KR20040094813A - 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법 - Google Patents

허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법 Download PDF

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KR20040094813A
KR20040094813A KR10-2004-7014620A KR20047014620A KR20040094813A KR 20040094813 A KR20040094813 A KR 20040094813A KR 20047014620 A KR20047014620 A KR 20047014620A KR 20040094813 A KR20040094813 A KR 20040094813A
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thermal conductivity
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honeycomb
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KR10-2004-7014620A
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이치카와슈이치
오츠카아이코
이토우모토미치
마키노다쿠마
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니뽄 가이시 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법은 허니콤 구조체(1)의 양단부(11, 12)의 온도를 각각 다른 소정 온도로 제어한 상태에서 허니콤 구조체(1) 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하고, 이 상태에서 열전도율을 측정하는 것을 특징으로 한다. 허니콤 구조체의 열전도율을, 특정 형상의 시험편 등을 제작하는 일없이, 허니콤 구조체 그 자체의 형상 또는 소정의 블록 형상으로 측정하는 것을 가능하게 하는 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법을 제공한다.

Description

허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법{METHOD OF MEASURING THERMAL CONDUCTIVITY OF HONEYCOMB STRUCTURE}
자동차(특히 디젤 엔진 탑재의 자동차)의 배기 가스나 폐기물의 소각시에 발생하는 소각 배출 가스 등에 함유되는 먼지나 그 밖의 입자형 물질을 포집하기 위해서, 또는 각종 광공업에 있어서의 제조 공정에서 배출되는 고온 배출 가스로부터 제품이나 원재료를 회수하기 위해서, 세라믹스로 이루어진 허니콤 구조체(허니콤 필터)가 사용되고 있다. 허니콤 구조체는 예컨대, 격벽에 의해 구획된 축 방향으로 관통하는 다수의 유통 셀을 갖는 동시에, 이 유통 셀의 격벽이 여과능을 가지며, 소정의 유통 셀에 대해서는 한쪽 단부를 밀봉하고, 나머지 유통 셀에 대해서는 다른 쪽 단부를 밀봉하여 이루어지며, 먼지 함유 유체 중에 포함되는 입자형 물질을 포집 제거하도록 형성된 구조체이다. 세라믹스로 이루어진 허니콤 구조체는 내열성, 내식성이 우수하고, 고온, 부식성 가스 분위기에서의 필터 재료로서 바람직한 특성을 갖고 있기 때문에, 각종 배기 가스의 정화에 이용되고 있다.
허니콤 구조체는 고온의 배기 가스를 방출하는 경우가 많고, 그 열전도성에 의해 허니콤 구조체의 열에 의한 왜곡 발생 방법이 변하기 때문에, 허니콤 구조체의 설계상, 그 열전도율을 파악할 필요가 있다. 그러나, 허니콤 구조체는 그 구조가 특수하기 때문에, 시험편 등을 제작하지 않고, 허니콤 구조체 그 자체의 열전도율을 측정하는 방법은 지금까지 확립되지 않았다.
종래에는, 예컨대, 파인세라믹스의 열전도율 측정 방법으로서, JIS R1611에 레이저 플래시법이 규정되어 있다. 이 방법은 피측정물의 재질이 기공률 10% 이하의 재료로 한정되고, 또한, 측정시의 시료 형상이 한 변 10 ㎜ 이하의 사변형 등의 평판에 한정되는 등의 제약이 있다. 이 때문에, 허니콤 구조체는 그 재질 및 형상 면에서 전술한 방법을 채용할 수 없다고 하는 문제가 있었다. 더욱이, 시험편으로 가공하지 않으면 안되기 때문에, 작업성의 문제도 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 허니콤 구조체의 열전도율을 특정 형상의 시험편 등을 제작하는 일없이, 허니콤 구조체 그 자체의 형상 또는 소정의 블록 형상으로 측정하는 것을 가능하게 하는 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 허니콤 구조체의 열전도율을, 시험편 등을 제작하는 일없이, 허니콤 구조체 그 자체의 형상으로 측정하는 것을 가능하게 하는 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법의 일 실시 형태에 있어서의 허니콤 구조체와 그 양단부에 접촉시킨 접촉 부재를 도시한 측면도.
