げミラー32、コリメートレンズ33、4分の1波長板34および対物レンズ5を順に通過して、収束する光となって光ディスク30に照射される。そして、この光によって、光ディスク30の情報記録層に光学的に情報が記録される。光ディスク30に照射された光の一部は、情報記録層で反射されて戻り光となって光ディスク30より出射される。この戻り光は、対物レンズ5、4分の1波長板34、コリメートレンズ33および立ち上げミラー32を順に通過した後、ダイクロイックプリズム31に入射し、大部分がダイクロイックミラー面31aで反射される。ダイクロイックミラー面31aで反射された戻り光は、補正板35を通過した後、第1のホログラム13によって回折されて、第1の光検出器12に入射する。そして、この光検出器12の出力に基づいて、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が生成される。
【0030】
第1の種類の光ディスク30から情報を再生する際には、第1のレーザユニット10の第1の半導体レーザ11より、再生用の低出力の光が連続的に出射されるように、半導体レーザ駆動用IC4によって第1の半導体レーザ11が駆動される。第1の半導体レーザ11から出射された光は、情報の記録時と同様の経路を経て光ディスク30に照射される。光ディスク30に照射された光の一部は、情報記録層で反射されて、情報を担持した戻り光となって光ディスク30より出射される。この戻り光は、情報の記録時と同様の経路を経て第1の光検出器12に入射する。そして、この光検出器12の出力に基づいて、再生信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が生成される。
【0031】
第2の種類の光ディスク30に情報を記録する際には、第2のレーザユニット20の第2の半導体レーザ21より、記録用の高出力のパルス光が間欠的に出射されるように、光ヘッド1の外部から与えられる記録信号によって、第2の半導体レーザ21が駆動される。第2の半導体レーザ21から出射された光は、ホログラム23を通過した後、ダイクロイックプリズム31に入射し、大部分はダイクロイックミラー面31aを通過し、一部はダイクロイックミラー面31aで反射されてフロントモニタ用光検出器36に入射する。フロントモニタ用光検出器36の出力信号は、半導体レーザ21の出射光の自動光量調整を行うために用いられる。ダイクロイックミラー面31aを通過した光は、立ち上げミラー32、コリメートレンズ33、4分の1波長板34および対物レンズ5を順に通過して、収束する光となって光ディスク30に照射される。そして、この光によって、光ディスク30の情報記録層に光学的に情報が記録される。光ディスク30に照射された光の一部は、情報記録層で反射されて戻り光となって光ディスク30より出射される。この戻り光は、対物レンズ5、4分の1波長板34、コリメートレンズ33および立ち上げミラー32を順に通過した後、ダイクロイックプリズム31に入射し、大部分がダイクロイックミラー面31aを通過する。ダイクロイックミラー面31aを通過した戻り光は、第2のホログラム23によって回折されて、第2の光検出器22に入射する。そして、この光検出器22の出力に基づいて、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が生成される。
【0032】
第2の種類の光ディスク30から情報を再生する際には、光ヘッド1の外部から与えられる一定レベルの電流に、高周波重畳回路によって生成された高周波信号が重畳されて駆動電流が生成され、この駆動電流によって第2の半導体レーザ21が駆動される。第2の半導体レーザ21から出射された光は、情報の記録時と同様の経路を経て光ディスク30に照射される。光ディスク30に照射された光の一部は、情報記録層で反射されて、情報を担持した戻り光となって光ディスク30より出射される。この戻り光は、情報の記録時と同様の経路を経て第2の光検出器22に入射する。そして、この光検出器22の出力に基づいて、再生信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が生成される。
【0033】
次に、図3ないし図5を参照して、本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路の構成について詳しく説明する。図3は半導体レーザ駆動回路を示す回路図、図4は半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図、図5は半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図である。なお、図5は図4における下側から半導体レーザ駆動用ICを見た状態を表わしている。
【0034】
