KR20050009155A - 누락 다이 검출 - Google Patents

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KR20050009155A
KR20050009155A KR1020040053350A KR20040053350A KR20050009155A KR 20050009155 A KR20050009155 A KR 20050009155A KR 1020040053350 A KR1020040053350 A KR 1020040053350A KR 20040053350 A KR20040053350 A KR 20040053350A KR 20050009155 A KR20050009155 A KR 20050009155A
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왕판
레웅윙홍
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에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Abstract

콜레트 조립체의 위치에서 타겟 대상물의 존재 여부의 지표가 사이트로부터 반사된 광을 감시함으로써 유도된다. 반사광의 사용은 대상물, 특히 투명한 대상물의 존재가 검출될 수 있게 한다. 사파이어 다이가 다이 취급 콜레트 조립체내에 존재하는 지 여부를 결정하기 위한 양호한 배열에서, 광원으로부터의 광은 좁은 빔으로 시준 또는 집속되고, 콜레트 조립체의 목표 사이트에서 빔 분할기를 통해 안내된다. 다이의 표면으로부터 반사된 광은 빔 분할기에 의해 광 센서로 추가로 반사된다. 다이를 본딩 위치로 전달하는 도중에, 그리고, 다이를 본딩 위치에 배치하기 위한 시도 이후 복귀하면서 어두운 배경 위로 콜레트가 통과할 때 반사광이 측정된다. 전자의 다이 존재 및 후자의 다이 부재의 결정은 본딩 위치에 양호하게 배치된 다이를 나타낸다.

Description

누락 다이 검출{MISSING DIE DETECTION}
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 대상물의 검출 및 실리콘이나 사파이어 웨이퍼로부터의 반도체 디바이스의 제조에 관련하며, 특히, 예로서, 웨이퍼로부터 다이스(dice)를 픽업하고 본딩 위치에 다이스를 배치할 때, 누락 다이(die)의 검출을 위한 장치 및 방법에 관련한다.
배경
웨이퍼 상에 형성된 디바이스의 제조 및 다이싱(dicing) 이후, 개별 다이스가 픽업 헤드의 콜레트(collet)에 의해 다이싱된 웨이퍼로부터 픽업되고, 추가 처리를 위해 캐리어, 기판 또는 기타 디바이스 상의 본딩 위치에 배치된다.
제조 유니트로부터의 다이스의 누락을 회피하기 위해서, 픽업 헤드가 다이스를 픽업하고 본딩 위치에 배치하는데 실패하는 경우에, 경보를 발생시키는 것이 적합하다.
공지된 검출 시스템은 일반적으로, 광원 및 광센서를 사용하며, 이들은 대상물, 예로서, 다이의 존재 또는 부재가 검출되는 사이트(site)의 대향 측면 상에 정렬 및 배치된다. 사이트에 대상물이 나타나면 광원으로부터 센서로 좁은 광 빔(시준 또는 집속 중 어느 쪽이든)이 투과하는 것을 방해한다. 광원로부터 방사된 광의 센서에 의한 검출은 장소에 대상물이 존재하지 않는다는 지표로서 사용된다. 반대로, 광원으로부터 방사 및 센서에 의해 검출된 광의 부재는 대상물이 사이트에 존재한다는 지표로서 사용된다.
그러나, 이들 공지된 시스템은 광이 대상물을 통해 투과될 수 있는 투명 또는 심지어 부분적 투명 대상물의 경우에 실패하며, 대상물이 존재할 때에도 비교적 강한 신호가 여전히 센서에 의해 수신될 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 목적은 대상물이 누락된 경우를 결정하기 위한 장치로서, 오류 지표의 발생을 감소시키거나, 적어도 대중에게 유용한 선택을 제공하는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 실시예의 목적은 대상물이 누락된 경우를 결정하기 위한 방법으로서, 오류 지표의 발생을 감소시키거나, 적어도 대중에게 유용한 선택을 제공하는 방법을 제공하는 것이다.
일 양태에서, 본 발명은 넓게, 콜레트 조립체의 사이트에서 타겟 대상물의 존재 또는 부재를 검출하기 위한 장치라 할 수 있으며, 이 장치는 사이트의 적어도 일부를 조사하도록 구성된 광원 및 사이트에 배치된 타겟 대상물에 의해 반사될 때 광원으로부터의 광의 적어도 일부를 수광하도록 구성된 광 검출기를 포함한다.
