KR20040070216A - 반도체 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서 - Google Patents

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KR20040070216A
KR20040070216A KR10-2004-7009061A KR20047009061A KR20040070216A KR 20040070216 A KR20040070216 A KR 20040070216A KR 20047009061 A KR20047009061 A KR 20047009061A KR 20040070216 A KR20040070216 A KR 20040070216A
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wafer carrier
carrier mapping
mapping sensor
laser
light source
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KR10-2004-7009061A
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펠릭스 제이. 슈다
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싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드
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Abstract

개량된 레이저 기반 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서(100)가 제공된다. 이 센서(100)는 레이저 광원 개량, 광학적 개량 및 검지기 개량을 비롯한 많은 개량을 포함한다. 레이저 광원(106, 108) 개량은 그러한 광원(106, 108)의 크기 및 출력의 사양은 물론 사용되는 레이저 광원의 형태를 포함한다. 광학적인 개량은 웨이퍼(102)상의 레이저 스트라이프를 의도적으로 디포커싱하는 특징부 및 정밀한 스트라이프 생성을 보장하는 것을 지원하는 추가적인 특징부를 포함한다. 검출기 개량은 주변광의 효과를 감소시키면서 이득을 증대시키는 것을 포함한다. 이들 특징을 여러 가지로 조합하면, 거짓 크로스 슬롯 에러의 빈도수를 감소시키면서 동적 응답 특성이 현저히 개선된 센서(100)를 구성하는 것을 용이하게 하는 추가적인 시너지 효과가 제공된다.

Description

반도체 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서{SEMICONDUCTOR WAFER CARRIER MAPPING SENSOR}
웨이퍼 캐리어 맵핑 센서는 반도체 웨이퍼의 제조 및 처리에 있어서 웨이퍼 캐리어에 있는 웨이퍼를 검지(檢知)하는 데 사용된다. 캐리어 내의 웨이퍼를 효율적으로 처리하기 위해서는, 반도체 공구가 캐리어 내의 어떤 위치에 웨이퍼들이 있는지, 그리고 그들 웨이퍼가 캐리어에서 적절히 고정되어 있는지 여부를 알아야 한다. 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서는 웨이퍼의 에지를 주사하여 웨이퍼 유무 및 크로스 슬롯(cross slots)과 같은 추가적인 에러를 검지한다. "크로스 슬롯"이라 함은 웨이퍼가 단일 "슬롯"에 유지되는 것이 아니라, 한 쌍의 슬롯에 잘못 걸쳐 있는 웨이퍼 위치 에러를 말한다. 이러한 상황에서는, 반도체 공구가 웨이퍼와 상호 작용하려 하는 대신 에러를 발생시키는 것이 중요하다.
웨이퍼 캐리어 맵핑 시스템은 최근에 전형적으로는 질화물 코팅을 갖는 어두운 웨이퍼(dark wafer)의 사용이 증대됨에 따라 어려운 문제에 직면하기 시작했다. 맵핑 시스템은 구리 또는 알루미늄이 피복된 실리콘 웨이퍼와 같은 전통적으로 밝은 웨이퍼(light wafer) 또는 어두운 질화물 웨이퍼를 최적으로 검지하도록 조정될수 있지만, 감지 시스템은 밝은 웨이퍼와 어두운 웨이퍼가 섞여 있는 것을 적절히 취급하지 못한다. 예를 들어, 소정의 시스템이 어두운 웨이퍼에 최적으로 조정되는 경우, 조도 및 검지기 이득은 감지 시스템이 밝은 웨이퍼와 마주할 때 거짓 크로스 슬롯 에러(false cross slot error)와 같은 잘못된 신호가 나타날 만큼 높을 수 있다. 역으로, 소정의 시스템이 밝은 웨이퍼에 최적으로 조정되는 경우, 어두운 웨이퍼는 그것의 존재를 알릴 만큼 충분히 양호하게 표시할 수 없다. 불행하게도, 이들 두 극단적인 경우 사이를 절충하여 감지 시스템을 조정하면, 거짓 크로스 슬롯 에러가 여전히 발생하고, 일부 어두운 웨이퍼들은 전혀 검지되지 않게 되는 더 나쁜 상황이 발생된다.