本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路9は、第1の半導体レーザ11を駆動する半導体レーザ駆動用IC4と、このIC4が搭載されたフレキシブル回路基板3とを備えている。半導体レーザ駆動用IC4は、本体4aと、この本体4a内に設けられ、半導体レーザ11を駆動するため駆動信号を生成するスイッチング素子41とを備えている。IC4は、更に、スイッチング素子41に対して電源電圧を供給するための高電位電源端子42および低電位電源端子43と、スイッチング素子41によって生成される駆動信号を外部に出力するための駆動信号出力端子44とを有している。端子42〜44は、IC4の本体4aの一側部から外側に突出するように設けられている。また、端子42,43,44は、それぞれ、本体4aの一側部から水平方向外側に延びる本体接続部42a,43a,44aと、フレキシブル回路基板3に接続される基板接続部42b,43b,44bと、本体接続部42a,43a,44aと基板接続部42b,43b,44bとを連結する連結部42c,43c,44cとを有している。
【0035】
スイッチング素子41としては、例えば、図3に示したようにNPN型バイポーラトランジスタが用いられる。この場合には、トランジスタのコレクタが高電位電源端子42に接続され、トランジスタのエミッタが駆動信号出力端子44に接続される。トランジスタのベースには、光ヘッド1の外部から与えられる記録信号に対応した電圧が印加される。低電位電源端子43はIC4内のグランドラインに接続されている。
【0036】
なお、スイッチング素子41としては、電界効果型トランジスタを用いてもよい。この場合には、トランジスタのドレインが高電位電源端子42に接続され、トランジスタのソースが駆動信号出力端子44に接続される。トランジスタのゲートには、光ヘッド1の外部から与えられる記録信号に対応した電圧が印加される。
【0037】
図4に示したように、高電位電源端子42、低電位電源端子43および駆動信号出力端子44は、IC4の一側部において並べて配置されている。本実施の形態では、特に、駆動信号出力端子44は、高電位電源端子42と低電位電源端子43との間に配置されている。
【0038】
フレキシブル回路基板3は、高電位電源端子42に接続され、高電位電源端子42に高電位を印加する高電位導体部45と、低電位電源端子43に接続され、低電位電源端子43に低電位を印加する低電位導体部46と、駆動信号出力端子44と第1の半導体レーザ11とを接続し、駆動信号を半導体レーザ11に伝送する駆動信号伝送導体部47とを有している。これらの導体部45,46,47はストライプ状に形成されている。
【0039】
本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路は、端子42,43,44が配置されたIC4の一側部の脇に配置された2つのチップコンデンサ51,52を備えている。これらのコンデンサ51,52の各一端は高電位電源端子42に接続され、コンデンサ51,52の各他端は低電位電源端子43に接続されている。コンデンサ51,52は、スイッチング素子41の動作に伴ってIC4の電源電圧に重畳されるリップル成分を低減するためのものである。コンデンサ51,52の容量は互いに異なっている。一例を挙げると、コンデンサ51の容量は10μFであり、コンデンサ52の容量は0.1μFである。なお、図4および図5では、コンデンサ51がコンデンサ52よりも端子42,43,44の近くに配置されているが、コンデンサ51,52の配置はこれとは逆であってもよい。
【0040】
コンデンサ51の両端部には、導体からなる端子部51a,51bが形成されている。端子部51a,51bの間におけるコンデンサ51の表面は絶縁体によって形成されている。同様に、コンデンサ52の両端部には、導体からなる端子部52a,52bが形成されている。端子部52a,52bの間におけるチップコンデンサ52の表面は絶縁体によって形成されている。
【0041】
コンデンサ51,52は、いずれも、駆動信号伝送導体部47をまたぐように配置され、端子部51a,52aが高電位導体部45に接続され、端子部51b,52bが低電位導体部46に接続されている。端子部51a,52aと高電位導体部45との接続、および端子部51b,52bと低電位導体部46との接続は、例えば半田付けによって行われる。このようにして、コンデンサ51,52の端子部51a,52aは、高電位導体部45を介してIC4の高電位電源端子42に接続され、端子部51b,52bは、低電位導体部46を介してIC4の低電位電源端子43に接続されている。コンデンサ51,52は互いに並列の関係になっている。
【0042】
図4に示したように、高電位導体部45において、端子部51a,52aが接続される部分の幅は他の部分の幅よりも大きくなっている。同様に、低電位導体部46において、端子部51b,52bが接続される部分の幅は他の部分の幅よりも大きくなっている。
【0043】
図3に示したように、高電位導体部45には高電位Vccが印加されるようになっている。また、低電位導体部46には低電位(グランドレベル)GNDが印加されるようになっている。
【0044】
図4に示したように、端子42,43,44の近くに配置されたコンデンサ51と端子42,43,44との間の距離Dは2mm以下であることが好ましい。
【0045】
次に、本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路の作用について説明する。IC4には、高電位導体部45および高電位電源端子42を介して高電位Vccが供給され、低電位導体部46および低電位電源端子43を介して低電位GNDが供給される。高電位Vccと低電位GNDとの電位差が、IC4を動作させるための電源電圧となる。スイッチング素子41は、半導体レーザ11を駆動するため駆動信号を生成する。この駆動信号は、駆動信号出力端子44および駆動信号伝送導体部47を介して半導体レーザ11に印加される。