도 2는 본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법의 다른 실시 형태에 있어서의 허니콤 구조체 및 접촉 부재 등을 축을 포함하는 평면으로 절단한 단면도.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의해 이하의 열전도율 측정 방법이 제공된다.
[1] 허니콤 구조체의 양단부의 온도를 각각 다른 소정 온도로 제어한 상태에서 허니콤 구조체 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하고, 이 상태에서 열전도율을측정하는 것을 특징으로 하는 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[2] 일정 온도로 제어한 접촉 부재를 상기 허니콤 구조체의 양단부에 접촉시킴으로써, 상기 양단부의 온도를 다른 소정 온도로 제어하는 [1]에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[3] 상기 허니콤 구조체의 열전도율 λ(W/mK)를, 상기 접촉 부재에 열류계를 접속하여 상기 접촉 부재의 각각에 있어서의 열유량 Q1(W/㎡), Q2(W/㎡)를 측정함으로써 도출되는 상기 허니콤 구조체의 열유량 QH(W/m2)=(Q1+Q2)/2와, 상기 허니콤 구조체의 양단부 사이의 거리 L(m)과, 상기 정상 상태에 있어서의 상기 허니콤 구조체의 양단부의 온도 T1(K), T2(K)와의 관계로서 규정한 하기 수학식 1로부터 산출하는 [2]에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
λ=QH·(L/(T1-T2))
[4] 상기 허니콤 구조체의 단부와 상기 접촉 부재를 고열전도율 부재를 통해 접촉시키는 [2] 또는 [3]에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[5] 상기 고열전도율 부재로서, 유연성을 갖는 시트를 이용하는 [4]에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[6] 상기 고열전도율 부재가, 열전도율이 높은 물질을 함유하는 페이스트를 상기 허니콤 구조체 및/또는 상기 접촉 부재의 접촉면에 도포하여 형성한 도포막으로 이루어진 [4] 또는 [5]에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[7] 상기 접촉 부재와 상기 허니콤 구조체의 단부와의 접촉압을 1∼10 kg/㎠로 하는 [2] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[8] 상기 허니콤 구조체의 측면의 노출 부분을 단열재로 피복하는 [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[9] 상기 허니콤 구조체의 재질의 열전도율이 1(W/mK) 이상인 [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
[10] 상기 허니콤 구조체가 탄화규소, 탄화규소와 금속규소와의 복합체 및 질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 [1] 내지 [9] 중 어느 한 항에 기재한 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법은 허니콤 구조체 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하여 열전도율을 측정함으로써, 허니콤 구조체의 형상에 관계없이, 예컨대 원통 형상의 허니콤 구조체 그 자체 또는 거기에서 소정 사이즈로 잘라낸 블록 형상으로서 (특정 형상의 시험편을 제작하지 않고) 간이하게 열전도율을 측정할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 참조하면서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 당업자의 통상의 지식에 기초하여 적절하게 설계의 변경, 개량 등이 가해지는 것이 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법의 일 실시 형태에 있어서의 허니콤 구조체와 그 양단부에 접촉시킨 접촉 부재를 도시한 측면도이다.
본 실시 형태에서는, 허니콤 구조체의 열전도율을 측정하기 위해서, 우선 허니콤 구조체의 축 방향 양단부의 온도를 각각 다른 소정 온도로 제어한다. 그 때문에, 도 1에 도시한 바와 같이, 허니콤 구조체(1)의 축 방향 양단부(11, 12)에 일정온도로 제어한 접촉 부재[2(21,22)]를 접촉시킨다. 이와 같이, 다른 소정 온도로 제어된 접촉 부재(21, 22)를 각각 허니콤 구조체(1)의 축 방향 양단부(11, 12)에 접촉시킴으로써, 양단부(11, 12)의 온도를 다른 소정 온도로 할 수 있고, 이에 따라, 허니콤 구조체(1) 전체의 온도 상태를 정상 상태로 할 수 있다.
다음에, 정상 상태로 한 허니콤 구조체(1)의 열유량 QH를 구한다. 열유량 QH는 정상 상태의 허니콤 구조체(1)의 양단부(11, 12)에 접촉하고 있는 접촉 부재(21, 22)에 미리 접속해 둔 열류계[3(31, 32)]로 각각 접촉 부재(21, 22)를 흐르는 열유량 Q1, Q2를 측정하고, QH=(Q1+Q2)/2의 식을 이용하여 산출된다.
