KR20040093085A - 웨이퍼 패키지용 언더필 캡슐화제 및 그의 적용 방법 - Google Patents

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샤오유에
마보단
홍선희
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭하기 전에 상기 웨이퍼에 직접 적용되는 경화성 언더필 캡슐화제 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 열경화성 에폭시 수지, 용매, 이미다졸-무수물 경화제, 용융제, 및 선택적으로 습윤제를 포함한다. 또한, 상기 조성물에는 바람직하다면, 소포제, 접착 촉진제, 흐름 첨가제 및 유동성 개질제와 같은 각종 기타 첨가제가 첨가될 수 있다. 상기 언더필 캡슐화제는 B-스테이지 가공이 가능하여, 웨이퍼 상에 평탄한 비점성의 코팅물을 제공할 수 있어, 상기 웨이퍼를 각각의 칩으로 정확하게 절삭할 수 있도록 한다. 또한 상기 B-스테이지 가공 가능한 물질을 함유하는 전자 패키지를 제조하기 위한 방법에서는 칩이 부착될 기판에 비충전 경화성 용융물을 이용할 수 있다.

Description

웨이퍼 패키지용 언더필 캡슐화제 및 그의 적용 방법 {UNDERFILL ENCAPSULANT FOR WAFER PACKAGING AND METHOD FOR ITS APPLICATION}
본 발명은 마이크로전자 소자 내의 전자 부품과 기재간의 배선(interconnections)을 보호 및 강화하기 위해 에폭시 수지로부터 제조된 언더필 캡슐화제 화합물에 관한 것이다. 마이크로전자 소자는 다양한 형태의 전기 회로 부품, 주로 집적 회로(IC: integrated circuit) 칩 내에 함께 조립된 트랜지스터뿐만 아니라, 레지스터, 커패시터 및 기타 부품을 포함한다. 이들 전자 부품은 상호 연결되어 회로를 형성하고, 최종적으로는 인쇄 와이어 기판(printed wire board)과 같은 캐리어 또는 기판에 연결된다. 집적 회로 부품은 단일 베어칩(bare chip), 캡슐화된 단일 칩 또는 캡슐화된 복수 개의 칩 패키지를 포함할 수 있다. 상기 단일 베어칩은 리드 프레임에 부착된 다음, 캡슐화되어 인쇄 와이어 기판에 부착될 수 있고, 또는 직접 인쇄 와이어 기판에 부착될 수 있다. 이러한 칩은 원래 복수 개의 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼로서 형성된다. 상기 반도체 웨이퍼는 바람직한 경우, 각각의 칩 또는 칩 패키지로 절삭된다.
상기 부품이 리드 프레임에 연결된 베어칩인 경우, 또는 인쇄 와이어 기판 또는 기타 기판에 연결된 패키지인 경우에도, 이들은 전자 부품 상의 전기 단자와 기판 상의 해당 전기 단자 사이에 연결된다. 전자 부품을 연결하는 방법 중 하나는, 범프(bump) 내에서 상기 부품 또는 기판 단자에 적용된 폴리머 재료 또는 금속 재료를 사용하는 것이다. 상기 단자들을 배열하고 서로 접촉시켜, 얻어진 조립체를 가열하여 상기 금속 재료 또는 폴리머 재료를 재유동화한 다음, 연결을 고정한다.
상기 전자 조립체를 이용하는 동안에는 상기 조립체에 대해 폭넓게 변화되는 온도 범위의 열 사이클 공정이 수행된다. 이 열 사이클 공정 시에는 상기 전자 부품, 배선 재료 및 기판의 열 팽창 계수 차이로 인해, 상기 조립체 부품에 응력이 가해져 부품이 파손될 수 있다. 이 같은 파손을 방지하기 위해, 상기 부품과 상기 기판 사이의 갭(gap)을 폴리머 캡슐화제(이하, 언더필(underfill) 또는 언더필 캡슐화제(underfill encapsulant)라 칭함)로 충전하여, 배선 재료를 강화하고 열 사이클 공정에서 가해지는 어느 정도의 응력을 흡수할 수 있다.
이러한 언더필 기술의 주된 두 가지 용도는, 산업적으로 칩 스케일 패키지(CSP: chip scale package)로 알려져 있는 것으로서 칩 패키지가 기판에 부착된 패키지, 및 칩이 배선의 어레이에 의해 기판에 부착된 플립 칩 패키지(flip-chip package)를 강화하기 위한 것이다.
종래의 모세관형 유동성 언더필을 적용하는 경우에는 금속 재료 또는 고분자 재료의 배선을 재유동화한 다음에 상기 언더필을 공급하여 경화시킨다. 이 과정에있어서 우선 상기 용융물(flux)을 기판 상의 금속 패드에 적용한다. 그런 다음, 솔더링 부위의 정상부인, 상기 기판의 용융된 영역에 상기 칩을 설치한다. 이어서, 상기 조립체를 가열하여 상기 솔더링 접합부(soldering joint)를 재유동화한다. 이 때, 측정된 양의 언더필 캡슐화제 물질이 전자 부품 조립체의 하나 이상의 가장자리면을 따라 공급되고, 상기 부품과 기판 사이의 갭에서의 모세관 작용에 의해 상기 언더필 물질이 내부로 끌려 들어간다. 갭을 충전한 다음에는 응력의 집중을 저하시키고 조립된 구조물의 피로 수명(fatigue life)을 연장하기 위해, 완성된 조립체의 주변을 따라서 추가의 언더필 캡슐화제를 공급할 수도 있다. 언더필 캡슐화제를 공급한 다음에는 상기 언더필 캡슐화제가 적절한 최종 물성을 갖도록 경화시킨다.