【0046】
コンデンサ51,52は、スイッチング素子41の動作に伴ってIC4の電源電圧に重畳されるリップル成分を低減する。本実施の形態では、IC4の高電位電源端子42、低電位電源端子43および駆動信号出力端子44は、IC4の一側部において並べて配置されている。このような配置の場合、IC4内のスイッチング素子41は、端子42〜44の近傍に配置される。本実施の形態では、コンデンサ51,52は、IC4の上記一側部の脇に配置され、一端が高電位電源端子42に接続され、他端が低電位電源端子43に接続されている。このような構成により、コンデンサ51,52はIC4内のスイッチング素子41の近傍に配置されることになる。そのため、本実施の形態によれば、高電位導体部45と低電位導体部46との間における高周波信号成分(リップル成分)に関しての配線の長さを短くすることができる。これにより、配線が持つ誘導性および容量性の浮遊リアクタンスに起因する電圧−電流間の位相の遅れや進みを最小限に抑えることができる。その結果、本実施の形態によれば、コンデンサ51,52によって、駆動信号の波形においてなまりを生じさせない程度まで、電源電圧に重畳されるリップル成分を除去することができる。従って、本実施の形態によれば、駆動信号にリップル成分が重畳されたり、駆動信号の波形においてなまりが生じたりすることを防止でき、その結果、高い周波数領域においても理想的な波形となる駆動信号を生成することができる。
【0047】
以上のことから、本実施の形態によれば、特に半導体レーザ11より出射されるパルス光のパルス幅が小さい場合においても、半導体レーザ駆動回路によって、良好な駆動信号を生成することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、高い周波数領域においても理想的な波形となるパルス光を発生させることができる。
【0048】
なお、コンデンサ51と端子42,43,44との間の距離Dが短いほど、高電位導体部45と低電位導体部46との間における高周波信号成分(リップル成分)に関しての配線の長さを短くすることができる。従って、距離Dは短いほどよく、2mm以下であることが好ましい。
【0049】
また、本実施の形態では、互いに容量が異なり、並列に接続された2つのコンデンサ51,52を設けている。このうち、容量が大きい方のコンデンサ51は、容量が小さい方のコンデンサ52に比べて、リップル成分を除去する機能において優れている。一方、容量が小さい方のコンデンサ52は、容量が大きい方のコンデンサ51に比べて、駆動信号の波形におけるなまりの発生を抑制する機能において優れている。従って、これら、2つのコンデンサ51,52を併用することによって、より効果的に、駆動信号の波形におけるなまりの発生を抑制しながら、駆動信号に重畳されるリップル成分を除去することが可能になる。
【0050】
なお、本実施の形態において、コンデンサ51,52は、必ずしも水平方向に並べて配置する必要はなく、積み重ねて配置してもよい。また、本実施の形態において、リップル除去用のコンデンサの数は、必ずしも2つである必要はなく、1つでもよいし、3つ以上であってもよい。
【0051】
次に、本実施の形態に係る光ヘッドを含む光記録再生装置の構成の一例について説明する。図6は光記録再生装置の要部の構成の一例を示す説明図である。この例における光記録再生装置は、本実施の形態に係る光ヘッド1と、光ディスク30を回転させるモータ61と、光ディスク30が所定の速度で回転するようにモータ61を制御するディスク回転サーボ回路62とを備えている。光ヘッド1は、図2に示した構成要素に加え、高周波重畳回路25を備えている。この高周波重畳回路25は、第2のレーザユニット20に接続されている。第2のレーザユニット20には、記録時には、光ヘッドの外部から記録信号が与えられるようになっている。また、第2のレーザユニット20には、再生時には、光ヘッド1の外部から与えられる一定レベルの電流に高周波重畳回路25によって生成された高周波信号が重畳されて生成された駆動電流が与えられるようになっている。
【0052】
光記録再生装置は、更に、光ヘッド1を光ディスク30のトラックを横断する方向に移動させるリニアモータ63と、このリニアモータ63を制御するラジアルサーボ回路64と、ラジアルサーボ回路64に対して、光ヘッド1の出射光の照射位置を所望のトラックへ移動させるための指令を与えるトラック検索回路65と、ディスク回転サーボ回路62およびトラック検索回路65を制御する制御回路66とを備えている。
【0053】
光記録再生装置は、更に、第1のレーザユニット10内の第1の光検出器12の出力信号と第2のレーザユニット20内の第2の光検出器22の出力信号を増幅するプリアンプ67と、それぞれプリアンプ67の出力信号を入力するフォーカシング・トラッキングサーボ回路68および復調回路69を備えている。フォーカシング・トラッキングサーボ回路68は、プリアンプ67の出力信号に基づいてフォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号を生成し、これらに基づいてアクチュエータ37を制御して、フォーカシングサーボおよびトラッキングサーボを行うようになっている。復調回路69は、プリアンプ67の出力信号に基づいて再生信号を生成するようになっている。