그리고, 본 실시 형태에 있어서, 허니콤 구조체(1)의 열전도율 λ(W/mK)는 정상 상태에 있어서의 상기 허니콤 구조체(1)의 열유량 QH(W/㎡)=(Q1+Q2)/2와, 허니콤 구조체(1)의 양단부 사이의 거리 L(m)과, 허니콤 구조체(1)의 양단부(11, 12)의 온도 T1(K), T2(K)와의 관계로서 규정한 하기 수학식 1로부터 산출된다.
수학식 1
λ= QH·(L/(T1-T2))
이와 같이, 허니콤 구조체 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하여 열전도율을 측정하기 때문에, 허니콤 구조체의 형상에 관계없이, 예컨대 원통 형상의 허니콤 구조체 그 자체 또는 거기에서 소정 사이즈로 잘라낸 블록 형상으로서 (특정 형상의 시험편을 제작하지 않고) 간이하게 열전도율을 측정할 수 있다.
이와 같이, 허니콤 구조체 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하여 열전도율을 측정하기 때문에, 허니콤 구조체의 형상에 관계없이, 예컨대 원통 형상의 허니콤 구조 그 자체 또는 거기에서 소정 사이즈로 잘라낸 블록 형상으로서 (특정 형상의 시험편을 제작하지 않고) 간이하게 열전도율을 측정할 수 있다. 이러한 열전도율 측정 방법을 정상법이라고 하며(JIS A1412), 지금까지 허니콤 구조체에는 적용하는 일이 없었다.
본 실시 형태에서는, 허니콤 구조체(1)의 양단부(11, 12)와 접촉 부재(21, 22)와의 열적 접촉을 가능한 한 양호하게 하고, 접촉 부재(21)와 허니콤 구조체의 단부(11) 사이 및 허니콤 구조체의 단부(12)와 접촉 부재(22) 사이에서, 가능한 한 손실없이 열이 전해지는 것이 바람직하다. 이 부분의 열유량의 손실은 허니콤 구조체 그 자체의 열전도가 잘 안 되는 정도로서 계측되기 때문에, 허니콤 구조체의 열전도율의 측정 정밀도를 저하시킬 우려가 있다. 예컨대, 허니콤 구조체의 단부(11)의 단부면과, 접촉 부재(21)의 접촉면(211)과의 접촉 상태가 각각의 면이 갖는 미세한 요철 등에 의해 많은(넓은) 간극이 형성된 상태가 된 경우에는, 열이 전달되기 어렵게 될 우려가 있다. 더욱이, 열전도율이 높은 재질로 이루어진 허니콤 구조체의 경우에 그 정밀도의 저하가 커질 우려가 있다.
또한, 열전도율의 측정 정밀도를 보다 향상시키기 위해서, 허니콤 구조체(1)에 열이 흐를 때에, 가능한 한 허니콤 구조체(1)의 측면의 노출 부분으로부터의 방열이 적은 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법의 다른 실시 형태에 있어서의 허니콤 구조체 및 접촉 부재 등을 축을 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다.
전술한 바와 같이, 허니콤 구조체(1)의 양단부(11, 12)와 접촉 부재(21, 22)와의 열적 접촉을 양호하게 하고, 접촉 부재(21)와 허니콤 구조체의 단부(11), 허니콤 구조체의 단부(12)와 접촉 부재(22)의 각각의 사이에서 가능한 한 손실 없이 열이 전해지도록 하기 위해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 접촉 부재(21)와 허니콤 구조체의 단부(11)를, 고열전도율 부재(41)를 통해 접촉시키고, 접촉 부재(22)와 허니콤 구조체의 단부(12)를, 고열전도율 부재(42)를 통해 접촉시켰다. 이와 같이 접촉 부재(21, 22)와 허니콤 구조체의 단부(11, 12)를 고열전도율 부재(41, 42)를 통해 접촉시킴으로써, 허니콤 구조체의 단부(11)의 단부면과 접촉면(211)과의 접촉에 있어서, 각각의 면이 갖는 미세한 요철 등에 의해 형성된 간극이 고열전도율 부재(4)의 개재에 의해 적어진다. 이 때문에, 열의 전달이 보다 양호해지고, 허니콤구조체의 열전도율을 보다 정밀도 좋게 측정할 수 있다. 고열전도율 부재(4)는 열전도율이 높기 때문에, 허니콤 구조체의 단부(11, 12)와 접촉 부재(21, 22)와의 사이에 개재시켜 허니콤 구조체의 열전도율을 측정하여도 측정 오차는 커지지 않는다.
