KR20040054426A - 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및방법 - Google Patents

액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및 방법에 관한 것으로, 상세하게는 축적 용량을 구성하는 각 박막의 일부를 외부에 노출시킴으로써 절연막의 두께를 용이하게 측정할 수 있는 테스트 패턴 및 방법에 관한 것이다. 이를 위해 테스트 본 발명은 패턴 영역과 패널 영역으로 구분되는 모기판; 상기 모기판의 테스트 패턴 영역에 형성된 축적 용량 전극; 상기 축적 용량 전극의 일부가 노출되도록 축적 용량 전극의 상부에 형성된 절연막; 및 상기 축적 용량 전극의 일부 및 상기 절연막의 일부가 노출되도록 상기 절연막 상부에 형성된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴을 제공한다.

Description

액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및 방법{TEST PATTERN FOR MEASURING THICKNESS OF INSULATION LAYER IN LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD THEREOF}
본 발명은 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및 방법에관한 것으로, 상세하게는 축적 용량을 구성하는 각 박막의 일부를 외부에 노출시킴으로써 절연막의 두께를 용이하게 측정할 수 있는 테스트 패턴 및 방법에 관한 것이다.
액정표시장치는 세로 방향으로 배열된 복수개의 데이터 배선(data line)과 가로 방향으로 배열된 복수개의 게이트 배선(gate line)에 의해 매트릭스(matrix) 형태의 화소가 형성된다. 각각의 화소는 스위치(switch) 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 TFT), 액정층에 인가된 전압을 일정하게 유지하기 위한 축적 용량(storage capacitor; Cs) 및 투명 전극인 화소 전극으로 구성된다.
축적 용량은 액정 자체의 액정 용량(Clc)에 병렬로 설치되어 액정층에 인가된 전압을 한 프레임(frame) 주기 동안 유지시켜주는 역할을 보조한다.
축적 용량의 설치 방법은 독립 배선 방식(storage-on-common)과 전단 게이트(storage-on-gate) 방식이 있다. 두 방식 모두 TFT의 총 부하 용량(Ct)은 액정 용량과 축적 용량의 합(Cs+Clc)이 된다.
도 1은 축적 용량의 측면을 도시한 단면도이다.
액정표시장치의 기판(100)에 축적 용량 전극(110), 절연막(120) 및 화소 전극(130)이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 축적 용량 전극(110)은 독립 배선 방식에서는 독립 배선이고 전단 게이트 방식에서는 게이트 배선이 된다.
축적 용량은 TFT 제조 공정과 함께 형성되는데, 축적 용량의 절연막(120)은 TFT의 채널(channel)을 형성하기 위한 건식 식각(dry etching) 공정시 손상을 입기가 쉽다. 따라서, 상기 절연막(120)은 건식 식각 후 원래의 증착 두께를 유지하기가 어려워진다. 다섯 개의 마스크(mask)를 사용하여 TFT 어레이를 제작할 경우 축적 용량의 절연막(120)과 화소 전극(130) 사이에 데이터 배선을 형성할 때 전극(미도시)을 형성할 수 있다. 다섯 개의 마스크를 사용할 경우에는 건식 식각시 상기 전극이 절연막(120) 상부에 형성되어 절연막(120)의 손상을 방지할 수 있으나, 네 개의 마스크를 사용할 경우에는 상기 전극을 축적 용량에 형성할 수 없다. 따라서, 4 마스크 공정에서는 절연막(120)의 손상이 더욱 심각하게 발생하여 증착시 약 4000Å 정도이던 두께가 채널 형성을 위한 건식 식각 후에는 3000~3500Å 정도가 된다.
축적 용량 Cs는 다음의 수학식 1에 의해서 결정된다.
Cs=εS/d
ε은 절연막(120)의 유전율, S는 축적 용량 전극(110)의 면적, d는 절연막(120)의 두께를 나타낸다.
건식 식각에 의해 절연막(120)이 손상을 입으면 식각되어 두께 d1이 작아지는데, 이에 따라 축적 용량 Cs는 두께 d1에 반비례하므로 커지게 된다.