【0054】
図7は光記録再生装置における再生信号処理回路の構成の一例を示すブロック図である。なお、図7には、光ヘッド1によって情報を読み取り可能な2種類の光ディスクのうちの一方から再生された信号のみを処理する再生信号処理回路を示している。この再生信号処理回路は、図6における復調回路69の出力信号を入力し、この信号に対して位相ひずみの補償を行う位相等化器71と、この位相等化器71の出力信号から変調信号を取り出す復調器72と、この復調器72の出力信号に対してエラー補正を行うエラー補正器73とを備えている。
【0055】
再生信号処理回路は、更に、エラー補正器73の出力信号を、MPEG2規格のビデオデータおよびオーディオデータに変換するMPEG2デコーダ74と、このMPEG2デコーダ74から出力されるビデオデータをデジタル−アナログ変換するビデオD/A変換器75と、このビデオD/A変換器75の出力信号からNTSC方式またはPAL方式のコンポジットビデオ信号を生成するNTSC/PALエンコーダ76と、このNTSC/PALエンコーダ76の出力信号から高周波成分を除去して、各種のビデオ信号を出力するローパスフィルタ77とを備えている。ローパスフィルタ77は、例えば、RGB信号、輝度信号(Y)、色信号(C)、コンポジットビデオ信号(CVS)を出力するようになっている。
【0056】
再生信号処理回路は、更に、MPEG2デコーダ74から出力されるオーディオデータの処理を行うオーディオ回路78と、このオーディオ回路78の出力データをデジタル−アナログ変換して、オーディオ信号(L,R)を出力するオーディオD/A変換器79とを備えている。
【0057】
再生信号処理回路は、更に、エラー補正器73、MPEG2デコーダ74、オーディオ回路78等の制御を行う中央処理装置(CPU)80と、中央処理装置80に接続されたメモリ81と、中央処理装置80に接続された入出力インターフェース82とを備えている。入出力インターフェース82は、例えばリモートコントロール装置と中央処理装置80との間の信号の入出力を制御するようになっている。
【0058】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路および光ヘッドについて説明する。図8は本実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図、図9は本実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図、図10は本実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す他の側面図である。なお、図9は図8における下側から半導体レーザ駆動用ICを見た状態を表わし、図10は図8における右側から半導体レーザ駆動用ICを見た状態を表わしている。
【0059】
本実施の形態では、リップル除去用のチップコンデンサ51,52は、駆動信号伝送導体部47をまたぐように、IC4の端子42,43,44の上に配置されている。具体的に説明すると、コンデンサ51は、端子42,43,44における基板接続部42b,43b,44bの上に載置され、端子部51a,51bがそれぞれ基板接続部42b,43bに例えば半田付けによって接続されている。コンデンサ52は、コンデンサ51の上に載置され、端子部52a,52bがそれぞれコンデンサ51の端子部51a,51bに例えば半田付けによって接続されている。第1の実施の形態と同様に、コンデンサ51,52は互いに並列の関係になっている。
【0060】
図11は、本実施の形態の変形例における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図である。この変形例では、コンデンサ51は、端子42,43,44における本体接続部42a,43a,44aの上に載置され、端子部51a,51bがそれぞれ本体接続部42a,43aに例えば半田付けによって接続されている。コンデンサ52は、コンデンサ51の上に載置され、端子部52a,52bがそれぞれコンデンサ51の端子部51a,51bに例えば半田付けによって接続されている。
【0061】
本実施の形態におけるその他の構成は、第1の実施の形態と同様である。本実施の形態では、コンデンサ51,52は、第1の実施の形態に比べて、よりIC4内のスイッチング素子41の近くに配置される。従って、本実施の形態によれば、より理想的な波形となるパルス光を発生させることが可能になる。
【0062】
なお、本実施の形態において、コンデンサ51,52は、必ずしも積み重ねて配置する必要はなく、端子42,43,44の上に並べて配置してもよい。また、本実施の形態において、リップル除去用のコンデンサの数は、必ずしも2つである必要はなく、1つでもよいし、3つ以上であってもよい。
【0063】
