KR20040081072A - 발광 다이오드를 위한 열전도 및, 휘도 향상 구조 - Google Patents

발광 다이오드를 위한 열전도 및, 휘도 향상 구조 Download PDF

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Abstract

캐소드 다리 지지부를 가진 브래킷을 구비하는, 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도의 향상 구조가 개시된다. 용기 구조(bowl structure)는 발광 칩을 그 안에 안착시키기 위한 캐소드 다리 지지부의 상단부상에 형성된다. 적어도 하나의 요부는 요부가 접착제를 그 안에 수용하도록 용기의 최저부 부분에 형성된다. 요부는 칩의 저부면보다 작은 직경 또는 면적을 가진다. 접착제는 하나 또는 그 이상의 칩을 접착시키도록 요부 안으로 채워진다. 팁과 접촉하는, 용기 저부면의 다른 부분들에는 접착제가 없으며 양호한 열전도성과 복사 효과를 달성할 수 있다. 적어도 하나의 원주 구멍이 캐소드 다리 지지부 안에서 브래킷의 저부의 공동 부분으로부터 용기의 요부까지 형성된다. 제조 과정 동안에, 접착제는 가열되고, 용융되며, 원주 구멍으로부터 배출될 수 있다. 원주 구멍은 공기 대류를 위한 통로로서의 역할을 하며, 그에 의해서 칩으로부터 발생한 열이 방산될 수 있다.

Description

발광 다이오드를 위한 열전도 및, 휘도 향상 구조{Heat conductivity and brightness enhancing structure for light-emitting diode}
본 발명은 발광 다이오드를 위한 향상된 열 전도성 및, 휘도 향상 구조에 관한 것이다. 향상된 용기(bowl) 구조가 캐소드 다리 지지부(cathode leg support)의 상단부에 상에 형성됨으로써, 열 복사 및, 광 초점 효과가 향상된다. 따라서, 발광 다이오드의 휘도, 품질, 신뢰성 및, 사용 수명이 현저하게 향상되어 에너지를 절감시킨다.
종래의 발광 다이오드 브래킷(bracket)은 금속 플레이트로 만든 캐소드 접촉 핀(cathode contact pin)과 다른 금속 플레이트로 만든 애노드 접촉 핀(anode contact pin)을 구비한다. 캐소드 접촉 핀의 상단부에는 요부(depression)가 형성되며, 그 안에는 칩이 고정된다. 그러한 구조는 대만 특허 공보 제 506626 호 "발광 다이오드 구조"와, 대만 특허 공보 제 488616 호 "발광 다이오드 브래킷"과, 대만 특허 공보 제 486153 호 "발광 다이오드 브래킷"과, 대만 특허 공보 제 441860 호 "발광 다이오드 브래킷 구조"에 개시되어 있다.
대만 특허 공보 제 506626 호는 발광 다이오드 구조를 개시하는데, 여기에서 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 캐소드 접촉 핀의 상단부상에 배치된다. 발광 다이오드 칩은 도전성 와이어를 통하여 애노드 접촉 핀의 상단부에 연결된다. 캐소드와 애노드 접촉 핀들의 상단부는 고무질 동체(gum body)로 팩키지화된다. 이러한 발광 다이오드 구조는 고무질 동체가 볼록한 상부면을 가진 원통형 동체인 것으로 특징지워진다.
대만 특허 공보 제 488616 호는 발광 다이오드 브래킷을 개시한다. 전도성 금속 플레이트는 연속적으로 펀치 작용을 받아서, 서로 연결되고 등간격으로 배치된 다중의 브래킷 유니트를 형성한다. 각 브래킷 유니트는 연결 부분과 그에 반대인 중앙 부분을 구비한다. 연결 부분은 전도성 와이어와 연결되는 역할을 한다. 중앙 부분은 휴지 안착부(rest seat)를 가지는데, 이것은 칩을 휴지 안착부(rest seat)상에 고정하도록 연결 부분을 향하여 연장된다. 연결 부분과 중앙 부분의 2 개 단부들은 회로와 연결되기 위한 제 1, 제 2, 제 3 및, 제 4 의 접촉 핀들을 형성하도록 외측으로 더욱 연장된다. 작용할 때 칩에 의해서 발생된 열은 발광 다이오드의 열 복사 효율을 향상시키도록 접촉 핀을 통하여 급속하게 방출된다.