선택적으로, 이 장치는 타겟 대상물이 실질적으로 사전결정된 배향으로 표면을 제공할 때, 사이트의 타겟 대상물의 존재를 검출하도록 구성되며, 조사는 상기 배향에 실질적으로 수직으로 사이트의 부분상에 입사한다.
선택적으로, 이 장치는 빔 분할기를 포함하며, 광원으로부터의 광은 사이트의 부분을 조사하기 위해 빔 분할기를 통해 진행하며, 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 광은 빔 분할기에 의해 광 검출기를 향해 추가로 반사된다.
대안적으로, 빔 분할기는 광원으로부터의 광을 사이트의 부분을 향해 반사하며, 타겟 대상물에 의해 반사된 광은 빔 분할기를 통해 광 검출기로 진행한다.
광 검출기는 이미지 센서 또는 파워 센서일 수 있다.
광은 가시 또는 비가시 방사선일 수 있다.
광원으로부터의 광은 사이트의 부분의 조사를 위한 빔으로 시준 또는 집속될 수 있다.
선택적으로, 조사 빔은 사이트의 부분에서 대략 0.02 내지 0.5mm의 폭, 가장 바람직하게는 0.05mm의 폭이다.
선택적으로, 조사 광의 광원 및 광 검출기는 양자 모두 사이트의 일 측면 상에 존재하며, 어두운 배경이 사이트의 대향 측면 상에 배치된다.
타겟 대상물을 실질적으로 투명할 수 있다.
타겟 대상물은 1이 아닌 굴절율을 가질 수 있다.
선택적으로, 굴절율은 약 1.55이다.
광원 및 광 검출기 중 어느 하나 또는 양자 모두는 콜레트 조립체로부터 원격 배치될 수 있다.
제 2 양태에서, 본 발명은 넓게, 다이를 유지하기 위한 콜레트 조립체를 포함하는 다이 취급 디바이스 및 제 1 양태 또는 제 1 양태의 소정의 옵션에 따른 장치라 할 수 있으며, 여기서 다이는 타겟 대상물이다.
제 3 양태에서, 본 발명은 콜레트 조립체의 사이트의 타겟 대상물의 존재 또는 부재를 판정하는 방법이라 할 수 있으며, 이는
(a) 사이트의 적어도 일부를 조사하는 단계,
(b) 사이트에 배치된 타겟 대상물에 의해 반사될 때, 조사 광의 적어도 일부를 수광하도록 광 검출기를 배열하는 단계,
(c) 상기 광 검출기에 의해 수광된, 그리고, 상기 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 조사 광을 검출하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 이 방법은 타겟 대상물이 실질적으로 사전결정된 배향으로 표면을 제공할 때, 사이트의 타겟 대상물의 존재를 결정하며, 상기 조사 광은 상기 배향에 실질적으로 수직으로 사이트의 상기 부분 위에 입사한다.
선택적으로, 이 방법은
(d) 사이트의 상기 부분을 조사하도록 빔 분할기를 통해 상기 조사 광을 통과시키는 단계, 및
(e) 빔 분할기에 의해, 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 광을 광 검출기를 향해 추가 반사하는 단계를 추가로 포함한다.
선택적으로, 이 방법은
(f) 빔 분할기에 의해 상기 사이트의 상기 부분을 향해 상기 광원으로부터의 광을 반사하는 단계, 및
(g) 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 광을 빔 분할기를 통해 광 검출기로 통과시키는 단계를 추가로 포함한다.
광 검출기는 이미지 센서 또는 파워 센서이다.
광은 가시 또는 비가시 방사선일 수 있다.
선택적으로, 이 방법은
(h) 조사 광을 사이트의 상기 부분을 조사하기 위한 빔으로 시준 또는 집속하는 단계를 추가로 포함한다.
조사 빔은 사이트의 부분에서 약 0.02 내지 0.5mm 폭, 가장 바람직하게는 0.05mm 폭인 것이 적합하다.
단계 (c)에서의 반사된 조사광의 검출은 광이 사이트에 배치된 타겟 대상물에 의해 반사되는 것에 대향한 방향의 어두운 배경을 사용하여 이루어지는 것이 적합하다.
타겟 대상물은 실질적으로 투명할 수 있다.