고열전도율 부재(4)는 유연성을 갖는 시트인 것이 바람직하다. 유연성을 갖는 시트로 함으로써, 전술한 바와 같이 접촉면들 사이에 형성되는 간극의 형태로 변형하여, 간극을 매립할 수 있기 때문에, 보다 열의 전달을 양호하게 할 수 있다. 유연성을 갖는 시트로 이루어진 고열전도율 부재(4)의 재질로서는, 카본, 알루미늄, 구리 등의 금속의 박(箔)이 바람직하다. 고열전도율 부재(4)의 두께는 측정치에 대한 영향을 억제하기 위해서 시료에 대하여 가능한 한 얇은 쪽이 바람직하다. 또한 고열전도율 부재(4)와 시료[허니콤 구조체(1)]의 두께의 관계에 의해 측정치 λ에 대한 영향을 무시할 수 없는 경우는, 고열전도율 부재(4)의 재질의 열전도율 λ2(W/mK)와 두께 L2(m)의 값을 이용하여 하기 수학식 2에 따라 시료[허니콤 구조체(1)]의 보정 열전도율 λ1(W/mK)을 산출한다.
λ1=L1/{L/λ-L2/λ2}
λ: 허니콤 구조체의 열전도율(W/mK)
λ1: 허니콤 구조체의 보정 열전도율(W/mK)
λ2: 고열전도율 부재의 열전도율(W/mK)
L: 허니콤 구조체와 그 양단부에 배치한 2장의 고열전도율 부재를 합한 두께(m)
L1: 허니콤 구조체의 두께(m)
L2: 고열전도율 부재의 두께(m)
또한, 고열전도율 부재(4)는 카본이나 은 등의 열전도율이 높은 물질(분말)을 함유하는 페이스트(예컨대, 아세톤으로 대표되는 유기 용매로 분말을 갠 상태의 것)를 허니콤 구조체의 단부(11, 12)의 각각의 접촉면에 도포하여 형성한 도포막이어도 좋다. 상기 페이스트를 도포하는 것은 허니콤 구조체의 단부(11, 12)의 각각의 접촉면 또는 접촉 부재(21, 22)의 접촉면(211, 222) 중 어느 하나라도 좋고, 그 양쪽이라도 좋다. 페이스트를 도포함으로써도, 전술한 접촉면들 사이에 형성되는 간극을 매립하여 열의 전달을 양호하게 할 수 있다.
접촉 부재(2)가 허니콤 구조체(1) 또는 고열전도율 부재(4)와 접촉할 때의 접촉압을 1∼10 kg/㎠로 함으로써, 각 접촉면 사이의 간극을 매립하여 열의 전달을 양호하게 할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 열전도율이 1(W/mK) 이상의 재질로 이루어진 허니콤 구조체의 경우, 그 열전도율을 적합하게 측정할 수 있다. 특히, 허니콤 구조체와 접촉 부재 사이에 고열전도율 부재를 통해 열전도율을 측정하는 경우에는, 열의 전달이 양호하기 때문에, 열전도율이 높은 허니콤 구조체의 열전도율을 정밀도 좋게 측정할 수 있다. 또한, 허니콤 구조체의 재질로서는, 탄화규소, 탄화규소와 금속규소와의 복합체, 질화규소, 기타 열전도율이 비교적 높은 비산화물 등을 적합한 예로서 들 수 있다. 또한 재질의 열전도율이 1 W/mK 이상이라면 산화물에 대해서도적용할 수 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 허니콤 구조체의 열전도율을 측정할 때에는, 허니콤 구조체(1)의 측면의 노출 부분(13)을 단열재(5)로 피복하는 것이 바람직하다. 단열재(5)로 피복함으로써, 열전도율 측정시의 열이 측면의 노출 부분(13)으로부터 방출되는 것이 억제되기 때문에, 열전도율의 측정을 보다 정밀도 좋게 행할 수 있다. 단열재로서는, 예컨대 우레탄 매트, 발포 스티롤 등을 들 수 있다. 또한, 단열재로 피복하는 범위는 노출 부분(13)뿐만 아니라, 접촉 부재(2)를 포함하는 전체로 하여도 좋다. 또한 단열재 대신에 같은 재질의 허니콤으로 둘러싸는 것은 허니콤 구조체 내의 열의 흐름을 균질화시키는 효과가 있고, 다른 하나의 적합예로서 들 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다.
