KR102342270B1 - 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법 - Google Patents

측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 라인 중 반도체 웨이퍼 캐리어가 장착되어 작업하는 적재대에서 웨이퍼(Wafer)를 추출하는 인덱스 암(Index Arm)의 파손이나 고장발생 및 에러 등이 발생했을 경우 또는 피엠(Preventive Maintenance; 돌발고장이 일어나기 전에 설비를 정지해서 미연에 점검해서 수리하는 작업행위) 등 정상적인 제조 공정의 가동 전에 테스트를 위해 다시 티칭(Teaching)하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법에 관한 것으로,
측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계(S1)와, 상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계(S2)와, 상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계(S3)와, 상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계(S4)와, 상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼(W)의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계(S5)와, 상기 제5 단계(S5)에서 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음) 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)와, 상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)를 거쳐 진입이 이루어진 다음 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a) 그리고 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 상하부에서 각각 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계(S7)와, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 완전히 진입이 완료되면 후방부의 하측 제9 레이저센서(27)와 상측부의 제11 레이저센서(29)에 의해 깊이측정을 시행하고 그리고 하측 제10 레이저센서(28)와 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음) 측정을 시행하고 또한 상측 제12 레이저센서(30)와 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계(S8)로 이루어짐을 특징으로 하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법이다.
위와 같은 본 발명은 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 좌우 기울기, 깊이 및 앞뒤 기울기 그리고 높이를 측정한 측정 값은 텃치디스플레이패널에 출력되어 확인할 수 있음 물론 반도체 웨이퍼의 직진도, 평탄도, 좌우편차, 진입높이 등의 측정 값을 확인할 수 있어 모든 측정과 교정을 통해 테스트가 완료된다.
즉, 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암 및 웨이퍼의 직진도, 수평, 높이, 좌우 편심, 기울기 및 위치 등의 정밀한 측정을 정확하고 용이하게 실시함은 물론 이러한 측정으로 교정을 용이하게 하고 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 용이하고 정확하게 확인할 수 있다.
그리고, 측정된 모든 측정정보는 콘트롤박스 내의 중앙처리장치(CPU)에 저장될 수도 있고 인터페이스를 통해 유선 또는 무선통신에 의한 PC나 스마트폰 등의 외부 단말기 전송하여 관리 및 저장할 수 있다.

Description

측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법{Measurement method for calibration of semiconductor wafers using a measuring device}
본 발명은 반도체 제조 라인 중 반도체 웨이퍼 캐리어가 장착되어 작업하는 적재대에서 웨이퍼(Wafer)를 추출하는 인덱스 암(Index Arm)의 파손이나 고장발생 및 에러 등이 발생했을 경우 또는 피엠(Preventive Maintenance; 돌발고장이 일어나기 전에 설비를 정지해서 미연에 점검해서 수리하는 작업행위) 등 정상적인 제조 공정의 가동 전에 테스트를 위해 다시 티칭(Teaching)하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암의 위치측정 및 교정을 정확하고 용이하게 하며 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 용이하고 정확하게 확인할 수 있는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법에 관한 것이다.
부연하면 반도체 제조 라인에서 인덱스 암의 파손이나 고장발생 및 에러 등이 발생하여 공정 가동을 멈추고 다시 가동을 위해 설비를 셋팅하고자 할 경우 인덱스 암에 의해 반도체 웨이퍼 캐리어(이하, '캐리어'로 약칭함)로부터 정확하게 웨이퍼를 홀딩하여 추출 및 장착할 수 있는지를 미리 확인 점검 및 교정하여 인덱스 암의 설비를 셋팅하도록 하기 위한 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 중에서 다수 매의 웨이퍼가 수납 장착된 캐리어(즉, Front Opening Unified Pod; 'FOUP'이라고도 함)로부터 반도체 웨이퍼를 삽입 장착 및 추출하는 인덱스 암 등의 설비가 파손이나 고장 발생 및 에러 등이 발생했을 경우에 종래에는 제조 공정의 가동을 멈추고 설비를 다시 교체 또는 수리한 후 인덱스 암이 캐리어로부터 웨이퍼를 정상적으로 정확하게 추출 및 삽입 장착할 수 있는지를 미리 점검하기 위해 캐리어를 사용하여 티칭을 하였다.
상기 캐리어는 일 예로 대한민국 등록특허공보 등록번호 10-0293906호의 도면 1에 '수지제 박판 수납용기'로서 제시되어 있다.