선택적으로, 타겟 대상물은 1이 아닌 굴절율을 가진다.
굴절율은 약 1.55인 것이 적합하다.
선택적으로, 이 방법은
(j) 콜레트 조립체로 대상물을 픽업하기를 시도하는 단계,
(k) 콜레트 조립체의 사전결정된 사이트를 조사하는 단계,
(l) 콜레트 조립체에 상기 사이트로부터 반사된 조사 광을 검출하기 위한 광 검출기를 배열하는 단계, 및
(m) 광 검출기에 의해 검출된 광에 기초하여, 콜레트의 사이트의 대상물의 존재 또는 부재의 결정을 수행하는 단계를 추가로 포함한다.
단계 (l)에서 사이트로부터 반사된 광의 검출은 사이트에 위치될 때, 대상물에 의해 광이 반사되는 것에 대향한 방향의 어두운 배경을 사용하여 이루어지는 것이 적합하다.
추가로, 본 발명은 첨부 도면에 도시 및 여기서 언급된 부품 또는 특징의 소정의 대안적 조합을 구성하는 것으로 말해질 수 있다. 명시적으로 설명되지 않은 이들 부품 또는 특징의 공지된 등가체도 역시 포함되는 것으로 간주된다.
도면을 참조로, 제한적이지 않은, 단지 예시로서의 본 발명의 양호한 실시예들이 이제 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른, 사전결정된 위치의 다이의 존재 또는 부재를 결정하기 위한 광학적 배열의 제 1 양호한 실시예의 개략도.
도 2는 도 1의 실시예에 대한 제 2 대안 실시예의 개략도.
도 3은 제 1 양호한 실시예의 배열을 활용하는 콜레트 조립체의 측단면도.
도 4는 광원 및 광 검출기가 콜레트 조립체로부터 원격 배치되는 콜레트 조립체의 측단면도.
도 5는 본 발명을 통합하는 다이 배치 장치의 개략 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 광원 2: 다이
5: 빔 분할기 8: 광 센서
11: 본드 아암 22: 렌즈
도면을 참조하면, 사전결정된 위치의 대상물의 존재 또는 부재를 검출하기 위한 방법 및 장치가 다양한 형태로 구현될 수 있다. 하기의 실시예는 단지 예시로서 설명되는 것이다.
여기서 "광"은 가시 광에 한정되는 것이 아니며, 예로서, 가시 스펙트럼 외측의 파장을 가지는 적외 및 자외 방사선을 포함하는 비가시 방사선도 포함하는 것으로 이해되어야 한다. "반사"는 표면으로부터의 광 또는 방사선의 산란을 포함한다.
도 1은 사전결정된 위치의 다이의 존재 또는 부재를 결정하기 위한 광학 배열의 제 1 양호한 실시예의 개략도를 도시한다. 본 실시예에서, 사전결정된 위치는 다이 배치를 위한 콜레트 조립체의 다이 취급 콜레트이다. 콜레트 조립체는 실리콘 또는 사파이어 웨이퍼로 제조된 개별 다이스를 픽업하고, 다이스를 예로서, 다이가 리드 프레임 같은 기판에 부착되는 본딩 위치에 배치하기 위해 사용된다.
광원(1), 예로서, 레이저 다이오드가 콜레트내의 사이트의 적어도 일부를 조사하기 위해 배열된다. 도 1에 도시된 바와 같이 이 사이트는 다이(2)에 의해 점유되어 있다. 광원으로부터의 광은 렌즈(22)(도 3 참조)에 의한 방식 처럼 좁은 입사 빔(3)으로 시준 또는 집속되는 것이 적합하다. 양호한 응용에서, 시준 또는 집속된빔은 0.02 내지 0.5mm 폭 사이이며, 가장 바람직하게는 0.05mm 폭이다. 입사 빔은 콜레트를 통해 안내되며, 이 콜레트의 내경은 다이의 작은 부분에서 0.02mm 만큼 작을 수 있다. 콜레트의 다이 사이트 이외의 콜레트의 내면으로부터의 광의 반사에 의해 유발된 노이즈는 다이를 제외하고는 매우 미소하게 조사되도록 빔의 직경을 충분히 작게 함으로써 최소화된다.