次に、本実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路の効果を確認するために行った実験について説明する。この実験では、比較例の半導体レーザ駆動回路と、本実施の形態の第1および第2の実施例の半導体レーザ駆動回路について、駆動信号の波形を観察した。図12は、比較例における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図である。この比較例では、チップコンデンサ51,52を、端子42,43,44が配置されたIC4の一側部の脇に配置せずに、IC4の他の側部の外側に配置している。この比較例において、高電位導体部45および低電位導体部46は、IC4の下を通過してIC4の他の側部の外側の位置まで延在している。比較例において、チップコンデンサ51,52の各一方の端子部は高電位導体部45に接続され、各他方の端子部は低電位導体部46に接続されている。また、比較例において、コンデンサ51の容量は10μFであり、コンデンサ52の容量は0.1μFである。
【0064】
本実施の形態の第1の実施例では、1個のチップコンデンサを、端子42,43,44における基板接続部42b,43b,44bの上に載置している。このコンデンサの一方の端子部は基板接続部42bに接続され、他方の端子部は基板接続部43bに接続されている。このコンデンサの容量は0.1μFである。
【0065】
本実施の形態の第2の実施例では、図8に示したようにチップコンデンサ51,52を配置している。第2の実施例において、コンデンサ51の容量は10μFであり、コンデンサ52の容量は0.1μFである。
【0066】
実験では、上記比較例、第1および第2の実施例の各半導体レーザ駆動回路に、周波数25MHzの矩形波の駆動信号を生成させ、その駆動信号の波形をオシロスコープによって観察した。図13、図14および図15は、それぞれ、比較例、第1および第2の実施例の各半導体レーザ駆動回路による駆動信号の波形を示す説明図である。なお、図13、図14および図15は、いずれもオシロスコープによって表示される駆動信号の波形を表わしている。
【0067】
図13に示したように、比較例における駆動信号の波形では、立ち上がり部分において波形の歪み、特になまりが発生していると共に、立ち下がり部分においても波形の歪みが発生している。
【0068】
これに対し、図14および図15に示したように、第1および第2の実施例における各駆動信号の波形では、図13に示した比較例における波形に比べて、波形の歪みが大幅に解消され、立ち上がりおよび立ち下がりが急峻になっている。図14に示した第の実施例における波形では立ち上がり部分にオーバーシュートが発生しているが、図15に示した第2の実施例における波形では立ち上がり部分におけるオーバーシュートもなく、理想的な駆動信号の波形が得られている。
【0069】
以上の実験結果から、本実施の形態によれば、理想的な波形となる駆動信号を生成でき、その結果、理想的な波形となる発生パルス光を発生させることができることが分かる。
【0070】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。
【0071】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、高電位電源端子と低電位電源端子とが駆動信号出力端子を間に挟むことなく並べて配置され、駆動信号出力端子が高電位電源端子または低電位電源端子に隣接するように配置されている場合も含む。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザ駆動回路または光ヘッドでは、半導体レーザを駆動する集積回路の高電位電源端子、低電位電源端子および駆動信号出力端子は、集積回路の一側部において並べて配置され、コンデンサは、集積回路の一側部の脇に配置され、一端が高電位電源端子に接続され、他端が低電位電源端子に接続されている。このような構成により、コンデンサは集積回路内のスイッチング素子の近傍に配置されることになる。そのため、本発明によれば、高電位導体部と低電位導体部との間における高周波信号成分に関しての配線の長さを短くすることができる。これにより、配線が持つ誘導性および容量性の浮遊リアクタンスに起因する電圧−電流間の位相の遅れや進みを最小限に抑えることができる。その結果、コンデンサによって、駆動信号の波形においてなまりを生じさせない程度まで、電源電圧に重畳されるリップル成分を除去することができる。以上のことから、本発明によれば、特に半導体レーザより出射されるパルス光のパルス幅が小さい場合においても、良好な駆動信号を生成することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る光ヘッドを示す斜視図である
【図2】本発明の第1の実施の形態における光ヘッド光学系を示す説明図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係る光ヘッドを含む光記録再生装置の構成の一例を示す説明図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態に係る光ヘッドを含む光記録再生装置における再生信号処理回路の構成の一例を示すブロック図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図である。