대만 특허 공보 제 486153 호는 발광 다이오드 브래킷을 개시한다. 도전성 금속 플레이트는 연속적으로 펀치 작용을 받아서, 서로 연결되고 등간격으로 배치된 다중의 브래킷 유니트를 형성한다. 각 브래킷 유니트는 서로 반대인 제 1 의 접촉 핀과 제 2 의 접촉 핀을 구비한다. 제 1 접촉 핀의 상단부에는 제 1 도전성 와이어와의 연결을 위해서 제 1 접촉 지점이 형성되어 있다. 제 2 접촉 핀의 상단부에는 칩을 그 안에 고정시키기 위한 요부가 형성되어 있다. 이러한 브래킷은 제 2 접촉 지점이 제 2 의 도전성 와이어와 연결되기 위하여 요부의 외측으로부터 상부로 더 연장되는 것을 특징으로 한다. 제 1 과 제 2 도전성 와이어들의 다른 단부들은 각각 칩에 연결될 수 있다.
대만 특허 공보 제 441860 호는 구리 또는 철과 같은 금속 재료로 일체로 형성된 발광 다이오드 브래킷 구조를 개시한다. 용기 구조는 브래킷의 상부 부분상에 형성된다. 용기의 저부는 발광 칩을 그 위에 안착시키기 위한 평탄한 휴지면을 가진다. 경사진 벽면은 칩의 광 비임을 상방으로 반사시키도록 휴지면의 주위로부터 상방향으로 경사지게 연장된다. 이러한 브래킷 구조는, 안착된 칩보다 높은 높이에서, 경사진 벽면이 광 초점 부분을 형성하도록 용기의 상단부를 향하여 수직으로 수렴되는 것을 특징으로 한다.
상기의 모든 종래 기술에 있어서, 통상적인 LED 램프의 브래킷 상단부는 투명한 동체로 팩키지화된다. 더욱이, 용기의 저부 부분은 LED 칩을 부착시키도록 약 20 마이크로미터 내지 100 마이크로미터의 두께인 접착성 접착제(예를 들면, 실버 접착제, 화이트 접착제 및, 절연 접착제)에 의해서 완전히 덮힌다. 투명한 동체와 접착성 접착제는 발생된 열이 전도되거나 방산되는 것을 억제한다. 발광되었을 때, 상이한 출력을 가진 상이한 LED 칩들은 비례적으로 상이한 열량을 발생시킬 것이다. 열이 급속하게 전도될 수 있고 방산될 수 있는지의 여부는 발광 다이오드의 발광 효과에 중요하다. 그러나, 저부상에 칠해진 접착성 접착제와 상부와 측부 부분들상에 팩키지화된 수지(A, B 고무질)는 칩을 커다란 시일된 동체로 단단하게 감싼다. 결과적으로, 발광 다이오드 램프의 효율과 사용 수명은 악화된다. 따라서, 출원인은 상기와 같은 문제점을 해결하도록 발광 다이오드를 위한 향상된 열전도성 및, 휘도 향상 구조를 제공하려고 시도하였다.
따라서 본 발명의 목적은 발광 다이오드를 위한 향상된 열전도성과 휘도 향상 구조를 제공하는 것이다. 캐소드 접촉 핀의 상단부상에 형성된 용기 구조(bowl structure)는 칩과 용기의 저부 사이에 도포된 접착제의 접촉 면적을 축소하도록 개량된다. 접착제의 깊이는 약 20 마이크로 내지 100 마이크로이다. 면적은 칩의 저부면 면적의 약 5 % 내지 95 % 이며 바람직스럽게는 칩의 저부면 면적의 약 15 % 내지 35 % 이다. 적어도 하나의 요부가 용기의 최저부 부분상에 형성된다. 요부는 칩의 저부면보다 작은 면적을 가진다. 요부는 원형, 정사각형, 직사각형, 마름모꼴등일 수 있다. 접착제는 적어도 하나의 칩을 접착시키기 위한 요부 안에 채워짐으로써, 칩의 저부면은 접착제가 없는 용기 저부의 다른 부분과 직접적으로 접촉한다. 따라서 발광 칩이 점등되었을 때, 칩에 의해서 발생된 열은 직접적으로 캐소드 다리 지지부에 전도될 수 있어서 열 복사 효과를 향상시킨다.