도 1에 도시된 경우에서, 조사 광은 표면(4)의 배향에 실질적으로 수직으로 다이의 표면(4)상에 입사한다. 그러나, 수직 입사에 근접한 입사광의 다른 각도가 사용될 수 있으며, 이 경우, 광은 입사각 만큼 긴 대응 각도로 다이 표면으로부터 반사되고, 반사는 광이 수광될 수 있게 하도록 충분히 작다. 광원은 빔 분할기를 통과한 이후 다이 표면을 조사한다. 다이(2)가 투명한 도 1에 도시된 경우에서, 광의 주된 분율(major fraction;6)은 다이(2)를 투과한다. 그러나, 입사 광원 광의 보다 작은 분율(smaller fraction;7)은 다이 표면(4)으로부터 빔 분할기(5)를 향해 역방향 반사되며, 이 빔 분할기는 광을 광 검출기로 반사하고, 광 검출기는 광 센서(8)의 형태일 수 있다. 도 1은 입사 빔(3)으로부터 편위된 이 반사된 분율 또는 빔(7)을 도시한다. 이 편위는 단지 도 1에 의해 제공되는 설명의 명료성을 위해 예시되어 있으며, 실제로, 입사 및 반사 빔은 적어도 다이 표면(4)에서 일치한다.
광 센서(8)로부터의 출력 신호는 전자 증폭기(9)에 연결되며, 이 증폭기는 광 센서(8)에 의해 수광된 광에 기초하여 콜레트에서 다이의 존재 또는 부재를 결정하기 위한 추가 처리를 위해 증폭된 출력(10)을 생성한다.
광 센서(8)는 이미지 센서 또는 일반적 광 파워 센서일 수 있다.
광학 배열이 사파이어로 이루어진 웨이퍼로 제조된 다이의 존재 또는 부재를 감시하는 양호한 응용의 경우에, 다이는 실질적으로 투명하다. 일반적으로, 투명체의 표면의 반사율(R)은 하기와 같이 표현될 수 있다.
여기서, n은 투명체의 굴절율이다.
사파이어에 대하여 일반적으로 n은 1.55 내지 1.7 사이 이다. n=1.55인 경우에, 이때 R=0.047(또는 4.7%)이다. 그러나, 반사는 사파이어 다이의 상면 및 저면 양자 모두에서 이루어져서 약 9.4%의 총 반사율을 제공한다. 따라서, 다이가 실질적으로 투명한 경우에도, 그 굴절율이 1과 같지 않은 한, 다이는 광 센서에 의한 검출을 위해 입사광의 일 분율을 여전히 역방향 반사한다. 다이에 의한 이 반사율은 종래의 투과 광이 아닌 반사광에 기초하여 콜레트내의 사파이어 다이 같은 투명 대상물의 존재 또는 부재의 결정을 가능하게 한다. 산란된 광의 강도가 광 센서에 도달하기에 충분한 한, 대상물에 의한 광의 산란에 기초한 결정도 가능하다.
제 2 배열이 도 2에 도시되어 있다. 도 1 및 도 2의 대응 특징부는 동일하게 부호매김되어 있다. 이 배열에서, 조사 광원(1) 및 광 센서(8)의 위치가 상호 교체되어 있으며, 그래서, 조사 광원(1)으로부터의 광이 빔 분할기(5)로 지향되고, 빔 분할기가 입사 빔(3)을 다이(2)의 표면(4)을 향해 반사한다. 입사광의 주된 분율(6)은 다이를 투과하지만, 입사광의 미소 분율(7)은 빔 분할기(5)를 통해 광 센서(8)로 역방향 반사된다.
도 3은 제 1 양호한 실시예의 배열을 활용하는 콜레트 조립체(20)의 측단면도를 도시한다. 광원 또는 레이저 다이오드(1)는 콜레트 조립체(20)를 통해 광의 빔을 투사하기 위해 콜레트 조립체(20)의 상단에 배열된다. 광원으로부터의 광은 렌즈(22)에 의해 좁은 입사 빔으로 시준 또는 집속된다. 입사 빔은 빔 분할기(5)를 통과하고, 콜레트(21)를 통해 안내되며, 그래서, 콜레트(21)의 개구의 사이트의 적어도 일부가 조사된다. 다이(2)는 상기 개구에 배치된다. 입사 빔은 다이(2)의 표면으로부터 빔 분할기(5)를 향해 역방향 반사되며, 이 빔 분할기는 이 광을 광 센서(8)로 반사한다. 도 3에서, 광원(1) 및 광 센서(8)는 콜레트 조립체(20)와 일체이며, 그 위에 배치된다.
