KR20040052189A - 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 - Google Patents

리소그래피장치 및 디바이스제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040052189A
KR20040052189A KR1020030090584A KR20030090584A KR20040052189A KR 20040052189 A KR20040052189 A KR 20040052189A KR 1020030090584 A KR1020030090584 A KR 1020030090584A KR 20030090584 A KR20030090584 A KR 20030090584A KR 20040052189 A KR20040052189 A KR 20040052189A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radicals
radical source
downstream radical
substrate
radiation
Prior art date
Application number
KR1020030090584A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100622096B1 (ko
Inventor
판베크미카엘코르넬리스
바커레비누스피에터
비스숍스데오도루스후베르투스요제푸스
욘커스예뢴
크룬마르크
볼테르스로베르투스아드리아누스마리아
마스아드리아누스요한네스헨리쿠스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20040052189A publication Critical patent/KR20040052189A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100622096B1 publication Critical patent/KR100622096B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

하류 라디칼소스(10)의 사용은 표면(8)으로부터 오염물을 세정하기 위한 라디칼의 빔(7)을 생성하기 위함이다.

Description

리소그래피장치 및 디바이스제조방법{Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 유지하는 기판테이블; 및
- 상기 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함할 수 있는 리소그래피투영장치에 관한 것이다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: APractical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
반사기, 렌즈, 편향기, 센서 또는 패터닝수단처럼 광학요소와 같은 요소의 표면상의 오염은 장치의 성능을 저하시킨다. 이는 세기손실에 특히 민감한 EUV 방사선을 채용하는 장치에 대하여 특히 그러하나, 딥 UV(DUV), 전자투영리소그래피(EPL) 및 이온투영리소그래피(IPL)에 대하여도 문제가 된다. 예를 들어, 상기 장치에서 표면에 쌓여 있는 탄화수소 오염물로부터 오염이 생길 수 있다. 표면상에 입사하는 방사선(특히 EUV 방사선)은 탄화수소로부터의 탄소와상기 표면사이에서 화학적 결합을 형성하는 탄화수소의 결합을 파괴하여 비정질 탄소층을 남게 한다. 또한, 탄화수소 그 자체가 장치의 성능을 저하시킬 수 있다. 여타의 오염물은 O2와 H2O 및 황산염, 인산염 또는 실란(silane)을 함유한 것들을 포함하여, 내화성 화합물(refractory compound)들의 결정(crystal)을 포함한다. 이어서, 비정질 탄소층은, 예를 들어 광학표면상에 입사하는 EUV 방사선의 상당한 부분을 흡수한다(예를 들어, 1㎚ 두께의 층에서 대략 1%). 그러므로, 10개의 반사기(완벽하게 깨끗하다 할 지라도, 효율적인 반사기가 아님)를 구비한 장치의 경우, 비정질 탄소층이 반사기들 각각의 표면상에 형성되어, 기판에서의 EUV 빔의 세기는 10%가 추가로 감소될 것이다. 이는 각각의 기판에 요구되는 노광시간을 증가시키므로, 장치의 스루풋을 감소시킨다.
센서의 경우, EUV 방사선의 흡수는 캘리브레이션된 도즈측정들을 방해하고 신호-대-잡음비를 감소시킨다. 예를 들어, 요구되는 노광도즈가 기판에 제공되는 것을 보장하도록 EUV 장치에서 EUV 방사선의 세기를 정확히 측정하기 위해서는 센서가 필요하다. 그러므로, 감응성 다이오드를 손상시키기 않고 오염이 제거되어야 할 필요가 있다.