그런데 캐리어는 본래 반도체 제조 공정 라인에서 반도체 웨이퍼를 수납 장착하여 공급 및 이송하는 용도로 사용하는 것이고 이러한 캐리어를 티칭용으로 사용할 경우 티칭 작업 시 인덱스 암이 웨이퍼를 정확히 홀딩하여 정상적으로 삽입 장착 및 추출을 수행할 수 있는지 또는 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계가 정확한지를 명확하게 확인하기 어렵고 불편하며 작업성이 떨어진다.
즉, 인덱스 암의 높이나 직진도, 수평, 센터, 기울기 및 위치 등의 정밀한 측정 및 교정이 어렵고 불편하며 그래서 설비 셋팅 후 공정 가동 시 다시 티칭(Teaching)을 해야 하는 경우가 발생한다.
대한민국 등록특허공보 등록번호 10-0293906호(2001. 11. 22 공고).
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로, 본 발명의 목적은 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암의 위치측정 및 교정을 정확하고 용이하게 하며 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 자동감지센서에 의해 정밀하고 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 정밀하면서도 용이하고 정확하게 확인할 수 있는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법을 제공함에 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실시예로서,
지지판 위에 양측으로 세워 설치되고 반도체 웨이퍼가 삽입 장착되는 다수의 홀더 홈(Slot)을 상하부에 형성한 홀더 축과,
상기 홀더 축 후방 양측부에 세워 설치되고 반도체 웨이퍼를 위치에 맞춰 고정되게 하는 스톱퍼 축과,
상기 홀더 축과 스톱퍼 축의 상단부에 고정설치한 프레임 상판과,
상기 홀더 축의 홀더 홈은 선반 턱에 의해 형성되고 상기 선반 턱은 입구에 경사부를 형성하고 선반 턱 위에는 반도체 웨이퍼가 장착되는 지지턱을 양측으로 돌출 형성하며, 상기 스톱퍼 축에는 상기 지지 턱과 같은 수평선상으로 반도체 웨이퍼가 장착되는 지지턱을 형성하여 구성하고,
상기 홀더 축의 전방측에 위치측정장치를 설치 구성하되, 상기 위치측정장치는 양측으로 가이드레일을 고정설치하고 상기 가이드레일에는 스톱퍼를 갖는 측정고정블럭을 레일블럭에 의해 가이드되게 삽입 설치하며,
상기 측정고정블럭에는 위치눈금이 표시된 측정판을 힌지축으로 회동 가능하게 설치하고 상기 스톱퍼와 측정판에는 각각 극성이 다른 마그네틱을 고정 설치하고 또한 상기 측정고정블럭의 끝단에는 눈금지시 팁을 고정 설치하며,
상기 양측의 눈금지지 팁 전방에는 눈금판을 구성하며,
상기 지지판의 전방에는 수평상태를 측정하는 수평측정레벨계측기를 설치구성하고,
상기 지지판에는 티칭 시 캐리어 고정 포스트 핀에 고정하기 위한 홀 블럭을 소정 위치에 설치 구성하며,
상기 지지판의 양측에는 운반이나 티칭 시 유동 등을 위한 손잡이를 설치 구성한다.
상기 양측의 홀더 축 사이에 감지 및 측정기능을 운영하는 프로그램이 구성된 중앙처리장치(CPU)가 내장된 콘트롤박스를 고정되게 설치 구성하고 상기 콘트롤박스의 후면에는 측정 값을 디스플레이하여 볼 수 있고 텃치하여 조작할 수 있는 텃치디스플레이패널을 구성하며,
상기 양측 홀더 축의 하부에 양측으로 반도체 웨이퍼의 좌우편차를 측정하는 제1 레이저센서 및 제2 레이저센서를 구성하고 또한 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기를 측정하는 제3 레이저센서 및 제4 레이저센서를 구성하며,
상기 양측 홀더 축의 상측부에 구성된 프레임 상판에 양측으로 반도체 웨이퍼의 좌우편차를 측정하는 제5 레이저센서 및 제6 레이저센서를 구성하고 또한 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기를 측정하는 제7 레이저센서 및 제8 레이저센서를 구성하며,
상기 양측 홀더 축의 후방 하측 중앙부에 반도체 웨이퍼의 깊이를 측정하는 제9 레이저센서와 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기를 측정하는 제10 레이저센서를 구성하고,
상기 양측 홀더 축의 상측부에 구성된 프레임 상판의 중앙부에 반도체 웨이퍼의 깊이를 측정하는 제11 레이저센서와 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기를 측정하는 제12 레이저센서를 구성한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시예로서, 측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계와,
상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계와,
상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계와,
상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계와,
상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈(Slot)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 하부측 제1 및 제2 레이저센서와 상부측 제5 및 제6 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계와,
상기 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 하부측 제3 및 제4 레이저센서와 상부측 제7 및 제8 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계와,
상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계를 거쳐 진입이 이루어진 다음 하부측 제1 및 제2 레이저센서와 상부측 제5 및 제6 레이저센서 그리고 하부측 제3 및 제4 레이저센서와 상부측 제7 및 제8 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계와,
상기 반도체 웨이퍼가 완전히 진입이 완료되면 후방부의 하측 제9 레이저센서와 상측부의 제11 레이저센서에 의해 깊이측정을 시행하고 그리고 하측 제10 레이저센서와 제3 및 제4 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기 측정을 시행하고 또한 상측 제12 레이저센서와 제7 및 제8 레이저센서에 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계로 이루어진다.