더욱이, 적어도 하나의 원주 구멍(column hole)이 캐소드 다리 지지부를 통하여 용기의 지지부로부터 브래킷의 외측부로 형성된다. 원주 구멍에 의해서, 베이킹(baking) 과정 동아에, 낮은 용융점의 접착제는 액체 상태로 용융되고 그리고 원주 구멍으로부터 소모된다. 따라서, 발광 칩이 점등되었을 때, 내부 공기와 외부의 찬 공기 사이의 대류가 원주 구멍을 통하여 즉각적으로 발생하여 직접적으로 그리고 보다 급속하게 열을 방산시킨다. 따라서, 용기 디자인을 가진 브래킷은 높은 효율의 열 복사 효과를 달성할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 발광 다이오드를 위한 상기의 열전도성 및, 휘도 향상 구조를 제공하는 것이다. 용기 구조에는 다단계의 오목한 면들이 형성되어서 다중의 초점 및, 다중의 굴절 효과를 제공한다. 더욱이, 광 비임의 면적은 배가되며 광 비임의 투사 길이도 배가된다. 그러한 다단계 용기 디자인에 의해서 , 높은 효율의 광학적 물리 효과가 달성될 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 브래킷이 측방향의 열 복사용 날개를 가질 수 있거나 또는 그 어떤 열 복사용 날개를 가지지 않는, 발광 다이오드를 위한 상기의 열전도성 및, 휘도 향상 구조를 제공하는 것이다. 이와는 달리, 브래킷의 저부는 전적으로 또는 부분적으로 PC 기판의 금속 필름에 부착될 수 있다. 또한 이와는 달리, 브래킷의 저부는 부분적으로 PC 기판의 금속 필름에 부착되는데, 이것은 부분적으로 매달리고/공동이며 원주 구멍(관통 구멍 및, 막힌 구멍들)을 가지고 PC 기판을 통하여 통과된 원주(column)가 부분적으로 형성된 것이다. 브래킷의 공간 패턴은 상이한 용도 및, 상이한 환경의 상이한 요건들에 따라서 변화될 수 있다.
본 발명은 다음의 설명과 첨부된 도면을 통하여 가장 잘 이해될 것이다.
도 1 은 본 발명의 브래킷의 사시도로서, 이것은 1 단계의 용기와 2 개의 열 복사 날개로 형성된 것이다.
도 1a 는 도 1 에 따른 사시 단면도로서, 도 1 의 브래킷에 대한 내부 구조를 도시한다.
도 1b 는 도 1 에 따른 사시 단면도로서, 원주 구멍(column hole)을 가진, 도 1 의 브래킷의 내부 구조를 도시한다.
도 1c 는 도 1b 에 따른 사시 단면도로서, 원주 구멍이 막힌 구멍이다.
도 1d 는 도 1 에 따른 사시 단면도로서, 도 1 의 내부 구조를 도시하며, 이것은 원주 구멍과 공동의 부분을 가진다.
도 1e 는 도 1d 에 따른 사시 단면도로서, 공동의 부분이 원주 구멍을 통한 요부와 교통하지 않고 있는 것이다.
도 1f 는 도 1 에 따른 사시 단면도로서, 도 1 의 브래킷의 내부 구조를 도시하며, 이것은 원주 구멍, 공동의 부분 및, 공동의 구멍이 형성된 원주를 가진다.
도 1g 는 도 1f 에 따른 사시 단면도로서, 원주 구멍은 막힌 구멍이다.