최근에는, 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭하기 전에 상기 웨이퍼를 직접 언더필 캡슐화제로 코팅하여, 공정을 능률적으로 수행하도록 하고 효율을 증대시키는 방법이 제안된 바 있다. 이 같은 언더필 캡슐화제를 이용한 코팅 공정은 스크린 인쇄법, 스텐실 인쇄법 및 스핀 코팅법을 포함하여 다양한 코팅 방법에 따라 수행될 수 있으나, 후에 복수 개의 칩으로 각각 절삭될 단일 반도체 웨이퍼에 대해서만 단독적으로 언더필을 적용하기 위한 것이다.
이러한 언더필을 웨이퍼 수준의 언더필 캡슐화제로서 유용하게 적용하기 위해서는 갖추어야 할 몇 가지 중요한 물성들이 있다. 우선, 전체 웨이퍼에 균일한 코팅이 이루어지도록, 언더필 물질이 웨이퍼 상에 균일하게 적용하기 용이해야 한다. 그리고, 웨이퍼에 적용되는 언더필 캡슐화제가 상기 웨이퍼를 각각의 칩으로정확하게 절삭하는 공정을 수행하는데 방해가 되지 않아야 한다. 또한, 상기 언더필 캡슐화제가 B-스테이지 가공 가능한 것(B-stageable), 즉, 최소한의 잔류 용매를 포함하며 평탄한 비점성의 코팅물을 제공하도록, 웨이퍼에 실장된 후에 고화되어야 한다.
개시 언더필 물질이 고체인 경우에는 이 고체를 용매에 분산 또는 용융시켜 페이스트를 형성하고, 이 페이스트를 웨이퍼에 적용한다. 그런 다음, 웨이퍼에 적용된 언더필을 가열하여 용매를 증발시키면, 상기 웨이퍼 상에 고상이되 경화되지 않은 언더필이 남는다. 한편, 개시 언더필 물질이 액체 또는 페이스트인 경우에는 웨이퍼에 공급한 다음, 가열하여 고체 상태로 부분 경화시킨다.
상기 B-스테이지 가공은 상기 언더필 캡슐화제를 조기 경화시키지 않으면서, 통상 약 150℃보다 낮은 온도에서 수행된다. 상기 언더필 캡슐화제의 최종 경화 반응은 솔더의 용융화(배선 재료가 솔더인 경우에) 및 배선 공정을 수행한 이후에 일어나야 하는데, 주석/납의 공융 솔더의 경우에는 솔더의 용융화 반응이 183℃의 온도에서 일어난다. 솔더 범프의 유동화(flow) 및 배선 공정을 수행한 다음에는 상기 언더필 캡슐화제의 최종 경화 반응이 신속하게 진행되어야 한다. 즉, 최종적으로 각각의 칩을 기판에 부착하는 중에는 상기 언더필 캡슐화제가 유동화되어야, 필릿(fillet)을 형성하고, 상기 솔더 범프를 용융시킬 수 있고, 상기 칩이나 칩 부동태막, 기판 또는 솔더 마스크와 솔더 접합부 사이의 접착이 양호하게 된다. 특별한 경우, 비충전 액상 경화성 용융물(unfilled liquid curable fluxing material)을 기판에 직접 제공하는 것이 배선을 용이하게 하는데 유용할 수 있다.
본 발명은 언더필 캡슐화제 및 반도체 웨이퍼에서의 상기 언더필 캡슐화제의 적용 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭하기 전에 상기 웨이퍼에 직접 적용되는, 경화성 언더필 캡슐화제 조성물에 관한 것이다. 상기 조성물은 에폭시 수지를 포함하는 열경화성 수지 시스템, 용매, 이미다졸-무수물 촉매, 및 선택적으로 용융제(fluxing agent)를 포함한다. 또한, 바람직하다면, 상기 조성물에 소포제(defoaming agent), 습윤제(wetting agent), 접착 촉진제(adhesion promoter), 흐름 첨가제(flow additive) 및 유동성 개질제(rheology modifier)와 같은 각종 기타 첨가제가 첨가될 수 있다. 본 발명의 언더필 캡슐화제는 웨이퍼 상에 평탄한 비점성의 코팅물을 제공하도록 B-스테이지 가공이 가능하여, 상기 웨이퍼를 각각의 칩으로 정확하게 절삭할 수 있다. 이어서, 정확하게 절삭된 각각의 칩을 기판에 직접 부착한다.
본 발명의 언더필 캡슐화제 조성물에 이용되는 수지는 경화성 화합물로서, 중합이 가능하다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "경화"란 가교 반응과 함께 중합된다는 의미로 사용될 수 있다. 가교 반응은 동 기술 분야에서 이해되는 바와 같이, 원소, 분자의 작용기 또는 화합물의 브릿지(bridge)를 통해 두 폴리머 사슬이 결합하는 반응으로서, 이 가교 반응은 통상적으로 가열 시에 일어난다.