밝은 웨이퍼와 어두운 웨이퍼가 섞인 상태로 담겨 있는 캐리어 내의 웨이퍼의 존재를 신뢰성 있게 검지할 수 있을 뿐만 아니라 거짓 에러를 감소시키거나 배제시킬 수 있는 웨이퍼 캐리어 맵핑 시스템을 마련할 필요성이 존재한다. 그러한 시스템은 하나의 시스템이 두 가지 형태의 웨이퍼 모두를 수용하게 되기 때문에 기술자가 개재되는 것을 감소시키게 된다. 더욱이, 크로스 슬롯 에러가 실제로 거짓 에러인지를 이차적으로 추정할 필요가 없게 되기 때문에, 센서의 신뢰성이 향상되게 된다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 개량된 웨이퍼 캐리어 맵핑 시스템의 개략도이고,
도 2a는 종래 기술에 따른 레이저 광원과 광학계(optics)의 개략도이며,
도 2b는 도 2a의 배치로부터 발생되는 대표적인 레이저 강도 분포를 예시하는 레이저 강도 선도이고,
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 광원과 광학계의 개략도이며,
도 3b는 도 3a의 배치로부터 발생된 대표적인 레이저 강도 분포를 도 2b와 대비하여 보여주는 레이저 강도 선도이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 검지기와 광학계의 개략도이다.
개량된 레이저 기반 웨이퍼 캐리어 매핑 센서(laser-based wafer carrier mapping sensor)가 제공된다. 이 센서는 레이저 광원 개량, 광학적인 개량 및 검지기 개량을 비롯한 많은 개량을 포함한다. 레이저 광원 개량은 그러한 광원의 크기 및 출력의 사양은 물론 사용되는 레이저 광원의 형태를 포함한다. 광학적인 개량은 웨이퍼상의 레이저 스트라이프(laser stripe)를 의도적으로 디포커싱(defocusing)하는 특징부 및 정밀한 스트라이프 생성을 보장하는 것을 지원하는 추가적인 특징부를 포함한다. 검지기 개량은 주변광의 효과를 감소시키면서 이득을 증대시키는 것을 포함한다. 이들 특징부들을 여러 가지로 조합하면, 거짓 크로스 슬롯 에러의 빈도수를 감소시키면서 동적 응답 특성이 상당히 개선된 센서를 구성하는 것을 용이하게 하는 추가적인 시너지 효과가 제공된다.
본 발명의 실시예들은 레이저 기반 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서의 유효 동적 범위를 증대시키는 것에 지향되어 있다. 시너지적으로 현저히 진보된 웨이퍼 검지기능을 제공하는 여러 가지 특징부 및 그 조합이 개발되었다. 이들 특징부에 대해서는 아래에서 개별적으로 설명될 것이지만, 본 발명의 실시예들이 그 개별적인 특징부로 한정되지 않을 뿐만 아니라 이들 특징부의 광범위한 배열 조합을 포함하는 것이 명백히 고려되고 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어 맵핑 시스템의 개략도이다. 도 2는 on-axis 용법에 더 적합한 센서의 기하학적 형태를 보여준다. 센서(100)는 캐리어(104) 내의 웨이퍼(102)와 같은 웨이퍼들을 검지하도록 배치된다. 캐리어(104)의 한 가지 예는 FOUP(Front Opening Unified Pod: 밀폐형 웨이퍼 용기)이다. 웨이퍼 에지(118)로부터 반사될 때, 두 개의 레이저 광원, 바람직하기로는 레이저 다이오드(106, 108)가 개별적으로 검지기(110, 112) 내로 빛을 비춘다. 각 광원(106, 108)은 이들 광원(106, 108)에 적절한 여기 신호를 제공하는 레이저 구동 회로(114)에 연결된다. 레이저 구동 회로(114)는 이 레이저 구동 회로(114)에 제어 신호를 제공하는 DSP 논리 장치(116)에 연결된다. DSP 논리 장치(116)는 또한 검지기(110, 112)(포토트랜지스터인 것이 바람직함)로부터 신호를 받아서 효율적인 검지를 위하여 그 신호들을 증폭시키는 증폭 회로(119)에 연결된다. 이는, 여기에서 웨이퍼 에지(118)가 매우 반사성일 것으로 예상됨에 따라, 그리고 그 웨이퍼들이 플랫(flats)을 갖지 않는 경우, on-axis 검지에 바람직한 기하학적 형태이다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 on-axis 및 off-axis 웨이퍼 검지 양자 모두에 유용하다.
