KR20040052189A - 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 - Google Patents
리소그래피장치 및 디바이스제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040052189A KR20040052189A KR1020030090584A KR20030090584A KR20040052189A KR 20040052189 A KR20040052189 A KR 20040052189A KR 1020030090584 A KR1020030090584 A KR 1020030090584A KR 20030090584 A KR20030090584 A KR 20030090584A KR 20040052189 A KR20040052189 A KR 20040052189A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- radicals
- radical source
- downstream radical
- substrate
- radiation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- - 원하는 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;- 기판을 유지하는 기판테이블; 및- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 있어서,- 라디칼의 빔을 제공하는, 가스공급장치에 연결된 하류 라디칼소스; 및- 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항에 있어서,상기 라디칼의 빔은 이온화된 입자를 실질적으로 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 가스공급장치는 산소, 수소 및 불소 중 1이상을 공급하고, 상기 하류 라디칼소스는 산소, 수소 및 불소 라디칼 중 하나의 라디칼의 빔에 대응하여 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,세정될 상기 표면은 상기 패터닝수단, 센서, 렌즈, 편향기 및 상기 투영빔과 상기 패터닝된 빔 중 하나를 반사시키는 반사기 중 하나의 면인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하류 라디칼소스의 위치는 고정되고, 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단은 상기 라디칼의 빔이 표면상으로 입사하도록 상기 표면을 포함하는 구성요소를 이동시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하류 라디칼소스는 가스공급장치로부터의 가스의 흐름내에 플라즈마 영역을 생성하는, RF 코일, 한쌍의 DC 방전 전극 및 마이크로웨이브 또는 RF 캐비티 중 1이상을 포함하며; 상기 라디칼은 상기 플라즈마 영역내에서 생성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하류 라디칼소스는 상기 가스공급장치로부터의 가스의 흐름내에 위치된 고온의 요소를 포함하고, 상기 고온의 요소의 온도는 상기 라디칼을 생성하기 위하여 열 해리를 유발하기 충분한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치는 상기 패터닝수단, 상기 기판 및 상기 투영시스템을 포함하는 배기챔버를 포함하고; 상기 하류 라디칼소스는 튜브를 포함하며, 상기 라디칼의 빔은 상기 튜브의 끝단으로부터 방출되고; 상기 튜브의 상기 끝단은 상기 배기챔버내에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제8항에 있어서,상기 라디칼이 형성되는 상기 하류 라디칼소스의 영역은 상기 배기챔버의 외부에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치는 2이상의 하류 라디칼소스 및 상기 표면을 세정하기 위한 대응하는 라디칼의 빔들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
- - 부분적 또는 전체적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;- 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,- 하류 라디칼소스내에 가스의 흐름을 제공하여 라디칼의 빔을 생성하는 단계; 및- 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 단계를 특징으로 하는 디바이스제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02258605.1 | 2002-12-13 | ||
EP02258605 | 2002-12-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040052189A true KR20040052189A (ko) | 2004-06-22 |
KR100622096B1 KR100622096B1 (ko) | 2006-09-08 |
Family
ID=32748762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030090584A KR100622096B1 (ko) | 2002-12-13 | 2003-12-12 | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7315346B2 (ko) |
JP (1) | JP4369217B2 (ko) |
KR (1) | KR100622096B1 (ko) |
CN (1) | CN100456133C (ko) |
DE (1) | DE60323927D1 (ko) |
SG (1) | SG128452A1 (ko) |
TW (1) | TWI237743B (ko) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7671349B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7732789B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical system having a cleaning arrangement |
US7355672B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
US7385670B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
US7750326B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and cleaning method therefor |
JP5124452B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2013-01-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照射ユニット光学面の二段階クリーニング方法 |
JP4710463B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光発生装置 |
US7561247B2 (en) * | 2005-08-22 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
KR100962911B1 (ko) | 2005-09-13 | 2010-06-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
US8317929B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus |
US7372058B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Ex-situ removal of deposition on an optical element |
US7372049B2 (en) * | 2005-12-02 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element |
US7462850B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus |
US7465943B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Controlling the flow through the collector during cleaning |
US7504643B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
US20070146658A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US7667820B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Method for chemical reduction of an oxidized contamination material, or reducing oxidation of a contamination material and a conditioning system for doing the same |
US7518128B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned |
US7541603B2 (en) * | 2006-09-27 | 2009-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus comprising the same |
US7629594B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7671347B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method, apparatus and cleaning system |
KR20090081029A (ko) * | 2006-12-08 | 2009-07-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 |
US20090025750A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Method for removal of a deposition from an optical element, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device |
US7894037B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7812329B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-10-12 | Cymer, Inc. | System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
NL1035942A1 (nl) * | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
JP5099793B2 (ja) | 2007-11-06 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造 |
NL1036571A1 (nl) * | 2008-03-07 | 2009-09-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Methods. |
DE102008000709B3 (de) * | 2008-03-17 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung |
KR20100126775A (ko) * | 2008-04-03 | 2010-12-02 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 세척 모듈 및 세척 모듈을 갖는 euv 리소그래피 장치 |
NL1036832A1 (nl) * | 2008-04-15 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus. |
US8519366B2 (en) * | 2008-08-06 | 2013-08-27 | Cymer, Inc. | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source |
JP2010093245A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5120193B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
DE102009045008A1 (de) | 2008-10-15 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske |
NL2005739A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Asml Netherlands Bv | Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment. |
JP5687488B2 (ja) | 2010-02-22 | 2015-03-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP5709546B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