상기 B-스테이지 가공이 가능한 언더필 캡슐화제 조성물의 성분으로는 1종 이상의 에폭시 수지의 블렌드(blend), 촉매로서 작용하는 이미다졸-무수물 부가 생성물, 및 1종 이상의 용매가 포함된다. 또한, 선택적으로 상기 언더필 캡슐화제의 성분으로서, 용융제, 공기 방출제(air release agent), 흐름 첨가제, 접착 촉진제,유동성 개질제, 계면활성제 및 기타 성분들이 포함될 수 있다. 특히, 전술한 첨가제는 특수 수지의 용도에 이용하는데 바람직한 물성을 얻기 위해 선택된다. 상기 용매는 전술한 수지(들)를 용해하여, 스핀 코팅법, 스크린 코팅법 또는 스텐실 코팅법을 이용하여 웨이퍼에 적용하는 데 적절한 점도를 갖는 페이스트형 조성물이 제조되도록 선택된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 조성물은 무기 충전재, 용매를 포함하며, B-스테이지 가공이 가능한 것, 즉, 반도체 웨이퍼 상에 평탄한 비점성의 코팅물을 생성하는 초기 고화 반응(initial solidification)이 가능한 것이다. 상기 B-스테이지 고화 반응은 약 100℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도에서 일어나는 것이 바람직하다. 이러한 B-스테이지 가공 이후에는 웨이퍼 상에 평탄한 비점성의 고상 코팅물이 얻어지므로, 상기 웨이퍼를 문제없이 각각의 칩으로 정확하게 절삭하는 공정을 수행할 수 있다. 상기 언더필 조성물이 최종적으로 완전히 경화되는 반응은 상기 B-스테이지 경화 온도보다 높은 온도인 제2의 온도에서 일어난다. 상기 조성물의 최종 경화 반응은 통상적으로 배선 형성 이후에 일어난다. 배선 재료가 Pb/Sn 공융 솔더인 경우, 배선은 상기 솔더의 융점인 183℃보다 높은 온도에서 형성된다. 상기 이미다졸과 무수물의 부가 생성물은 잠재성 촉매로서, 배선의 형성을 방해하지 않으면서 본 발명의 조성물을 적절히 경화시킬 수 있도록 하기 위해 이용된다. 상기 촉매는 전술한 B-스테이지 가공 중에는 최소한의 사전 경화 반응 외의 임의의 경화 반응을 억제하고, 상기 B-스테이지 가공 이후에 형성된 비점성 표면에서의 겔화 반응이 일어나지 않도록 해야 한다. 상기 B-스테이지 고화 반응은 최종 경화 온도보다 적어도 30℃ 낮은 온도에서 일어나는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 촉매는 재유동화 단계에서 용융 및 경화시켜만 한다. 먼저 언더필 조성물이 용융된 다음, 적절한 솔더 배선을 형성할 수 있도록 경화되어야 한다.
본 발명의 웨이퍼 수준 언더필 조성물에 이용하는데 적절한 에폭시 수지를 예시하면, 비스페놀-A 및 비스페놀-F의 일관능성 및 다관능성 글리시딜에테르, 지방족 및 방향족 에폭시, 포화 및 불포화 에폭시, 지환식 에폭시 수지, 또는 그의 조합물을 들 수 있다. 상기 지환식 에폭시 수지를 예시하면 하기 화학식으로 표시되는 플렉스 에폭시 1(Flex epoxy 1)을 들 수 있다:
플렉스 에폭시 1
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상기 방향족 에폭시 수지를 예시하면 하기 화학식으로 표시되는 RAS-1, RAS-5 및 플렉스 에폭시-3-을 들 수 있다:
상기 불포화 에폭시 수지를 예시하면 하기 화학식의 Cardolite NC513을 들 수 있다:
.
비(non)글리시딜에테르 에폭사이드를 예시하면, 고리 구조체의 일부분인 2개의 에폭사이드기와 에스테르 결합을 포함하는 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 2개의 에폭사이드기를 포함하고 그 중 하나가 고리 구조체의 일부분인 비닐사이클로헥센 디옥사이드, 3,4-에폭시-6-메틸사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트 및 디사이클로펜타디엔 디옥사이드를 들 수 있다.
상기 글리시딜에테르 에폭사이드는 글리시딜에테르 에폭사이드 단독으로 또는 상기 비글리시딜에테르 에폭사이드와의 조합물로서 이용되는 것이 바람직하다. 이러한 유형의 에폭시 수지로는 비스페놀 A 수지가 바람직하다. 또한, 상기 에폭시 수지로서 비스페놀 F형 수지 역시 바람직하다. 본 발명에 바람직한 노볼락 수지를 예시하면 폴리(페닐글리시딜에테르)-co-포름알데히드를 들 수 있다. 또한,본 발명에서는 바이페닐형 에폭시 수지를 이용할 수도 있다. 상기 바이페닐형 에폭시 수지는 통상적으로 바이페닐 수지와 에피클로로히드린의 반응에 의해 제조된다. 그리고, 본 발명에 사용될 수 있는 추가적인 에폭시 수지를 예시하면, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 수지, 에폭시 관능성 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 관능성 폴리디메틸 실록산 및 그의 혼합물을 들 수 있다. 상업적으로 입수 가능한 비스페놀-F형 수지를 예시하면 CVC Specialty Chemicals(미국, 뉴저지주, 메이플 셰이드 소재)로부터 입수 가능한 상품명 8230E, 및 Resolution Performance Products LLC로부터 입수 가능한 상품명 RSL 1739를 들 수 있다. 상기 비스페놀 A형 에폭시 수지를 예시하면 Resolution Technology로부터 입수 가능한 상품명 EPON 828, EPON 1001, EPON 1002를 들 수 있고, 상업적으로 입수 가능한 비스페놀-A와 비스페놀-F의 블렌드로서는 Nippon Chemical Company로부터 입수 가능한 상품명 ZX-1059가 있다. 또한, Vantico로부터 상업적으로 입수 가능한 상품명 XP71756.00을 이용할 수 있다.