도 1h 는 본 발명의 용기에 동심의 요부들이 형성된 것을 도시한다.
도 1i 는 다중의 내부 원주 구멍을 가진 브래킷의 사시 단면도이다.
도 1j 는 도 1i 에 따른 사시 단면도로서, 원주 구멍들은 막힌 구멍들이다.
도 1k 는 다중의 내부 원주 구멍들과 공동의 부분을 가진 브래킷의 사시 단면도이다.
도 1l 은 도 1k 에 따른 사시 단면도로서, 여기에서 공동의 부분은 원주 구멍을 통한 요부와 교통하지 않고 있다.
도 1m 은 다중의 원주 구멍, 공동 부분 및, 원주 구멍이 형성된 원주들을 가진 브래킷의 사시 단면도이다.
도 1n 은 도 1m 에 따른 사시 단면도로서, 원주 구멍들은 막힌 구멍들이다.
도 2 는 팩키지화된 이후에 도 1 의 브래킷의 평면도이다.
도 2a 는 도 2 의 선 A-A를 따라 취해진 평면 단면도이다.
도 2b 는 본 발명의 브래킷의 평면 단면도이며, 이것은 2 단계의 용기를 가진다.
도 2c 는 본 발명의 브래킷의 평면 단면도이며, 이것은 3 단계의 용기를 가진다.
도 2d 는 본 발명의 브래킷의 평면 단면도이며, 이것은 4 단계의 용기를 가진다.
도 3 은 도 1 에 따른 사시도이며, 여기에서 브래킷은 부가적으로 고정 기둥(fixing post)을 가진다.
도 4 는 본 발명의 브래킷의 사시도이며, 이것은 1 단계의 용기와 4 개의 열복사용 날개를 가진다.
도 4a 는 팩키지화된 이후에 도 4 의 브래킷의 평면도이다.
도 4b 는 도 4a 의 선 A-A를 따라서 취한 평면 단면도이다.
도 5 는 도 4 에 다른 사시도로서, 여기에서 브래킷은 부가적으로 고정 기둥을 가진다.
도 6 은 본 발명의 브래킷의 사시도이며, 이것은 1 단계의 용기를 가지며 그 어떤 열 복사용 날개도 가지고 있지 않다.
도 6a 는 도 6 에 따른 사시 단면도로서, 도 6 의 브래킷의 내부 구조를 도시한다.
도 6b 는 도 6 에 따른 사시도로서, 도 6 의 브래킷의 내부 구조를 도시하는데, 이것은 원주 구멍을 가진다.
도 6c 는 도 6 에 따른 사시 단면도로서, 내부 구조의 다른 특징을 도시한다.
도 6d 는 도 6 에 따른 사시 단면도로서, 내부 구조의 다른 특징을 도시한다.
도 7a 는 팩키지화된 이후의 도 6 의 브래킷의 평면도이다.
도 7b 는 도 7a 의 선 A-A를 따라서 취한 평면 단면도이다.
도 7c 는 도 7a 의 선 A-A를 따라서 취한 평면 단면도로서, 여기에서 브래킷은 2 단계의 용기를 가진다.
도 7d 는 도 7a 의 선 A-A를 따라서 취한 평면 단면도로서, 여기에서 브래킷은 3 단계의 용기를 가진다.
도 7e 는 도 7a 의 선 A-A를 따라서 취한 평면도로서, 여기에서 브래킷은 4 단계의 용기를 가진다.
< 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 >
12A, 12B, 12C, 12D : 용기 15. 발광 칩
121. 요부 142. 원주의 막힌 구멍
17. 원주 요부(column recess) 14. 원주 구멍(column hole)
도 1 내지 도 2d 를 참조하면, 본 발명의 발광 다이오드를 위한 열 전도성및, 휘도 향상 구조는 브래킷(10a; 2 개의 열 복사용 날개를 가짐) (10b; 4 개의 열 복사용 날개를 가짐)(10c;그 어떤 열 복사용 날개도 없음) 또는 다른 유형의 캐소드 다리 지지부(11)의 상단부에 용기(12a, 12b, 12c, 12d)를 제공한다. 발광 칩(15)은 용기 안에 안착된다.