EUV 장치의 정상상태(normal conditions)하에서, 탄소성장속도는 대략 1 내지 10㎚/hr이다. 그러므로, 예를 들어 광학요소는 정기적인 세정을 요구한다. 세정이 시행될 경우에는, 인시튜(in-situ)로 실행되어야 하고 신속해야 하며 광학표면을 손상시키지 않아야 한다.
탄소오염을 제거하는 현재에 알려진 방법은, UV방사선과 오존을 결합시켜, 탄소와 반응시켜 표면으로부터 탈리(desorb)된 다음 멀리 펌핑되는 CO 및 CO2를 형성한다. 하지만, 효율적인 UV/오존 세정을 위해서, 1mbar 이상의 압력이 요구된다. 이는 압력이 대략 10-7내지 10-2mbar인 EUV 리소그래피장치와 양립할 수 없다. 또한, UV/오존 세정의 세정속도는 대략 1 내지 10㎚/hr이다. 이는 오염의 속도와 거의 동일하다. 그러므로, 작동시간의 50%는 세정에 요구될 것이다. 이러한 스루풋의 손실은 실질적인 면에서 수용할 수 없다.
잘 알려진 대안적인 세정방법은 종래의 산소 플라즈마 세정이다. 마찬가지로, 산소 라디칼(radical)은 탄소와 반응하여, 표면으로부터 탈리된 다음 멀리 펌핑될 수 있는 CO 및 CO2분자를 형성한다. 하지만, 종래의 산소 플라즈마 세정 또한 EUV 리소그래피장치에 사용하기에는 적합하지 않다. 또한, 안정된 플라즈마를 생성하기 위해서는, 대략 1mbar의 압력을 필요로 한다. 또한, 플라즈마는 특정 영역으로 한정하기 어려우며, 리소그래피장치에 사용될 경우, 전자제품 및 케이블과 같은 장치의 여타의 민감한 요소들을 손상시킬 수 있다.
본 발명의 목적은 상술된 단점들을 극복하는 리소그래피투영장치내에서 표면을 세정하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피투영장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하류 라디칼소스(downstream radical source)를 도시하는 도면;
도 3은 도 2에 도시된 하류 라디칼소스의 변형례를 도시하는 도면;
도 4는 도 2에 도시된 하류 라디칼소스의 또 다른 변형례를 도시하는 도면;
도 5는 도 2에 도시된 하류 라디칼소스의 또 다른 변형례를 도시하는 도면;
도 6은 도 4에 도시된 하류 라디칼소스의 변형례를 도시하는 도면;
도 7은 도 5에 도시된 하류 라디칼소스의 변형례를 도시하는 도면;
도 8은 도 7에 도시된 하류 라디칼소스의 변형례를 도시하는 도면; 및
도 9는 도 8에 도시된 하류 라디칼소스의 변형례를 도시하는 도면이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적 및 여타의 목적들은 서두문에 밝힌 바 있는 리소그래피장치에서 달성될 수 있으며,
- 라디칼의 빔을 제공하는, 가스공급장치에 연결된 하류 라디칼소스; 및
- 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 장치는 신속하고 효율적으로 오염을 제거할 수 있다. 또한, 라디칼이 형성되는 부피는 나머지 리소그래피툴로부터 분리되기 때문에, 상기 장치의 잔여부에 영향을 주지 않고, 이 영역에서의 상태가 최적화될 수 있다. 예를 들어, 하류 라디칼소스는, 리소그래피장치의 잔여부내의 압력이 정상 작동압력인 10-7내지 10-2mbar 이상으로 상승될 필요없이 라디칼을 생성하도록 안정된 플라즈마를 지탱하기 위한 높은 압력의 국부 영역을 제공할 수 있다. 또한, 라디칼소스는 여유공간을 거의 이용할 수 없는 리소그래피장치로부터 떨어져 위치될 수 있다.
표면에 대한 손상의 위험을 감소시키기 위해서, 라디칼의 빔은 실질적으로 이온화된 입자를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이는 하류 라디칼소스의 오리피스(orifice)에서 패러데이 격자 및/또는 하류 라디칼소스의 벽들과의 충돌에 의하여 중성화되는 라디칼소스에서 생성되는 이온화된 입자들에 의하여 달성된다. 중성 라디칼들의 대부분은 이러한 충돌에 살아남으며, 오염물과 반응하기 위해서 하류 라디칼소스를 빠져 나온다.
가스 공급은, 하류 라디칼소스가 산소, 수소 또는 불소 라디칼을 생성하도록 산소, 수소 및 불소 중 어느 하나를 공급할 수 있다. 상이한 라디칼들은 상이한오염물을 제거하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 산소 라디칼은 비정질 탄소, 탄화수소 분자 및 중합된 탄화수소를 제거하는 데 사용될 수 있는 반면, 산화물은 수소 또는 불소 라디칼로 제거될 수 있다.