전술한 수지 외에도, 본 발명의 언더필 조성물은 촉매로서 이미다졸-무수물 부가 생성물을 포함한다. 상기 이미다졸-무수물 부가 생성물은 본 발명의 언더필 조성물에, 이미다졸과 무수물을 각각의 성분으로서 포함하는 조성물에 의해 제공되는 물성과는 상이한 물성을 제공한다. 상기 부가 생성물에 포함될 수 있는 바람직한 이미다졸을 예시하면, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 이미다졸과 같은 N-치환되지 않은 이미다졸을 들 수 있다. 본 발명에 유용한 기타 이미다졸 성분을 예시하면, 알킬 치환된 이미다졸, N-치환된 이미다졸및 그의 혼합물을 들 수 있다. 또한, 상기 부가 생성물은 무수물 성분을 포함한다. 상기 무수물로서는 지환식 무수물이 바람직하며, 가장 바람직한 것은 Aldrich로부터 상업적으로 입수 가능한 PMDA와 같은 피로멜리트산 이무수물이다. 본 발명에 바람직한 추가의 무수물을 예시하면 Lonza Inc.로부터 상업적으로 입수 가능한 메틸헥사-하이드로프탈산 무수물(MHHPA)인 Intermediates and Actives를 들 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 기타 무수물을 예시하면, 메틸테트라-하이드로프탈산 무수물, 나드산메틸 무수물(nadic methyl anhydride), 헥사-하이드로프탈산 무수물, 테트라-하이드로프탈산 무수물, 프탈산 무수물, 도데실숙신산 무수물, 비스페닐 이무수물, 벤조페논 테트라카르복시산 이무수물 및 그의 혼합물을 들 수 있다. 본 발명에 이용되는 촉매는 1 몰부(mole part)의 1,2,4,5-벤젠테트라카르복시산 이무수물과 2 몰부의 2-페닐-4-메틸이미다졸을 반응시켜 합성된 것이 바람직하다. 전술한 바람직한 촉매를 제조하기 위해서는 먼저, 상기 두 성분을 가열 하에 아세톤 용매에 용해하고, 상기 두 성분을 반응시켜 침전물로서 이미다졸-이무수물 염을 생성한다. 전술한 에폭시 화합물 및 용매와 함께 병용되는 본 발명의 바람직한 촉매를 이용하면, 경화 개시 온도가 150℃보다 약간 높고 경화 피크 온도가 183℃보다 높은 언더필 조성물을 생성할 수 있다. 아울러, 본 발명의 바람직한 촉매를 이용하면 이미다졸만을 이용한 경우에 비해 촉매의 잠재성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 언더필 조성물에 용융제(fluxing agent)를 배합할 수 있다. 상기 용융제는 우선 금속 산화물을 제거하여 재산화(reoxidation)되는 것을 방지한다. 본 발명에서는 서로 다른 각종 용융제를 사용할 수 있으나, 상기 용융제가 카르복시산기로부터 선택되는 것이 바람직하다. 이러한 카르복시산을 예시하면, 로진 검(Rosin Gum), 도데칸디오산(상품명 Corfree M2로서, Aldrich로부터 상업적으로 입수 가능함), 아디프산, 세바스산, 폴리세바스산 폴리안하이드라이드, 말레산, 타르타르산 및 시트르산을 들 수 있다. 아울러, 상기 용융제는 알코올을 포함하는 기, 하이드록시산 및 하이드록시염기로부터 선택될 수 있다. 본 발명에 바람직한 용융제로는 에틸렌글리콜, 글리세롤, 3-[비스(글리시딜옥시메틸)메톡시]-1,2-프로판디올, D-리보오스, D-셀로바이오스(D-cellobiose), 셀룰로오스, 3-사이클로헥센-1,1-디메탄올 등과 같은 폴리올을 들 수 있다. 상기 용융제로서 이용되는 산은 솔더 및 기판으로부터 산화물을 충분히 세척할 수 있는 정도의 강산이어야 하기 때문에, 산의 강도는 본 발명에서 중요한 인자이다. 전술한 산의 강도 pKa는 5보다 큰 것이 바람직하다. 또한, 온도 약 183℃에서의 산의 안정성 역시 중요한 인자로서, 본 발명에 이용되는 산은 183℃보다 낮은 온도에서 분해되지 않아야 한다. 솔더가 183℃에서 재유동화되기 때문에, 전술한 온도 조건을 견딜 수 없는 용융제는 본 발명의 조성물을 제제화하는데 적합하지 않다.
상기 용매는 본 발명의 조성물의 점도를 개질하는데 이용된다. 상기 용매는 약 150℃보다 낮은 온도에서 일어나는 전술한 B-스테이지 가공 중에 증발될 수 있는 것이 바람직하다. 이러한 용매로서, 본 발명에서는 상기 에폭시 수지를 용해하기 쉽고, 비반응성이며 100℃ 내지 200℃ 범위의 끓는점을 갖는 통상의 용매를 이용할 수 있다. 전술한 용매를 예시하면, 케톤, 에스테르, 알코올, 에테르, 및 안정하면서 상기 조성물 내 에폭시 및 페놀 수지를 용해하는 기타 용매를 들 수 있다. 본 발명에 바람직한 용매로는 γ-부티로락톤 및 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(PGMEA: propylene glycol methyl ethyl acetate)가 있다.
바람직한 물성을 갖는 조성물을 제조하기 위해, 본 발명의 언더필 캡슐화제 조성물에 추가 성분을 첨가할 수 있다. 예를 들어, 일관능성의 반응성 희석제는 경화된 언더필의 물성에 바람직하지 않은 영향을 끼치지 않으면서 점도 증가를 점진적으로 지연시킬 수 있다. 기타 희석제를 사용할 수 있으나, 본 발명에 바람직한 희석제를 예시하면, p-tert-부틸-페닐-글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 글리세롤디글리시딜에테르, 알킬페놀의 글리시딜에테르(상품명 Cardolite NC513으로서, Cardolite Corporation으로부터 상업적으로 입수 가능함) 및 부탄디오디글리시딜에테르(상품명 BDGE로서, Aldrich로부터 상업적으로 입수 가능함)를 들 수 있다. 또한, 플립 칩 접합 공정과 후속하는 솔더 접합부의 재유동화 공정 및 재료의 경화 공정을 수행하는 중에 불필요한 공정의 수행을 방지하기 위해 계면활성제를 이용할 수 있다. 본 발명에 이용될 수 있는 각종 계면활성제를 예시하면, 유기 아크릴계 폴리머, 실리콘, 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 에틸렌디아민계 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 폴리올계 폴리옥시알킬렌, 지방산 알코올계 폴리옥시알킬렌, 지방산 알코올 폴리옥시알킬렌알킬에테르 및 그의 혼합물을 들 수 있다. 아울러, 바람직하다면, 커플링제, 공기 방출제, 흐름 첨가제, 접착 촉진제 및 기타 성분들 또한 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 언더필 캡슐화제는 적어도 1종의 에폭시수지, 촉매로서 이미다졸-무수물의 부가 생성물, 용융제, 용매, 및 바람직하다면 기타 성분들을 포함한다. 상기 수지는 본 발명의 언더필 조성물에 대해 약 20 중량% 내지 약 90 중량% 범위의 양으로 포함될 수 있다. 아울러, 본 발명의 언더필 조성물에 촉매로서 이미다졸-무수물의 부가 생성물이 첨가될 수 있다. 상기 부가 생성물은 본 발명의 언더필 조성물에 대해 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%의 범위, 바람직하게는 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 양으로 포함될 수 있다. 선택적으로, 상기 용융제가 본 발명의 조성물에 대해 약 0.5 중량% 내지 약 20 중량%의 범위, 바람직하게는 본 발명의 조성물에 대해 약 1 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 양으로 첨가된다. 또한, 본 발명의 조성물에는 약 80 중량% 이하의 용매(들)이 첨가될 수 있다. 아울러, 계면활성제, 공기 방출제, 흐름 첨가제, 유동성 개질제, 무기 충전재 및 접착 촉진제와 같은 선택적인 성분들은 본 발명의 조성물에 대해 약 0.01 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 양으로 첨가될 수 있다.