본 발명의 실시예의 한 가지 양태는 레이저 광원이다. 각 광원(106, 108)은레이저 다이오드 인 것이 바람직하다. 레이저 광원은 산업적인 채택을 용이하게 하기 위하여 최소 규정 레이저 등급(CDRH Class 1 및 IEC-80625-1 Class 1) 하에서 허용되는 최대 출력에 근접하지만 그 범위 내에 있는 출력을 제공하도록 선택된다. 레이저 강도가 이 사양을 초과하면, 장비 제조업자는 비교적 정교하고 비싼 안전 예방책을 마련해야 할 필요가 있을 것이며, 따라서 그러한 센서의 사용에 영향을 미칠 것으로 믿어진다. 그러나, 보다 높은 레이저 강도가 관심사가 아닌 실시예에 있어서는, 본 발명의 실시예에 따라 그러한 강도를 사용할 수 있다.
레이저 광원 사양의 다른 한 가지 양태는 포토레지스터 검지기의 피크 응답성 파장의 또는 그 근처의 파장을 갖는 레이저 출력을 제공하는 것을 포함한다. 바람직한 실시예에 있어서, 검지기는 약 900 nm의 피크 응답성을 가지며, 따라서 광원은 850 nm 또는 900 nm의 레이저 파장을 제공하도록 선택되었다. 그러나, 이들 파장은 바람직한 조정을 예시하는 것으로 그러한 매칭(matching)으로 한정되지 않는다. 증대된 레이저 파장을 이용하는 추가적인 이점은 그것이 여전히 상기 Class 1 사양 내에 머물면서도 피크 검지가 응답 파장에 보다 근접할 수 있게 한다는 것이다. 아울러, 광원(106, 108)은 작은 레이저 활성 방출 면적을 가져서 비교적 조밀한 빔을 제공하도록 선택된다. 바람직하게는, 그러한 광원은 방출 면적이 약 4 x 20 미크론인 상업적으로 입수 가능한 에지 발광 포토다이오드(edge-emission photodiode)이다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따라 수직 공동 발광 레이저 다이오드(vertical cavity laser diode)와 같은 다른 형태의 레이저 광원도 사용될 수 있다.
레이저 출력만 증가시키면 위에서 설명한 바와 같이 증대된 거짓 크로스 슬롯 에러(false cross slot error)를 인식할 수 있을 정도로 발생시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 추가적인 실시예의 양태는 레이저에 의하여 웨이퍼에서 발생된 레이저 스트라이프(laser stripe)가 정밀하게 형성되도록 보장한다. 도 2a는 종래 기술에 따른 레이저 광원과 관련 광학계의 개략도이다. 광원(120)은, 포커싱 광학계(focusing optics)(124)로 입사하여 웨이퍼 에지 근처로 집속되는 빔(126)으로 나오는, 발산 레이저 빔(122)을 발생시킨다. 빔(126)은 수평 평면 내에서 광을 발산시키는 원통 렌즈(128)를 통과한다. 그러나, 수직 평면에서 빔은 지점(130)에서 집속되고, 그 후에는 각도 θ1으로 발산한다.
도 2b는 도 2a에 예시된 집속 빔이 웨이퍼에 충돌할 때의 그 빔의 대표적인 강도 분포를 예시하고 있다. 도 2b의 수직 방향 축은 웨이퍼상의 수직 위치를 나타낸다. 강도 분포는 최대 강도가 초점(130)에 대응하는 종형 곡선을 나타낸다. 그러나, 피크는 그것이 이룰 수 있을 만큼 뾰족하지 않으며, 피크의 양쪽은 거짓 슬롯 에러가 발생할 수 있을 만큼 충분한 강도를 포함할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따라 배열된 레이저 광원(106) 및 관련 광학계의 개략도이다. 두 가지 주요 특징, 즉 디포커싱 광학계와 하나 이상의 광학적 정지부가 도 3a에 도시되어 있다.