이상과 같은 본 발명은, 레이저센서에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 좌우 기울기, 깊이 및 앞뒤 기울기 그리고 높이를 측정한 측정 값은 텃치디스플레이패널에 출력되어 확인할 수 있음 물론 반도체 웨이퍼의 직진도, 평탄도, 좌우편차, 진입높이 등의 측정 값을 확인할 수 있어 모든 측정과 교정을 통해 테스트가 완료된다.
즉, 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암 및 웨이퍼의 직진도, 수평, 높이, 좌우 편심, 기울기 및 위치 등의 정밀한 측정을 정확하고 용이하게 실시함은 물론 이러한 측정으로 교정을 용이하게 하고 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 용이하고 정확하게 확인할 수 있다.
그리고, 측정된 모든 측정정보는 콘트롤박스 내의 중앙처리장치(CPU)에 저장될 수도 있고 인터페이스를 통해 유선 또는 무선통신에 의한 PC나 스마트폰 등의 외부 단말기 전송하여 관리 및 저장할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에 대한 구성을 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에 대한 전체 정면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에 대한 전체 평면면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 인덱스 암에 웨이퍼를 로딩한 상태로 홀더 홈에 삽입 장착하여 인덱스 암과 웨이퍼의 위치측정을 하는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에 대한 전체 측면도로서 인덱스 암에 웨이퍼를 로딩한 상태로 홀더 홈에 삽입 장착하여 인덱스 암과 웨이퍼의 위치측정을 하는 측면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에 대한 전체 배면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 위치측정장치의 일부 발췌 확대 사시도이다.
도 8은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 홀더 축의 홀더 홈과 스톱퍼 축의 스톱퍼 홈에 웨이퍼가 삽입 장착된 상태를 도시한 일부 발췌 확대도이다.
도 9은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈의 초입에 삽입 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하는 상태를 평면에서 본 설명도이다.
도 10은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈의 초입에 삽입 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하는 상태를 측면에서 본 설명도이다.
도 11은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈으로 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 좌우 편차 및 좌우 기울기를 측정하는 상태를 평면에서 본 설명도이다.
도 12는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈으로 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 좌우 편차 및 좌우 기울기를 측정하는 상태를 측면에서 본 설명도이다.
도 13은 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈으로 완전 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 깊이 측정과 전후 기울기를 측정하는 상태를 평면에서 본 설명도이다.
도 14는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"에서 반도체 웨이퍼를 홀더 홈으로 완전 진입하여 레이저 센서에 의해 웨이퍼의 깊이 측정과 전후 기울기를 측정하는 상태를 측면에서 본 설명도이다.
도 15는 본 발명에 따른 "반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정기"를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 바람직한 실시예로서 도시하여 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 설명함에 있어서 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능이나 형태 등을 고려하여 정의 내려진 것으로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 아니 될 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또 각 도면에서 구성요소들은 이해의 편의 등을 고려하여 크기나 두께를 과장되게 크거나(또는 두껍게) 작게(또는 얇게) 표현하거나, 단순화하여 표현하고 있으나 이에 의하여 본 발명의 보호범위가 제한적으로 해석되어서는 안 된다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예로서 도시하여 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 실시예로서 먼저 도 1 내지 도 8를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
지지판(1) 위에 양측으로 세워 설치되고 반도체 웨이퍼(W)가 삽입 장착되는 다수의 홀더 홈(Slot)(2)을 상하부에 형성한 홀더 축(3)과, 상기 홀더 축(3) 후방 양측부에 세워 설치되고 반도체 웨이퍼(W)를 위치에 맞춰 고정되게 하는 스톱퍼 축(4)과, 상기 홀더 축(3)과 스톱퍼 축(4)의 상단부에 고정설치한 프레임 상판(7)을 구성한다.
상기 홀더 축(3)의 홀더 홈(2)은 선반 턱(2a)에 의해 형성되고 상기 선반 턱(2a)은 입구에 경사부(2b)를 형성하고 선반 턱(2a) 위에는 반도체 웨이퍼(W)가 장착되는 지지턱(2c)을 양측으로 돌출 형성하며, 상기 스톱퍼 축(4)에는 상기 지지 턱(2c)과 같은 수평선상으로 반도체 웨이퍼(W)가 장착되는 지지턱(4b)을 형성하여 구성한다(도 8참조).
상기 홀더 축(3)의 전방측에 위치측정장치(P)를 설치 구성하되, 상기 위치측정장치(P)는 양측으로 가이드레일(8)을 고정설치하고 상기 가이드레일(8)에는 스톱퍼(9)를 갖는 측정고정블럭(10)을 레일블럭(11)에 의해 가이드되게 삽입 설치 구성한다(도 2 및 도 7 참조).
상기 측정고정블럭(10)에는 위치눈금(12)이 표시된 측정판(13)을 힌지축(14)으로 회동 가능하게 설치하고 상기 스톱퍼(9)와 측정판(13)에는 각각 극성이 다른 마그네틱(15)(15a)을 고정 설치하고 또한 상기 측정고정블럭(10)의 끝단에는 눈금지시 팁(16)을 고정 설치 구성한다.
상기 양측의 눈금지지 팁(16) 전방에는 눈금판(17)을 구성하며, 상기 지지판(1)의 전방에는 수평상태를 측정하는 수평측정레벨계측기(18)를 설치구성하고, 상기 지지판(1)에는 티칭 시 캐리어 고정 포스트 핀(미도시)에 고정하기 위한 홀 블럭(20)을 소정 위치에 설치 구성하며, 상기 지지판(1)의 양측에는 운반이나 티칭 시 유동 등을 위한 손잡이(21)를 설치 구성한다.
상기 양측의 지지판(1) 사이에 감지 및 측정기능을 운영하는 프로그램이 구성된 중앙처리장치(CPU)가 내장된 콘트롤박스(C)를 고정되게 설치 구성하고 상기 콘트롤박스(C)의 후면에는 측정 값을 디스플레이하여 볼 수 있고 텃치하여 조작할 수 있는 텃치디스플레이패널(22)을 구성한다.
상기 양측 홀더 축(3)의 하부에 양측으로 반도체 웨이퍼(W)의 좌우편차를 측정하는 제1 레이저센서(23) 및 제2 레이저센서(23a)를 구성하고 또한 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 기울기를 측정하는 제3 레이저센서(24) 및 제4 레이저센서(24a)를 구성한다.
상기 양측 홀더 축(3)의 상측부에 구성된 프레임 상판(7)에 양측으로 반도체 웨이퍼(W)의 좌우편차를 측정하는 제5 레이저센서(25) 및 제6 레이저센서(25a)를 구성하고 또한 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 기울기를 측정하는 제7 레이저센서(26) 및 제8 레이저센서(26a)를 구성한다.
상기 양측 홀더 축(3)의 후방 하측 중앙부에 반도체 웨이퍼(W)의 깊이를 측정하는 제9 레이저센서(27)와 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기를 측정하는 제10 레이저센서(28)를 구성하고, 상기 양측 홀더 축(3)의 상측부에 구성된 프레임 상판(7)의 중앙부에 반도체 웨이퍼의 깊이를 측정하는 제11 레이저센서(29)와 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기를 측정하는 제12 레이저센서(30)를 구성한다.
이상과 같은 본 발명은 먼저 반도체 웨이퍼 캐리어가 장착되어 작업하는 적재대의 기준플레이트 위에 위치시키고 지지판(1)의 바닥면에 구성한 홀 블럭(20)을 상기 기준플레이트에 설치된 캐리어 고정 포스트 핀과 셋팅한다.
이 경우 본 발명의 측정기는 상기 적재대 위에 정 위치하게 되고 인덱스 암(R)이 구성된 로봇도 티칭하고자 하는 위치로 이동시킨다.
이 상태에서 로봇의 티칭 위치(예컨대, XYZ 공간좌표)를 저장하고 본 발명의 측정기에서 웨이퍼의 삽입 장착 및 추출 테스트를 실시하여 티칭 데이터를 저장한다.
그리고 테스트가 완료되면 본 발명의 티칭을 위한 측정기는 적재대의 기준플레이트로부터 분리한다.
그러면 상기 본 발명의 티칭을 위한 측정기에 구성된 레이저 센서와 왼도우(Window) 및 측정프로그램을 이용하여 웨이퍼의 삽입 장착 및 추출 테스트를 실시하는 방법을 설명한다.
로봇에 연결 구성된 인덱스 암(R)에 웨이퍼(W)를 장착한 다음 양측 홀더 축(3)의 내측으로 형성된 홀더 홈(2)에 삽입 진입시킨다(도 5, 도 9 및 도 10 참조).
상기 웨이퍼(W)는 하측부와 상측부에 동시에 삽입 진입시킬 수 도 있고 하부측 또는 상부측에만 각각 선택적으로 삽입 진입시킬 수 도 있다.
위와 같이 인덱스 암(R)에 의해 웨이퍼(W)를 홀더 홈(2)에 삽입 진입시키면 웨이퍼(W)의 에지(edge)는 홀더 홈(2)의 초입에 삽입 위치되고 이때 하부측의 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측의 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 편차 측정이 이루어진다.
즉, 웨이퍼(W)의 에지(edge)가 홀더 홈(2)의 초입에 삽입 위치되면 하부측의 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측의 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)가 레이저를 조사하여 감지하고 측정된 측정 값이 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 좌우 편차 범위를 벗어나지 않으면 진입이 진행된다.
예컨대, 반도체 웨이퍼의 좌우 편차가 ±0.5㎜ 보다 크면 티칭을 조정하여 반도체 웨이퍼를 다시 진입시키고 반도체 웨이퍼의 좌우 편차가 ±0.5㎜ 보다 작으면 티칭 없이 진입이 진행된다.
상기 측정된 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 값은 후방에 구성된 텃치디스플레이패널(C)에 출력되어 확인할 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼가 도11 및 도12에서와 같이 진입이 이루어지면 하부측의 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하고 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 높이를 측정하여 좌우측 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음)를 측정한다.
그리고 상부측의 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하고 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 좌우측 기울기를 측정한다.
위와 같이 삽입되어 진입하는 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 직진도 및 평탄도를 측정하게 된다.
이상과 같이 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 직진도 및 평탄도의 측정 값이 편차 범위를 벗어나지 않으면 계속 진입이 진행되고 측정 값이 편차 범위를 벗어나면 로봇에 연결 구성된 인덱스 암(R)에 장착된 반도체 웨이퍼를 티칭하여 다시 삽입 진입하여 측정한다.
상기 편차 범위를 벗어나지 않은 반도체 웨이퍼는 도 13 및 도 14에서와 같이 완전 진입이 이루어지고 완전 진입이 이루어지면 지지판(1)의 후방 하측부의 제9 레이저센서(27)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 깊이를 측정하여 완전 진입이 이루어졌는지를 측정하고 제10 레이저센서(28)와 상기 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음)를 측정한다.
그리고 상기 양측 홀더 축(3)의 상측부에 구성된 프레임 상판(7)의 후방에 구성된 제11 레이저센서(29)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 깊이를 측정하여 완전 진입이 이루어졌는지를 측정하고 제12 레이저센서(30)와 상기 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기를 측정한다.
위와 같이 상기 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 좌우 기울기, 깊이 및 앞뒤 기울기 그리고 높이를 측정한 측정 값은 텃치디스플레이패널(22)에 출력되어 확인할 수 있음 물론 반도체 웨이퍼의 직진도, 평탄도, 좌우편차, 진입높이 등의 측정 값을 확인할 수 있어 모든 측정과 교정을 통해 테스트가 완료되고 공정 가동 시 인덱스의 정상적인 작동으로 판별되면 본 발명의 티칭을 위한 측정기에 의한 티칭이 완료된다.
상기 측정된 모든 측정정보는 콘트롤박스(C) 내의 중앙처리장치(CPU)에 저장될 수도 있고 인터페이스를 통해 유선 또는 무선통신에 의한 PC나 스마트폰 등의 외부 단말기 전송하여 관리 및 저장할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암의 위치측정 및 교정을 정확하고 용이하게 하며 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 용이하고 정확하게 확인할 수 있는 것이다.
한편, 본 발명은 사용자가 직접 육안을 통해 반도체 웨이퍼의 상태를 확인하고 수평상태와 좌우 편심 및 기울기를 확인하면서 티칭할 수 도 있으며 이에 대한 설명을 하면 다음과 같다.
위에서 설명한 바와 같이 반도체 웨이퍼 캐리어가 장착되어 작업하는 적재대의 기준플레이트 위에 위치시키고 지지판(1)의 바닥면에 구성한 홀 블럭(20)을 상기 기준플레이트에 설치된 캐리어 고정 포스트 핀과 셋팅한다.
그런 다음 로봇에 연결 구성된 인덱스 암(R)에 웨이퍼(W)를 장착한 다음 양측 홀더 축(3)의 내측으로 형성된 홀더 홈(2)에 삽입 진입시킨다(도 1 내지 도 8 참조).
상기 웨이퍼(W)는 하측부와 상측부에 동시에 삽입 진입시킬 수도 있고 하부측 또는 상부측에만 각각 선택적으로 삽입 진입시킬 수 도 있다.
위와 같이 인덱스 암(R)에 의해 웨이퍼(W)를 홀더 홈(2)에 삽입 진입시키면 웨이퍼(W)의 에지(edge)는 홀더 홈(2)에 삽입되어 선반 턱(2a)의 지지턱(2c) 위에 장착되고 아울러 웨이퍼(W)의 후방부 에지 부분은 스톱퍼 축(4)의 지지턱(4b) 위에 장착되며 웨이퍼가 정 위치에 진입이 되면 상기 양측의 스톱퍼 축(4)에 형성된 스톱퍼 홈(4a)에 걸려 더 이상의 진입은 중지된다.
이와 같이 웨이퍼(W)가 삽입 장착이 완료되면 이 상태에서 웨이퍼(W)의 수평, 높이, 좌우 편심, 기울기 및 위치 등의 정밀한 측정을 실시하고 에러가 발생한 부분은 다시 교정한 다음 정상적인 작동이 확인되면 테스트한 테이터를 저장한다.
상기 눈금 바(5)에 표시된 눈금표시(5a)를 통해 웨이퍼가 진입되었을 때의 높이를 측정할 수 있고 양측 홀더 축(3)의 지지턱(2c)과 스톱터 축(4)의 지지턱(4b) 위에 장착된 웨이퍼의 상태를 확인하면 수평상태와 좌우 편심 및 기울기를 확인할 수 있으며 이 모든 측정을 육안으로 쉽게 확인할 수 있다.
그리고 웨이퍼(W)가 삽입 장착이 이루진 상태에서 인덱스 암(R)에 의해 추출하는 경우에도 투시창(6)을 통해 웨이퍼(W)가 인덱스 암(R)에 정확히 로딩되어 추출되는지를 확인할 수 있는 등의 작동관계를 용이하게 확인할 수 있다.
상기 홀더 축(3)의 전방에 구성한 제1 위치측정장치(P)는 인덱스 암(R)이 진입했을 때 상기 인덱스 암(R)을 정지시킨 상태에서 양측의 측정고정블럭(10)을 가이드 레일(8)을 따라 서로 안쪽으로 이동시켜 양측 측정판(13)이 인덱스 암(R)의 양측 모서리에 밀착되게 한 다음 양측의 눈금지시 팁(16)이 눈금표시(17)에 위치하여 인덱스 암(R)의 진입 및 추출 시 센터를 정확히 측정 확인할 수 있어 좌우 편심 상태를 측정할 수 있다.
그리고 홀더 축(3)의 전방측에 제1 위치측정장치(P)가 구성되어 인덱스 암의 진입 및 추출 시 직진도를 측정할 수 있고 상기 양측 측정판(13)의 눈금표시(12)에 의해 수평도와 기울기를 측정할 수 있다.
상기 지지판(1)의 전방 일측에 구성한 좌,우 수평상태를 측정하는 수평측정레벨계측기(18)는 웨이퍼가 안착되는 적재대의 좌,우 수평상태를 측정한다.
상기 선반 턱(2a)의 전방 하측에 형성한 경사면(2b)은 웨이퍼가 로딩된 인덱스 암의 진입 시 부딪침을 미연에 방지하기 위한 것이고 지지턱(2c)(4b)의 돌출은 웨이퍼의 닿는 면적을 최소화하여 수평상태의 정밀도 높은 측정과 웨이퍼의 손상을 방지하기 위한 것이다.
이상과 같이 모든 측정과 교정을 통해 테스트가 완료되고 공정 가동 시 인덱스의 정상적인 작동으로 판별되면 본 발명의 티칭을 위한 측정기에 의해 티칭이 완료된다.
다음, 본 발명의 다른 실시예로서 측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법을 도 15를 참조하여 설명한다.
측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치(미도시)를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계(S1)와, 상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계(S2)와, 상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계(S3)와, 상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계(S4)로 이루어진다.
상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼(W)의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계(S5)로 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로의 진입은 하측부와 상측부에 동시에 삽입 진입시킬 수 도 있고 하부측 또는 상부측에만 각각 선택적으로 삽입 진입시킬 수 도 있다.
따라서 상기 반도체 웨이퍼가 홀더 홈(Slot)(2)으로의 진입을 하측부와 상측부에 동시에 삽입 진입시킬 경우에는 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 편차 측정이 이루어지고, 반도체 웨이퍼(W)가 하측부의 홀더 홈(Slot)(2)으로만 진입할 경우에는 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)에 의해 좌우 편차 측정이 이루어지며, 반도체 웨이퍼(W)가 상측부의 홀더 홈(Slot)(2)으로만 진입할 경우에는 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 편차 측정이 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음) 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)로 이루어진다.
상기 제6 단계(S6)에서의 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기 측정 또한 상기 제5 단계(S5)에서 반도체 웨이퍼(W)가 홀더 홈(Slot)(2)으로의 진입을 하측부와 상측부에 동시에 삽입 진입시킬 경우에는 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 기울기 측정이 이루어지고, 반도체 웨이퍼(W)가 하측부의 홀더 홈(Slot)(2)으로만 진입할 경우에는 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 좌우 기울기 측정이 이루어지며, 반도체 웨이퍼(W)가 상측부의 홀더 홈(Slot)(2)으로만 진입할 경우에는 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 기울기 측정이 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)를 거쳐 진입이 이루어진 다음 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a) 그리고 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 상하부에서 각각 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계(S7)로 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼(W)가 완전히 진입이 완료되면 후방부의 하측 제9 레이저센서(27)와 상측부의 제11 레이저센서(29)에 의해 깊이측정을 시행하고 그리고 하측 제10 레이저센서(28)와 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음) 측정을 시행하고 또한 상측 제12 레이저센서(30)와 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계(S8)로 이루어진다.
위와 같이 상기 반도체 웨이퍼의 좌우 편차와 좌우 기울기, 깊이 및 앞뒤 기울기 그리고 높이를 측정할 수 있어 티칭을 위한 측정기로 진입하는 반도체 웨이퍼의 직진도, 평탄도, 좌우편차, 진입높이 등의 측정 값을 확인할 수 있다.
따라서 모든 측정과 교정을 통해 테스트가 완료되고 공정 가동 시 인덱스의 정상적인 작동으로 판별되면 본 발명의 티칭을 위한 측정기에 의한 티칭이 완료되는 것이다.
이상과 같이 본 발명의 측정방법에 의해 얻어진 측정정보에 의해 인덱스 암 등의 제조 설비를 다시 셋팅을 위해 티칭 작업 시 인덱스 암의 위치측정 및 교정을 정확하고 용이하게 하며 아울러 인덱스 암과 웨이퍼가 정확하게 홀딩되어 인덱스 암에 의해 웨이퍼가 정확하게 삽입 장착 및 추출되는지를 용이하게 확인할 수 있는 등 티칭(Teaching) 시 인덱스 암과 웨이퍼의 작동관계를 용이하고 정확하게 확인할 수 있는 것이다.