(실시예 1∼7)
금속규소로 탄화규소를 결합한 금속규소 결합 탄화규소로 이루어지고, 리브 두께 15 mil을 공통으로 하고, 셀 밀도를 200 cpsi(cell per square inch)와 300 cpsi로 달리 한 2종류의 허니콤 구조체를 일반적인 압출 성형법에 의해 제작하였다.
얻어진 2종류의 허니콤 구조체로부터 35×35×25 ㎜의 블록을 잘라내고, 도 1에 도시한 바와 같이, 고열전도율 부재 및 단열재 모두 사용하지 않고, 정상법에의해 열전도율 측정을 행하였다. 그리고, 도 2에 도시한 바와 같이, 고열전도율 부재 및 단열 부재의 양쪽을 사용하거나 또는 이들 중 한쪽을 사용하여 정상법에 의해 열전도율 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7
고열전도율 부재 없음 탄소 시트 없음 알루미늄 박 탄소 시트 없음 탄소 시트
단열재 없음 없음 발포 스티롤 없음 발포 스티롤 없음 발포 스티롤
셀 밀도(cpsi) 200 200 200 200 200 300 300
개구율(%) 62 62 62 62 62 55 55
유효 면적율(%) 38 38 38 38 38 45 45
열전도율·환산치(W/mK) 11 11 11 11 11 14 14
열전도율·측정치(W/mK) 4 12 8 8 12 6 15
여기서 열전도율·환산치란, JIS R1611에 준거하여 레이저 플래시법으로, 허니콤 구조체를 특정한 형상으로 가공한 시험편의 열전도율을 측정하고, 허니콤 구조체 단부면의 면적에서 개구부에 해당하는 면적을 뺀 유효 면적을 나타내는 유효 면적율을 측정한 열전도율에 곱하여 허니콤 구조체 그 자체로서의 열전도율로 환산한 값을 의미한다. 레이저 플래시법으로 허니콤 구조체를 측정한 경우에는 기공율의 문제 등에 따른 오차를 포함하지만, 일정 정도의 정확도는 있기 때문에, 본 실시예에서는, 레이저 플래시법과의 비교로서 평가하였다.
표 1에 도시한 바와 같이, 정상법에 의해 허니콤 구조체의 열전도율을 측정할 수 있다. 실시예 1, 6에 도시한 바와 같이, 고열전도율 부재 및 단열재를 사용하지 않는 경우에도 열전도율을 측정할 수 있지만, 알루미늄 박이나 탄소 시트를고열전도율 부재로서 사용함으로써, 또한 단열재로서 발포 스티롤을 사용함으로써, 보다 레이저 플래시법에 가까운 값을 얻을 수 있다(실시예 2∼5, 7).
본 실시예에 있어서는, 레이저 플래시법의 경우와 같이 10 ㎜각×1 ㎜ 이하의 리브 두께의 평판을 제작할 필요가 없고, 블록 형상으로 측정할 수 있기 때문에, 샘플 제작의 작업성이 향상되고, 샘플 제작 시간도 단축된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법에 따르면, 허니콤 구조체의 열전도율을 특정 형상의 시험편 등을 제작하지 않고, 허니콤 구조체 그 자체의 형상 또는 소정의 블록 형상으로 측정할 수 있다. 이것에 따라, 열전도율 측정의 작업성이 향상되고, 샘플을 준비(가공)하는 시간도 단축된다.