디포커싱 기능(defocusing)은 초점(136)이 예상되는 웨이퍼 에지 앞이나 뒤에 있도록 포커싱 렌즈(132)와 원통 렌즈(134)의 초점 거리를 선택하고 위치를 설정함으로써 제공된다. 렌즈(132, 134)는 최소량의 광을 산란시키는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 내부의 결함에 의하여 초래되는 광학적인 산란을 감소시키기 위하여 플라스틱 대신 유리가 종종 사용된다. 포커싱 렌즈(132)는 그것을 통과하는 광의 발산 각도를 감소시키며, 종래의 시스템에서 사용되는 가령 4.5 mm와 같은 보다 작은 초점 거리와 명백히 대비되는, 가령 8 - 15 mm와 같은 비교적 긴 초점 거리를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 배치는 적어도 두 가지의 장점을 제공한다.
첫째, 초점(136)을 벗어난 빔은 θ1(도 2a에 도시됨)보다 더 큰 각도 θ2로 발산하기 때문에, CDRH Class 1 내에 머물면서 증대된 레이저 광원 출력을 이용할 수 있다. 이는 빔 교차 지점으로부터 200 mm에 배치된 시험 구경(testing aperture)에서의 광의 강도가 더 넓은 면적에 걸쳐 분산되기 때문이다. 그러므로, 고정된 크기의 레이저 등급 구경(lasser classification aperture)에 의하여 집광되는 광이 더 적기 때문에, 광원(106, 108)은 더 높은 출력을 가질 수 있다.
둘째, 렌즈(132)의 초점 거리를 증대시키면, 확대비가 더 적어져서 도 3b에 실선으로 도시된 강도 분포를 발생시킨다. 참고로, 도 2b로부터의 화상이 도 3b에 점선으로 겹쳐져 있다. 알 수 있는 바와 같이, 분포 중심에 있는 강도가 실제로 최대가 아니다. 대신, 강도 분포는 한 쌍의 피크를 포함한다. 이러한 분포의 주요 이점 중 하나는 영역(138)이 도 2b의 강도보다 더 낮은 강도를 갖는다는 것이다. 종래 기술에 있어서는, 스트라이프 중심(stripe center)으로부터 1 mm에 있는 이 "스커트(skirt)"의 강도가 피크 강도의 1/500 내지 1/1000보다 더 크게 된다.본 발명의 센서 구체화 양태에 있어서, 이러한 강도는 약 1/10000 또는 전체적인 차수 크기로(entire order of magnitude) 감소된다. 상술한 "스커트" 부분은 설계에 의해서 존재하는 것이 아니라 레이저 시스템 및 광학계의 부산물이다. 레이저 내의 여러 가지 구성 요소 및/또는 관련 광학계는 빔의 매우 작은 부분을 스커트 영역 내로 되돌린다. 그러나, 전체 강도가 증가하고 검지기 이득이 증가함에 따라, 거짓 크로스 슬롯 에러에 적어도 부분적으로 영향을 미치는 것으로 판단되는 것이 이 영역이다. 예를 들면, 밝은 웨이퍼 상의 "스커트"는 매우 두껍게(3 내지 7 mm) 나타날 수 있다. 이러한 겉보기 두께는 로봇 또는 로드 포트(loadport) 내의 매핑 소프트웨어가 밝고 빛나는 웨이퍼를 크로스 슬롯된 것으로 판독하여 장비를 정지시키게 할 수 있다.