세정될 광학 표면은 패터닝수단, 센서, 렌즈, 편향기 및 투영빔과 패터닝된 빔 중 하나를 반사시키는 반사기 중 하나일 수 있다. 이들 표면 중 어느 것이라도 오염되면, 장치의 효율성 및/또는 정확성이 감소될 것이다.
하류 라디칼소스의 위치는 고정될 수 있다. 이 경우, 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단은, 라디칼의 빔이 표면상으로 입사하도록 세정될 표면을 포함하는 구성요소를 이동시키는 수단을 통합할 것이다. 세정을 필요로 하는 많은 구성요소들은, 어떠한 경우에라도 장치내에서 이동할 수 있어야 한다. 따라서, 이 구성은 하류 라디칼소스를 세정될 구성요소로 이동시키는 수단을 제공하는 것보다 단순할 것이다. 대안적으로 또는 추가로, 하류 라디칼소스는 세정될 표면에 대하여 및/또는 표면에 걸쳐 이동될 수 있다.
특히, EUV 방사선을 채용하는 장치의 경우, 상기 장치는 패터닝수단, 기판 및 투영시스템을 포함하는 배기챔버를 포함할 수 있다. 또한, 상기 배기챔버는 하류 라디칼소스의 일부분인 튜브의 끝단을 포함할 수 있으며, 상기 튜브로부터 라디칼의 빔이 방출된다. 라디칼을 생성하기 위해서, 튜브내에 플라즈마의 영역을 생성하고 그것을 통하여 가스공급장치로부터 가스가 흐르는, RF 코일 또는 마이크로웨이브 또는 RF 캐비티를 포함하는 하류 라디칼소스의 잔여부는 배기챔버의 외부에 위치될 수 있다. 이는 진공과 양립가능하게 만들어져야 하는 구성요소의 수를 감소시키고 배기챔버의 요구되는 크기를 감소시킨다. 따라서, 이는 장치의 비용을 최소화한다. 또한, 라디칼은 가스의 흐름내의 고온의 요소의 제공으로 인하여 형성될 수 있다. 상기 고온의 요소는 열 해리(dissociation)를 유발할만큼 충분히 고온이어야 한다. RF 코일 또는 마이크로웨이브 또는 RF 캐비티와 마찬가지로, 고온의 요소는 배기챔버 외부에 제공될 수 있다.
수개의 표면들이 세정되어야 하거나 세정될 표면이 큰 경우, 상기 장치는 2이상의 하류 라디칼소스 및 동시에 생성될 수 있는 대응하는 라디칼의 빔을 포함하여, 전체 세정시간을 단축시키고 장치의 스루풋을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법으로,
- 하류 라디칼소스내에 가스의 흐름을 제공하여 라디칼의 빔을 생성하는 단계; 및
- 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 단계를 특징으로 한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 자외선(예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 및 EUV(극자외선, 예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)를 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
첨부된 도면을 참조하여, 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선(예를 들어, EUV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사선소스(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 거울그룹)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflective type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사선소스(LA)(예를 들어, 레이저 생성 또는 방전 플라즈마원)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 조정하는 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 두 시나리오 모두를 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서,투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 본 발명에서 사용가능한 하류 라디칼소스(10)를 도시한다. 