【図10】本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す他の側面図である。
【図11】本発明の第2の実施の形態の変形例における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す側面図である。
【図12】比較例における半導体レーザ駆動用ICの一部とその近傍を示す平面図である。
【図13】比較例の半導体レーザ駆動回路による駆動信号の波形を示す説明図である。
【図14】本発明の第2の実施の形態における第1の実施例の半導体レーザ駆動回路による駆動信号の波形を示す説明図である。
【図15】本発明の第2の実施の形態における第2の実施例の半導体レーザ駆動回路による駆動信号の波形を示す説明図である。
【符号の説明】
1…光ヘッド、2…光ヘッド本体、3…フレキシブル回路基板、4…半導体レーザ駆動用IC、5…対物レンズ、9…半導体レーザ駆動回路、10…第1のレーザユニット、11…第1の半導体レーザ、12…第1の光検出器、20…第2のレーザユニット、21…第2の半導体レーザ、22…第2の光検出器、30…光ディスク、41…スイッチング素子、42…高電位電源端子、43…低電位電源端子、44…駆動信号出力端子、45…高電位導体部、46…低電位導体部、47…駆動信号伝送導体部、51,52…チップコンデンサ。

Claims (8)

  1. 光記録用の光を出射する半導体レーザを駆動する集積回路と、この集積回路が搭載される基板とを備えた半導体レーザ駆動回路であって、
    前記集積回路は、前記半導体レーザを駆動するため駆動信号を生成するスイッチング素子と、このスイッチング素子に対して電源電圧を供給するための高電位電源端子および低電位電源端子と、前記スイッチング素子によって生成される駆動信号を外部に出力するための駆動信号出力端子とを有し、
    前記高電位電源端子、低電位電源端子および駆動信号出力端子は、前記集積回路の一側部において並べて配置され、
    前記駆動信号出力端子は、前記高電位電源端子と低電位電源端子との間に配置され、
    前記基板は、前記高電位電源端子に接続され、前記高電位電源端子に高電位を印加する高電位導体部と、前記低電位電源端子に接続され、前記低電位電源端子に低電位を印加する低電位導体部と、前記駆動信号出力端子と前記半導体レーザとを接続し、前記駆動信号を前記半導体レーザに伝送する駆動信号伝送導体部とを有し、
    前記半導体レーザ駆動回路は、更に、前記集積回路の前記一側部の脇に配置され、一端が前記高電位電源端子に接続され、他端が前記低電位電源端子に接続されたコンデンサを備え
    前記コンデンサは、前記駆動信号伝送導体部をまたぐように配置されていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
  2. 前記コンデンサの一端は前記高電位導体部に接続され、この高電位導体部を介して前記高電位電源端子に接続され、前記コンデンサの他端は前記低電位導体部に接続され、この低電位導体部を介して前記低電位電源端子に接続されていることを特徴とする請求項記載の半導体レーザ駆動回路。
  3. 前記コンデンサは前記高電位電源端子および低電位電源端子の上に配置されていることを特徴とする請求項記載の半導体レーザ駆動回路。
  4. 前記コンデンサは複数個設けられ、この複数個のコンデンサは並列に接続されていることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
  5. 光記録用の光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射された光を光記録媒体に照射する光学系と、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路と備えた光ヘッドであって、
    前記半導体レーザ駆動回路は、前記半導体レーザを駆動する集積回路と、前記集積回路が搭載される基板とを備え、
    前記集積回路は、前記半導体レーザを駆動するため駆動信号を生成するスイッチング素子と、このスイッチング素子に対して電源電圧を供給するための高電位電源端子および低電位電源端子と、前記スイッチング素子によって生成される駆動信号を外部に出力するための駆動信号出力端子とを有し、
    前記高電位電源端子、低電位電源端子および駆動信号出力端子は、前記集積回路の一側部において並べて配置され、
    前記駆動信号出力端子は、前記高電位電源端子と低電位電源端子との間に配置され、
    前記基板は、前記高電位電源端子に接続され、前記高電位電源端子に高電位を印加する高電位導体部と、前記低電位電源端子に接続され、前記低電位電源端子に低電位を印加する低電位導体部と、前記駆動信号出力端子と前記半導体レーザとを接続し、前記駆動信号を前記半導体レーザに伝送する駆動信号伝送導体部とを有し、
    前記半導体レーザ駆動回路は、更に、前記集積回路の前記一側部の脇に配置され、一端が前記高電位電源端子に接続され、他端が前記低電位電源端子に接続されたコンデンサを備え