상기 B-스테이지 가공이 가능한 언더필 조성물을 이용하기 위해서는 먼저, 스크린 인쇄법, 스핀 코팅법 또는 스텐실 인쇄법 등을 이용하여 상기 조성물을 반도체 웨이퍼 또는 각각의 칩에 직접 적용한다. 이 같은 방법으로 코팅된 웨이퍼 또는 칩을 초기의 B-스테이지 온도인 약 100℃ 내지 약 140℃ 범위로 10분 내지 1시간 동안 가열하여, 상기 조성물의 B-스테이지 고화 반응을 수행함으로써 평탄하고 비점성이며 보이드(void)를 포함하지 않는 필름이 형성된다. 바람직하게는 이러한 B-스테이지 고화 반응을 통해 평탄한 비점성의 코팅물이 생성된다. 상기 조성물을 웨이퍼에 적용하는 경우, 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭한다. 상기 B-스테이지 고화 반응이 수행된 조성물을 갖는 칩을 기판에 인접한 B-스테이지 고화 반응이 수행된 조성물과 함께 상기 기판 상에 배치하고, 그 조립체 전체를 약 183℃(납/주석 솔더를 이용한 경우)의 온도로 가열한다. 또한, 이 같은 2차 가열 공정을 통해 기판과 칩, 그리고 상기 칩 상의 솔더 볼 용융물 사이에 배선이 형성된다.
다른 실시예에서는, 에폭시 수지, 페놀 함유 화합물 및 이미다졸/무수물 부가 생성물을 함유하는 비충전 액상 경화성 용융물을 포함하는 조성물을 기판에 직접 적용한 다음, 칩을 설치한다. 상기 언더필 조성물을 웨이퍼 상에서 B-스테이지 고화 반응시키고, 상기 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭한 다음, 상기 칩을 비충전 액상 경화성 물질 부근의 B-스테이지 가공된 물질 및 비충전 액상 경화성 물질과 접촉하는 B-스테이지 가공된 물질과 함께 기판에 배치한다. 상기 비충전 액상 경화성 물질을 이용하면, 상기 기판과 각각의 칩 사이에 솔더 용융물 및 배선을 형성하는데 용이하다. 전술한 다른 실시예의 조성물을 기판에 배치하는 경우에는 상기 B-스테이지 가공이 가능한 조성물을 갖는 칩을 상기 기판 상에 배치하여, 재유동화 공정을 완료한 뒤에 배선이 양호하게 형성된다.
하기 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
표 1에 기재된 바와 같이, 5개의 언더필 캡슐화제 조성물을 제제화하였다. 각각의 제제를 제조하기 위해 먼저, 에폭시 수지를 용매 중에서 가열 하에 용해했다. 제제 1에서와 같이, 세척된 로진을 용융제로서 이용하는 경우에는 상기 로진을 상기 언더필 캡슐화제 조성물의 제조 첫 단계에서 첨가하여, 균일한 에폭시-용매-로진 혼합물일 생성될 때까지 가열한다. 세척된 로진 검을 형성하기 위해서는 우선, 첨가한 로진을 처리해야 한다. 이 같은 로진의 처리 공정에는 상업적으로 입수 가능한 로진을 진공 오븐에서 가열하여 임의의 불순물을 제거함으로써 "세척된(clean)" 용융제를 형성하는 공정으로 이루어진다. 한편, 제제 2 내지 제제 5에서와 같이, 용융제로서 Corfree M2를 이용하는 경우에는 에폭시-용매 혼합물을 실온으로 냉각한 다음에만 상기 용융제를 첨가한다. 아울러, 나머지 성분들(촉매, 습윤제 및 소포제)은 에폭시-용매 또는 에폭시-용매-로진 물질을 실온으로 냉각한 다음에 첨가한다. 그런 다음, 상기 물질을 완전히 혼합한 후, 실온에서 진공하여 탈기했다.
표 1: 언더필 제제
No. 에폭시 수지1 용매2 용융제3 촉매4 습윤제5 소포제6
1 57.00 40.00 2.85 0.29 0.29 0.29
2 55.04 38.63 5.50 0.28 0.27 0.28
3 57.00 40.00 5.7 0.29 0.29 0.29
4 70.70 29.60 7.07 0.35 0.71 0.71
5 70.70 29.60 7.07 0.35 0.71 0.71
주:
1 샘플 1 내지 샘플 3에 대해서는 EPON 1001(Resolution Products로부터 입수 가능함), 샘플 4 및 샘플 5에 대해서는 XP 71756(Vantico로부터 입수 가능하며, Tactix 556으로도 알려져 있음)을 사용함;
2 샘플 1 내지 샘플 4에 대해서는 용매 BLO(γ-부티로락톤, Aldrich Chemical로부터 입수 가능함), 샘플 5에 대해서는 PGMEA(프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트, Aldrich Chemical로부터 입수 가능함)을 사용함;
3 용융제로서, 샘플 1에 대해서는 세척된 로진(진공 가열하여 불순물을 제거함), 샘플 2 내지 샘플 5에 대해서는 Corfree M2를 사용함;
4 촉매로서 이미다졸-무수물 부가 생성물을 사용함;
5 습윤제로서 G6715(3-글리시독시프로필펜타메틸 디실록산, United Technologies로부터 입수 가능함)를 사용함;
6 소포제로서, 샘플 1에 대해서는 BYK A500(Chemie로부터 입수 가능함), 샘플 2에 대해서는 프탈로블루(Plasticolors로부터 입수 가능함), 샘플 3 내지 샘플 5에 대해서는 Agitan 731(Ultra Additives로부터 입수 가능함)을 사용함.