액정표시장치의 모든 부분에 대하여 각각 다른 정도로 절연막(120)이 손상을 받으므로 각 화소의 축적 용량이 달라지게 되어 각 화소마다 킥백(kickback) 전압(ΔVp)이 발생하고 이에 따라 플리커(flicker)에 취약하게 된다.
따라서, 절연막(120)의 손상 정도는 중요한 공정 관리 항목이 되는데, 정확한 절연막(120)의 식각 정도를 측정하여 이를 공정에 반영하는 것이 중요하다.
종래에는 절연막(120)의 두께 측정을 위하여 축적 용량이 완성된 액정표시장치에서 원하는 위치의 시료를 채취한 후 SEM(Scanning Electron Microscope)과 같은 장비를 이용하였다.
그러나, 시료 채취를 위해 다이아몬드(diamond) 칼로 액정표시장치를 절단하고, 측정을 위해 별도의 측정실로 액정표시장치를 운반해야 하므로 측정상의 어려움과 많은 시간적 손실이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 용이하게 액정표시장치의 절연막의 두께를 측정하는 방안을 제공하여 화면 표시 품질 향상에 기여하는 것을 목적으로 한다.
기타 본 발명의 다른 목적 및 특징은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명할 것이다.
도 1은 축적 용량의 측면을 도시한 단면도.
도 2는 액정표시장치를 제작할 때 사용되는 모기판을 도시한 평면도.
도 3은 도 2의 테스트 패턴을 확대하여 도시한 평면도.
도 4는 도 3의 IV-IV선에 따른 단면도.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
100: 기판 110,310: 축적 용량 전극
120,320: 절연막 130,330: 화소 전극
200: 모기판 210: 테스트 패턴 영역
220: 패널 영역 230: 테스트 패턴
400: 프로브 핀
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 테스트 패턴 영역과 패널 영역으로 구분되는 모기판; 상기 모기판의 테스트 패턴 영역에 형성된 축적 용량 전극; 상기 축적 용량 전극의 일부가 노출되도록 축적 용량 전극의 상부에 형성된 절연막; 및 상기 축적 용량 전극의 일부 및 상기 절연막의 일부가 노출되도록 상기 절연막 상부에 형성된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴을 제공한다.
상기 축적 용량 전극은, 상기 패널 영역에 형성되는 게이트 배선과 동일 물질로 이루어지고, 같은 층을 구성하는 것이 바람직하다.
상기 절연막은, 상기 게이트 배선 상부에 형성되는 게이트 절연막과 동일 물질로 이루어지고, 같은 층을 구성하는 것이 바람직하다.
상기 화소 전극은, 인듐-주석-산화물(ITO)로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 모기판은, 복수개의 패널 영역을 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 축적 용량 전극, 절연막 및 화소 전극을 포함하는 축적 용량의 테스트 패턴이 형성된 모기판을 준비하는 단계; 프로브 핀이 상기 모기판의 표면을 스캔하는 단계; 프로브 핀이 상기 축적 용량 전극의 표면을 스캔하는 단계; 프로브 핀이 상기 절연막의 표면을 스캔하는 단계; 및 프로브 핀이 상기 화소 전극의 표면을 스캔하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께 측정 방법을 제공한다.
축적 용량 전극과 절연막의 표면을 스캔한 후 프로브 핀의 높이 차이를 계산하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
각 단계에서의 프로브 핀의 위치 차이를 계산하는 단계를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 액정표시장치를 제작할 때 사용되는 모기판을 도시한 평면도이다.
한 개의 모기판(200)으로 여러 개의 TFT 기판이 제작된다. 도 2에는 두 개의 TFT 기판이 형성되는 경우를 도시한 것이다.
상기 모기판(200)은 테스트 패턴 영역(210)과 패널(panel) 영역(220)으로 구분된다. 상기 테스트 패턴 영역(210)에는 테스트 패턴(test pattern; 230)이 형성되고, 상기 패널 영역(220)에는 TFT 어레이(array)가 형성된다.