    前記コンデンサは、前記駆動信号伝送導体部をまたぐように配置されていることを特徴とする光ヘッド。
  6. 前記コンデンサの一端は前記高電位導体部に接続され、この高電位導体部を介して前記高電位電源端子に接続され、前記コンデンサの他端は前記低電位導体部に接続され、この低電位導体部を介して前記低電位電源端子に接続されていることを特徴とする請求項記載の光ヘッド。
  7. 前記コンデンサは前記高電位電源端子および低電位電源端子の上に配置されていることを特徴とする請求項記載の光ヘッド。
  8. 前記コンデンサは複数個設けられ、この複数個のコンデンサは並列に接続されていることを特徴とする請求項ないしのいずれかに記載の光ヘッド。
JP2002115726A 2002-04-18 2002-04-18 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド Expired - Fee Related JP4086282B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002115726A JP4086282B2 (ja) 2002-04-18 2002-04-18 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド
CNB038007274A CN1280806C (zh) 2002-04-18 2003-04-03 半导体激光器驱动电路和光学头
EP03746420A EP1496503A4 (en) 2002-04-18 2003-04-03 SEMICONDUCTOR LASER CONTROL UNIT AND OPTICAL HEAD
KR1020047000379A KR100840307B1 (ko) 2002-04-18 2003-04-03 반도체 레이저 구동 회로 및 광 헤드
US10/405,625 US6970487B2 (en) 2002-04-18 2003-04-03 Semiconductor laser driving circuit and optical head
PCT/JP2003/004263 WO2003088230A1 (en) 2002-04-18 2003-04-03 Semiconductor laser driving circuit and optical head
TW092108906A TWI235532B (en) 2002-04-18 2003-04-17 Semiconductor laser driving circuit and optical head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002115726A JP4086282B2 (ja) 2002-04-18 2002-04-18 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003317293A JP2003317293A (ja) 2003-11-07
JP2003317293A5 JP2003317293A5 (ja) 2005-07-28
JP4086282B2 true JP4086282B2 (ja) 2008-05-14

Family

ID=29243432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002115726A Expired - Fee Related JP4086282B2 (ja) 2002-04-18 2002-04-18 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6970487B2 (ja)
EP (1) EP1496503A4 (ja)
JP (1) JP4086282B2 (ja)
KR (1) KR100840307B1 (ja)
CN (1) CN1280806C (ja)
TW (1) TWI235532B (ja)
WO (1) WO2003088230A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079542A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Tdk Corp 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド
JP4731148B2 (ja) * 2004-09-30 2011-07-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および光学記録媒体駆動装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136501A (ja) * 1991-11-11 1993-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ駆動回路
JPH05175579A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Canon Inc 半導体レーザ駆動回路