상기 5개의 제제의 점도를 표 2에 나타낸다. 상기 5개의 제제에 대해, 25 ㎜의 평행 플레이트를 구비한 Advanced Rheology Expansion System(Rheometric Scientific 제조)을 이용하여, 변형률 1%, 정상 예비 전단 속도(steady pre-shear rate) 1 /초, 1 내지 100 rad/s 범위의 조건으로 실온에서 그 점도를 측정하였다.
표 2: 각각의 언더필 제제의 점도
제제 점도(cP)
1 5,550
2 3,350
3 4,600
4 4,360
5 12,070
상기 샘플들의 점도는 스크린 인쇄 및 스텐실 인쇄에 필요한 범위 내인 것으로 확인되었다.
(실시예 2)
적절한 B-스테이지 가공 조건을 확인하는 데는 두 가지 기준이 바람직하다. 즉, B-스테이지 이후의 물질이 비점성이라는 것, 그리고 경화되지 않아야 한다는 것이다. 각각의 언더필 제제가 이러한 기준에 부합되는지를 평가하기 위해, 유리 슬라이드 8개를 20 mil. 솔더 볼로 범핑하였다. 그런 다음, 표 1에 기재된 약 20 mil의 제제 1을 상기 각각의 유리 슬라이드 상에 스텐실 인쇄하였다. 이어서, 각각의 슬라이드를 130℃의 오븐에 넣었다. 각각의 슬라이드를 상기 오븐 내에서 서로 다른 시간(30분, 40분, 50분, 60분, 70분, 80분, 90분 및 100분) 동안 B-스테이지 가공하였다. 그런 다음, 각각의 슬라이드를 냉각시킨 후, 나무 스틱을 필름 상부에 놓아 점성(tackiness)을 평가했다. 나무 스틱이 필름 상의 표시를 남기는 경우에는 점성이 있는 것으로 간주하였다. 한편, 나무 스틱이 필름 상에 표시를 남기지 않는 경우에는 비점성인 것으로 간주하였다. 경화 시험을 수행하기 위해, 각각의 슬라이드를 공융 솔더 리플로우 오븐에 배치하였다. 상기 슬라이드를 재유동화 프로파일에 통과시킨 다음, 각각의 슬라이드에 대해 솔더의 용융 여부를 조사했다. 상기 솔더가 용융한 경우에는 경화 시간이 경화성 B-스테이지 시간이 아닌 것, 즉, 오븐에 있던 시간 중에는 전체 경화 공정이 개시되지 않은 것으로 간주하였다. 그러나, 상기 솔더가 용융되지 않은 경우에는 B-스테이지 시간이 너무 길어, 언더필이 이미 경화된 것으로 간주했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3: 각각의 언더필의 B-스테이지 가공 물성
시간(온도 130℃, 분) 점성 경화 여부
30 있음 경화되지 않음
40 있음 경화되지 않음
50 없음 경화되지 않음
60 없음 경화되지 않음
70 없음 경화됨
80 없음 경화됨
90 없음 경화됨
100 없음 경화됨
표 3에 나타낸 바와 같이, 상기 언더필 조성물이 최적 시간보다 적은 시간 동안 B-스테이지 가공된 경우에는 얻어진 필름을 만졌을 때 점성이 있었다. 한편, 상기 언더필 조성물이 최적 시간보다 긴 시간 동안 B-스테이지 가공된 경우에는 필름의 경화 반응이 개시되어 기판에 접착 공정을 수행할 때 바람직하지 않은 영향을 끼쳤다. 상기 표를 통해 알 수 있듯이, 130℃에서의 최적 경화 시간은 약 50 내지 60분이다. 상기 언더필 조성물의 경화 개시 온도가 약 150℃이므로, B-스테이지 가공 시에 130℃보다 높은 온도를 이용하는 일은 거의 없다. 한편, 130℃보다 낮은 온도로 수행할 수 있으나, 온도가 낮을 수록 적절한 B-스테이지 상태에 도달하는데 필요한 시간이 길어진다.
(실시예 3)
적절한 Tg는 B-스테이지 가공된 언더필에 있어서 중요하다. 웨이퍼 절삭용으로서 다이아몬드 톱을 이용하면, Tg가 약 50 내지 95℃ 범위인 물질을 정확하게 절삭할 수 있다. 상기 Tg가 목표로 하는 온도 범위보다 훨씬 높은 경우에는 크랙이 발생하여 B-스테이지 가공된 언더필이 웨이퍼로부터 빠져 나올 수 있다. 상기 Tg가 50℃보다 낮은 경우에는 절삭 공정 시에 상기 필름이 점성을 나타내어, 필름이 다이아몬드 톱에 붙을 수 있다. 몇몇 제제들은 낮은 Tg를 나타내며, 이는 표 4를 통해 확인할 수 있다. 5℃/분의 속도로 승온시키고, TA 분석 프로그램을 이용한 TA Instruments 열역학 분석기를 이용하여 각각의 샘플의 Tg를 측정하였다. 표 1의 제제와 동일하게 제제 A 및 제제 B를 제조하였다. 이들 제제에 Tg가 낮은 수지를 이용하였다(제제 A는 EPON 1001 및 말레이미드로 이루어지며, 제제 B는 EPON 1001 및 글리시드 메타크릴레이트로 이루어짐). 표 4는 표 1에 기재된 5개의 샘플의 Tg를 나타낸 것이다. 상기 5개의 샘플의 Tg가 절삭 가능한 범위(50 내지 90℃) 내인 것으로 보아, 상기 제제 모두 절삭 가능함을 확인하였다.