상기 테스트 패턴(230)은 TFT 어레이의 전기적 특성을 검사하기 위해 형성되는 것으로 테스트 패턴 영역(210)에 TEG(Test Element Group)을 별도로 설계하여 TFT의 특성과 배선의 저항, 축적 용량의 캐패시턴스(capacitance) 등을 간접적으로 측정하여 불량 여부와 공정 파라미터(parameter)의 추이를 판단하는데 사용된다. 이와 같은 테스트 패턴 영역은 컬러 필터(color filter) 기판이 형성된 다른 모기판과 합착된 후 각각의 패널로 절단하는 공정에서 제거된다.
본 발명의 실시예에서는 상기 TEG에 축적 용량의 절연막 두께를 측정할 수 있는 테스트 패턴(230)을 추가한다. 상기 테스트 패턴(230)은 측정을 원하는 위치에 형성하는데, 모기판(200) 전체에 대해 신뢰성 있는 데이터(data)를 얻기 위해서 테스트 패턴 영역(210)에 골고루 형성하는 것이 바람직하다. 도 2에는 8개의 테스트 패턴(230)이 형성된 경우를 도시하였다.
도 3은 도 2의 테스트 패턴을 확대하여 도시한 평면도이다.
본 발명의 실시예에 의한 축적 용량의 테스트 패턴(230)은 모기판의 테스트 패턴 영역에 형성된 축적 용량 전극(310); 상기 축적 용량 전극(310)의 일부가 노출되도록 축적 용량 전극(310)의 상부에 형성된 절연막(320); 및 상기 축적 용량 전극(310)의 일부 및 상기 절연막(32)의 일부가 노출되도록 상기 절연막(320) 상부에 형성된 화소 전극(330)을 포함한다.
상기 축적 용량 전극(310)은 패널 영역에 게이트 배선이 형성될 때 같이 형성된다. 따라서, 게이트 배선과 동일 물질로 구성된다.
상기 절연막(320)은 패널 영역에 게이트 절연막이 형성될 때 같이 형성된다. 따라서, 게이트 절연막과 동일 물질로 구성된다.
상기 화소 전극(330)은 패널 영역에 화소 전극이 형성될 때 같이 형성된다. 따라서, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide; ITO)과 같은 투명 전극 물질로 구성된다.
축적 용량의 테스트 패턴(230)은 패널 영역의 축적 용량과 동시에 같은 물질로 형성되기 때문에 동일한 특성을 갖게 된다.
그러나, 테스트 패턴 영역에 형성되는 축적 용량은 각 박막층의 일부가 외부로 노출된다는 점에서 패널 영역에 형성되는 축적 용량과 구성을 달리한다.
상기와 같은 구성을 한 축적 용량은 각 박막층을 형성할 때 사용되는 마스크(mask)의 패턴을 변경하여 제작할 수 있다.
도 4는 도 3의 IV-IV선에 따른 단면도이다.
모기판(200) 위에 축적 용량 전극(310), 절연막(320) 및 화소 전극(330)이 순차적으로 형성할 때, 적절한 마스크를 사용하여 각 박막의 일부가 외부로 노출되게 하였다.
이하 본 발명의 실시예에 의한 절연막 두께의 측정 방법을 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 의한 테스트 패턴(230)을 사용하여 절연막(320)의 두께를 측정하는 데에는 텐코(tencor)나 AFM(Atomic Force Microscope)과 같은 간단한 두께 측정 장치가 사용될 수 있다. 상기 장치들은 프로브 핀(probe pin; 400)을 사용하여 테스트 패턴(230)의 표면을 물리적으로 스캔(scan)한다. 도면에 표시된 화살표 방향과 같이 축적 용량 전극(310)과 절연막(32)을 스캔할 수 있으면 어느 방향에서도 스캔할 수 있다.
상기 측정 방법은 프로브핀(400)이 모기판(200)의 표면을 스캔하는 단계; 프로브핀(400)이 상기 축적 용량 전극(310)의 표면을 스캔하는 단계; 프로브핀(400)이 상기 절연막(32)의 표면을 스캔하는 단계; 및 프로브핀(400)이 상기 화소 전극(330)의 표면을 스캔하는 단계를 포함한다.