RU2017146228A (ru) | 2012-03-20 | 2019-02-20 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Агрегат и способ переноса радикалов |
JP5302450B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2013-10-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造 |
JP2014086516A (ja) | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Canon Inc | ラジカルを供給する供給装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
US10953441B2 (en) | 2013-03-15 | 2021-03-23 | Kla Corporation | System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system |
US9557650B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9560730B2 (en) * | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9386677B1 (en) | 2013-11-18 | 2016-07-05 | Georges J. Gorin | Plasma concentration apparatus and method |
DE102013226678A1 (de) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lithographiesystem und Transporteinrichtung zum Transport eines reflektiven optischen Elements |
CN105334698A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于光刻机的晶圆卡盘清洁系统及清洁方法 |
US9776218B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Controlled fluid flow for cleaning an optical element |
US9981293B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
JP6942562B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-09-29 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US10509334B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods and apparatus for removing contamination from lithographic tool |
US10656539B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Radiation source for lithography process |
US10588212B1 (en) | 2019-05-22 | 2020-03-10 | Georges J. Gorin | Plasma initiation in an inductive RF coupling mode |
US11392041B2 (en) * | 2020-09-28 | 2022-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Particle removal device and method |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5099557A (en) * | 1988-07-08 | 1992-03-31 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
DE59105735D1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
JP2920850B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1999-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体の表面処理方法及びその装置 |
US5466942A (en) * | 1991-07-04 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus |
JP3253675B2 (ja) * | 1991-07-04 | 2002-02-04 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム照射装置及び方法 |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP3466744B2 (ja) * | 1993-12-29 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 洗浄機能付き荷電ビーム装置および荷電ビーム装置の洗浄方法 |
WO1997033205A1 (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
JP3827359B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 |
DE69735016T2 (de) * | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
DE69711929T2 (de) | 1997-01-29 | 2002-09-05 | Micronic Laser Systems Ab, Taeby | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10289854A (ja) | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Canon Inc | 露光装置 |
EP0874283B1 (en) * | 1997-04-23 | 2003-09-03 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
JPH11224839A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Canon Inc | 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法 |
US6385290B1 (en) * | 1998-09-14 | 2002-05-07 | Nikon Corporation | X-ray apparatus |
JP2000090868A (ja) | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 |
JP2000208487A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 局部エッチング装置及び局部エッチング方法 |
US6105589A (en) * | 1999-01-11 | 2000-08-22 | Vane; Ronald A. | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source |
US6394109B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
JP3628939B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2005-03-16 | 松下電器産業株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US6614505B2 (en) * | 2001-01-10 | 2003-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6968850B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-11-29 | Intel Corporation | In-situ cleaning of light source collector optics |
-
2003
- 2003-12-08 DE DE60323927T patent/DE60323927D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-10 TW TW092134883A patent/TWI237743B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-12 US US10/733,771 patent/US7315346B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-12 JP JP2003414495A patent/JP4369217B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-12 KR KR1020030090584A patent/KR100622096B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-12 CN CNB2003101202888A patent/CN100456133C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-12 SG SG200307481A patent/SG128452A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4369217B2 (ja) | 2009-11-18 |
SG128452A1 (en) | 2007-01-30 |
TW200426523A (en) | 2004-12-01 |
US20040165160A1 (en) | 2004-08-26 |
JP2004200686A (ja) | 2004-07-15 |
TWI237743B (en) | 2005-08-11 |
KR100622096B1 (ko) | 2006-09-08 |
CN100456133C (zh) | 2009-01-28 |
CN1506766A (zh) | 2004-06-23 |
DE60323927D1 (de) | 2008-11-20 |
US7315346B2 (en) | 2008-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100622096B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
KR100666746B1 (ko) | 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
EP1429189B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100825452B1 (ko) | 리소그래피장치와 디바이스제조방법 및 방사선시스템 | |
US7894037B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100656582B1 (ko) | 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 그것에의하여 제조된 디바이스 | |
KR100767829B1 (ko) | 디바이스 제조방법 | |
EP1223468B1 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
JP2004519868A (ja) | Euvに透明な境界構造 | |
TWI390360B (zh) | 元件製造方法及微影裝置 | |
KR100767837B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그 디바이스 | |
JP4166730B2 (ja) | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 | |
JP5005748B2 (ja) | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
KR100733128B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR20050033475A (ko) | 거울에 다이내믹 보호층을 공급하는 장치 및 방법 | |
KR100682611B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그 디바이스 | |
KR100731898B1 (ko) | 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스 | |
EP1329772B1 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120824 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130823 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140822 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150821 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160819 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170825 Year of fee payment: 12 |