도 4는 광원(1) 및 광 검출기(8)가 콜레트 조립체(20)로부터 원격 배치되어 있는 콜레트 조립체(20)의 측단면도를 도시한다. 광 섬유(23)가 원격 배치 레이저 다이오드로부터의 입사광을 콜레트(21)의 다이(2)의 표면으로 지향시키기 위해 사용된다. 다른 광 섬유(24)가 다이(2)의 표면으로부터 반사된 광을 역시 원격 배치된 광 센서(8)로 지향시키기 위해 사용된다. 다른 대안 배열(미도시)에서, 단일 섬유가 다이로의 입사광 및 다이로부터의 반사광 양자 모두를 안내한다.
대안적 배열(미도시)에서, 광 가이드, 거울 등 같은 광학 시스템이 사용되어 광원(1)으로부터 입사광을 안내 또는 다이 표면에 의해 반사된 광을 광 센서(8)로 역방향 안내하기 위해 사용될 수 있다. 광 섬유(23, 24)의 사용의 장점은 광원 및/또는 센서가 콜레트 조립체(20)상에 장착될 필요가 없으며, 그래서, 이를 제어하는 본드 아암(bond arm)에 부담을 주지 않고, 보다 무겁고 보다 복잡한 디자인이 사용될 수 있다는 것이다. 광원(1) 및 광 센서(8) 중 어느 하나 또는 양자 모두가 콜레트 조립체(20)에 장착되거나, 원격 배치될 수 있다는 것을 인지하여야 한다.
도 5는 상술된 누락 다이 검출 배열을 사용하는 배치 장치의 레이아웃의 개략도이다. 본드 아암(11)은 축(12) 둘레로 회전하도록 장착된다. 콜레트 조립체(20)는 본드 아암의 말단 단부(13)에 지지된다.
조사 광원 및 광 센서는 콜레트 조립체내에 장착된다. 조사된 광은 콜레트를 통해, 그리고, 다이에 의해 점유된 위치상으로 투사될 작은 스폿 크기를 제공하는 빔으로 시준 또는 집속된다. 검출 신호의 신호-대-노이즈 비율은 배경 노이즈가 시준 또는 집속된 빔 및 작은 스폿 크기에 의해 감소되기 때문에 높다.
도 5는 세 위치에서 본드 아암(11)을 도시한다. 제 1 본드 아암 위치(11A)에서, 픽업 헤드 및 콜레트는 그 위에 개별 다이가 제조 및 다이싱되는 사파이어 웨이퍼(14)상의 선택된 다이(미도시) 위에 배치된다. 콜레트는 선택된 다이를 픽업하기를 시도하도록 동작되며, 본드 아암(11)은 제 3 본드 아암 위치(11C)를 향해 콜레트를 이동시키도록 회전된다.
사파이어 웨이퍼는 웨이퍼 위의 개별 다이로부터 반사된 광의 측정과 간섭할 수 있는 매우 높은 경면을 가진다. 따라서, 제 1 위치(11A)로부터 제 3 위치(11C)로 통과할 때, 이를 통해 본드 아암이 이동하게 되는 중간 제 2 위치(11B) 아래에 어두운 배경(15)이 배열된다.
콜레트가 어두운 배경 위로 이동하는 동안, 광 센서 신호 프로세서가 예로서, 호스트 콘트롤러 또는 본드 아암 콘트롤러로부터의 신호에 의해 트리거되어 존재시, 콜레트내의 다이로부터 반사된 광의 측정을 수행한다. 측정은 본드 아암이 어두운 배경 위로 이동할 때, 본드 아암이 이동을 유지하는 동안 취해진다. 측정치는 신호 프로세서에 의해 자동으로 학습 또는 수동 사전설정될 수 있는 합리적인 여유값와 다이의 부재시의 검출된 광 강도의 기준 레벨의 합을 나타내는 기준 신호에 비교된다.
반사 측정치가 기준 신호 보다 큰 경우, 이는 다이가 콜레트내에 존재한다는 지표로서 취해지며, 그 이외의 경우, 누락 다이 경보가 발생되고, 본드 아암이 제 1 본드 아암 위치(11A)로 복귀되어 다이를 픽업하기 위한 다른 시도를 한다.