JPH05315686A (ja) 1992-04-14 1993-11-26 Sony Corp レーザダイオード駆動回路
EP0678982B1 (en) * 1994-04-22 1999-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting element driving circuit
JP3708767B2 (ja) * 1999-06-25 2005-10-19 株式会社東芝 半導体集積回路とこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及び光ピックアップ装置
TW473984B (en) * 1999-08-19 2002-01-21 Toshiba Corp Laser driving circuit and reproducing device using the same
DE10041079A1 (de) * 2000-08-22 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lasermodul mit Ansteuerschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
TW200306690A (en) 2003-11-16
WO2003088230A1 (en) 2003-10-23
KR100840307B1 (ko) 2008-06-20
EP1496503A4 (en) 2008-05-14
TWI235532B (en) 2005-07-01
JP2003317293A (ja) 2003-11-07
US20040091007A1 (en) 2004-05-13
CN1280806C (zh) 2006-10-18
US6970487B2 (en) 2005-11-29
EP1496503A1 (en) 2005-01-12
CN1537306A (zh) 2004-10-13
KR20040097981A (ko) 2004-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1601069B1 (en) Laser diode driver, optical pickup device, and optical recording/reproducing apparatus using the same
JP4709144B2 (ja) 光ピックアップおよび光ディスク装置
JP2002260248A (ja) ミラー検出信号生成回路
JP2675977B2 (ja) 光情報記録再生装置
JP2005079542A (ja) 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド
JP4086282B2 (ja) 半導体レーザ駆動回路および光ヘッド
JPH0991708A (ja) 光ディスク装置
JPH0223543A (ja) 半導体レーザ駆動装置
WO2007148669A1 (ja) 光記録再生方法およびシステム、ならびにプログラム
WO2002059889A1 (fr) Dispositif et procede de mise en forme de spots lumineux, dispositif de captation de lumiere et appareil a disque optique
JP2002288864A (ja) 光ヘッドの光源装置
US8203923B2 (en) Recording device and recording method for optical recording medium
US20060114766A1 (en) Wobbling signal reproduction device
JP2803946B2 (ja) 光再生装置
EP1709632B1 (en) Compatible laser modulation circuit for scanner in optical storage media recording/reproducing apparatus
JP4325509B2 (ja) 光ディスク装置
JP2003077161A (ja) 光ディスク装置
JPH1166580A (ja) 情報再生装置、情報記録再生装置及びオントラック・オフトラック検出回路
US20030048723A1 (en) Optical pickup and optical disk recording/playback unit
JPH11312312A (ja) 光学的情報記録再生装置
JP2007317312A (ja) 光ディスク装置及びこれに用いる記録波形生成回路
JP2007234624A (ja) レーザ駆動装置
JP2003085845A (ja) 光磁気記録再生装置
JPH1079171A (ja) 光ディスク装置
JP2001312874A (ja) 光ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080218

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees