JPS5917139A - 反射率測定方法 - Google Patents
反射率測定方法Info
- Publication number
- JPS5917139A JPS5917139A JP12693382A JP12693382A JPS5917139A JP S5917139 A JPS5917139 A JP S5917139A JP 12693382 A JP12693382 A JP 12693382A JP 12693382 A JP12693382 A JP 12693382A JP S5917139 A JPS5917139 A JP S5917139A
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- JP
- Japan
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- lens
- light
- measured
- light source
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光の反射率測定方法に関し、例えは基板が回転
、移動、又は微小振動する状態で薄膜を形成する光学部
品および光ディスク等の製造工程において、薄膜形成過
程の反射率を、連続的にまた安定に測定する反射率測定
方法を提供するものである。
、移動、又は微小振動する状態で薄膜を形成する光学部
品および光ディスク等の製造工程において、薄膜形成過
程の反射率を、連続的にまた安定に測定する反射率測定
方法を提供するものである。
従来、回転体等の反射率を連続的に測定する方法は、い
わゆるフォトカプラーが知られている。
わゆるフォトカプラーが知られている。
その基本的な原理は、光源からの光をレンズにより集光
し、被測定面に照射し、その反射光を他のレンズを介し
、光センサにより受光するという方法である。
し、被測定面に照射し、その反射光を他のレンズを介し
、光センサにより受光するという方法である。
しかし上記の方法は、レンズを用いて光を集光−した状
態で被測定面に光を照射しているため、焦点深度が小さ
く、またレンズから被測定面までの距離が小さい。この
ため、被測定面のわずかな振動により、」１ｊ定値が大
きく変化する。これｄｌ、薄膜形成過程等の反射率を連
続的に、まだ正確に６］す定する上での妨げとなる欠点
があった。
態で被測定面に光を照射しているため、焦点深度が小さ
く、またレンズから被測定面までの距離が小さい。この
ため、被測定面のわずかな振動により、」１ｊ定値が大
きく変化する。これｄｌ、薄膜形成過程等の反射率を連
続的に、まだ正確に６］す定する上での妨げとなる欠点
があった。
本発明は上記従来の欠点を除去するものであり、光源か
らの光をレンズを介し、略平行光の状態で被θ１１定面
に照射することにより、焦点深度が大きく、連続的に、
安定性の優れた測定が可能な反射率」り定力法を提供す
るものである。
らの光をレンズを介し、略平行光の状態で被θ１１定面
に照射することにより、焦点深度が大きく、連続的に、
安定性の優れた測定が可能な反射率」り定力法を提供す
るものである。
第１図は本発明の反射率測定方法を説明するための図で
ある。この測定方法に用いる装置は、光源１ 、光セン
茗２．レンズ３．被測定面４よりなっている。
ある。この測定方法に用いる装置は、光源１ 、光セン
茗２．レンズ３．被測定面４よりなっている。
光源１としては、発光波長ｒｌｊの狭い単色の光源を用
い１発光ダイオード、半導体レーザ、−１，たけバンド
パス・フィルターを付したランプ等が使用できる。光セ
ンサ２としては、フォトセル、フォトダイオード等が利
用できる。
い１発光ダイオード、半導体レーザ、−１，たけバンド
パス・フィルターを付したランプ等が使用できる。光セ
ンサ２としては、フォトセル、フォトダイオード等が利
用できる。
・この測定方法は、被測定面４とレンズ３の中心軸が垂
直な関係になるように設定する。光源１と光センサ２は
レンズ３からその焦点距離だけ離れた同一平面内で、か
つ、光源１と光センサ２の各々の中心は、レンズ３の中
心軸に対し点対称に設置される。レンズ３より焦点距離
だけ離れた位置にある光源１からの光は、レンズ３を通
り、略平行光となり被測定面４に入射する。入射した光
はやはり略平行光として反射され、再びレンズ３を通り
、集光され、光センサ２に入射する。
直な関係になるように設定する。光源１と光センサ２は
レンズ３からその焦点距離だけ離れた同一平面内で、か
つ、光源１と光センサ２の各々の中心は、レンズ３の中
心軸に対し点対称に設置される。レンズ３より焦点距離
だけ離れた位置にある光源１からの光は、レンズ３を通
り、略平行光となり被測定面４に入射する。入射した光
はやはり略平行光として反射され、再びレンズ３を通り
、集光され、光センサ２に入射する。
この方法において、被測定面４の振動中７による反射光
量の変動は、光源１と光センサ２間の距離６により限定
される。光源と光センサ間の距離６を小さくすると、平
行光線とレンズ３の光軸が成す角度８が小さくなる。こ
のだめ、振動中７の影響が小さくなり、レンズと被測定
面間距離６を大きく取ることができる。また、光センサ
２の受光面積を大きくすることにより、反射率の変動が
小さくできる。
量の変動は、光源１と光センサ２間の距離６により限定
される。光源と光センサ間の距離６を小さくすると、平
行光線とレンズ３の光軸が成す角度８が小さくなる。こ
のだめ、振動中７の影響が小さくなり、レンズと被測定
面間距離６を大きく取ることができる。また、光センサ
２の受光面積を大きくすることにより、反射率の変動が
小さくできる。