반사 측정으로부터 유도된 지표가 다이가 콜레트내에 존재한다는 것인 경우, 본드 아암은 제 3 본드 아암 위치(11C)로 계속 이동하고, 그곳에서, 콜레트는 본딩 위치에 다이를 배치하도록 방임된다.
그후, 본드 아암은 제 1 본드 아암 위치(11A)로 복귀하기 시작한다. 콜레트가 어두운 배경(15) 위로 복귀하는 동안, 광 센서 신호 프로세서가 다시 트리거되어 존재시 콜레트내의 다이로부터 반사된 광의 제 2 측정을 수행한다. 다시, 이 측정은 본드 아암이 이동을 유지하는 동안 취해지며, 측정치가 기준 신호에 비교된다.
반사 측정치가 기준 신호 보다 작은 경우, 이는 콜레트내에 다이가 존재하지 않으며, 다이가 잘 배치되었다는 지표로서 취해진다. 그 이외의 경우, 기준 보다큰 반사 신호는 다이가 배치되지 않았다는 지표로서 취해지고, 미배치 다이 경보가 발생된다.
다이가 콜레트내에 존재하지 않는 것을 나타내는, 반사 측정치가 기준 신호보다 작은 경우, 이때, 기준 신호는 합리적인 여유값이 추가된 이 반사 측정치로 대체될 수 있다. 이 방식으로, 기준 신호는 분위기 상태, 예로서, 배경 광 레벨의 변화를 수용하고, 장치, 예로서, 광원 및 광 센서의 성능 파라미터의 드리프트를 수용하도록 지속적으로 갱신될 수 있다.
본드 아암은 하나의 다이 배치 사이클을 완료하기 위해 제 1 위치(11A)로 복귀된다. 비록, 본 실시예가 투명 다이를 설명하지만, 불투명 다이의 존재도 역시 본 발명에 따른 장치 및 방법에 의해 검출될 수 있다는 것을 인지하여야 한다.
이상 양호한 형태를 포함하는 본 발명을 설명하였다. 본 기술의 숙련자들에게 명백한 대안 및 변형은 첨부 청구범위에 규정된 바와 같은 그 범주내에 통합된다.
본 발명에 따른 장치는 대상물이 누락된 경우를 결정하기 위한 것으로서, 오류 지표의 발생을 감소시키거나, 적어도 대중에게 유용한 선택을 제공할 수 있다.

Claims (33)

  1. 콜레트 조립체의 사이트에서 타겟 대상물의 존재 또는 부재를 검출하기 위한 장치에 있어서,
    상기 사이트의 적어도 일부를 조사하도록 구성된 광원 및 상기 사이트에 배치된 타겟 대상물에 의해 반사될 때 상기 광원으로부터의 광의 적어도 일부를 수광하도록 구성된 광 검출기를 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 대상물이 실질적으로 사전결정된 배향의 표면을 제공할 때 상기 사이트에서 상기 타겟 대상물의 존재를 검출하도록 구성되고, 상기 조사는 상기 배향에 실질적으로 수직으로 상기 사이트의 상기 부분에 입사하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    빔 분할기를 추가로 포함하고,
    상기 광원으로부터의 광은 상기 사이트의 상기 부분을 조사하도록 상기 빔 분할기를 통해 진행하며, 상기 타겟 대상물에 의해 반사된 광은 상기 빔 분할기에 의해서 상기 광 검출기를 향하여 추가로 반사되는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 빔 분할기는 상기 광원으로부터의 광을 상기 사이트의 상기 부분을 향해 반사하고, 상기 타겟 대상물에 의해 반사된 광은 상기 빔 분할기를 통해 상기 광 검출기로 진행하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 검출기는 이미지 센서인 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 검출기는 파워 센서인 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 가시 방사선인 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원으로부터의 광은 상기 사이트의 상기 부분을 조사하기 위해 빔으로 집속 또는 시준되는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 조사 빔은 상기 사이트의 상기 부분에서 약 0.02 내지 0.5mm의 폭인 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 광을 조사하는 광원 및 상기 광 검출기는 양자 모두 상기 사이트의 일 측면 상에 존재하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 사이트의 대향 측면 상에 배치된 어두운 배경을 포함하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 대상물은 실질적으로 투명한 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 타겟 대상물은 1과 같지 않은 굴절율을 가지는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 굴절율은 약 1.55인 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원 및 상기 광 검출기 중 어느 하나 또는 양자 모두는 상기 콜레트 조립체로부터 원격 배치되는 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 광원 및 상기 광 검출기 중 어느 하나 또는 양자 모두와 상기 콜레트 조립체 사이로 광을 지향시키기 위한 디바이스를 포함하며, 상기 디바이스는 광섬유, 거울 및 광 가이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 장치.