산소(2) 또는 수소 또는 불소와 같은 여타의 가스의 흐름은 튜브(5)를 통하여 흐르도록 제공된다. 산소는, 예를 들어 RF 코일 또는 마이크로웨이브 또는 RF 캐비티에 의하여 생성될 수 있는 플라즈마영역(3)을 통하여 흐른다. 또한, 플라즈마영역을 생성하는 여타의 수단이 적절할 것이다. 대안적으로, 라디칼은 연속 또는 버스트(burst) 모드 DC 방전(discharge)에서 생성될 수 있다. 플라즈마영역(3)에서, 중성 및 이온화된 활성 입자들이 생성된다. 이온화된 입자들은 튜브벽(5)이나, 예를 들어 튜브 오리피스에 위치될 수 있는 패러데이 격자(6)와 충돌함으로써 중성화될 수 있다. 탄소와 같은 오염물과 반응하지만 표면을 손상시키지 않는 중성 라디칼은 이들 충돌을 견디어 내고 빔(7)으로서 튜브를 빠져 나온다. 중성 라디칼은, 예를 들어 광학표면(8)상의 탄소오염물과 반응하여 표면으로부터 탈리되고 리소그래피장치안으로 이산되는 CO 및 CO2(9)를 형성한다. 이어서 EUV 방사선을 채용하는 장치의 경우, CO 및 CO2가스는 진공시스템에 의하여 추출된다.
표면(8)에 대한 손상의 가능성을 감소시키기 위해서 이온화된 입자들을 빔(7)으로부터 제거하는 것이 바람직할 지라도, 본 발명은 이온화된 입자들을 포함하는 빔(7)으로 실행될 수 있다는 것을 이해한다. 어떠한 경우라도, 패러데이 격자(6)는 본 발명의 중요한 특징이 아니며, 적합하다면 여타의 수단으로부터 이온화된 입자들이 제거될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 장치의 변형례(15)를 도시한다. 이 경우에서, 라디칼은 글로잉 와이어(glowing wire)고온의 요소(13)에 의하여 생성된다. 가열 요소는 효율적인 열 해리를 위해서 충분히 고온, 예를 들어 1700℃에 있어야 한다. 이 장치 및 방법은 탄소가스(12)의 흐름으로부터 수소 라디칼의 빔(17)을 생성하는 데에 특히 유용하다. 수소 라디칼은 산화물을 제거하는 데 특히 유용하며, 이 경우 라이칼이 반응하여 H20를 형성한다.
하류 라디칼소스(10)는 리소그래피장치내에 고정될 수 있으며, 세정을 필요로 하는 요소들은 중성 라디칼의 빔(7)의 경로내에 있도록 이동될 것이다. 세정될 영역의 크기에 따라, 광학요소는 빔(7)하에서 반복적으로 스캐닝될 수 있다. 광학요소의 전체 표면들은 세정될 수 있거나, 또는 대안적으로, 상기 표면들은 특정 영역이 세정을 필요로 한다는 것을 결정하기 위해서 예비-스캐닝된 다음, 이들 영역이 빔(7)하에서 스캐닝될 수 있다. 대안적으로, 리소그래피장치는 세정을 필요로 하는 표면으로 이동될 수 있고, 및/또는 라디칼의 빔을 세정된 표면에 걸쳐 스캐닝하도록 이동될 수 있는 하류 라디칼소스를 가질 수 있다. 또한, 두 시스템의 조합도 사용될 수 있다.
바람직한 실시예에서, (예를 들어, EUV 방사선을 사용하는 장치의 경우) 라디칼의 빔(7)이 방출되는 개구부(11)를 통합하는 하류 라디칼소스의 튜브(5)의 끝단만이 세정될 요소들을 포함하는 배기챔버내에 위치될 것이다. 하지만, 적합하다면, 하류 라디칼소스의 전체가 배기챔버내에 포함될 수 있다.
EUV 리소그래피장치의 정상적인 사용 중에, 웨이퍼스테이지상의 센서의 표면은 거의 10분마다 세정을 필요로 할 것이다. 센서를 세정하는 데 걸리는 시간은 1분미만일 것이다. 그러므로, 이러한 형식의 세정으로 인한 스루풋의 감소는 허용가능한 한계범위내에 있을 것이다. 여타의 요소의 세정 사이클은 이에 필적하거나 보다 양호할 것이다.
상기의 설명은 장치내의 단일 하류 라디칼소스만을 설명하였지만, 상기 장치내에 2이상의 하류 라디칼소스를 제공함으로써 소요되는 전체 세정시간을 단축시킬 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 4는 도2에 도시된 것의 또 다른 변형례인 하류 라디칼소스(20)를 도시한다. 이 경우, 후드(21)는 장치의 잔여부안으로의 가스의 흐름을 최소화하기 위해서 튜브(5)의 끝단에 부착되어 있다. 이는 패터닝수단, 투영시스템 및 기판이 배기챔버내에 있을 수 있는 EUV 방사선을 사용하는 장치에 특히 유용하다. 시일(22)은세정될 표면(8)과 접촉해 있는 후드(21)의 에지 주변에 제공된다. 후드(21)에 부착된 제2튜브는 후드로부터 CO 및 CO2와 같은 가스(24)를 배기시키는 데 사용된다. 