以下、実施例をもとに本発明の詳細な説明する。
光源１には発光ダイオードλ−８３００人、光センサ２
には５叫角のシリコンフォトセル、そしてレンズ３には
焦点距離１８ｍのものを用いる。
には５叫角のシリコンフォトセル、そしてレンズ３には
焦点距離１８ｍのものを用いる。
第２図は本発明を光ディスクの蒸着工程の反則率モニタ
に応用した例であり、膜厚と反射率の関係を示す。光デ
ィスクは回転され、被反射面は振−動している。発光ダ
イオードとシリコンフォトセルの各々の中心間隔は６聴
とする。レンズ３と光ディスクの被測定面４との距離は
約６０ｖａｎである。
に応用した例であり、膜厚と反射率の関係を示す。光デ
ィスクは回転され、被反射面は振−動している。発光ダ
イオードとシリコンフォトセルの各々の中心間隔は６聴
とする。レンズ３と光ディスクの被測定面４との距離は
約６０ｖａｎである。
蒸着膜の表面と裏面からの反射光が、互いに干渉し合い
、反射光量には膜厚増加にともない、山部と谷部を生じ
る。このように、蒸着初期から蒸着終了までの反射率変
化を、連続的に観測することができる。
、反射光量には膜厚増加にともない、山部と谷部を生じ
る。このように、蒸着初期から蒸着終了までの反射率変
化を、連続的に観測することができる。
以上のように、本発明による反射率測定方法は、振動体
等の反射率を安定に測定できる。また、薄膜形成過程等
の連続的な反射率変化を測定でき、光ディスクの蒸着過
程、および水晶振動式膜厚計の使用できないや高周波ス
ノくツタ蒸着等の蒸着モニタに応用できる。
等の反射率を安定に測定できる。また、薄膜形成過程等
の連続的な反射率変化を測定でき、光ディスクの蒸着過
程、および水晶振動式膜厚計の使用できないや高周波ス
ノくツタ蒸着等の蒸着モニタに応用できる。
第１図は、本発明の反射率測定方法を説明するだめの図
、第２図は、同方法を用いた蒸着膜厚に対する反射率変
化の測定例を示す図である。 １・・・・・ｌＬ２・・・・・センサ、３・・・・・・
ランプ、４・ ・反射率被測定平面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 膠房
、第２図は、同方法を用いた蒸着膜厚に対する反射率変
化の測定例を示す図である。 １・・・・・ｌＬ２・・・・・センサ、３・・・・・・
ランプ、４・ ・反射率被測定平面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 膠房
Claims (2)
- （１）光源からの光をレンズを介して平面上に照射し、
前記平面からの反射光を再び前記レンズを介し、光セン
サ上に集光し検知することにより前記平面の反射率を測
定する方法において、前記レンズの中心軸は前記反射率
測定平面に垂直に設置され、前記光源と前記光センサば
、前記レンズの焦点平面上で、かつ、前記光源と前記光
センサの各々の中上・を前記レンズの中１口軸に対して
対称に設置し、前記レンズを出て前記反射率破門１定平
面に照射される光が略平行光であることを％徴とする反
射率測定方法。 - （２）反射率被４１１１定５１′而が振動している場合
に用いられることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の反射率４１（１定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12693382A JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12693382A JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917139A true JPS5917139A (ja) | 1984-01-28 |
| JPS6312535B2 JPS6312535B2 (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=14947487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12693382A Granted JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052800A3 (en) * | 2001-12-17 | 2003-11-13 | Cyberoptics Semiconductor Inc | Semiconductor wafer carrier mapping sensor |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12693382A patent/JPS5917139A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052800A3 (en) * | 2001-12-17 | 2003-11-13 | Cyberoptics Semiconductor Inc | Semiconductor wafer carrier mapping sensor |
| US7095763B2 (en) | 2001-12-17 | 2006-08-22 | Cyberoptics Semiconductor, Inc. | Semiconductor wafer carrier mapping sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6312535B2 (ja) | 1988-03-19 |
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