  17. 다이를 유지하기 위한 콜레트 조립체와, 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 장치를 포함하는 다이 취급 장치에 있어서,
    상기 다이가 상기 타겟 대상물인 다이 취급 장치.
  18. 콜레트 조립체의 사이트에서 타겟 대상물의 존재 또는 부재를 결정하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 사이트의 적어도 일부를 조사하는 단계,
    (b) 상기 사이트에 배치된 타겟 대상물에 의해 반사될 때, 상기 조사광의 적어도 일부를 수광하도록 광 검출기를 배열하는 단계, 및
    (c) 상기 타겟 대상물에 의해 반사되고, 상기 광 검출기에 의해 수광된 상기 조사 광을 검출하는 단계를 포함하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 타겟 대상물이 실질적으로 사전결정된 배향으로 표면을 제공할 때 상기 사이트의 타겟 대상물의 존재를 결정하고, 상기 조사 광은 상기 배향에 실질적으로 수직으로 상기 사이트의 상기 부분에 입사하는 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    (d) 상기 사이트의 부분을 조사하기 위해 빔 분할기를 통해 상기 조사 광을 통과시키는 단계, 및
    (e) 상기 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 광을 상기 빔 분할기에 의해 상기 광 검출기를 향하여 추가로 반사시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    (f) 상기 빔 분할기에 의해 상기 사이트의 상기 부분을 향해 광원으로부터의 상기 조사 광을 반사시키는 단계, 및
    (g) 상기 타겟 대상물에 의해 반사된 상기 광을 상기 빔 분할기를 통해 상기 광 검출기로 통과시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 광 검출기는 이미지 센서인 방법.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 광 검출기는 파워 센서인 방법.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 광은 가시 방사선인 방법.
  25. 제 18 항에 있어서,
    상기 사이트의 상기 부분을 조사하기 위해 빔으로 상기 조사 광을 시준 또는 집속하는 추가 단계를 포함하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 시준 또는 집속된 조사 빔은 상기 사이트의 상기 부분에서 약 0.02 내지 0.5mm의 폭인 방법.
  27. 제 18 항에 있어서,
    단계 (c)에서, 상기 반사된 조사 광의 검출은 상기 사이트에 배치된 상기 타겟 대상물에 의해 광이 반사되는 것과 대향하는 방향의 어두운 배경을 사용하여 수행되는 방법.
  28. 제 18 항에 있어서,
    상기 타겟 대상물은 실질적으로 투명한 방법.
  29. 제 18 항에 있어서,
    상기 타겟 대상물은 1과 같지 않은 굴절율을 가지는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 굴절율은 약 1.55인 방법.
  31. 제 18 항에 있어서,
    (i) 상기 콜레트 조립체로 대상물의 픽업을 시도하는 단계,
    (j) 상기 콜레트 조립체의 사전결정된 사이트를 조사하는 단계,
    (k) 상기 콜레트 조립체의 상기 사이트로부터 반사된 조사 광을 검출하도록 광 검출기를 배열하는 단계, 및
    (l) 상기 광 검출기에 의해 검출된 상기 광에 기초하여, 상기 콜레트 조립체의 상기 사이트에서 상기 대상물의 존재 또는 부재를 결정하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    단계 (l)에서, 상기 사이트로부터 반사된 광의 검출은 상기 사이트에 배치될 때 상기 대상물에 의해 광이 반사되는 것에 대향하는 방향의 어두운 배경을 사용하여 이루어지는 방법.
  33. 제 18 항에 있어서,
    대상물의 부재 여부를 결정하기 위해 사용되는 저장된 기준 강도값을 대체하도록 추가된 합리적인 여유값을 가지는 측정된 강도값을 저장하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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