각 스캔 단계마다 프로브 핀(400)의 위치가 표시되는데 이를 이용해서 절연막(320)의 두께를 측정할 수 있다. 즉, 프로브 핀(400)이 축적 용량 전극(310) 표면을 x축을 따라 스캔할 때의 z축 위치와, 절연막(320) 표면을 스캔할 때의 z축 위치의 차가 절연막(320)의 두께가 된다.
본 발명의 실시예에 의하면 상기와 같은 방법으로 절연막(320)의 두께뿐만 아니라 각 박막의 두께를 측정할 수 있다. 각 박막의 표면에서의 프로브 핀(400)의 위치를 측정하면 각 박막의 두께가 쉽게 계산된다.
본 발명의 실시예에 의한 테스트 패턴(230)을 사용하면 이를 측정실로 운반하여 각 부분의 시료를 채취하여 두께를 측정할 필요없이 TFT 어레이의 제작이 완성된 후 인라인(in-line) 상에서 상기 장치를 사용하여 절연막(320)의 두께를 용이하게 측정할 수 있다.
따라서, 상기 측정에 의한 데이터를 분석하여 박막 증착 장비 및 식각 장비 등에 적절한 조치를 취하게 된다. 즉, 각 부분의 절연막(320)이 손상되는 정도를 고려하여 증착 및 식각의 두께를 조절하게 된다. 이로 인해 TFT 어레이의 모든 부분에서 동일한 축적 용량이 확보되면 플리커 등이 나타나지 않게 되어 화면 표시 품질이 향상된다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기 보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
본 발명에 의하면 모기판의 테스트 패턴 영역에 절연막의 두께를 측정하기 위한 테스트 패턴을 제공함으로써 용이하게 절연막의 두께를 측정할 수 있는 효과가 있다. 절연막의 두께를 측정하여 추후 공정에 반영함으로써 표시 품위 저하에 대한 양산성 대책이 빨리 이루어질 수 있다.
또한, 절연막의 두께를 측정하기 위해서 기판을 별도의 측정실로 옮길 필요없이 인라인 상에서 간단한 두께 측정 장치를 사용하므로 신속한 측정이 가능하다.

Claims (8)

  1. 테스트 패턴 영역과 패널 영역으로 구분되는 모기판;
    상기 모기판의 테스트 패턴 영역에 형성된 축적 용량 전극;
    상기 축적 용량 전극의 일부가 노출되도록 축적 용량 전극의 상부에 형성된 절연막; 및
    상기 축적 용량 전극의 일부 및 상기 절연막의 일부가 노출되도록 상기 절연막 상부에 형성된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 축적 용량 전극은,
    상기 패널 영역에 형성되는 게이트 배선과 동일 물질로 이루어지고, 같은 층을 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 절연막은,
    상기 게이트 배선 상부에 형성되는 게이트 절연막과 동일 물질로 이루어지고, 같은 층을 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극은,
    인듐-주석-산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 모기판은,
    복수개의 패널 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴.
  6. 축적 용량 전극, 절연막 및 화소 전극을 포함하는 축적 용량의 테스트 패턴이 형성된 모기판을 준비하는 단계;
    프로브 핀이 상기 모기판의 표면을 스캔하는 단계;
    프로브 핀이 상기 축적 용량 전극의 표면을 스캔하는 단계;
    프로브 핀이 상기 절연막의 표면을 스캔하는 단계; 및
    프로브 핀이 상기 화소 전극의 표면을 스캔하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께 측정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 축적 용량 전극과 절연막의 표면을 스캔한 후 프로브 핀의 높이 차이를 계산하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께 측정 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 각 단계에서의 프로브 핀의 위치 차이를 계산하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 절연막 두께 측정 방법.
KR1020020081461A 2002-12-18 2002-12-18 액정표시장치의 절연막 두께를 측정하는 테스트 패턴 및방법 KR20040054426A (ko)

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CN105336729A (zh) * 2014-07-18 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法
CN105988234A (zh) * 2015-02-16 2016-10-05 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 液晶显示面板及其检测方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2746740A3 (en) * 2012-12-21 2014-10-08 Imec Spectral imaging device and method to calibrate the same
CN105336729A (zh) * 2014-07-18 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种用于监控介质膜厚的测试电容结构及测试方法
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