용기(12a, 12b, 12c, 12d)의 최저부 부분에는 적어도 하나의 요부(121)가 형성된다. 요부(121)는 발광 칩의 저부면보다 작은 직경 또는 면적을 가진다 (바람직스럽게는 칩의 저부면보다 15 % 내지 35% 로 작다). 바람직스러운 구현예에서, 요부는 칩의 저부면보다 약 5 % 내지 95 % 로 작은 직경 또는 면적을 가진다. 요부(121)는 원형, 정사각형, 직사각형, 마름모등일 수 있다. 요부의 단면 깊이는 필요에 따라서 결정될 수 있다. 따라서, 접착성 접착제 (예를 들면, 실버 접착제, 화이트 접착제(white glue), 절연 접착제등이나, 또는 알루미늄, 구리, 은, 주석등과 같은 통상의 열전도성 금속 접착성 재료)가 요부(121) 안으로 채워질 수 있다. 접착성 재료는 통상의 접착제에서 존재하는 불량한 열 복사의 문제가 없는 고체, 액체 또는 페이스트(paste)일 수 있다. 접착제는 느슨해지거나 또는 변위됨이 없이 하나 또는 그 이상의 칩(15)을 부착시키는 역할을 한다. 접착제는 접합에서의 잡아당기는 힘에 대하여 저항할 수 있다. 요부(121)에 대응하는 칩(15)의 저부 부분을 제외하고, 칩(15)의 저부 면적에는 접착제가 없으며 용기의 저부와 직접적으로 접촉하는 것이 가능하다. 바람직스럽게는, 칩(15)의 저부 면적의 50 % 이상이 용기의 저부와 직접적으로 접촉한다. 따라서, 발광 칩(15)이 점등했을 때, 접착제가 없는 접촉 부분을 통하여, 열이 브래킷(10a, 10b, 10c)으로 직접적으로 전도될 수 있다.
또한, 도 1c, 1e, 1g, 1j, 1l 및, 1n을 참조하면, 원주 구멍(14)은 저부를 향하는 원주의 막힌 구멍(142)으로서 형성된다. 얇은 벽이 용기와 막힌 구멍(142)사이에 유지된다. 칩(15)에 의해서 발생된 열은 처음에 캐소드 다리 지지부(11)와 원주의 막힌 구멍(142)으로 전도되고 다음에 대류의 방식으로 방산된다. 따라서, 열 복사 효과는 보다 향상된다.
도 1b 내지 도 1e 와 도 6b 내지 도 6d를 참조하면, 바람직한 구현예에 있어서, 원주 구멍(14)은 브래킷(11)을 통하여 캐소드 다리 지지부(11)의 용기(12a, 12b, 12c, 12d)의 요부(11)로부터 브래킷(11)의 저부로 통과된다. 따라서, 캐소드 다리 지지부(11)는 원주 구멍(14)을 가지는 공동의 브래킷이 된다. 원주 구멍(14)에 의해서, 공정을 진행하는 동안에 팩키지화 단계 이후에 베이킹(baking)될 때, 낮은 용융점의 접착제는 액체 상태로 용융되고 원주 구멍(14)으로부터 비워진다. 따라서, 전체적인 요부(121)는 외측으로 개방된다. 발광 칩(15)이 점등되었을 때, 공기의 대류가 즉각적으로 발생되어 열을 직접적으로 방산시킨다. 사용되지 않은 상태에서, 불순물이 외부 공기에 의해 포획되어 브래킷 안으로 들어가서 칩(15)에 영향을 미치는 것이 방지된다. 따라서, 용기의 디자인을 가진 브래킷은 높은 효율의 열 복사 효과를 달성할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 바람직한 구현예에 있어서, 캐소드 다리 지지부(11)의 용기(12a, 12b, 12c, 12d)는 다중의 동심 요부(17)들을 가지고 설계된다. 이것은 칩의 정렬을 돕는다. 또한, 적절한 양의 접착제가 칩의 크기에 따라서 부가되어 접착을 향상시킬 수 있다. 여기에는 하나 또는 그 이상의 오목한 면들의 단계가 있다. 예를 들면, 도 2a 는 1 단계의 용기(12a)를 도시하고, 도 2b 는 2 단계의 용기(12b)를 도시하고, 도 2c 는 3 단계의 용기(12c)를 도시하며, 도 2d 는 다단계(4 단계)의 용기(12d)를 도시한다. 따라서, 용기의 구조는 다중의 초점과 다중의 굴절 효과를 제공한다. 더욱이, 광 비임의 면적은 배가되고 광 비임의 돌출 길이도 배가된다. 2 단계, 3 단계 및, 다중 단계의 용기 설계에 의해서, 고효율의 광물리학적 효과가 조명을 향상시키도록 달성될 수 있다.