1: 지지판 2: 홀더 홈
2a: 선반 턱 2b: 경사면
2c, 4b: 지지턱 3: 홀더 축
4: 스톱퍼 축 4a: 스톱퍼 홈
5: 눈금 바 5a: 눈금표시
6: 투시창 7: 프레임 상판
8: 가이드레일 9: 스톱퍼
10: 측정고정블럭 11: 레일블럭
12: 위치눈금 13: 측정판
14: 힌지축 15,15a: 마그네틱
16: 눈금지지 팁 17: 눈금판
18:수평측정레벨계측기 20: 홀 블럭
21: 손잡이 22: 텃치디스플레이패널
23,23a: 제1 및 제2 레이저센서 24,24a: 제3 및 제4 레이저센서
25,25a: 제5 및 제6 레이저센서 26,26a: 제7 및 제8 레이저센서
27,28: 제9 및 제10 레이저센서 29,30: 제11 및 제12 레이저센서
C: 콘트롤박스 P: 제1 위치측정장치
S1: 제1 단계 S2: 제2 단계
S3: 제3 단계 S4: 제4 단계
S5: 제5 단계 S6: 제6 단계
S7: 제7 단계 S8: 제8 단계

Claims (4)

  1. 측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계(S1)와,
    상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계(S2)와,
    상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계(S3)와,
    상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계(S4)와,
    상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼(W)의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계(S5)와,
    상기 제5 단계(S5)에서 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음) 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)와,
    상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)를 거쳐 진입이 이루어진 다음 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a) 그리고 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)와 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 상하부에서 각각 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계(S7)와,
    상기 반도체 웨이퍼(W)가 완전히 진입이 완료되면 후방부의 하측 제9 레이저센서(27)와 상측부의 제11 레이저센서(29)에 의해 깊이측정을 시행하고 그리고 하측 제10 레이저센서(28)와 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음) 측정을 시행하고 또한 상측 제12 레이저센서(30)와 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계(S8)로 이루어짐을 특징으로 하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법.
  2. 측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계(S1)와,
    상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계(S2)와,
    상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계(S3)와,
    상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계(S4)와,
    상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계(S5)와,
    상기 제5 단계(S5)에서 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 하부측 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음) 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)와,
    상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)를 거쳐 진입이 이루어진 다음 하부측 제1 및 제2 레이저센서(23)(23a)와 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 하부에서 각각 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계(S7)와,
    상기 반도체 웨이퍼(W)가 완전히 진입이 완료되면 후방부의 하측 제9 레이저센서(27)에 의해 깊이측정을 시행하고 그리고 하측 제10 레이저센서(28)와 제3 및 제4 레이저센서(24)(24a)에 의해 반도체 웨이퍼의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음) 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계(S8)로 이루어짐을 특징으로 하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법.
  3. 측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법으로서 측정기의 전원스위치를 조작하여 온(ON)시키는 제1 단계(S1)와,
    상기 전원스위치를 조작하여 측정기를 온(ON)시킴에 따라 왼도우(Window) 기동 및 측정프로그램이 자동으로 동작이 시작되는 제2 단계(S2)와,
    상기 측정프로그램이 동작됨에 따라 자동초기화 동작이 실행되는 제3 단계(S3)와,
    상기 측정프로그램의 동작으로 자동초기화 동작이 실행됨에 따라 초기화가 완료되는 제4 단계(S4)와,
    상기 초기화가 완료된 단계에서 반도체 웨이퍼(W)를 홀더 홈(Slot)(2)으로 진입이 시작되면 반도체 웨이퍼의 투입 감지가 시작되고 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 편차 측정이 이루어져 편차의 범위를 벗어나면 반도체 웨이퍼의 투입은 불가하고 다시 초기화의 단계로 복귀되며 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼(W)의 투입이 시작되어 좌우 편차 측정하는 제5 단계(S5)와,
    상기 제5 단계(S5)에서 반도체 웨이퍼의 좌우 편차를 측정하여 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 상부측 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼의 좌우 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 좌측 또는 우측의 높고 낮음) 측정이 이루어져 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)와,
    상기 반도체 웨이퍼의 진입이 시작되는 제6 단계(S6)를 거쳐 진입이 이루어진 다음 상부측 제5 및 제6 레이저센서(25)(25a)와 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 상부에서 각각 반도체 웨이퍼의 좌우 진입 편차와 좌우 기울기 측정 그리고 높이를 측정하고 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 완전진입을 시행하는 제7 단계(S7)와,
    상기 반도체 웨이퍼(W)가 완전히 진입이 완료되면 후방 상측부의 제11 레이저센서(29)에 의해 깊이측정을 시행하고 제12 레이저센서(30)와 제7 및 제8 레이저센서(26)(26a)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 앞뒤 기울기(즉, 반도체 웨이퍼의 앞측 또는 뒤측의 높고 낮음) 측정을 시행하여 측정값이 편차의 범위에서 벗어나지 않으면 측정이 종료되는 제8 단계(S8)로 이루어짐을 특징으로 하는 측정기를 이용한 반도체 웨이퍼의 티칭을 위한 측정방법.
  4. 삭제
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