KR20040054922A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- -1 Nitrogen ions Chemical class 0.000 claims description 21
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910015890 BF2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMSYAGRCQOYYMZ-UHFFFAOYSA-N [As].[As] Chemical compound [As].[As] BMSYAGRCQOYYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B] Chemical compound [B].[B] KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N difluoroboron Chemical compound F[B]F OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
Claims (5)
- (a) 반도체 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 저농도 이온 주입을 실시하여 상기 반도체 기판 내에 저농도 접합 영역을 형성하는 단계;(c) 상기 게이트 전극 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계;(d) 상기 게이트 전극 상부와 상기 반도체 기판 상에 실리사이드막을 형성하는 단계;(e) 상기 실리사이드막의 일부를 비정질화하고, 균일한 표면의 상기 실리사이드막을 형성하기 위한 질소 이온주입공정을 실시하는 단계; 및(f) 상기 반도체 기판에 고농도 이온 주입 공정과 활성화 열처리 공정을 실시하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는,상기 게이트 전극이 형성된 상기 반도체 기판 상에 금속막과 캐핑막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 금속막과 상기 게이트 전극 및 상기 반도체 기판의 실리콘과의 반응을 유도하기 위한 제 1 열처리 공정을 실시하는 단계;상기 게이트 전극 상부와 상기 반도체 기판 상부에 실리사이드막을 형성하기 위한 제 2 열처리 공정을 실시하는 단계; 및상기 캡핑막과 미반응 상기 금속막을 제거하기 위한 세정공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계는,1 내지 5KeV의 이온 주입 에너지로 1.0E15 내지 1.0E16atoms/㎠의 질소 이온을 주입하되, 틸트를 전혀 가하지 않거나, 1 내지 60° 범위의 틸트를 가한 할로(Halo) 이온주입을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (f) 단계는,20 내지 30KeV의 이온 주입 에너지로 2.0E15 내지 5.0E15atoms/㎠의 비소 이온을 주입하는 단계;20 내지 40KeV의 이온 주입 에너지로 3.0E13 내지 5.0E14atoms/㎠의 인 이온을 주입하는 단계; 및800 내지 950℃에서 0 내지 10초간 활성화 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (f)단계는,3 내지 5KeV의 이온 주입 에너지로 2.0E15 내지 5.0E15atoms/㎠의 붕소 이온을 주입하는 단계; 및800 내지 950℃에서 0 내지 10초간 활성화 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020081259A KR100940438B1 (ko) | 2002-12-18 | 2002-12-18 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020081259A KR100940438B1 (ko) | 2002-12-18 | 2002-12-18 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040054922A true KR20040054922A (ko) | 2004-06-26 |
KR100940438B1 KR100940438B1 (ko) | 2010-02-10 |
Family
ID=37347664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020081259A KR100940438B1 (ko) | 2002-12-18 | 2002-12-18 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100940438B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100947746B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2010-03-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098297A (ja) | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、その製造方法及び電界効果トランジスタ |
KR19980034234A (ko) * | 1996-11-06 | 1998-08-05 | 문정환 | 반도체소자 제조방법 |
KR20000021070A (ko) * | 1998-09-25 | 2000-04-15 | 김영환 | 모스형 트랜지스터 형성방법 |
KR100396691B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2003-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 살리사이드층 형성 방법 |
-
2002
- 2002-12-18 KR KR1020020081259A patent/KR100940438B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100947746B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2010-03-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자 및 그의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100940438B1 (ko) | 2010-02-10 |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
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