포커싱 렌즈(12)의 증대된 초점 거리에 의하여 제공되는 또 다른 한 가지 장점은 광학적 정지부를 위한 공간을 허용한다는 것이다. 도 3a는 레이저 스트라이프가 웨이퍼상에 정밀하게 형성되는 것을 지원하도록 배치되어 있는 광학적 정지부(142, 144, 146)를 예시하고 있다. 여기에서 사용되는 "광학적 정지부"는 불필요한 조명을 봉쇄하는 효과가 있는, 광학적 트레인(optical train) 내에 삽입되는 임의의 장치를 의미하도록 의도된다. 이는 구성 요소 자체로서 이미 존재하는 본질적인 정지부와는 대비되는 것이다. 정지부(142, 144, 146)는 산란되는 광을 최소로 유지시키고 영역(138)에서의 조도를 낮추는 데에 매우 도움이 된다. 정지부(140)는 직경이 200 미크론 이하일 수 있는 구경으로서, 실제의 레이저 칩에 매우 근접하게, 가령 300 미크론 내에 장착되어, 그 칩으로부터 나오는 조명만이정지부를 통과한다. 레이저 광원이 물리적인 패키지를 포함하는 일부 실시예에서, 정지부(140)는 직접 그 물리적인 패키지에 장착될 수 있다. 추가적인 정지부(142, 144)는 유출하는 레이저빔을 더욱 정제한다.
본 발명의 실시예는 또한 검지기(들)의 감도를 증대시키거나 및/또는 외부의 광의 효과를 감소시키는 특징부를 포함한다. 검지기(110, 112)(도 1에 도시됨)는 포토트랜지스터 또는 실리콘 포토다이오드인 것이 바람직하다. 검지기(110, 112)는 스트라이프가 웨이퍼 노치(notch)에 의하여 전체적으로 산란 배치되는 경우에도 레이저 스트라이프와 웨이퍼를 볼만큼 충분히 큰 시야(Field Of View: FOV)를 갖도록 배치되는 것이 바람직하다. 그러한 노치는 대개 길이가 3 mm이며, 따라서 그러한 노치의 어떤 쪽에서도 콘트라스트(contrast)가 보일 수 있도록 FOV가 6 mm인 것이 바람직하다. 도 4에 도시되어 있는 한 가지 실시예에 있어서, 검지기(110)의 정면에는 렌즈(150)가 장착되어, 스트라이프의 화상이 검지기(110)상에 집속된다. 렌즈(150)는 초점 거리가 약 10 - 20 mm인 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다른 한 가지 검지기 특징부를 예시하고 있다. 검지기(110, 112)는 매우 높은 이득을 갖도록 세팅되는 것이 바람직하다. 이러한 특징부가 제공되면, 주변광의 효과를 감소시키는 것이 훨씬 더 중요하다. 그러므로, 주변광 필터(160)가 작동적으로 검지기(110) 앞에 배치되어 주변광이 전체적으로 차단된다. 검지기에 입사하는 주변광은 검지기의 이득을 인위적으로 증대시켜 센서의 감도에 대한 예상되지 않고 제어되지 않는 변화를 초래한다. 비록 도 4가 단지 검지기(110)에 관한 검지기 특징부를 예시하고 있지만, 그러한 특징부들은 두 검지기 모두에 바람직하게 적용된다.
비록 본 발명을 바람직한 실시예를 참조로 설명하였으나, 당업자라면 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고도 형태 및 세부 구조에 있어서의 변경이 이루어질 수도 있다는 것을 인식할 것이다. 본 발명의 실시예는 전술한 진보된 임의의 특징부들을 포함할 수 있지만, 추가적인 실시예들도 또한 이들 특징부의 여러 가지 조합을 포함하여 이들 사이의 시너지 효과를 유리하게 구현할 수 있다. 예를 들면, 광원 출력 주파수를 피크 검지기 응답에 매칭시키면, 보다 효율적인 검지가 가능할 뿐만 아니라 더 높은 레이저 출력도 가능하다. 또한, 더 큰 초점 거리의 시준 렌즈(collimating lens)를 사용하면, 디포커싱의 이점이 제공될 뿐만 아니라, 레이저 출력의 또 다른 증대를 허용하면서 레이저 스트라이프를 더욱 더 정밀하게 형성하도록 광학적 정지부를 삽입할 공간이 발생된다.