표 4: 각각의 언더필의 절삭성
제제 Tg(℃) 절삭성 관찰
A 21 절삭하기에는 점성이 있음
B 48 절삭하기에는 점성이 있음
1 62-64 정확하게 절삭됨
2 79-84 정확하게 절삭됨
3 58-60 정확하게 절삭됨
4 87-94 정확하게 절삭됨
5 74-80 정확하게 절삭됨
(실시예 4)
각각의 상이한 에폭시 수지/용융제 혼합물의 점도를 측정하였다. 90 중량%의 에폭시 수지(Z=EPON 1001, Y=EPON 1002, X=EPON 1004, W=EPON 1007, 및 V=EPON 1009) 및 10 중량%의 용융제 PSPA(폴리세바스산 폴리안하이드라이드)를 함께 혼합하여, 각각의 혼합물 Z, 혼합물 Y, 혼합물 X, 혼합물 W 및 혼합물 V를 제조했다. 각각이 20 mil 직경을 갖는 솔더 볼 3개를 5개의 구리 기판 각각에 놓았다. 상기 혼합물 중 하나를 각 기판 상의 솔더 볼 정상부에 인쇄했다. 그런 다음 인쇄된 각각의 기판을 150℃에서 2분간 가열한 다음, 다시 190℃에서 1분간 가열하였다. 상기 솔더를 관찰한 결과를 표 5에 나타낸다. 아울러, 표 5에 각각의 혼합물의 점도를 나타낸다. 50 ㎜의 평행 플레이트가 구비된 Rheometric Scientific Instrument의 단일점 분석법을 이용하여 100 rad/s의 진동수, 변형률 5%, 190℃의 온도 조건에서 각각의 혼합물의 점도를 측정하였다.
표 5: 솔더 용융물 관찰
샘플 190℃에서의 점도(cP) 솔더 용융물 관찰
Z 874 완전히 용융
Y 2,905 완전히 용융
X 5,951 부분적으로 용융
W 16,615 용융되지 않음
V 351,141 용융되지 않음
표 5에 나타난 바와 같이, 약 5,900 cP 또는 그 미만의 점도를 갖는 수지를 이용하는 것이 용융 가능성을 부여하는 데 바람직함을 확인할 수 있다.
상기 솔더 볼의 반경 변화를 측정함으로써 용융 발생 정도를 평가할 수 있다. 서로 다른 용융제를 함유하는 각각의 솔더 볼의 반경을 측정하여, 그 결과를 표 6에 나타낸다.
표 6: 용융제
산 pKa 솔더의 반경(㎜)
시트르산 3.14 35.68
Corfree M2 4.59 31.67
L-시스테인(L-cysteine) 7.85 10.00
리소시놀(Resorcinol) 9.87 10.00
하이드로퀴논 10.35 10.00
표 6에 나타난 바와 같이, 평가한 용융제 중에서도 시트르산 및 Corfree M2가 바람직함을 확인할 수 있다. 전술한 방법에 따라, 표 1에 기재된 각각의 제제의 용융 가능성을 테스트하였다. 그 결과, 표 1에 기재된 제제 모두에서 솔더 볼의 반경이 확장된 것이 확인되었다.

Claims (32)

  1. 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 칩 상에 평탄한 비점성의 표면을 제공하도록 B-스테이지 가공 중에 고화되는, B-스테이지 가공 가능한 언더필 캡슐화제.
  2. 제1항에 있어서,
    a) 열경화성 수지;
    b) 이미다졸-무수물 부가 생성물;
    c) 적어도 1종의 용매; 및
    d) 1종 이상의 용융제(fluxing agent); 및
    e) 선택적으로, 계면활성제, 습윤제, 소포제, 커플링제, 무기 충전재, 반응성 희석제, 접착 촉진제, 흐름 첨가제, 공기 방출제 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 B-스테이지 가공 가능한 언더필 캡슐화제.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 에폭시 수지가 비스페놀-A의 일관능성 및 다관능성 글리시딜에테르, 비스페놀-F의 일관능성 및 다관능성 글리시딜에테르, 지방족 에폭시, 방향족 에폭시, 포화 에폭시, 불포화 에폭시, 지환식 에폭시 수지, 하기 화학식으로 표시되는 구조를 갖는 에폭시 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을특징으로 하는 캡슐화제:
    .