이 장치는, 예를 들어 보다 높은 압력에 있는 챔버내에 사용될 수 있으며, 이 경우, 후드(21)는, 그 안에서 작동되는 하류 라디칼소스에 대하여 보다 낮은 압력의 영역을 생성하는 데 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 하류 라디칼소스의 또 다른 변형례(30)를 도시한다. 마찬가지로, 하류 라디칼소소의 튜브(5)의 끝단에 후드(31)가 부착된다. 많은 경우에서, 세정될 요소의 표면(8)은 너무 민감해서 후드에 접촉할 수 없을 것이다. 그러므로, 후드(31)는 표면(8)에 인접하여 근접하게 위치되며, 후드(31)의 에지와 표면(8)사이에는 작고 제어되는 갭(32)이 있다. 상기 갭은, 예를 들어 캐패시터 센서들을 사용하여, 정확히 서보-제어(servo-controlled)될 수 있다. CO 및 CO2와 같은 가스(33)는 후드(31)내에서부터 배기챔버안으로 흐를 것이다. 하지만, 가스가 제한된 공간을 통하여 흐를 것이기 때문에, 후드(31)내의 압력은 배기챔버내의 압력보다 클 것이다. 이는 , 예를 들어 안정된 플라즈마영역(3)을 형성하도록 하류 플라즈마 레디칼소스내에 충분한 압력을 유지하는 것을 도울 것이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 변형례를 도시한다. 도 4에 도시된 변형례와 마찬가지로, 하류 라디칼소스(40)는 시일(22)을 이용하여 세정될 표면(8)과 접촉하는 후드(21)를 구비하여, 상기 후드(21)로부터 배기챔버내로 가스 흐름을 최소화한다. 제2후드(41)는 제1후드(21)내에 제공된다. 협소한 갭(42)은 제2후드(41)와 세정된 표면(8) 사이에 있다. CO 및 CO2와 같은 가스(43)는 협소한 갭(42)을 통하여 제1후드(21)와 제2후드(41) 사이의 공간안으로 흐른다. 이는 제2후드(41)의 내부와 제1후드와 제2후드사이의 공간 사이에 압력차를 형성한다. 따라서, 이는 안정된 플라즈마영역(3)의 형성을 용이하게 하는 배기챔버와 튜브(5)내의 가스사이의 압력차를증가시킨다.
도 7은 본 발명의 도 5 및 도 6에 도시된 변형례들의 특징을 조합시킨 또 다른 변형례(50)를 도시한다. 제1후드(54)는 배기챔버안으로 CO 및 CO2와 같은 가스(56)의 흐름을 최소화하도록 제공되지만, 세정될 표면(8)과 물리적으로 접촉해 있지 않는다. 도4에 도시된 변형례와 마찬가지로, 제1후드(54)와 세정될 표면(8) 사이의 갭(55)은 매우 작으며, CO 및 CO2와 같은 가스(58)를 배기시키기 위해서 제2튜브(57)가 제공된다. 튜브(5)의 끝단에 부착된 제2후드(51)는 CO 및 CO2와 같은 가스(53)의 흐름을 제1후드(54)와 제2후드(51)사이의 공간안으로 제한하도록 그것과 표면(8)사이에 작은 갭을 가진다. 이 변형례는 배기챔버안으로의 가스의 흐름을 최소화하는 한편 튜브(5)내의 고압을 유지하는 특징을 조합하여, 세정될 표면(8)과 물리적으로 접촉하지 않고, 안정된 플라즈마영역(3)을 형성하는 데 도움을 준다.
도 8은 본 발명의 또 다른 변형례를 도시한다. 하류 라디칼소스(60)는 도 7에 도시된 것과 동일한 구성을 가지지만, CO 및 CO2와 같은 가스를 추출하는 대신에, 제1후드(54)안으로 제2튜브(57)는 N2와 같은 가스의 안쪽방향 흐름을 제공하는 데 사용된다. 예를 들어, N2가스는 세정되는 표면(8)을 손상시키는 이온의 가능성을 더욱 감소시키기 위해 빔(7)내의 여하한의 잔존 산소이온과 반응한다. N2가스 대신에 여타의 중성화된 가스가 사용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 변형례(70)를 도시한다. 하류 라디칼소스(70)는 도 8에 도시된 동일한 구성을 가지지만, 제1후드(54)로부터 흘러 나오는 가스(73)를 추출하기 위해서 제3후드(74)가 제공된다. 가스(78)는 제3튜브(77)를 이용하여 추출된다. 이는 메인 챔버를 배기시키는 시스템상의 부하를 최소화하는 장점을 가진다.
또한, 도 4 내지 도9를 참조로 설명된 변형례들은 여타의 라디칼소스 및 오존 세정이나 산소플라즈와 같은 여타의 세정기술과 함께 사용될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 서술되었지만, 본 발명은 상술된 바와 다르게 실행될 수도 있다. 상기 서술은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 장치의 여타의 민감한 요소들을 손상시키지 않고 리소그래피투영장치내에서 표면을 세정하는 방법이 제공된다.

Claims (11)

  1. - 원하는 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 유지하는 기판테이블; 및
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 있어서,
    - 라디칼의 빔을 제공하는, 가스공급장치에 연결된 하류 라디칼소스; 및
    - 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 라디칼의 빔은 이온화된 입자를 실질적으로 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스공급장치는 산소, 수소 및 불소 중 1이상을 공급하고, 상기 하류 라디칼소스는 산소, 수소 및 불소 라디칼 중 하나의 라디칼의 빔에 대응하여 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  4. 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    세정될 상기 표면은 상기 패터닝수단, 센서, 렌즈, 편향기 및 상기 투영빔과 상기 패터닝된 빔 중 하나를 반사시키는 반사기 중 하나의 면인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하류 라디칼소스의 위치는 고정되고, 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 수단은 상기 라디칼의 빔이 표면상으로 입사하도록 상기 표면을 포함하는 구성요소를 이동시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하류 라디칼소스는 가스공급장치로부터의 가스의 흐름내에 플라즈마 영역을 생성하는, RF 코일, 한쌍의 DC 방전 전극 및 마이크로웨이브 또는 RF 캐비티 중 1이상을 포함하며; 상기 라디칼은 상기 플라즈마 영역내에서 생성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하류 라디칼소스는 상기 가스공급장치로부터의 가스의 흐름내에 위치된 고온의 요소를 포함하고, 상기 고온의 요소의 온도는 상기 라디칼을 생성하기 위하여 열 해리를 유발하기 충분한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 패터닝수단, 상기 기판 및 상기 투영시스템을 포함하는 배기챔버를 포함하고; 상기 하류 라디칼소스는 튜브를 포함하며, 상기 라디칼의 빔은 상기 튜브의 끝단으로부터 방출되고; 상기 튜브의 상기 끝단은 상기 배기챔버내에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 라디칼이 형성되는 상기 하류 라디칼소스의 영역은 상기 배기챔버의 외부에 위치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는 2이상의 하류 라디칼소스 및 상기 표면을 세정하기 위한 대응하는 라디칼의 빔들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  11. - 부분적 또는 전체적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,
    - 하류 라디칼소스내에 가스의 흐름을 제공하여 라디칼의 빔을 생성하는 단계; 및
    - 상기 라디칼의 빔을 세정될 표면상으로 지향시키는 단계를 특징으로 하는 디바이스제조방법.
KR1020030090584A 2002-12-13 2003-12-12 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 KR100622096B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02258605.1 2002-12-13
EP02258605 2002-12-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040052189A true KR20040052189A (ko) 2004-06-22
KR100622096B1 KR100622096B1 (ko) 2006-09-08