개별의 특징들을 참조하면, 본 발명의 브래킷은 2 개의 열 복사용 날개(13)와 상이한 요건에 따른 4 개의 열 복사용 날개(13)를 가질 수 있다. 2 개 이상의 고정용 기둥(16)들이 PC 기판내에 삽입되도록 브래킷의 저부 아래에 배치될 수 있다. 캐소드 다리 지지부(11)에 그 어떤 원주 구멍(14)이 없을 경우에, 브래킷은 속이 채워진 것이다. 그러한 브래킷의 저부면은 PC 기판의 전도성 금속 필름에 완전히 부착되어 접촉함으로써 보다 낳은 열 복사 효과를 달성한다. 다른 유형의 캐소드 다리 지지부(11)에는 몇 개의 원주 통공(14)이 형성되며 공동의 구조(18)를 가진다. 그러한 브래킷은 공동의 것이다. 그러한 브래킷은 다양한 조치에 의해 PC 기판의 전도성 금속 필름과 연결된다. 이들중 일부는 (도 1b 및, 도 1f 에 도시된 바와 같이) 부분적으로 PC 기판에 부착된다. 이들중 일부는 (도 1c 및, 도 1g 에 도시된 바와 같이) 부분적으로 PC 기판에 부착되고 부분적으로는 매달리게 된다. 이들중 일부는 (도 1d 및, 도 1h 에 도시된 바와 같이) 부분적으로 PC 기판에 부착되고 부분적으로는 매달리며 부분적으로는 원주(141)를 따라서 PC 기판을 통하여 통과된다. 공동의 브래킷은 최상의 열 복사 효과를 달성할 수 있다.
적어도 하나의 요부(121)가 발광 칩(15)을 부착시키도록 (금속 및, 비금속을 포함하는) 접착제를 수용하기 위한 용기(12a, 12b, 12c, 12d) 안에 형성된다. 이것은 접착제가 열전도를 억제하는 단점을 제거할 수 있다. 더욱이, 요부(121) 아래의 원주 구멍(14) 또는 원주의 막힌 구멍(142)은 외측과 교통하여 공기 대류에 의한 열 방산 효과를 더 달성한다. 더욱이, 용기(12A, 12B, 12C, 12D)의 다단계 오목한 면들과, 브래킷(10A; 2 개의 열 복사용 날개를 가짐), 브래킷(10B; 4 개의 열 복사용 날개를 가짐) 및, 브래킷(10C; 그 어떤 열복사용 날개도 없음)의 다양한 공간들과, 내부의 통공 또는 막힌 구멍들 또는 공동의 부분들에 의해서, 열복사 효과는 효과적으로 향상될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드의 휘도, 품질, 신뢰성 및, 사용 수명은 현저하게 향상될 수 있다.
상기의 구현예들은 본 발명을 설명하도록 이용되었을 뿐이며, 그것의 범위를 제한하도록 의도된 것은 아니다. 상기 구현예들의 여러 수정예들이 본 발명의 사상으로부터 이탈되지 않으면서 이루어질 수 있다.
본 발명은 발광 다이오드에 적용되어 향상된 열 방산 효과를 발휘할 수 있다.