Claims (10)

  1. 허니콤 구조체의 양단부의 온도를 각각 다른 소정 온도로 제어한 상태에서 상기 허니콤 구조체 전체의 온도 상태를 정상 상태로 하고, 이 상태에서 열전도율을 측정하는 것을 특징으로 하는 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 일정 온도로 제어한 접촉 부재를 상기 허니콤 구조체의 양단부에 접촉시킴으로써, 상기 양단부의 온도를 다른 소정 온도로 제어하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 허니콤 구조체의 열전도율 λ(W/mK)를, 상기 접촉 부재에 열류계를 접속하여 상기 접촉 부재의 각각에 있어서의 열유량 Q1(W/㎡), Q2(W/㎡)를 측정함으로써 도출되는 상기 허니콤 구조체의 열유량 QH(W/㎡)=(Q1+Q2)/2와, 상기 허니콤 구조체의 양단부 사이의 거리 L(m)과, 상기 정상 상태에 있어서의 상기 허니콤 구조체의 양단부의 온도 T1(K), T2(K)와의 관계로서 규정한 하기 수학식으로부터 산출하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
    λ=QH·(L/(T1-T2))
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 허니콤 구조체의 단부와 상기 접촉 부재를 고열전도율 부재를 통해 접촉시키는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 고열전도율 부재로서, 유연성을 갖는 시트를 이용하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 고열전도율 부재가 열전도율이 높은 물질을 함유하는 페이스트를 상기 허니콤 구조체 및/또는 상기 접촉 부재의 접촉면에 도포하여 형성한 도포막으로 이루어진 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉 부재와 상기 허니콤 구조체의 단부와의 접촉압을 1∼10 kg/㎠로 하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 허니콤 구조체의 측면의 노출 부분을 단열재로 피복하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 허니콤 구조체의 재질의 열전도율이 1(W/mK) 이상인 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 허니콤 구조체가 탄화규소, 탄화규소와 금속규소의 복합체 및 질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것인 허니콤 구조체의 열전도율 측정 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002131257A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Nisshinbo Ind Inc 熱伝導率測定方法、測定装置及び断熱材の製造方法
US7077563B2 (en) * 2003-11-19 2006-07-18 General Electric Company Deposition sensor based on differential heat flux measurement
US7226206B2 (en) * 2005-05-12 2007-06-05 Guardian Building Products, Inc. Dynamic heat flow meter for measuring thermal properties of insulation or the like, and corresponding method
JP5251882B2 (ja) * 2007-10-26 2013-07-31 凸版印刷株式会社 反応チップ及び反応方法、遺伝子処理装置用温度調節機構及び遺伝子処理装置
CN102024977B (zh) * 2009-09-22 2013-12-11 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 手机电池
US8517600B2 (en) * 2009-10-27 2013-08-27 General Electric Company Deposition sensor based on differential heat transfer resistance
JP5827097B2 (ja) * 2011-10-17 2015-12-02 ニチアス株式会社 熱伝導率測定方法
JP5990095B2 (ja) * 2012-12-18 2016-09-07 日本碍子株式会社 微粒子捕集フィルタ
WO2014199532A1 (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 三菱電機株式会社 ハニカムサンドイッチ構造体およびハニカムサンドイッチ構造体の製造方法
CN103499604A (zh) * 2013-09-30 2014-01-08 中国航天科工集团第六研究院二一○所 蜂窝复合板导热系数测试装置及方法
KR101713443B1 (ko) * 2015-10-19 2017-03-07 울산대학교 산학협력단 발열체 평가장치 및 방법
CN105572163B (zh) * 2016-01-23 2018-08-21 太原理工大学 混凝土干燥状态下导热系数测定装置
US11137362B2 (en) 2019-12-10 2021-10-05 Covestro Llc Method for assessing the long-term thermal resistance of closed-cell thermal insulating foams at multiple mean temperatures

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3238775A (en) * 1962-01-02 1966-03-08 Lockheed Aircraft Corp Heat flux responsive device
US4155244A (en) * 1977-12-30 1979-05-22 Owens-Corning Fiberglas Corporation Apparatus for determining thermal conductivity of materials
JPS54123082A (en) * 1978-03-17 1979-09-25 Toshiba Corp Thermal conductivity meter
PL139300B1 (en) * 1983-04-27 1987-01-31 Pan Ct Badan Molekularnych I M Method of determination of thermal conductivity and heat storage capacity of materials and apparatus therefor
US4553852A (en) * 1983-12-07 1985-11-19 W. R. Grace & Co. Apparatus and method for heat flow measurement