Family

ID=32748762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030090584A KR100622096B1 (ko) 2002-12-13 2003-12-12 리소그래피장치 및 디바이스제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7315346B2 (ko)
JP (1) JP4369217B2 (ko)
KR (1) KR100622096B1 (ko)
CN (1) CN100456133C (ko)
DE (1) DE60323927D1 (ko)
SG (1) SG128452A1 (ko)
TW (1) TWI237743B (ko)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7671349B2 (en) 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
US7732789B2 (en) * 2004-07-22 2010-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical system having a cleaning arrangement
US7355672B2 (en) * 2004-10-04 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP2006202671A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Ushio Inc 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法
US7750326B2 (en) * 2005-06-13 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and cleaning method therefor
JP5124452B2 (ja) * 2005-06-21 2013-01-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照射ユニット光学面の二段階クリーニング方法
JP4710463B2 (ja) * 2005-07-21 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光発生装置
US7561247B2 (en) * 2005-08-22 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
KR100962911B1 (ko) 2005-09-13 2010-06-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
US8317929B2 (en) 2005-09-16 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus
US7372058B2 (en) * 2005-09-27 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Ex-situ removal of deposition on an optical element
US7372049B2 (en) * 2005-12-02 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element
US7462850B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7465943B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Controlling the flow through the collector during cleaning
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7667820B2 (en) 2006-01-17 2010-02-23 Asml Netherlands B.V. Method for chemical reduction of an oxidized contamination material, or reducing oxidation of a contamination material and a conditioning system for doing the same
US7518128B2 (en) * 2006-06-30 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned
US7541603B2 (en) * 2006-09-27 2009-06-02 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus comprising the same
US7629594B2 (en) * 2006-10-10 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7671347B2 (en) * 2006-10-10 2010-03-02 Asml Netherlands B.V. Cleaning method, apparatus and cleaning system
KR20090081029A (ko) * 2006-12-08 2009-07-27 캐논 가부시끼가이샤 노광장치
US20090025750A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Method for removal of a deposition from an optical element, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device
US7894037B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7812329B2 (en) * 2007-12-14 2010-10-12 Cymer, Inc. System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus
US7655925B2 (en) * 2007-08-31 2010-02-02 Cymer, Inc. Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
JP5099793B2 (ja) 2007-11-06 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造
NL1036571A1 (nl) * 2008-03-07 2009-09-08 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Methods.
DE102008000709B3 (de) * 2008-03-17 2009-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung
KR20100126775A (ko) * 2008-04-03 2010-12-02 칼 짜이스 에스엠테 아게 세척 모듈 및 세척 모듈을 갖는 ｅｕｖ 리소그래피 장치
NL1036832A1 (nl) * 2008-04-15 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus.
US8519366B2 (en) * 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
JP2010093245A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5120193B2 (ja) * 2008-10-08 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102009045008A1 (de) 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
NL2005739A (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Asml Netherlands Bv Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment.
JP5687488B2 (ja) 2010-02-22 2015-03-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5709546B2 (ja) * 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
RU2017146228A (ru) 2012-03-20 2019-02-20 МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. Агрегат и способ переноса радикалов
JP5302450B2 (ja) * 2012-09-20 2013-10-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造
JP2014086516A (ja) 2012-10-22 2014-05-12 Canon Inc ラジカルを供給する供給装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10953441B2 (en) 2013-03-15 2021-03-23 Kla Corporation System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
US9557650B2 (en) 2013-09-09 2017-01-31 Asml Netherlands B.V. Transport system for an extreme ultraviolet light source
US9560730B2 (en) * 2013-09-09 2017-01-31 Asml Netherlands B.V. Transport system for an extreme ultraviolet light source
US9386677B1 (en) 2013-11-18 2016-07-05 Georges J. Gorin Plasma concentration apparatus and method
DE102013226678A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem und Transporteinrichtung zum Transport eines reflektiven optischen Elements
CN105334698A (zh) * 2014-05-30 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于光刻机的晶圆卡盘清洁系统及清洁方法
US9776218B2 (en) 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US9981293B2 (en) 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
JP6942562B2 (ja) * 2017-08-25 2021-09-29 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US10509334B2 (en) * 2017-09-29 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods and apparatus for removing contamination from lithographic tool
US10656539B2 (en) * 2017-11-21 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source for lithography process
US10588212B1 (en) 2019-05-22 2020-03-10 Georges J. Gorin Plasma initiation in an inductive RF coupling mode
US11392041B2 (en) * 2020-09-28 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Particle removal device and method