Claims (15)

  1. 캐소드 다리 지지부를 가지는 브래킷, 발광 칩을 그 안에 안착시키도록 캐소드 다리 지지부의 상단부상에 형성된 용기를 구비하는, 발광 다이오드를 위한 열 전도성 및, 휘도 향상 구조로서,
    상기 열전도성 및, 휘도 향상 구조는, 적어도 하나의 요부가 접착제를 그 안에 수용하는 용기의 최저부 부분에 형성되고, 요부는 칩을 향하는 개구를 가지고, 개부는 칩의 저부면보다 작은 직경 또는 면적을 가지고, 그에 의해서 공정을 처리하는 동안에, 접착제는 칩을 예비적으로 부착시키도록 요부 안으로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열 전도성 및, 휘도 향상 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    원주 구멍은 캐소드 다리 지지부를 통하여 용기의 적어도 하나의 요부로부터 브래킷의 외측으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열 전도성 및, 휘도 향상 구조.
  3. 제 1 항에 있어서,
    원주의 막힌 구멍은 캐소드 다리 지지부 안에서 용기의 적어도 하나의 요부 아래의 부분으로부터 특정의 두께로서 다리 지지부의 외측으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열 전도성 및, 휘도 향상 구조.
  4. 제 1 항에 있어서,
    용기는 오목한 면의 적어도 하나의 단계로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  5. 제 1 항에 있어서,
    용기의 요부의 원주에는 동심상의 요부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    브래킷의 적어도 하나의 캐소드 다리 지지부와 애노드 다리 지지부에는 열복사용 날개들이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 전적으로 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  8. 제 6 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 전적으로 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부착되는 것을특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  9. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 또는 제 5 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 부분적으로 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  10. 제 6 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 부분적으로 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  11. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 또는 제 5 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부분적으로 부착되고 부분적으로 매달리는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  12. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부분적으로 부착되고, 부분적으로 매달리며, 원주 구멍을 가지고 PC 기판을 통하여 통과되는 원주(column)들이 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  13. 제 6 항에 있어서,
    브래킷의 저부면은 PC 기판의 도전성 금속 필름에 부분적으로 부착되고, 부분적으로 매달리며, 원주 구멍을 가지고 PC 기판을 통하여 통과하는 원주가 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  14. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    적어도 2 개의 고정용 기둥이 PC 기판 안에서의 삽입을 위하여 브래킷의 저부면 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
  15. 제 6 항에 있어서,
    적어도 2 개의 고정용 기둥이 PC 기판 안에서의 삽입을 위하여 브래킷의 저부면 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 위한 열전도성 및, 휘도 향상 구조.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100610275B1 (ko) 2004-12-16 2006-08-09 알티전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP4699043B2 (ja) * 2005-02-21 2011-06-08 株式会社 大昌電子 基板の製造方法
KR101248513B1 (ko) * 2005-03-29 2013-04-04 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 고 플럭스 발광다이오드 램프
US8076680B2 (en) 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
JP2007288067A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
KR100886784B1 (ko) 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드
JP2010103149A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Showa Denko Kk 発光部材、発光装置、電子機器、機械装置、発光部材の製造方法、および発光装置の製造方法
JP5509623B2 (ja) * 2009-02-27 2014-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101055771B1 (ko) 2009-06-30 2011-08-11 서울반도체 주식회사 대류 냉각식 ｌｅｄ 모듈
CN102364713A (zh) * 2011-11-08 2012-02-29 吕能兵 一种led支架及共晶方法
KR101258231B1 (ko) * 2012-04-16 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광다이오드 칩을 탑재한 발광다이오드 패키지
CN103456874B (zh) * 2013-08-21 2016-04-27 宁波升谱光电股份有限公司 一种可三维出光的led器件及其制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3888810B2 (ja) 1999-09-27 2007-03-07 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
JP3806301B2 (ja) 2000-11-15 2006-08-09 日本ライツ株式会社 光源装置
JP2001352100A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2002368285A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Omron Corp 発光器、発光モジュール及びその製造方法
AU2003211646A1 (en) * 2002-02-28 2003-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode lamp

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