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 에폭시 수지가 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 비닐사이클로헥센 디옥사이드, 3,4-에폭시-6-메틸사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산 카르복실레이트, 디사이클로펜타디엔 디옥사이드, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F형 수지, 에폭시 노볼락 수지, 폴리(페닐글리시딜에테르)-co-포름알데히드, 바이페닐형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔-페놀 에폭시 수지, 나프탈렌 에폭시 수지, 에폭시 관능성 부타디엔 아크릴로니트릴 코폴리머, 에폭시 관능성 폴리디메틸 실록산 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 에폭시 수지가 상기 캡슐화제에 대해 약 20 중량% 내지 약 90 중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에폭시 수지가 상기 캡슐화제에 대해 약 20 중량% 내지 약 80 중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 피로멜리트산 이무수물, 메틸헥사-하이드로프탈산 무수물, 메틸테트라-하이드로프탈산 무수물, 나드산메틸 무수물(nadic methyl anhydride), 헥사-하이드로프탈산 무수물, 테트라-하이드로프탈산 무수물, 도데실숙신산 무수물, 프탈산 무수물, 비스페닐 이무수물, 벤조페논 테트라카르복시산 이무수물, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸-이미다졸, 알킬 치환된 이미다졸, 트리페닐포스핀, 오늄 보레이트, N-치환되지 않은 이미다졸, 1,2,4,5-벤젠테트라카르복시산 이무수물, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 이미다졸, N-치환된 이미다졸 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 이미다졸과 무수물의 부가 생성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 2-페닐-4-메틸이미다졸과 피로멜리트산 이무수물의 부가 생성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 1 몰부의 1,2,4,5-벤젠테트라카르복시산 이무수물과 2 몰부의 2-페닐-4-메틸이미다졸의 반응에 의해 합성된 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 상기 캡슐화제에 대해 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 상기 캡슐화제에 대해 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용매가, 안정하고 상기 조성물 내의 에폭시 수지를 용해하는 용매를 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용매가 케톤, 에스테르, 알코올, 에테르, γ-부티로락톤 및 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(PGMEA) 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용매가 γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(PGMEA) 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 용매가 상기 캡슐화제에 대해 약 80 중량% 이하의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  16. 제2항에 있어서,
    적어도 1종의 용융제(fluxing agent)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는캡슐화제.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용융제가 카르복시산, 로진 검, 도데칸디오산, 아디프산, 세바스산, 폴리세바스산 폴리안하이드라이드, 말레산, 타르타르산, 시트르산, 알코올, 하이드록시산 및 하이드록시 염기; 에틸렌글리콜, 글리세롤, 3-[비스(글리시딜옥시메틸)메톡시]-1,2-프로판디올, D-리보오스, D-셀로바이오스, 셀룰로오스, 3-사이클로헥센-1,1-디메탄올 등과 같은 폴리올; 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용융제가 로진 검, 도데칸디오산, 아디프산 또는 그의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용융제가 상기 캡슐화제에 대해 약 0.5 중량% 내지 약 20 중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 적어도 1종의 용융제가 상기 캡슐화제에 대해 약 1 중량% 내지 약 10중량% 범위의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  21. 제2항에 있어서,
    계면활성제, 습윤제, 소포제, 커플링제, 무기 충전재, 반응성 희석제, 접착 촉진제, 흐름 첨가제, 공기 방출제 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 계면활성제가 유기 아크릴계 폴리머, 실리콘, 에폭시 실리콘, 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 에틸렌디아민계 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머, 폴리올계 폴리옥시알킬렌, 지방산 알코올계 폴리옥시알킬렌, 지방산 알코올 폴리옥시알킬렌알킬에테르 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 반응성 희석제가 p-tert-부틸-페닐-글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 글리세롤디글리시딜에테르, 알킬의 글리시딜에테르, 부탄디오디글리시딜에테르 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  24. 제2항에 있어서,
    상기 언더필 캡슐화제가 반도체 웨이퍼에 적용되고, 상기 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 절삭하기 전에 B-스테이지 가공되는 것을 특징으로 하는 캡슐화제.
  25. 웨이퍼의 일면에 증착된 B-스테이지 가공 가능한 언더필 조성물을 갖는 실리콘 웨이퍼로서,
    상기 B-스테이지 가공 가능한 언더필 조성물이
    a) 열경화성 수지;
    b) 이미다졸-무수물 부가 생성물;
    c) 적어도 1종의 용매; 및
    d) 1종 이상의 용융제; 및
    e) 선택적으로, 계면활성제, 습윤제, 소포제, 커플링제, 무기 충전재, 반응성 희석제, 접착 촉진제, 흐름 첨가제, 공기 방출제 및 그의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상
    을 포함하는 실리콘 웨이퍼.
  26. a) 제2항 기재의 캡슐화제를 반도체 웨이퍼에 적용하는 단계;
    b) 상기 캡슐화제가 평탄한 비점성의 코팅물로 고화되도록 상기 반도체 웨이퍼 상의 상기 캡슐화제를 B-스테이지 가공하는 단계; 및
    c) 상기 반도체 웨이퍼를 각각의 실리콘 칩으로 절삭하는 단계
    를 포함하는, 1개 이상의 실리콘 칩의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 캡슐화제가 스핀 코팅법, 스크린 인쇄법 또는 스텐실 인쇄법에 의해 상기 반도체 웨이퍼에 적용되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  28. a) 제2항 기재의 캡슐화제를 반도체 웨이퍼에 적용하는 단계;
    b) 상기 캡슐화제가 평탄한 비점성의 코팅물로 고화되도록 상기 반도체 웨이퍼 상의 상기 캡슐화제를 B-스테이지 가공하는 단계;
    c) 상기 반도체 웨이퍼를, 각각이 상기 캡슐화제로 코팅된 제1면을 갖는 복수 개의 실리콘 칩으로 절삭하는 단계;
    d) 상기 실리콘 칩의 제1면이 기판에 인접하도록, 상기 기판에 1개 이상의 실리콘 칩을 배치하는 단계; 및
    e) 상기 1개 이상의 실리콘 칩 및 상기 기판을, 상기 1개 이상의 실리콘 칩과 상기 기판 사이에 배선을 형성하는데 충분한 온도로 가열하는 단계
    를 포함하는 전자 패키지의 제조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 실리콘 칩을 상기 기판에 배치하기 전에, 상기 기판에 비충전 액상 경화성 용융물을 배치하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 비충전 액상 경화성 용융물이
    a) 열경화성 에폭시 수지;
    b) 이미다졸-무수물 부가 생성물; 및
    c) 적어도 1종의 용융제
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 피로멜리트산 이무수물, 메틸헥사-하이드로프탈산 무수물, 메틸테트라-하이드로프탈산 무수물, 나드산메틸 무수물, 헥사-하이드로프탈산 무수물, 테트라-하이드로프탈산 무수물, 도데실숙신산 무수물, 프탈산 무수물, 비스페닐 이무수물, 벤조페논 테트라카르복시산 이무수물, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸-이미다졸, 알킬 치환된 이미다졸, 트리페닐포스핀, 오늄 보레이트, N-치환되지 않은 이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 이미다졸, N-치환된 이미다졸 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 이미다졸과 무수물의 부가 생성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 이미다졸-무수물 부가 생성물이 2-페닐-4-메틸이미다졸과 피로멜리트산이무수물의 부가 생성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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