전술한 특징부들의 조합을 그러한 방식으로 채용함으로써, 밝은 웨이퍼와 어두운 웨이퍼가 웨이퍼 캐리어 내에 불균일하게 섞여 있을 때 밝은 웨이퍼와 어두운 웨이퍼 양자 모두를 신뢰성 있게 검지할 수 있는 개량된 레이저 기반 캐리어 맵핑 시스템이 구현되었다. 이는 과도한 기술자의 개재 및 셋업을 필요로 하지 않고도 단일한 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서를 신뢰성 있게 사용할 수 있게 해준다.

Claims (21)

  1. 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서에 있어서,
    발산 레이저빔을 발생시키게 되어 있는 적어도 하나의 레이저 광원과;
    상기 발산 레이저빔을 받아서 그 레이저빔을 웨이퍼 에지 근처에 집속시키도록 배치되어 있는 포커싱 렌즈와;
    상기 빔을 받아서 그 빔을 제1 방향으로 발산시켜 스트라이프를 발생시키도록 배치되어 있는 원통 렌즈와;
    상기 웨이퍼 에지로부터 반사된 레이저광을 받아서 센서 출력 신호를 생성하게 되어 있는 검지기와; 및
    상기 적어도 하나의 레이저 광원 앞에 배치되어 있는 적어도 하나의 광학적 정지부
    를 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포커싱 렌즈의 초점 거리는 적어도 약 8 mm인 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광학적 정지부는 3개의 광학적 정지부를 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광학적 정지부는 상기 적어도 하나의 레이저 광원의 물리적인 패키지상에 직접 배치되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 레이저 다이오드 칩을 포함하고, 상기 적어도 하나의 광학적 정지부는 상기 레이저 다이오드 칩으로부터 약 300 미크론 내에 배치되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 광학적 정지부는 직경이 약 200 미크론 이하인 구경을 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검지기는 피크 검지 파장을 가지며, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 상기 피크 검지 파장에 매칭되는 레이저광을 제공하도록 구성되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  8. 제7항에 있어서, 상기 피크 검지 파장은 약 850 nm인 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  9. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 CDRH Class 1 및 IEC-80625-1 Class 1 중 적어도 하나 하에서 최대 허용 가능한 출력으로 작동하도록 구성되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  10. 제7항에 있어서, 상기 피크 검지 파장은 약 900 nm인 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  11. 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 CDRH Class 1 및 IEC-80625-1 Class 1 중 적어도 하나 하에서 최대 허용 가능한 출력으로 작동하도록 구성되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  12. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 CDRH Class 1 및 IEC-80625-1 Class 1 중 적어도 하나 하에서 최대 허용 가능한 출력으로 작동하도록 구성되는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  13. 제1항에 있어서, 상기 검지기의 집광을 증대시키도록 상기 검지기 앞에 배치되는 렌즈를 더 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검지기의 시야는 예상되는 웨이퍼 노치 크기보다 더 큰 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  15. 제14항에 있어서, 상기 시야는 약 6.0 mm인 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  16. 제1항에 있어서, 상기 검지기는 포토트랜지스터를 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  17. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 레이저 다이오드를 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  18. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 레이저 광원은 에지 에미터를 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  19. 제18항에 있어서, 상기 에지 에미터는 약 4 x 20 미크론의 활성 레이저 방출 면적을 갖는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  20. 제1항에 있어서, 상기 검지기 앞에 배치되는 주변광 필터를 더 포함하는 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
  21. 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서에 있어서,
    웨이퍼 에지상의 레이저 스트라이프를 감지하여 그것이 나타내는 신호를 제공하게 되어 있는 검지기와;
    제2 방향의 높이보다 더 큰 제1 방향의 폭과, 중심 및 그 중심부에서의 피크 강도를 갖는 레이저 스트라이프를 발생시키는 레이저 스트라이프 발생기
    를 포함하고, 상기 스트라이프는 상기 제2 방향으로 상기 중심으로부터 1 mm 떨어진 영역을 포함하고, 상기 영역에서의 강도는 상기 피크 강도의 약 1/10000 이하인 것인 웨이퍼 캐리어 맵핑 센서.
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