JPS60201224A (ja) * 1984-03-27 1985-10-11 Kyushu Daigaku 多層薄膜熱伝達ゲ−ジ
FR2598803B1 (fr) * 1986-05-16 1988-09-02 Anvar Dispositif pour mesurer l'intensite d'un flux radiatif
US5270092A (en) * 1991-08-08 1993-12-14 The Regents, University Of California Gas filled panel insulation
US5297868A (en) * 1993-06-23 1994-03-29 At&T Bell Laboratories Measuring thermal conductivity and apparatus therefor
DE69419464T2 (de) * 1993-08-10 1999-11-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermischer Isolator und Herstellungsverfahren
JPH0760116A (ja) 1993-08-24 1995-03-07 Sharp Corp 脱臭素子及びその脱臭素子を用いた脱臭装置
US5846276A (en) * 1995-07-05 1998-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exhaust gas filter
JP3477940B2 (ja) 1995-09-05 2003-12-10 松下電器産業株式会社 排ガスフィルターの製造方法
CA2248135A1 (en) * 1996-03-08 1997-09-12 Hani A. El-Husayni Heat flow meter instruments
US6331075B1 (en) * 1998-05-01 2001-12-18 Administrator, National Aeronautics And Space Administration Device and method for measuring thermal conductivity of thin films
US6142662A (en) * 1998-06-16 2000-11-07 New Jersey Institute Of Technology Apparatus and method for simultaneously determining thermal conductivity and thermal contact resistance
US6183128B1 (en) * 1999-05-03 2001-02-06 Westvaco Corporation Apparatus and method for determining paperboard thermal conductivity
AU4431100A (en) * 1999-05-11 2000-11-21 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic recording medium and its production method, and magnetic recorder
JP2000329718A (ja) 1999-05-20 2000-11-30 Nippon Light Metal Co Ltd 発泡体試料の熱伝導率測定方法及び測定装置
JP2001021512A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Fuji Electric Co Ltd 熱伝導率測定装置
EP1219672B1 (en) * 1999-08-09 2005-12-14 Sekisui Chemical Co., Ltd. Thermoplastic resin foam and process for producing the same
US6408256B1 (en) * 1999-10-01 2002-06-18 Colorado State University Research Foundation Apparatus and method for thermal evaluation of any thin material
JP3756721B2 (ja) * 2000-03-24 2006-03-15 日本碍子株式会社 排ガス浄化用フィルター
JP2001316188A (ja) * 2000-04-28 2001-11-13 Asahi Glass Co Ltd 窒化ケイ素質多孔体およびその製造方法
JP2002131257A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Nisshinbo Ind Inc 熱伝導率測定方法、測定装置及び断熱材の製造方法
JP3858660B2 (ja) * 2001-10-10 2006-12-20 株式会社日立製作所 樹脂の熱抵抗測定方法
JP4246425B2 (ja) * 2001-10-15 2009-04-02 日本碍子株式会社 ハニカムフィルター
WO2003036024A2 (en) * 2001-10-24 2003-05-01 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Method and system for in situ heating a hydrocarbon containing formation by a u-shaped opening
JP4293753B2 (ja) * 2002-03-19 2009-07-08 日本碍子株式会社 ハニカムフィルター
DE10234500A1 (de) * 2002-07-23 2004-02-19 Siemens Ag Verfahren zur Wärmeableitung in Mobilfunkgeräten und ein entsprechendes Mobilfunkgerät
US6945691B2 (en) * 2002-11-27 2005-09-20 Delphi Technologies, Inc. Method and apparatus for inferring a temperature
CO5310581A1 (es) * 2003-02-10 2003-08-29 Inst Capacitacion E Invest Plastico Y Caucho Metodo y celda de medicion para la determinacion de la difu- sividad termica de materiales durante el proceso de transfe- rencia de calor por conduccion con rapidos cambios de tempe- ratura que pueden incluir cambio de fase.
US20060051556A1 (en) * 2003-09-12 2006-03-09 Ibiden Co., Ltd. Sintered ceramic compact and ceramic filter
CN100526615C (zh) * 2003-12-25 2009-08-12 揖斐电株式会社 排气净化装置及排气净化装置的再生方法

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