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5099557A (en) * 1988-07-08 1992-03-31 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source
DE59105735D1 (de) * 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
JP2920850B2 (ja) * 1991-03-25 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 半導体の表面処理方法及びその装置
US5466942A (en) * 1991-07-04 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus
JP3253675B2 (ja) * 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JP3466744B2 (ja) * 1993-12-29 2003-11-17 株式会社東芝 洗浄機能付き荷電ビーム装置および荷電ビーム装置の洗浄方法
WO1997033205A1 (en) * 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JP3827359B2 (ja) * 1996-03-19 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
DE69735016T2 (de) * 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
DE69711929T2 (de) 1997-01-29 2002-09-05 Micronic Laser Systems Ab, Taeby Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JPH10289854A (ja) 1997-04-15 1998-10-27 Canon Inc 露光装置
EP0874283B1 (en) * 1997-04-23 2003-09-03 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
US6385290B1 (en) * 1998-09-14 2002-05-07 Nikon Corporation X-ray apparatus
JP2000090868A (ja) 1998-09-17 2000-03-31 Nikon Corp 光学鏡筒及びそのクリーニング方法
JP2000208487A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Speedfam-Ipec Co Ltd 局部エッチング装置及び局部エッチング方法
US6105589A (en) * 1999-01-11 2000-08-22 Vane; Ronald A. Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source
US6394109B1 (en) * 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
JP3628939B2 (ja) * 2000-06-27 2005-03-16 松下電器産業株式会社 露光方法及び露光装置
US6614505B2 (en) * 2001-01-10 2003-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6968850B2 (en) * 2002-07-15 2005-11-29 Intel Corporation In-situ cleaning of light source collector optics

Also Published As

Publication number Publication date
JP4369217B2 (ja) 2009-11-18
SG128452A1 (en) 2007-01-30
TW200426523A (en) 2004-12-01
US20040165160A1 (en) 2004-08-26
JP2004200686A (ja) 2004-07-15
TWI237743B (en) 2005-08-11
KR100622096B1 (ko) 2006-09-08
CN100456133C (zh) 2009-01-28
CN1506766A (zh) 2004-06-23
DE60323927D1 (de) 2008-11-20
US7315346B2 (en) 2008-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100622096B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR100666746B1 (ko) 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
JP5055310B2 (ja) リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法
EP1429189B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100825452B1 (ko) 리소그래피장치와 디바이스제조방법 및 방사선시스템
US7894037B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100656582B1 (ko) 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 그것에의하여 제조된 디바이스
KR100767829B1 (ko) 디바이스 제조방법
EP1223468B1 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
JP2004519868A (ja) Ｅｕｖに透明な境界構造
TWI390360B (zh) 元件製造方法及微影裝置
KR100767837B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그 디바이스
JP4166730B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
JP5005748B2 (ja) 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
KR100733128B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
KR20050033475A (ko) 거울에 다이내믹 보호층을 공급하는 장치 및 방법
KR100682611B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그 디바이스
KR100731898B1 (ko) 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스
EP1329772B1 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120824

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130823

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140822

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150821

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160819

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170825

Year of fee payment: 12